TW200805445A - Substrate processing apparatus and method - Google Patents

Substrate processing apparatus and method Download PDF

Info

Publication number
TW200805445A
TW200805445A TW096103943A TW96103943A TW200805445A TW 200805445 A TW200805445 A TW 200805445A TW 096103943 A TW096103943 A TW 096103943A TW 96103943 A TW96103943 A TW 96103943A TW 200805445 A TW200805445 A TW 200805445A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
unit
substrate
film
substrate processing
processing apparatus
Prior art date
Application number
TW096103943A
Other languages
English (en)
Inventor
Yeong-Beom Lee
Yong-Eui Lee
Kyung-Seop Kim
Myung-Il Park
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of TW200805445A publication Critical patent/TW200805445A/zh

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70025Production of exposure light, i.e. light sources by lasers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)

Description

200805445 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種基板加工裝置及方法,且更特定言 之係關於一種使用雷射微影術之基板加工裝置及方法。 【先前技術】 在白知圖案化方法中,將光阻塗佈於形成有薄膜之基板 上且接著藉由使用形成有預定圖案之光罩在曝光對準器 (=ght exposing aligner)設備中用紫外線來照射光阻。此 時,在正光阻(positive ph〇t〇resist)的狀況下,光阻之由紫 卜Λ "、、射之部分被固化,且在隨後顯影製程期間藉由顯 心液私除光阻之其他部分,使得預定光阻圖案可形成於薄 膜j。在光阻圖案形成於薄膜上之後,使甩餘刻設備來茲 刻薄膜之未形成光阻圖案之部分,使得所要的圖案可形成 於基板上。然而,當基板變大時(如在液晶顯示器的狀況 下)’設備之尺寸大大增加,歸因於諸如空間限制、設備 之不均勻性及振動之因t,此會導致關於圖案均勻性 (innf0rmity)的問題。另外,一問題在於:歸因於用來形成 圖案之非常長的加工時間而降低生產率。 【發明内容】 構想出本發明以解決先前技術中之前述問題。因此,本 u之目^為提供—種使用雷射微影單元的基板加工裝置 及方法,e亥雷射微影單元可替代一光微影單元及-钱刻單 兀以.確保圖案之三維均勻性同時在大基板上精確地 並控制該圖案,B i ^,a 一 丑错由減少總基板加工時間來節省製造成 118464.doc 200805445 本。 為達成目標,根據本發明之-態樣,提供-種基板加工 裝置’其包含-用於在_基板上形成—薄膜之成膜單元及 一用於在該薄膜上形成一預定圖案之雷射微影單元。 此%,祕板加工裝置可進—步包含n使基板被裝 入及被取出的主載運單元且㉟主載運單m括一主載運
構件。此外,该主載運構件可經安裝成可在該主載運單元 中移動。 μ 4基板加J1裝置可進_步包含_提供於成膜單元與雷^ ,影單元之前、之後及/或之間的一或多個位置處之清公 早凡°在此狀況下’成膜單元、雷射微影單元及清洗單^ 可在基板加卫裝置内配置於單—列中。或者,成膜單元 雷射微影單元及清洗單元可在基板加卫裝置内配置於兩歹 中°同時’成鮮元、雷射微影單元及清洗單元可以多^ (mUlt::story)形式配置於基板加工裝置中。在此狀況下, 成膜單兀及雷射微影單元較佳提供於清洗單元之下。 此處,該I板加工裝置可進一步包含用於連接成膜等 凡、雷射微影單元及清洗單元之一或多個辅助載運單元, 其中辅助載運單元之每—者包括—辅助载運構件。 該基板加U可進—步包含—提供於基板加工 :列之間的輔助载運單元。該輔助載運單元可包括二經安 在該輔助載運單元中移動的輔助载運構件。該輔: 可包括提供於輔助載運單元内的-或多個輔助載 及配置於輔助載運構件之間的至少一緩衝哭。薄 118464.doc 200805445 膜可為選自由間極層、作用層、源極層、>及極層、無機鈍 化層及共同電極層組成之群的任一者。 根據本發明之另一態樣,提供-種基板加工裝置,其包 =用於在一基板上塗佈-薄膜之塗佈單元及-用於在該 濤膜上形成一預定圖案之雷射微影單元。 此處’該基板加工裝置可進-步包含—用於使基板被裝 入及被取出的主载運軍元’其中該主載運單元包括一主載 運構件。此外,該主载運構件可經安裝成可在該主載運單 元中移動。 該基板加工裝置可進一舟幻人 微影單元之間的乾料固二…置於塗佈單元與雷射 乾备與固化早p該乾燥與固化單元可在 垂直方向中以兩層形式+ -固化單元。^予以組_可破分成—乾燥單元及 該基板加工裝置可」隹—丰 ^ 包卜提供於塗料元、乾燥 二口化…雷射微影單元之前、之後及/或之間的一或 夕個位置處之清洗單元。此處,塗佈單元^ ^ ^ - 文师早70、雷射微影星 :單乾燥與固化單元及清洗單元可在基板加卫裝置内配置 化單元H ^者’塗佈單元、雷射微影單元、乾躁與固 時,:::洗早兀可在基板加工裝置内配置於兩列中。同 \主佈早70、雷射微影單元、乾燥與固化單元及产洗„ 兀可以多層形式配置於基板加工裝置中,且涂佑广早 射微影單元係提供於乾燥與固化單元及清洗:元:;及雷 微;:ί = ^可進一步包含用於連接塗佈單元、雷射 乾_固化單元及清洗單元之一或多個輔助载 118464.doc 200805445 運單7L ’其中輔助載 一 件。 平凡之母者包括一辅助載運構 ::基板加工裝置可進—步包含一提供於基板 兩列之間的輔秘蕾、富抑— 衣置心 n、載早此外’該辅助載運單元可包括 ,2、成可在輔助載運單元中移_的辅助·载運構件。此 、助载運單元可包括提供於辅助載運單元内的一或多 個,助载運構件,及配置於辅助載運構件之間的至少一缓 衝m車X佳地,薄膜包括選自由有機黑色矩陣(black matnx)膜、有機娜膜及有機純化膜組成之群的任—者。 根據本發明之另一態樣’提供一種基板加工方法,宜包 含以下步驟:提供一基板;在該基板形成-薄膜;及在同 一裝置中使用雷射來圖案化該薄膜。 此處’該基板加X方法可進—步包含在薄膜形成步驟與 圖案化步驟之前、之後及/或之間的任何時間清洗形成於 基板上之薄膜的步驟^該基板加工方法可進一步包含在薄 膜形成步驟之後乾燥並固化該薄膜之步驟。 此處’薄膜可包括選自由閘極層、作用層、源極層、汲 極層、無機鈍化層及共同電極層組成之群的任一者。哎 者,薄膜可包括選自由有機黑色矩陣膜、有機Rgb膜及有 機純化膜組成之群的任一者。 【實施方式】 下文中,將參看隨附圖式更詳細地描述本發明之較佳實 施例。然而,本發明不限於本文中所闡述之其較佳實施 例’而是可以不同形式予以實施。實情為,較佳實施例僅 118464.doc 200805445 提ί、用於允δ午在本文中完整地描述本發明並向熟習此項技 術者完全傳達本發明之範_。在圖式中,相同元件藉由相 同參考數字來表示。 / 述本么月之基板加工裝置之前,首先闡釋可替代光 微衫單兀及蝕刻單元之雷射微影單元。 -圖1為展示根據本發明之基板加卫裝置之―雷射微影單 元的示意圖。 一參看圖卜雷射微影單元包含—表面板ig、—頭部取 一支架(carrigae)5〇 〇 待加工之基板20安置於表面板10上。 頭部聰雷射束Μ照射於安置於表面板1〇上之基板2〇 二Π射束31將形成於基板2〇上之絕緣膜形成為預定 固^。基板之絕緣膜包括保護性絕緣膜或有機絕緣膜。 以具有預定深度及寬度之孔的形式製造圖案21。 雷射束31為UV準分子雷射束,1 圖安π苴4 八在夕先子吸收製程中 固*化基板之絕緣膜。UV準分子雷射束具 ㈣⑽)至351nm(XeF)之波長且在形成具有至 的圖案時係有利的β uv準分子雷射 、 ^ ^ 取八功率為約300 =其重複率為⑽nGGHze因此,υν準分子雷射束在 圖木化聚合物或薄無機膜時係有利 ? ^ Γ又中,UV準合 子雷射束將被稱為”雷射束”。 干刀 儘管圖β未展示,但是可提供複數個頭部30。 複數個頭部30之狀況下’有可能縮短基板製造製r /、 支架50將㈣观《移動至料位置。_ = 118464.doc 200805445 支架50並經載運至其中形成預 當支架50移動時,頭部3〇可易 膜以形成所要圖案。 疋圖案2 1之位置。較佳地, 於韻刻形成於基板上之絕緣 圖2為展示圖1之頭部的示意性透視圖。 一光罩33及一投 參看圖1及圖2,頭部30包含—光源 影透鏡3 5。 ==生雷射束且聚焦所產生之雷射束以便以較高的 月匕階射出雷射束。 :罩33具有以預定形狀予以穿孔的開口圖案33a,且自 源32射出的雷射束形成對應於開口圖案33a之形狀。 =透鏡35將對應於光罩33之開口圖案仏的雷射束透 射至待加工之基板上。 下文中,將描述-種使用雷射微影單元形成—圖案之方 法0 多看圖1及圖2’使用自包括具有開口圖案仏之光罩33 的頭部爾出的雷射束形成—圖案。將基板2q安置於表面 反H)上,且將頭部30移動至所要位置。使用自頭部%射出 之雷射束來圖案化基板20之絕緣膜。在此狀況下,呈孔形 ^之圖案21形成於基板2G中。如上文所描述之孔圖案21可 於用來形成一用於在基板上電連接一開關元件(例如, 薄膜電晶體(TFT))與一像素電極的接觸孔。 儘管此實施例中已藉由具有開口圖案…之光罩^的實 例來說明本發明,但是本發明不限於此。亦即,使用以I 種形狀予以圖案化之光罩可將各種圖案形成於基板上。 118464.doc 200805445 <實施例ι> 圖3為展示根據本發明之第—實施例之基板加工裝置的 示意圖。 >看圖3,基板加工裝置1〇〇包括:複數個埠, 經由其裝入或取出一含有複數個基板之盒tte); 一第 -載運% TC12G,其充料載運在埠115中移動的盒中 之基板的主載運單元;一成膜單元13〇、一第二載運單元 0及帛π洗單元15G,該等單元順序地安置於第一載 運單元12G之_側上的_端處;_第二清洗單元⑽、一第 四載運單元180及-雷射微影單元m,其順序地安置於第 一載運單元120之該側上的另-端處;及-第三載運單元 60 /、$置於第-清洗單元15〇與雷射微影單元⑺之 間。亦即,加工單元在基板加工裝置ι〇〇内配置於兩列 中^第三載運單元16〇提供於[清洗單元15(>與雷射微 衫早T0 17G之間’卜清洗單元⑼及雷射微影單元⑺係 分別安置於兩列之末端處。 埠115用於收納其中含有複數個基板之盒。在本發明之 基板加工裝置100中可提供複數個埠(較佳為兩個至六個 珲)。 第一載運單元120包括一第一載運 戟建構件121,其拾取收納 於埠11 5中的盒之一基板以將該基杯 基扳載運至成膜單元130中 且亦自第二清洗單元190中拾取一細、生 ..^ 、、二/肖洗之基板以將該經 >月洗之基板載運至埠115中。第—載 η遷構件121包括一可移 動地安裝於第一載運單元120中之恭$ 艾载運機器人。此實施例 \ 18464.doc -12- 200805445 中所說明之第一載運構件121具有單一機械臂(r〇b〇t arm),但其可包括兩個或兩個以上的臂。第—載運構件 121經組態成可水平地、旋轉地及垂直地移動,使得可自 由地裝入或取出基板。此時,除上述機械臂外,載運構件 還可包括各種载運工具。舉例而言,本發明中可採用傳送 機(conveyer) 〇
成膜單元130用於在基板上形成薄膜且可執行各種製 程’諸如化學汽相沈積(CVD)或物理汽相沈積(pvD)製 程。由根據此實施例之基板加工裝置之成膜單元13〇所形 成的薄膜之貫例包括閘極層、作用層、源極及汲極層、鈍 化層(無機層)及共同電極層。 第二載運單元140用於將基板(在成膜單元13〇中已完成 該基板之成膜製程)載運至第一清洗單元15〇。 元140包括-第二載運構件141,其用於與第一載運單元 w類似地拾取或轉移基板。另外,第:載運構件⑷可包 括包含單-機械臂之載運機器人。下文中,第三及第四載 運單元160及180分別包括第三及第 汉乐四戟運構件1 6 1及1 8 1, 該等載運構件與第二載運單元140之載運構件相同。因 此,本文中將省略其描述。 在執行成膜製程及雷射微影製程後,❹第—及第二清 洗單元150及190自基板之表面清洗污染物。在第—及第二 清洗單元150及190中,可勃耔#斗斗、、„ 乾式或濕式清洗製程(dry or _ cleaning process)且較佳執行乾式清洗製程。 如參看圖1及圖2所描述,雷射微影單元m允許..藉由使 118464.doc 200805445 代先前技術光微影製程及㈣製程的雷射微影製程 將。種圖案形成於基板上。 下文中,將描述根據本發明之第一實施例的 置之操作。 衣 4 =有複數個基板之盒⑽收納於埠出中,則移動充 =一載運單元12〇之主载運構件的第—载運構件121以拾 板載之基板。接著’第一載運構件121將所拾取之基 :載=膜單元13。中。在成膜單元130中,將包括閘極 :之^用層、、源極及汲極層、純化層(無機膜)或共同電極 膜形成於基板上。藉由第二載運構件141將其上形 成有薄膜之基板載運至第—清洗單元15〇中,且接著在 一 Γ先單元中清洗經載運之基板。藉由第三載運單元16〇 之弟二载運構件161將經清洗之基板载運至雷射 70中。在雷射微影單元中,❹形成有預定时之光罩: 猎由雷射微影製程將預定圖案形成於基板上。接著由 =四載運單元18〇之第四載運構件181將其上形成^ 案之基板載運至第二清洗單元190中且接著在第 單 元中清洗經載運之基板。藉由第—载運構件㈣清2 及圖案化的基板載運料115中之盒⑴中且 盆= 發明之基板加工裝置100中載運出去。 矛/、自本 如上文所描述,以如下舲古Λ At 如下此方式組態根據本發明之 :裝置1時提供成膜單元13。及雷射微影單:口 微影單元m在同-設備中順序地進 且雷射 蝕刻製程。因此,減少總加卫時 ^之办製程及 t間且減少整個裝置中的佔 I I8464.doc 200805445 據面積,使得可減少製造成本。 <實施例2> 實例1 施例之基板加工裝置的 圖4為展示根據本發明之第二 示意圖。
參看圖4 ’根據本發明之第二實施例之基板加工裝置謂 人硬數個埠215 ’經由其裝入或取出一含有複數個基 反之盒;—第—载運單元22G,其充當-用於载運在埠2Ϊ5 中移動的盒上之基板的主载運構件;一成膜單元23〇及一 第一清洗單元250,纟順序地安置於第一載運單元22〇之一 側上的4處’一第二清洗單元29〇及一雷射微影單元 謂,其順序地安置於第—載運單元22()之該側上的另一端 處;^一第二載運單元,4安置於成膜單S230及第-/月洗單元250之集合與第二清洗單元29〇及雷射微影單元 270之集合之間。亦即,基板加工裝置2〇〇經組態以具有兩 列加工單元,且第二載運單元26〇安置於成膜單元23〇及第 一清洗單το 250之集合與第二清洗單元29〇及雷射微影單元 270之集合之間。 下文中,將描述根據本發明之第二實施例的基板加工裝 置之操作。 若一含有複數個基板之盒21 〇收納於璋2 1 5中,則移動一 充當第一載運單元220之主載運構件的第一載運構件221以 拾取埠215中之基板。接著,第一載運構件221將所拾取之 基板載運至成膜單元230中。在成膜單元23〇中,將包括閑 118464.doc -15· 200805445 極層作用層、源極及汲極層、鈍化層(無機膜)及共同電 極層之薄膜形成於基板上。藉由第二載運單元26〇之第二 載運構件261的旋轉及線性移動將其上形成有薄膜之基板 載運至第一清洗單元250中且接著在第一清洗單元中清洗 "亥基板。藉由第二載運單元260之第二載運構件將經清 洗之基板載運至雷射微影單元270中。在雷射微影單元 中使用形成有預定圖案之光罩藉由雷射微影製程將預定 圖案形成於基板上。接著,藉由第二載運單元26〇之第二 載運構件261將其上形成有預定圖案的基板載運至第二清 先單7L 29G中且接著將在第二清洗單元中清洗該基板。藉 由第-載運構件221將經清洗及圖案化的基板載運至埠215 中之盒2Π)中且接著將其自本發明之基板加工裝置細中載 運出去。 如上文所提及,基板加工裝晉 士 ^ 低刀忒直X凡成先前實施例之所有 功能及操作且由於減少盤土軍罝& 、㈣/戰連早兀之數目而可進一步減少整 φ 個裝置之佔據面積。 實例2 圖5為展示根據本發明之繁-音 4知乃之弟一貝轭例之_修改實例的基 板加工裝置之示意圖。 除在第二載運單元360中提供-第二载運構件361、一第 二載運構件3⑽-安置於兩個載運構件之間的緩衝器如 外,圖5中所示之基板加工裝置- 不| 弟一貫施例之裝置相 问0 下文中 將描述根據本發,明之第 二實施例之修改實例的 118464.doc -16- 200805445 基板加工裝置之操作。 若一含有複數個基板之盒310收納於埠315中,則移動一 第一載運單元320之一第一载運構件321以拾取埠315中之 基板。接著,第一載運構件321將所拾取之基板載運至成 膜單π 330中。在成膜單元33〇中,將包括閘極層、作用 層、源極及汲極層、鈍化層(無機膜)及共同電極層之薄膜 形成於基板上。藉由第二載運單元36〇之第二載運構件Μ! 將其上形成有薄膜的基板載運至緩衝器362中且接著將其 ,於待用(standby)狀態。藉由第三載運構件⑹將在緩衝 器362中被置於待用狀態之基板载運至第—清洗單元別中 且接著在第一清洗單元中清洗該基板。藉由第二載運單元 3一 60之第三载運構件363將經清洗之基板載運至雷射微影單 70 3+70中。在雷射微影單元中,使用形成有預定圖案之光 罩藉由雷射微影製程將預定圖案形成於基板上。其後,藉 由第二載運單元鳩之第三載運構件如將其上形成有就 圖案的基板再次載運至緩衝器362中且接著藉由第二載運 單元⑽之第二載運構件361將其載運至第二清洗單元別 中並在第二清洗單元中清洗該基板。藉由第一載運構件 321將經清洗及圖案化之基板載運至位於埠中之盒 中且接者將其自本發明之基板加卫裝置鳩中載運出去。 如上文所描述,此實施例之基板加工裝置可顯著減少裝 Φ積。此外’因為在載運單元巾提 ::载運構件,所以在該等加工單元之每-者中所加Γ: …、任仃%間延遲的情況下轉移至隨後加工單元。 118464.doc -17- 200805445 因此,可進一步改良基板加工速率。 〈貫施例 實例1 圖6為展示根據本發明之第三實施例之基板加工裝置的 示意圖。 芩看圖6,此實施例之基板加工裝置4〇〇包括:複數個埠 415’經由其裝人或取出—含有複數個基板之盒;一第一 載運單元420 ’其充當一用於載運在埠415中移動的盒上之 基板的主載運構件;一第一清洗單元430、-第二載運單 元440及塗佈單元450,其順序地安置於第一載運單元 42〇之一側上的一端處;一第二清洗單元49〇、一第四载運 早7G 480及-雷射微影單元47〇,其順序土也安置於第一载運 早兀420之該側上的另一端處,·一第三載運單元,其安 置於塗佈單元450與雷射微影單元47Q之間;及—乾燥與固 化單元465,其位於鄰近第三載運單元46〇處。 # 較佺在第一清洗單元430中進行濕式清洗製程,使得自 基板之表面移除污染物且改良基板表面與稍後將在塗佈單 元450中塗佈的薄膜之間的表面黏著力。 塗佈單元450通常用於藉由諸如旋塗及非旋塗(spiniess ng)之各種塗佈製程在基板上形成薄膜。在根據此實 =例之基板加工裝置4〇〇之塗佈單元45〇中所形成的薄膜之 貝例G括有機黑色矩陣膜、有機RGB膜及有機鈍化膜。 乾蚝與固化單70 465用於乾燥並固化在塗佈單元中所塗 佈的有機薄膜。乾燥與固化單元465可在真空氣氛(㈣_ I18464.doc •18- 200805445 atmosphere)條件下經製成為真空乾燥固化單元,或可經分 成真空乾燥區域及固化區域。在此實施例中,在垂直方向 中將乾燥與固化單元465分成真空乾燥區域及固化區域。 下文中’將描述根據本發明之第三實施例的基板 置之操作。 右:含有複數個基板之盒41〇收納於埠415中,則移動一 充田弟-載運早W2G之主載運構件的第—載運構件似以 拾取璋化中之基板。接著,第—载運構件421將所拾取之 基板載運至第-清洗單元43〇中。在第一清洗單元43〇中, 自基板之表面移除污染物且濕式清洗基板之表面以改良基 與猶後將在塗佈單元45〇中塗佈的有機膜之間的表 =力。接著藉由第二载運單元例之第二載運構件州 將經清洗之基板載運至舍欲 _ t戰連Μ佈早凡彻中。在塗佈單元45〇 中’將包括有機黑色矩陣膜、右 有機GB膜及有機鈍化膜之 有祛Μ形成於基板上。藉由第r 一 稽田弟一载運早兀460之第三載運 構件461將其上形成有有機 分““ ㈣關的基板载運至乾燥與固化單 一由。在乾燥與固化單元465中,乾燥並固化在塗佈單 凡中所塗佈的有機膜。藉由第三 46〗蔣^私ρ t 戰運早70之弟三载運構件 侦將在乾餘與固化單元奶中予 外旦…。, M 1G 11扳載運至雷射 锨衫早凡470中。在雷射微影 田耵 荦之氺罢#丄 中使用形成有預定圖 木之先罩猎由雷射微影製程將 ^ 于于貝疋圖案形成於基板上。接 者猎由弟四載運單元48〇之第 # 任 預定㈣夕弟四载運構件州將其上形成有 預疋圖案之基板載運至第二 、、主_山 月冼早7049〇中且接著在第二 π冼早70中清洗該基板。藉 猎由弟—载運構件仏丨將經清洗 118464.doc -19· 200805445 及圖案化之基板載運至位於槔415中之盒4ig中且接著將其 自本發明之基板加工裝置400中載運出去。 如上文所描述,以如下此方式組態根據本發明之基板加 工裝置.同時提供有機膜塗佈單元及雷射微影單元且在同 一設備中順序地進行有機膜塗佈及圖.案化製程。因此,減 少總加工時間且亦減少整個裝置所佔用的佔據面積。/ 實例2 ' 團/馮展示根據本發明之第 板加工裝置之示意圖 6之第三载運構件461由第五及第六載運構件561石 曰換外’圖7中所示之基板加工裝置500與第三實施你 山 P在弟一载運早兀520之一側上的一沐 2邊緣處提”五載運單元則之载運構件56ι,且亦在第 :載運單元520之該側上的另—末端邊緣處提供第六_ 早凡62之載運構件563。此外,一乾操舆固化單元% 供於第五載運單元56績第六載運單元泊之間。 佈:藉由第五載運單元560之第五載運構件561將具有在塗 出Π,: :成之有機膜之基板自塗佈單元550中載運 與固化-广、載運单元562之第六載運構件563將在乾燥 運^ 5中所固化的基板自乾燥與固化單元565中载 運出去外’根據本發明之第三實施例之: 加工裝置咖之操作與第三實施例之操作相同 板 如上文所描述,本發明之基板加工裝置可 何時間延遲的情況下# 速也在無任 月兄T載運基板同時在塗佈單元、真空固化 H8464.doc -20- 200805445 單元及雷射微影單元中順序地執行相關製程。 <實施例4> 實例1 圖8為展示根據本發明之第四實施例的基板加工裝置之 不意圖。 參看圖S ’根據本發明之第四實施例之基板加工裝置⑼〇 包括:複數個埠615,、經由其裝入或取出一含有複數個基 板之置,第一載運單元620,其充當一用於載運在埠615 中移動的盒上之基板的主載運構件;—第一清洗單元 及塗佈早70 650,其順序地安置於第一載運單元62〇之一 仞上的端處,一第二清洗單元690及一雷射微影單元 /、順序地安置於第一载運單元62〇之該側上的另一端 處=第二載運單元_,其安置於第一清洗單元㈣及塗 佈單7L 650之集纟與第二清洗單元69〇及雷射微影單元㈣ 之集合之間;及-乾燥與固化單元665,其安置於鄰近第 二載運單元660並與第一载運單元620相對處。 下文中,將描述根據本發明之第四實施例的基板加工 置之操作。 ^ 右含有複數個基板之盒61〇收納於埠615中,則移動一 充當第-載運單元620之主载運構件的第一載運構件二以 拾取蟫⑴中之基板。接著,第—載運構件621將所拾取之 ,板載運至第-清洗單元㈣中。藉由第二載運單元66〇之 弟一載運構件661的旋轉及線性移動將在第—清洗單元63〇 中予以清洗的基板載運至塗佈單元早凡630 T 丑將包括有機 118464.doc -21· 200805445 :色矩陣膜、有機RGB膜及有機越化膜之有機膜形成於基 藉由k载運構件⑹將其切成有錢膜的基板 載運至乾燥與固化單元665中。在乾燥與固化單元665中, :燥並固化在塗佈翠元中塗佈的有機膜。#由第二載運構 件661將在乾燥與固化單元665中予以固化之 Ά 3Λ ^ ^ cnf\JU 土板載運至雷 …670:。在雷射微影單元㈣中,使用形成有預 :圖:之先罩猎由雷射微影製程將預定圖案形成於基板 上2著藉由第二載運單元_之第二載運構件 形成有預定圖案之基板載運至第二 /、 在第二清洗單元中清洗該基板 帛+且接者 ^ 稽田第一載運構件62】蔣 經清洗及圖案化之美拓恭、番π / ^ 傅1干將 … I化之基板載運至位於4615中之盒㈣中且接 者將其自本發明之基板加m⑽中載運以。 一如上文所描述’根據本發明之基板加工裳置可完成第三 a例之所有功能及操作且由於減少載運 進一步減少整個裝置之佔據面積。 實例2 圖9為展示根據本發明之第四實施例之 加工裝置之示意圖。 〗的基板 除在第二載運單元760中提供第二載運構件 運構件763及安置於載運構件之間的緩衝器762外,圖^ 所不之基板加工|置7⑽與第四實施例之裝置相同。· 下文中’將描述根據本發明之第四實施例之修°° 基板加工裝置之操作。 ^文K例的 若一含有複數個基板之盒710收納料715中,則移動一 118464.doc -22- 200805445 第一载運單元720之—第 基板。接f,第H载運構件72]以拾取和5中之 -清洗單元730 Φ 構件721將所拾取之基板載運至第 二-::單::第二載運單元76〇之第二載運構件 762中且接著將其置於待0中^清洗之基板载運至緩衝器 第三载運構件763將/ ,怨。错由第二载運單元76〇之 載運至泠佈„ :、緩衝器762中被置於待用狀態之基板 戰逑主塗佈早元75〇中, 黑色矩陣膜、有機… 在塗佈單元中將包括有機 •板上。有機聽狀有機彻成於基 載運至構件763將其上形成有有機膜的基板 =广與固化單元765中。在乾燥與固化單元…中, 乾知並固化於為涂欲_ 運構件7… 佈的有機膜。藉由第三載 連構件763將在乾燥與固 至雷射微影單元7财 予以11化的基板載運 — 中,在雷射微影單元770中使用形成有 n:光罩藉由雷射微影製程將預定圖案形成於基板 有預二載運之第三載運構件7㈣其上形成 •案的基板載運至緩衝器犯中,且接著藉由第二 一^件76!將其載運至第二清洗單元79〇中,使得可在第 單元中清洗經載運之基板。藉由第—载運構件721 崎洗及圖案化之基板載運至位於蜂715中之盒71〇中且 接者將其自本發明之基板加工裝置7〇〇中載運出去。 如上文所描述,基板加工裝置可減少整個裝置之佔據面 積且亦藉由使用緩衝器在無任何時間延遲的情況下載運基 板而改良基板加工速率。 <實施例5> 118464.doc •23· 200805445 圖1 〇為展不根據本發明之第五實施例之基板加工裝置的 不意圖。 蒼看圖1G,基板加工裝置綱包括:複數個埠,經由 八裝入或取出一含有複數個基板之盒;一第一載運單元 820,其充當一用於載運在埠815中移動的盒上之基板的主 載運構件;一第一清洗單元830、一第二載運單元840、一 k佈單元850、一第二載運單元86〇及一乾燥單元,其 順序地安置於第-載運單元82〇之一側上的一端處,·一第 /月洗單7L 890、一第六載運單元88〇、一雷射微影單元 870、一第五載運單元868及一固化單元86兄,其順序地安 置於第貞運單7〇 820之該側上的另一端處;及第四載運 早凡866,其安置於乾燥單元865a與固化單元865b之間。 在此灵知例中,不同於圖6至圖9中所示之實施例,乾燥與 固化單元被分成兩個區域,亦即,乾燥單元86化及固化單 元 865b 〇 下文中,將描述根據本發明之第五實施例的基板加工裝 置之操作。 若含有複數個基板之盒8 1 〇收納於埠8〗5中,則移動一充 當第-載運單元820之主载運構件的第—载運構件82ι以於 取蟀815中之基板。接著,第—載運構件821將所拾取之基 板載運至第一清洗單元830中。藉由第二载運單元料〇之第 二載運構件841將在第-清洗單元㈣中經清洗的基板载運 至塗佈單元850中。在塗佈單元㈣中,將包括有機黑色矩 陣膜、有機RGB膜及有機鈍化膜之有機膜形成於基板上 118464.doc •24- 200805445 藉由第三载運單it 860之第三載運構件861將其上形成 機膜的基板載運至乾燥單元8653中。在乾燥單元仙中乾 燥具有在塗佈單元850中所塗佈之有機膜之基板且接著^ 由第四載運單元866之第四載運構件_將其载運至固化^ 元865b中’使得可於固化單元祕中@化形成於 有,膜。藉由第五载運單元868之第五載運構件86;將在固 化單凡865b中經固化的基板載運至雷射微影單元wo中, 在雷射微影單元87〇中使用形成有預定圖案之光罩藉由+ 射微影製程將财圖案形成於基板上。接著藉由第二載^ 軍兀_之第六載運構件881將其上形成有預定圖案之基板 載運至第二清洗單元89〇中且接著在第二清洗單&中清洗 該基板。藉由第-載運構件821將經清洗及圖案化之基板 载運至位於埠815中之盒8附且接著將其自本㈣之基板 4 1: _中載運出去。儘管已在此實施例中描述乾燥 與固化單元係分成乾燥單元865a及固化單元咖,但是乾 秌與固化單凡之分開組態可應用於圖8及圖9中所示之實施 例。舉例而言’若在圖8中所示之實施例中將乾燥與固化 早凡665分成乾燥單元及固化單元,則乾燥單元可安置於 :近塗佈單元㈣處,而固化單元可安置於鄰近雷射微影 ,、處因此,第二載運單元060提供於第一清洗單元 630、塗佈單元650及乾燥單元之集合與第二清洗單元 一田射微影單元670及固化單元之集合之間。此外,第 二载運單元660包括一可在其中移動之第二載運構件 <實施例6> 118464.doc -25- 200805445 圖11為展示根據本發明之第六實施例之一基板加工裝置 的示意圖。 蒼看圖11,根據本發明之第六實施例的基板加工裝置 900包括:一入口埠915,經由其裝入或取出一含有複數個 基板之盒910 ’· 一第一载運單元92〇,其充當用於載運在入 口埠915中移動之盒上之基板的主載運構件;及一成膜單 兀93〇、一第二載運單元940、一雷射微影單元97〇、一第 三載運單元980及一出口埠916,其順序地安置於第一載運 單元920之一側處。在此實施例中,不同於其中加工單元 配置於兩列中的圖3至圖1G之實施例,加工單元係配置於 單一列中。 同時’儘管在此實施例中未說明額外清洗單元,但是應 易於瞭解,清洗單元可配置於成料元93G與雷射微影單 :㈣之前、之後及/或之間(若需要另外,儘管已在此 實施例中描述藉由成膜單元而形成於基板上的薄膜包括閉 極層、作用層、源極及沒極層、純化層(一無機層)及共同 電極層,但是本發明不限於此。亦 丌即 基板加工裝置可經 修改以允許將包括有機黑色矩陣 、 I早膘、有機RGB膜及有機鈍 化膜之有機膜塗佈於基板上。亦 亦即,猎由將塗佈單元、乾 燥與固化單元及雷射微影單元配 配置於早一列中及接著在苴 之間配置清洗單元(若需要),可 ’、 j辦包括有機黑色矩陣膜、 有機RGB膜及有機鈍化膜之有 令铖膜塗佈並圖案化於基板 〈實施例7> 118464.doc -26- 200805445 圖12為展示根據本發明之第七實施例之—基板加工裝置 的示意圖。 蒼看圖12,根據本發明之第七實施例之基板加工裝置 麵包括:複數個埠1()15,經由其裝人或取出_含有複數 個基板之盒1010 ; 一第一載運單元刪,其用於載運在埠 1015中移動之盒上的基板一塗佈單元1〇3〇,其安置於第 載運單元1 020之下侧上的一端處;一雷射微影單元 • 1070 ’其安置於第一載運單元1〇2〇之下側上的另一端處; 及清洗單元1050及1090,其分別安置於塗佈單元1〇3〇及雷 射微影單元1070之上。在此實施例中,不同於圖3至圖 中=示之兩列結構及圖η中所示之一列結構,加工單元係 堆璺於彼此之上(亦gp,以兩層形式配置)叫盡f已在此實 施例中說明塗佈單元1030及雷射微影單元丨070係提供於裝 置之下側,但是本發明不限於此。亦即,加工單元之堆疊 結構可根據各別加工單元之重量及高度而改變。此外,儘 • 管在塗佈了包括有機黑色矩陣膜、有機RGB膜及有機鈍化 膜之有機膜的狀況下在此實施例中僅說明製造設備之組件 當中的塗佈單元1030、雷射微影單元1〇7〇及分別安置於塗 佈單元1030及雷射微影單元1〇7〇之上的清洗單元1〇5〇及 1 090,但是熟習此項技術者將易於瞭解,本發明不限於此 且若需要則可額外地配置至少一載運單元及一乾燥與固化 單元。此外,儘管已在此實施例中說明塗佈了包括有機黑 色矩陣膜、有機RGB膜及有機鈍化膜之有機膜,但是可將 包括閉極層、作用層、源極及汲極層、鈍化層(無機層)及 H8464.doc -27· 200805445 共同電極層之膜形成於該基板上。在此狀 „^ Γ ’成膜單元 及运射微影單元配置於第一載運單元之下,。 ρ _ 且戟運早元及 >月洗早元可配置於成膜單元及雷射微影單元 層結構。 上以組態兩 在如上文所描述之本發明之基板加工裝置中,各別力工 區域可堆疊於彼此…因此,可進—步減少裝置 面積。 ;儘管上&已描述僅-個用於單一製程之加工單元配置於 该基板加工裝置中’但是本發明不限於此。亦即,可配置 用於同-製程之複數個加工單元。此外,顯然可以各種方 式組合並實施先前實施例。此外,儘管上文已主要描述液 晶顯示器之製造,但是本發明不限於此,而是可應用於各 種基板之加工。 根據本發明,在基板加工裝置^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ 且久乃忐祙用可由先前技術 光微影單元及蝕刻單元替換的雷鼾 一 兴扪田射镟影早兀。因此,可確
保圖案之三維均勻性同時力士I 、 土板上精確地形成並控制該 圖案。 此外,本發明之基板加工裝置 — 衣置冋日守包括成膜單元及圖案 化早凡。因此,減少加工基板 斤化費的總加工時間且亦減 小基板加工裝置之總佔據面積。 _ 本。 積U此,可郎省相關製造成 【圖式簡單說明】 圖1為示意性說明根據本發明之一基板帝 射微影單元的視圖; ^田 118464.doc -28- 200805445 …之頭部的透視圖; 的示意^展不根據本發明之第—實施例之—基板加工裝置 的^為圖展⑽據本發明之第二實施狀—基板加工裝置 美二:、丁根據本發明之第二實施例之-修改實例的, 基板加工裝置之示意圖; 圖:為展示根據本發明之第三實施例之一基板加工装置 的不意圖; 圖7為展不根據本發明之第三實施例之—修改實例的, 基板加工裝置之示意圖; 圖8為展示根據本發明之第四實施例之-基板加工装置 的示意圖; 圖9為展示根據本發明之第四實施例之一修改實例的, 基板加工裝置之示意圖;
圖10為展示根據本發明之第五實施例之-基板加工装I 的示意圖; 明之第六實施例之一基板加工装置 圖1 1為展示根據本發 的示意圖;且 装置 圖12為展示根據本發明之第七實施例之-基板加工 的示意圖。 【主要元件符號說明】 10 20 表面板 基板 118464.doc -29. 200805445 21 圖案 3 0 頭部 31 雷射束 32 光源 33 光罩 33a 開口圖案 35 投影透鏡 50 支架 100、200、300 〜 400 > 500 、 600 > 基板加工裝置 700 、 800 、 900 、
1000 110、 210、 310、 盒 4 1 0、5 1 0、6 1 0、 7 1 0、8 1 0、9 1 0、 1010 埠 11 5、2 1 5、3 1 5、 415 、 515 、 615 、 715 、 815 、 1015 120 121 130 140 141 第一載運單元 第一載運構件 成膜單元 第二載運單元 第二載運構件 118464.doc •30- 200805445
150 第一清洗單元 160 第二載運早兀 161 第三載運構件 170 雷射微影單元 180 第四載運單元 181 第四載運構件 190 第二清洗單元 220 第一載運單元 221 第一載運構件 230 成膜單元 250 第一清洗單元 260 第二載運單元 261 第二載運構件 270 雷射微影單元 290 弟二清洗早元 320 第一載運單元 321 第一載運構件 330 成膜單元 350 第一清洗單元 360 第二載運單元 361 第二載運構件 362 緩衝器 363 第三載運構件 370 雷射微影單元 118464.doc -31 - 200805445 390 第二清洗早元 420 第一載運單元 421 第一載運構件 430 第一清洗單元 440、540: 第二載運單元 441 、 541 第二載運構件 450 塗佈單元 460 第三載運單元 461 第三載運構件 465 、 565 乾燥與固化單元 470 、 570 雷射微影單元 480 、 580 第四載運單元 481 、 581 第四載運構件 490 、 590 第二清洗早元 520 、 620 第一載運單元 521 、 621 第一載運構件 530 、 630 第一清洗單元 550 、 650 塗佈單元 560 第五載運單元 561 第五載運構件 562 第六載運單元 563 第六載運構件 661 第二載運構件 660 第二載運單元 118464.doc -32- 200805445
665 乾燥與固化單元 670 雷射微影單元 690 第二清洗單元 720 第一載運單元 721 第一載運構件 730 第一清洗單元 750 塗佈單元 760 第二載運單元 761 第二載運構件 762 緩衝器 763 笫三載運構件 765 乾燥與固化單元 770 雷射微影單元 790 第二清洗單元 820 第一載運單元 821 第一載運構件 830 第一清洗單元 840 第二載運單元 841 第二載運構件 850 塗佈單元 860 第三載運單元 861 第三載運構件 865a 乾燥單元 865b 固化單元 118464.doc -33 - 200805445
866 867 868 869 870 880 881 890 915 916 920 930 940 970 980 1020 1030 1050 > 1090 1070 第四載運單元 第四載運構件 第五載運單元 第五載運構件 雷射微影單元 第六載運單元 第六載運構件 第二清洗單元 入口埠 出口埠 第一載運單元 成膜單元 第二載運單元 雷射微影單元 第三載運單元 第一載運單元 塗佈單元 清洗單元 雷射微影單元 118464.doc -34 -

Claims (1)

  1. 200805445 十、申請專利範圍: 1. 一種基板加工裝置,其包含: 一成膜單元,其用於在一基板上形成_薄膜;及 一雷射微影單元,其用於在該薄膜上形成一預定圖 案0 2·如請求項!之基板加工裝置.,其進一步包含一用於使該 基板被裝入及被取出之主載運單元,其中該主載運單元 包括一主載運構件。
    3·如%求項2之基板加王裝置,其中該主載運構件經安裝 成可在該主載運單元中移動。 4·如請求項3之基板加工裝置’其進一步包含一提供於該 成膜單元與該雷射微影單元之前、之後及/或之間的一或 多個位置之清洗單元。 5 ·如明求項4之基板加工裝置,豆中兮忐聪如一 如- 衣置具宁5亥成膜早元、該雷射 早7L及邊清洗單元在該基板加工裳置内配置於一單 一歹4中。 、 6+ 二
    其中該成膜單元、該雷射 層形式配置於該基板加工 射微影單元提供於該清洗 如請求項4之基板加工袭置, :影單元及該清洗單元以一多 _中且S亥成膜單元及該雷 單元之下。 8. 如請求項5至7中 任一項之基板加工裝置 ,其進一步包含 118464.doc 200805445 ==成膜”,射微影單元及該清洗單元之 : 助載運早70,其中該等輔助載運單元之每〆 者l括一輔助載運構件。 9·如請求項6之基板加工裝置,苴 基板加工穿八進乂包$ —提供於該 攻置之该兩列之間的輔助载運單元。 1 0 ·如請求項9夕装4c丄 ^ 、之基板加工裝置,其中該輔助載運單元包括 一經安裝成可在該輔肋哉、s s -士々 件。 J ^亥輔助載運早(中移動之輔助載運構 θ月求項9之基板加工裝置,#中該辅助載運單元包括 提供於該輔助載運單元内的一或多個輔助載運構件,及 配置於該等輔助載運單元之間的至少一緩衝器。 θ长項1之基板加工裝置’其中該薄膜包括選自由一 2極層、-作用層、—源極層、—沒極層、_無機純化 層及一共同電極層組成之群的任一者。 13. —種基板加工裝置,其包含: 一塗佈單元,其用於在一基板上塗佈一薄膜;及 一雷射微影單元,其用於在該薄膜上形成一預定圖 案。 回 14. 如請求項13之基板加工裝置’其進一步包含—用於使該 基板被裝入及被取出之主載運單元,其中該主载運單- 包括一主載運構件。 15. 如請求項14之基板加工裝置,其中該主載運構件經安裝 成可在該主載運單元中移動。 16. 如請求項15之基板加工裝置,其進一步包含一安置於唁 118464.doc 200805445 塗佈單元與該雷射微影單元之間的乾燥與固化單元。 17.如明求項16之基板加工裝置,其中該乾燥與固化單元在 :垂直方向中以一兩層形式予以組態或被分成一乾燥單 元及一固化單元。 1 8 ·如請.求項17之基板加工裝置 半七人 衣直其進一步包含一提供於該 塗佈單元、該乾燥與固化單元及該雷射微影單元之前、 之後及/或之間的—或多個位置處之清洗單元。 19·如請求項18之基板加工裝置,其中該塗佈單元、該雷射 微影單元、該乾燥與固化單元及該清洗單元在該基板加 工裝置内配置於一單一列中。 20. 如請求項18之基板加卫裝置,其中該塗佈單元、該雷射 微影單元、該乾燥與固化單元及該清洗單元在該基:加 工裝置内配置於兩列中。 21. 如請求項18之基板加卫裝置,其中該塗佈單元、該雷射 微影單元、該乾燥與固化單元及該清洗單元以_多:开, 式配置於該基板加工裝置中,且該塗佈單元及該⑽微 影單元提供於該乾燥與固化單元及該清洗單元之下。 22. 如請求項19至21中任一項之基板加工裝置,其進—牛勺 含用於連接該塗佈單元、該雷射微影 .σσ 必#乙燥與固 化早7L及該清洗單元的一或多個輔助載運單元,复 等辅助載運單元之每一者包括一輔助載運構件。 Λ 23·如請求項20之基板加工裝置,其 S —提供於該 土扳加工哀置之該兩列之間的辅助載運單元.。 24.如請求項23之基板加工裝置,其中該 執逆早7L包括 118464.doc 200805445 件 經安裝成可在該輔助載運單元中 移動之輔助載運構 25·如請求項23之基板加工 冉T邊輔助載運輩 提供於該辅助載運單元中的一或 i J次夕個辅助载運構件,万 配置於該等輔助載運構件之間的至少—緩衝器。 26.如請求項13之基板加工裝置,1 ,、甲5亥潯肤包括選自由一 有機黑色矩陣膜、一有機Rgb 群的任-者。 、及有機鈍化膜組成之 27_ —種基板加工方法,其包含以下步驟: 提供一基板; 在該基板上形成一薄膜;及 在該同-裝置中使用一雷射來圖案化該薄膜。 28.如請求項27之基板加工方 ,、退一步包含在該溥膜形 成步驟與該圖案化步驟之前、 、、 ^ 之後及/或之間的任何時間 清洗形成於該基板上之該薄膜的步驟。 2 9 ·如明求項2 7之基板加工方法,发 ^ . 、 ^ 具進一步包含在該薄膜形 成步驟之後乾燥並固化該薄臈之步驟。 30·如明求項28之基板加工方法,、其中該薄膜包括選自由一 閘極層、_作用層、—源極層、1極層、—無機純化 層及一共同電極層組成之群的任一者。 3 1 ·如明求項29之基板加工方法,丨中該薄膜包括選自由一 有機黑色矩陣膜、—右捣r ^ 有機RGBM及一有機鈍化膜組成之 群的任一者。 118464.doc
TW096103943A 2006-02-03 2007-02-02 Substrate processing apparatus and method TW200805445A (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060010826A KR20070079834A (ko) 2006-02-03 2006-02-03 기판 처리 장치 및 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW200805445A true TW200805445A (en) 2008-01-16

Family

ID=38487393

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW096103943A TW200805445A (en) 2006-02-03 2007-02-02 Substrate processing apparatus and method

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP2007208233A (zh)
KR (1) KR20070079834A (zh)
CN (1) CN101013655A (zh)
TW (1) TW200805445A (zh)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101449607B1 (ko) 2007-08-08 2014-10-23 삼성전자주식회사 진공청소기용 흡입구조립체
TWI408812B (zh) 2007-12-10 2013-09-11 Au Optronics Corp 畫素結構的製作方法
TWI356499B (en) 2007-12-10 2012-01-11 Au Optronics Corp Method for fabricating pixel structure
CN102903678A (zh) * 2007-12-26 2013-01-30 友达光电股份有限公司 像素结构的制作方法
CN102097390B (zh) * 2007-12-26 2013-04-24 友达光电股份有限公司 像素结构的制作方法
US11975546B2 (en) 2008-06-13 2024-05-07 Kateeva, Inc. Gas enclosure assembly and system
US9048344B2 (en) 2008-06-13 2015-06-02 Kateeva, Inc. Gas enclosure assembly and system
US10434804B2 (en) 2008-06-13 2019-10-08 Kateeva, Inc. Low particle gas enclosure systems and methods
US8383202B2 (en) 2008-06-13 2013-02-26 Kateeva, Inc. Method and apparatus for load-locked printing
JP4880004B2 (ja) * 2009-02-06 2012-02-22 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム
KR101878084B1 (ko) 2013-12-26 2018-07-12 카티바, 인크. 전자 장치의 열 처리를 위한 장치 및 기술
CN107611287A (zh) 2014-01-21 2018-01-19 科迪华公司 用于电子装置封装的设备和技术
CN104907288A (zh) * 2014-03-13 2015-09-16 东莞高伟光学电子有限公司 清洁电子元件的清洁设备及工艺
CN106233449B (zh) * 2014-04-30 2019-07-12 科迪华公司 用于衬底涂覆的气垫设备和技术

Also Published As

Publication number Publication date
CN101013655A (zh) 2007-08-08
KR20070079834A (ko) 2007-08-08
JP2007208233A (ja) 2007-08-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW200805445A (en) Substrate processing apparatus and method
JP5378449B2 (ja) 塗布、現像装置
TWI278058B (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
US9059224B2 (en) System and method for treating substrate
TWI326392B (en) Substrate processing apparatus
JP4459831B2 (ja) 塗布、現像装置
JP4955977B2 (ja) 塗布、現像装置及びその方法
TWI284353B (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
US20100192844A1 (en) Apparatus and method for treating substrate
JP2006229183A (ja) 塗布、現像装置及びその方法
TW200823966A (en) Substrate processing apparatus
KR101667433B1 (ko) 도포, 현상 장치
JP2007208086A (ja) 塗布、現像方法、塗布、現像装置及び記憶媒体
JP4541966B2 (ja) 塗布処理方法及び塗布処理装置並びにコンピュータプログラム
JP2009278138A (ja) 塗布、現像装置及びその方法
JP2008300431A (ja) 塗布、現像装置及び塗布、現像装置の運転方法並びに記憶媒体
US20090253078A1 (en) Double exposure lithography using low temperature oxide and uv cure process
JP5578675B2 (ja) レジストパターン形成装置
TW200903601A (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR101769440B1 (ko) 기판 처리 방법
KR102066044B1 (ko) 기판 처리 장치, 인덱스 로봇 및 기판 이송 방법
JP2010041059A (ja) 塗布、現像装置
JP4408606B2 (ja) 基板処理装置
KR20200026563A (ko) 기판 반송 로봇 및 기판 처리 설비
JP2010034566A (ja) 塗布、現像装置