TW200809422A - Dielectric, display equipped with dielectric, and method for manufacturing said dielectric - Google Patents

Dielectric, display equipped with dielectric, and method for manufacturing said dielectric Download PDF

Info

Publication number
TW200809422A
TW200809422A TW096109904A TW96109904A TW200809422A TW 200809422 A TW200809422 A TW 200809422A TW 096109904 A TW096109904 A TW 096109904A TW 96109904 A TW96109904 A TW 96109904A TW 200809422 A TW200809422 A TW 200809422A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
dielectric
dielectric layer
glass powder
glass
layer
Prior art date
Application number
TW096109904A
Other languages
English (en)
Inventor
Keiichiro Hayakawa
Masakatsu Kuroki
Original Assignee
Du Pont
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Du Pont filed Critical Du Pont
Publication of TW200809422A publication Critical patent/TW200809422A/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J1/02—Main electrodes
    • H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
    • H01J1/304—Field-emissive cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/022—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being a laminate, i.e. composed of sublayers, e.g. stacks of alternating high-k metal oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00—Glass compositions
    • C03C3/04—Glass compositions containing silica
    • C03C3/062—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight
    • C03C3/064—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing boron
    • C03C3/066—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing boron containing zinc
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0005—Production of optical devices or components in so far as characterised by the lithographic processes or materials used therefor
    • G03F7/0007—Filters, e.g. additive colour filters; Components for display devices
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0047—Photosensitive materials characterised by additives for obtaining a metallic or ceramic pattern, e.g. by firing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/24—Manufacture or joining of vessels, leading-in conductors or bases
    • H01J9/241—Manufacture or joining of vessels, leading-in conductors or bases the vessel being for a flat panel display
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02142—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing silicon and at least one metal element, e.g. metal silicate based insulators or metal silicon oxynitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02282—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating
    • H01L21/02288—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating printing, e.g. ink-jet printing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/312—Organic layers, e.g. photoresist
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/312—Organic layers, e.g. photoresist
    • H01L21/3121—Layers comprising organo-silicon compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2209/00—Apparatus and processes for manufacture of discharge tubes
    • H01J2209/26—Sealing parts of the vessel to provide a vacuum enclosure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2211/00—Plasma display panels with alternate current induction of the discharge, e.g. AC-PDPs
    • H01J2211/20—Constructional details
    • H01J2211/34—Vessels, containers or parts thereof, e.g. substrates
    • H01J2211/38—Dielectric or insulating layers

Description

200809422 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種用於顯示裝置（顯示器）之介電質。更 特定而5，本發明係關於一種配置於顯示器中之發光部分 中之介電質。本發明亦係關於一種裝载該介電質之顯示器 及一種用於製造該介電質之方法。 【先前技術】 口人已開鲞了各種類型之平板顯示器。在不同類型之顯 不益中，藉由施加電壓至電極且接通及關閉電極來控制發 光。舉例而言，在場發射顯示器(FED)中，將自場發射器 放出之電子供給至螢光材料，以致發光。發光係藉由接通 及光閉電極來控制。為達成各種目的，在各電極附近配置 介電質（絕緣體）。舉例而言，可將絕緣材料配置於導電部 分之間以使其絕緣。此外，可配置絕緣材料以分割電極。 有時根據配置位置及其用途將介電質及絕緣體命名為 ’’介電質”抑或”絕緣體”，即便其具有相同組成。因此，將 配置於電極附近之絕緣材料稱為”介電質，，。然而，此慣例 並不限制以下技術範圍。以下技術中之術語，，介電質"力括 ，，介電質，，或”絕緣體”，或其兩者。介電材料可為玻璃: 或無機填充劑。已使則㈣光阻之圖案印观_ ::成介電質圖案之方法。然而，在圖案印刷中，難以形 成精細圖t。此外，在使用光阻之㈣過程中，餘刻 吊常限於薄膜。在配置於導電部分之間的絕緣材料必 厚膜之情況下，使用光阻之餘刻並不適合此應用。因7此為 119670.doc 200809422 已開發了用於使用感光絕緣體糊狀 為形成厚膜之絕緣體， 物形成精細圖案之技術 可使用破璃糊狀物及無機糊狀物作為絕緣體糊狀物。然 而:在顯示器之製造中，襯底基板主要為玻璃基板，且燒 =μ度通常限於60(rc或更低，較佳為55〇它或更低。在該 情況下’若包括了無機填充劑’則燒結被抑制，使得難以 獲得榈密的介電質。因&，在製造顯示器之製程中，較佳 為使用主要包含玻璃之糊狀物。 /種用於藉由使用感光絕緣體糊狀物來形成精細圖案， 攸而形成厚膜之絕緣體的技術已得到使用。日本未審查 (Kokai)專利申請案第叫8[1996]_5〇81}號描述了一種用於 電漿顯示面板之感光絕緣玻璃糊狀物，該糊狀物含有破璃 粉末、在側鏈或在分子末端上具有羧基及烯系不飽和基團 之丙稀酸系共聚物。在藉由使用感光絕緣玻璃糊狀物形成 介電質圖案的過程中，首先在基板上鋪上玻璃；fe，且藉由 乾燥蒸發溶劑。其次，冑用光罩曝光預定圖案。在該曝光 之h况下，曝光部分之有機感光黏合劑交聯及聚合，使其 不被曝光。使用鹼顯影未曝光部分，以便獲得具有所要圖 案之未燒製介電質。接著，II由在所要溫度下對其進行燒 製而獲知’丨電質。然而，在該公開案中，未防止所謂的 底切且不產生具有所要精細圖案之極好精度的厚膜型 介電質。 在曰本未審查（Kokai)專利申請案第2〇〇心318116號中， 玻璃粉末型感光糊狀物肖目Ζ；ΛΛ。 巴祜具有0.005 μπι至〇·〇8 μπι之微粒 119670.doc 200809422 直徑之氧化物微粒、不同於該等氧化物微粒之無機微粒， 及感光有機組份，且其中氧化物微粒及有機組份之平均折 射率N1及不同於氧化物微粒之無機微粒的平均折射率 滿足以下關係： -0.07<N2-N1<0.07(N2>1.65) 然而’在此公開案中，根本未提出具有所要精細圖案之 極好精度的厚膜型介電質。 广吏用含有鉛之玻璃作為此玻璃粉末型感光糊狀物；隨 著全球範圍内環保意識之增強，需要盡可能地避免含錯: 璃。另-方面’在使用無鉛玻璃之介電質巾，在實務上難 以發揮與使用含錯玻璃之介電f的特性相當或比之更高的 特性（例如上述精細圖案之精度）。 门、 此外，在形成一層厚膜之情況下’因為厚膜之最下部分 有時得不到充分的光照射’所以需要大量曝光，且生產 較低。 ' 【發明内容】 本發明係關於一種介電質，其包含一形成於下介電層之 上的上介電層，其特徵為該下介電層係由第一感光組：物 所構成’及該上介電層係由第二感光組合物所構成 穿過該上介電層用以產生所欲曝光圖案之光的透射率低 穿過該下介電層之光的透射率。在上述介電質中，”」 f光組合物包含第一玻璃粉末，且該第二感光組合物包含 第二玻璃粉末。 5 本發明之另一實施例係關於一種製造一介電質之方法， 119670.doc 200809422 其包含以下步驟： :供-下感光介電質組合物及一上感光介電質組合物， 劑； 纟早-、引發劑、樹脂黏合劑及有機溶 提供一基板； 在該基板上塗佈該下感光介電質組合物； 乾燥該下感光介電質組合物，以形成一下介電層； 在D亥下電層上塗佈該上感光介電質組合物· 乾燥該上感光介電質組合物，以形成-上介電層； 使该下介電層及該上介 曰 电/W上之一指定圖幸暖本· 使該等曝光層顯影，以形成顯影層；…， 燒製該等顯影層；且 其中相較於該下介雷， 圖案曝光之光透射率。"電層具有較低之用於-【實施方式】 本么明提供具有所要精細圖 介電質。本發明#_ # ^ 精度的環保厚膜型 μ明係關於一種介電質 由第-感光組合物所構成-中-下介電層 璃粉太，日* '"弟—感光組合物包含第一破 璃知末，且在上述下介電層上弟破 感光組合物所構成， "電層係由第二 末。用於—特定m 組合物包含第二麵粉 該圖案曝光中之上^人=上4上介電層的光透射率低於 u T之上述下介電層 電質中，例如用於h、+、μ A 先透射率。在本發明之介 用於上述上介電声 低於用於上逑下介 ;—破璃粉末的透光率 電層之弟-破璃粉末的透射率。 119670.doc 200809422 月鈿例中，上述下介電層及/上 為無機—下介電層及/或:::: …、機組份為玻璃（亦即一或多種玻璃粉末））。 此外’用於上述上介雷声 — 電層之弟一玻璃粉末對用於圖案曝 用於上述長的透光率較佳為鄕或更高，但小於6〇%，且 更高。在:玻璃粉末之透光率較佳為6°%或 下了具有在此範圍中之透射率之玻璃粉末的情況 主、、、 更回之精度貫現所要的精細圖案。本文中之 表述"透射率較低”意 -個層或材…情下進行比較時， ’材枓較另-個層或材料透射更少的光。 彻在1發明之介電質中，上述光之波長較佳為随至 *瓜八且用於上述下介電層之玻璃粉末及用於上介電層 之璃粉末較佳為含鉍玻璃粉末。 用於上述下介電層之玻璃粉末較佳為含有仏 Zn-Ba之破璃粉末或含 相對於上述下介電#之_ φ Zn心之玻璃粉末，且 BS.7 R丨電層之總玻璃粉末含量’上述含有 B-SUn-Ba之玻璃粉末及上述含 粉末的總含量較佳在4。重量%至i。。舌」mca之玻璃 里。至1 〇 〇重置％的範圍内。 用於上述上介電層之 .^ 曰之玻璃粉末較佳亦為含有Bi-A1-B_Si- :::之玻璃粉末或含有Bi_一⑽之玻術 在相對於上述下介雷 0〜破螭粉末含量，上述含有Bi_ “ ㈣之玻璃粉末及上述含有WSi-Zn心之 =末的總含量較佳4。重量％至100重量％的範圍内。 較佳地’用於上述上介雷 曰 破璃粉末亦包括至少一種 119670.doc -10- 200809422 選自包含Fe、v、Ti、Cu及c〇 不e 野的兀素。用於上述上介 電層之玻璃粉末之透光率Γ # ；1 ,r 光羊（先透射率）較佳為30%或更高， 但小於60%，且用於上述下 上 冤層之玻璃粉末之透光率輕 佳為60%或更高。 另外’較佳地，上述 電層及上述上介電層實質上益 鉛（亦即，實質上不含鉛），實質 …、 κ貝上無填充劑（亦即，實 不含填充劑），及/或實皙 ^ ^
、、…、驗性化合物（亦即，實質上不 含驗性化合物）。術語"f I ,v 1貝上不含允許少量作為污染物之 組份。 本發明亦包括-種裳載上述介電質之顯示器。 本發明亦係關於-種用於製造一介電質之方法， 以下步驟： ^ 在基板上鋪展含有玻璃粉末、單體、引發劑、樹脂黏合 劑及有機溶劑之下介電質組合物； 精由乾燥上述下介電質組合物形成一下介電層； 在2下介電層上鋪展上介電質組合物，其包括玻璃粉 末單版引發劑、樹脂黏合劑及有機溶劑，且對用於一 圖：曝光之光具有較上述下介電層之透射率低的透射率； 精由乾燥上述上介電質組合物形成一上介電層； 使上述下介電層及上述上彳電層上之一指定圖案曝光； 1。亥曝光塗佈膜顯影；及—燒製該顯影塗佈膜之步驟。 提仏用於製造-介電質之另-方法，該方法包含以下+ 驟： ν 提供下感光介電質組合物及上感光介電質組合物，其各 119670.doc 200809422
包含玻璃粉末、單轉 3丨I 提供一其，,备劑、樹脂黏合劑及有機溶劑，· '、土板，在該基板上塗佈該下感光介 乾燥該下感光介電質组入1 、、、且口物， 兀"冤貝組合物，以形成一下介電声· 下組合物上塗佈該上片伞人 ㈢’在该 亥上感先介電質組合物；I乞燥該上咸朵八 電質組合：:：形成-上介電層；使該下介電層及L: :層上之.曰疋圖案曝光；使該等曝光層顯影，以形成 影層；燒製該等顯影層；且 y 其中、’該上介電層對詩_圖案曝光之光具有較該下入 電層之透射率低的透射率。 ；| 如所述，在製造介電質時，因 -7丄旧興卜層對用 曝光之光的透射率係不同的， 、固案 度，使得所要精细圖幸之… 所謂的·，底切，，寬 寬产一在… 。本文中之術語，，底切 寬度w在顯衫製程後頂部圖案寬度與底部圖宰寬 差。由於膜之底部部分在 、又 般聚合，因此底部部八易^Η °、之頂部部分（表面） 氏分易於被顯影溶液沖去，且此 部部分之剩餘寬度較頂部剩餘寬度窄。 V底 詳言之，本發明之介 電貝為具有所要精細圖案 度的厚膜型介電質。因卜,^ 千心栓好精 因此，本發明之介電質為 :顯示器中之發光部分上的介電質。在本發明之介電； 中，假設”包：兩個層(上層及下層)，該等層中之各層經 配置以具有特疋的相料、泰 、 0相對透射率，以便產生所要精細圖宰。 用於下“層之破壤粉末及用於上介電層之玻璃粉末 佳為含鉍玻璃粉末。在 "末車乂 在使用含鉍玻璃粉末之情況 較高精度實現所要精細圖案。在㈣麵粉末中，可使用 119670.doc -12- 200809422 B Si-Zn-Ba玻璃粉末或Bi_A1_B_si_Zn_Ca玻璃粉末， 且相對於上述下介電層之總玻璃粉末含量，該等玻璃粉末 之:合！較佳為4〇重量％至1〇〇重量％。此外，在用於上述 上介電層之玻璃粉末包括至少一種選自包含Fe、V、Ti、
Cu及Co之群的元素之情況下，可以較高精度實現所要精 細圖案。 此外’較佳為上述下介電層及上述上介電層實質上不包 括氣’因為其可造成全球範圍内之環境污染。此外，較佳 為上述下介電層及上述上介電層實質上不包括填充劑，因 為低溫燒製係可能的且可改良生產效率。另外，較佳為上 述下介電層及上述上介電層實質上不包括鹼性化合物。 已發現，若使用對用於曝光之光的透射率低之玻璃，則 產生各種問題。舉例而言，在含鉍玻璃之情況下，因為較 之含鉛玻璃，含鉍玻璃具有對用於曝光之光（例如卜射線 (波長·· 365 nm))的較低透射率以及較高折射率，所以可能 產生各種問題。 若對用於曝光之光的透射率低，則因為感光組合物之適 當曝光需要較長時間，所以生產量降低。此外，若折射率 車父南則類似地因為被散射的光量增加，所以需要較大旦 之曝光。此外，在下文中，原則上”透射率”意謂"對用於 曝光之光的透射率”。此外，若使用具有高折射率之玻璃 粉末（例如含鉍玻璃），則難以形成具有高縱橫比之精細圖 案。若使用本發明，則即便使用具有高折射率之玻璃粉末 (例如含鉍玻璃）’亦不能形成精細圖案。舉例 ^ 4 J a ，右播 119670.doc 200809422 “7之折射率的玻璃或具有高於h8之折射率的 玻璃，則本發明尤其有效。 之折射羊的 此外’在介電質之、秀身漆 聯。圓1為展示當在其板1〇上、&刀人圖案收縮之間存在關 所產生之底切㈣q 且使其曝光時 以下部部分而變細，如圖i中所示。詳朝〜電貝 寬度W所展示之部分稱為底切寬度，且/用圖止1中之 電質12之製程中評估介電質12之精度。若透該介 率高’則光被散射直至該光到達被曝光的 = 部部分，使得感光部分之末端未被充分固化，且入雷Γ 之下部部分在顯影期間易被移除。 ’丨h貝12 圖2為展示當在基板14上形成介電質i :::r:r方向上之收縮的示意圖。在燒製二 …：縮引起圖案減小。如圖2中所示，在進 況下’因為有機黏合劑被燃燒，所 :?收縮不可避免'“，需要水平方向上之收縮盡= 24形:八中所所不^現可猎由在基板18上由雙層結構22及 ;:貝2〇且將上部部分之介電層24的透射率設定 P部分之介電層22的透射率來獲得具有極好評估 低於：電貝上;1電層24中所包括之玻璃粉末之透光率 十' 電層22中所包括之玻璃粉末的透射率。在圖3 中，该實施例尤其可用於製造介電質2〇。 此方式可減小上述底切之寬❹。此係因為若上介電層 119670.doc -14- 200809422 24之介電常數低於下介電層之介電常數，則較之先前技 術，上介電層24及下介電層22可被均勻地曝光及固化，且 顯影結果為可在介電質2〇之垂直方向上獲得具有大致 形狀之圖案。 此外，易於將介電質之形狀控制至所要尺寸，且可解決 述圖木之（底切）減小問題。此係因為由於感光物之聚合 、、亍下’丨電層22 ’而具有低透射率之上介電層24抑制了 X平方向上之曝光圖案厚度，因此當形成下介電質Μ之圖 案夺未曝光。戸分之底切減小。抑制用於介電質之破瑪於 末的透光率的方法與控制透射率以有效地發揮該等作^ 方法同樣有效。 用的 介電質組合物包括··⑴玻璃粉末，⑺單體 劑，（4)樹脂黏合劑，另擔a w ^ ^ ^ 及（5)有枝洛劑。可包括其他添加劑 ^土、、、且八伤）、抗乳化劑、抗黏劑、UV吸收劑等作為（6)。 AU質組合物僅包括玻璃組份作為無機組份 包括玻璃組份作為I^ + ^ m 無機組份時，可容易地在相對低溫的燒 化。 几製而引起之粉末組份之燒製結構的緻密 (1)玻璃粉末 玻璃粉末並無特定限制 響，其較佳為不含對^兄的有害影 璃粉末係較佳的。此俜因為，、貝不“。之含鉍破 ^, 為較之其他不含鉛破璃，用於茲 由在約50〇。(：至6〇〇。(： 用於糟 & 低μ下炝融而形成緻密燒結膜之玻 璃汉汁係容易的。此外，" 、又坡 只負上不含錯，，係允許包括作為 119670.doc 200809422 潛在不可避免之雜質的少量錯的概念。斜含量較佳為100 ΡΡΠ"更小’更佳為1 PPm或更小。最佳為起無法由當前現 有的分析器偵測到。 可使用含有Bi_A1_B_Si_Zn_Ba之玻璃粉末或含有队㈣-::Zn-Ca之玻璃粉末作為用於第一及/或第二破璃粉末之較 二t二？為使用1 等含叙玻璃，因為易於在所要軟化 .旦〇〇 C)上獲得非晶形玻璃。相對於介電層之總 璃含量，Bi-A1-B_Si_Zn_Ba玻璃或Βί_Αΐϋ_Ζη心玻璃 了量：佳為4。重量㈣。。重量％。若總含量為ι〇。重 里0 ’ I意謂所包括的全部玻璃粉末係由Bim Ba玻璃粉末或Bi__A1_B-S；UZn-Ca玻璃組成。 in :要：’亦可使用具有其他組成之玻璃粉末。該等其他 組成之貫例為B-Si、Zn-B_Si、A1_B-Si、Bi Zn_S卜Μ。 較佳為上介電層中所包括之玻璃含有至少一種 1二、/^似°之群的元素4包括該等元素，貝咖 射率傾向於降低。此外，以該等元素之氧化物重量計之 :置相對於玻璃粉末之總重量較佳為。·丨重量%至2。重量 藉由調整單體類型及控制引發劑可控制上介 電層之透射率。當使用感光組合物進行圖案化時：感光二 ^感光速度）及顯影圖案寬度之最佳位準係非常重要的。往 “周整弓丨發劑及單體組份之量來作為調整此等特 卜，已知可添加極少量W吸收劑或染料作為有 枝組伤。吾人發現’當使用感光介電質組合物進行圖案化 119670.doc -16- 200809422 時’添加劑自身在燒製介電質期間之起泡可能會引起不充 分的絕緣。換言之，若改良有機組份以最佳化感光性及顯 影圖案寬度，則可能將導致新問題。若控制玻璃粉末量， 則不可能產生歸因於有機組份之起泡的稱為”絕緣劣化”之 新問題。 在用於圖案曝光之上介電層中所包括之玻璃粉末的透光 率較佳為30%或更高，但小於鄉，更佳為鳩至观。在 用於圖案曝光之下介雷居φ所幻紅 厂’丨电層干所包括之玻璃粉末的透光率較
佳為60%或更高，更佳A 7W 旯仫為75/°至95%。用於圖案曝光之光 波長並無特定限制。例如，該光波長為35〇疆至彻譲。 更特定而言，可使用波長為365 11111之卜射線。 玻璃粉末之透射率並不意謂處於粉末狀態中之透射率， 而係意謂玻璃本身之透射率。藉由製備含有待量測之玻璃 粉末的燒製膜，及量測燒製膜之透射率可評估玻璃粉末之 透射率纟本申凊案中’若藉由分析方法觀察到相對於玻 :粉末之透射率的顯著差異，則將由以下方法量測之數值 定義為玻璃粉末之透射率。 透射率測試方法 ⑷混合及捏製含有1G%乙基纖維素的5G重量％之松脂醇 黏合劑與50重量％之玻璃粉末以便獲得糊狀物樣本。在同 時使用兩種或兩種以上祐琅扒古 跋离如末之情況下，根據所使用之 比率來混合玻璃粉末。 ⑻在驗石灰玻璃基板之曝露側面上印刷該糊狀物，該 基板厚度為。随，切口為2><>寸。設定印刷條件，使得 H9670.doc 200809422 燒製膜厚度為約5 μιη。 ()在1 〇〇 C之/jnL度下，以暖空氣進行乾燥，持續分 鐘。 (d) 使用帶式鍋爐，在52〇艺之峰值溫度下進行燒製，且 保持ίο分鐘時間。將總燒製時間設定為小時。 (e) 在Shnnadzu C〇rporation製造之光譜光度計UV255〇中 所製備之樣本，以波長為3〇〇 之光連續照 i /.
、樣本且將透射穿過樣本之光量的比率設定為不同波 長之光的透射率（％)。，，透射率，，意謂在所使用之光的特定 波長上之透射率。舉例而言，在使用i-射線（365 nm)之情 况下將365 nm上之透射率規定為玻璃粉末之透射率。 (〇根據（aHe)，在相同量測條件下分別量測上介電層中 所包括之玻璃粉末之透射率及下介電層中所包括之玻璃粉 末之透射率，且對其進行比較。 ^ 乂不含感光物質之非光導糊狀物製成之燒製 膜的透射率之原因為若包括感光物質(例如引發劑），則感 =知％收特疋波長之光’ @此無法精確量測玻璃之透射 Y ^外使用燒結膜而非乾燥膜之原因為因為光散射之 私度係視乾燥膜中之糊狀物組成而定，所以透射率大大減 ^且其散射增加。此外，#使用其中壓有玻璃粉末之膜 日、，難以獲得穩定的薄膜樣本。 結晶度之控制影響玻璃粉末之透射率。若非晶形比率減 則透射率傾向於降低。 相對於介電質組人你 、s # ^ , 电貝、、且。物之總I，通常包括5〇重量〇/〇至7〇重 H9670.doc 200809422 量％之玻璃粉末。然而， (2)單體 本發明並不限於該範圍 藉由以光照射介電皙 ^ 合物，使單體聚合以报β取人 物。在圖案被曝光之部分中场“合 ^ Α Α生、组合物中所包括之；贼 的t合，且形成在顯影 括之早體 /、狂J間不被移除之 使用單=!並無特定限制。舉例…在本發明中：可 己有至夕一種可加成聚合 ,a 7佈糸不飽和化合物之罩髀 組份作為光硬化單體組份，早體 / ~糸不飽和化合物具有 一個可聚合伸乙基。 男主少 、該化合物由於自由基之存在而開始聚合物之形成 進仃鏈增長及加成聚合。該單體化合物處於非氣態 其具有高於戰之沸點’且具有向有機聚合黏 塑性之作用。 、 可單獨使用或與其他單體組合使用之較佳單體係選自由 以下物質組成之群：（曱基）丙烯酸第三丁酯、丨，5•戊二醇 一（甲基）丙烯酸酯、（曱基）丙烯酸N，N-二甲基胺基乙酯 乙二醇二（甲基）丙烯酸酯、i，‘丁二醇二（甲基）丙烯酸酯、 一乙二醇二（曱基）丙烯酸酯、己二醇二（甲基）丙烯酸酯、 1，3-丙二醇二（甲基）丙烯酸酯、癸二醇二（甲基）丙烯酸略、 14-環己二醇二（曱基）丙烯酸酯、2,2_二羥甲基丙烧二（甲 基）丙烯酸酯、甘油二（曱基）丙烯酸酯、三丙二醇二（甲基） 丙烯酸酯、甘油三（甲基）丙烯酸酯、三羥曱基丙烷三（甲 基）丙烯酸酯、美國專利第3,380,38 1號中所描述之化合 物、2,2·二（對羥基苯基）-丙烷二（甲基）丙烯酸酯、異戊四 119670.doc -19- 200809422 醇四（曱基）丙稀酸酯、二乙二醇二丙稀酸酯、聚氧乙 基-1，2-二-(對羥基乙基）丙烷二（甲基）丙烯酸酯、雙酚a 一 [3-(曱基）丙細酿氧基- 2- ¾丙基]驗、雙酉分a二_[2_(甲美） 丙烯醯氧基丙烯醯氧基醚]醚、1，4_ 丁二醇二_(3_甲基丙稀 醯氧基-2-羥丙基）醚、三乙二醇二甲基丙烯酸酯、聚氧丙 基三羥曱基丙烷三丙烯酸酯、丁二醇二（曱基）丙烯酸酯、 l’2〆丁 一醇二（甲基）丙細酸醋、2,2,4-三甲基_i，3_戊二醇 一（甲基）丙烯酸酯、1-苯基伸乙基β1，2-二曱基丙烯酸酯、 反丁烯二酸二烯丙酯、苯乙烯、丨，‘苯二酚二甲基丙烯酸 酉曰、1，4-二異丙烯基苯及^，％三異丙烯基苯（此處，，（甲基） 丙烯酸酯，，為表示丙烯酸酯及曱基丙烯酸酯兩者之縮寫）。 可用早體為具有至少300之分子量的烯系不飽和化合 物諸如烷一醇或聚烧二醇（如具有1至1〇個醚鍵之C2-Ci5 烷一醇），及在美國專利第2,927,〇22號中所描述之化合 物，諸如由具有可加成聚合的伸乙基鍵之化合物（尤其在 。亥伸乙基鍵係以末端基團之形式存在時）製備的烷二醇二 丙烯酸酯或聚烷二醇二丙烯酸酯。 在美國專利第5,〇32,49〇號中提出了其他可用單體，該專 利以引用之方式併入本文中。 /交佳單體為聚氧伸乙基化三經甲基丙烧三（甲基）丙烯酸 酉旨、乙甚：彳卜Η丄、
化，、戊四醇三丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三（甲基） 丙稀酸酯、- W 一 —異戊四醇單羥基五丙烯酸酯，及1，10_癸二醇 一甲基丙烯酸酯。 其他較佳單歸A tm , 版马早經基聚己内酯單丙烯酸酯、聚乙二醇 119670.doc -20- 200809422 丙歸酸酿(具有約200之分子量），及聚 Λ匕/ Θ丄 口于—Τ暴丙 ^曰（具有約400之分子量） 當地設定單體含量。通 包括2重量％至10重量％ 可根據所使用之單體類型來適 常’相對於介電質組合物之總量， 之單體。 (3)引發劑 引發劑藉由吸收光，起引發單體之聚合的作用。引發叫 之類型並無特定限制。舉例而言，在本發明中，可二 於產生自由基之引發劑（儘管其具有熱惰性）作為在185。〇或 更低之溫度下，曝露至化學射線之光學引發劑。該等光與 引發劑包括經取代或未經取代之多核㈣如在共輛碳㈣ 團中具有兩個分子内環之化合物），例如包括9，ι〇υ昆、 2-甲基蒽醌、2-乙基蒽酸、2_第三丁基蒽醌、八甲基贫 醌、1，4-萘醌、9，10_菲醌、苯幷[a]葱職_7，12_二_、^二 四苯_5，12-二，、2-甲基-1，4_萘酿、1，4_二甲基葱酿、’2,3_ 二甲基蒽醌、2-苯基蒽醌、2,3_二苯基蒽醌、惹烯醌 (retenequmone)[視黃醛醌；]、7,8,9，1〇_四氫稠四苯 j η—二 酮及1，2,3,4-四氫嗤幷fai苜1 7 -⑽ t 级王幵Laj心7，12-—酮。在美國專利第 2,76M63號中描述了其他可用引發劑(然而，某些引發劑 甚至減之低溫下亦具有熱活性，且存在連位崎醇 (vicinal ketaldonyl alcohol)，諸如苯偶姻及新戊偶姻，·偶 姻醚，諸如苯偶姻甲基醚及苯偶姻乙基醚；心甲基苯偶 姻、α-烯丙基苯偶姻、α_苯基苯偶姻、噻噸酮及其衍生 物，及含有氫供體的烴取代芳族偶姻）。 119670.doc 200809422 可使用光還原性染料及還原劑作為引發劑。其在美國專 利第 2,850,445 號、第 2,875,047 號、第 3,097,096 號、第 M74,974號、第3,097,097號及第3，145，104號中有描述。 亦存在啡嗪、噁嗪、醌，例如具有氫供體之2,4,5-三苯基 咪唑基二聚體，該氫供體含有無色染料，諸如米其勒酮 (Michler s ketone)、乙基米其勒酮及二苯曱酮及其混合物 (在美國專利第3,427，161號、第3,479，185號及第3,549,367 唬中有描述）。此外’在美國專利第4，162，162號中所描述 之增感劑可與光學引發劑及光學抑制劑一起使用。 了根據所使用之單體來適當地設定引發劑之類型及其含 里。相對於介電質組合物之總量，普通引發劑之含量為 〇.1重量％至5重量％。 (4)樹脂黏合劑 樹脂黏合劑有助於形成具有足夠硬度之介電質。聚合物 係由單體之聚合形成，且所形成之介電質之硬度保證達到 某種私度。然而，在許多情況下該硬度不夠充分。因此， L ^將树月曰黏合劑添加至介電質組合物中。樹脂黏合劑之 類型並無特定限制。如上所述，其聚合黏合劑為介電質組 口物之輔助構成元素。較佳為慮及其水性顯影可能性而選 擇具有焉解析度之聚合黏合劑。應瞭解，以下黏合劑滿足 乂等要求。換言之，該等黏合劑可為（丨）含有丙烯酸c 1 1 〇 院酉旨、甲I工Μ ^ ^ ^ 土丙稀烧酯、苯乙稀、經取代之苯乙烯 = /、、且口的非酸性共聚單體，及（2)由含有烯系不飽和羧酸 刀之k性共聚單體製備之共聚物或互聚物（混合聚合 119670.doc -22- 200809422 物），其為總聚合物重量之至少15重量％。 組合物中酸性共聚單體組份之存在有時有效地發生作 用。由於其酸性官能基，該組合物可在鹼之水溶液（例如 〇.4重量％之碳酸鈉水溶液）中顯影。若酸性共聚單體之濃
度小於15%，則鹼之水溶液將不會完全沖洗掉該組合物Y 若酸性共聚單體之濃度大於30%，則在顯影條件下，組合 物之穩定性低，且在用於形成影像之部分中導致局部顯 影。適當的酸性共聚單體包括烯系不飽和單羧酸，諸如丙 烯酸、甲基丙烯酸或丁烯酸；烯系不飽和二羧酸諸如反丁 烯二酸、衣康酸、甲基順丁烯二酸、乙烯基丁二酸，及順 丁烯二酸、其半酯，且有時包括其酐及其混合物。曱基丙 烯醯基聚合物較丙烯酸系聚合物更佳，因為其在低氧氣氛 下完全地燃燒。 右上述非酸性共聚單體為上述丙烯酸烷酯或甲基丙烯酸 烷酯，則非酸性共聚單體較佳為占聚合黏合劑之至少5〇重 量％，較佳為70重量％至75重量％。若非酸性共聚單體為 苯乙烯或未經取代之苯乙烯，則非酸性共聚單體較佳為酸 酐/、中50重I %為聚合黏合劑，且另50重量％為順丁烯 二酸酐之半酯；心甲基苯乙烯為較佳經取代之苯乙烯。 聚合黏合劑之非酸性部分可包括5 0重量％或更少之其他 非g夂性共聚單體，其取代聚合物之丙稀酸以旨、甲義丙稀 酸烧：1乙缚或經取代之苯乙稀部分，儘管其並非較佳 的貝例為丙烯腈、乙酸乙烯酯及丙烯醯胺。然而，在此 ^况下’因為較難完全燃燒，所以較佳為此單體以小於聚 119670.doc -23 - 200809422 合黏合劑之總量的25重量％之量而使用。允許使用單個共 聚物或共聚物之組合作為黏合劑，其限制條件為各共聚物 7 =上述各種標準。除上述共聚物外，亦可添加少量其他 聚σ黏。劑。其實例可為聚烯烴（諸如聚乙烯、聚丙烯、 聚:稀、聚異丁烯及乙稀丙稀共聚物）、聚_，或低碳氧 化烯聚合物（諸如聚氧化乙烯）。 D亥等來合物可由通常用於丙烯酸酯聚合領域之溶液聚合 技術製造。 通常，上述酸性丙烯酸酯聚合物可以以下方法製造：藉 由在具有相對較低之彿點（饥至15〇。〇)的有機溶劑中混合 α-或β-烯系不飽和酸（酸性共聚單體）與一或多種可共聚合 的乙烯基早體（非酸性共聚單體），以獲得10%至60%之單 _匕σ物〆合液，藉由添加聚合催化劑來^ ^ ^ 合；^正常壓力且在溶劑回流溫度下加熱混合物早在= 合反應貫質上完成後，較佳地，將所產生之酸性聚合物溶 液冷部至至溫’回收樣本，1量測聚合物之黏度、分子量 及酸當量。 此外， 之分子量 車乂佳為3有酸之上述聚合黏合劑具有小於5〇,〇〇〇 可根據其他組伤之類型及其混合量來適當地設定樹脂黏 合劑之含量。通常，相對於介電質組合物之總量，包括之 5重量％至20重量％之樹脂黏合劑。 (5)有機溶劑 物中包括#機溶劑。所使用之有機溶劑之 119670.doc -24- 200809422 主要目的為製造介雷 且 貝、、且合物之細碎固體之分散溶液，苴 八有月匕夠容易地在陶奢 -、 在有機介M，首先^他基板上鋪展之形式。因此， % 先，較佳為固體部分能夠被分散，同時 、准持適當的穩定性；直 寺 ’、 車乂佳為有機介質之流變特性A 刀政〉谷液提供良好塗佈特性。 為 A有機w巾’選擇聚合物或其他有機組份完全溶解於 =之=劑組份作為溶劑組份（其亦可為溶劑混合物）。所 〜L且伤相對於糊狀物組合物之其他組份應為惰性 的(無反應性)。所選擇之溶劑應具有足夠高的揮發性，且 可：至藉由在大氣壓力下於相對較低的溫度下塗佈而自八 散溶液蒸發m容劑之揮發性必須不能達到在印： 過程期間使篩網上之糊狀物在普通室溫下迅速變乾的程 度。較佳用於糊狀物組合物中之溶劑在正常壓力下具有低 ㈣〇°c之彿點，較佳為低於25(rc。可使用上述醇（例如月旨 :醇)之酯、&酸酯、丙酸醋；箱類，諸如松節油、“ 月曰醇或β-松脂醇或混合物；乙二醇類（例如乙二醇）之酯、 乙二醇單丁醚及丁基乙二醇乙酸乙醚；卡必醇酯，諸如丁 基卡必#、丁基卡必酵乙酸酷及卡必帛乙酸西旨；及其他合 適溶劑，諸如Texanol(2,2,4_三甲基]，3_戊二醇單異丁酸 醋）’作為此溶劑。 慮及在塗佈介電質組合物時所獲得之黏度、其他組份之 類型及混合量可判定所混合之有機溶㈣。通常，_於 介電質組合物之總量，包括15重量％至4〇重量％之有機溶 劑。在添加有機溶劑之情況下，通常獲得糊狀介電質組合 119670.doc -25 - 200809422 物0 (j具他添加劑
在本發明之介電質组人％ 士 A 电負、、且口物中，除上述組份外 下添加劑組份。可使用抗氧 用以 mj此外，在組合物中可在 應領域中已知之分散劑、 ：α相 別土 △ 知疋劑、增塑劑、剝落劑、剝離 …泡劑及補濕劑之添加劑組份。在美國專利： 5132,49G號中大體上提出了合適的物質，該專利以引= :式::：文中。其含量並無特定限制。可根據所需效 :、其他材料之類型等來適當地散含量1而，在使用 有機組份之情況下，如上所 制至低含量，以防止在燒編由=所添加之組份抑 的絕緣劣化。 由於添加劑之起泡而引起 此外，在本發明中，較佳為在下介電層及上介電… 質上不包括填充劑。若不包括填充劑，則在較低溫产下 敏密化可歸因於玻璃溶化而達成。此外，，，=:二 填充劑’’為允許包括少量作為不可避免之雜質的填充：之 概念。填充劑含量較佳為20重量％或更小，更佳為5重量％ 或更小。最佳地為填充劑無法由當前現有的分析_ 到。 此外’在本發明中，較佳為在下介電層及上介電層中實 質上不包括鹼性化合物。若不包括鹼性化合物，則難以破 壞電力可靠性。此係因為驗性離子易於㈣，其可能導致 破壞’諸如短路。此外，”實質上不包括驗性化合物”為允 119670.doc -26- 200809422 許包括少置作為不可避免之雜質而包括的鹼性化合物之概 念。鹼性化合物含量較佳為1重量％或更小，更佳為〇1重 量％或更小。最佳為鹼性化合物無法由當前現有的分析器 偵測到。 本發明包括一種裝載上述介電質之顯示器。本發明之顯 示器可用作場發射顯示器（FED)。例如，如圖4中所示，可 使用其中將陰極32、發射器34、閘極絕緣膜36及閘電極38 層壓於玻璃基板30上之層疊，及其中將陽極42及榮光材料 44層壓於玻璃基板4〇之層疊來作為fed之結構，其中該兩 個層疊相互對置，且自發射器34將光牝提供至螢光材料 …在該結構中，本申請案之上述介電質(例如)可配置為 用於使陰極32與閘電極38絕緣之開極絕緣膜％。當在” :器中使用具有所要精細圖案之極好精度的上述介電質之 f月況下’可改良顯示器自身之耐久性。 本發明包括一種用於製造該介電質之方法，盆包入在 =上鋪展含有玻璃粉末、單體、引發劑、樹脂黏： 細容劑之下介電質組合物之步驟；#由乾燥上述下介電 貝組合物形成一下介電層之步驟； 上介雷當έ日人％ 4< 卜）丨電層上鋪展 末：：體=步驟，該上介電質组合物包 案眼光之光且以脂黏合劑及有機溶劑，且對用於圖 :: 述下介電層之透射率低的透射率.夢 由乾燥上述上介電質έ日人‘ W上 处对丰，错 組合物形成一上介電層 述下介電層及上述上介電層上之 ：：，使上 曝光塗佈膜顇妒之牛踩 系曝先之步驟丨使 貝"之步驟’及燒製顯影塗佈膜之步驟。 119670.doc -27- 200809422 本發明之製造方法將參照圖式來說明。 圖$為展示用於製造本發明之介電質之方法中之各步驟 的流程圖’·如該圖中所示，該製造方法係由第一步驟至第 七步驟組成。此外，圖6展示圖5中所示之各步驟之細節。
第一步驟為在基板（202)上鋪展含有玻璃粉末、單體、 引發劑、樹脂黏合劑及有機溶劑之下介電質組合物（2料）之 步驟（圖5 : 102，圖6(A))。對於塗佈，藉由使用塗佈構件 (206在玻璃基板（2〇2)之整個纟面上鋪展下介電質組合物 (204))(諸如絲網印刷劑之整個表面塗佈及施配器之整: 面塗佈）。 . 第二步驟為藉由乾燥上述下介電f組合物形成_下介電 層（謂）之步驟（圖5: 1〇4，圖6(b))。乾燥條件並無特定限 制，其限制條件為可乾燥導電組合物；然而，乾 1〇代之^度下進行1〇至2〇分鐘。此外，可使用輪送機型 紅外乾無器專進行齡、择 尤 仃钇各在乾燥後，下介電層之厚度較杵 為 1 0 μπι至 40 μιη。 土 第三步驟為在±述下介電層（㈣）上鋪展上介電質组人 物㈣)之步驟，該上介電質組合物包括玻璃粉末、單體、 引發劑、樹脂黏合劑及有機溶劑，且對用於 具有較上述下介電層之透射率低的透射率（圖5:u)6j 6⑽。可使用弟―步驟中提及之構件作為塗佈構件。 第四/驟為稭由乾燥上述上介電質組合物形成一上介電 層（210)之步驟（圖5 : 1()8，圖6(d))。可使用第 及之乾燥條件作為乾燥條件。在乾燥後，上介電層= 119670.doc -28- 200809422 較佳為 10 pmJL40 μηι。 r 第五步驟為使上述下介電層（208)及上述上介電層（210) 上之指定圖案曝光之步驟（圖5 · 11〇，圖6(Ε))。在曝光 中，在乾燥的上介電層（21〇)及下介電層（208)兩者上安裝 具有私極圖案之光罩（212)，且例如照射i-射線（214)。曝光 條件視所使用之上介電質組合物及下介電質組合物之組 伤，及其膜厚度等而定，且例如藉由使用50 μηι至300 μπι 1隙在1〇〇 mj/cm2S 1000 ⑽2之位準上進行曝光。 因此，可獲得曝光塗佈膜（216)。 第/、步驟為使曝光塗佈膜顯影之步驟（圖5 : i 12，圖 6(F))使用鹼性溶液進行顯影。可使用例如〇 4%之碳酸鈉 扒公液作為鹼性溶液。將此鹼性溶液(2工8)喷灑至基板 (2〇2)士之曝光塗佈膜上。藉由將具有曝光塗佈膜之基板 ()/又入鹼〖生/夺液中等可獲得顯影塗佈膜（220) 〇 卜乂驟為k製顯影塗佈膜之步驟（圖5 : 114，圖 ())在/、有私疋溫度概況之燒製爐中進行燒製。燒製 期間之最南溫度較伟兔 又罕乂 1土為400 C至000°C，更佳為50(TC至 6〇〇°C 〇燒製時間較伟在 、 Ί华乂乜為1至3小時。在燒製後，可藉由冷 卻來獲得具有預定同安 '疋圖案之介電質（222)。在燒製後，下介電 層及上介電層之厚度較^ 子乂住σ又疋為5 μιη至20 μπι 〇 根據该製造方法，闲氣 u為下；I電層與上介電層對用於圖案 曝光之光的透射率不π ^ 〃 牛不同，所以可減小所謂的底切之寬度， 以致可獲得具有所要4生 '要心細圖案之極好精度的介電質。詳t 之，慮及全球範圍内 ° ^ %保，甚至在使用不含鉛之玻璃的 119670.doc -29- 200809422 仍得精細圖案之精度。此外，根據該 …猎由形成兩層介電層來減少曝光量，所 以可改良生產率。 在本申請案之介電質 (諸如，，底切”)，且可方法中’可避免上述問題 一 9形成由兩個層組成之介電質來進 一乂防正曝光後歸因於 、"電層中之針孔的介質擊穿之產 。 >成具有單層結構之介電質之情況下，^ 立 分中曝光不充分，則該部分變為針孔L而、曰之⑷ 刀又与針孔，攸而導致劣化。裹 例而曰’在盆中士 、日 昭射組合物中之雜質而未獲得充分 圖牵可”月况下，分中未發生充分固化，使得 =在顯影期間流動，或由燒製導致異常收縮或昱常 起^以致可能導致絕緣劣化。然而，在本發明中，因為 用於圖案曝光之光的透射率低於下介電層對用 期；：；自之光的透射率’所以較之先前技術，可在曝光 均句曝光。層之上部部分至下介電層之下部部分的 因此’在介電質之整個區域上發生充分固化，且抑制針 孔之產生。此外，在本發明中，因為介電質形成為兩層， 所：甚至在產生針孔時’兩個層中所產生之針孔在介電質 之咼度方向上相匹配之可能性亦非常低。因此， : 產生絕緣劣化，且充分地防止介質擊穿。 ”、、 此外，根據本發明之製造方法，除該等優點外，藉由 介電質形成為兩層結構，可充分地保證介電質之厚产。 實例 119670.doc -30- 200809422 將以應用實例更詳細地說明本發明；然而，以下應用實 例並不意欲限，制本發明。在以下應用實例中，除非另有規 定，否則百分比係以重量計。 實例1及實例2以及比較實例1 -8 在该等應用實例中，使用UV感光厚膜介電質組合物。 (A)有機溶劑之製備 混合作為溶劑之Texanol(2,2,4-三曱基戊二醇單異丁 酉欠醋）與具有30,000之分子量之丙烯酸系聚合物黏合劑，且 在授拌下將其加熱至l〇〇°C。繼續加熱及攪拌直至整個黏 合劑聚合物溶解。將所得溶液冷卻至75°c ;向其中添加
Ciba Specialty Chemicals Κ·Κ·製造之 Irgacure 907 及 651 作 為光聚合引發劑，及ΤΑΟΒΝ(1，4,4-三甲基-2,3-二氮二環 [3,2,2]-壬-2-烯-N，N’-二氧化物）作為穩定劑。在75°C下攪 拌該混合物直至所有固體部分溶解。使該溶液通過4〇 μ之 濾紙，且使其冷卻。 (Β)玻璃粉末之製備 混合表I中所示之組合物中之各組份，且調整玻璃粉 末。 (表I)
BaO B2O3 Si02 Al2〇3 ZnO Bi203 Fe2〇3 破璃粉末A 1 9 7 2 8 72 1 玻璃粉末B 1 8 8 2 11 70 - 玻璃粉末C 2 18 4 2 8 63 3 119670.doc -31 · 200809422 該等玻璃粉末之軟化點、平均微粒直徑及透射率如表II 中所示。 藉由熱差分析法（DTA)量測軟化點。 根據上述透射率測試方法（過程（a)-(f))量測透射率。 (表 II) 軟化點 平均微粒直徑 透射率(％) 365 nm 400 nm 700 nm 玻璃粉末A 500。。 1 μπι 25 62 80 玻璃粉末B 510°C 1 μΐΉ 7 42 79 玻璃粉末C 510°C 1 μπι 69 78 79 (C)感光介電質組合物之製備 使用上述玻璃粉末來製備感光介電質組合物。首先，混 合樹脂黏合劑、單體及有機溶劑，以製備有機媒劑。其 次，使該有機媒劑與添加劑及玻璃粉末混合。將有機溶劑 進一步添加至混合物中以調整黏度，以便獲得糊狀介電質 組合物1-7。介電質組合物之組份及量如表III中所示。此 外，使用如下化合物。 黏合劑 A:具有 10% ITX/Irgacure 65 1 之MMA/MAA 共聚 物之40% Texanol溶液 黏合劑B : MMA/MAA共聚物之40% Texanol溶液 单體A :乙氧基化三經甲基丙烧 溶劑 A ·· Texanol 添加劑：2,6-二第三丁基-4-甲基-苯酚 119670.doc -32- 200809422 (表 ΠΙ) 霉占合劑Α(重量份) 組合 物1 6.0 組合 物2 6.0 組合 物3 6.0 組合 物4 6.0 組合 物5 6.0 組合 物6 6.0 組合 物7 6.0 黏合劑B(重量份) 22.4 22.4 22.4 22.4 22.4 22.4 22.4 單體A(重量份） 6.7 6.7 6.7 6.7 6.7 6.7 6.7 溶劑A(重量份） 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 Γ、 添加劑（重量份） 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 玻填粉A(重量份) 0.0 0.0 68.4 0.0 0.0 13.7 34.4 玻璃粉B(重量份) 玻璃粉C(重量份) 0.0 65.0 59.7 0.0 52.0 32.5 52.0 32.5 11.9 29.9 0.0 0.0
士表iv及表v中所不，將組合物卜7組合以便形成具有兩 層結構之介電質。 (d)介電質之形成 在暴路於汽光之空間中之絲網印刷機上安裝由SUS製得 、/、有1 50之”、罔孔的絲網遮罩，且在含有蘇打之玻璃(厚度 為1·3 mm)上實體地印刷下介電質組合物。在印刷後，藉 119670.doc -33 - 200809422 下乾燥2 0分鐘。所獲得之乾 ’藉由使用相同絲網遮罩在 。在印刷後，類似地以暖空 。所獲得之兩層介電質之乾 由暖空氣乾燥爐使其在l〇(TC 燥膜之厚度為約2 0. μπι。接著 乾燥膜上印刷上介電質組合物 氣使其在l〇〇°C下乾燥3〇分鐘 燥膜厚度為約40 μηι。
藉由使用裝載高壓采燈之υν曝光系統，使用365麵之 發料線使乾燥膜經由光罩經受圖案曝光以評估圖案。為 萑疋最幺曝光置’使各樣本經受四個條件下之不同程度 (自 20 mJ/cm2至 640 mJ/cm2)之曝光。 、製備未曝光乾燥樣本且藉由使用0.4%之Na2C03水溶 、乍為頒〜/合液之鹼性顯影處理劑來使其顯影時，分別量 測乾燥膜完全顯影之時間（變清晰之時間·· ttc)。以ttc = 1·5倍及2·5倍之時間使上述經圖案曝光的樣本顯影。換 言之，對於下質組合物及上介電質組合物《各組合， 在四個曝光條件X兩個顯影條件1個條件之㈣後，獲得 樣本。 此外使用輥膛爐在由520°C之峰值溫度、20分鐘及3小 時之總時間組成之燒製概況下燒製所得樣本。 對於該等樣本，針對介電質之®案形成評估以下項目。 接著針對所有樣本研究產生良好評估結果之條件。 如上所述’與介電質之圖案形成相關之問題包括底切及 圖案收細對於底切，直接評估底切之寬度。此外，藉由 友條寬度間隔寬度及/或線條缺陷及流之評估可評估圖 案收縮。 H9670.doc -34- 200809422 線條寬度及間隔寬度之評估 圖7為展示形成於基板3〇〇上之介電質3〇2之圖案形狀之 -實施例的平面圖。在該圖中’將傾斜部分之寬度&定義 為線條寬度，且將另一部分之寬^定義為間隔m 該等應用實例中，使用具有χγ長度量測功能之金相顯微 鏡_倍）’量測樣本在顯影後之線條寬度（當根據初始設 。十t成"電貝時.1GG μπι)，及線條之間的間隔寬度（當根 據初始成介電質時：i5G㈣）。作為評估標準 線條寬度在9 〇 u m 1 0 Λ ^ ^ m ^ μπι至120 μηι之乾圍中時，其被評估為成 功’且當線條之間的間隔寬度在120叫至150_之範圍中 時’其被評估為成功。 線條缺陷及流之評估 圖8為展不形成於基板4〇〇上之介電質扣2之圖案形狀之 :實施例的平面圖。此處，在該圖中，如圓形部分C所 Τ將"電貝402與所要形狀相差之缺陷定義為線條缺 陷’且如圓形部八^ 一 "…，。少』 不，將介電質4〇2之分離定義為 二。4 4應用實例中’藉由顯微鏡觀察整個成形線條 圖案品質，且瑞宁綠女 ’、 ^線條缺陷及流之存在。無線條缺陷及流 之樣本被评估為成功。 底切之評估 在觀察後，蔣：其如 ' 里丨）分為小區段，且藉由使用SEM觀爽 顯影膜之橫截面來評估庇. 謂嬈察 底切。如上所述，底切意謂介電質 1-ΐμ1 吉方 | 、 。，在下側變窄（或變寬，儘管其未在圖 〒展不）’如圖；（φ% 一 T所不之寬度W所指示的部分所示。在評 119670.doc -35 - 200809422 中在圖1中所示之介電質12之截面形狀中，比較上側 長度與下伽： 朴 J長度。右上側長，則其由加號展示，且若下側 =則其由減號展示。作為評估標準，±1〇 μηι被評估為成 上述評估項目之結果如表IV及表V中所示。表Ιν展干者 顯影時間為TTC之U倍時之評估結果，且表Μ示當㈣ 2間為TTC之2.5倍時之評估結果。在表IV及表⑼，將總 體決定之評估結果置放於最下行中。其展示線條條寬度及 間隔寬度之總體評估，線條缺陷及流之評估，切之 估。 一 119670.doc >36- 200809422 ./:ν (ΛΙ<) οο 苳 舒 A3 1-( 審 卜 荽 Φ 68.6| r 1 < 9 r— K (N <m NA 1—< 卜 Ί—< 〇\ 〇\ 1 nai <Ν (Ν 璁 Κ- κ- 卜 • 銻 Jj 卜 Γ- 荽 1_4521 τ—Η 〇〇 〇\ 00 o < < JO r—H <N 00 <N 1 ( C\ r-H wo 00 璁 K- <k( 1 鄰界1 VO 军 VD 泰 VO 荽 Φ 1^__ 61.2 丨 tn τ—( 〇 o r—< m <N r-H Os m r—( r-H 〇 cn s 'Τ) <Ν 1..... ναι ν < 1 球 1不可接受丨 雄 K- ^T) 革 {^®c in 荽 | 22.61 ι—Η 客 \ 2051 寸 ^T) r-H r—( Ο： I ^Τ) (Ν 雄 K- 1不可接受1 璁 雄 1不可接受1 寸 诗®c 寸 寸 1_4MJ s 1 < 00 o f i v〇 oo § (N m 寸 (N Ο I οο οο Ο 埤 1不可接受1 璁 m 零 _D cn •Φ m 1__24Ai ^Τ) > 1 Μ 璁 Κ- Μ 璁 Κ- 璁 1不可接受1 (N 馨 A3 <N Φ (N 荽 vd ^Τ) r—< 1 nai 1 nai 沄 Os | NA丨 L— nai ，' ( (N VO r-H 00 1 CN 丨不可接受1 〇Η 璁 κ- 1不可接受1 Μ 璁 κ- 埤 r—1 苳 -O 5 ♦ ^—1 68.61 to τ—< i1 i 〇〇 〇〇 g t—H <T) r—i 〇〇 CN Os o 1___nai wn cn 璁 璁 κ- 1不可接受1 (N 苳 (K S i φ 1_45^ wn r-H g 〇\ G\ i < Ό m 丨 r—< r—( 1_NA] 1 可接受1 璁 i—( v： 組合物5| > Η 荽 22.61 iT) r—^ (N 寸 cn 〇\ Os VO On I 204| o JO r—^ r—^ 寸 ο 1 ο 1不可接受1 璁 1 可接受1 璁 mJ/cm 〇 g o I 3201 〇 v〇 O g o Ό | 320| I 6401 Ο S ο VO [3201 1 6401 〇 g 〇 | 320| 1 6401 〇 g 〇 | 3201 I 640| <~ 卜 B zl o r—ί @ 6 wo cn U H H X C' fcfl 乂 Ci 1 樂 甽 ε η ο ε =L r—( 底切 判斷 £ g S? -37- 119670.doc 200809422 ><) oo ΟΛ τ—Η 卜 荽 45.21 tn oi 1 ναι r—H r—Η m ο ν〇 OO m o (N g 不可接受 球 K- κ- ο ΟΛ 5 卜 <n <N g τ—^ οο ο 寸 τ·· i o m m T~^ m (N Μ 雄 Κ- 不可接受 不可接受 'ίΗ 球 銻 ΟΛ 組合物6 | oi OO Ο 2 r—H m ο CN m O <N t^· 璁 κ- 球 κ- 'ίΗ 球 革 餐 ΟΛ m 奥 荽 cn (N ΝΑΙ ί ΝΑΙ ΝΑ < z _____________________NA 1________________235—1 (N <T) 1 1471 不可接受 κ- 璁 Κ- 璁 寸 餐 寸 Φ 寸 審 Φ U m (N r—( m <N r-H m r-H <N T-< 1不可接受1 Μ 璁 Κ- 埤 κ- 璁 m 系 (K 馨 ΟΛ m 荽 m cn oi T—ί Μ 璁 Κ- 潍 κ- 球 κ- 制 Κ- 1不可接受1 CN 苳 m 舒 (N 荽 (N 袭 oi s； 1 < 命( 璁 命( 雄 <¥， 雄 '制 球 κ· 1不可接受1 ι—Η 錄 Jl\ T" < 荽 荽 (N ΝΑΙ 〇〇 〇 m <Ν τ—< 对 $ 00 1 < <N m 00 1 ' m 埤 κ- 1不可接受 埤 (N 革 W Ϊ r—1 荽 I 68.61 <n (N 1_NAJ ON Ο m r-H o m r—^ (N m ( m <N r-H 1_ 1? 埤 Τ—Η 苳 {㈣ 荽 5 4° Μ 68.61 〇4 1_ 1_ m 〇\ ^o G\ 1_ (N r—( 客 1..... H r—^ 寸 璁 κ- 1不可接受1 1 可接受1 璁 埤 曝光量2， mJ/cm 〇 g ο \ο I 320| 〇 s O § 〇 VO 1 320| 丨 6401 ο g ο Ό 1 320| 1 6401 〇 g S 1 320| I 640| 〇 § 〇 VO | 320| 1 640| 1上介電層 1 聲 ifcflD fptfl <- ε zl r—( @ £ … VO m 铡 U H H X CT όβ G ♦ Π3 蘇 if £ zl 樂 ε 〇 〇 S? ε zl Ο wo ^―η 底切 ㈣ 判斷 -38- 119670.doc 200809422 見（§顯影時間為TTC之I·5倍時），在應用實 例1及應用實例2 Φ，4，A ' 、 T 因為上介電層對用於圖案曝光之光的 透射率低於下介雷風m 曰對用於該圖案曝光之光的透射率，所 乂刀另2J存在兩個條件（應用實例1中之320 mJ/cm2及640 111;/_22之曝光量，及應用實例2中之16〇 mJ/cm2及32〇 mJ:cm :曝光量)作為允許所有條件成功(可接受)之條件。 事貝應瞭解本發明精確且容易地實現了所要圖案。 一另-方面，在其中上介電層對用於圖案曝光之光的透射 率/、下；I電層對用於該圖案曝光之光的透射率相同之各比 較貝例中獲知以下結果。換言之，在比較實例工、2、 3 5 6及8中’不能4定允許關於所有項目成功的條件。 在比車乂只例4中’允許成功之條件僅包括320 mJ/cm2之曝 光量，且在比較實你I 7 φ，^ i ^ , 平乂貝1歹J / f，允許成功之條件僅包括32〇 mJ/cm2之曝光量。 此外如自表V可見（當顯影時間為TTC之2.5倍時），在 應用貫例1及應用實例2中，因為上介電層對用於圖案曝光 之光的透射率低於下介電層對用於該圖案曝光之光的透射 率，所以分別存在兩個條件（應用實例i中之32〇 及 640 mJ/cm2之曝光量，及應用實例2中之16〇 mJ/cm2之曝光量）作為允許所有項目成功（可接受）之條件。 自該事實’應瞭解本發明精確且容易地實現了所要圖案。 在其中上彳電層對用☆圖案曝光之光的透射率與下^電 層對用於該圖案曝光之光的透射率相同之各比較實例中， 獲得以下結果。換言之，在比較實例〗、 2 3 、5、7及 8 119670.doc -39- 200809422 中不月b確定允許關於所有 貝目成功的條件。在比較實例 成功之條件僅包括32〇 mJW之曝光量， 比較實例6中，允許成功之條件僅包括16〇 2 量。 术旰偟包括16〇 mj/cm2之曝光 自該等結果可見，當顯影時 日车，檑/愈 才间為丁TC之1.5倍及2·5倍 、 在應用實例1及應用實例2巾^ τ & ,^ ^ ^ 中4貫了其中總體結果成 力之兩個或兩個以上條件。 條件中之以、—者改^ _ 卩便在曝域件及顯影 ^者改雙之6況下，在應用實例1及岸用每 例2中仍形成所要圖案。相反，應用貝 ^ /、思謂若曝光條件及顯影 條件中之一者發生改變， ^ 安。j在各比較貫例中不形成所要圖 东 口此’若使用本發明之介雷 ^ .. 1電λ，則可改變曝光條件或 卜員衫條件，以便確保在即 一 隹『使條件因為任何原因而改變 之h况下，產品之良率不下降。 【圖式簡單說明】 圖ί為展示當在基板上形成介所 所產决夕r I - 電貝且使其曝光及顯影時 斤產生之底切的示意圖。 圖2為展示當在基板 H1 ^ AA u 极衩電質及燒製該介電質時所 引起的水”向上之收縮的示tw。 " 八中在基板上形成具有兩層結構之介電質的實 例。 、J貝 圖4展示裝載本發明之介電質的裝置。 圖5為展示用於製造本 的流程圖。 ^之"電質之方法中的各步驟 圖6展示圖5中所示之各步驟之細節。 119670.doc -40- 200809422 Ώ 7展不在本發明中所界定之線 圖8展_ ; Μ条寬度a及間隔寬度b。 口 8展不在本發明中所界定 【主要元件符號說明】 Ί缺.及流d。 10 基板 12 16 18 20 22 24 30 32 34 36 38 40 42 44 46 202 204 206 208 209 介電質 介電質 基板 介電質 下介電層 上介電層 破璃基板 陰極 發射器 閘極絕緣膜 閘電極 破璃基板 極 登光材料 光 基板 下介電質組合物 塗佈構件 下介電層 上介電質組合物 119670.doc 41 200809422 210 上介電層 212 光罩 214 i-射線 216 曝光塗佈膜 300 基板 302 介電質 400 基板
402 介電質 c 圓形部分/線條缺陷 d 圓形部分/流 W 寬度 119670.doc -42-

Claims (1)

  1. 200809422 、申請專利範圍·· 1. 一種介電質，其包含一, 形成於一下介電層之上的上 層’其特徵為該下介雷展+ — ;丨電 … 丨電層由第-感光組合物所構成，兮 弟一感光組合物包含篦 °亥 一 " 物匕3弟—破璃粉末，且該上介電層由第 一感光組合物所構成， _ μ弟—感光組合物包含第二破璃 # ’左由1 2亥1介電層用於產生所欲之曝光圖案之 2. 先的透射率低於經由該下介電層之光的透射率。’、 =求項1之介電質’其特徵為該上介電層中所使用之 破璃粉末的透射率低於該下介電層中所使用之該 弟一玻璃粉末的透射率。 I 項1之介電質’其中該下介電層實質上係由玻璃 所、，且成，且玻璃係為唯一之無機組份。 4. ::求項1之介電質’其中該上介電層實質上係由玻璃 、、且成，且玻璃係為唯一之無機組份。 119670.doc 1 求項1之介電質’其中該下介電層及該上介電層實 質，係由玻璃所組成，且破璃係為唯-之無機組份。、 长貝1之"t貝’丨特徵為光對該上介電層之透射 波長處於350 nm至400 nm之範圍中。 -求員1之’丨電枭’其特徵為該第一玻璃粉末及該第 一玻璃粉末為含鉍之玻璃粉末。 2 8·如請求項7之介電質’其中該第一玻璃粉末係選自含有 Bl A1-B-S卜Zn-Ba之玻璃粉末或含有 Bi Al_B_si_Zn Ca2 玻璃粉末。 9·如請求項8之介電質，其中相對於該下介電層之總玻璃 200809422 粉末含量，該含有Bi-A^B-Si-Zn-Ba之玻璃粉末或該含 • B Si-Zn-Ca之玻璃粉末的總含量處於重量％至 1〇0重量％的範圍中。 •月长項7之介電質，其中該第二玻璃粉末係選自含有 卜如之玻璃粉末或含有仏Zn_Ca之 玻璃粉末。
    睛未項H)之介電質，其中相對於該上介電層之總玻璃 粉末含量’該含有Bi-A1_B_Si_Zn_Ba之破璃粉末或該含 有Bl-Al_B_Si_Zn_Ca之玻璃粉末的總含量處於40重量％至 100重量％的範圍中。 12,如請求項10之介電質，其中該第二玻璃粉末進一步包含 至少—種選自包含Fe、V、丁彳、m > 之群的元素。 u ·如δ月求項1之介電質，苴 — .0 /、中忒弟一玻璃粉末之光透射率 為0°/。或更高，但小於6 射Μ… ’°，且5玄弟-破璃粉末之光透 射率為6 0 %或更高。 14·如請求項丨之介電質，其中該下介電 声 質上不含鉛。 ^上；丨電層貫 1 5 ·如請求項1之介電質 質上不含填充劑。 1 6·如請求項1之介電質 質上不含鹼性化合物 其中該下介電厣a 电層及该上介電層實 其中該下介電層另#。^ 曰及该上介電層實 17. 18. 種製造一介電質之方法，1 # 、 Θ方法包含以下步驟： 提供一下感光m組合物 认九介電質組合 119670.doc 200809422 ，、各包含破螭粉末、單 引發劑、樹脂黏合劑及 f 有機溶劑；提供一基板； 在该基板上塗佈該下感光介電f&n 乾燥該下感光介電質組合物，以形成-下介電層； 在°亥下"電層上塗佈該上感光介電質組合物； 乾燥該上感光介電質組合物，以形成-上介電層； 使該下介電層及該上介電層上之—指定圖案曝光； 層=等曝光層顯影’以形成顯影層；燒製該等顯影 其中相較於該下介電層，該上 圖案曝光之光透射率。 u層具有較低之用於19.如請求項18之製造—介電f之方法，其中該上介電層中 所使用之該玻前末的光透射率低於該下介電層中所使 用之該破璃粉末的光透射率。20·:請求項18之製造-介電質之方法，其中該下介電層實 質上係由玻璃所組成’ ^玻璃係、為唯—之無機組份。" 21. 2請求項18之製造-介電質之方法，其中該上介電層實 質上係由玻璃所組成，且玻璃係為唯—之無機组份" 22. 如請求項18之製造一介電質之方法，其十該下介電層及 该上介電層實質上係由玻璃所組成 曰 無機組份。23.如請求項18之製造一介電質之方法 處於350 nm至400 nm之範圍中。 24·如請求項18之製造一介電質之方法 且玻螭係為唯一之 其中光之透射波長 其特徵為該下介電 119670.doc 200809422 W m使用之該玻璃粉末及該±介電層中所使用之該玻 璃粉末為含Μ玻璃粉末。 25. 如請求項24之製造-介電質之方法，其中該下介電層中 所使用之該玻璃粉末為含有Bi_A1_B_Si_Zn_Bk玻璃粉 末或含有Bi-Al-B-Si-Zn-Ca之玻璃粉末。 26. 如請求項25之製造一介電質之方法，其中相對於該下介 電層之總玻璃粉末含量，該含有BiHy之玻 璃粉末或該含有Bi-A1_B-Si_Zn_Ca之玻璃粉末的總含量 處於40重量％至1〇〇重量％的範圍中。 27·如請求項24之製造-介電質之方法，其中該上介電層中 :包括之該玻璃粉末為含有队㈣馨純之玻璃粉 或含有B卜Al-B-Si-Zn-Ca之玻璃粉末。 28·如請求項27之製造-介電質之方法，該方法之特徵為· 相對於該上介電層之總玻璃粉末含量，該含有則⑽ SUBa之玻璃粉末或該含有Bi_A1_B_si_Zn_Ca之玻璃粉 末的總含量處於40重量％至1〇〇重量％的範圍中。 29. 如請求項27之製造—介電質之方法，其中該上介電 所使用之該玻璃粉末包含至少一種選自包含^、V、 Ti、Cii及Co之群的元素。 、 30. 如請求項18之製造一介電質之方法，其中該上介 所使用之該玻璃粉末之光透射率為3〇%或更高，^ 6 0 %，且該下介電層中所佶 ; 為嶋或更高。 使用之该玻璃粉末之光透射率 31·如請求項18之製造—介電質之方法，其_該下介電層及 J19670.doc 200809422
    該上介電層實質上不含鉛。 32.如請求項18之製造一介電質之方法，其中該下介電層及 該上介電層實質上不含填充劑。 3 3.如請求項1 8之製造一介電質之方法，其中該下介電層及 該上介電層實質上不含驗性化合物。 119670.doc
TW096109904A 2006-03-22 2007-03-22 Dielectric, display equipped with dielectric, and method for manufacturing said dielectric TW200809422A (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US78471906P 2006-03-22 2006-03-22
US11/725,708 US20070238036A1 (en) 2006-03-22 2007-03-19 Dielectric, display equipped with dielectric, and method for manufacturing said dielectric

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW200809422A true TW200809422A (en) 2008-02-16

Family

ID=38283249

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW096109904A TW200809422A (en) 2006-03-22 2007-03-22 Dielectric, display equipped with dielectric, and method for manufacturing said dielectric

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20070238036A1 (zh)
EP (1) EP1837914A2 (zh)
JP (1) JP2007294427A (zh)
KR (2) KR100875363B1 (zh)
CN (1) CN101063814A (zh)
TW (1) TW200809422A (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7776507B2 (en) * 2004-07-22 2010-08-17 Toray Industries, Inc. Photosensitive paste and manufacturing method of member for display panel
KR100894062B1 (ko) * 2007-03-26 2009-04-21 삼성에스디아이 주식회사 감광성 페이스트 조성물, 이를 이용하여 제조된 플라즈마디스플레이 패널의 격벽 및 이를 포함하는 플라즈마디스플레이 패널
JP5422427B2 (ja) * 2010-02-08 2014-02-19 太陽ホールディングス株式会社 積層構造体及びそれに用いる感光性ドライフィルム
JP5427632B2 (ja) * 2010-02-08 2014-02-26 太陽ホールディングス株式会社 積層構造体及びそれに用いる感光性ドライフィルム
JP6149498B2 (ja) * 2013-05-10 2017-06-21 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 紫外線硬化性シート材料、紫外線硬化性ドライフィルム、紫外線硬化性ビルドアップ用絶縁材料
JP5660691B2 (ja) * 2013-12-02 2015-01-28 太陽ホールディングス株式会社 積層構造体の製造方法及び積層構造体

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE525225A (zh) * 1951-08-20
US2850445A (en) * 1955-01-19 1958-09-02 Oster Gerald Photopolymerization
NL218803A (zh) * 1956-07-09
US3074974A (en) * 1957-12-06 1963-01-22 Monsanto Chemicals Method for the preparation of diglycidyl ether of tetrachlorobisphenol-a
US3097097A (en) * 1959-02-12 1963-07-09 Gisela K Oster Photo degrading of gel systems and photographic production of reliefs therewith
NL254306A (zh) * 1959-08-07
US3097098A (en) * 1960-06-30 1963-07-09 Anderson Clayton & Co Shortening and agent therefor
GB1090142A (en) * 1965-02-26 1967-11-08 Agfa Gevaert Nv Photochemical insolubilisation of polymers
US3479185A (en) * 1965-06-03 1969-11-18 Du Pont Photopolymerizable compositions and layers containing 2,4,5-triphenylimidazoyl dimers
US3380381A (en) * 1965-08-06 1968-04-30 Western Printing Mach Co Rotary press printing cylinder for clamping flexible plates
US3549367A (en) * 1968-05-24 1970-12-22 Du Pont Photopolymerizable compositions containing triarylimidazolyl dimers and p-aminophenyl ketones
US4162162A (en) * 1978-05-08 1979-07-24 E. I. Du Pont De Nemours And Company Derivatives of aryl ketones and p-dialkyl-aminoarylaldehydes as visible sensitizers of photopolymerizable compositions
US5032490A (en) * 1989-08-21 1991-07-16 E. I. Du Pont De Nemours And Company Photosensitive aqueous developable copper conductor composition
JPH08248277A (ja) * 1995-01-09 1996-09-27 Fujitsu Ltd 光装置
JP3145279B2 (ja) 1995-08-28 2001-03-12 大日本印刷株式会社 プラズマディスプレイパネル及びその製造方法
EP1093147B1 (en) * 1999-04-28 2011-03-30 Panasonic Corporation Plasma display panel
US7303854B2 (en) * 2003-02-14 2007-12-04 E.I. Du Pont De Nemours And Company Electrode-forming composition for field emission type of display device, and method using such a composition
US7678457B2 (en) * 2006-03-23 2010-03-16 E.I. Du Pont De Nemours And Company Dielectric and display device having a dielectric and dielectric manufacturing method

Also Published As

Publication number Publication date
US20070238036A1 (en) 2007-10-11
KR100875363B1 (ko) 2008-12-22
KR20080099226A (ko) 2008-11-12
CN101063814A (zh) 2007-10-31
KR20070095838A (ko) 2007-10-01
EP1837914A2 (en) 2007-09-26
JP2007294427A (ja) 2007-11-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW200809422A (en) Dielectric, display equipped with dielectric, and method for manufacturing said dielectric
WO1998001885A1 (fr) Ecran a plasma et procede de fabrication associe
CN101409113B (zh) 组合物、用其制造的电极、等离子体显示板和相关方法
TW200905381A (en) Photosensitive conductive paste for electrode formation and electrode
KR101100490B1 (ko) 플라즈마 디스플레이 패널용 전극 페이스트 및 플라즈마 디스플레이 패널용 블랙 버스 전극
CN1841191A (zh) 光敏厚膜介电糊料组合物及使用该物质制造绝缘层的方法
TW201030116A (en) Photosensitive paste and process for production of pattern using the same
TW200904937A (en) Photosensitive conductive paste for electrode formation and electrode
JP2007012371A (ja) 導電組成物およびプラズマディスプレイの背面基板の製造方法
JP2011077251A (ja) ディスプレイ用部材および製造方法
JP2016046031A (ja) 積層体、積層体の製造方法、フィルムセット並びに電子部品
CN1916070A (zh) 黑色糊组合物、等离子显示面板的上板及其制造方法
TW200804213A (en) Dielectric and display device having a dielectric and dielectric manufacturing method
TW201013742A (en) Co-processable photoimageable silver and carbon nanotube compositions and method for field emission devices
WO2006100825A1 (ja) ブラックマトリックス形成用光硬化性樹脂組成物、これを用いた感光性フィルム、ブラックマトリックスの形成方法、ブラックマトリックス及びそのブラックマトリックスを有するプラズマディスプレイパネル
CN105073416B (zh) 光烧结用热塑性树脂薄膜基材、使用其的导电电路基板和其制造方法
CN101276716B (zh) 等离子显示面板及其制造方法
TW200303338A (en) Photo curing composition and plasma display using the same in forming black pattern
TW200926240A (en) Conductive composition for black bus electrode, and front panel of plasma display panel
TWI299109B (en) Method for manufacturing protrusions
KR100799062B1 (ko) 전도성 조성물 및 플라즈마 디스플레이의 배면 기판의 제조방법
JP3959811B2 (ja) プラズマディスプレイパネル用基板の製造方法
JP2006310278A (ja) プラズマディスプレイの誘電体用転写シートおよびこれを用いたプラズマディスプレイ部材の製造方法ならびにプラズマディスプレイ
JP2002025432A (ja) 誘電体層及び障壁形成用樹脂組成物エレメント及びこれを用いたプラズマディスプレイパネル用基板の製造法
JP2009175399A (ja) 電子放出素子の絶縁層形成用感光性組成物