TW200539746A

TW200539746A - Organic EL display and full color device

Info

Publication number: TW200539746A
Application number: TW094110772A
Authority: TW
Inventors: Hitoshi Kuma; Takashi Arakane; Mitsuru Eida; Chishio Hosokawa
Original assignee: Idemitsu Kosan Co
Priority date: 2004-04-06
Filing date: 2005-04-04
Publication date: 2005-12-01
Also published as: JP2005302313A; WO2005104624A1; US20080272690A1; EP1737276A4; CN1939096A; EP1737276A1

Description

200539746 (1) 九、發明說明【發明所屬之技術領域】本發明係關於有機電激發光（EL)顯示裝置及全彩裝置。【先前技術】一般EL元件爲自行發光性故可見度高，且爲完全固 • 體元件，因此耐衝擊性優異，同時處理容易，故在各種顯示裝置中發光元件之利用廣受囑目。尤其是有機EL元件，爲使外加電壓可大幅降低，其實用化硏究正積極進行。有機EL顯示裝置係由對向電極間夾持發光層之有機 EL元件所構成。在有機EL元件之兩電極間外加電壓時，自一方電極注入之電子與自另一方電極注入之電洞（hole )，在發光層進行再結合。發光層中有機發光分子，藉由再結合能源一旦成爲激發狀態，其後，則自激發狀態回至 • 基底狀態。此時被釋出之能源係以光方式取出，而使有機 EL元件發光。 . 有機EL元件中，則試行利用光之干涉效果。例如， ^ 日本專利文獻1，係揭示在光反射材料所成第一電極與透明電極所成第二電極之間夾持發光層，發光層與第二電極之至少其一成爲共振器構造之共振部的顯示元件。在此元件，於滿足下述式之範圍，成爲共振部之光學距離L爲正的最小値方式之構成 (2L) /λ 十 Φ/(2π) =m(m 爲整數） 200539746 (2) L :共振部之光學距離 Φ :在發光層發生之光於共振部兩端反射之際所產生之移相 ’ λ:在發光層發生之光後欲取出光之光譜之峰値波長 ν 又，在日本專利文獻2，係揭示利用上述干涉效果之有機EL元件。此元件具備，夾持有機層之一對反射性電極與，在將由有機層射出之光予以取出側之反射性電極之 • 外部，具備使該光之色進行螢光變換之膜。在此元件中，以一對反射性電極所定之反射性界面間之光學膜厚，係由有機層所射出之光之後設定爲使特定波長光之強度予以增強之方式，且螢光變換膜，係將該特定波長之光予以吸收，具有將其方向性消去之各向同性（Isotropization )之機會g 。但是，在專利文獻2，尤以頂放射（Top Emission ) 顯示裝置之情形，自發光層射出之光，在固體密封層與螢 • 光變換膜之界面進行全反射之比率相當多，會有發光效率降低之問題。此係起因於作爲固體密封層之一般所使用之 _ 材料之SiOxNl-x之折射率大致爲2.0〜2.2，相對於此，：螢光變換膜之折射率爲1.5〜1.7之故。此發光效率之降低可利用次數高的干涉效果加以解決。此係，成爲高次元干涉同時，光之強度之角度分布變狹窄，而螢光變換膜吸收之光強度變強之故。但是在其一方不含有螢光變換膜之像素因無光之各向同性機能，故成爲高次元干涉，同時，有視野角成爲非常狹窄之問題存在。 -6 - 200539746 (3) 專利文獻1 :國際公開第WO/Ol 3 9 5 5 4號專利文獻2 :日本特開平9 - 9 2 4 6 6號公報本發明之目的係提供一種發光效率高，視野角特性優異之有機EL顯示裝置及全彩裝置。

W 【發明內容】發明之揭示 ® 本發明人等，一再重覆戮力硏究結果，發現將含有螢光變換膜之像素與不含之像素中，將反射性電極間之光學膜厚予以改變’將自有機EL元件之光強度之角度分布予以改變’而可改善發光效率與視野角特性，因而完成本發明。根據本發明，係提供以下有機EL顯示裝置及全彩裝置。 1 ·含有：含第一及第二反射性電極，及設置於該第一 ® 及第二反射性電極間之有機層，之第一有機EL元件，與含第一及第二反射性電極，及設置於該第一及第二反 - 射性電極間之光透過層，有機層，之第二有機E L元件， • 與將來自該第二有機EL元件之發光予以色變換之螢光變換膜，如此所構成來自該第二有機EL元件之發光強度之角度分布，比來自該第一有機EL元件之發光強度之角度分布更爲狹窄之有機EL顯示裝置。 -7- 200539746 (4) 2.含有：含第一及第二反射性電極，及設置於該第一及第二反射性電極間之第一光透過層，有機層，之第一有機EL元件，與 ' 含第一及第二反射性電極，及設置於該第一及第二反 V 射性電極間之第二光透過層，有機層，之第二有機EL元件，與將來自該第二有機EL元件之發光予以色變換之螢光 • 變換膜，如此所構成，來自該第二有機EL元件之發光強度之角度分布，比來自該第一有機EL元件之發光強度之角度分布，爲更狹窄之有機EL顯示裝置。 3 .含有：含第一及第二反射性電極，及設置於該第一及第二反射性電極間之有機層，之第一之有機EL元件，與含第一及第二反射性電極，及設置於該第一及第二反 ^ 射性電極間之第一光透過層，有機層，之第二有機EL元件，與 - 含第一及第二反射性電極，及設置於該第一及第二反 , 射性電極間之第二光透過層，有機層，之第三之有機EL 元件，與將來自該第二有機EL元件之發光予以色變換之第一螢光變換膜，與將來自該第三有機EL元件之發光予以色變換之第二之螢光變換膜，如此所構成，來自該第二有機EL元件之 200539746 (5) 發光強度之角度分布比來自該第一有機EL元件之發光強度之角度分布更爲狹窄，來自該第三有機EL元件之發光強度之角度分布，比 • 來自該第一有機EL元件之發光強度之角度分布比較爲更 • 狹窄之有機EL顯示裝置。 4.在該第二光透過層之一部份，含有第一光透過層，之2或3記載之有機EL顯示裝置。 • 5.進而，含有使有機EL元件密封之固體密封層，之1 〜4中任一項記載之有機EL顯示裝置。 6. 在該第二反射性電極與該螢光變換膜之間，設置固體密封層，之5記載之有機EL顯示裝置。 7. 該第一及/或第二之光透過層，係透明導電層或透明半導體層，之1〜6中任一項記載之有機EL顯示裝置。 8 .該第一及第二反射性電極中，在光取出側具有之反射性電極之反射率爲不足50%〜25%以上，另一方之反射 ® 性電極之光反射率無50%以上，之1〜7中任一項記載之有機EL顯示裝置。 . 9.該第一反射性電極或該第二反射性電極之至少一方 ^ ，係由電介質與透明電極之層合物所成，之1〜8中任一項記載之有機EL顯示裝置。 1 〇.該第一反射性電極或該第二反射性電極之至少一方，係由金屬膜與透明電極之層合物所成，之1〜8中任一項記載之有機EL顯示裝置。 1 1 .該第一反射性電極或該第二反射性電極之至少一 ⑧ -9- 200539746 (6) 方，係含有電介質多層膜，之1〜8中任一項記載之有機 EL顯示裝置。 1 2 .該第一之螢光變換膜與該第二之螢光變換膜，係 * 將來自該有機層之發光各自變換成不同色，之3記載之有 . 機EL顯示裝置。 13.來自該第一有機EL素子元件之發光之發光光譜極大値之一爲藍色區域， # 將來自該第二有機EL元件之發光予以色變換，來自該第一螢光變換膜之發光之發光光譜之極大値之至少一個爲綠色區域，將來自該第三有機EL元件之發光予以色變換，來自該第二螢光變換膜之發光光譜之極大値之至少一個爲紅色區域，之1 2記載之有機EL顯示裝置。本發明中，將含有螢光變換膜之像素與不含之像素中，使反射性電極間之光學膜厚予以個別調整，可改變來自 ® 有機EL元件之光強度之角度分布。亦即，在含有螢光變換膜之像素，角度分布更爲狹窄，可藉由螢光變換膜之最 . 適波長予以集中，而可提高發光效率。進而，在含有螢光 w 變換膜之像素，係將由螢光變換膜吸收之光之方向性消去而被各向同性，而可提高視野角特性。在不含螢光變換膜之像素，與含有螢光變換膜之像素比較，並無使角度分布狹窄之必要，又，因無使角度分布狹窄之光予以各向同性之螢光變換膜，故比含有螢光變換膜之像素角度分布更廣。藉此在此像素中，視野角特性亦變成良好。 -10- 200539746 (7) 如此’根據本發明，可獲得發光效率高，視野角特性優異之有機EL顯示裝置及全彩裝置。 " 實施發明之最佳型態 • 實施形態1 第1圖係本發明之有機EL顯示裝置之一實施形態之圖，在基板1之同一平面上，第一反射性電極2，光透過 • 層3，有機層4，第二反射性電極5，及固體密封層6係依順序層合，在其上設置透明層8，綠色螢光變換膜7G，紅色螢光變換膜7R。反射性電極5係由金屬膜5b與透明電極5a所成。二個反射性電極2，5之一爲陽極，另一爲陰極。箭頭表示光之取出方向。在此，自第一反射性電極2，有機層4，第二反射性電極5，及固體密封層6，來構成第一有機EL元件，自第一反射性電極2，光透過層3，有機層4，第二反射性電極 • 5，及固體密封層6，構成第二有機EL元件。L1係將第一有機EL元件之反射性電極2，5間之光學膜厚以模式所示 . ，L2係將第二有機EL元件之反射性電極間2 ’ 5間之光學膜厚以模式所示。光學膜厚係如後述，爲實際膜厚與折射率之乘積。又，自第一有機EL元件與透明層8，可構成藍色像素I，自第二有機EL元件與綠色螢光變換膜7G可構成綠色像素Π，自第二有機EL元件與紅色螢光變換膜7R可構成紅色像素ΙΠ。 -11 - ⑧ 200539746 (8) 自有機層4可發出藍色光。藍色像素I中，來自第二反射性電極5之藍色光照樣通過透明層8向外而出。 ^ 綠色像素Π中，來自第二反射性電極5之藍色光藉由 • 綠色螢光變換膜7G，變換成綠色往外而出。紅色像素III中，來自第二反射性電極5之藍色光藉由紅色螢光變換膜7R，變換成紅色往外而出。 # 藉由該等像素可實現全彩裝置。另外，較佳爲，藍色光之發光光譜之極大値爲420〜 5 00，綠色光之發光光譜之極大値爲5 00〜5 5 0，紅色光之發光光譜之極大値爲550〜650。綠色像素II與紅色像素III中，第二有機EL元件之光學膜厚L2如後述被調整，故自有機層4發出之光，在對向之反射性電極2，5之間重覆反射之際，由於多重干涉，使得螢光變換膜7G，7R之最適波長被強化，亦即， ® 在狹窄角度分佈，自反射性電極5往上方而出。結果，螢光變換膜吸收之光之強度被強化，使來自螢光變換膜7G - ，7R之發光效率提高。進而，螢光變換膜7G，7R係，將 ^ 有機層4所釋出之光予以吸收，將其方向性消去而具有各向同性之機能。因此，來自第二有機EL元件之角度分布爲狹窄之光，藉由螢光變換膜7G，7R，被各向同性往外而出。結果，視野角變得極爲寬廣。一方面，藍色像素I 中，第一有機EL元件之光學膜厚L1如後述被調整，故綠色像素II與紅色像素III同樣地，自有機層4發出之光， -12- 200539746 (9)

在對向之反射性電極2，5之間重覆反射之際，因多重干涉藍色波長被強化，自反射性電極5往上方而出。但是，光學膜厚L 1相對於光學膜厚L2如後述被調整，故來自第 ' 一有機EL元件之發光之角度分布，比來自第二有機EL * 元件之角度分布更寬廣。因此，藍色像素1中，即使無螢光變換膜，視野角亦廣。 # 另外，本實施形態中，發光強度之角度分布係如下所定義。相對於比測光面積更充分寬廣之發光面，自發光面之法線（η 〇 r m a 1 1 i n e )方向使用亮度計予以測定之亮度爲 L〇。自法線僅傾斜角度Θ之方向所測定之亮度爲L ( Θ )時，L ( 0 ) ·ς〇3θ/Ι^爲發光強度之角度分布。爲使第二有機EL元件所釋出光之強度之角度分布，比第一有機EL元件所釋出之光之強度之角度分布更爲狹窄起見，將藉由一對反射性電極2，5所定之反射性界面 • 間光學膜厚L，在可滿足式（1)之範圍，使具備螢光變換膜之綠色，紅色像素II，III之m，比不具備螢光變換 . 膜之藍色像素I之m更爲大之構成。 (2Ι〇/λ 十 Φ/(2π)=ηι(πι 爲整數）（1) L :反射性界面間之光學膜厚 Φ :有機層所發生之光在反射性電極之兩界面於反射之際所產生之移相 λ:有機層所產生光中之欲取出光之光譜之峰値波長在此ηι係以成爲1〜10之整數之構成爲佳，更佳爲m -13- 200539746 (10) 爲以1〜5之整數之構成，進而較佳爲綠色，紅色像素π ，111之m係2，藍色像素1之m係1之構成。在此求得反射性界面間之光學膜厚L之方法則如以下 • 所述。首先’構成反射性電極2，5之間（有機層4 )之材 - 料單獨之薄膜在支持基板上製成。接著使用橢圓對稱計（ e 11 i p s 〇 m e t e r )等之裝置，進行製作薄膜試料之光學測定，求得材料之折射率η。最後，將製作有機EL元件時各層 φ 之膜厚d與折射率η之乘積予以計算，在求得其總和之下所得。例如構成有機層4各層之各折射率η 1，η 2，...，n k 與膜厚dl，d2，…，dk之情形，光學膜厚L係以式（2) 來求得。 L = nlxdl 十 n2xd2 十…十 nk x dk ( 2 ) 又移相Φ係如以下式（3 )所示。 Φ = Φ 1 Φ 2 ( 3 ) 在此，Φ係如下式求得。首先，在支持基板上，形成 # 爲目的之反射性電極2，使用橢圓對稱計等之裝置，進行製作薄膜試料之光學測定，求得材料之折射率η〇與消光 . 係數kG。在反射性電極之光振幅反射率r可以式（4 )求得。在此，係與反射性電極2接觸之層中與反射性電極 5同側之層材料之折射率，i係虛數單位。 [數1] ηχ+(η0-ικ0) ⑷ 振幅反射率1*係複數，可以r = a + i · b表示。此時，Φ! -14 - ⑧ (5) 200539746 (11) 可以下式5 )計算。 [數2] / \ Φ, = arctan 2 2 2 一 W0 一尤。又，關於Φ 2，在求得反射性電極5之折射率與消光係數，進而在求得與反射性電極5接觸之層中與反射性電極2同側層材料之折射率後，可使用式（5 )來計算。反射性電極2，5係，具有使有機層4所釋出之光反射之機能的導電性膜，通常爲反射率1 〇%以上者，在一對反射性電極2，5中，其一爲反射率50%以上，尤以70% 以上，另一爲反射率2 5 %以上，就本發明之效果之點爲佳。進而在一對之反射性電極2，5中，反射率50%以上電極之膜厚爲1〇〇〜300nm，另一爲 5〜50nm，就本發明效果之點而言爲佳。在此實施形態中，來自第二反射性電極5，爲將由有機層4所釋出之光予以取出，則第二反射性電極5之光反射率，比第一反射性電極2之光反射率比較以小者爲佳。本發明中反射性電極之反射率係指，以其次之方法所測定之値者。首先，反射率係準備既知之反射鏡（例如，氟化鎂/ 鋁層合反射鏡），使此反射率爲R〇。使用鎢燈等之光源，將該反射鏡之反射強度以反射型顯微分光測定裝置測定。如此方式所得之反射鏡之反射強度爲1〇。接著，將反射性電極之反射強度以同樣方式測定。此時之反射強度爲1 el -15- ⑧ 200539746 (12) 。此時，反射性電極之反射率R係以式（6 )所計算出之値。 R = R〇 X ( I e 1 /1〇 ) (6) 又，爲使具備螢光變換膜之像素II，III所釋出之光 • 之強度增強，則僅使離螢光變換膜7G，7R較遠側之反射性電極2變厚爲所期望。在本實施形態之有機E L元件，在外加直流電壓之情 φ 形，係使陽極爲+，陰極爲-之極性來外加電壓5〜4 0 V左右時，可觀測到色純度高之發光。又，即使以逆極性電壓外加，電流亦不流動而發光完全不產生。進而，在外加交流電壓之情形，僅在陽極爲+，陰極爲-之狀態時會發光。另外，外加之交流之波形可爲任意。另外，在本實施形態，第一有機EL元件係不含光學膜厚調整層，但含有光學膜厚調整層，而可調整光學膜厚。又，含有第一及第二有機EL元件之光學膜厚調整層可 ® 爲單一之層亦可爲複數之層。進而，像素I，II，III中，可各自設置藍，綠，紅濾 . 色片。實施形態2 第2圖顯示本發明有機EL顯示裝置之其他實施形態之圖。此有機E L顯示裝置，係如第2圖所示，在紅色像素 III中，就設置與第一光透過層爲相異之第二光透過層之 -16· 200539746 (13) 點，則與實施形態1之有機EL顯示裝置不同。

在此實施形態中，自第一反射性電極2，有機層4，第二反射性電極5，及固體密封層6，可構成第一有機EL " 元件。 • 自第一反射性電極2，第一光透過層3，有機層4，第二反射性電極5，及固體密封層6可構成第二有機EL元件。 Φ 自第一反射性電極2，第二光透過層9，有機層4，第二反射性電極5，及固體密封層6可構成第三有機EL元件。第二光透過層9係在與第一光透過層3相同之光透過層之上進而設置光透過層。此光透過層可由與第一光透過層相同材料或相異材料所形成。 L1係將第一有機EL元件之反射性電極2，5之光學膜厚，L2係將第二有機EL元件之反射性電極2，5之光學膜厚，L3係將第二有機EL元件之反射性電極2，5之 ® 光學膜厚以模式所示。又，自第一有機EL元件與透明層8可構成藍色像素 . I，自第二有機EL元件與綠色螢光變換膜7G可構成綠色 ^ 像素Π，自第三有機EL元件與紅色螢光變換膜7R可構成紅色像素III。如前述，藉由光透過層之膜厚可調整光學膜厚L1， L2，L3，自第二有機EL元件可使螢光變換膜7G之最適波長增強，以比第一有機EL元件爲狹窄之角度分佈發光，自第三有機EL元件可使螢光變換膜7R之最適波長增強 -17- 200539746 (14) ，與第一有機EL元件比較以更爲狹窄角度分佈發光。結果，吸收螢光變換膜之光之強度因增加，故自螢光變換膜 7G，7R之發光效率變高。進而，與實施形態1同樣地，自第二及第三有機EL元件之角度分布爲狹窄之光，藉由螢光變換膜7G，7R被各向同性地往外而出。實施形態3 第3圖係，本發明之有機E L顯示裝置之另一實施形態之圖。本實施形態之有機EL顯示裝置係如第3圖所示，在基板1之同一平面上，使螢光變換膜7G，7R及透明層8 ，第二反射性電極5，光透過層3，有機層4，第一反射性電極2，及固體密封層6依此順序層合而構成。此有機EL 顯示裝置，係與螢光變換膜7G，7R及透明層8之位置與，以光取出方向，與實施形態1之有機EL顯示裝置相異〇亦即，在此裝置，來自有機層4之光，係自透明層8 ，或以螢光變換膜7G，7R進行色變換，自基板1往外而出。與實施形態1同樣地，藉由L1，L2之調整，在綠色，紅色像素II，III，使自有機層4之光之角度分布狹窄化，而藉由螢光變換膜7G，7R進行各向同性。另外，在此實施形態，可使第一反射性電極2之反射率提局。 200539746 (15) 實施形態4 第4圖係本發明之有機EL顯示裝置之另一實施形態之圖。 _ 本實施形態之有機EL顯示裝置，係如第4圖所示， ^ 使螢光變換膜7G，7R及透明層8，基板1，第二反射性電極5,有機層4，光透過層3，第一反射性電極2，及固體密封層6依此順序層合所構成。 ® 在此，自第一反射性電極2，有機層4，第二反射性電極5，及固體密封層6，可構成第~有機EL元件，而自第一反射性電極2，光透過層3，有機層4，第二反射性電極5，及固體密封層6可構成第二有機EL元件。在此有機EL顯示裝置，自有機層4之光通過基板1 ，自透明層8，或以螢光變換膜7G，7R進行色變換，往外而出。與實施形態1同樣地，藉由L1，L2之調整，在綠色，紅色像素Π，III，可使自有機層4之光之角度分布 ® 狹窄化，藉由螢光變換膜7G，7R予以各向同性。另外，在此實施形態，可提高第一反射性電極2之反 . 射率。。在實施形態1 -4中，在各構件間，在不損害本發明目的之範圍可有其他介在層。例如，在實施形態1，2，3中，在螢光變換膜7G，7R與反射性電極5之間’可依所期望使光透過性之層介於其中。在此光透過性之層方面，可例舉例如玻璃，氧化物，透明性聚合物等所成層。在實施形態1 -4中，光透過層3，9若爲第一及第二 -19- ⑧ 200539746 (16) 反射電極2，5之間則在任何地方形成均可，而就製造上便利起見可以接觸有機層4之方式被形成。關於使用於上述實施形態之構件以下加以說明。在可滿足其他本發明之要件之範圍可使用周知之物。 1 .反射性電極反射性電極可例舉如下（1 )〜（4 )所示者。 # ( 1 )金屬電極使光反射之金屬所成者，例如自 Au，Ag，Al，Pt， C u，W，C r，Μ η，M g，C a，L i，Y b，E u，Sr，Ba，Na 等，及該等金屬中適宜選擇二種以上所形成之合金，具體言之可例舉Mg:Ag，AlLi，Al:Ca，Mg:Li等所成者。該等金屬或合金之中，以工作函數4· OeV以下者作爲陰極爲佳，一方面L5eV以上者作爲陽極爲恰當。 (2)金屬膜/透明電極或透明電極/金屬膜所成層合反鲁射性電極透明電極本身因反射率低，故藉由與金屬膜之層合， • 可使反射率提高。在透明電極方面，以導電性氧化物爲佳

^ ，尤以 ΖηΟ:Α1，ΙΤΟ (銦錫氧化物），Sn02:Sb，InZnO 爲佳。一方面，金屬膜方面，以上述（1)所述之金屬或合金所成膜可恰當例舉。在此層合反射性電極中，在與有機層接觸部分可設置透明電極，金屬膜之任一種。 (3 )電介質膜/透明電極或透明電極/電介質膜所成層合反射性電極 -20- 200539746 (17) 透明電極本身係，如上述因反射率低，故藉由高折射率或低折射率電介質膜之層合，可提高反射率。在此，高折射率電介質膜方面，以折射率1 · 9以上之透明性氧化物 _ 膜或透明性氮化物膜爲佳，又，硫化物膜或硒化化合物若 ^ 爲透明性之物則佳。此種高折射率電介質膜之例方面，以 ZnO，Zr02， Hf02，Ti02，Si3N4，BN，GaN，GalnN，AIN，A1203， # ZnS，ZnSe，ZnSSe等所成膜可恰當例舉。又，使用使該等成爲粉體而分散於聚合物形成之膜亦可。一方面，在低折射率電介質膜方面，折射率1 .5以下之透明性氧化物或氟化物所成膜·該氧化物或氟化物成爲粉體在聚合物中分散形成之膜，或氟化聚合物膜等可恰當例舉。具體言之，由 MgF2，CaF2，BaF2，NaAlF，SiOF 等所成膜，使該等化合物成爲粉體在聚合物中使之分散形成之膜，或氟化聚烯烴，氟化聚甲基丙烯酸酯，氟化聚醯 ®亞胺等所成膜爲恰當。 (4)電介質多層膜/透明電極或電介質多層膜/金屬電 • 極所成層合反射性電極 _ 在此層合反射性電極中電介質多層膜係將上述（3 ) 說明之高折射率電介質膜與低折射率電介質膜，進行交互多次層合者。又，在透明電極方面，可例舉上述（2)說明者，在金屬電極方面，可例舉上述（1)說明者。本發明中，一對反射性電極之其一，以含有高折射率電介質與透明電極之層合物或電介質多層膜者尤爲恰當。 -21 - ⑧ 200539746 (18) 此種反射性電極可藉由例如蒸鍍法或濺鍍法等來製作。在蒸鍍法之例方面，可例舉電阻加熱法或電子束法等，又濺鍍法之例方面，可例舉DC濺鍍法，離子束濺鍍法，ECR ’ (電子迴旋加速器（Cyclotron)共振）法等。 2 .基板在光取出之經路有基板存在之情形，可使用具有光透 % 過性之基板。在此種基板方面，可例舉例如玻璃，石英，有機高分子化合物等所成者，在該等中，以折射率1.6以下者爲恰當。 3.光透過層本發明中光透過層係指，一對之反射性電極間可調整光學膜厚之層，其中，相對於可視光爲透明性物質（可視光領域中透過率50%以上）之意。光透過層所使用之材料方面若爲透明則無特別限制，但以透明導電材料或透明半導體材料，透明有機材料爲恰當。透明導電材料或透明半導體材料方面，以導電性氧化物爲佳。導電性氧化物之例方面，可例舉IT0 (錫摻雜酸化銦）· IZ0 (鋅摻雜酸化銦），ZnO，ZnO : Al，Sn02， Sn02 : Sb，Ιη203，NbO，LaO，NdO，SmO，EuOx，Mo03 ，Mo02，Re02，Re03，0s02，Ir02，Pt02，LiTi2〇3，

LiV204，ErxNb03，LaTi03，SrV03，CaCr03，SrxCr03， -22- 200539746 (19) ΑχΜο03，AV205 ( A = K，Cs，Rb，Sr，Na，Li，Ca )等。透明有機材料方面，可例舉後述有機層所使用之材料或導電性有機自由基鹽，導電性聚合物等。導電性有機自由基鹽之例方面，可例舉 TTF (四硫富瓦烯 • tetrathiafulvalene ) ，TTT (四硫並四苯），TPBP (四苯基雙亞吡喃），HMTTeF (亞己基四碲基（tellura )富瓦烯），TMTSF (四甲基四硒基（selena )富瓦烯）， Φ TMTTF (四甲基四硫富瓦嫌），BEDT-TTF (雙乙撐二硫-四硫富瓦烯），BED0-TTF (雙乙撐二氧代-四硫富瓦烯），DMET (二甲基乙撐二硫二硒基二硫富瓦烯），ETP (乙撐二硫丙烯二硫四硫富瓦烯）等作爲予體，而受體係， TCNQ (四氰對醌二甲烷），TCNQ-4F (氟化四氰對醌二甲烷），TCNDQ (四氰二苯對醌（diphenoquino )二甲烷 )，TCNTQ (四氰三苯對醌二甲烷），TNAP (四氰2，6-萘醌（naphthoquino)二甲院），TANT( 11，11，12，春 12 -四氰 2，6-葱_ (anthraquino)二甲垸），DCNQI (二氰對_二亞胺Dicyanoquinodiimine)，下述式（1)所示 • 之。NAQ，下述式（2)所示之 M(dmit) (M = N1，Nd， — Ζη，Pt )等之有機材料或，TaF6，AsF6，PF6，Re04， C104，BF4，Au ( CN ) 2，Ni ( CN ) 4，CoC 14，COBr，I3 ，12 B r，I b r 2，A u 12，A u B r 2，C u 516，C u C 1 4，C u ( N C S ) 2 ，FeCl4，FeBr4，M11CI4，KHg ( SCN ) 4，Hg ( SCN) 3， NH4 ( SCN ) 4等予以組合之鹽。又，與有機材料之受體組合之予體方面，可使用 Li，K，Na，Rb，Ca，Cs，La， -23- ⑧ (1) 200539746 (20) NH4 等。

導電性聚合物方面，可例舉聚乙炔，聚莫，聚伸苯基，聚伸苯基乙烯撐，polyacene，聚伸苯基乙炔，聚二乙炔，聚吡咯，聚苯胺，聚噻吩，聚亞噻嗯乙烯撐等。又以後述固體密封層所使用材料所表示物中可使用具有光透過性之材料。該等可單獨使用，亦可混合或層合之。 4.有機層在一對之反射性電極之間被夾持之有微層係，自例如陽極之反射性電極側經陰極之反射性電極側，可例示以下之構成。 (1 )電洞注入層/發光層 (2) 電洞輸送層/發光層 (3) 發光層/電子注入層 (4) 電洞注入層/發光層/電子注入層 (5) 電洞輸送層/發光層/電子注入層 (6) 電洞注入層/電洞輸送層/發光層/電子注入層 -24- ⑧ 200539746 (21) (7 )電洞注入層/發光層/電洞阻止層/電子注入層 (8 )電洞注入層/發光層/電子注入層/附著改善層 (9 )電洞輸送層/發光層/附著改善層 (10 )電洞注入層/電子障壁層/發光層/電子注入層 "等。在該等構成中，以電洞輸送層/發光層，電洞輸送層/發光層/電子注入層及電洞輸送層/發光層/附著改善層之構成爲恰當。另外，有機層可因需要含有無機化合物 ⑩層。上述有機層部中發光層方面，與通常之發光層同樣地，具有（a )注入機能（外加電壓時，由陽極或電洞輸送領域層可注入電洞，且由陰極或電子注入層可注入電子。

)，（b)輸送機能（使電洞及電子藉由電場之力而可使之移動。），（e)發光機能（提供電洞與電子再結合之場，而可使之發光。）。此層之厚度，並無特別限制，可在滿足該式（1 )之m範圍因應適宜狀況來決定，但，較佳爲lnm〜ΙΟμηι，特佳爲5nm〜5μηι。上述發光層之形成方法方面，可藉由例如蒸鍍法，旋轉塗布法，鑄製法，LB法等周知方法予以薄膜化來形成 ’但，尤以分子堆積膜爲佳。在此，分子堆積膜係指自該化合物氣相狀態沈澱所形成之薄膜或自該化合物之熔融狀態或液相狀態被固體化所形成膜之意。通常，此分子堆積膜可由以LB法所形成之薄膜（分子累積膜）與凝集構造 ’高次元構造之差異或，因起因於該等之機能上之不同而可予區別。又，上述發光層係與樹脂等結合材料一起，溶 -25- 200539746 (22) 解於溶劑而成爲溶液後’將此藉由旋轉塗布法等予以薄膜化來形成。接著，電洞輸送層並非必要，但，以爲提高發光性能所用者爲佳。在此電洞輸送層方面，在更低之電場以使電洞輸送至發光層之材料爲佳，進而電洞之移動度，例如在 1 04〜106V/cm之電場外加時，若爲至少l〇_6c m2 /V·秒則尙佳。電洞輸送材料若爲具有該恰當性質者並無特別限制 Φ ，習知，在光傳導材料中，可自作爲電洞之電荷輸送材爲慣用之物或使用於E L元件之電洞輸送層之周知之物中可選擇任意之物使用。電洞輸送層係將，電洞輸送材料藉由例如真空蒸鍍法，旋轉塗布法，LB法等周知之薄膜法予以製膜來形成。此電洞輸送層之膜厚，並無特別限制，但，通常爲5 mm〜5μιη。此電洞輸送層可由電洞輸送材料一種或二種以上所成一層來構成，或將別種材料所成複數電洞輸送層予 •以層合者亦可。使電子滯留於發光層內，可在發光層與陽極之反射性 .電極間使用電子障壁層。電子注入層係電子注入材料所成者，具有將自陰極所注入之電子傳導至發光層之機能。關於此種電子注入材料並無特別限制，可自周知化合物中選擇任意之物使用。電子注入層係將電子注入材料藉由例如真空蒸鍍法，旋轉塗布法，鑄製法，LB法等周知薄膜化法予以製膜形成。 -26- 200539746 (23) 作爲電子注入層之膜厚，通常係在5n m〜5μηι之範圍選擇。此電子注入層，可以該等電子注入材料一種或二種以上所成一層來構成，或亦可將別種材料所成複數電子注入層予以層合者。 " 進而，附著改善層方面，以電子傳導性優異，且相對於發光層及陰極含有附著性高之材料爲佳。此種材料方面，可例舉例如8 -羥基喹啉或其衍生物之金屬錯合物，例如 # 含有羥基喹啉（oxine )( —般爲8-喹啉酚或8-羥基喹啉 )之鉗合物之金屬鉗合物氧化物類（〇xy no id )化合物。具體言之，可例舉三個（8-喹啉酚）鋁（Alq )，三個（5 ，7 -二氯-8-喹啉酚）鋁，三個（5.7 -二溴-8-喹啉酚）鋁，三個（2-甲基-8-喹啉酚）鋁，以及鋁以外之銦，鎂，銅，鎵，錫，鉛之錯合物等。 5 .固體密封層 • 用於固體密封層之材料方面可使用氧化矽（Si02 )，氮化矽（SiN )等，例如，可以5 00〜lOOOOnm之膜厚成膜 6.螢光變換膜螢光變換膜係爲使有機層所釋出之中心波長λ之光色改變，而可在釋出光予以取出側之反射性電極之外部設置，而由螢光體所成。此螢光變換膜所使用之材料方面有無機螢光體’有機 -27- ⑧ 200539746 (24) 螢光體，尤以將有機螢光物質分散於聚合物中者爲恰當。此有機螢光物質方面，以例如香豆素類，羅丹明類，熒光素（fluoresceine)類，花青苷類，卟啉類，萘二甲醯亞胺類，花類，嗤吖酮（quinacridone)類等，以螢光量子收 - 率高爲佳。特佳者爲，分散於聚合物黏合劑中之狀態螢光 .量子收率爲0.3以上者。此有機螢光物質可使用一種，亦可組合二種以上使用。又，在聚合物黏合劑方面，透明性 Φ 樹脂，例如聚甲基丙烯酸酯，聚碳酸酯，聚氯化乙烯，聚醯亞胺，聚醯胺酸，聚烯烴，聚苯乙烯等可恰當使用。此螢光變換膜，係將有機層所釋出之中心波長λ之光予以吸收，具有將其方向性消去予以各向同性之機能。關於此種螢光變換膜之製作方法並無特別限制，可使用各種方法。例如在聚合物黏合劑中將有機螢光物質予以分散後，對此使用鑄塑法，旋轉塗布法，印刷法，棒塗布法，擠壓成形法，輥成形法，壓製法，噴灑法，輥塗布法等方法 ® ，予以製膜成通常500〜50000nm，較佳爲looo〜5〇〇〇nm 之膜厚方式予以製膜，而可獲得螢光變換膜。該等製膜方、法中在使用有機溶劑之情形，該有機溶劑方面，例如可使用二氯甲烷；1，2-二氯乙烷；氯仿；丙酮；環己酮；甲苯；苯；二甲苯；N，N-二甲基甲醯胺；二甲基亞颯；1，2-二甲氧基乙院 ;二乙二醇二甲基醚等。該等之溶劑，可各自單獨使用，亦可混合二種以上使用。 7.透明層 -28- 200539746 (25) 本發明中透明層係指，將來自第一有機EL元件之發光之全部或一部份予以通過之層之意。在可視光領域中以透過率50%以上者爲佳。透明層之材料可例舉，聚甲基甲基丙烯酸酯，聚丙烯 ’酸酯，聚碳酸酯，聚乙烯醇，聚乙烯吡咯啶酮，羥基乙基纖維素，羧甲基纖維素等透明樹脂（高分子）等。該等可單獨使用一種，或將二種以上混合使用。 ® 又，可因應需要來調整作爲透明層之色純度用之色濾片材料予以使用亦可。色濾片材料方面，可例舉色素或將色素溶解或分散於黏合劑樹脂中之固體狀態之物。色素之例方面，可例舉銅酞菁系顔料，標準還原藍（indanthrone )系顔料，靛酚系顔料，花青苷系顔料，二噁嗪系顔料等 ’亦可單獨一種’或使用二種類以上之混合物。色素之黏合劑樹脂之例方面，可例舉聚甲基甲基丙烯酸酯，聚丙烯酸酯，聚碳酸酯，聚乙烯醇，聚乙烯吡略啶酮，羥基乙基 ® 纖維素，羧甲基纖維素等之透明樹脂（高分子）等，可單獨一種或，混合二種以上使用。此外，黏合劑樹脂，以使用可適用光微影法之感光性樹脂爲佳。此種感光性樹脂之例方面，可例舉丙烯酸系，甲基丙烯酸系，聚肉桂酸乙烯系，環化橡膠系等具有反應性乙烯基之光硬化型光阻材料等。該等感光性樹脂，可單獨一種或混合二種以上使用。 8·有機EL元件之製造方法有機E L兀件之恰當的製作法可例舉，基板/第一反射 -29- ⑧ 200539746 (26) 性電極膜/光學膜厚調整層/電洞注入層/電洞輸送層/發光層/電子注入層/第二反射性電極/固體固體密封層螢光變換膜之構成爲例予以說明。首先在適當的透明基板上形成紅色螢光介質，綠色螢 - 光介質，藍色色濾片所成螢光介質。螢光介質之形成方法方面可以旋轉塗布法或印刷法等進行，通常設成爲5 00〜 50000 nm，較佳爲1〇〇〇〜5000n m範圍之膜厚之方式。 • 一方面，在其他適當基板上，藉由蒸鍍或濺鍍等方法，來製作所望膜厚之第一反射性電極（陽極）與光透過層。其後，藉由蝕刻等將僅有具備螢光變換膜之像素部分，使光透過層殘留。其後，形成電洞注入材料，電洞輸送材料，發光材料及電子注入材料所成各薄膜。此薄膜化方法方面，有旋轉塗布法，鑄製法，蒸鍍法等，但就以可易於獲得均質膜，且腳孔（pinhole )難以生成等之點而言，以真空蒸鍍法爲佳。在該薄膜化，採用此 ^ 蒸鍍法之情形，其蒸鍍條件，因使用之化合物種類，爲分子堆積膜目的之結晶構造，締合構造（association )等而 •異，但一般可在板加熱溫度50〜450 °C，真空度1(Γ5〜 l(T8Pa，蒸鍍速度 0.01〜5 0nm/sec，基板溫度-50〜3 00°C ，膜厚5nm〜5μιη之範圍適宜選擇爲所期望。接著該等層之形成後，在其上，使第二反射性電極（陰極）、通常成爲10〜500nm較佳爲，50〜200nm範圍之膜厚之方式，例如可以蒸鍍或濺鍍等方法設定。 ⑧ 200539746 (27) 【實施方式】實施例1 (1)螢光變換膜基板之製作（具有RGB像素之螢光 # 介質之製作方法） '在 25mmx75mmxl.lmm之支持基板（透明基板）（ OA2玻璃：日本電子玻璃公司製）上，黑色基質（BM ) 之材料係將V2 5 9BK (新日鐵化學公司製）予以旋轉塗布 # ，透過成爲格子狀之圖型之光罩進行紫外線曝光，以2% 碳酸鈉水溶液顯影後，於200 °C予以烘焙，形成黑色基質 (膜厚1.5μπι)之圖型。接著，藍色色濾片之材料係將V259B(新日鐵化學公司製）予以旋轉塗布，透過長方形（90μιη線，240μηι間隙）之條紋圖型可獲得320條的光罩，對準於ΒΜ之位置進行紫外線曝光，以2%碳酸鈉水溶液予以顯影，在200 °C 烘焙，形成藍色色濾片（膜厚1·5μτη)之圖型。 # 接著，綠色色濾片之材料係將V25 9G(新日鐵化學公司製）予以旋轉塗布，透過可獲得長方形（90μπι線， 240μηι間隙）之條紋圖型3 2 0條之光罩，對準於Β Μ之位置予以紫外線曝光，以2%碳酸鈉水溶液顯影後，於200°C 烘焙，在藍色色濾片之隣形成綠色色濾片（膜厚1·5μιη) 之圖型。接著，紅色色濾片之材料，係將V259R (新日鐵化學公司製）旋轉塗布，透過可獲得長方形（90μηι線，24 0μιη 間隙）之條紋圖型3 20條之光罩，對準於ΒΜ之位置予以 -31 - a 200539746 (28) 紫外線曝光，於2%碳酸鈉水溶液顯影後，在20(TC進行烘 '焙’ #藍色色濾片與綠色色濾片之間形成紅色色濾片（膜厚1 ·5μηι )之圖型。接著’綠色螢光介質之材料，係將成爲0.04mol/kg ( 業寸匡I形成分）量之香豆素6溶解於丙烯酸系負型光阻（ V25 9PA ’固形成份濃度50%新日鐵化學公司製）之墨水進行調製。 # 將此墨水，在先前之基板上旋轉塗布，在綠色色濾片上予以紫外線曝光，以2%碳酸鈉水溶液顯影後，在2001 進行烘焙’在綠色色濾片上形成綠色變換膜之圖型（膜厚 1 0 μ m )。接著’紅色螢光介質之材料，係將溶解於香豆素 6:〇.53g，鹽基桃精（basic violet ) 11:1.5g，羅丹明 6G:1.5g，丙烯酸系負型光阻（V259PA，固形成份濃度 5 0%新日鐵化學公司製）：1〇〇g之墨水進行調製。 B 將此墨水，在先前之基板上進行旋轉塗布，在紅色色濾片上進行紫外線曝光，以2%碳酸鈉水溶液顯影後，於 1 80 °C進行烘焙，在紅色色濾片上形成紅色變換膜之圖型 (膜厚ΙΟμπι)，獲得螢光變換膜基板。平坦化膜係將丙烯酸系熱硬化性樹脂（V259PH ··新曰鐵化學製）在先前之基板上予以旋轉塗佈，在1 8 0 °C予以烘焙形成平坦化膜（膜厚1 2μηι )。以如此方式，來製作形成螢光介質之密封用構件。 -32- 200539746 (29) (2 )有機EL元件之製作一方面，將縱2 5 m m，横7 5 m m，厚度1 . 1 m m之玻璃基板（C〇rning7 059 )以異丙基醇洗淨及紫外線洗淨後，將此基板，固定於真空蒸鍍裝置（日本真空技術公司製）內 ~ 之基板保持架。在此基板上，使鉻（Cr )膜以濺鍍法形成。此時，在濺鍍氣體使用氬（Ar )將成膜氛圍內之氣體壓力保持於 # 0.2Pa左右，將DC輸出設定於3 00W進行成膜，成爲 2 OOnm左右之膜厚。此Cr膜可作爲反射性電極來作用。在Cr膜接著，將IZO予以濺鑛成膜進行50nm層合。其後藉由蝕刻，在僅具備螢光變換膜之像素之部分，使 IZ0膜殘留。此IZO膜係作爲光透過層作用。接著，將基板移動至真空蒸鍍裝置。在真空蒸鍍裝置內之鉬製加熱板預先將電洞注入材料之N，Ν’-雙（N，Ν’-二苯基-4-氨基苯基）-Ν，Ν-二苯基-4，4’-二氨基-1，1’-® 雙苯基膜（TPD232)，及電洞輸送材料之4，4’-雙[Ν-( 1-萘基）-Ν·苯基氨基聯苯（NPD )，有機發光材料之苯乙烯基衍生物DPVDPAN與式〔1〕所示之Β1，電子注入材料之三個（8-喹啉酚）鋁（Alq )予以各自充塡。在此狀態，使蒸鍍裝置之真空度減壓至65 5 xl(T7Pa，使式（1 ) m 之値，在具備螢光變換膜之像素之部分爲2，且不具備螢光變換膜之像素之部分成爲1之方式將各層膜厚予以調整，自電子注入層至電洞注入層之形成爲止，在途中並不破壞真空狀態，以一次之真空吸引予以層合。 -33- 200539746

Q HC=CH

HC=CH b B1 進而將鎂（Mg)與銀（Ag)之合金層，使Mg與Ag 之成膜速度之比爲Mg:Ag = 91以l〇nm之膜厚進行蒸鍍。此Mg : Ag膜係作爲反射性電極來作用。接著，將基板移動至濺鍍裝置，將作爲上部電極作用之IZO予以濺鍍成膜進行500nm層合。接著，在導入乾燥氮之乾箱內，在上部電極上，將具有莽骨架之聚酯樹脂之0-ΡΕΤ樹脂予以貼合使密封介質成膜，來製作有機EL元件。 (3)有機EL顯示裝置之製作將上述（1 )所得之螢光變換膜基板配置於以上述（2 )製作之有機EL元件之密封介質上。接著’相對於螢光變換膜基板之周邊部以陽離子硬化型黏接劑TB3 102 ( -34- ⑧ 200539746 (31)

Three bond公司製）處理，予以光硬化來製作有機EL顯示裝置 (4)有機EL顯示裝置之評價 # 在以上述（2)製作之有機EL元件之上述電極與Ci* — 反射性電極之間，透過主動式陣列電路，外加D C 1 2 V之電壓。使用Topcon製分光放射亮度計SR-3 ( 0.Γ視野），各自測定設置螢光變換膜之像素部分與不設置螢光變換 # 膜之像素部分之發光面正面之發光強度。進而將上述分光放射亮度計自基板正面予以傾斜，將可得自正面之發光強度之一半値所得角度予以各別測定。結果，在設有螢光變換膜部分之像素爲32°，無設置螢光變換膜之部分之像素爲5Γ。亦即，來自無設置螢光變換膜部分之像素之發光，強度之角度分布大，來自不具備螢光變換膜部分之像素之發光強度之角度分布小。又，以上述（3)製作之有機EL顯示裝置之上部電極

# 與 Cr反射性電極之間，透過主動式陣列電路，在外加 DC12V之電壓時，成爲白色發光。使用該分光放射亮度計在測定來自發光面正面之發光強度時，發光效率爲12c d/A 。又，由有機EL顯示裝置之傾斜方向觀之亦可見到白色比較例1 除了將設置有機EL元件之螢光變換膜的像素部分，與無設置螢光變換膜之像素部分亦爲式（1 ) m之値爲1 -35- 200539746 (32) 之方式來調整各層之膜厚以外，其他與實施例1同樣地製作有機EL元件及有機EL顯示裝置，進行評價。來自具備有機EL元件之螢光變換膜部分之像素的發 * 光強度之角度分布爲52°，來自無具備螢光變換膜部分之 ^ 像素的發光強度之角度分布爲52°。一方面，有機EL顯示裝置雖爲白色之發光，但發光效率爲9cd/A與實施例1比較爲低。比較例2 除了將設置有機EL元件之螢光變換膜的像素部分與無設置螢光變換膜的像素部分均爲式（1) m之値爲2之方式來調整各層之膜厚以外，其他與實施例1同樣地來製作有機EL元件及有機EL顯示裝置，予以評價。來自設置有機EL元件之螢光變換膜部分的像素之發光強度之角度分布爲32°來自無設置螢光變換膜部分的像 Φ 素之發光強度之角度分布爲32°。一方面，有機EL顯示裝置係白色發光，發光效率雖爲12cd/A，但自正面可見到白色，自傾斜方向爲可見到帶有黃色之有機EL顯示裝置。此係來自有機EL元件之無設置螢光變換膜部分之像素發光強度之角度分布小，故藍色像素之視野角爲狹窄。 ⑧ 200539746 (33) 〔表1〕具備螢光變換膜之像素m之値不具螢光變換膜之像素m之値白色發光效率 (cd/A) 自基板正面測定之光1/2 強度所得之視野角度0 具備螢光變換膜之像素不具螢光變換膜之像素實施例1 2 1 12 32 51 比較例1 1 1 9 52 52 比較例2 2 2 12 32 32 產業上之利用可能性本發明之有機EL顯示裝置及全彩裝置，可用於各種民生用及工業用之顯示器，具體言之可作爲攜帶電話， PDA，汽車導航系統，監視器，TV等之顯示器來利用。【圖式簡單說明】 [第1圖]顯示本發明有機EL顯示裝置之一實施形態之圖。 [第2圖]顯示本發明有機el顯示裝置之其他實施形態之圖。 [第3圖]顯示本發明有機EL顯示裝置之其他實施形態之圖。 [第4圖]顯示本發明有機el顯示裝置之其他實施形態之圖。 ⑧ 200539746 (34) 【主要元件之符號說明】 1 :基板 2 :第一反射性電極 3 :光透過層 4 :有機層 5 :第二反射性電極 5 a :透明電極 5b :金屬膜 6 :固體封止層 7G :綠色螢光變換膜 7R :紅色螢光變換膜 8 :透明層 9 :第二光透過層 L1 :第一有機EL元件光學膜厚 L2 :第二有機EL元件光學膜厚 I :藍色像素 II :綠色像素 III :紅色像素 -38-

Claims

200539746 (1) 十、申請專利範圍 1· 一種有機EL顯示裝置，其特徵爲含有：含有第一及第二反射性電極，及設置於該第一及第二反射性電極間之有機層，之第一有機E L元件，與含有第一及第二反射性電極，及設置於該第一及第二反射性電極間之光透過層、有機層，之第二有機EL元件與，將來自該第二有機EL元件之發光予以色變換之螢光變換膜，如此所構成；來自該第二有機EL元件之發光強度之角度分布，比來自該第一有機EL元件之發光強度之角度分布更爲狹窄者。 2. —種有機EL顯示裝置，其特徵爲含有：含有第一及第二反射性電極，及設置於該第一及第二反射性電極間之第一光透過層、有機層，之第一有機EL 元件，與含有第一及第二反射性電極，及設置於該第一及第二反射性電極間之第二光透過層、有機層，之第二有機EL 元件，與將來自該第二有機EL元件之發光予以色變換之螢光變換膜，如此所構成；來自該第二有機EL元件之發光強度之角度分布’比來自該第一有機EL元件之發光強度之角度分布更爲狹窄者。 -39- 200539746 (2) 3· —種有機EL顯示裝置，其特徵爲含有：含有第一及第二反射性電極，及設置於該第一及第二反射性電極間之有機層，之第一有機EL元件，與含有第一及第二反射性電極，及設置於該第一及第二反射性電極間之第一光透過層、有機層，之第二有機E L 元件，與第一及第二反射性電極，及設置於該第一及第二反射 # 性電極間之第二光透過層、有機層，之第三有機EL元件，與將來自該第二有機EL元件之發光予以色變換之第一螢光變換膜，與將來自該第三有機EL元件之發光予以色變換之第二螢光變換膜，如此所構成；來自該第二有機EL元件之發光強度之角度分布，比來自該第一有機EL素子元件之發光強度之角度分布更爲 _狹窄，來自該第三有機EL元件之發光強度之角度分布’比來自該第一有機EL元件之發光強度之角度分布比較爲更狹窄者 4. 如申請專利範圍第2或3項記載之有機EL顯示裝置，其中，在該第二光透過層之一部份含有第一光透過層〇 5. 如申請專利範圍第1〜3項中任一項記載之有機 EL顯示裝置，其進而含有使有機EL元件密封之固體密封 -40- 200539746 (3) 層。 6·如申請專利範圍第5項記載之有機EL顯示裝置，其中，該第一反射性電極與該螢光變換膜之間，可設置固體密封層。 7.如申請專利範圍第1〜3項中任一項記載之有機 EL顯示裝置，其中，該第一及/或第二光透過層係透明導電層或透明半導體層。 φ 8 ·如申請專利範圍第1〜3項中任一項記載之有機 EL顯示裝置，其中，該第一及第二反射性電極中，在光取出側具有之反射性電極反射率不足50%爲25%以上，另一方之反射性電極之光反射率爲50%以上者。 9. 如申請專利範圍第1〜3項中任一項記載之有機 EL顯示裝置，其中，該第一反射性電極或該第二反射性電極之至少之一爲，電介質與透明電極之層合物所成。 10. 如申請專利範圍第項1〜3中任一項記載之有機 • EL顯示裝置，其中，該第一反射性電極或該第二反射性電極之至少之一爲，金屬膜與透明電極之層合物所成。 1 1 .如申請專利範圍第項1〜3中任一項記載之有機 EL顯示裝置，其中，該第一反射性電極或該第二反射性電極之至少之一爲，含有電介質多層膜。 1 2如申請專利範圍第3項記載之有機EL顯示裝置，其中，該第一螢光變換膜與該第二螢光變換膜，係將來自該有機層之發光予以各自變換成不同色者。 1 3如申請專利範圍第1 2項記載之有機EL顯示裝置 ⑧ -41 - 200539746 (4) ，其中，來自該第一有機EL素子元件之發光之發光光譜極大値之一爲藍色區域，將來自該第二有機EL元件之發光予以色變換，來自該第一螢光變換膜之發光之發光光譜之極大値之至少之一爲綠色區域，將來自該第三有機EL元件之發光予以色變換，來自該第二螢光變換膜之發光光譜極大値之至少之一爲紅色區

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