TW200809884A - Method for producing a coating of a porous, electrically conductive substrate material with a dielectric and production of high capacitance density capacitors by using this method - Google Patents

Description

200809884 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係介·在多料電基板材料上製備 一連續及低絲塗層的方法，且_於利用此方 ^ 電容密度電容器。 ^ 【先前技術】 在廣泛多種應用中，能量之儲存係持續展開工作之目 標。電力及電子電路之逐漸小型化導致對愈來愈少或 愈小之組件的需求，以達成此 ^ _ 成此儲存。因此，對於電容器而 吕’需要愈來愈高之電容密度。 根據電容器公式： EW C.U2及 Οε.εο.Α/d， 其中.E==能量 C=電容 U=電壓 ε=介電物之介電常數 ε〇=真空介電係數 Α=:電極表面積 電極間距， 由2量密度可藉由利用具有高介電常數之介電物以及藉 圣表面積及短電極間距而達成。此外，需要使用且 有高擊穿電屋之介電物以.達成高工作電歷。要使用具 组電容器由燒結之组粉末基體組成。其因此 電極表面積，伯士认* 大之 、一 ；/、電化學製造過程，因此其受限於僅 119784.doc 200809884 具有低介電常數（ε=27)之五氧化二钽作為介電物。此外， 電化學製造過程將電容器之總大小限制於數毫米，使得必 需要精細並聯接法之電容器（所謂，，多陽極電容器）以便提 供較大電容。 多層陶瓷電容器（MLCC)由於使用陶瓷介電物而可容忍 高電壓及周圍溫度。此外，具有高介電常數之陶究介電物 係易於得到的。然而，對大電極表面積之需求使得必需要 有具極小層厚度（小於i μιη)之大量層（大於5〇〇層）。此等電 容器之製造因此係昂貴的，且通常隨層厚度增加而傾向於 有疵點。同樣’製造具有相當大尺寸之電容器係不可能 的，因為此將導致在製造層結構時出現應力裂紋，且因此 導致組件出現故障。 在使用约6 V之額定電壓時，（例如）鈕或陶瓷多層電容器 具有10 mF/cm3左右之典型電容密度。 ° DE-A-G221498描述了-種高能量密度陶£電容器，該電 容器由其上塗覆有導電第一層、鈦酸鋇第二層及另一導電 層之惰性多孔基板組成。為此，由諸如氧化鋁之材料製成 的惰性多孔基板首先藉由氣相沈積或無電極電鏟而塗佈有 -電鑛金屬。在第二步驟中，藉由以鈦酸鋇奈米分散液進 行滲透及隨後在900t至崎進行燒結而製備介電物。 此方法可由於精細製造及電鍍金屬之低熱穩定性而存在 問題。介電物之製備需要载至川代之溫度。許多金 屬在此等溫度下已具有極高流動性，其連同該等金屬之大 表面張力可導致電鐘金屬層聚結且形成細微液滴。尤其在 I19784.doc 200809884 銀或銅電鍍金屬之情況下觀察到此情況m驟以 鈦酸鋇奈米分散液進行滲透期間，若分散液含有相當大之 微粒或聚集體，則此外可出現不均勻之塗層或孔之阻塞。 在出現不均句塗層的情況下’將不可能使用多孔基板之全 部内部表面，其將減少電容器之可用電容且大大增加了短 路之危險。 德國專利中請案第咖_2G86G號揭示了 —種用於彭 造電容器之方法，…鳴電物之薄膜完全地(在其 内部及外部表面上）塗佈多孔導電基板。氧化物（諸如^ 酸鋇（BaTi〇3))係較佳用作該材料。咖〇3係藉由以含有領 及鈦之醇化物、錢鹽或其類似物之溶液來滲透該多孔基 板而塗覆。繼滲透之後，將溶液進行熱處理（―或多個高 :約_。之溫度下之階段)以便炮燒所溶解之前驅體化合 物從而形成氧化物。在此，需 曲 據實例為2。重量%如)以便在二最—度之溶液(根 U、 里/ ^更回）以便在滲透期間將最大可能量之 材料輸送至該多孔基板内部。 雖然此程序具有優於上文所述之先前技術之優點，⑽ ==全消除缺點’尤其介電陶究之可能堆積發生於内 4而不是該等孔之壁上。卜姑枓 ； 此材枓不與導電基板緊密接觸， 且因此對電容器之能量 省仔不作貝獻。可出現孔壁上之微 ^積而非形成緻密薄臈。薄膜中所得之心將導致電容 〇口短路，亦即，導致組件之低品質。 【發明内容】 Q A t ^ W之—目標為開發—種以介電物在多孔導電基 H9784.doc 200809884 板材料上製備-連續及低疮點塗層的方法。該塗層應盡可 能達到該基板材料之整個内部及外部表面，但應避免阻塞 〆不要也真充4等孔。§亥方法應為經濟節約的且尤其適 用於製造用於高電容密度電容器之塗層。 該目標係經由將濃度小於1G重量％之該介電物之前驅體 . &合物之溶液用於塗佈該多孔導電基板材料而達成，該濃 度係依據該介電物對該溶液之總重量的貢獻來表示。 • 亡發明因此係關於-種利用濃度小於1〇重量％之介電物 之_化合物之溶液來以該介電物製備多孔導電基板材 ，之塗層的方法，該濃度係依據該介電物對該溶液之總重 置的貢獻來表示。 本發明亦係關於此方法在將一塗層製造 電物的用途，且係關於如此之電容 °。中 電力及電子電路中之用途。身、其製造及其在 【實施方式】 • 顯方法相反’吾人已驚奇地發現使用低 /辰度洛液將導致更佳之塗層品質。 度小於10重量%(依據介電物對該溶液之總重 :製：：：待沈積材料之前驅體化合物的溶液用 ”孔二广則可在熱後處理之後觀察到材料優先沈積 等二=板之壁上。塗層材料作為緻密閉合薄膜沈積於該 Γ等:二Γ粒材料之堆積被抑制。因此可不再觀察到 -欠重複以便遠及有害之堆積。該塗佈過程可複數 複便達成所要之層厚度而不產生所述之不當堆積。 119784.doc 200809884 以此方式製備之介電層具有高的熱、機械及電承載能 力，且其因此尤其適用於高電容密度電容器中。 此外’使用導電基板材料提供以下優點：由於基板預先 存在之導電性，因此無需額外之用於電鍍金屬的基板塗 層。該方法因此變得更簡單且更為經濟節钓，該等電容器 變得更強健且更不易於出現疵點。

合適基板較佳具有0.01 mVg至10 m2/g之比表面積（BET 表面積），0.1 m2/g至5 m2/g尤其較佳。 該等基板可（例如）藉由在自i千巴至i⑽千巴之壓力下壓 縮或熱壓縮及/或在50(rc至丨6〇{rc (較佳為7〇〇它至13〇〇它） 之溫度下燒結具有〇 〇1…仏至⑺mVg之比表面積（BET表 面積）的粉末而製造。該壓縮或燒結較佳在由空氣、惰性 氣心（例如，氬氣或氮氣）或氫氣或其混合物組成之氣氛中 執行’其中氣壓為〇〇〇1巴至1〇巴。 用於壓細之>1力及/或用於熱處理之溫度係視所使用二 材料及意欲之材料密度而定。理論值的30%至50%之密/ 較佳所要值以確保電容器足以用於意欲之目的之機械系 疋性，連同足以在隨後时電物進行塗佈之孔體積分數。 有可能制具有較佳為至少·。C(尤其較佳為高於12〇 之足夠局熔點且在隨後之處理期間不參加與陶瓷介電 物，任一反應的所有金屬或金屬合金的粉末。 该等基板較佳含有至少一種金屬（較佳為奶、Cu、別、 合&金。^ ^、你’或叫及/或至少-種基於其之金屬 119784.doc 200809884 季父t地’基板完全由導電材料組成。 根據另一較佳變體，該基板由至少一種處於粉末形式之 非金屬材料組成，該非金屬材料由上文所述之至少二種金 f或至少-種金屬合金包覆。該非金屬材料較佳被包覆使 仔在该非金屬材料與介電物之間不發生使電容亞 化的反應。 貝心 該等非金屬材料可為（例如）A丨2〇3或石墨。妙而 _，、加2，、加2、沉、帥4或題亦為合適的、、。、 二：：穩定性而避免由於在介電物之熱處理期間金屬材 、·ό而進—步降低孔體積分數的材料皆為合適材料。 根據本發明所使用之基板可具有廣泛多種幾何機構，例 口 ’立方體、板或圓柱。 4基板製造為各種尺寸， 為數毫米至數分米’且可因此與相關應用完美匹配。 容:之，可修整該等尺寸以使其達到電容器所要求的電 可將基板連接至—觸點。該接觸可較佳藉由直接 =板製造期間引入導電電線或條帶而實現。作為一替代 …接觸亦可藉由在導電電線或條帶面 成導電連接（例如，藉由焊接或溶接）而執行。 間形 :據本發明所採用之多孔導電基板充當第—電極且同斤 充备用於介電物之基板。 ^ 可使用習知上可用作介電物之所有材料。 數所使用之介電物應具有大於1〇〇(較佳大於500)之介電常 119784.doc -10- 200809884 介電物較佳含有組成可以通式AxBy〇3為特徵的氧化物陶 瓷（較佳為鈣鈦礦類型）。此處，八及3表示單價至六價陽離 子或其混合物，較隹為Mg、Ca、Sr、Ba、γ、La、Ti、

Zr、V、Nb、丁a、Mo、w、Mn、Zn、抑或則，χ表示 〇 9至 Μ之數值且y表示0.9至之數值。八與3在此情況下彼此 不同。 尤其較佳為使用BaTiO: 抓〇3、（Bai.xSrx)Ti〇3及Pb(ZrxTi】 χ)〇3，其中χ表示〇 ⑷ 0.99之間的數值。 ^ 、為改良具體性質(諸如，介電常數、I阻率、擊穿強Ζ 或長期穩定性），該介電物亦可含有掺雜物元素，該等夺 雜物元素以其氧化物之形式且以有利地處於G.01原子％| 10原子％之間（較佳為0·05原子％至2原子％)的濃度存在' 合適摻雜物元素之實例為週期表之第二主族元素(詳” 為Mg及Ca)及副族的第四及第五週期元素(例如，I γ、 Ή、&、V、Nb、Cr、Mo、W、Μη、Fe、Co、Ni、Cu、 Ag及Zn)以及鑭系元素（諸如，La、^、h、Nd、^ EU'Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、外及㈣。 功、 該介電物根據本發明伤ό w 豕4 h 3係自该介電物之前驅體化合物之、、笔 液沈積於基板上(所謂溶膠-凝膠法，亦稱為化學溶液对 積）。相較於㈣分散液而言，提供均質溶液尤其有利， 此使付即使在基板相當大之情況下，孔之阻塞及不均句塗 層亦不θ lx生A此’多孔基板係以可藉由將對應元素 其鹽.溶解於溶劑中而製備之溶液進行滲透。 - 119784.doc 200809884 車父佳可使用之鹽為前述元素（此處表示為Μ)之氧化物、 氫氧化物、碳酸鹽、鹵化物、乙醯基丙酮酸鹽或其衍生 物、具有通式M(R-CO〇)x之有機酸之鹽(其中、甲基、 乙基、丙基、丁基或2-乙基己基且χ=ι、2、3、4、5或 6)、具有通式M(R-0)x之醇鹽（其中甲基、乙基、丙基、 異丙基、丁基、第二丁基、異丁基、第三丁基、L乙基己 基、2-羥基乙基、2-胺基乙基、2_甲氧基乙基、乙氧基

乙基、2-丁氧基乙基、2_羥基丙基或2_甲氧基丙基且卜 2、3、4、5或6)或此等鹽之混合物。較佳為使用鋇及鈦之 醇化物及/或魏酸鹽。 丁驗或四氫Μ;或此轉劑之混合物。尤其較佳為使用 乙一醇醚，諸如甲基乙二醇或丁基乙二醇。 較佳可使用之溶劑為：水；具有通式r_c〇〇h之羧酸， 其中R=H、甲基、乙基、丙基、丁基或2_乙基己基;具有 通式R-OH之醇，其中R=甲基、乙基、丙基、異丙基、丁 基、,二丁基、異丁基、第三丁基或2-乙基己基；具有通 式R-〇-(c2H4-〇)x_R2之乙二醇衍生物，其中甲 基、乙基或丁基且x=1、2、3或4;以二幾基化合物，諸 如乙酿基丙料乙醯基丙酮酸鹽；脂族或芳族烴，例如戊 烧、己燒m、甲苯或二甲苯；_，諸如乙肩、二 根據本發明’所採用之介電物之前驅體化合物之溶液具 較佳低於6重量％，尤其較佳為2重量%至6 —里。）之浪度，此等濃度分別依據介電物對該溶液之 置的貢獻來表示。將介電物對溶液之總重量的貢獻計算為 119784.doc -12- 200809884 在煅燒之後殘留之材料(例如，BaTi〇3)之量，其依據所使 用之溶液之量來表示。 忒等基板之滲透可藉由將基板浸沒於溶液中來執行（藉 由壓力次潰或藉由向其上噴射）。應確保使基板之内部及 外部表面完全浸濕。

隨後以習知方式在烘箱中且在自500°C至1500。<3(較佳為 6〇〇(：至1〇〇〇。(：，尤其較佳為約7〇〇。(：至9〇〇。〇之溫度下對 以溶液浸潰之㈣進行熱處理，以锻燒所溶解之前驅體化 合物來形成氧化物。 氫氣、氧氣或水蒸氣或此 其中氣壓為0.001巴至1〇 惰性氣體（例如氬氣、氮氣）、 等氣體之混合物可用作氣氛， 巴。 土以此方式’在多孔基板之整個内部及外部表面上獲得車 仫為:_至30 nm之厚度的薄膜。整個内部及外部表面方 盡可能被全部覆蓋以確保電容器之最大電容。 為達成較佳為50麵至500 nm(尤其較佳為1〇〇啦至3〇 疆)之所要.層厚度，若有必要則複數次(例如，高達別次 :複塗佈過程。為節省時間及能量’在每次重複期嶋 層不必在高溫(例如’峨)下完全煅燒。即使塗層首先僅 在低溫下（例如，在霧Q6Gn：下，較佳在約彻。C下）經 熱處理且直至該塗佈過程之所有重複完成之後方才如上文 所述在高溫下完全烺燒，仍可獲得相當品質之塗層。 為改良介電物之電學性質，繼燒結之後在2啊曰愈60代 之間的溫度下且在具有議至25%之氧氣含量的氣氛中 119784.doc 200809884 執行另一熱處理。 在一例示性實施例中，根據本發明，如下以介電物來實 現多孔導電基板材料之塗佈：

以習知方式，將根據本發明之待使用之介電物之前驅體 化合物同時或連續地或首先個別地溶解於一或多種溶劑中 (視情況進行冷卻或進行加熱）。該等溶液之製備在文獻中 有1日不，例如R. Schwart_ Materials Engineering 28， Chemical Processing 〇f 以刪-’第二版細^，第 713 頁至 742 頁中之"Chemical⑽ μ

Ferr〇electric Thin FUms"中。藉由過濾將殘留之固體移 除。較佳在室溫下執行操作。若需要，則隨後（例如）借助 於旋轉式汽化器蒸㈣過量溶劑，直至達朗要之溶液濃 度。最後，較佳將溶液過濾以移除懸浮微粒。 敗 將多孔成形體浸沒於此溶液中。可額外施加〇1毫巴至 9〇〇毫巴（較佳約100毫巴）之真空〇5分鐘至1〇分鐘較佳為 5分鐘，接著再充氣以移除截留之氣泡。將浸潰成形體自 溶液中移除且滴除過量之溶液。習知上，隨後在至 2〇〇°C下將成形體首先乾燥歷時（較佳）5分鐘至的分鐘且妙 後在寶(：至500。(：下且（例如）在潮濕氮氣中使其水解里5分: 至60分鐘。最後將其在上文所指出之溫度下且較佳在：二 氮氣中緞燒1 0分鐘至120分鐘。 卞 至達成所要層厚 視情況重複浸潰/乾燥/緞燒之序列直 度0 根據上述方法製備之塗層包含在基板材料之實際整個内 119784.doc -14- 200809884 部及外部表面上連續及低疵點的介電層。 在塗層之電阻率大於108 (較佳為大於1〇" n.cm) 時’塗層在本發明之上下文中為低疵點的。該塗層之電阻 可（例如）經由阻抗光譜法來測定。在基板之比表面積（習知 上經由BE丁量測而測定）已知及塗層之層厚度（習知上經由 電子顯微鏡測定）已知的情況下，可將所量測之電阻以熟 ^此項技術者已知之方式轉化為電阻率。 根據本發明之塗層可用作電容器中之介電物。 根據本發明，將導電第二層塗覆於介電物上作為參考電 極。其可為根據先前技術之習知用於此目的之任一導電材 ;斗牛例而5，使用二氧化鐘或諸如聚嗟吩、聚吼略、聚 本胺或此等聚合物之衍生物的導電聚合物。藉由塗覆金屬 =(例如，根據DE-A-10325243之鋼層）作為參考電極，獲 得電容器之更佳導電性且因此獲得更低内部電阻（esr，等 效串連電阻）。 忒苓考電極之外部接觸亦可藉由根據先前技術之習知用 ^此目的之任一技術而實現。舉例而言，該接觸可籍由石 :化塗覆導電銀及/或焊接而實現。可隨後包覆該接觸 電容器以使其免受外部影響。 根據本發明所製造之電容器包含多孔導電基板，實際上 〃=有内部及外部表面上塗覆有介電物之連續及低疵點層 及‘電層。此電容器之圖由圖丨中之實例來代表。 ^ j據本發明所製造之電容器較習知钽電容器或多層陶瓷 電谷器而言展現出改良之電容密度，且其因此適於廣泛多 H9784.doc -15- 200809884 ，應：：：能量館存’尤其在彼等需要高電容密度之應用 ^ 方法允許製造具有顯著較A尺寸及相應 容的電容器。 4 π此等電容器可（例如）用作電力工程中之平滑或儲存電容 #用作U電子中之_合、渡波或小型健存電容器；用作 结電池之替代，用作行動電子設備（例如，電力工具、電 信應用、攜帶型電腦、醫學設備）、不可中斷電源2電力

車輛之主要能㈣存單元；闕電力車輛或混合型車輛及 電升卜機之補充此讀存單m用作緩衝能量儲存單 几以補仏風力、太陽能、太陽熱能或其他發電站之功率波 動0 將參相下例示性實施例對本發明進行更詳細之解釋， 但並非藉此暗示有任何限制。 實例 貫例1 ··基板材料之製造 -將鎳電線及鎳粉末（Inco T255型）引入具有10xl0x2 尺寸之立方體空腔的金屬板中且對其進行均勾機械塵 細。Ik後將其在800 C下於氫氣氛中燒結3〇分鐘。獲得 具有約70%之孔體積分數及〇·! ^之贿表面積的固體 基板。圖2展示未經塗佈之鎳基板的電子顯微影像。 實例2 : -經30分鐘將l〇,〇 g氧化鋇逐份溶解於1〇〇 —以冰冷卻之 甲s子中。藉由過濾來移除少量固體。隨後逐滴添加5〇 g 甲二醇及18·5 g四異丙醇鈦且將其攪拌3〇分鐘。然後經 119784.doc -16· 200809884 15分鐘逐滴添加5〇甲二醇中 5 / g水且在室溫下將其 授拌另外4 h。在赋及毫巴下於旋轉式汽化器中蒸 餾出甲醇及異丙醇。將所得溶液調整 %含量的BaTi〇3。然後將溶液經由ο ] 移除懸浮微教。 為甲二醇中4重量 Mm過濾器過濾以

-將根據實例i所製造之多孔成形體浸沒於上文所述之溶 液中。施加100毫巴之真空歷時5分鐘，接著再充氣以移 除截留之氣泡。將浸潰成形體自溶液中移除且滴除過量 之溶液。隨後首先將成形體在150它下乾燥25分鐘，然 後在400°C下於潮濕氮氣中使其水解3〇分鐘，且最後將 其在800°C下於乾燥氮氣中烺燒2〇分鐘。 -浸潰/乾燥/煅燒之序列總共執行2〇次。將在成形體之内 部及外部表面上獲得具有約200 nm之厚度的連續及低疵 點之BaTi〇3塗層。圖3展示自4%濃度溶液製備之連續及 低疲點BaTi〇3塗層之電子顯微影像。 實例3 : -經45分鐘將20.6 g氧化鋇逐份溶解於212ml以冰浴冷卻 之甲醇中。藉由過濾來移除少量固體。將17·9 g乙醇胺 於100 ml丁基乙二醇中之溶液添加至澄清濾液中且將微 黃溶液在室溫下攪拌2·5 h。在2毫巴之壓力及55〇〇下將 g四丁醇鈦溶解 g乙酿基丙剩。 在冷卻至室溫之 於旋轉式汽化器中蒸镏出甲醇。將45.2 於392 ml丁基乙二醇中且逐滴添加268 加熱深黃色澄清溶液以使其回流2 h。 後，添加胺基乙醇鋇溶液且將其攪拌〗小時。將溶液調 119784.doc -17- 200809884 整為丁 f乙二醇中4重量％(依據BaTi〇3而表示）之含量。 -類似於實例2而繼續對溶液之操作。同樣獲得—連續及 低疯點之BaTi〇3塗層。 實例4 : . •將實例3之經塗佈成形體浸沒於水中之3G%濃度的水合 石肖酸_)溶液#。將完全浸潰之成形體自溶液中取、出 在空氣中分別首先在15(rc下且然後在25『c下對其進 • 订熱處理’歷時10分鐘。該浸潰/熱處理序列總共執行 10次。 -為達成接觸，將成形體首㈣沒於石磨溶液中且隨後浸 沒於銀分散液中且分別在15{rc下乾燥丨h。所得電容器 具有1 mF之電容。BaTi〇3層之電阻率大於1〇9〇疆。 實例5 :比較實例 颂似於貝例2來製備濃度為12重量％(依據BaTi〇3來表示） 的溶液且將此溶液用於塗佈根據實例1之成形體。獲得 馨 八有大1不與孔壁接觸之以丁丨〇3組份的高疲點BaTi〇3塗 層。圖4展示自12%溶液製備之具有不與孔壁接觸之 BaTi〇3組份的高疵點BaTi〇3塗層的電子顯微影像。 實例6 ·_比較實例 颏似於貝例4對來自實例5之經塗佈成形體執行操作。所 得電容器具有0.1 mFi電容。BaTi〇3層之電阻率小於 1 〇7 Ω cm。 【圖式簡單說明】 圖1為牙過具有多孔導電基板丨、介電物2及導電層3之電 119784.doc 18 200809884 容器中之孔的截面的示意性代表圖； 圖2展示未經塗佈之鎳基板之斷口邊緣的電子顯微影 像； 圖3展示以4%濃度溶液塗佈之鎳基板之斷口邊緣的電子 顯微影像，其展現連續及低疵點之BaTi03塗層；且 圖4展示以12%濃度溶液塗佈之鎳基板之斷口邊緣的電 子顯微影像，其展現具有不與孔壁接觸之BaTi03組份的高 疯點BaTi03塗層。 【主要元件符號說明】 1 多孔導電基板 2 介電物 3 導電層 119784.doc -19-

Claims (1)

1. 200809884 十、申請專利範圍： 1. 一種以介電物製備多孔導電基板材料之塗層的方法，其 係藉使用濃度小於10重量％之介電物之前驅體化合物之 溶液來進行，該濃度係依據該介電物對該溶液之總重量 的貢獻來表示。 2. 如請求項i之方法，其中該塗層係藉由以該溶液滲透該 多孔基板材料及隨後之熱後處理而形成。 3·如請求項1或2之方法，其中該塗層係經複數次重複直至 達成所欲的層厚度。 4.如請求項1或2之方法，其中所使用之該基板材料具有 〇·〇1 m2/g至1〇 m2/g之比表面積。 士明求項1或2之方法，其中所使用之該基板材料含有熔 點為至少900°C的至少一種金屬或至少一種金屬合金。 6·如請求項丨或2之方法，其中所使用之該基板材料含有 Ni、Cu、Pd、Ag、Cr、Mo、W、胞或⑸及/或至少一種 基於其之金屬合金。 7.如請求項1或2之方法，其中該基板係由至少一種處於粉 末形式之非金屬材料所組成，該非金屬材料係由至少一 種金屬或至少一種金屬合金包覆。 8·如請求項1或2之方法，其中該非金屬材料.為Ai2〇3或石 墨。 9.如請求之方法，其中使用具有大於1〇〇之介電常 數的介電物。 10如請求項⑻之方法，其中所使用之該介電物含有組成 119784.doc 200809884 為AxBy〇3之鈣鈦礦類型的氧化物 * 價至六價陽離子或其混合物，-，、A及B表不皁 表示0.9至U之數值。 表示〇.9至U之數值且7 11·如請求項〗或2之方法，農 BaTi03。 /、中所使用之該介電物含有 …求項1或2之方法’其中所使用 濃度一…原〜的以其氧:L; 存在的摻雜物元素。 乳化物形式 13. -種根據如請求項中任—項之方法製備 用途，其用作一電容器中之介電物。 土曰 電容器，其含有一多孔導電基板，該 之内部及外部表面上塗覆有：第 ¥電基板 如請长頂弟；丨電物層’其係根據 電層。 中任一項之方法製備；及施加的第二導 15. -種用於製造電容器之方法，其中在—具備 孔導電基板上之内部及外部表面上塗覆有：第觸二：： 層’其係根據如請求中任—項之方法^ 具備—觸點之第二導電材料層。 "， 16’ -種如請求項14之電容器的用途’其係 電路。 电刀及電子 119784.doc