TW200537481A - Write-once information recording medium - Google Patents

Description

200537481 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一次寫入式資訊記錄介質，而其可藉由 使用短波長雷射光束（例如，藍色雷射光束）而記錄並再 生資訊。 ^ 【先前技術】 ^ 如眾所周知的，近幾年，供儲存數位資料用的介質隨 著個人電腦等的普遍而漸形重要。舉例來說，在現代，可 長時期以數位的方式記錄並再生的影像資訊及聲音資訊之 資訊記錄介質已經很普遍。另外，已經以供數位記錄及再 生用的資訊記錄介質用於例如手機等行動式裝置。 在此，關於此類型的資訊記錄介質，由於下列各種不 同的理由而經常運用碟形介質：其具有大資訊記錄能力； 其具有可使所企求的記錄資訊的尋找加速之高隨機存取效 A 能；且再者，其重量小又輕，具有優異的可攜性且不貴。 關於此碟形資訊記錄介質，時下主要使用：所謂的光 Μ 碟，而其可藉由發出雷射光而以非接觸的方式記錄並再生 資訊。此光碟主要依循壓縮光碟（CD )標準或數位化視頻 光碟（DVD )標準，且這些標準之間有相容性。 有三類型光碟：無法記錄資訊的僅再生型，例如CD-DA (數位音頻）、CD-ROM (唯讀記憶體）、DVD-V (影像）或DVD-ROM ;僅可一次寫入資訊的一次式，例 如CD-R (可記錄）或DVD-R;以及可再寫入資訊許多 200537481 (2) 次的再寫入型，例如CD-RW (可再寫入）或DVD-RW。 當中，關於可記錄資訊的光碟，記錄層使用有機著色 物質的一次寫入式光碟最爲普遍，因爲它有低製造成本。 這是因爲，若資訊記錄容量超過700百萬位元組（MB ) ，幾乎不用抹消記錄資訊並再寫入新資訊項目，而最後僅 一次記錄資訊就夠了。 ► 在記錄層使用有機著色物質的一次寫入式光碟中，等 ^ 雷射光射到藉由凹槽定義的記錄區（軌），若在樹脂的玻 璃轉移點Tg或更高下加熱樹脂基材時，在凹槽中的有機 著色物質膜將進行光化學反應，並產生負壓。結果，藉由 運用樹脂基材在凹槽中變形的事實而形成記錄標記。 供記錄及再生用的雷射光波長爲約780奈米之CD-R 用之典型有機著色物質包括例如可購自 Ciba Speciality Chemicals 的 IRGAPHOR Ultragreen MX 等酞花青系著色 物質。此外，供記錄及再生用的雷射光波長爲約650奈米 0 之DVD-R用之典型有機著色物質包括可購自Mitsubishi _ Chemicals Medium Co·，Ltd.的偶氮金屬錯合物系著色物質 〇 當中，在與現行光碟相比可達到較高效能的記錄及再 生的下一代光碟中’以具有約405奈米波長的藍色雷射光 當作供記錄及再生用之雷射光。然而，目前仍未開發出可 藉者使用此寺具小波長的光而達到貫際上足夠的記錄及再 生特性之有機著色物質材料。 也就是說，在藉由使用紅外線雷射光或紅色雷射光進 -6- 200537481 (3) 行記錄及再生的現行光碟中，有使用：有機著色 ，而其於比記錄及再生用的雷射光波長（7 8 0或 )更短之波長側具有大的吸收端。依此方式，現 達到所謂的Η到L (高到低）特性，其中藉由發 而形成的記錄標記部分之光反射性比發射雷射光 射性更低。 ^ 相對地，在藉由使用藍色雷射光進行記錄及 'Φ 況中，會有一個問題：比記錄及再生用的雷射 4 0 5奈米）更短之波長側具吸收端的有機著色物 於紫外線等之安定性與保存持久性不良；對於熱 不良；且記錄標記的對比度與解析度低。 此外，記錄標記的模糊程度傾向於增加，因 糊將影響相鄰軌，且可能發生交錯寫入特性（cr feature)惡化。再者，會發生記錄靈敏度降低且 足夠的再生訊號S/N (訊號對雜訊）比及位元 0 不方便情況。 在相鄰軌中未記錄資訊的情況下，會有可獲 錄靈敏度的情況。然而，若在相鄰軌中記錄資訊 號S/N比將因爲交錯寫入到相鄰軌的程度大而降 ，位元錯誤率更高，且無法達到適於實際用途的ί 在曰本專利公開公報20〇2-7474〇中，揭示 包括有機著色物質的吸收端之光記錄介質存在於 的波長更長的波長側。然而，在此文件中，並沒 方說明光碟本身的改良效能（例如在光反射之前 物質材料 6 5 0奈米 行的光碟 射雷射光 之前的反 再生的情 光波長（ 質材料對 的安定性 此，此模 〇 ss write 無法獲得 錯誤率的 得預定記 ，再生訊 低。此外 呈度。 記錄層中 比寫入光 有任何地 的及雷射 -7- 200537481 (4) 光發射之後的變化、再生訊號S/N比或位元錯誤率等）之 結構。 【發明內容】

本發明有鑑於以上的情況而完成。本發明的目的在於 提供可藉著使用例如藍色雷射光的短波長雷射光而在高密 度及足敷實際用途的性能下記錄並再生資訊之一次寫入式 資訊記錄介質。 根據本發明其中之一形態，提供一種一次寫入式資訊 記錄介質，其包含：具同心或螺旋形的溝槽及形成於其上 的平面之透明性樹脂基材；以及形成在該透明性樹脂基材 的溝槽與平面上的記錄膜，藉由短波長雷射光束的發射而 在該介質上形成記錄標記，其中藉由該短波長雷射光束的 發射而形成之記錄標記部分的光反射性比該短波長雷射光 束的發射之前得到的光反射性更高，且該溝槽的深度介於 5〇至80奈米。 【實施方式】 此後，本發明之一具體例將參照隨附的圖式詳細加以 說明。在該具體例中說明的一次寫入式記錄介質包含由， 舉例來說，呈碟子外形之例如聚碳酸酯等合成樹脂材料形 成的透明性樹脂基材。在該透明性樹脂基材上，形成呈同 心形或呈螺旋形的溝槽。該透明性樹脂基材可藉由使用母 版射出而製造。 -8- 200537481 (5) 在該透明性樹脂基材上，形成包括有機著色物質的記 錄膜以塡滿該凹槽。關於形成該記錄膜的有機著色物質， 使用具有偏移到比記錄波長（405奈米）更長的波長側之 最大吸收波長帶的著色物質。另外，該記錄波長帶已經經 過設計具有等量光吸收而不需刪除該吸收。 依此方法，在藉由記錄用的雷射光記錄資訊之前在軌 跡上進行聚焦或循軌（t r a c k i n g )的情況下，得到低光反 ^ 射性。著色物質分解反應藉由雷射光而產生，且光吸收率 降低，藉以使記錄標記部分的光反射性提高。由此，達到 所謂的L到Η特性使得藉由發射雷射光而形成的記錄標記 部分之光反射性比發射雷射光之前的反射性更高。 該透明性樹脂基材，特別是凹槽底部可能由於熱孳生 而變形。在此例中，相差可能隨反射光而發生。 以上的有機著色物質藉由溶在溶劑中而液化，且最後 得到的溶液可根據旋塗技術輕易地塗在透明性樹脂基材表 # 面上。在此例中，該膜厚於旋塗的期間藉由溶劑與轉動頻 率控制該稀釋速率而以高精確的方式管制。 該有機著色物質係由著色物質部分與陰離子部分組成 。關於該著色物質部分，可使用花青著色物質或苯乙烯基 著色物質等。具體而言，因爲與記錄波長有關的吸收率可 輕易地控制，所以以花青著色物質及苯乙烯基著色物質爲 宜。 當中，在具有單甲川鏈的單甲川花青著色物質中，降 低塗在該透明性樹脂基材上的記錄膜的厚度，藉以可輕易 -9- 200537481 (6) 地將末端吸收與記錄波長帶（·4 0 0到4 0 5奈米）的吸收度 調整於0.3到0.5的範圍內，較佳爲約〇 ·4。由此，可改良 記錄與再生特性，並可良好地設3十光反射性與5己錄靈敏度 〇 關於陰離子部分’就光安定性的觀點而言’較佳地使 用有機金屬錯合物。金屬錯合物具有優異的光安定性’特 ^ 別是以鈷或鎳當作核心金屬之時。 駕I 偶氮金屬錯合物最佳。在以2,2,3,3-四氮-1-丙醇（ TFP )當作溶劑的情況下分解性也很好，且可輕易地製造 供旋塗用的溶液。此外，旋塗之後可進行再循環，由此可 降低光碟的製造成本。 第1圖顯示充當有機著色物質材料之四個著色物質A 到D的實施例。著色物質A含有由苯乙烯基著色物質構 成的著色物質部分（陽離子都分），且含有由偶氮金屬錯 合物1構成的陰離子部分。著色物質C含有由苯乙烯基著 β 色物質構成的著色物質部分（陽離子部分），且含有由偶 氮金屬錯合物2構成的陰離子部分。著色物質d含有由單 甲川花青著色物質構成的著色物質部分（陽離子部分）， 且含有由偶氮金屬錯合物1構成的陰離子部分。也可單獨 使用該有機金屬錯合物。舉例來說，著色物質Β爲鎳錯合 物著色物質。 接著，利用以上旋塗之後得到的有機著色物質薄膜塗 布碟狀基材’藉著使用加熱板或淸潔烘箱令著色物質在約 8 0 °C的溫度下乾燥。然後’在該薄膜上，藉由濺灑形成具 -10- 200537481 光反射膜功能的金屬薄膜。關於供金屬反射膜用的材料， 使用，舉例來說，金、銀、銅、鋁或它們的合金。 接著，在該金屬膜上旋塗紫外線可硬化的樹脂，並將 保護碟狀基材黏附於該膜，藉以將一次寫入式光碟製成一 次寫入式資訊記錄介質的形式。 在此，通式1代表當作以上說明的著色物質A與C各 自著色物質部分之苯乙烯基著色物質的通式。通式2代表 W 當作以上說明的著色物質A與C各自的陰離子部分之偶氮 金屬錯合物的通式。此外，通式3代表當作以上說明的著 色物質D的著色物質部分之單甲川花青著色物質的通式， 而通式4代表當作著色物質D的陰離子部分之偶氮金屬錯 合物的通式。 〔通式1〕 R34 ^35

〔通式2 -11 - 200537481 (8)

〔通式3〕

〔通式4〕

在以上的苯乙烯基著色物質通式中，Z3表示] 且該芳環可含有取代基。Y31表示碳原子或雜原子 、R3 2及R33表示彼此相同或不同的脂肪族烴基。： 肪族烴基各自都可含有取代基。R34及R35各自獨: 示氫原子或適當的取代基。若Y31爲雜原子，R3 4 : :環， 。R3 1 [些脂 :地表 i R35 -12- 200537481 (9) 之中任一或二者都不存在。 此外，在單甲川花青著色物質的通式中，Z1 示彼此相同或不同的芳環，且這些芳環可各自含 。Y11及Y12各自獨立地表示碳原子或雜原子 R 1 2表示脂肪族烴基，且這些脂肪族烴基各自都 代基。R13、R14、R15及R16各自獨立地表示氫 當的取代基。若Y11及Y12皆爲雜原子，R13、 Φ 及R16之中有一部分或全部都不存在。 用於該具體例中的單甲川花青著色物質爲任 相同或不同的著色物質，而可含一或多個取代基 鏈的兩端含有一或多個取代基，其包括與例如咪 咪唑環、苯并咪唑環、α-萘并咪唑環、β-萘并咪 哚環、異吲哚環、吲哚啉環、異吲哚啉環、苯并 、吡啶并吲哚啉環、鳄唑啉環、哼唑環、異Df唑 口等唑環、吡啶并哼唑環、α-萘并鸣唑環、β-萘并 0 硒唑啉環、硒唑環、苯并硒唑環、α-萘并硒唑環 硒唑環、噻唑啉環、噻唑環、異噻唑環、苯并噻 萘并噻唑環、β -萘并噻唑環、碲唑啉環、碲唑環 唑環、α-萘并碲唑環、β-萘并碲唑環，又更進一 烯醯啶環、嗯環、異喹啉環、異吡咯環、亞f imidanoxaline)環、陰丹二_ (indandione)環 、吲哚啉環、哼二唑環、卡唑環、咕吨環、咕唑 鸣啉環、喹諾啉環、色滿環、環己二酮環、環戊 鄰二氮雜萘環、噻二唑環、噻噚唑烷酮環、噻吩 及Z2表 有取代基 ° Rl 1 及 可含有取 原子或適 R14 、 R15 一種彼此 之單甲川 唑啉環、 唑環、吲 吲哚啉環 環、苯并 噚唑環、 、P-萘并 口坐環、α- 、苯并硫 步地，丙 按硫磷（ 、吲唑環 啉環、D奎 二酮環、 環、硫萘 -13- 200537481 (10) 環、：巴比妥酸環、硫乙內醯脲環、四唑環、三嗪環、萘 奈卩疋、六氫吡嗪環、吡嗪環、吡唑環、吡唑啉環、 讀啉酮環、吼喃環、吼卩定環、帽 央鉍蓑吡咯啶環、焦磷酸環、吡咯環、菲那啶（ ―)環、菲啶環、菲環、菲并磷酸環、二氮雜萘環 、蝶啶環、呋咱環、呋喃環、嘌呤環、苯環、苯并啤嗪環

本并比喃環、嗎啉環及繞丹酸（『h 〇 d a η丨n e )環等環狀核 接合的著色物質。 在單甲川花青著色物質與苯乙烯基著色物質的通式中 ，Z1至Z3表示，舉例來說，例如苯環、萘環、吡啶環、 喧諾琳環及_噚啉環等芳環，且這些芳環可具有一或多個 取代基。該取代基的實施例包括例如甲基、三氟甲基、乙 基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基 、戊基、異戊基、新戊基、第三戊基、^甲基戊基、2_甲 基戊基、己基、異己基、5 -甲基己基、庚基及辛基等脂肪 族煙基；例如環丙基、環丁基、環戊基及環己基等脂環族 烴基；例如苯基、聯苯基、鄰甲苯基、間甲苯基、對甲苯 $ '二甲苯基、三甲基苯基、鄰異丙苯基、間異丙苯基及 對異丙苯基等芳香族烴基；例如甲氧基、三氟甲氧基、乙 氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、第二丁氧基、第三丁 興基、戊氧基、苯氧基及苯甲釀氧基等釀基；例如甲氧鑛 基、三氟甲氧羰基、乙氧羰基、丙氧羰基、乙醯氧基及苯 甲醯氧基等酯基；例如氟基、氯基、溴基及碘基等鹵基； 例如甲硫基、乙硫基、丙硫基、丁硫基及戊硫基等硫基； -14- 200537481 (11) 例如甲基磺醯胺基、二甲基磺醯胺基、乙基磺醯胺基、二 乙基磺醯胺基、丙基磺醯胺基、二丙基磺醯胺基、丁基磺 醯胺基及二丁基磺醯胺基等磺醯胺基；例如一級胺基、甲 基胺基、二甲基胺基、乙基胺基、二乙基胺基、丙基胺基 、二丙基胺基、異丙基胺基、二異丙基胺基、丁基胺基、 二丁基胺基及六氫吡啶基等胺基；例如甲基胺基甲醯基、 二甲基胺基甲酿基 '乙基胺基甲醯基、二乙基胺基甲醯基 # 、丙基胺基甲醯基及二丙基胺基甲醯基等胺基甲醯基；又 進一步地，羥基、羧基、氰基、硝基、亞硫醯基、磺基及 甲磺醯基等等。在通式3中，Z1與Z2可彼此相同或不同 〇 在單甲川花青著色物質與苯乙烯基著色物質的通式中 ，Y11、Y12及Y31表示碳原子或雜原子。該雜原子包括 氮原子、氧原子、硫原子、硒原及碲原子，及其他選自週 期表第XV與XVI族元素的原子。在Υ11、Υ12及Y31中 # 的碳原子可爲例如伸乙基及伸乙烯基等主要包含兩個碳原 _ 子的原子基團。在單甲川花青著色物質的通式中，Y11及 Y 1 2可彼此相同或不同。 在單甲川花青著色物質與苯乙烯基著色物質的通式中 ’ HI 1、R12、Hl3、R32及R33表示脂肪族烴基。該脂肪 族烴基的實施例包括甲基、乙基、丙基、異丙基、異丙烯 基、1-丙嫌基、2·丙烯基、丁基、異丁基、第二丁基、第 二丁基、2 -丁條基、I% 丁二烯基、戊基、異戊基、新戊 基、第三戊基、1-甲基戊基、2-甲基戊基、2_戊烯基、己 -15- 200537481 (12) 基、異己基、5 -甲基己基、庚基、辛基及其他。 Z3這些脂肪族烴基可有一或多個取代基相同。 附帶地，單甲川花青著色物質通式中的R11 苯乙烯基著色物質的通式中的R13、R32及R33 同或不同。 在單甲川花青著色物質與苯乙烯基著色物質 ，R13至R16、R34及R35在個別式中獨立地表 或適合的取代基。該取代基的實施例包括例如甲 甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第 第三丁基、戊基、異戊基、新戊基、第三戊基、 基、2-甲基戊基、己基、異己基、5-甲基己基、 基等脂肪族烴基；例如甲氧基、三氟甲氧基、乙 氧基、異丙氧基、丁氧基、第三丁氧基、戊氧基 及苯甲醯氧基等醚基；例如氟基、氯基、溴基及 基；又更進一步地，羥基、羧基、氰基及硝基。 0 川花青著色物質與苯乙烯基著色物質的通式中， _ Υ12及Υ13皆爲雜原子，Ζ1及Ζ2中的R13至R: 或全部，以及Ζ3中的R34及R35的部分或全部 〇 在偶氮金屬錯合物的通式中，Α與Α’表示彼 不同的五員到十員雜環族基，其包含一或多個選 、氧原子、硫原子、硒原子及碲原子的雜原子， 基、噻吩基、吡啶基、六氫吡啶基、六氫吡 諾基及異Df唑基。該雜環基含有一或多個取代基 如Z1至 及R12與 可彼此相 的通式中 示氫原子 基、三氟 二丁基、 1-甲基戊 庚基及辛 氧基、丙 '苯氧基 碘基等鹵 在在單甲 若 Y11 ' 1 6的部分 將不存在 此相同或 自氮原子 例如呋喃 D定基、口奎 ，例如甲 -16 - 200537481 (13) 基、三氟甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第 一丁基、第二丁基、戊基、異戊基、新戊基、第三戊基、 1-甲基戊基、2-甲基戊基、己基、異己基及5-甲基己基等 脂肪族烴基；例如甲氧羰基、三氟甲氧羰基、乙氧羰基、 丙氧羰基、乙醯氧基、三氟乙醯氧基及苯甲醯氧基等酯基 ;例如苯基、聯苯基、鄰甲苯基、間甲苯基、對甲苯基、 鄰異丙苯基、間異丙苯基、對異丙苯基、二甲苯基、三甲 • 基苯基、苯乙烯基、肉桂醯基及萘基等芳香族烴基；又進 一步地，羧基、羥基、氰基及硝基。 由通式表示之構成該偶氮金屬氧化物的偶氮化合物係 藉由普通方法，藉由含有對應至該通式的R21、R22或 R23、R24的重氮翁鹽（diazonium salt)與含有舰鄰該分 子的羧基之活性亞甲基的雜環化合物（舉例來說，異Π琴唑 酮化合物、鳄唑酮化合物、硫萘化合物、吡唑啉酮化合物 、巴比妥酸化合物、乙內醯脲化合物及繞丹酸化合物）之 β 間的反應製備。Υ21與Υ22爲選自週期表第XVI族元素之 彼此相同或不同的雜原子，例如氧原子、硫原子、硒原子 及碲原子。 以金屬錯合物的形式使用該通式所示的偶氮金屬錯合 物，該金屬（中心原子）通常有一或多個配位。充當中心 原子的金屬元素之實施例包括钪、釔、鈦、鍩、給、鈀、 鈮、鉬、鉻、鉬、鎢、锰、錫、銶、鐵、鑛、餓、銘、錯 、銥、鎳、鈀、鉑、銅、銀、金、鋅、鎘及汞，而最佳爲 鈷0 -17- 200537481 (14) 第2圖的參考編號（a )顯示與以上著色物質A的波 長有關的發射雷射光之吸收度變化。第2圖的參考編號（ b )顯示與以上著色物質B的波長有關的發射雷射光之吸 收度變化。第2圖的參考編號（c )顯示與以上著色物質 C的波長有關的發射雷射光之吸收度變化。 此外，第3圖的參考編號（a )顯示與以上著色物質 D的波長有關的發射雷射光之吸收度變化。第3圖的參考 # 編號（b)顯示與以上著色物質D的陰離子部分之波長有 關的發射雷射光之吸收度變化。 中第2圖及第3圖所示的特性可證實，在著色物質A 至D中，它們的最大吸收波長帶都偏移到比記錄波長（ 4 0 5奈米）更長的波長側。建構本具體例中說明的一次寫 入式光碟以便具有所謂的L到Η特性，其中記錄膜中包括 具以上說明的特性之有機著色物質且經雷射光發射之後得 到的光反射性比該雷射光發射之前得到的光反射性更高。 # 依此方式’即使是使用例如藍光雷射光等短波長雷射光， _ 也可利用就保存持久性、再生訊號S/N比及位元錯誤率等 而言優異的且足敷於高密度下實際使用的性能記錄並再生 資訊。 也就是說，在一次寫入式光碟中，包括該有機著色物 質的記錄膜之末端吸收波長位於比記錄用的雷射光波長更 長。由此’例如紫外線的短波長光線的吸收可降到最小， 由此得到優異的光安定性及改良的資訊記錄與再生可靠度 -18- 200537481 (15) 此外，該光反射性在資訊記錄時低，由此，沒有反射 散射發生而造成的交錯光線。因此，即使在資訊已經記錄 於毗鄰軌的情況下，仍可限制再生訊號S/N比或位元錯誤 率的下降。更進一步，可利用與熱孳生有關的高品質維持 記錄標記的對比與解析度，並可輕易地完成記錄靈敏度設 計。 爲了得到良好的L到Η特性，吾人企圖在記錄波長（ • 405奈米）時的吸收度爲0.3或更大。 在此，在當作該一次寫入式光碟的記錄與再生軌的凹 槽中，其外形對於記錄與再生特性有很大的影響。由於發 明者極度硏究的結果，具體而言，發現凹槽寬度與平面寬 度之間的關係很重要。 也就是說，若凹槽寬度等於平面寬度或者若凹槽寬度 小於平面寬度，可發現經記錄的資訊之再生訊號S/N比及 位元錯誤率傾向於降低。換言之，發現當凹槽寬度大於平 # 面寬度時，可獲得良好的記錄與再生特性。 大體上，爲了在可寫入的光碟中記錄資訊，必需預先 記錄例如在光碟中的軌跡碼、區碼、段碼及偵錯和校正（ ECC )區塊位址碼等各式各樣不同的位址資訊。 用於記錄此位址資訊的手段可藉著使該凹槽依該光碟 的徑向變成蛇行而達到。也就是說，由於蛇行而可進行位 址資訊的記錄可藉由下列手段而達到··與該位址資訊聯結 而調變蛇行頻率的手段；與該位址資訊聯結而調變蛇行振 幅的手段；與該位址資訊聯結而調變蛇行相的手段；以及 -19- 200537481 (16) 與該位址資訊聯結而調變極性反轉間隔的手段。此外，也 可使用運用平面高度及蛇行群組的變化之手段，換言之， 在平面中嵌入預製凹坑（pre-pit)的手段。 同樣地，發現此凹槽的蛇行振幅及凹槽深度等對於該 記錄與再生特性具有很大的影響。 現在，將在以下提供更明確的說明。首先，根據以下 的步驟製備供高密度R片用的碟片母版。也就是說，如第 # 4圖的參考編號（a)中所示的，製備依直徑200毫米及厚 度0.725毫米的碟子外形形成製造矽晶圓1 1的半導體。 使該矽晶圓1 1浸漬於加熱的濃縮硫酸與過氧化氫水 溶液的混合溶液（液體溫度100 °C )中5分鐘。接下來， 藉著將矽晶圓1 1浸漬於超純水中而得沖洗，並以超音波 的方式淸洗。然後，將該晶圓浸漬於70 °C超純水槽中，並 且藉由逐漸拉起而得乾燥。 接著，如第4圖參考編號（b )所示，在矽晶圓1 1表 # 面上形成電子束阻劑膜1 2。該電子束阻劑膜1 2係藉著在 ^ 矽晶圓Π表面上旋塗藉由混合並攪拌86.2重量％電子束 阻劑（可購自Nihon Zeon有限公司的ZEP520A7)對100 重量％苯甲醚溶劑（可購自Nihon Zeon有限公司的ZEP-A )得到的阻劑溶液而形成。 在該旋塗條件下，令矽晶圓 Π真空卡在轉檯上，當 轉檯的轉動停止時經由0.1微米濾材使組劑溶液1 2懸浮 於矽晶圓1 1的中心，接著令轉檯在2 5 00轉/分下轉動。 然後，如第4圖參考編號（c )所示，在電子束阻劑 -20- 200537481 (17) 膜1 2中形成凹槽1 3。這可藉由下列步驟完成：將塗布電 子束阻劑膜1 2的矽晶圓1 1置於電子束切削機的真空容器 中；抽真空到1 帕的量級；使矽晶圓1 1轉動；電子束 由電子槍1 4發射到電子束阻劑膜1 2 ;以及以電子束記錄 同心或螺旋形的溝槽圖案。 凹槽圖案記錄條件使得電子束加速電壓爲5 〇千伏， * 束電流爲120奈安培，束直徑爲110奈米，而記錄束速度 φ 爲1 . 1米/秒。此外，凹槽1 3的記錄區使得矽晶圓1 1的半 徑介於2 3到5 9毫米的範圍內。 接著，自電子束切削機的真空容器內取出凹槽13已 經記錄之後得到的矽晶圓1 1。如第4圖參考編號（d )所 示，將取出的晶圓1 1浸漬於浸漬容器1 5內含的有機顯影 液1 6中，並進行浸漬顯影，藉以形成凹槽1 3的阻劑圖案 〇 接下來，如第4圖參考編號（e )所示，進行鎳膜的 0 DC濺鍍，藉以形成鎳薄膜1 7而使以上說明的阻劑圖案表 面具導電性。 之後，如第5圖參考編號（a )所示，在鎳薄膜1 7上 進行鎳電鑄而形成厚度247微米的鎳電鑄金屬層1 8。如第 5圖參考編號（b )所示，等鎳電鑄金屬層1 8已經解下來 並旋轉淸洗之後，藉由氧RIE釋放表面上剩餘的阻劑。接 著，如第5圖的參考編號（c )所示，在鎳電鑄金屬層1 8 上形成保護膜，拋光背面，加工內徑與外徑，並製造碟片 母版19。 -21 - 200537481 (18) 接下來，使用碟片母版19製造一次寫入式光碟。也 就是說，藉著使用碟片母版1 9，如第6圖參考編號（b ) 所示，利用如第 6圖參考編號（b )所示，可購自 Sumitomo Heavy Industry有限公司的射出成型裝置 SD40 進行射出成型複製厚度〇 · 6毫米的聚碳酸酯製的透明性碟 片基材20。當然，要在碟片基材20上形成凹槽21。 然後，如第6圖參考編號（c )所示，使用噴嘴直徑 # 2 1 G的分配器22，使後文中說明之藉著使有機著色物質溶 於溶劑而得到的有機著色物質溶液2 3懸於上面形成凹槽 21的碟片基材20面上。接下來，旋轉控制碟片基材20， 藉以，如第6圖參考編號（d )所示，將有機著色物質溶 液23塡入凹槽21中，並形成記錄膜24。 在記錄膜24的旋塗條件下，如第7圖所示，首先， 驅動而使該碟片基材20在1秒以內由其無作用的狀態達 到3 0 0轉/分。使碟片基材維持在此狀態下8秒，藉由分 配器22塗布該有機著色物質溶液23。其後，令碟片基材 > 20的轉數在2秒以內提高到ι80〇轉/分，並使該碟片基材 維持在此狀態下1 5秒。然後，令碟片基材20的轉數在2 秒以內提高到3 000轉/分，並使該碟片基材維持在此狀態 下3秒。 記錄膜24的膜厚度可藉由控制第二狀態下的轉數而 得控制。也就是說，記錄膜24的膜厚度可藉由降低第二 狀態下的轉數而增加。 接下來，使用淸潔烘烤令塗布記錄膜24的碟片基材 -22- 200537481 (19) 2 0在8 (TC下烘烤3 0分鐘，且如第6圖參考編號（e )所 示，在記錄膜24上濺鍍1〇〇奈米金屬膜25。關於金屬膜 2 5，儘管使用的是含1 % AgN D與1 % C11的銀合金，但也 可使用純銀。 之後，如第6圖參考編號（f)所示，在金屬膜25上 旋塗紫外線可硬化的樹脂26，並黏附厚度0.6毫米的聚碳 * 酸酯製碟片基材27，藉以製造記錄膜24中包括有機著色 φ 物質的一次寫入式光碟（R片）28。 如第8圖所示，如以上說明而製造的一次寫入式光碟 28中，令藉由光學頭29記錄且再生的雷射光由與該碟片 基材20塗布記錄膜24之面相反的那一面入射。 在此例中，製得充當供記錄資訊用的軌跡之碟片基材 2 0上形成的凹槽2 1之底面2 1 a及夾在相鄰凹槽2 1之間的 平面3 0。由凹槽2 1的底面2 1 a形成的記錄軌稱爲凹槽軌 Gt，而由平面3 0形成的記錄軌稱爲平面軌Lt。 .# 凹槽軌Gt面相對於平面軌Lt的高度差稱爲凹槽深度

Gh。更進一步，在該凹槽深度Gh實質上1/2高度見到的 凹槽軌Gt寬度稱爲凹槽寬度Gw，而在該凹槽深度Gh實 質上1/2高度見到的平面軌Lt寬度稱爲平面寬度Lw。 如以上說明的’使凹槽軌Gt變成蛇行以記錄各式各 樣位址資訊。第9圖參考編號（a )顯示相鄰凹槽軌Gt在 同一相中的例子，第9圖參考編號（b )顯示相鄰凹槽軌 Gt在相反相中的例子根據一次寫入式光碟2 8的區域，相 鄰凹槽軌Gt有各式各樣的相差。 -23- 200537481 (20) 現在，將在此說明以上說明的有機著色物質溶液2 3 的產生。關於此有機著色物質溶液2 3，使用藉著將1 ·2重 量％的有機著色物質粉末溶在1 00毫升TFP中而製得之溶 液濃度1 . 2 %的溶液。溶劑的溶液條件爲將著色物質粉末 置於溶液中，並使最後得到的溶液蒙受超音波處理3 0分 鐘。 * 關於有機著色物質，除了先前說明的四種著色物質A φ 至D以外，藉由混合這些著色物質之中的二或多種而製成 七種混合型著色物質F至L。 混合型著色物質F藉著添加5%著色物質B到著色物 質D，換言之，藉著以〇 · 〇 5對1克的比例混合著色物質B 與著色物質D而製成。 混合型著色物質G藉著以7 : 3 ( =D : E )的比例混 合當作著色物質E的單甲川花青著色物質（陰離子部分 的偶氮金屬錯合物3 )與著色物質D，再進一步，添加5 % # 著色物質B，換言之，以0.05對1克的比例混合著色物質 B與藉著以7 : 3的比例混合著色物質D與E得到的著色 物質而製成。 混合型著色物質Η藉著以1 : 1 ( =D : A )的比例混 合著色物質A與著色物質D而製成。 混合型著色物質I藉著添加1 〇%著色物質B到著色物 質D，換言之，藉著以〇· 1 〇對1克的比例混合著色物質B 與著色物質D而製成。 混合型著色物質】藉著添加1 5 %著色物質B到著色物 -24 - 200537481 (21) 質D，換言之，藉著以0.1 5對1克的比例混合著色物質B 與著色物質D而製成。 混合型著色物質K藉著將陰離子部分的偶氮金屬錯合 物1添加到著色物質D，提高陰離子比例使該著色物質部 分：陰離子部分爲1:1.5，再進一步，添加15 %著色物質 Β。 ‘ 混合型著色物質L藉著將陰離子部分的偶氮金屬錯合 φ 物1添加到著色物質D，提高陰離子比例使該著色物質部 分：陰離子部分爲1:2.0，再進一步，添加15 %著色物質 Β。 第1 0圖參考編號（a )到（g )各自顯示與以上說明 的著色物質F至L的波長有關之發射雷射光的吸收度變化 。同樣地在該混合型著色物質F至L任一型中，最大吸收 波長將偏移到比記錄波長（4 0 5奈米）更長的波長，且在 記錄波長（4 0 5奈米）的吸收度在實質〇 · 4的附近。

藉著使用11種以上說明的有機著色物質A至D及F 至L，根據以上說明的方法製造一次寫入式光碟28，並在 製成的碟片之凹槽軌Gt上進行記錄與再生，藉以進行評 估試驗。關於評估裝置，使用可自Pulse Tech有限公司購 得的光碟評估裝置。 試驗條件如下：光學頭2 9的接物鏡開口 N A爲0.6 5 ;用於記錄與再生的雷射光波長爲405奈米；以及在記錄 與再生期間的線性速度爲6.6 1米/秒。獲得調變於8至1 2 範圍內的不規則資料形式之記錄訊號。也就是說，如第1 1 -25- 200537481 (22) 圖所示獲得由固定記錄能量及兩種偏壓能量1與2記錄的 波形形式之記錄訊號。 此外，軌距爲400奈米，且凹槽寬度Gw爲「1.1」而 平面寬度爲「1」。凹槽軌Gt的蛇行振幅爲1 4奈米，且 凹槽深度Gh爲90奈米。使用蛇行相調變記錄蛇行的位址 資訊。 ’ 在此，評估特性包括：三種測量，即，再生訊號的載 φ 波雜訊比CNR、在部分回應期間的S/N比例PRSNR及模 擬位元錯誤率SbER。PRSNR及SbER在相鄰軌中皆已記 錄資訊的狀態下測量。 第12圖顯示使用著色物質A至D及F至L的一次寫 入式光碟2 8各自的測量結果。由第1 2圖所示的測量結果 判斷，發現CNR、PRSNR及SbER的測量結果在使用著色 物質B及C之各自一次寫入式光碟28中都不夠。 相較之下，在使用著色物質A、D、F、G、H、I、J、 • K及L之各自一次寫入式光碟2 8中都得到良好的測量結 果。儘管使用著色物質A的一次寫入式光碟2 8之測量結 果也很好，但是使用著色物質D的一次寫入式光碟28之 測量結果特別好。更進一步地，使用著色物質F、I、j、κ 及L之各自一次寫入式光碟2 8的測量結果都屬優異。 接下來，對各個使用測量結果都良好的著色物質D、 F、G、H、I、J、K及L之一次寫入式光碟28進行評估反 覆再生造成的退步程度之試驗。也就是說，在0.8毫瓦的 再生雷射能量下進行次再生，並測量PRSNR及 -26- 200537481 (23)

SbER的退步程度。 第13圖顯示使用著色物質d、F、G、H、I、J、K& L之各自一次寫入式光碟28的測量結果。發現PR SNR及 SbER各自的測量結果在使用著色物質g的一次寫入式光 碟28中並不好。比起使用著色物質d的一次寫入式光碟 2 8的測量結果，使用著色物質ρ、η、I、j、κ及l之各 * 自一次寫入式光碟2 8的測量結果皆屬良好。 Φ 當中，具體而言，使用著色物質J、K及L之各自一 次寫入式光碟2 8的測量結果都好，而使用著色物質L之 額外型光碟2 8的測量結果最佳。 如以上說明的，發現著色物質部分含有苯乙烯基著色 物質或單甲川花青著色物質且陰離子部分含有偶氮金屬錯 合物的材料充當用於記錄膜24的有機著色物質材料很好 〇 此外，發現苯乙烯基著色物質與單甲川花青著色物質 φ 的混合物很好。更進一步地，發現有鎳金屬錯合物加入其 中的材料很優異。再者，發現提高陰離子部分的偶氮金屬 錯合物之混合比例將導致優異的再生光線持久性。 接下來，製造八種碟片母版丨9而凹槽深度Gh分別地 定義爲30奈米、50奈米、70奈米、90奈米、110奈米、 120奈米、130奈米及150奈米；藉由使用各種碟片母版 19製造利用著色物質J的一次寫入式光碟28;並在凹槽 軌Gt上進行記錄與再生，藉以進行評估試驗。 評估特性包括三種測量，即，記錄訊號的SbER、 -27- 200537481 (24) PRSNR及CNR (載波對雜訊比）。第14圖顯示SbNR 相對於凹槽深度Gh的測量結果。第1 5圖顯示PRSNR相 對於凹槽深度Gh的測量結果。 有關CNR，當凹槽深度Gh爲30奈米時定義爲35分 貝；當凹槽深度Gh爲50奈米時爲40分貝；當凹槽深度 Gh爲70奈米時爲53分貝；當凹槽深度Gh爲90奈米時 ‘ 爲55分貝；當凹槽深度Gh爲110奈米時爲51分貝；當 Φ 凹槽深度Gh爲120奈米時爲50分貝；當凹槽深度Gh爲 130奈米時爲45分貝；而當凹槽深度Gh爲150奈米時爲 38分貝。 在此，較佳地 SbER爲 5.0 X 1(Γ5或更低。較佳地 PRNSR爲15或更大。吾人企圖CNR爲40分貝或更大， 又更佳地50分貝或更大。 由此，當這些條件應用於第1 4及1 5圖，及以上說明 的CNR時，發現凹槽深度Gh介於50到130奈米的範圍 • 內，藉以可獲得良好的特性。更佳地，凹槽深度Gh介於 ^ 70到1 10奈米的範圍內，且發現最佳在90奈米附近。 由以上說明的SbER、PRSNR及CNR顯示相對於使用 著色物質J的一次寫入式光碟，蛇行深度Gh已改變的情 況下之測量値。然而，同樣地相對於使用其他著色物質D 、F、G、Η、I、K及L的一次寫入式光碟，獲得蛇行深度 Gh已經改變的情況下SbER、PRSNR及CNR的測量結果 無論在任何例子中，在蛇行深度Gh爲5 0至1 3 0奈米的範 圍內都很好。 -28- 200537481 (25) 更進一步地，經檢查凹槽再生訊號（來自凹槽的訊號 )之後’發現在低到高的碟片之例子中獲得介於0.20到 0.70之範圍內的推拉訊號（n-i2 ) pp/ ( 11+12 ) DC。 再者，已發現經切分的推拉訊號（II -12 ) pp/ ( 11+12 ) D C介於0 · 3到0 · 7 5之範圍內。再者’已發現當未記錄的 凹槽藉由系統導入區的長凹坑上層lilt循軌時藉由切分反 射光量lot得到的軌上訊號l〇t/I 1 1 t介於0.3到0.65的範 φ 圍內。 此外，儘管凹槽的相深度較佳爲1 8 0。或更小，但發現 即使此深度爲9 0。或更小都沒有問題。 第16圖參考編號（a) 、 （b)各自顯示與三種使用 以上說明的著色物質J和L，以及用單一偶氮金屬錯合物 充當有機金屬錯合物製得的著色物質F製造的一次寫入式 光碟有關之再生計數相對於再生能量的測量結果。在此例 中，再生計算假設SbER爲1·〇 X 1(Γ4或更小。 φ 關於化學式1中的著色物質P，使用Μ定義爲Cu， R1到R3定義爲CH3，且R4和R5定義爲Cl的著色物質 〇 化學式1 : -29- 200537481

舉例來說， M:Cu、Zn、Ni R!、R2、R3、R4、R5 : CH3、CxHy、H、Cl、F、NO2、 SO2NHCH3 第1 7圖參考編號（a ) 、（ b )各自顯示與各個使用 以上說明的著色物質J、L及P製造的一次寫入式光碟有 關之再生計數相對於再生能量的測量結果。在此例中，再 生計算假設SbER爲5.0 X 1(Γ5或更小。 由第1 6及1 7圖顯然可見，無論任何例子中，使用著 色物質L製造的一次寫入式光碟在再生能量0.4毫瓦的附 件都具有良好的結果。 在此，在第18圖參考編號（a)所示的實施例中，將 凹槽上的記錄膜厚度設定爲79奈米，且平面上的設定爲 3 6奈米。在此，在第1 8圖參考編號（b )所示的實施例中 ，將凹槽上的記錄膜厚度設定爲7 9奈米，且平面上的設 定爲56奈米。相對地，如第1 8圖參考編號（〇 )所示在 -30- 200537481 (27) 傳統CD-R或DVD-R中的記錄膜厚度變得非常小。 將凹槽上的記錄膜厚設定在50到1 20奈米的範圍內 ，且平面上設定在20至70奈米的範圍內，藉以可顯著地 改良 RPSNR、SbER、蛇行串音或徑向偏差。此外，藉著 將凹槽上的記錄膜厚度對平面上的記錄膜厚度之比例設定 於1 · 3至3可得到良好的結果。更進一步地，有效的是分 ^ 別地將凹槽寬度與凹槽深度設於在220到2 70奈米的範圍 φ 內及50至80奈米的範圍內。 再者，如第19圖參考編號（b )所示，藉由使用該具 體例中說明的著色物質，在一次寫入式光碟的記錄膜上形 成記錄標記而無任何不規則變化。習慣上，在用於使例如 衝孔系統等基材變形的不規則外形中形成記錄系統。 本發明並不限於以上說明的具體例。在實施階段時， 會發生構成元件的各種不同修飾而不會悖離本發明的精神 。此外，各式各樣的發明皆可藉由適當地結合以上具體例 • 中揭示的多種構成元件而形成。舉例來說，有些該具體例 .中揭示的構成元件可省略。再者，根據不同具體例的構成 元件可彼此適當地結合。 膜 各化 錄 例變 記 施的 的 實度 例；個收 體式三吸 具圖的之 一 之中光 之用例波 明例體光 發施具射 本實該雷 據之與的 根料於關 個材對有 四 質相料 釋物釋材 1 解色解質 明供著供物 說爲機爲色 單圖有圖著 簡 1 的 2 機 式第括第有 圖包的 t 中自 -31 - 200537481 (28) 用之特徵圖式； 第3圖爲供解釋相對於與該具體例剩餘的一個實施例 的有機著色物質材料有關的雷射光波光之吸收度的變化用 之特徵圖式； 第4圖爲供解釋用於製造供製造本具體例的一次寫入 式光碟用的碟片母版（stamper)之方法的一部分用之圖式 ， 第5圖爲供解釋用於製造供製造本具體例的一次寫入 式光碟用的碟片母版之方法其餘部分用之圖式； 第6圖爲供解釋用於製造本具體例的一次寫入式光碟 之方法用的圖式； 第7圖爲供解釋根據用於製造本具體例的一次寫入式 光碟之方法的有機著色物質溶液的旋塗條件用的圖式； 第8圖爲供解釋該具體例的一次寫入式光碟之凹槽與 平面之間的關係用之圖式； 第9圖爲供解釋該具體例的一次寫入式光碟之凹槽軌 道的蛇行（wobble )用之圖式； 第1 〇圖爲供解釋相對於與該具體例中的記錄膜中包 括之其他七個實施例各自的有機著色物質材料有關的雷射 光波光之吸收度的變化用之特徵圖式； 第1 1圖爲顯示經記錄以進行供該具體例的一次寫入 式光碟的記錄與再生之評估用的評估試驗之訊號實施例的 波形圖； 第1 2圖爲供解釋該具體例的1 1個有機著色物質材料 -32- 200537481 (29) 實施例已經經過一次寫入式光碟評估試驗之後得到的測量 結果用之圖式； 第1 3圖爲供解釋該具體例的8個有機著色物質材料 實施例已經經過一次寫入式光碟再生持久性試驗之後得到 的測量結果用之圖式； 第14圖爲供解釋該具體例中的一次寫入式光碟的蛇 行深度與模擬位元錯誤率之間的相互關係用之特徵圖式； φ 第15圖爲供解釋在該具體例中的一次寫入式光碟部 分回應期間的蛇行深度與S/N比之間的相互關係用之特徵 圖式； 第1 6圖爲供解釋該具體例的三個有機著色物質材料 實施例已經經過一次寫入式光碟再生試驗時的測量結果用 之圖式， 第1 7圖爲供解釋該具體例的三個有機著色物質材料 實施例已經經過一次寫入式光碟另一種再生試驗時的測量 # 結果用之圖式； 第18圖爲供解釋該具體例的一次寫入式光碟之凹槽 與平面上形成的記錄膜厚度用之顯微圖片； 第1 9圖爲供解釋該具體例的一次寫入式光碟之記錄 膜上形成的記錄標記用之顯微圖片。 【主要元件符號說明】 G h :凹槽深度

Gt :凹槽軌 -33- 200537481 (30)

Gw :凹槽寬度 Lt :平面軌 L w .平面寬度 1 :偶氮金屬錯合物 2 :偶氮金屬錯合物 1 1 :砂晶圓 1 2 :電子束阻劑膜

1 5 :浸漬容器 1 6 :有機顯影液 1 7 :鎳薄膜 1 8 :鎳電鑄金屬層 19 :碟片母版 2 0 :透明性碟片基材 2 1 :凹槽

2 2 :分配器 23 :有機著色物質溶液 24 :記錄膜 2 5 :金屬膜 2 6 :紫外線可硬化的樹脂 27 :碟片基材 28: —次寫入式光碟 29 :光學頭 -34 200537481 (31) 3 〇 :平面

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Claims (1)

1. 200537481 (1) 十、申請專利範圍 1· 一種一次寫入式資訊記錄介質，其包含·· 具同心或螺旋形的溝槽（2 1 )及形成於其上的平面（ 3 〇 )之透明性樹脂基材（2 0 );以及 形成在該透明性樹脂基材（20 )的溝槽（2 1 )與平面 (3 0 )上的記錄膜（24 )，藉由短波長雷射光束的發射而 在該介質上形成記錄標記， 其中藉由該短波長雷射光束的發射而形成之記錄標記 部分的光反射性比該短波長雷射光束的發射之前得到的光 反射性更高，且該溝槽（2 1 )的深度介於5 0至8 0奈米。 2 ·如申請專利範圍第1項之一次寫入式資訊記錄介 質，其中該溝槽（21)的寬度係介於220至270奈米的範 圍。 3 .如申請專利範圍第1項之一次寫入式資訊記錄介 質，其中模擬位元錯誤率爲5 · 0 X 1 (Γ5或更小。 4 ·如申請專利範圍第1項之一次寫入式資訊記錄介 質，其中局部回應期間的S/N比爲1 5或更大。 5 ·如申請專利範圍第1項之一次寫入式資訊記錄介 質，其中記錄訊號的CNR爲40 dB或更大。 6 ·如申請專利範圍第1項之一次寫入式資訊記錄介 質，其中該記錄膜（24 )(其有一部分或全部皆係由著色 物質部分與有機金屬錯合物構成的陰離子部分組成）包括 有機著色物質，而其最大吸收波長帶存在於比該短波長雷 射束的波長更長之波長側。 -36- 200537481 (2) 7 ·如申請專利範圍第6項之一次寫入式資訊記錄介 質’其中該有機著色物質含有由苯乙烯基著色物質或單甲 川花青著色物質構成的著色物質部分，且含有主要由例如 鈷或鎳等金屬組成之有機金屬錯合物構成的陰離子部分。 8.如申請專利範圍第6項之一次寫入式資訊記錄介 質，其中該有機著色物質爲由下列所形成的混合型著色物 質：由苯乙烯基著色物質或單甲川花青著色物質構成的著 B 色物質部分及主要由例如鈷或鎳等金屬組成之有機金屬錯 合物構成的陰離子部分所組成之第一種著色物質；以及由 金屬錯合物構成的第二種著色物質。 9 ·如申請專利範圍第6項之一次寫入式資訊記錄介 質，其中該有機著色物質含有由苯乙烯基著色物質或單甲 .川花青著色物質構成的著色物質部分，且含有主要由例如 鈷或鎳等金屬組成之有機金屬錯合物構成的陰離子部分， 該陰離子部分的比率大於該著色物質部分的比率。 ^ 10.如申請專利範圍第6項之一次寫入式資訊記錄介 質，其中該有機著色物質爲由下列所形成的混合型著色物 質：由苯乙烯基著色物質或單甲川花青著色物質構成的著 色物質部分及主要由例如鈷或鎳等金屬組成之有機金屬錯 合物構成的陰離子部分所組成之第一種著色物質；以及主 要由例如鈷或鎳等金屬組成之有機金屬錯合物構成的第二 種著色物質。 11.如申請專利範圍第6項之一次寫入式資訊記錄介 質，其中該有機著色物質爲由下列所形成的混合型著色物 -37- 200537481 (3) 質：由苯乙烯基著色物質或單甲川花青著色物質構成的著 色物質部分及主要由例如鈷或鎳等金屬組成之有機金屬錯 合物構成的陰離子部分所組成之第一種著色物質；以及主 要由例如鈷或鎳等金屬組成之有機金屬錯合物構成的第二 種著色物質；以及由金屬錯合物構成的第三種著色物質。 12. 如申請專利範圍第6項之一次寫入式資訊記錄介 ~ 質，其中該有機著色物質係由以下的步驟形成：將該陰離 φ 子部分的偶氮金屬錯合物加入由單甲川花青著色物質構成 的著色物質部分及偶氮金屬錯合物構成的陰離子部分組成 的著色物質而得到1 : 1.5之該著色物質部分與該陰離子 部分之間的比率，更進一步地，添加1 5 %的鎳錯合物著色 物質。 13. 如申請專利範圍第6項之一次寫入式資訊記錄介 質，其中該有機著色物質係由以下的步驟形成：將該陰離 子部分的偶氮金屬錯合物加入由單甲川花青著色物質構成 0 的著色物質部分及偶氮金屬錯合物構成的陰離子部分組成 的著色物質而得到1:2.0之該著色物質部分與該陰離子 部分之間的比率，更進一步地，添加1 5%的鎳錯合物著色 物質。 14. 如申請專利範圍第6項之一次寫入式資訊記錄介 質，其中該記錄膜（24 )(其有一部分或全部皆係由著色 物質部分與有機金屬錯合物構成的陰離子部分組成）包括 有機著色物質，而其最大吸收波長帶存在於比該短波長雷 射束的波長更長之波長側。 -38-