200811066 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於玻璃成形裝置、玻璃成形方法、以及玻璃 成形品製造裝置，尤其係關於使玻璃成形品成形之成形 模。 【先前技術】 —例如’作為製造透鏡等光學玻璃元件之方法，存在以精 密壓製來進行製造之技術：對形狀接近被稱為預成型述之 成品之玻璃成形品進行加熱，使上述玻璃成形品軟化，並 利用具有高精密面之模具進行壓製，在模具面上進行轉印。 利用如下方法來製造上述預成型链：例如，使溶融狀態 之先學玻璃材料流下至噴出氣體之成形模之成形面上，一 面使^述溶融狀態之光學玻璃材料保持為懸浮在成形面上 :匕、面加以冷卻。例如在下述專利文獻1中揭示有如 下製造方，：在噴出氣體之狀態下之多孔質模具之承接面 ☆用氣體’在懸浮之非接觸狀態下承接使自熔融玻璃 2出口流出之炫融玻璃流，從而獲得熔融玻璃塊來作為光 件成形用材料。上述製造方法中所使用之多孔質模具 如下構造：使自多孔質模具之承接面喷出之氣體中之、 :助於使熔融破璃塊懸浮之剩餘的氣體流’不向熔融玻璃 流出口之方命 、出。即，為如下模具構造··將外蓋覆蓋在 除了承接面以外所 卜之夕孔貝椟具之上表面，以不使剩餘之氣 體、 -向流出口之方向噴出。 文獻日本專利特開2000-095531號公報 120253.doc 200811066 【發明内容】 然而，在上述專利文獻1中所揭示之玻璃成形裝置之多 孔質模具中，因除了多孔質模具之承接面以外，均由外㊣ 所覆蓋’故有時多孔質模具會與外蓋脫離。又，存在如; 問題□使用而導致僅上表面之外蓋延伸，在多孔質模具 與外蓋之間產生空隙，從而氣流洩漏。 ”、 又’存在如下等問題：因-面噴出氣體，-面製造熔融
玻璃塊’ i欠當噴出之氣體中存在雜質時，在所製造出之預 成51述中亦會混人雜質’從而遮住光路或者導致光散射， 從而無法作為光學元件用之玻璃來滿足透射率等光學常 數然而，在上述專利文獻1中，並未涉及對所喷出之氣 體進行淨化之方面。 ~ 本發明係鑒於上述問題開發而成者，提供具有易於加工 且即使長期使用亦不易劣化之成形模之玻璃成形裝置、玻 璃成形方法、以及玻璃成形品製造裝置。 為解決上述問題，本發明者發現藉由僅自成形模之承接 面喷出氣體，較好的是藉由對除了成形模之承接面以外之 外侧面實施塞孔處理，可以使加工變得容易且經得住長期 使用’從而完成了本發明。更具體而言，本發明提供如下 所述之裝置以及方法。 (1) 一種玻璃成形裝置，其具有可以使氣體通過之成形 模’且在噴出氣體之上述成形模之承接面上承接熔融玻璃 ’上述成形模僅自承接面喷出氣體。 本發明之玻璃成形裝置僅自承接熔融玻璃之承接面噴出 120253.doc 200811066 氣體。因此，僅用於使熔融玻璃懸浮，且因未喷出剩餘之 氣體，故效率較高。又，因未利用自承接面以外之面噴出 之氣體來冷卻流下裝置之熔融玻璃，故可以有效地防止產 生條紋。又，因可以在浮游在成形模上之狀態下來製造預 成型述，故可以製造在玻璃表面上無皺折等缺陷且表面光 滑之預成型坯。 (2) 如（1)之玻璃成形裝置，對上述成形模之除了承接 面以外之外側面實施塞孔處理。 (3) 如（2)之玻璃成形裝置，上述塞孔處理係選自由利 用液狀組成物來堵塞氣孔並使上述氣孔硬化之處理、利用 電漿喷散來堵基氣孔之處理、利用CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沈積）來堵塞氣孔之處理、以及利用 電鍍處理來堵塞氣孔之處理所組成之群之處理。 根據上述开> 態’藉由對成形模之除了承接面以外之面實 施塞孔處理，可以僅自承接面噴出氣體。又，因直接對母 材（對成形模實施塞孔處理前之部件）實施塞孔處理，故不 會如在母材上放置外蓋時般，因使用而使母材與外蓋脫離 。其次，不會產生因使外蓋延伸，而使母材與外蓋之間產 生空隙，從而導致氣體洩漏，故可以經得住長期使用。又 ，對於塞孔處理而言，較好的是使用上述處理。通過實施 上述處理，可以僅堵塞氣孔，或者可以使形成在成形模上 之膜變薄，因此可以使成形模小型化。又，因直接對成形 模實施塞孔處理，故可以僅對成形模之承接面進行再加工。 (4) 如（1)至（3)中任一項之玻璃成形裝置，上述成形模 120253.doc 200811066 由多孔質材料而形成。 根據上述形態，因成形模由多孔質材料而形成，故藉由 對具有預期之成形模形狀之成形體進行燒結，可以製造承 接面與側面為-體之成形模。因此，無須連接承接面盘側 面’故可以製造氣體不會自連接料漏之良好之預成型述 …藉由使用多孔質材料’可以省略打開氣孔之步驟， 上述氣孔形成在承接面上且使氣體通過。進而，因氣孔均
勻地形成在整個承接面上，故可以自整個承接面均句地喷 出氣體。 ' (5\如（4)之玻璃成形裝置，在自上述多孔質材料之細 孔直徑之容積基準（valume basis)之眾數徑的至 + 50%之細孔直徑之範圍内，含有之細孔容積為8〇%或超 過 80% 〇 根據上述形態，因細孔之直徑大致均勻，故浮游之預成 型坯穩定，從而可以製造形狀均勻之預成型坯。 (6)如（4)或者（5)之玻璃成形裝置，上述多孔質材料之 細孔直徑之容積基準（valume basis)之眾數徑處於1〇叫到 400 μιη的範圍。 根據上述形態，因細孔直徑之眾數徑為1〇 ，故浮游之預成型述穩定，1無須職體之壓送施加負荷 即可以製造。若細孔直徑之眾數徑超出上述範圍，則懸浮 之預成型4不穩定，因此不理想。又，若上述細孔直徑之 眾數徑低於上述範圍，則無法噴出懸浮所必須之氣體，會 對氣體之壓送施加過量之負荷，因此不理想。 120253.doc 200811066 ⑺如（4)至⑹中任-項之玻璃成形裝£，上述多孔質 材料之氣孔率為50%或未滿5〇〇/0。 —根據上述形態，因多孔f材料之氣孔率為观以下，故 容易獲得使自流下裝置滴下之熔融玻㈣浮所必須之氣體 之噴出量’且不易對氣體之壓送施加過量之負冑。因此， 可以高效地製造預成型坯。 (8) 如⑴至⑺中任-項之玻璃成形裝置，上述氣體係 空氣或者惰性氣體。 根據上述形態，因氣體係空氣或者惰性氣體，故不會與 玻璃之組成物發生反應，從而可以製造具有預期組成之預 成型坯。作為惰性氣體，可以列舉氮、氬、氦等。 (9) 如（1)至（8)中任一項之玻璃成形裝置，設置加熱機 構，上述加熱機構根據須要而對上述氣體進行加熱。 根據上述形態，可以根據須要來對氣體進行加熱。因此 ，可以防止由自成形模之承接面噴出之氣體引起之急冷， 伙而可以防止預成型述產生裂痕和條紋。對於對氣體進行 加熱之加熱機構而言，可以利用燃燒器或者加熱器來進行 加熱’還可以通過對成形模或者使氣體通過之配管等進行 加熱，來對自承接面噴出之氣體進行加熱。上述方法之中 ，較好的是使用構成簡單且有效之對成形模進行加熱之方 法。 (10) 如（1)至（9)中任一項之玻璃成形裝置，在將上述氣 體供給至上述成形模之前，設置上述氣體通過之淨化機構。 (11) 如（10)之玻璃成形裝置，上述淨化機構係過濾器。 120253.doc -10- 200811066 根據上述形態，因在將上述氣體供給至成形模之前設置 淨化機構，故可以去除所供給之氣體中之灰塵等，從而可 以製造未混入雜質之預成型坯。對於淨化機構而言，較好 的是使用過濾器，對於通過淨化機構後之氣體之清潔度而 言’較好的是在大氣壓狀態下之每1升容積中，〇·3 μπι# 上之粒子為100個以下，更好的是5〇個以下，最好的是1〇 個以下。 (12) —種玻璃成型品製造裝置，包括：溶解裝置，其具 有使原料熔融成熔融玻璃之熔融槽、以及與上述熔融槽連 接並使上述熔融玻璃自上述熔融槽流出之引導道；流下裝 置’其使通過上述引導道流出之溶融玻璃流下；玻璃成形 裝置’其具有使上述溶融玻璃成形之成形模；以及搬運裳 置’其搬運由上述成形模成形之玻璃成形品；且上述玻璃 成形裝置係（1)至（11)中任一項之玻璃成形裝置。 根據上述形態，藉由將本發明之玻璃成形裝置用作具有 溶解裝置、流下裝置、以及搬運裝置之玻璃成形品製造裝 置’可以提高生產性，故適合使用。 (13) —種光學元件用預成型坯，利用（1)至（11)中任一項 之玻璃成形裝置或者（12)之玻璃成形品製造裝置而成形。 根據上述形態，利用（1)至（11)中任一項之玻璃成形裝置 或者（12)之玻璃成形品製造裝置而成形之預成型坯，不會 產生裂痕、條紋，且混入之雜質亦較少，故適合用作光學 元件。 (14) 一種玻璃成形方法，其使熔融玻璃成形為玻璃，且 120253.doc -11- 200811066 包括：流下步驟’其使熔融玻璃流下；熔融玻璃塊成形步 驟’其一面僅自可以使氣體通過之成形模之承接面喷出氣 體’一面在成形模之承接面上承接住上述已流下之熔融玻 璃’使熔融玻璃塊成形；以及冷卻步驟，其使上述熔融玻 璃塊冷卻，使玻璃成形。 (15) 如（14)之玻璃成形方法，對上述成形模之除了承接 面以外之外側面實施塞孔處理。 (16) 如（15)之玻璃成形方法，上述塞孔處理係選自由利 用液狀組成物來堵塞氣孔並使上述氣孔硬化之處理、利用 電漿噴散來堵塞氣孔之處理、利用CVD來堵塞氣孔之處理 、以及利用電鍍處理來堵塞氣孔之處理所組成之群之處理。 (17) 如（14)至（16)中任一項之玻璃成形方法，在上述溶 融玻璃塊成形步驟中，上述成形模由多孔質材料而形成。 (18) 如（17)之玻璃成形方法，在自上述多孔質材料之 細孔直徑之容積基準（valume basis)之眾數徑的-5〇%至 + 50%之細孔直徑之範圍内，含有之細孔容積為8〇%或超 過 80%。 (19) 如（17)或者（18)之玻璃成形方法，上述多孔質材料 之細孔直徑之容積基準（valiime basis)之眾數徑處於1〇 到400 μιη的範圍。 (20) 如（17)至（19)中任一項之玻璃成形方法，上述多孔 質材料之氣孔率為50%或未滿50%。 (21) 如（14)至（20)中任一項之玻璃成形方法，在上述溶 融玻璃塊成形步驟中，在上述溶融玻璃不與上述承接面接 120253.doc -12· 200811066 觸之狀態下使熔融玻璃塊成形。 (22) 如（14)至（21)中任一項之玻璃成形方法，噴出空氣 或者惰性氣體來作為上述氣體。 (23) 如（14)至（22)中任一項之玻璃成形方法，根據須要 來對上述氣體進行加熱。 (24) 如（14)至（23)中任一項之玻璃成形方法，包含對上 述氣體進行淨化之淨化步驟。 (25) 如（24)之玻璃成形方法，上述淨化步驟係使上述氣 體通過過濾器之步驟。 (26) ——種光學元件用預成型坯，其利用（14)至（25)中任 一項之玻璃成形方法而成形。 (14)〜(25)之玻璃成形方法係將上述（丨）〜^之玻璃成形 裝置作為玻璃成形方法展開而成者。根據上述玻璃成形方 法，可以貫現與在敍述上述玻璃成形裝置時之效果同樣之 效果。 (27) —種玻璃成形裝置，其特徵在於：具有可以使氣體 通過之成形模，在喷出氣體之上述成形模之承接面上承接 熔融玻璃，且在將上述氣體供給至上述成形模之前，設置 使上述氣體通過之淨化機構。 (28) 如（27)之玻璃成形裝置，上述淨化機構係過濾器。 (29) —種玻璃成形裝置，其具有可以使氣體通過之成形 模，在喷出氣體之上述成形模之承接面上承接熔融玻璃， 且在將上述氣體供給至上述成形模之前設置淨化機構，上 述淨化機構對上述氣體進行處理，以使在大氣壓狀態下之 120253.doc •13· 200811066 每1升谷積中，〇·3 以上之粒子為100個以下。 根據(27)至(29)之玻璃成形裝置，因在將上述氣體供給 至成形模之七設置淨化機構，故可以去除所供給之氣體中 之灰塵等，從而可以製造未混入雜質之預成型坯。 根據本發明之玻璃成形裝置以及玻璃成形方法，可以製 造如下高品質之預成型坯，即，通過僅自成形模之承接面 噴出氣體’在壓送氣體時效率較高且無條紋等。又，藉由 直接對母材（對成形模實施塞孔處理或者放置外蓋前之部 件）進行處理而實施塞孔處理，因此不會如在母材上放置 外蓋般，因使用而使母材與外蓋脫離。其次，不會因外蓋 延伸而在母材與外蓋之間產生空隙，從而導致氣體洩漏， 故可以經得住長期使用。 【實施方式】 以下，根據附圖來說明本發明之一實施形態，但本發明 不限於此。圖1係表示含有本發明之一實施形態之玻璃成 形裝置10之玻璃成形品製造裝置1的構成之正視圖，圖2係 表示本發明之玻璃成形裝置10之構成之立體圖，圖3係構 成本發明之玻璃成形裝置10之一部分之成形模11的示意剖 面圖。 [玻璃成形品製造裝置] 如圖1所示，玻璃成形品製造裝置1包括具有熔融槽31以 及引導道32之溶解裝置30。玻璃成形品製造裝置1更包括 流下裝置33、玻璃成形裝置10、第1移載裝置40、以及搬 運裝置50 〇 120253.doc •14- 200811066 圖1中，熔融槽3 1使微粒或者玻璃屑等原料熔融後成為 溶融玻璃。引導道32與熔融槽31連接，自熔融槽31流出熔 融玻璃。流下裝置33使通過引導道32流出之熔融玻璃流下 。實際而言，引導道32以及流下裝置33係使熔融玻璃流下 之金屬管，將上述金屬管之傾斜部位設為引導道32，將上 述金屬管之大致垂直部位設為流下裝置33。 圖1中，玻璃成形裝置10具有使熔融玻璃成形之多個成 形模11。搬運裝置50搬運由成形模U形成之玻璃成形品。 第1移載裝置40將玻璃成形品自玻璃成形裝置1〇移載至搬 運裝置50。 <玻璃成形裝置> 其次，說明本發明之玻璃成形裝置10。如圖2所示，本 發明之玻璃成形裝置1〇包括圓盤狀之旋轉台12，上述旋轉 台12之中心部旋轉自如地受到支撐，且可以順時針或者逆 時針地旋轉。旋轉台12上具有配置在旋轉台12之周緣部之 同〜位置上之多個成形模1 1、以及保持成形模1 1之固定器 17。另外，圖2中省略了成形模11以及固定器17之一部分 。又，玻璃成形裝置10包括：旋轉軸13，其貫通旋轉台12 之中心部，且相對於旋轉台12之盤面而上下垂直地延伸； 以及送氣管14，其自旋轉軸13之上部貫通旋轉軸13内部， 並與連結管15連結。玻璃成形裝置10具有連結管15，此連 結管15自旋轉台12之中心部向固定器17延伸。供給至成形 模11之氣體通過送氣管14、連結管15和固定器17而供給至 成形模11中。 120253.doc -15· 200811066 又，玻璃成形裝置10具有加熱機構，上述加熱機構可以 根據須要來對供給至成形模此氣體進行加熱。加熱機構 設在成形模Η之側部，通過對成形模丨丨進行加熱來對氣體 進打加熱。在本實施形態中，利用燃燒器16來對成形模Η . 進仃加熱，但不限於此。例如，可以使用如下方法，即， 使加熱器來加熱成形模丨i，或者藉由對成形模丨〗通電來直 . 接加熱成形模11。通過對氣體進行加熱，可以防止熔融玻 璃之急冷，從而可以防止已成形之預成型坯產生裂痕、條 響 紋。 進而，如圖1所示，玻璃成形裝置1〇為將供給至成形模 11之氣體之雜質去除而包括作為淨化機構之過濾器丨8。使 軋體通過過濾器1 8後加以供給，藉此可以使成形之玻璃成 形品為混入較少雜質之玻璃成形品。又，在圖1中，在玻 璃成形裝置10之入口設置過濾器18，但可以不對過濾器18 之位置、大小加以特別限定地設置過濾器18。又，當使用 _ 壓縮機來供給氣體時，較好的是使用微粒固形物之過濾 器、濾塵裔、油霧遽清器來作為淨化機構，且較好的是在 氣體之流路上按照上述順序成列地設置上述過濾器。對於 - 過濾器18而言，較好的是按照上述順序成列地配置例如 • SMC株式會社製造之分霧器AM450、微型分霧器 AMD450、以及超級分霧器AME450。 (成形模） 《第一實施形態》 圖3係表示構成本發明之玻璃成形裝置1〇之一部分之成 120253.doc -16- 200811066 形模11的示意剖面圖。成形模11設置在流下裝置33之下方 ’且具有承接住自流下I置33流下之熔融玻璃之承接面 114。成形模11呈在内部具韻體供給室112之箱狀，且由 多孔質體ill而形成，上述多孔質體ιη由多孔質材料而形 成。多孔質體ill具有耐熱性，此處，多孔質體iu由燒結 不銹鋼而成之夕孔性金屬所形成。因此，在成形模11之整 個面上没置有多數個微細孔。為防止自上述多數個微細孔 浅漏出氣體’對除了承接面114以外之面實施塞孔處理。 圖1中’作為基孔處s之一例，利帛冑艘處理來在成形模 U之除了承接面114以外之面上形成電鍍層113，以堵塞多 餘之微細孔。藉此，僅在承接面114上形成連結氣體供給 至112與外部之多數個微細孔。 對於形成成形模11之多孔質體丨丨丨而言，不僅由多孔質 材料來形成承接面，且由多孔質材料來形成側面、底面， 夕孔貝體111係一體型者。藉由燒結不銹鋼來形成多孔質 體，使不銹鋼形成為預期形狀，並進行燒結，藉此可以容 2地成形。又，因多孔質體係一體型者，故無須連接多孔 質體之承接面與側面，因此不會噴出自連接部供給至氣體 供給至112之氣體。對於多孔質材料而言，除了上述不銹 鋼之外’亦可以使用多孔質碳等。 又，較好的是多孔質材料之細孔直徑均勻。藉由使細孔 直徑大致均勻，而使懸浮之預成型坯穩定，從而可以製造 少狀均勻之預成型坯。具體而言，較好的是在自細孔直^ 之各積基準（valume basis)之眾數徑的·5〇()/❶至+5〇%之細孔 120253.doc -17- 200811066 直徑之範圍内，所包含之細孔容積為8()%以上。藉由使細 孔直徑處於上述範圍内，可以使細孔直徑變得大致均勻， 懸浮之預成型坯穩定，從而可以製造形狀均勻之預成型坯 。為獲得上述效果，更好的是在自容積基準（valume basis) 之眾數徑之-45%至+45%之細孔直徑的範圍内，所包含之 細孔容積為80%以上，最好的是在自容積基準㈣咖 basis)之眾數徑之-40%至+4〇%之細孔直徑的範圍内，所包 含之細孔容積為80%以上。繼而，對於本發明之實施例之 夕孔貝體而吕，在自容積基準（valllme basis)之眾數徑 之-34.7%至+34.8%之細孔直徑的範圍内所包含之細孔容積 為 81.7%。 ' 利用汞細孔計來測定多孔質材料之細孔直徑。對於細孔 容積而言，使用水銀之壓入量。根據壓入水銀時所施加之 壓力，使用Washburn公式來計算出細孔徑。對於眾數徑而 言，使用以細孔之容積（體積）為基準而獲得之值。 又，較好的是多孔質材料之細孔直徑之眾數徑處於i 〇 μπι以上400 μηι以下之範圍。眾數徑之上限值較好的是4〇〇 μπι以下，更好的是60 μιη以下，最好的是35 μηι以下。藉 由使來數径之上限值處於上述範圍，懸浮之預成型坯姿勢 穩定，從而可以獲得良好之玻璃。又，較好的是眾數徑之 下限值為10 μηι以上，更好的是12 μιη以上，最好的是15 μιη以上。藉由使眾數徑之下限值處於上述範圍，易於噴 出懸浮所必須之氣體，且不易對氣體之壓送施加過量之負 荷。 120253.doc -18- 200811066 繼而，較好的是多孔質體之氣孔率為5〇%以下。進而， 較好的是將上限值設為4G%，最好的是設為鳩。又，較 好的是下限值為1G%，更好的是12%，最好的是15%。通 過使氣孔率處於上述範圍，易於噴出懸浮所必須之氣體， 且不易對氣體之壓送施加過量之負荷。 此處’根據下式來表示氣孔率。 氣孔率（％)=(真密度-容積密度）/真密度xl0()
對於真密度、容積密度而言，使用由汞細孔計而獲得之值。 又，對成形模11中之除了承接面以外之面實施塞孔處理 。對於塞孔處理而言’較好的是選自由制液狀組成物來 堵塞氣孔並使上述氣孔硬化之處理、制電漿噴散來堵塞 氣孔之處理、利用CVD來堵塞氣孔之處理、利用電鍛處ς 來堵塞氣孔之處理所組成之群之處理。上述處理中，尤其 利用電鍍處理，僅浸在電鍍液中進行處理即可，容易加工 。又，使電鍍層變薄’藉此可以減輕裝置之重量。對於上 述電鍍處理而言，較好的是電鍍Cr。 又，如圖3所示，在與成形模n之固定器口接合之接合 部之外徑上，具有可以旋接之外螺紋部，且在與固定器^ 之成形模11接合之接合部之内徑上，具有可以旋接之内螺 紋部。在上述外螺紋部、内螺紋部旋接之狀態下，保持成 形模11以及固定器17。藉此’可以提高成形模η與固定器 17之密著性’因此可以製造所供給之氣體不會自成形模“ 與固定器1 7之接合部洩漏之預成型坯。 又 固定器17連接連結管15， 上述連結管15與設在成形 120253.doc -19- 200811066 模11内部之氣體供給室Π2連通。若經由上述連結管15以 及固定器17，向氣體供給室112供給空氣或惰性氣體等氣 體，則上述氣體經由多個微細孔而自承接面U4向外部噴 出。 、 ^ 繼而，對於供給至成形模11之氣體而言，只要為不與玻 璃成分反應之氣體’則可以不加特別限定地使用，但較好 . 的是使用空氣、惰性氣體。對於惰性氣體而言，可以列舉 氮、氬、氛等。 ®《第二實施形態》 圖4係第二實施形態之成形模11A之示意剖面圖。與第一 實施形態之成形模11相同，成形模丨i A具有承接住熔融玻 璃之承接面114A。又，成形模11A呈在内部具有氣體供給 室Π2Α之箱狀，且由多孔質體111A而形成，上述多孔質 體111A由多孔質材料而形成。未在成形模丨丨a之除了承接 面114 A以外之面上設置電鍍層，此方面與第一實施形態之 _ 成形模11不同。與第一實施形態相同，在第二實施形態之 成形模11A中，如圖1所示，在玻璃成形裝置1〇之入口具有 作為淨化機構之過濾器18，因此可以使成形之玻璃成形品 ^ 為混入較少雜質之玻璃成形品。 ， [玻璃成形方法] 其次，一面參照圖2、3以及圖5、6，一面說明使用了上 述玻璃成形裝置之本發明之玻璃成形方法。本發明之玻璃 成形方法使熔融玻璃成形為玻璃，且包括：流下步驟，其 使溶融玻璃流下；溶融玻璃塊成形步驟’其一面僅自可以 120253.doc -20- 200811066 使氣體通過之成形模之承接面噴出氣體，一面在成形模之 承接面上承接住上述已流下之熔融玻璃，使熔融玻璃塊成 形；以及冷卻步驟，其使上述熔融玻璃塊冷卻，使玻璃成 形。 將氣體自連結管15供給至氣體供給室1 i 2中，並使氣體 自成形模11之承接面Π4之表面喷出。在上述狀態下，使 熔融玻璃自流下裝置33流下，在承接面114上承接住上述 溶融玻璃。上述熔融玻璃浮游在承接面U4上並受到保持 ’如圖5所示，途中部分之中間變細且緩慢變細。一旦熔 融玻璃達到固定重量，則變細之途中部分之中間變細部分 因表面張力而斷開，從而可以獲得熔融玻璃塊。 菖融玻璃塊落在成形模1 1之承接面1 1 4上之後，成形 模11立即在如圖2所示之旋轉台12上移動。在上述成形模 11移動之同時，使另一個空成形模i i移至流下裝置33之下 方’以準備下一個溶融玻璃之流下。 保持在承接面114上之熔融玻璃塊，利用自承接面114喷 出之氣體’使熔融玻璃得至均質化，而且在旋轉台丨2上移 動之期間’使溶融玻璃冷卻至軟化點以下之溫度為止，使 玻璃成形品成形。利用噴出之氣體來使熔融玻璃塊成為浮 游狀恶’因此不會使熔融玻璃塊與成形模〗丨之承接面n 4 直接接觸而急冷。因此，可以高效地使精度極高之玻璃成 形品成形’上述玻璃成形品之熔融玻璃與承接面U4接觸 之部分不會產生皺折等，且表面上無皺折等缺陷。進而， 亦可以有效地防止熔融玻璃塊與承接面114熔接。 120253.doc •21- 200811066 在成形模11在旋轉台12上旋轉一周之途中，利用真空吸 附機構等第1移載裝置40，將已成形之玻璃成形品搬運至 下一步驟。其次，空成形模u再次移動至流下裝置Μ之下 方，以用於下一個玻璃成形品之成形。重複上述步驟，可 以高效地使玻璃成形品成形。 【圖式簡單說明】
圖1係表示含有本發明之玻璃成形裝置之玻璃成形品製 造裝置之構成的正視圖。 圖2係表示本發明之玻璃成形裝置之構成之立體圖。 圖3係構成本發明之玻璃成形裝置之一部分之第一實施 形態的成形模之示意剖面圖。 圖4係第二實施形態之成形模之示意剖面圖。 圖5係表示使熔融玻璃自流下裝置流下至第一實施形態 之成形模中之狀態之示意剖面圖。 圖6係表示使第一實施形態之成形模在旋轉臺上移動之 狀恶之不意剖面圖。 【主要元件符號說明】 1 玻璃成形品製造裝置 10 玻璃成形裝置 u，11A 成形模 12 旋轉台 13 旋轉軸 14 送氣管 15 連結管 120253.doc -22- 200811066 16 燃燒器 17 固定器 18 過漉器 30 溶解裝置 31 溶融槽 32 引導道 33 流下裝置 40 第1移載裝置 50 搬運裝置 111， 11 ΙΑ 多孔質體 112, 112Α 氣體供給室 113 電鍍層 114, 114Α 承接面 120253.doc -23-