TW200804943A - Thin film transistor substrate and liquid crystal display device using the same - Google Patents
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Description
200804943W3_ - 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種薄膜電晶體基板及應用其之液 晶顯示裝置,且特別是有關於一種具有高分子輔助配向層 之薄膜電晶體基板及應用其之液晶顯不裝置。 【先前技術】 近年來液晶顯示裝置(liquid crystal display,LCD) φ 的技術快速進步,對於液晶顯示裝置優劣的關鍵性參數, 例如反應時間、視角、亮度、對比等等莫不積極尋求改進 的空間。 如第1圖所示,其繪示薄膜電晶體基板之示意圖。在 晝素單元10中,為了增加開口率,會將與薄膜電晶體4 相連的貫孔(through hole)開在共同電極2的位置,並以 第二金屬層UM2)之導線la沿晝素電極3之主線電極 38(1^1113111:)與連接到共同電極2。這樣的連接方式的確 ⑩ 有助於開口率的增加,但是當第二金屬層1發生斷線時則 不易修復。薄膜電晶體4係位於晝素單元10之一角落, 導線la須彎折穿過晝素電極3。如果晝素電極3與第二金 屬層1彼此有相對偏移的情況發生時,反而會因重疊而降 低開口率而使晝素單元的亮度降低。甚至在形成高分子配 向層之紫外光曝光製程中,因為電場效應的改變,而影響 到液晶的排列產生向錯(disciination line)。 此外,上層彩色濾光片基板的黑色矩陣(black 6
W3046PA 200804943 matnx,Μ),在與下層薄膜 精度的限制,因此晝素在設計炉對、、且蚪會有對組 ’可必須考慮到對έ _ 程能力而受到限制。另外當對級錯位發生時,:精度的製 開口率而使亮度降低,甚至f 、 而會降低 錯。 4到液晶的_而產生向 【發明内容】 有鑑於此,本發明的目的就是在提供H 基板及應用其之液晶顯示裝置,# /、 潯联電晶體 形以及改變貫孔的位置,以形成;的書:::晝素電極圖 可以提高開口率,提高液晶致率。且;::構。如此-來 斷線,或是第二金屬層與晝素電極對位::=二金屬層 降低。此外,本發明可以進〜呆炊 ¥致開口率 (C〇1〇r mter⑽町ay,,之製程,可 因對1m導致黑色矩陣層偏移而降低開口率的解 根據本發明的目的,提出—種薄膜電晶體基板包括 一底材、多條掃描線、多條資料線及-晝素單元。掃描線 設置於底材上,資料線設置於掃插線上,資料線並與掃描 線垂直蚊義出多個晝素區。晝素單元設置於底材上,並 位於晝素㈣,晝素單元包括1膜電晶體及-晝素電 極。薄膜電晶體包括-源極及1極,畫素電極與没極電 性連接,晝素電極包括一第一主線電極、一第二主線電極 及多條分支電極。第-主線電極與第二主線電極垂直,分 支電極係與第-主線電極或第二主線電極連接,第一主線 7
200804943W3046PA 、 電極大體上將晝素區之一面積均分,薄膜電晶體係實質上 對應於第一主線電極之一端。 根據本發明的目的,提出一種液晶顯示裝置,包括一 第一基板、一第二基板、一液晶層及一背光模組。第二基 板設置於第一基板之下5第二基板包括一底材、多條掃描 線、多條資料線及一畫素單元。掃描線及設置於底材上, 資料線設置於掃描線上,資料線並與掃描線垂直以定義出 多個晝素區。晝素單元設置於底材上,並位於晝素區内, Φ .晝素單元包括一薄膜電晶體及一畫素電極。薄膜電晶體包 括一源極及一;及極,晝素電極與没極電性連接,晝素電極 包括一第一主線電極、一第二主線電極及多條分支電極。 第一主線電極與第二主線電極垂直,分支電極係與第一主 線電極或第二主線電極連接’第一主線電極大體上將晝素 區之一面積均分,薄膜電晶體係實質上對應於第一主線電 極之一端。液晶層封裝於第一基板及第二基板之間,背光 模組設置於第二基板下方。 • 為讓本發明之上述目的、特徵、和優點能更明顯易 懂,下文特舉幾個實施例,並配合所附圖式,作詳細說明 如下: 【實施方式】 請參照第2圖,其繪示具有高分子配向層之液晶顯示 面板示意圖。具有高分子配向層之液晶顯示面板舉例而 言,可為應用聚合高分子辅助配向(polymer stabilized
200804943瞻6PA ‘ all_ment,PSA)技術所形成之液晶顯示面板。液晶顯示 裝置100包括第一基板11〇、一第二基板13〇、一液晶層 120及一背光模組138。第二基板13〇設置於第一基板n〇 之下。第二基板130包括底材132,薄膜電晶體層134設 置於底材132上。液晶層12〇封裝於第一基板11〇及第二 基板130之間,背光模組138設置於第二基板13()下方。 液晶層120中更包括多個反應單體(未繪示)及多個液晶分 子124。反應單體以光照或加熱後係產生聚合作用,以形 _ 成用以配向液晶分子之高分子聚合物。高分子聚合物形成 配向結構122於第一基板11〇及第二基板13〇之内側表面 上二第一基板110為一彩色濾光片基板,第二基板13〇為 一薄膜電晶體基板。第一基板11〇及第二基板13()上更分 別貼附一第一偏光膜116及一第二偏光膜136,第一偏光 膜H6及第二偏光膜136之偏光方向相互垂直。 實施^ 籲 明參妝第圖,其繪示實施例一之薄膜電晶體基板 之局部示意圖。第二基板130包括一底材132、多條掃描 =131、多條資料線133及一晝素單元14〇。掃描線 設置於底材132上,資料線133設置於掃描線131上,資 料線133並與掃描線131垂直以定義出多個晝素區135。、 晝素單元140設置於底材132上’並位於其中—晝素區135 内。請參照第3B圖,其繪示實施例一之第一種'書、素單元 之不意圖。第3A圖之掃描線131包括一第一掃插線131& 9
200804943謂 6PA 以及一第二掃描線131b,第3A圖之資料線eg包括一第 —資料線133a以及一第二資料線133b。晝素單元14〇包 括一薄膜電晶體141及一晝素電極142。薄膜電晶體141 I括源極141 a及一没極141 b ’晝素電極142與没極141b t性連接,晝素電極142包括一第一主線電極142a、一第 〜主線電極142b及多條分支電極i42c。第一主線電極 142a與第二主線電極142b垂直,分支電極i42c係與第一 • 主線電極142a或第二主線電極U2b連接。第一主線電極 大體上將晝素區135之面積均分,薄膜電晶體141係 =質上對應於第一主線電極142a之一端。在本實施例中, 第一主線電極142a係延伸通過薄膜電晶體141之中央。 也就是說,薄膜電晶體141係位於掃描線13“及13比間 的正中央位置。 ^此外,分支電極142c係分別與第一主線電極142a及 苐一主線電極142b形成一銳角,分支電極142c係分布於 % 第一主線電極142a及第二主線電極142b之兩侧。本實施 丨中,为支電極142c係對稱於第一主線電極142a及第二 、主線電極142b設置。 ^請參照第3C圖,其繪示沿第3B圖之剖面線M,之 4面圖,並请同牯參照第3B圖。薄膜電晶體基板更 包括至少-第-電極143、一第_絕緣層144、一第二電 極145及一第一絕緣層146。通道i4ic設置於第一絕緣層 U4上’源極141a及汲極i4ib係隔開設置於通道141c上。 第一電極143設置於底材132之上並位於第一掃描線131a
200804943 'W3046PA • 及第二掃描線131b之間,第一絕緣層144覆蓋第一婦描 線131a、第二掃描線131b及第一電極143,其中第—資 料線133a及弟二資料線133b係分別垂直於第一掃插線 131a及弟二掃描線131b並設置於弟一絕緣層144上。 晝素電極142位於第一資料線133a及第二資料線 133b之間,第二電極145設置於第一絕緣層144上並位於 第一電極143之上,以與第一電極143形成一儲存電容 147。第二絕緣層146設置於晝素電極142及第一資料線 φ 133a、第二資料線i33b、薄膜電晶體141、第二電極145 之間’晝素電極14 2係透過弟'一纟巴緣層14 6之一第一貫孔 146a電性連接第二電極145。此外,本實施例中汲極丨4ib 更具有一延伸部141d,用以與第二電極145電性連接,使 汲極141b與第二電極145具有相同電位。由於薄膜電晶 體141正對著第一主線電極142a ’因此〉及極141 b之延伸 部141d可沿著第一主線電極142a,透過第一貫孔146a與 第二電極145電性連接。因為第一主線電極142a所在之 _ 處原本即為不透光區域,因此此種晝素結構可以不影響開 口率。 請參照第3D圖,其繪示實施例一之第二種晝素單元 之示意圖。與第3B圖相同之元件繼續沿用標號,不再贅 述。分支電極152c係於第一主線電極141a及第二主線電 極141b之兩側錯開設置。此種晝素電極結構可以讓液晶 分子分佈更為均勻並往第一主線電極141a及第二主線電 極141b集中,可以增加開口率。 11 200804943W3〇46pa * 請參照第3E圖,其繪示實施例一之第三種晝素單元 之示意圖。與第3B圖相同之元件繼續沿用標號,不再贅 述。晝素電極162具有一框體電極164,第一主線電極 142a、第二主線電極142b及分支電極142c係位於框體電 極164内並與框體電極164連接。框體電極164的設置可 以擴張晝素電極162周圍的液晶分子分佈,可以提高開口 率0 請參照第3F圖,其繪示實施例一之第四種晝素單元 φ 之示意圖。與第3D圖相同之元件繼續沿用標號,不再贅 述。晝素電極172具有框體電極164,晝素電極172同時 具有交錯排列之分支電極152c以及框體電極164,可以提 高開口率。 請參照第3G圖,其繪示實施例一之第五種晝素單元 之示意圖。在晝素單元180中,晝素電極182之框體電極 184於通過該第一電極143上方之處具有缺口 184a,其餘 與第3E圖相同之元件繼續沿用標號,不再贅述。由於第 φ 一電極143所在之處係為不透光區,因此框體電極184在 第一電極143所在位置影響較小。 請參照第3H圖,其繪示實施例一之第六種晝素單元 之示意圖。在晝素單元190中,晝素電極192之框體電極 184於通過該第一電極143上方之處具有缺口 184a,其餘 與第3F圖相同之元件繼續沿用標號,不再贅述。由於第 一電極143所在之處係為不透光區,因此框體電極184在 第一電極143所在位置影響較小。 12
200804943 :W3046PA ' 實施例二 請參照第4A圖,其繪示實施例二之第一種畫素單元 之示意圖。黑色矩陣層220及彩色濾光層230之結構係設 置於薄膜電晶體基板上,如第4B圖所示。請參照第48圖, 其繪示沿第4A圖之剖面線AA’之剖面圖。其餘與第3E圖 及第3C圖相同之元件繼續沿用標號,不再贅述。一保護 層240·設置於第二絕緣層146及晝素電極162上。彩色濾 光層230及黑色矩陣層220設置於保護層240上。本實施 _ 例為將本發明之晝素單元結構配合color filter on array (COA)製程,將黑色矩陣層220及彩色濾光層230設置於 薄膜電晶體基板上。因此在上下基板對組時,不會因為對 組錯位導致黑色矩陣層220偏移而降低開口率。 另外,請參照第4C圖,其繪示沿第4A圖之剖面線 AA’之另一種剖面圖。底材U2及第一掃描線131a、第二 掃描線131b、第一電極143之間更包括一彩色濾光層230 及黑色矩陣層220設置於底材132上。保護層240設置於 _ 彩色濾光層230及黑色矩陣層220上,第一掃描線131a、 第二掃描線131b及第一電極143設置於保護層240上。 本實施例為將本發明之晝素單元結構搭配array on color filter(AOC)之製程,可以避免因為對組錯位導致 黑色矩陣層220偏移而降低開口率的問題。 請參照f 4D〜4F w,其分別繪示施例二之第二〜四 種^單元之示意圖。第4D圖、第犯圖及第4F圖之晝 素單7G 250、260及270中,黑色矩陣22〇及彩色濾、光層 13 200804943
'W3046PA 230之結構係設置於薄膜電晶體 關係及功能皆相同,繼續沿用Γ4 其餘之元件連結 知唬,不再贅述。 實施例三 呑月參弟5 A圖,其缘示瞀Α — 夕-立岡*者# 幾靶例三之第一種晝素單元 之晝素單元310中,黑色矩陣22〇及 :二J 構置柃第-基板11 〇(如第2圖所
a! 5Β ® } 5Α ΑΑ之剖面圖。其餘與第3Ε圖 、;L田挪咕 τ ®粉 及弟3C圖相同之元件繼續 沁用知^虎,不再贅述。如第5b -URh血查主不,〇 圖所不,没極141b藉由第 一貝孔146b與晝素電極312帑 透過第一貫孔146a盥第-電;}° 1素電極312再 / ,、弟一屯極145電性連接,使汲極141b 兵第-包極145具有相同電位。此結構可預防當第二金屬 層與晝素電極之間產生偏移時影響到開口率。 清爹照第5C〜5E圖,其分別繪示施例三之第二〜四 種晝素單元之示意圖。第5C圖、第5D圖及第5E圖之晝 素單元320、330及340中,晝素電極322、332、342更 为別具有一弟一貝孔146b ’ >及極141 b係透過第二貫孔 146b與晝素電極322、332、342電性連接。晝素電極322、 332、342再透過第一貫孔146a與第二電極145電性連接, 使汲極141b與第二電極145具有相同電位。其餘之元件 連結關係及功能與第3F圖、第3G圖及第3H圖之晝素單 元170、180及190皆相同,繼續沿用標號,不再贅述。
200804943rW3〇46PA • 實施例四 請參照第6A圖,其繪示實施例四之第一種晝素單元 之示意圖。本實施例之晝素單元410中,黑色矩陣層220 及彩色濾光層230之結構係設置於薄膜電晶體基板上,如. 第6B圖所示。請參照第6B圖,其繪示沿第6A圖之剖面 線AA之剖面圖。其餘與弟5A圖及第5B圖相同之元件繼 繽沿用榡號,不再贅述。如第6B圖所示,一保護層240 設置於第二絕緣層146及晝素電極312上。彩色濾光層230 馨 设置於保遵層240上,黑色矩陣層220設置於保護層240 上。本實施例為將本發明之晝素單元結構配合C〇a製程, 將黑色矩陣層220及彩色濾光層230設置於薄膜電晶體基 板上。因此在上下基板對組時,不會因為對組錯位導致黑 色矩陣層2 2 0偏移而降低開口率。 另外,請參照第6C圖,其繪示沿第6儿圖之剖面線 AA’之另一種剖面圖。底材132及第一掃描線13la、第二 掃描線131b、第一電極143之間更包括一彩色濾光層23〇 • 及黑色矩陣層220設置於底材132上。保護層240設置於 彩色濾光層230及黑色矩陣層22〇上,第一掃描線nla、 第二掃描線131b及第一電極143設置於保護層24〇上。 本貝知例為將本發明之晝素單元結構搭配Aqc之製程,可 以避免因為對組錯位導致黑色矩陣層22〇偏移而降低開口 率的問題。 一 請參照第6D〜6F圖,其分別繪示施例四之第二〜四 種晝素單元之示意圖。第6D圖、第6E圖及第6F圖之晝 15
200804943W3〇46PA - 素單元420、430及440,黑色矩陣22〇及彩色濾光層230 之結構係设置於薄膜電晶體基板上。其餘之元件連結關係 及功月b與弟5D圖、弟5E圖及第5F圖之晝素單元320、330 及340皆相同’繼續沿用標號,不再贅述。 本發明上述實施例所揭露之薄膜電晶體基板及應用 其之液晶顯示裝置,係將薄膜電晶體對應設置於第一主線 電極之一端,使汲極之延伸部可沿著第一主線電極與第二 電極電性連接,不會通過透光部分而影響開口率;也可以 φ 直接在鄰近薄膜電晶體處,於第二絕緣層上設置一第二貫 孔,使汲極與第二電極直接透過晝素電極連接而具有同電 位’避免第二金屬層設置偏移而影響開口率。另外可進一 步配合COA或AOC製程,將黑色矩陣層及彩色濾光層設置 於溥膜電晶體基板上,可避免因基板對組錯誤而影響開口 率。 綜上所述,雖然本發明已以幾個實施例揭露如上,然 其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常 φ 知識者,在不脫離本發明之精神和範圍内,當可作各種之 更動與潤飾。因此,本發明之保護範圍當視後附之申請專 利範圍所界定者為準。 16
V3046PA 200804943 • 【圖式簡單說明】 第1圖繪示薄膜電晶體基板之示意圖; 第2圖繪示具有高分子配向層之液晶顯示面板示意 圖; 第3A圖繪示實施例一之薄膜電晶體基板之局部示意 圖, 第3B圖繪示實施例一之第一種晝素單元之示意圖; 第3C圖繪示沿第3B圖之剖面線AA’之剖面圖; | 第3D圖繪示實施例一之第二種晝素單元之示意圖; 第3E圖繪示實施例一之第三種晝素單元之示意圖; 第3F圖繪示實施例一之第四種晝素單元之示意圖; 第3G圖繪示實施例一之第五種晝素單元之示意圖; 第3H圖繪示實施例一之第六種晝素單元之示意圖; 第4A圖實施例二之第一種晝素單元之示意圖; 第4B圖繪示沿第4A圖之剖面線AA’之剖面圖; 第4C圖繪示沿第4A圖之剖面線AA’之另一種剖面 • 圖; 第4D〜4F圖分別繪示施例二之第二〜四種晝素單元 之不意圖 第5A圖繪示實施例三之第一種晝素單元之示意圖; 第5B圖繪示沿第5A圖之剖面線AA’之剖面圖; 第5C〜5E圖分別繪示施例三之第二〜四種晝素單元 之不意圖, 第6A圖繪示實施例四之第一種晝素單元之示意圖; 17
200804943 'W3046PA 第6B圖繪示沿第6A圖之剖面線AA’之剖面圖; 第6C圖繪示沿第6A圖之剖面線AA’之另一種剖面 圖;以及 第6D〜6F圖分別繪示施例四之第二〜四種晝素單元 之不意圖。 【主要元件符號說明】 1 :第二金屬層 la :導線 2 ··共同電極 3 :畫素電極 3 a ·主線電極 4 :薄膜電晶體 10、140、150、160、170、180、190、210、250、260、 270、310、320、330、340、410、420、430、440 :晝素 vtvt 一 早兀 10 0 ·液晶顯不裝置 110:第一基板 116 :第一偏光膜 120 :液晶層 122 :配向結構 124:液晶分子 130 ·•第二基板 132:底材 200804943 W3046pa 131 ·掃描線 131a :第一掃描線 131b :第二掃描線 133 :資料線 133a :第一資料線 133b:第二資料線 134:薄膜電晶體層 135 :晝素區 • 136 :第二偏光膜 138 :背光模組 141 :薄膜電晶體 141a :源極 141b :汲極 141c :通道 141d:延伸部 142 、 152 、 162 、 172 、 182 、 192 、 312 、 322 、 332 、 • 342 :晝素電極 142a :第一主線電極 142b ··第二主線電極 142c、152c ·分支電極 143 :第一電極 144 :第一絕緣層 145:第二電極 146 :第二絕緣層 19
W3046PA 200804943、 146a :第一貫孔 146b :第二貫孔 147 :儲存電容 164、184 :框體電極 184a :缺口 220 :黑色矩陣層 230 :彩色濾光層 240 :保護層
Claims (1)
- 200804943„ - 十、申請專利範圍: 1. 一種薄膜電晶體基板,包括: 一底材; 複數掃描線,設置於該底材上; 複數貧料線’設置於該底材上’並與該些掃描線垂直 以定義出複數晝素區;以及 一畫素單元,設置於該底材上,並位於其中一該晝素 區内,該晝素單元包括: Φ 一薄膜電晶體,包括一源極及一汲極;及 一晝素電極,與該汲極電性連接,該晝素電極 包括一第一主線電極、一第二主線電極及複數條分支電 極,該第一主線電極與該第二主線電極垂直,該些分支電 極係與該第一主線電極及/或該第二主線電極連接,該第一 主線電極大體上將該晝素區之一面積均分,該薄膜電晶體 係實質上對應於該第一主線電極之一端。 2. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體基板, 馨其中該些分支電極係與該第一主線電極形成一銳角。 3 ·如申請專利範圍第1項所述之溥膜電晶體基板^ 其中該些分支電極係與該第二主線電極形成一銳角。 4. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體基板, 其中該些分支電極係分布於該第一主線電極之兩侧。 5. 如申請專利範圍第4項所述之薄膜電晶體基板, 其中該些分支電極係對稱於該第一主線電極設置。 6. 如申請專利範圍第4項所述之薄膜電晶體基板, 21 W3046PA 200804943 - 其中該些分支電極係於該第一主線電極之兩侧錯開設置。 7. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體基板, 其中該些分支電極係分布於該第二主線電極之兩侧。 8. 如申請專利範圍第7項所述之薄膜電晶體基板, 其中該些分支電極係對稱於該弟二主線電極設置。 9. 如申請專利範圍第7項所述之薄膜電晶體基板, 其中該些分支電極係於該第二主線電極之兩侧錯開設置。 10. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體基板, | 其中該等掃描線包括一第一掃描線以及一第二掃描線,該 等資料線包括一第一資料線以及一第二資料線,該薄膜電 晶體基板更包括: 至少一第一電極,設置於該底材之上並位於該第一掃 描線及該第二掃描線之間; 一第一絕緣層,覆蓋該第一掃描線、該第二掃描線及 該第一電極,其中該第一資料線及該第二資料線係分別垂 直於該第一掃描線及該第二掃描線並設置於該第一絕緣 • 層上,該晝素電極位於該第一資料線及該第二資料線之 間; 一第二電極,設置於該第一絕緣層上並位於該第一電 極之上,以與該第一電極形成一儲存電容;以及 一第二絕緣層,設置於該晝素電極及該策一資料線、 該第二資料線、該薄膜電晶體、該第二電極之間,該晝素 電極係透過該第二絕緣層之至少一第一貫孔連接該第二 電極。 22 200804943TW3_ - Π.如申請專利範圍第10項所述之薄膜電晶體基 板,其中該晝素電極更包括一框體電極,該第一主線電 極、該第二主線電極及該些分支電極係位於該框體電極内 並與該框體電極連接 12. 如申請專利範圍第11項所述之薄膜電晶體基 板,其中該框體電極於通過該第一電極上方之處具有至少 一缺口。 13. 如申請專利範圍第10項所述之薄膜電晶體基 φ 板,其中該汲極更具有一延伸部與該第二電極電性連接。 14. 如申請專利範圍第10項所述之薄膜電晶體基 板,其中該第二絕緣層更具有一第二貫孔,該汲極係以該 第二貫孔電性連接該晝素電極,使該汲極與該第二電極電 性連接。 15. 如申請專利範圍第10項所述之薄膜電晶體基 板,更包括: 一保護層,設置於該第二絕緣層及該晝素電極上;以 • 及 至少一彩色濾光層,設置於該保護層上。 16. 如申請專利範圍第15項所述之薄膜電晶體基 板,更包括一黑色矩陣層,設置於該保護層上。 17. 如申請專利範圍第10項所述之薄膜電晶體基 板,其中該底材及該第一掃描線、該第二掃描線、該第一 電極之間更包括: 至少一彩色濾光層,設置於該底材上;以及 23 200804943麵 PA • 一保護層,設置於該彩色濾光層上,該第一掃描線、 該第二掃描線及該第一電極設置於該保護層上。 18. 如申請專利範圍第17項所述之薄膜電晶體基 板,更包括一黑色矩陣層,設置於該底材上,該保護層覆 蓋該黑色矩陣層。 19. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體基板, 更具有一配向層設置於該晝素電極之上,該配向層係為複 數個高分子聚合物所形成。 φ 20· —種液晶顯示裝置,包括: 一第一基板; 一第二基板,設置於該第一基板之下,包括: 一底材; 複數掃描線’設置於該底材上; 複數資料線,設置於該底材上,並與該些掃描 線垂直以定義出複數晝素區;及 一畫素單元,設置於該底材上,並位於其中一 • 該晝素區内,該畫素單元包括: 一薄膜電晶體,包括一源極及一汲極;及 一晝素電極,與該汲極電性連接,該晝素 電極包括一第一主線電極、一第二主線電極及複數條分支 電極,該第一主線電極與該弟二主線電極垂直’該些分支 電極係與該第一主線電極及/或該第二主線電極連接,該第 一主線電極大體上將該晝素區之一面積均分,該薄膜電晶 體係實質上對應於該第一主線電極之一端; 24 200804943 ^ V7 V7 U V7 -Τ V -T U W3 〇46pA _ 一液晶層,封裝於該第一基板及該第二基板之間;以 及 一背光模組,設置於該第二基板下方。 21.如申請專利範圍第20項所述之液晶顯示裝置, 其中該些分支電極係與該第一主線電極形成一銳角。 22·如申請專利範圍第20項所述之液晶顯示裝置, 其中該些务支電極係與該第二主線電極形成一銳角。 23·如申請專利範圍第20項所述之液晶顯示裝置, φ 其中該些分支電極係分布於該第一主線電極之兩侧。 24·如申請專利範圍第23項所述之液晶顯.示裝置, 其中該些分支電極係對稱於該第一主線電極設置。 25·如申請專利範圍第23項所述之液晶顯示裝置, 其中該些分支電極係於該第一主線電極之兩側錯開設置。 26.如申請專利範圍第20項所述之液晶顯示裝置, 其中該些分支電極係分布於該第二主線電極之兩侧。 27·如申請專利範圍第26項所述之液晶顯示裝置, # 其中該些分支電極係對稱於該第二主線電極設置。 28.如申請專利範圍第26項所述之液晶顯示裝置, 其中該些分支電極係於該第二主線電極之兩侧錯開設置。 29·如申請專利範圍第20項所述之液晶顯示裝置, 其中該第二基板之該等掃描線包括一第一掃描線以及一 第二掃描線,該等資料線包括一第一資料線以及一第二資 料線,該第二基板更包括: 至少一第一電極,設置於該底材之上並位於該第一掃 25 200804943 W3046PA • 描線及該第二掃描線之間, 一第一絕緣層,覆蓋該第一掃描線、該第二掃描線及 該第一電極,其中該第一資料線及該第二資料線係分別垂 直於該第一掃描線及該第二掃描線並設置於該第一絕緣 層上,該畫素電極位於該第一資料線及該第二資料線之 間; 一第二電極,設置於該第一絕緣層上並位於該第一電 極之上,以與該第一電極形成一儲存電容;以及 | 一第二絕緣層,設置於該晝素電極及該第一資料線、 該第二資料線、該薄膜電晶體、該第二電極之間,該晝素 電極係透過該第二絕緣層之至少一第一貫孔連接該第二 電極。 30.如申請專利範圍第29項所述之液晶顯示裝置, 其中該晝素電極更包括一框體電極,該第一主線電極、該 第二主線電極及該些分支電極係位於該框體電極内並與 該框體電極連接。 _ 31.如申請專利範圍第30項所述之液晶顯示裝置, 其中該框體電極於通過該第一電極上方之處具有至少一 缺口。 32·如申請專利範圍第29項所述之液晶顯示裝置, 其中該汲極更具有一延伸部與該第二電極電性連接。 33.如申請專利範圍第29項所述之液晶顯示裝置, 其中該第二絕緣層更具有一第二貫孔,該汲極係以該第二 貫孔電性連接該晝素電極,使該汲極與該第二電極電性連 26 2〇〇8〇4943„ — 接。 34,如申請專利範圍第29項所述之液晶顯示裝置, 更包括: 一保護層,設置於該第二絕緣層及該晝素電極上;以 及 至少一彩色濾光層,設置於該保護層上。 35.如申請專利範圍第34項所述之液晶顯示裝置, 更包括一黑色矩陣層,設置於該保護層上。 • 36。如申請專利範圍第29項所述之液晶顯示裝置, 其中該底材及該第一掃描線、該第二掃描線、該第一電極 之間更包括: 至少一彩色濾光層,設置於該底材上;以及 一保護層,設置於該彩色濾光層上,該第一掃描線、 該第二掃描線及該第一電極設置於該保護層上。 37. 如申請專利範圍第36項所述之液晶顯示裝置, 更包括一黑色矩陣層,設置於該底材上,該保護層覆蓋該 • 黑色矩陣層。 38. 如申請專利範圍第20項·所述之液晶顯示裝置, 其中該液晶層中更包括複數個反應單體及複數個液晶分 子,該些反應單體以光照或加熱後係產生聚合作用,以形 成用以配向該些液晶分子之高分子聚合物於該第一基板 及該第二基板之間。 39. 如申請專利範圍第20項所述之液晶顯示裝置, 其中該第一基板及該第二基板上更分別貼附一第一偏光 27 200804943 W3046pa • 膜及一第二偏光膜,該第一偏光膜及該第二偏光膜之偏光 方向相互垂直。 40.如申請專利範圍第20項所述之液晶顯示裝置, 更具有一配向層設置於至少該第一基板及該第二基板其 中之一之内侧表面上,該配向層係為複數個高分子聚合物 所形成。28
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW095124706A TWI338183B (en) | 2006-07-06 | 2006-07-06 | Thin film transistor substrate and liquid crystal display device using the same |
US11/526,706 US7649602B2 (en) | 2006-07-06 | 2006-09-26 | Thin film transistor substrate, liquid crystal panel and liquid crystal display device using the same |
US12/633,436 US8045113B2 (en) | 2006-07-06 | 2009-12-08 | Thin film transistor substrate, liquid crystal panel and liquid crystal display device using the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW095124706A TWI338183B (en) | 2006-07-06 | 2006-07-06 | Thin film transistor substrate and liquid crystal display device using the same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200804943A true TW200804943A (en) | 2008-01-16 |
TWI338183B TWI338183B (en) | 2011-03-01 |
Family
ID=38918804
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW095124706A TWI338183B (en) | 2006-07-06 | 2006-07-06 | Thin film transistor substrate and liquid crystal display device using the same |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7649602B2 (zh) |
TW (1) | TWI338183B (zh) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI399602B (zh) * | 2009-01-20 | 2013-06-21 | Sony Corp | 液晶顯示器件及電子裝置 |
TWI406067B (zh) * | 2009-12-25 | 2013-08-21 | Innolux Corp | 液晶面板及應用其之液晶顯示裝置 |
TWI489186B (zh) * | 2008-12-18 | 2015-06-21 | Au Optronics Corp | 液晶顯示面板 |
CN105182632A (zh) * | 2015-08-03 | 2015-12-23 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 像素电极及液晶显示面板 |
TWI683161B (zh) * | 2018-08-07 | 2020-01-21 | 友達光電股份有限公司 | 畫素結構 |
Families Citing this family (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8339532B2 (en) * | 2007-06-27 | 2012-12-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device |
JP2009145424A (ja) * | 2007-12-11 | 2009-07-02 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 液晶表示装置 |
KR20090129774A (ko) * | 2008-06-13 | 2009-12-17 | 삼성전자주식회사 | 표시 기판 및 이를 포함하는 액정표시패널 |
KR101528494B1 (ko) * | 2008-08-27 | 2015-06-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시기판, 이를 갖는 액정표시패널 및 이 액정표시패널의 제조 방법 |
TWI393968B (zh) | 2008-12-18 | 2013-04-21 | Au Optronics Corp | 液晶顯示面板 |
US8345177B2 (en) * | 2009-02-13 | 2013-01-01 | Shih Chang Chang | Via design for use in displays |
EP2472311B1 (en) | 2009-08-24 | 2017-05-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device |
CN102033346A (zh) * | 2009-09-25 | 2011-04-27 | 群康科技(深圳)有限公司 | 液晶显示面板 |
TWI406073B (zh) * | 2009-12-11 | 2013-08-21 | Au Optronics Corp | 畫素結構 |
TWI397757B (zh) * | 2009-12-22 | 2013-06-01 | Au Optronics Corp | 聚合物穩定配向液晶顯示面板及液晶顯示面板 |
KR101730163B1 (ko) * | 2010-03-03 | 2017-04-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치의 제조 방법과 이에 의한 액정 표시 장치 |
KR101902984B1 (ko) * | 2010-04-02 | 2018-11-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 화소전극 표시판, 액정표시판 조립체 및 이들을 제조하는 방법들 |
US9057917B2 (en) | 2010-04-02 | 2015-06-16 | Samsung Display Co., Ltd. | Pixel electrode panel, a liquid crystal display panel assembly and methods for manufacturing the same |
TWI432856B (zh) * | 2010-12-07 | 2014-04-01 | Au Optronics Corp | 畫素結構 |
TWI417622B (zh) * | 2010-12-27 | 2013-12-01 | Au Optronics Corp | 畫素結構 |
JP2012226151A (ja) * | 2011-04-20 | 2012-11-15 | Sony Corp | 表示装置およびバリア装置 |
KR101952935B1 (ko) * | 2012-03-05 | 2019-02-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
US9396755B2 (en) * | 2013-02-20 | 2016-07-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Temperature-defined data-storage policy for a hybrid disk drive |
JP6100153B2 (ja) * | 2013-12-11 | 2017-03-22 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置及び電子機器 |
CN103744235B (zh) * | 2013-12-27 | 2016-02-03 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 阵列基板及用该阵列基板的液晶显示面板 |
CN103728782A (zh) * | 2013-12-31 | 2014-04-16 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种液晶显示装置及相应的制造方法 |
TWI542932B (zh) | 2014-07-22 | 2016-07-21 | 友達光電股份有限公司 | 顯示面板及曲面顯示器 |
CN104932158B (zh) * | 2015-06-25 | 2018-11-23 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 像素电极及液晶显示面板 |
CN104880872A (zh) * | 2015-06-25 | 2015-09-02 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 像素电极及液晶显示面板 |
CN105137678B (zh) * | 2015-10-15 | 2018-06-19 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种像素电极结构及液晶显示面板 |
CN207408720U (zh) * | 2017-11-01 | 2018-05-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板和显示装置 |
KR20190092664A (ko) * | 2018-01-30 | 2019-08-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 및 이의 제조 방법 |
TWI680335B (zh) * | 2018-05-18 | 2019-12-21 | 友達光電股份有限公司 | 畫素結構 |
CN111722442B (zh) * | 2019-03-22 | 2022-11-22 | 咸阳彩虹光电科技有限公司 | 一种像素结构、像素单元及显示面板 |
CN110068969A (zh) * | 2019-04-25 | 2019-07-30 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 像素电极结构及液晶显示面板 |
KR20210117378A (ko) | 2020-03-18 | 2021-09-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1148600C (zh) | 1996-11-26 | 2004-05-05 | 三星电子株式会社 | 薄膜晶体管基片及其制造方法 |
JP4024901B2 (ja) * | 1997-05-22 | 2007-12-19 | エルジー フィリップス エルシーディー カンパニー リミテッド | アクティブマトリックス型液晶表示装置 |
KR100293811B1 (ko) * | 1998-05-29 | 2001-10-26 | 박종섭 | 아이피에스모드의액정표시장치 |
KR100808466B1 (ko) * | 2001-07-30 | 2008-03-03 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정 표시 장치용 어레이 기판 및 그의 제조 방법 |
JP2003172946A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-06-20 | Fujitsu Display Technologies Corp | 液晶表示装置用基板及びそれを用いた液晶表示装置 |
TW588171B (en) * | 2001-10-12 | 2004-05-21 | Fujitsu Display Tech | Liquid crystal display device |
JP4305811B2 (ja) | 2001-10-15 | 2009-07-29 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示装置、画像表示装置およびその製造方法 |
TW574545B (en) | 2002-08-29 | 2004-02-01 | Au Optronics Corp | Method of fabricating a liquid crystal display panel |
JP4505192B2 (ja) | 2003-03-31 | 2010-07-21 | シャープ株式会社 | 液晶パネルの製造方法 |
JP4168922B2 (ja) | 2003-12-12 | 2008-10-22 | ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社 | 液晶フィルム形成用組成物、光学異方性フィルム及びそれらの製造方法 |
TWI234011B (en) | 2004-01-16 | 2005-06-11 | Hannstar Display Corp | Active color filter on array structure, manufacturing method thereof, and color LCD device including active color filter on array |
US20070046877A1 (en) * | 2005-08-25 | 2007-03-01 | Chen-Chi Lin | Multi-domain vertical alignment liquid crystal display panel and thin film transistor array thereof |
-
2006
- 2006-07-06 TW TW095124706A patent/TWI338183B/zh active
- 2006-09-26 US US11/526,706 patent/US7649602B2/en active Active
-
2009
- 2009-12-08 US US12/633,436 patent/US8045113B2/en active Active
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI489186B (zh) * | 2008-12-18 | 2015-06-21 | Au Optronics Corp | 液晶顯示面板 |
TWI399602B (zh) * | 2009-01-20 | 2013-06-21 | Sony Corp | 液晶顯示器件及電子裝置 |
TWI406067B (zh) * | 2009-12-25 | 2013-08-21 | Innolux Corp | 液晶面板及應用其之液晶顯示裝置 |
CN105182632A (zh) * | 2015-08-03 | 2015-12-23 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 像素电极及液晶显示面板 |
WO2017020352A1 (zh) * | 2015-08-03 | 2017-02-09 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 像素电极及液晶显示面板 |
CN105182632B (zh) * | 2015-08-03 | 2018-03-06 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 像素电极及液晶显示面板 |
TWI683161B (zh) * | 2018-08-07 | 2020-01-21 | 友達光電股份有限公司 | 畫素結構 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI338183B (en) | 2011-03-01 |
US8045113B2 (en) | 2011-10-25 |
US7649602B2 (en) | 2010-01-19 |
US20080007681A1 (en) | 2008-01-10 |
US20100085525A1 (en) | 2010-04-08 |
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