200805707 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本揭露係有關於一種半導體裝置及一種製造該半導體 裝置之方法，以及更特別地，是有關於一種半導體裝置， 其中在一基板上安裝一光學功能裝置（例如：一光發射裝 置或一光接收裝置），及有關於一種製造該半導體裝置之 方法。 【先前技術】 在一種在一基板上安裝有一光發射裝置之半導體裝置 中，已提出各種形狀。例如，在該光發射裝置係一 LED(發 光二極體）之情況中，限制該光發射裝置之發光顏色的型 二口此為了獲知一期望發光顏色，使用一用以發射相 當於該LED之光發射的光之磷光體及在一些情況中利用 該LED之光發射的混合顏色及一磷光體之混合顏色。 例如· 一種安裝有一光發射裝置之相關技藝半導體裝置 〃有像如下結構：在一基板之一凹部中安裝一光發射裝置 及以一光學構件（例如：玻璃）密封該凹部之上開口，以及 ;一在該光學構件之下表面上所形成之螢光構件在接收從 ^光裔射^置所發射之光時發出光，藉此增加從該光學構 <所舍射之光的強度（例如··專利文日本專利未審查 公告第 2003-1 10146 號）。 然而’在该相關技蔽本道 ^ „ w ^ ? ^文衣牛泠體裝置中，當在使從一光發射 θ η 用以覆盍一基板之一凹部的光學 構件傳运且因而投 又耵之過私中該光通過一具有不同折射 312ΧΡ/發鴨明書(補件)/96_〇5/96咖24 $ 200805707 ^界面時’發生下面問題。在例如該光從一具有高折射 率(折射率:1. 5)之光學構件行進至具有低折射率(折射率 = 1.0)之空氣的情況中，因該光相對於該界面之入射角而 產生全反射。基於此理由，會有減少經由該光學構件 射之光的數量之問題，導致光強度之減少。 x 所，外，I亥光之全反射意味著該光從一具有高折射率之介 貝仃進至一具有低折射率之介質時所產生的現象。因為， 當使該光從一光發射裝置之内部放射至外部時，可能產生 該現象。在此一情況中，雖然該光發射裝置具有一使該光 朝該光發射裝置之上表面放射之結構，但是在該光發射裝 置之内部中經歷全反射的光從該光發射裝置之側面放射 出來。基於此理由，，亦有下面問題：減少從該光發射裝置 之上表面（原始光發射表面）所發射之光的強度。 【發明内容】 本發明之具體例提供一種半導體裝置。 本發明之一個或多個具體例具有下面手段。 本發明之一個或多個具體例提供一種在一基板上安裝 有一光學功能裝置之半導體裝置，其中在該光學功能裝置 上方配置一具有透光性之蓋子，以及在該蓋子及該光學功 能裝置中之至少一者上形成一用以防止光反射之防光反 射膜。 本發明之一個或多個具體例的特徵在於：該蓋子具有在 其正面及背面中之至少一面上所形成之防光反射膜。 本發明之一個或多個具體例的特徵在於··該防光反射膜 312XP/發明說明書(補件)/96-〇5/96103824 6 200805707 係一藉由塗佈一介電膜所形成之透明膜。 本發明之一個或多個具體例的特徵在於該光學功能裝 置係一用以發射光之光發射裝置，以及配置一用以反射光 之反射器以包圍該光發射裝置之側面。 本發明之一個或多個具體例的特徵在於在該基板之一 凹部中安裝該光學功能裝罝及藉由接合該蓋子至該基板 以密封該凹部。 此外，本發明之一個或多個具體例提供一種半導體裝置 之製造方法，包括下列步驟··在一基板上安裝一光學功能 裝置；藉由使用一具有透光性之蓋子以密封在該基板上所 配置之光學功能裝置；以及在該蓋子及該光學功能裝置中 之至少一者上形成一防光反射膜。 本發明之一個或多個具體例的特徵在於該基板具有一 用以安裝該光學功能裝置之凹部，以及以該蓋子密封該凹 部之開口。 本發明之一個或多個具體例的特徵在於該光學功能裝 置係一用以發射光之光發射裝置，以及該方法進一步包^ 下面步驟：配置一用以反射光之反射器以包圍該光發射裝 置之側面。 本發明之一個或多個具體例的特徵在於下面步驟··接合 0亥反射器之上端至该盖子；以及在該基板之安裝有該光段 功能裝置之區域周圍接合該反射器之下端，藉此密封—安 裝有該光學功能裝置之空間。 依據本發明之一個或多個具體例，在該光學功能裝置上 312ΧΡ/發明說明書(補件)/96-05/96103824 7 200805707 方配置該具有透光性之蓋子及在該蓋子及該光學功能裝 置中之至少一者上形成該用以防止光反射之防光反射 膜。亚且，在從該光學功能裝置所放射或從外部所入射之 光的入射角大於一臨界角之情況中，可使該光經由該光學 功能裝置或該蓋子傳送行進而沒有反射。結果，可允許增 加=该光學功能裝置所發射之光的數量或從外部所入射 之光的婁文畺’藉此更大地提高一光發射及一光接收之強 度。 從下面洋細描述、所附圖式及請求項可以明顯易知其它 特徵及優點。 μ 【實施方式】 下面將參考圖式以描述本發明之一個或多個具體例。 [第一具體例] 圖1係通常顯示依據本發明之第一具體例的一種半導 體裝置100之剖面圖。參考圖i，該半導體裝置1〇〇係藉 由在一例如矽所形成之基板101上安裝一由例如一 lEd所 形成之光發射裝置1〇2(做為一光學功能裝置）所獲得。該 光發射裝置102藉由使用藍寶石（A12〇〇做為一基底材料 2在其上形成有一 P層、一 N層及一電極，以及該光發射 衣置102之上表面具有一用以防止光反射之防光反射膜 130。例如：該防光反射膜13〇係一藉由使用一真空蒸鍍 法、旋塗製程等以單層或多層方式塗佈一具有高透光 介電膜所獲得的透明膜。 因此，當從該光發射裝置1 〇2之内部放射至外部的光通 312XP/發明說明書(補件)/96-05/96103824 8 200805707 過該光發射裝置 行進於空氣中日寺， 反射。 102之上表面（針對一折射率之界面）及 可防止因折射率之差異所造成之光的全 士在弟―具體例中，將描述在該基板101上安裝該光發射 裝置102之結構。當然’本發明亦可應用至一具有下面結 狀半導體裝置：安裝有例如—光接收裝置以取代該光發 射衣置纟那個情況中，該防光反射膜工可增加從外部 所入射且以反射防止方式來接收之光的強度。 將榣述光之全反射的產生之原理。例如：已知在具有不 同折射率之物質間的邊界上產生光之折射。在行進 於„亥物貝A中之光到達—界面的—人射點之情況中，將在 =入射點上相對於該界面之法線與—人射線所構成之角 度稱為-入射角。在設定該入射角等於或大於某一角度之 情況中，不使光穿透，而產生—所謂全反射。在此時，將 f生王反射之入射角稱為一臨界角或全反射之一臨界 該臨界角係由該等物質Α & β之折射率的比率所決 一，該物質A之折射率η卜該物質B之折射率n2及 L界角θί <情況中，將該折射率與該臨界角間之關係 表不成為下面方程式（1)。
SinGf=n2/nl------(ι) 在此情況中’需要該物質A之折射率^與該物^之 f射率n2㈤足下面方程式⑵之條件，以便產生該全反 312XP/發明說明書(補件)/96_〇5/961〇3824 9 200805707 nl>n2------(2) 於是，空氣之折射率（ = 1.0)比該藍寶石基板之折射率 ( = 1.8)低。因此，在從該光發射裝置1〇2之内部放射至外 1的光相對於一界面具有一大於該臨界角ef之入射角的 情況中，產生該全反射，以致於㈣該入射角，該發射光 無法行進至該光發射裝置102之外部。 在第一具體例中’該防光反射膜13〇係形成於一做為該 光發射裝置102之光發射表面（針對一折射率之界面）= ^表面。在該入射角等於或大於該臨界角之情況中，該防 光反射膜130防止從該光發射裝置1〇2之内部行進至外部 之^被反射。結果，可向上傳送該光。因此，增加該光發 射1置102本身之光發射量，以便提高從一光發射表面所 發射之光的強度。 此外，在該光發射裝置102上方配置一由例如玻璃所形 成之光發射板狀蓋子103且亦在該蓋子1〇3之上表面上形 成一用以防止光反射之防光反射膜14〇。該防光反射膜 140係以相同於該防光反射膜13〇之方式，以單層或多層 :反射膜所構成，以及可防止光反射以相對地增加經由該 盍子103所傳送之光的數量。因此，在從該光發射裝置 102所叙射之光經由該蓋子丨〇3被傳送及從該由一具有高 折射率之玻璃所形成之蓋子1〇3行進至具有低折射率之 线的程序中，可防止該全反射。結果，可允許提高朝該 蓋子103之向上方向行進的光之強度。 在第一具體例中，已描述該結構之範例，其中在該光發 3麵發明說明書(補件)/96姻61〇繼 200805707 Γ〇Γί :〇】之上表面形成該防光反射膜130及亦在該蓋子 #狀署⑽面t成㈣光反射膜14G，以便增加從該半導 ^衣置100所放射之光的強度。然而，在本發明中，亦可 / 5午使用下面結構:形成該等防光反射膜130 & 140或者 形成該等防光反射膜]q n ^ 如 射膜I30及140中之任何一防光反射膜。 然而，藉由使用尤咕楚7 1 Λ η 〜皿子ι〇3之下表面及上表面形成該防 、肊之結構，可允許增加透光率，#此在由一具有比 例^ σ亥玻璃兩之折射率的物質形成下面所要描述之鱗光 體膜1 04的情況中提高光之強度。 狀在第一具體例中，已描述在該基板ι〇ι上安裝該光發射 衣置102之結構。然而，本發明當然亦可應用至一具有下 面、、"構之半導體裝置··例如安裝-光接收裝置以取代該光 發射裝置。在那個情況中，該等防光反射膜13G及140防 止從外部入射之光的反射，藉此增加所要接收之光的強 度。 再者，在該蓋子103之下表面形成該磷光體膜1〇4。基 於此理由，在依據第一具體例之半導體裝置100中不是以 一磷光體膜或一含磷光體之樹脂直接塗佈該光發射裝置 (led)。結果，可提高該光發射裝置1〇2之放射，導致可 抑制因该光發射裝置之熱產生所造成之品質變差的影響。 此外，在該磷光體膜104中，可抑制因該光發射裝置 1 〇 2之放射及|外線之放射所造成的變差之影響，以便可 改善該半導體裝置之品質及可延長壽命。 再者’在該基板101上形成一用以安裝該光發射裝置 312XP/發明說明書(補件)/96-05/96103824 11 200805707 102之凹部ι〇1β及將該凹部1〇1β之周圍接合至該蓋子 103以便在该基板101上密封該光發射裝置1〇2。更特 別地，在該結構中，藉由該基板1 〇 1及該蓋子103構成一 用以密封該光發射裝置102之空間。因此，可使該用以密 封該光發射裝置1〇2之空間處於例如減壓狀態中，或者可 使用一惰性氣體來填充該空間。因此，可維持該光發射裝 置102之品質且可延長壽命。 然而’當使該基板101經由陽極焊接連接至該蓋子1〇3 時，相較於經由一像樹脂之有機材料接合該基板101及蓋 子103之情況，可更利落地保持一用以密封該光發射裝置 102之空間。因此，可更好地提高該光發射裝置1〇2之品 質。 此外’將一用以反射該光發射裝置102所發射之光的反 射器105與該光發射裝置102 —起配置在密封有該光發射 I置102之空間（該凹部1〇ΐβ)中。結果，使用該結構， 可提高依據第一具體例之之半導體裝置1〇〇的光發射效 率0 再者’將该光發射裝置1 〇 2配置在例如由金（Au)所形成 之凸塊（金凸塊）1〇6上，以及電性連接至一介層插塞（貫 穿佈線）107，該介層插塞1〇7經由該凸塊1〇6穿過該基板 101之下面。 在該介層插塞107之相對於連接有該光發射裝置1〇2之 侧的側上提供一由例如鎳/金（Ni/Au)電鍍層所形成之連 接層108A，以及再者，在該連接層i〇8a上形成一焊料凸 312XP/發明說明書(補件)/96-05/96103824 12 200805707 塊1 08。更特別地，形成該介層插塞丨〇7，以便可容易地 將该光發射裝置102與一在用以密封該光發射裝置} 〇2之 空間的外側之連接標的連接在一起。雖然可以在該凸塊 106與該介層插塞1〇7間提供一由例如鎳/金（Ni/Au)電鍍 層所形成之連接層，但是它未顯示於該圖式中。 此外，該反射器105連接至一穿過該基板1〇1之介層插 塞（輻射佈線）110。因此，可提高該反射器1〇5之輻射特 性。在此情況中，該介層插塞丨丨〇具有相同於該介層插塞 1 0 7之結構。 例如：該反射器105連接至該介層插塞丨丨〇，其中該介 層插塞110係形成用以經由一凸塊（金凸塊）1〇9穿過該基 =101之下面。在該介層插塞11〇之相對於連接有該反射 為105之側的側上形成一由例如鎳/金⑺丨/虬）電鍍層所 構成之連接層111A，以及在該連接層U1A上形成一焊料 凸塊ill。在此情況中，經由該介層插塞11〇冷卻（輻射） 該反射器105。另外，更合適的是該介層插塞11〇(該焊料 凸塊111)應該構成用以連接至一母板，導致例如一絕佳 輻射特性。 如果該基板101係由例如料形成，則可容易將該基板 加工具有—更合意的細緻形狀。例如：相較於像陶曼之材 料’石夕具有可更容易實施微加工之特徵。然而，如果該基 板m㈣所形成’則亦可允許與由玻璃（㈣酸玻^) 所形成之蓋子103 —起實施陽極焊接。 此外，在該基板101 <一面上形成氧化膜（氧化石夕 312XP/發明說明書(補件)/96-05/96103824 13 200805707 膜）1〇1Α ’因而使該基板ι〇1與例如該等介層插塞〗〇7及 110及該等凸塊1 〇 6及1 〇 9隔離。 參考圖2，將描述一種光發射裝置1〇2之製造方法的程 序。如圖2所示，首先’在步驟卜產生一具有一預定厚 度之藍寶石晶圓。藍寶石具有絕佳透光性及耐熱性，以及 特別地，亦具有這樣的耐久性：縱使將光轉換成為熱以相 對於-藍光發射構件加熱至—高溫度，很難使該藍寶石劣 化。因此，該藍寶石適用於一 LED基板。 、在了，步& 2中’藉由使用—像一氣相成長之膜形成法 以在忒監貝石基板上磊晶成長一由一像氮化鎵（Nh)之化 合物所構成之薄膜，藉此形成一 p_型半導體及一 N_ 導體。 在步驟3中’另外，在該卜型半導體及該N-型半導體 之母一半導體上形成一電極。 在後續之步驟4中’以-防光反射膜塗佈該藍寶石基板 之相對於形成有該電極之表面的側上之表面(背面）。例如: 错由經-真空蒸鍍法、旋塗製程等以單層或多層方式塗佈 —具有高透光率之介電膜以獲得該防光反射膜。 在步驟5中，藉由切割將在該藍寶石基板上所形成之每 :光發射裝置切成個別片。結果’獲得形成有該防光反射 膜130之光毛射衣置1〇2。藉由將形成有該防光反射膜 之表面設定成為上表面以安裝該光發射裝置1〇2。 接下來，將參考圖3U3L，依序描述製造該半導體裝 置100之方法的一範例。在下面圖式中，上面所述之部分
312XP/發明說明書(補件)/96-05/96103824 M 200805707 具有相同元件符號且在某些情況中將省略其描述。 首先，在圖3A所示之步驟中，蝕刻及圖案化由例如矽 所形成之基板1 01以形成用以配置一光發射裝置之凹部 101B及穿過該基板1〇1之介層孔1〇以及11〇A，其中該等 介層孔107A及110A用以形成該等介層插塞1〇了及11〇。 接下來，在圖3B所示之步驟中，藉由例如熱CVD法在 該基板101之表面（包括該凹部1〇1B之内壁表面及該等介 層孔107A及110A之内壁表面）上形成該氧化膜（亦稱為氧 化石夕膜或熱氧化膜）1 〇 1A。 隨後，在圖3C所示之步驟中，藉由例如銅（Cu)電鍍法 (例如：半添加法）分別在該等介層孔107A及110A上形成 該等介層插塞107及110。 然後，在圖3D所示之步驟中，藉由例如電鍍法提供由 例如鎳/金（Ni/Au)所形成之連接層1〇6A、1〇9A、1〇8A及
111A。在此情況中，在該等介層插塞1〇7及11〇之凹部 101B的側上分別形成該等連接層1〇6A 凹部刪之介層插…110的相對側上分別开= 等連接層108A及111A。 之後，在圖3E所示之步驟中，在該等連接層1〇6A及 109A上形成該等凸塊（金凸塊）1〇6及1〇9。在圖3e後， 省略該等連接層106A及109A。 接下來，在® 3F所示之步驟中，#由罩幕勉刻（_ etching)移除在該凹部10“之周圍的一凸部i〇ic的一表 面上所提供之氧化膜1〇1Α。在一隨後步驟中，將一由玻 312XP/發明說明書(補件)/96-05/96103824 15 200805707 璃所形成之蓋子接合至-在上述步驟中移除該氧化膜之 部分。 、 然後，在圖3G所不之步驟中，藉由將形成有該防光反 射膜130之表面設定為上表面以在該凹部1〇1β中配置該 光發射裝置102，其中在該光發射裝置1〇2上藉由步驟^ 至5形成有該防光反射膜13〇。在此情況中，例如.使用 熱壓接合或超音波焊接以電性接合該光發射裴置1〇2至 該凸塊106’及經由該凸塊1〇6電性連接該光發射裝置ι〇2 至該介層插塞107。 < 之後，在圖3H所示之步驟中，在該凹部丨〇丨B中配置該 反射器105 ’其中該反射器1〇5係藉由在一例如鐵（^^)、 鎳（Νι)或鈷（Co)合金的表面上形成銀（Ag)或鋁（Μ )反射 臈所獲得。在此情況中，例如：使用熱壓接合或超音波焊 接以接合該反射器105至該凸塊1〇9，及經由該凸塊ι〇9 連接该反射器105至該介層插塞11〇。 接下來，在圖31所示之步驟中，藉由一真空蒸鍍法， 以多層方式，使用一具有高透光率之介電膜塗佈該板狀蓋 子103之上表面，藉此形成該防光反射膜14〇，其中該板 狀蓋子103係由例如矽硼酸玻璃所形成且具有透明性。再 者’藉由圖案化在該蓋+ 103之下表面形成該磷光體膜 104。在依據第一具體例製造半導體裝置之方法中，在如 上所述之板狀蓋子！G3之上及下表面上形成該防光反射 膜140及該磷光體膜104。因此，可維持該防光反射膜 及該磷光體膜104之每一膜的厚度具有高均勻性。因此， 312XP/發明說明書(補件)/96·05/96103824 200805707 可允許提高在半導體裝置中之發光強度及發光顏色之均 勻性。 此外，在此情況中，應該不要在該蓋子1 03接合至該基 板101之部分中形成該磷光體膜1〇4較佳，而是應該以該 盍子103直接接觸該基板ιοί之方式圖案化該磷光體膜 104。 Λ 接下來，在圖3J所示之步驟中，經由例如陽極焊接將 忒盍子10 3及該基板1 〇 1彼此接合在一起，以及形成一用 以密封在該基板ΠΠ上方之光發射裝置1〇2的結構。在此 情況中，藉由在該蓋子1〇3與該基板1〇1間施加一高電壓 且增加该盍子1 03及該基板1 〇1之溫度，以實施該陽極焊 當實施該陽極焊接時，將構成該基板之矽結合至在構成 該蓋子之玻璃中的氧，以便實施具有一大結合力之穩定接 合。此外，使用一不同於接合之樹脂材料，幾乎不產生合 污染一用以密封該光發射裝置1〇2之空間的氣體及雜質曰。 隨後，在圖3Κ所示之步驟中，在該等連接層1〇8α 1ΠΑ上分別形成該等焊料凸塊1〇8&ln。 接著，在圖3L所不之步驟中，藉由切割，將該基板^ ^ 及該蓋子103切成個別片。結果，完成上述該半 100 〇 直 雖然已描述在切割成該等個別片前形成在該光發射襄 置102上所提供之防光反射膜13〇的情況，但是亦可允 使用-種在該基板1G1上安裝該光發射裝置⑽後形成及 312XP/發明說明書(補件)/96·〇5/96103824 17 200805707 圖案化該防光反射膜1 30之方法。 亦可允許在切割成該 10 3上形成該防光反 此外’在一晶圓級封裝之情況中， 封裝之個別片之前或之後，在該蓋子 射膜140。 再者，除該蓋子的上表面之外，還可以在 103之側壁上形成該防光反射膜。在那個情況中，告切 該蓋子Η)3時，可以只使該蓋子1G3經歷半切割及二訪 以使用-介電膜以多層方式塗佈該蓋+ 1〇3之側面以形 成該防光反射膜。 [第二具體例] 另外，依據本發明之半導體裝置並非侷限於第一具體例 所述之結構，而是可使用例如下面所要描述之各種結構。 圖4係典型地顯示依據本發明之第二具體例的一種半 導體裝置2GG之剖面圖。參考圖2, #由在—由例如石夕所 形成之基板201上安裝一由例如一 LED所形成之光發射妒 置202+以獲得該半導體裝置2〇〇。該光發射裝置2〇2藉由< 使用藍寳石（AhO3)做為一基底材料，而在其上形成有一 p 層、一 N層及一電極，以及該光發射裝置2〇2之上表面具 有一用以防止光反射之防光反射膜23〇。例如：該防光反 射膜230係一藉由使用一真空蒸鍍法、旋塗製程等以單層 或多層方式塗佈一具有高透光率之介電膜所獲得的透明 膜0 此外，在該光發射裝置202上方配置一由例如玻璃所形 成之透光板狀蓋子203及亦在該蓋子203之上表面形成一 3 UXP/發明說明書(補件)/96-〇5/961〇3824 18 200805707 用以防止光反射之防光反射膜240。該防光反射膜24〇係 以相同於該防光反射膜23〇《方式藉由一單層或多芦防 反射膜所構成，以及可防止光反射以相對增加經由該蓋子 2〇3所傳送之光的數量。因&，在該光發射農置挪二發 射之光經由該蓋子2G3傳送及從該由具有高折射率之玻 :所形成的蓋+ 203行進至具有低折射率之空氣的過程 中，可防止全反射。結果，可允許提高朝該蓋子2〇3之向 上方向行進的光之強度。 在第二具體例巾’已描述該結構之範例，其中在該光發 射裝置2G2之上表面形成該防光反射臈23{)及亦在該蓋^ 203之上表面形成該防光反射膜24{)，以便增加從該^ 體裝置所放射之光的強度'然而’在本發明中，亦可允許 使用下面結構：形成該等防光反射膜23〇及24〇或者形成 該等防光反㈣230 & 24〇中之任何—防光反射膜;^ =藉由使用在該蓋子2G3之下表面及上表面形成該㈣ 反射膑之結構，可允許增加透光率，藉此在纟—具有比例 如該玻璃高之折射率的物f形成—下面所要描述之鱗光 體膜204的情況中提高光之強度。 士在第二具體例中’已描述在該基板2Gi上安裝該光發射 裝置202之結構。然而’本發明當然亦可應用至一且有下 面結構之半導體裝置··例如安裝—光接收裝置以料該光 發射裝置。在那個情況中，該等防光反射膜23〇及24〇防 ^從外部所入射之光的反射，藉此增加所要接收之光的強 度0 312ΧΡ/發明說明書(補件)/96-05/96103824 19 200805707 再者，在该盍子203下表面形成該填光體膜。在此 f月況中依據弟一具體例之基板2 01、光發射裝置2 〇 2、 盍子203及磷光體膜204對應於依據第一具體例之基板 、光發射裝置102、蓋子1〇3及磷光體膜1〇4，以及依 據第二具體例之半導體裝置200具有相同於依據第一具 脰例之半導體裝置1 〇 〇的優點。 更特別地，在該半導體裝置200中不是以一磷光體膜或 一合磷光體之樹脂直接塗佈該光發射裝置（LED)。結果， :提高該光發射裝置202之放射，導致可抑制因該光發射 裝置之熱產生所造成之品質變差的影響。 另外，在該磷光體膜204中，可抑制因該光發射裝置 202之放射及紫外線之放射所造成的變差之影響，以便可 改善該半導體裝置之品質及可延長壽命。 曰 此外，在依據第二具體例之半導體裝置2〇〇中，藉由例 如印刷法（printing method)在該幾乎板狀蓋子2〇3上形 成該磷光體膜。因此，該半導體裝置2〇〇具有下面特徵： 忒磷光體膜之厚度具有高均勻性。更特別地，在依據第二 具體例之半導體裝置2〇〇中，在該板狀蓋子2〇3上形成該 磷光體膜204。因此，可允許藉由使用例如該印刷法形成 具有高均勻性厚度之磷光體膜204。再者，在依據第二具 體例之半V體t置200中，不需要在該光發射裝置202之 側面上形成一磷光體膜。因此，該半導體裝置2〇〇具有可 提高發光之強度及發光顏色之均勻性的特徵。 再者，使該光發射裝置202配置在一由例如金（Au)所形 312XP/發明說明書(補件)/96-05/96103824 20 200805707 成之凸塊（金凸塊）206上及電性遠接δ 人a 4 / 电任埂接至一介層插塞（貫穿 佈線）207,其中該介層插塞2G7係形成用以經由該凸塊 206穿過該基板201之下面。 在該介層插塞207之相對於連接有該光發射裝置2〇2之 側的側上提供一由例如鎳/金（Ni/Au)所形成之連接芦 208A，以及再者，在該連接層2〇8A上 ^ ，更特別地，形成該介層插…以：可;= 该光發射裝置202與一在用以密封該光發射裝置2〇2之空 間的外部之連接標的彼此連絲n夕卜雖然可以在 該凸塊206與該介層插塞2〇7間形成一由例如鎳/金 (Ni/Au)電鍍層所形成之連接層，但是它未顯示於該圖式 中0 另外，在該基板201之表面上形成氧化膜（氧化矽 膜）2〇1Α及使該基板201與例如該介層插塞2〇7及該凸塊 206隔離。 在以下著眼點，依據第二具體例之半導體裝置200係不 同於依據第一具體例之半導體裝置100且具有特別之優 點0 依據第二具體例之半導體裝置2〇〇具有一用以反射該 光毛射衣置202所發射之光的反射器2〇5(對應於該反射 态105)，以及再者，該反射器205與該基板2〇1及該蓋 子203 —起形成一用以密封該光發射裝置2〇2之密封空間 201B 〇 在此情況中，將該反射器205之一端經由一像金（Au) 312XP/發明說明書(補件)抓〇5/961〇3824 21 200805707 之接合層210接合至該基板2〇1，其中該接合層21〇係形 成於該基板201上。此外，將該反射器2〇5之另一端經由 一由例如金（Au)所形成之接合層2〇9接合至該蓋子2〇3。 更特別地，將該反射器2〇5接合至該基板2〇1及該蓋子 203，以便形成用以密封該光發射裝置2〇2之密封空 201B 。 工0 因此，可使該密封空間2〇1B處於例如減壓狀態中，或 者可使用例如一惰性氣體來填充該空間。 光發射裝置202之品質且可延長壽命。 了編 另外，亦可允許使用下面結構：在該基板2〇1上形成一 對應於第-具體例所述之介層插s 11()的韓射佈線且古亥 輕射佈線連接至該反射器2〇5，以便可提高該反射器2〇5 之輻射特性（相同於第一具體例之結構）。 在依據第二具體例之半導體裝置2〇〇中，該基板之 結構（形狀）比該基板1G1簡單且具有可容易加工該基板 2〇 1之特欲。此外’該結構使該反射器暴露至外部空氣。 因此，具有比該半導體裝置1〇〇有更佳輕射特性之優點。 I參考圖心5M，依序描述製造該半導體裝 方法的一範例。在下面圖式中’上面所述之部分 /、有相同元件符號且在某些情況中將省略其描述。 所：5A所示之步驟中’餘刻及圖案化由例如石夕 所形成之基板201以形成一穿過該基板2〇ι之介層孔 A、其中該介層孔2〇7A用以形成該介層插塞挪。 妾下來在圖5B所tf之步驟中，藉由例如熱⑽法在 312XP/發明說明書(補件)/96·^/96ΐ〇3824 22 200805707 該基板201之表面（包括該介層孔觀之内壁表面）上形 成氧化膜（亦稱為氧化石續或該熱氧化膜）2〇iA。 隨後，在圖5C所示之步驟中，藉由例如銅（Cu)電鑛法 (例如：半添加法）在該公恳〇 ^ A ^ 牡豕；|層孔207A中形成該介層插塞 207 〇 ，、、;、後在圖5D所不之步驟中，藉由例如電鑛法提供由 例如鎳/金（Ni/Au)所形成之連接層麵及腿給該介層 插塞207。在此情況中，對於該介層插塞2〇7而言，在一 隨後步驟中要安裝一光發射裝置之第一側上形成該連接 層206A及在相對於第一側之第二側上形成該連接層 208A。另外’猎由濺鍍法或電鑛法在該基板2〇1之第一側 上提供在-隨後步驟中用以接合該反射器之由金（Au)所 形成之接合層210。在圖51)後，省略該等連接層難。 之後’在圖5E所示之步驟中，在該連接層2〇6a上形成 該凸塊（金凸塊）206。 接下來，在圖5F所示之步驟中，例如在該基板2〇ι上 配置由-LED所形成之光發射裝置在此情況中，例 如：使用熱壓接合或超音波焊接以電性接合由步驟i至5 所形成之光發射裝£ 2G2(其中在該光發射裝置m上形 成有該防光反射膜23G)至該凸塊2G6及經由該凸塊2〇6 使該光發射裝置202與該介層插塞2〇7彼此電性連接。 隨後’在圖5G所示之步驟中’藉由切割來切割該基板 201。因此，將上面安裝有該光發射裝置2〇2之基板 切割成個別片。 312XP/發明說明書(補件)/96-05/96103824 23 200805707 然後，在圖5H所示之步驟中，藉由例如一真空蒸鍍法 以夕層方式’使用一具有高透光率之介電膜塗佈該板狀蓋 子203之上表面，藉此形成該防光反射膜240，其中該板 狀盍子203係由例如矽硼酸玻璃所形成。再者，藉由圖案 化在該蓋子203之下表面形成該磷光體膜204。在依據第 一具體例之半導體裝置之製造方法中，如以上所述，在該 板狀盍子203之上及下表面形成該防光反射膜24〇及該磷 光體膜204。因此，可維持該防光反射膜240及該磷光體 膜204之每一膜的厚度具有高均勻性。因此，可允許提高 在该半導體裝置200中之發光強度及發光顏色之均勻性。 之後，在圖51所示之步驟中，藉由例如濺鍍法提供由 例如金（Au)所形成之接合層209，而在一隨後步驟中會經 由該接合層209將該反射器205接合至該蓋子203。 接下來，在圖5J所示之步驟中，將藉由在一例如鐵 (Fe)、鎳（Ni)或鈷（Co)合金的表面上形成一銀（Ag)或鋁 (A1)反射膜所獲得之反射器2〇5的上端接合至該接合層 209。在此情況中，使用例如熱壓接合或超音波接合將該 反射裔2 0 5接合至该接合層2 〇 9。 接著，在圖5K所示之步驟中，將接合至該蓋子203之 反射裔205的下端接合至上面安裝有該光發射裝置go?之 基板201。在此情況中，使用例如熱壓接合或超音波接合 將該反射器205接合至該接合層210。因此，形成用以密 封該光發射裝置202之密封空間201B，以便在該基板2〇1 上方密封該光發射裝置202。 312XP/發明說明書(補件)/96-05/96103824 24 200805707 然後’在圖5L所示之步驟由 該焊料凸塊2〇8。 ^驟中，在該連接層麵上形成 之後’在圖5M所示之牛 之V私中，猎由切割將該蓋子203 0 4. 、纟"果，可形成上面所述之半導體裝置200(見 園4) 〇 2〇Γ:: =广具體例所製造之半導體裝置200中，該基板
Hi形狀）比依據第一具體例之基板101的結構 :=卩及再者’使該反射器暴露至外部空氣。因 =t /…〇〇具有比依據第-具體例之半導《 置100更絶佳之輻射特性的特徵。 =係顯示依據本發明之第三具體例的—種半導體裝 射F :二如圖6所不，在半導體裝置300中’將-光發 置302經由一接合層32〇固定至-基板301上。在該 先發射裝置302之上表面上形成一防光反射層33〇。 〆基板301具有-從上表面穿過至下表面之介層插塞 ’以及該介層插塞307之下端電性連接至一在該基板 301之下表面上的佈線圖案3〇8。再者，該介層插塞挪 之上端經由一接合線322連接至該光發射裝置3〇2 極（未顯示）。 ％ 此外，將一由例如矽硼酸玻璃所形成之半球狀蓋子 經由一接合層310接合至該基板3〇1之上表面，^中在該 基板301上安裝有該光發射裝置3〇2。該蓋子3〇3係形成 有一具有半球狀之内部’以及具有一形成於外周表面之防 光反射膜340及一形成於内周表面之磷光體膜3〇4。 312XP/發明說明書(補件)/96-05/96103824 25 200805707 該等防光反射膜33G及34G係以相同於第—及第二 :之方法’猎由經-真空蒸鍍法以多層方式塗佈一且有古 透光率之介電膜所形成 ^佈具有- …二苐—及第二具體例之方法，由-單 :二1二方膜所形成’以及可允許藉由防止光反射以 力，光發射裝請及該蓋子303所發射之 _光發射U3G2所發射之光經由該蓋子 …隹古以從由具有高折射率之玻璃所形成之蓋子303 有低折射率之空氣的過程中，因此，可允許防止 結果’可允許提高從該蓋子3G3行進至外部之光 的強度。 在第三具體例中，已描述該結構之範例，其中在該光發 射裝置302之上表面形成該防光反射膜330及在該蓋子 303之上表面形成該防光反射膜糊，以便增加從該 體裝置綱所放射之光的強度。在本發明中，亦可允許使 用下面結構：形成該等防光反射膜33〇及34〇或形成該等 防光反射膜330及340中之任何-防光反射膜。此外，藉 由使用在該半球狀蓋子303之内周表面及外周表面上形 成該防光反射膜的結構，可允許增加透光率，藉此在該構 光體膜304係由一具有比例如玻璃高之折 構成之情況中提高光強度。 半的物貝所 士在第三具體例中，已描述在該基板3〇1上安裝該光發射 裝置302之結構。然而，本發明當然亦可應用至一具有下 面結構之半導體裝置：例如安裝一光接收裝置以取&該光 312XP/發明說明書(補件)/96-05/96103824 26 200805707 μ衣置在那個情況中，該等防光反射膜330及340可 =止從外部所入射之光的反射，藉此增加所接收之光的強 度。 日日雖t上面已根據該等較佳範例來描述本發明，但是本發 月：：揭限於該等特定範例’而是在請求項中所述之主旨 内了貝知各楂變更及修改。 已以在第-至第三具體例中由- LED所形成之光 =射裝置做為-範例來描述，但是並非^艮於此，而是本 之半導體:置裝有一光發射裝置而非該⑽ :外，在第-至第三具體例中，已描述使用一真空基鍍 =旋塗製程由一單層或多層防反射膜來形成一防光反
況。然而’當然可以使用其它薄膜形成法 该防光反射膜。 A 在第一至第三具體例中，已將用以密封該光發射 板狀及半球狀的蓋子視為—範例。然而，該 ：
:一。當然，該蓋子可以例如採用一凸透鏡 柱底之形狀。 & W 【圖式簡單說明】 圖1係顯示依據本發明之第一具體例的— 置之圖式， 千v體衣 式圖2係顯示一種光發射裝置1〇2之製造方法的程序之圖 圖3A係顯示一種圖丨之半導體裝置的製造 7古之圖式 312XP/發明說明書(補件)/96-05/96103824 2? 200805707 (第一）， 圖3β係顯示該圖1之半導體裝置的製造方法之圖式（第 二）， 圖3C係顯示該圖1之半導體裝置的製造方法之圖式（第 三） ， 圖3D係顯示該圖1之半導體裝置的製造方法之圖式（第 四） ， 圖3E係顯不該圖1之半導體裝置的製造方法之圖式（ 五） ， 圖3F係顯示该圖1之半導體裝置的製造方法之圖式（第 六） ， 圖3G係顯示該圖1之半導體事置的製造方法之圖式（第 七） ， 圖3 Η係顯示該圖1之半導體誓置的製造方法之圖式（第 八） ， 圖31係顯示該圖1之半導體裝置的製造方法之圖式（第 九） ， 圖3 J係顯示該圖1之半導體裝置的製造方法之圖式（第 十）， 圖3Κ係顯示圖1之半導體裝置的製造方法之圖式（第十 -）， ^ 圖3L係顯示圖1之半導體裝置的製造方法之圖式（第十 二)， " 圖4係顯示依據本發明之第二具體例的一種半導體裝 312ΧΡ/發明說明書(補件)/96-05/96103824 28 200805707 置之圖式， 圖5A係顯示一種圖4之半導體裝置的製造方法之圖式 (第一）， 圖5B係顯示圖4之半導體裝置的製造方法之圖式（第 二）， ~ 圖5C係顯示圖4之半導體裝置的製造方法之圖式（第 • 三）， 圖5D係顯示圖4之半導體裝置的製造方法之圖式（第 四） ， 圖5E係顯示圖4之半導體裝置的製造方法之圖式（第 五） ， 圖5F係顯示圖4之半導體裝置的製造方法之圖式（第 六） ， 圖5G係顯示圖4之半導體裝置的製造方法之圖式（第 七） ， 圖5H係顯示圖4之半導體裝置的製造方法之圖式（第 八） ， 圖51係顯示圖4之半導體裝置的製造方法之圖式（第 九） ， •圖5J係顯示圖4之半導體裝置的製造方法之圖式（第 十）， 圖5K係顯示圖4之半導體裝置的製造方法之圖式（第十 一）， 圖5L係顯示圖4之半導體裝置的製造方法之圖式（第 312XP/發明說明書(補件)/96-05/96103824 29 200805707 圖5M係顯示圖4之半導體裝置的製造方法之圖式（第十 三），以及 圖6係顯示依據本發明之第三具體例的一種半導體置 之圖式。 【主要元件符號說明】 100 半導體裝置 101 基板 101A 氧化膜 101B 凹部 101C 凸部 102 光發射裝置 103 光發射板狀蓋子 104 磷光體膜 105 反射器 106 凸塊 106A 連接層 107 介層插塞 107A 介層孑L 108 焊料凸塊 108A 連接層 109 凸塊 109A 連接層 110 介層插塞 312XP/發明說明書(補件)/96-05/96103824 30 200805707 110A 介層孑L 111 焊料凸塊 111A 連接層 130 防光反射膜 140 防光反射膜 200 半導體裝置 201 基板 201A 氧化膜 201B 密封空間 202 光發射裝置 203 透光板狀蓋子 204 磷光體膜 205 反射器 206 凸塊 206A 連接層 207 介層插塞 207A 介層孑L 208 焊料凸塊 208A 連接層 209 接合層 210 接合層 230 防光反射膜 240 防光反射膜 300 半導體裝置 312XP/發明說明書(補件)/96-05/96103824 31 200805707 301 基板 302 光發射裝置 303 半球狀蓋子 304 磷光體膜 307 介層插塞 ^ 308 佈線圖案 ， 310 接合層 320 連接層 322 接合線 330 防光反射層 340 防光反射膜 312XP/發明說明書(補件)/96-05/96103824 32