200534930 to ， 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明關於一種製造光學補償片之方法及光學補償 片，而且更特別是關於一種製造光學補償片之方法及光學補 償片，其係由形成於基板上之定向層與形成於定向層上之液 晶層組成。 【先前技術】 液晶顯示裝置係由液晶胞、偏光元件與光學補償片（相 φ 差板）組成。光學補償片係用於排除影像變色及將視角放 、 大。至於光學補償片，現已使用拉製聚合物膜。然而，近年 來已提議使用在透明基板上具有由液晶分子形成之光學各 向異性層之光學補償片取代拉製聚合物膜。 此光學補償片係藉由在將聚合物片連續地進料時，將定 向層塗覆於長聚合物片表面上，將其脫水，在定向層表面上 應用磨擦處理，及將液晶化合物於有機溶劑之溶液塗佈.於定 向層上而製造（參見日本專利申請案公開第2003 -32983 3 •號）。將如此製造之光學補償片運送及輸送至製造者，然後 接受皂化且處理成偏光板。偏光板之皂化係在約25至80°C 之溫度使用皂化液體實行，如濃度爲5至20重量％之氫氧化 鈉（參見日本專利申請案公開第2002-267839號）。 【發明內容】 然而，習知光學補償片因在偏光板程序之皂化步驟中移 除膜而有問題。 本發明係就此問題而完成，而且關於提供一種製造可防 200534930 * > 膜移除之光學補償片之方法，及光學補償片。 爲了達成此目的，依照本發明之第一態樣，提供一種製 造光學補償片之方法，其包括以下步驟： 定向層塗覆步驟，其中在使基板行進時將定向層塗覆於 長基板之表面上；及 液晶層塗覆步驟，其中將液晶層塗覆於定向層上； 其中液晶層係塗覆成比定向層寬，因而以液晶層覆蓋定 向層。 • 依照本發明之第一態樣，由於定向層係以抗化學性較定 向層高之液晶層覆蓋，其可在形成液晶層後實行之皂化時防 止膜移除。 本發明之第二態樣之特徵爲，依照第一態樣之方法進一 步包括在定向層塗覆步驟前之皂化步驟，其中基板表面係以 比塗覆之定向層寬而皂化。在此方法中，定向層係塗覆於在 應用皂化之步驟中皂化之區域內。 ， 依照本發明之第二態樣，由於定向層係塗覆於皂化區域 # 內，在定向層之全部表面上改良定向層與基板間之黏著性。 因此，可在塗覆定向層後之磨擦處理時防止膜移除。 依照本發明之第三態樣，爲了達成上述目的，提供一種 包括在基板表面上之定向層及在定向層上之液晶層之光學 補償片，其中定向層係以液晶層覆蓋。 依照本發明之第三態樣，由於定向層係以具有抗化學性 較定向層高之液晶層覆蓋，其可在光學補償片之皂化時防止 膜移除。 200534930 依照本發明之第四態樣，在依照第三態樣之光學補償片 中，定向層特徵爲形成於基板上比定向層寬之皂化區域內。 依照本發明之第四態樣，由於定向層係形成於皂化範圍 內，在定向層之全部表面上改良定向層與基板間之黏著性。 因此，可在塗覆定向層後之磨擦處理時防止膜移除。 依照一種製造光學補償片之方法及光學補償片，其可在 形成液晶層之皂化時防止膜移除。 【實施方式】 • 以下參考附圖敘述依照本發明製造光學補償片之方法 及光學補償片之較佳具體實施例。 第1圖顯示一種應用本發明而製造光學補償片之方法之 組成的方塊圖。 如第1圖所示，光學補償片係藉皂化步驟、定向層塗覆 步驟、磨擦步驟、及液晶層塗覆步驟製造。 在皂化步驟中，將鹼溶液以L1之寬度塗佈於長片上（參 見第2圖）。然後將片在室溫或更高靜置預定之時間。繼而 •將稀釋溶劑或酸性溶液塗佈於片以終止片上發生之反應。然 後在自片清洗鹼溶液後，將片乾燥。使如此皂化之片接受定 向層塗覆步驟。在此步驟中，在皂化片表面上藉塗覆形成寬 度爲L2之定向層（參見第2圖），繼而脫水。以此方式， 在片表面上形成定向層。 使具有定向層形成於其上之片接受磨擦處理步驟。在磨 擦處理步驟中，以磨擦輥等磨擦定向層之表面。 使經磨擦處理之片接受液晶塗覆步驟。在液晶塗覆步驟 200534930 中，藉塗覆形成寬度爲L3之液晶層（參見第2圖）。液晶 層係以UV照射乾燥及硬化。以此方式，製造其中定向層形 成於片基板上，及液晶層形成於定向層上之光學補償片。 第2圖爲用於顯示塗層寬度L 1、L2與L3間關係之光學 補償片切面圖。更特別地，第2圖沿厚度方向略示地顯示光 學補償片切面圖。在此圖中，參考號碼10代表片，參考號 碼1 2爲皂化部份（即，塗佈鹼溶液之部份）。此外，參考 號碼1 4代表定向層及參考號碼1 6爲液晶層。 如第2圖所示，鹼溶液之塗層寬度L 1係以大於定向層 之塗層寬度L2而形成。換言之，定向層係形成於以鹼溶液 塗覆之區域內。 液晶層之塗層寬度L3係以大於定向層之塗層寬度L2 而形成。定向層係以液晶層完全地覆蓋。液晶層較佳爲每側 更寬1毫米或更大，而且更佳爲每側更寬2毫米或更大。 應注意，鹼溶液之塗層寬度L1與液晶層之塗層寬度L3 間之關係並未特別地限制。 現在敘述上述方法製造之光學補償片之功能。 將如此製造之光學補償片運送及輸送至製造者，然後由 製造者處理成偏光板。在偏光板處理步驟中，將光學補償片 之背面皂化。在皂化中，較佳爲將鹼溶液僅塗佈於光學補償 片之背面。視情況地，可使用一種將光學補償片完全地浸於 鹼溶液中之方法。因此，在定向層之抗化學性低時，其與鹼 溶液反應，結果可能發生膜移除。 相對地，依照本發明之一個具體實施例，定向層係以抗 200534930 化學性較定向層高之液晶層覆蓋。因此，即使光學補償片係 全部皂化，定向層仍不與鹼溶液接觸。因此，其可防止定向 層移除。 此外，在習知光學補償片生產線上，在將定向層塗覆及 乾燥時，定向層與片間之黏著性在厚度方向之邊緣部份變 弱，結果在磨擦處理時，定向層可能在邊緣部份處自片移除。 相反地，在本發明之此具體實施例中，由於定向層係形 成於皂化區域內，全部定向層與片間之黏著性改良。由於定 • 向層之邊緣部份堅固地緊緊黏附於片，即使是應用磨擦處 理，其無自片移除皂化層之可能性。因此，其可在磨擦處理 時防止膜移除。 在上述具體實施例中應注意，塗層寬度L1與L3均設定 爲大於塗層寬度L2之程度。然而，只要塗層寬度L3大於塗 層寬度L2，則仍滿足本發明。因此，例如，如第3圖所示， 塗層寬度L 1可小於塗層寬度L2。亦在此情形，因將塗層寬 度L3設定爲大於塗層寬度L2，其可在以後實行之皂化步驟 Φ時防止膜移除。 此外，在以上之具體實施例中，爲了在皂化區域內形成 定向層而不失敗，及將定向層完全地以液晶層覆蓋，較佳爲 使用原料片自動排列系統或晶圓排列系統。 在原料片自動排列系統中，在將片自具有原料片儲存於 其中之進料器進料時，實行原料片邊緣排列。藉由排列原料 片邊緣，在配置於下游之塗覆單元中可容易地使片位置及塗 覆位置彼此相符。例如，原料片自動排列系統係由紅外光投 200534930 . > 射單元、第二影像感應器、及影像處理裝置組成。藉紅外光 投射單元將紅外光自上方歪斜地施加於原料片之邊緣部 份。繼而藉第二影像感應器自上方取得照射之邊緣部份之影 像。基於此影像，偵測原料片之邊緣部份之位置。基於原料 片之邊緣部份之位置，藉兩段速率移位裝置控制原料片之左 右移動速率。以此方式，在配置於下游之塗覆單元中可按所 需位置排列原料片之邊緣，及降低片與塗覆位置間之位置偏 差。 另一方面，在各步驟中進料時使用晶圓排列系統排列片 之位置。在連續地實行皂化步驟、定向層塗覆步驟、及液晶 層塗覆步驟時，此系統特別有用。藉由在塗覆後排列片，可 改良塗覆之位置準確性。至於晶圓排列系統，在寬片之情形 可使用邊緣排列控制單元（例如，Nireko製造之EPC裝置） 或中央位置控制單元（例如，Nireko製造之CPC裝置）。 晶圓排列系統可應用於捲片步驟，以在捲繞時排列片之邊緣 部份。 現在更特別地敘述上述之片及個別步驟。 [聚合物膜] 在此使用之聚合物膜較佳爲具有 80 %或更大之透光 率。較佳之聚合物膜爲即使是在施加外力時，其中幾乎不發 生雙折射者。此聚合物含可水解鍵，如酯鍵或醯胺鍵（受皂 化侵蝕之鍵）。關於此點，酯鍵較佳，而且存在於聚合物側 鏈處之酯鍵更佳。至於在其側鏈處具有酯鍵之聚合物，纖維 素酯爲典型實施例。纖維素之低碳脂族酯更佳，乙酸纖維素 -10- 200534930 進一步較佳，而且乙醯化程度爲59.0至61.5%之乙酸纖維素 最佳。在此使用之乙醯化程度指每單位纖維素之鍵結至纖維 素之乙酸量。乙醯化程度係基於ASTM: D-817-91 (乙酸纖 維素等之測試方法）而測定及計算。 纖維素酯之聚合黏性程度（DP)較佳爲250或更大，而且 更佳爲290或更大。用於本發明之纖維素酯較佳爲具有窄分 子量分布Mw/Mn (Mw表示質量平均分子量，及Μη表示數 量平均分子量），其係藉凝膠穿透層析術而得。更特別地， # Mw/Mn之値較佳爲1.0至1.7，更佳爲1.3至1.65，而且最 佳爲1.4至1 . 6。 用於光學補償片之聚合物膜較佳爲具有高遲滯値。膜之 Re遲滯値及Rth遲滯値各由以下方程式（I)及（II)定義。 (I) Re = |nx-ny| X d (II) Rth= I (nx + ny)/2-nz I X d 在方程式（I)及（II)中，nx表示沿面內遲滯軸之折射率 (最大折射率）；ny表示沿面內進相軸之折射率（最小折射 鲁率nz表示膜厚度方向之折射率；及d表示以奈米等級之 單位表示之厚度。聚合物膜之Re遲滯値較佳爲1至200奈 米，及Rth遲滯値較佳爲70至400奈米。特定値係藉由以 對膜表面爲垂直方向之一定角度施加入射光，及將測量結果 外插而得。測量係使用橢圓儀（例如，Nippon Bunko製造之 M-150 )實行。至於波長，使用63 2.8奈米（He-Ne雷射）。 聚合物膜之遲滯通常藉由施加外力（如牽引力）而控 制。在此情形，爲了控制光學各向異性，可如所需添加遲滯 -11- 200534930 « ^ 增加劑。遲滯增加劑之分子量較佳爲300至800。此外，爲 了控制纖維素醯化物膜之遲滯，較佳爲使用具有至少兩個芳 環之芳族化合物作爲遲滯增加劑。以1 00質量份之纖維素醯 化物計，此芳族化合物較佳爲以0.01至20質量份，更佳爲 〇·〇5至15質量份，而且進一步較佳爲0.1至1〇質量份之量 使用。此外，可添加不少於兩型之芳族化合物。 除了芳族碳氫環，此芳族化合物之芳環包括芳族雜環。 至於芳族雜環，不飽和雜環通常特佳，即，1，3,5-三阱環。 • 含於此芳族化合物之芳環數量較佳爲2至20個，更佳爲2 至12個，進一步較佳爲2至8個，而且最佳爲3至6個。 兩個芳環之鍵結形式可分類成（a)形成縮合環之情形， (b)將其以單鍵直接鍵結之情形，及（c)將其經連接基鍵結之 情形（由於欲連接芳環，連接基不形成螺鍵）。任何鍵結形 式（a)至（c)均可接受。 縮合環（a)(不少於兩個芳環形成之縮合環）之實施例包 括印環、萘環、奠環、弗環、菲環、恵環、乙稀合萘環、稠 •四苯環、芘環、吲哆環、異吲哆環、苯并呋喃環、苯并噻吩 環、卩引咳哄環、苯并曙Π坐環、苯并噻Π坐環、苯并咪U坐環、苯 并三唑環、嘌呤環、茚唑環、色烯環、喹啉環、異喹啉環、 喹哄環、喹唑啉環、噌啉環、喹曙啉環、酞阱環、喋啶環、 咔唑環、吖啶環、啡啶環、咕吨環、吩阱環、吩噻阱環、吩 噻哄環、吩噁阱環、與噻蒽環。其中，萘環、葜環、吲哆環、 苯并噚唑環、苯并噻唑環、苯并咪唑環、苯幷三唑環、與喹 B林環較佳。 -12- 200534930 . 、 單鍵（b)較佳爲兩個芳環碳原子間之鍵連接。兩個芳環 可經不少於兩個單鍵鍵結，而在兩個芳環間形成脂環或非芳 族雜環。 連接基（c)可在兩個芳環碳原子間鍵結。此連接基較佳爲 伸烷基、伸烯基、伸炔基、-CO-、-〇-、-NH-、-S-、或其組 合。以下顯示藉由組合這些連接基而形成之連接基之實施例 (cl至cl5)。應注意，以下連接基之左右元素可交換。 cl: - C 0 - 0- ; c2 ： -CO-NH- ;c 3 :-伸烷基-0 -; c4 : -NH-CO-NH-; c5 ： -NH-CO-O-; c 6 · -O-CO-O - » c7: -0-伸 院基-0 -，c 8 · -c 0 -伸烷基-;c 9 ：-CO-伸烷基-NH-; clO ： -CO-伸烷基ell:-伸烷基-C0-0-伸烷基-0-C0-伸烷基 -;cl2 : -0-伸烷基- C0-0-伸烷基- 0-C0-伸烷基-0- ; cl3 : -0 - C Ο - f申火完 -CO-0-， c 1 4 · -NH-CO- f申文兀 - * c 1 5 · -〇 — C Ο -伸烷基-。 芳環及連接基可具有取代基。此取代基之實施例包括鹵 素原子（F、CM、Br、I )、羥基、羧基、氰基、胺基、硝基、 #磺酸基、胺甲醯基、胺磺醯基、脲基、烷基、烯基、炔基、 脂族醯基、脂族醯氧基、烷氧基、烷氧基羰基、烷氧基羰基 胺基、烷硫基、烷磺醯基、脂族醯胺基、脂族颯醯胺基、經 脂族取代胺基、經脂族取代胺甲醯基、經脂族取代胺磺醯 基、經脂族取代脲基、與非芳族雜環基。 烷基之碳原子數量較佳爲1至8個。鏈形烷基比環形烷 基佳。直鏈烷基特佳。烷基可進一步具有取代基（例如，羥 基、羧基、烷氧基、經烷基取代胺基）。烷基（包括作爲取 200534930 代基之烷基）之實施例包括甲基、乙基、正丁基、正己基、 2-羥基乙基、4-羧基丁基、2-甲氧基乙基、與2-二乙胺基乙 基。 烯基之碳原子數量較佳爲2至8個。鏈形烯基比環形烯 基佳。直鏈烯基特佳。烯基可具有取代基。烯基之實施例包 括乙烯基、烯丙基與1-己烯基。炔基之碳原子數量較佳爲2 至8個。鏈形炔基比環形烷基佳。直鏈炔基特佳。炔基可具 有取代基。炔基之實施例包括乙炔基、1-丁炔基與1-己炔 • 基。脂族醯基之碳原子數量較佳爲1至1〇個。脂族醯基之 實施例包括乙醯基、丙醯基與丁醯基。脂族醯氧基之碳原子 數量較佳爲1至10個。脂族醯氧基之實施例包括乙醯氧基。 烷氧基之碳原子數量較佳爲1至8個。烷氧基可進一步具有 取代基（例如，烷氧基）。烷氧基（包括作爲取代基之烷氧 基）之實施例包括甲氧基、乙氧基、丁氧基、與甲氧基乙氧 基。烷氧基羰基之碳原子數量較佳爲2至10個。烷氧基羰 基之實施例包括甲氧基羰基與乙氧基羰基。烷氧基羰基胺基 •之碳原子數量較佳爲2至10個。烷氧基羰基胺基之實施例 包括甲氧基羰基胺基與乙氧基羰基胺基。烷硫基之碳原子數 量較佳爲1至1 2個。烷硫基之實施例包括甲硫基、乙硫基 與辛硫基。烷磺醯基之碳原子數量較佳爲1至8個。烷磺醯 基之實施例包括甲磺醯基與乙磺醯基。脂族醯胺基之碳原子 數量較佳爲1至10個。脂族醯胺基之實施例包括乙醯胺基。 脂族磺醯胺基之碳原子數量較佳爲1至8個。脂族磺醯胺基 之實施例包括甲磺醯胺基、丁磺醯胺基與正辛磺醯胺基。經 -14- 200534930 脂族取代胺基之碳原子數量較佳爲1至1 0個。經脂族取代 胺基之實施例包括二甲胺基、二乙胺基與羧基胺基。經脂 族取代胺甲醯基之碳原子數量較佳爲2至1 0個。經脂族取 代胺甲醯基之實施例包括甲基胺甲醯基與二乙基胺甲醯 基。經脂族取代胺磺醯基之碳原子數量較佳爲1至8個。經 脂族取代胺磺醯基之實施例包括甲基胺磺醯基與二乙基胺 磺醯基。經脂族取代脲基之碳原子數量較佳爲2至1 0個。 經脂族取代脲基之實施例包括甲脲基。非芳族雜環基之實施 ®例包括哌啶子基與嗎啉基。 聚合物膜較佳爲藉溶劑流延法製造。在溶劑流延法中， 膜係使用含溶於有機溶劑之聚合物材料之溶液（上漿液）製 造。此有機溶劑較佳爲包括選自具有3至1 2個碳原子之醚、 具有3至12個碳原子之酮、及具有1至6個碳原子之鹵化 烴之溶劑。此醚、酮與酯可具有環形結構。含醚、酮與酯（即， -Ο-、-CO-與-COO，）之任何兩種官能基之化合物可作爲有機 溶劑。有機溶劑可具有其他官能基，如醇系羥基。在具有不 ® 少於兩種官能基之有機溶劑之情形，碳原子數量可在具有任 何一種官能基之化合物之定義範圍內。 具有3至12個碳原子之醚之實施例包括二異丙醚、二 甲氧基甲烷、二甲氧基乙烷、1，4·二曙烷、1，3-二氧戊環、四 氫呋喃、甲氧苯、與苯基乙基醚。具有3至12個碳原子之 酮之實施例包括丙酮、甲乙酮、二乙酮、二異丁酮、環己酮、 與甲基環己酮。具有3至12個碳原子之酯之實施例包括甲 酸乙酯、甲酸丙酯、甲酸戊酯、乙酸甲酯、乙酸乙酯、與乙 -15- 200534930 奪 * 酸戊酯。具有不少於兩型官能基之有機溶劑之實施例包括乙 酸2-乙氧基乙酯、2-甲氧基乙醇與2-丁氧基乙醇。鹵化烴之 碳原子數量較佳爲1或2個，而且最佳爲1個。鹵化烴之鹵 素較佳爲氯。鹵化烴之氫原子經鹵素原子取代之比率較佳爲 25至75莫耳％，更佳爲30至70莫耳％，進一步較佳爲35 至65莫耳％，而且最佳爲40至60莫耳％。二氯甲烷爲典型 之鹵化烴。此外，可混合不少於兩型之有機溶劑。 聚合物溶液可按一般方法製備。一般方法表示在〇°C或 # 更高（室溫或高溫）之溫度處理溶液。溶液可依照一種用於 在一般溶劑流延法中製備上漿液之方法及裝置製備。應注 意，在一般方法中，較佳爲使用鹵化烴（特別是二氯甲烷） 作爲有機溶劑。進行製備以在所得溶液中含1 〇至40質量％ 之聚合物。聚合物量更佳爲1 0至3 0質量％。在有機溶劑（主 溶劑）中，可事先加入任何添加劑（後述）。溶液可藉由在 室溫（0至40°C )攪拌聚合物及有機溶劑而製備。高濃度溶 液可在壓力及加熱下攪拌。更特別地，可將聚合物及溶劑置 • 於壓力容器中。在將壓力容器密封後，將聚合物及溶劑在周 圍壓力不低於溶劑沸點至低於溶劑沸騰（在壓力下）之溫 度，在壓力下攪拌且加熱。加熱溫度通常爲40 °C或更高，較 佳爲60至200 °C，而且更佳爲80至110 °C。 個別成分可予以約略地混合然後置於容器中。或者，可 將其——加入。容器係設計爲具有攪拌裝置。容器可藉由引 入如氮氣之惰氣而加壓，或可使用隨更多加熱而增加之溶劑 蒸氣壓力而加壓。此外，個別成分可在將容器密封後在壓力 -16- 200534930 * * 下加入。容器較佳爲藉由對容器外部施熱而加熱。例如，可 使用外套加熱裝置。或者，在容器管線外部裝設板式加熱 器，及將液體循環，因而將整個容器加熱。較佳爲將攪拌輪 葉提供於容器內以攪拌成分。攪拌輪葉長度較佳爲長到足以 到達容器壁附近。較佳爲攪拌輪葉末端裝有刮葉，以將容器 壁上之膜更新。容器可裝有測量裝置，如壓力表與溫度計。 將個別成分溶於容器之溶劑中。將如此製備之上漿液冷卻然 後自容器取出，或可將其自容器取出然後使用熱交換器冷 ❿卻。 溶液可藉溶解及冷卻而製備。溶解及冷卻可使其將聚合 物溶於藉一般溶解方法不太溶解聚合物之有機溶劑。即使溶 劑可藉一般方法溶解聚合物，在依照溶解及冷卻將聚合物溶 於溶劑中時，聚合物快速地溶解而提供均質溶液。關於此 點，溶解及冷卻爲有效的。在溶解及冷卻程序中，首先將聚 合物在室溫逐漸地攪拌加入有機溶劑。控制聚合物量以含較 佳爲10至40質量％，更佳爲10至30質量％之量之聚合物。 ® 此外，可事先將後述之任意添加劑混合加入。 繼而將混合物冷卻至-100至-l〇°C ，較佳爲-80至 -10°C，更佳爲-50至-20°C，而且最佳爲-50至-30°C。冷卻 操作可在乾冰/甲醇浴（-75 t )或冷卻二乙二醇溶液（-30至 -2 0 °C )中實行。在以此方式冷卻時，聚合物有機溶劑混合 物固化。冷卻速率較佳爲4°C /分鐘或更高，更佳爲8°C /分鐘 或更高，而且最佳爲12 °C/分鐘或更高。冷卻速率越快越佳。 然而，1 0,000°c/秒爲理論上限，1，000°C/秒爲技術上限，及 -17- 200534930 ， 1 00°c /秒爲實務上限。應注意，冷卻速率係藉由將冷卻開始 溫度與最終冷卻溫度之差除以冷卻開始至最終冷卻溫度之 時間而得。 其次，將混合物加溫至0至200°C，較佳爲〇至150°C， 更佳爲〇至120t，而且最佳爲0至5(TC。結果，聚合物溶 於有機溶劑。混合物可僅藉由置於室溫或在溫浴中而加溫。 加溫速率較佳爲4°C /分鐘或更高，更佳爲/分鐘或更高， 而且最佳爲12°C /分鐘或更高。加溫速率越快越佳。然而， # 1 0,000°C /秒爲理論上限，1，000°C /秒爲技術上限，及l〇〇°C / 秒爲實務上限。應注意，加溫速率係藉由將加溫開始溫度與 最終加溫溫度之差除以加溫開始至最終加溫溫度之時間而 得。以此方式，可得到均質溶液。在溶解不足時，可重複冷 卻及加溫操作。溶解是否充分可僅藉由目視地觀察溶液外觀 而判斷。 在丨容解及冷卻中，希望使用氣密容器以避免被冷卻操作 時產生之冷凝水分含量污染。在冷卻及加溫操作中，溶解時 •間可藉由在冷卻操作中施加壓力及在加溫操作中降低壓力 而縮短。希望使用抗壓容器施加或降低壓力。應注意，在藉 差式掃描熱度計（DSC)測量藉溶解及冷卻將乙酸纖維素（乙 醯化程度：60.9%，黏性聚合程度：299 )溶於乙酸甲酯之 2〇% (質量比）溶液時，發現在接近3 3 t處存在溶膠狀態與 凝膠狀態間之假相轉移點。其表示溶液在此溫度或更低變成 均質凝膠形式。因此，必須將溶液保持在不低於假相轉移溫 度，較佳爲接近假相轉移溫度+ 1 0 °C。然而，假相轉移溫度 -18- 200534930 視乙酸纖維素之乙醯化程度與黏性聚合程度、其在溶液中之 濃度、及使用之溶劑而不同。 聚合物膜係藉溶劑流延法自如此製備之聚合物溶液（上 漿液）形成。將上漿液散佈於圓筒或帶上，及將溶劑蒸發而 形成膜。較佳爲控制上漿液濃度使得在散佈前含1 8至3 5 % 之量之固體物質。較佳爲將圓筒或帶之表面處理成鏡面。較 佳爲將上漿液散佈於表面溫度爲1 0°C或更低之圓筒或帶 上。在散佈後，較佳爲藉由暴露於空氣2秒或更久而將上漿 # 液乾燥。將得到之膜自圓筒或帶汽提，及藉由使其暴露於熱 風同時將溫度自100逐漸改爲160°c，以將殘餘溶劑蒸發， 而進一步乾燥。以此方式，可減少散佈至汽提之時間。爲了 進行此方法，上漿液在散佈時必須在圓筒或帶之表面溫度膠 化。 爲了改良機械特徵或乾燥速率，可將塑性劑加入聚合物 膜。至於塑性劑，可使用磷酸酯或羧酸酯。磷酸酯之實施例 可包括磷酸三苯酯（TPP)與磷酸三甲苯酯（TCP)。至於羧酸酯 • 之實施例，一般提及酞酸酯與檸檬酸酯。此外，酞酸酯之實 施例包括酞酸二甲酯（DMP)、酞酸二乙酯（DEP)、酞酸二丁酯 (DbP)、酞酸二辛酯（DOP)、酞酸二苯酯（DPP)、與酞酸二乙 基己酯（DEHP)。檸檬酸酯之實施例包括檸檬酸乙醯基三乙酯 (0 ACTE)與檸檬酸乙醯基三丁酯（OACTB) 〇其他羧酸酯之實 施例包括油酸丁酯、蓖麻油酸甲基乙醯酯、癸二酸二丁酯、 與1，2,4_苯三甲酸酯。其中，酞酸酯系塑性劑（DMP、DEP、 DBP、DOP、DPP、DEHP)較佳，而且 DEP 與 DPP 特佳。 -19- 200534930 . » 塑性劑之量以纖維素酯之量計較佳爲〇. 1至2 5質量％，更佳 爲1至2 0質量％，而且最佳爲3至1 5質量％。 視聚合物膜之用法而定，可加入各種添加劑。添加劑之 實施例包括抗UV光劑、細粒、脫模劑、抗靜電劑、抗降解 劑（例如，抗氧化劑、過氧化物分解劑、自由基抑制劑、金 屬去活化劑、酸清除劑、胺）、及紅外光吸收劑。這些添加 劑可爲固態或油狀。此外，在膜係由多層形成時，加入個別 層之添加劑之型式及量可彼此不同。其更特別地敘述於 • Japanese Journal of Technical Disclosure No. 2001 -1 745，而 且可較佳地使用特別地敘述於此揭示第1 7至22頁之技術中 之物質。這些添加劑之量並未特別地限制，只要其有效地作 業；然而，其可較佳地以聚合物膜全部組成物計爲0.001至 20質量％之範圍內適當地使用。特別地，抗降解劑可較佳地 以製備之溶液（上漿液）計爲〇·〇1至1質量％，而且更佳爲 〇.〇1至0.2質量％之量加入。此抗降解劑之較佳實施例包括 丁基化羥基甲苯（BHT)與三苄胺（TBA)。 # 遲滯可進一步藉由聚合物膜之延伸處理而控制。延伸率 較佳爲3至100%。聚合物膜之厚度較佳爲30至200微米’ 而且更佳爲40至120微米。 [鹼皂化] 聚合物膜之鹼皂化係藉事先加熱至室溫或更高’對聚合 物膜塗佈鹼溶液，將聚合物膜之溫度維持在室溫或更高，及 自聚合物膜清洗鹼溶液之步驟而實行。 在事先將聚合物加熱至室溫或更高之步驟中’可較佳地 -20- 200534930 使用熱風加熱、加熱輥接觸加熱、微波感應加熱、或紅外線 加熱器之放射線加熱。特別地，因熱轉移效率高，裝設面積 小，及膜轉移開始時間之膜溫啓動高，較佳爲加熱輥接觸加 熱。可使用通常使用之雙外套輥及電磁感應線圈（Toku den Inc.製造）。加熱後之膜溫較佳爲25至150°C (高於25°C且 低於150°C )，更佳爲25至lOOt：，而且最佳爲40至8(TC。 在對聚合物膜塗佈鹼溶液之步驟中，較佳爲將聚合物膜 厚度方向之鹼溶液量及隨塗覆時間經過之變動抑制爲低於 # 30%。此外，較佳爲使用連續塗覆法。至於塗覆系統，較佳 爲使用模塗覆器（擠壓塗覆器、滑動塗覆器）、輥塗覆器（順 向輥塗覆器、反向輥塗覆器、凹版塗覆器）、及棒塗覆器（捲 繞薄金屬網而製造之棒）。由於在塗覆鹼溶液後以水清洗鹼 溶液，考量廢水處理，希望儘可能地抑制其塗覆量。因此， 特佳爲使用棒塗覆器、凹版塗覆器與刀塗覆器，即使塗覆量 低其仍穩定地使用。 鹼溶液可藉由將鹼溶於水或有機溶劑與水之溶液混合 •物中而製備。可混合使用不少於兩型之有機溶劑。希望使用 之有機溶劑不使聚合物溶解或膨脹。此外，希望選擇具有適 當低張力之有機溶劑，以利於以鹼溶液塗覆。此有機溶劑之 實施例包括單價醇類（例如，甲醇、乙醇、正丙醇、異丙醇、 正丁醇、異丁醇、環己醇、苄醇、氟化醇）；酮類（例如， 丙酮、甲乙酮、甲基異丁基酮）；及酯類（例如，乙酸甲酯、 乙酸乙酯、乙酸丁酯）；多羥基醇類（例如，乙二醇、二乙 二醇、丙二醇、乙二醇二乙醚）；醯胺類（例如，N，N-二甲 -21 - 200534930 锞 基甲醯胺、二甲基甲醯胺）；胺類（例如，全氟三丁胺、三 乙胺）；亞楓類（例如，二甲亞颯）；及醚類（例如，甲基 賽路蘇）。 至於降低表面張力以利於塗覆及改良塗膜安定性以防 止斥性之裝置，可將低分子量或高分子量陽離子性、陰離子 性、非離子性、或兩性離子性界面活性劑加入鹼溶液。 至於在此使用之鹼，無機鹼與有機鹼均可使用。爲了以 低濃度造成皂化反應，強鹼較佳。鹼金屬之氫氧化物（例如， • NaOH、KOH )、鹼土金屬之氫氧化物（例如，M g (Ο Η) 2、 Ca(OH)2、Ba(OH)2 )、及錯合鹽之自由鹼（例如， [Pt(NH3)3](OH)4)較佳。其中，鹼金屬之氫氧化物更佳且 NaOH與KOH最佳。 鹼溶液之濃度係視所使用鹼之型式、反應溫度、及反應 時間而定。爲了以較短之時間完成皂化反應，較佳爲製造高 濃度之鹼溶液。然而，如果鹼濃度太高，則鹼溶液之安定性 降解，而且有時在長期塗覆時產生沈澱。鹼溶液之濃度較佳 _爲〇·1至5N，更佳爲0.5至5N，而且最佳爲0.5至3N。 皂化所需之鹼塗覆量係基於皂化位置總數（==鹼之理論 塗覆量）而定，其係藉由將聚合物膜每單位面積之皂化反應 位置數乘以對定向層賦與黏著性所需之皂化深度而得。由於 隨皂化反應進行，鹼被消耗且反應速率降低，較佳爲實際上 施加數倍之鹼之理論塗覆量。更特定言之，較佳爲使用鹼之 理論塗覆量之2至20倍而且更佳爲使用2至5倍。 希望鹼溶液之溫度等於反應溫度（即，聚合物膜之溫 -22- 200534930 度）。視所使用有機溶劑之型式而定，在某些情形，反應溫 度可超過鹼溶液之沸點。然而，爲了穩定地實行塗覆，驗溶 液之溫度較佳爲低於鹼溶液之沸點，更佳爲低於沸點（°c )之 9 0 %，而且進一步較佳爲低於沸點（°C )之8 0 %。在鹼溶液塗 覆完成後，將聚合物膜之溫度保持在室溫或更高，直到皂化 反應完成。在本說明書中使用之室溫指25 °C。 在此使用之加熱裝置係基於將聚合物膜表面之一以驗 溶液濕潤而選擇。較佳爲使用施加至未塗覆膜表面上之熱風 # 加熱、加熱輥接觸熱轉移、微波感應加熱、或紅外線加熱器 之放射線加熱。由於加熱可不接觸塗覆表面而進行且不污染 空氣，紅外線加熱器較佳，結果可將塗覆表面上之鹼溶液影 響抑制至最小。至於紅外線加熱器，可使用電、氣態、油、 或蒸汽系統之遠紅外線陶瓷加熱器。或者，可使用市售紅外 線加熱器（Noritake Co. Ltd.製造）。在含有機溶劑之大氣 中使用加熱器之情形，由防止爆炸之觀點，較佳爲利用使用 油或蒸汽作爲加熱介質之油或蒸汽系統之紅外線加熱器。聚 Φ合物膜之溫度可與在塗佈鹼溶液前加熱之膜相同或不同。或 者，可在皂化反應中連續地或逐步地改變膜溫。膜溫不低於 2 5t：且低於150°C，較佳爲不低於25°C且低於l〇〇°C，進一 步較佳爲不低於40且低於80°C。膜溫可藉通常使用之市售 非接觸型紅外線溫度計偵測。 皂化較佳爲在轉移聚合物膜時實行。聚合物膜之轉移速 率係由共同考量鹼溶液組成物及塗覆系統而決定。通常轉移 速率較佳爲10至500米/分鐘，而且更佳爲20至300米/分 -23- 200534930 _ · 鐘。爲了依照轉移速率進行穩定之塗覆操作，應測定鹼溶液 之特徵（比重、黏度、表面張力）、塗覆系統及塗覆操作條 件。 有三種終止鹼溶液與聚合物膜間之皂化反應之方法。在 第一種方法中，稀釋塗佈於膜上之鹼溶液以降低鹼濃度，因 而降低反應速率。在第二種方法中，降低塗有鹼溶液之聚合 物膜之溫度，因而降低反應速率。在第三種方法中，以酸性 溶液中和鹼溶液。 •爲了稀釋塗佈於膜之鹼溶液，可使用一種對聚合物膜塗 佈稀釋用溶劑（稀釋溶劑）之方法，一種對聚合物膜噴灑稀 釋溶劑之方法，或一種將聚合物膜全部浸於含稀釋溶劑之容 器中之方法。其中，就連續地轉移聚合物膜而實行之實際操 作而言，對聚合物膜塗佈稀釋溶劑之方法及對聚合物膜噴灑 稀釋溶劑之方法較佳。由於其可使用最少必要量之溶劑，對 膜塗佈稀釋溶劑之方法最佳。 對於塗佈稀釋溶劑，希望使用一種可對塗有鹼溶液之聚 •合物膜連續地塗佈溶劑之方法。稀釋溶劑較佳爲使用模塗覆 器（擠壓塗覆器、滑動塗覆器）、輥塗覆器（順向輥塗覆器、 反向輥塗覆器、凹版塗覆器）、或棒塗覆器（捲繞薄金屬網 而製造之棒）塗佈。爲了藉由快速地混合鹼溶液與稀釋溶劑 而降低鹼濃度，在塗有稀釋溶劑之小區域（有時稱爲「塗緣」） 中形成不均勻流動之輥塗覆器或棒塗覆器優於形成分層流 動之模塗覆器。 由於稀釋溶劑係用以降低鹼濃度，稀釋溶劑必須溶解鹼 -24- 200534930 溶液之鹼溶質。因此’使用水或有機溶劑與水之溶液 物。可混合使用不少於兩型之有機溶劑。希望使用之有 劑不使聚合物溶解或膨脹。此外’希望選擇具有適當低 張力之有機溶劑。此有機溶劑之實施例包括單價醇類 如，甲醇、乙醇、正丙醇、異丙醇、正丁醇、異丁醇、 醇、辛醇、氟化醇）；酮類（例如’丙酮、甲乙酮、甲 丁基酮）；酯類（例如，乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯 多羥基醇類（例如，乙二醇、二乙二醇、丙二醇、乙二 # 乙醚）；醯胺類（例如，N，N-二甲基甲醯胺、二甲基甲醯® 胺類（例如，全氟三丁胺、三乙胺）；亞颯類（例如， 基亞》);及醚類（例如’甲基賽路蘇）。 稀釋溶劑之量（塗覆量）係視塗佈於膜上之鹼溶液 而定。在塗緣中形成分層流動之模塗覆器之情形，稀釋 較佳爲以將鹼溶液稀釋成其原始濃度之1 · 5至1 0倍， 爲2至5倍之量使用。在輥塗覆器與棒塗覆器之情形， 塗緣內之流體狀態不均勻，將鹼溶液與稀釋溶劑混合， #將所得溶液混合物再度塗佈於膜。在此情形，稀釋比率 基於稀釋溶劑量而指定。因此，在塗佈稀釋溶劑後，必 量鹼濃度。在輥塗覆器與棒塗覆器之情形，稀釋溶劑較 以將鹼溶液稀釋成原始濃度之1 · 5至1 〇倍，更佳爲2 倍之量塗佈。 爲了以鹼快速地終止皂化反應，可使用酸。爲了以 酸中和鹼，較佳爲使用強酸。爲了利於以水清洗，較佳 擇以鹼中和而製造高水溶性鹽之酸。更特別地，氫氯酸 混合 機溶 表面 (例 環己 基異 )； 醇二 ^ )； 二甲 濃度 溶劑 更佳 由於 然後 無法 須測 佳爲 至5 少量 爲選 、硝 -25- 200534930 、 * 酸、磷酸、與鉻酸特佳。爲了以酸中和塗佈之鹼溶液，使用 一種對膜塗佈酸溶液之方法，一種對膜噴灑酸溶液之方法， 一種將聚合物膜全部浸於含酸性溶液之容器中之方法。其 中，對於連續地轉移聚合物膜而實行之實際塗覆操作，對膜 塗佈酸性溶液之方法及對膜噴灑酸性溶液之方法較佳。由於 其可使用最少必要量之酸性溶液，對膜塗佈酸性溶液之方法 最佳。 對於塗佈酸性溶液，希望使用一種可對塗有鹼溶液之聚 • 合物膜連續地塗佈酸性溶液之方法。酸性溶液較佳爲使用模 塗覆器（擠壓塗覆器、滑動塗覆器）、輥塗覆器（順向輥塗 覆器、反向輥塗覆器、凹版塗覆器）、或棒塗覆器（捲繞薄 金屬網而製造之棒）塗佈。爲了藉由快速地混合鹼溶液與酸 性溶液而中和鹼，在塗有酸性溶液之小區域（有時稱爲「塗 緣」）中形成不均勻流動之輥塗覆器或棒塗覆器優於形成分 層流動之模塗覆器。 酸性溶液之塗覆量係視塗佈於膜上之鹼型式及鹼溶液 φ 濃度而定。在塗緣中形成分層流動之模塗覆器之情形’酸性 溶液較佳爲以高達原始鹼溶液之0.1至5倍，更佳爲0.5至 2倍之量使用。在輥塗覆器與棒塗覆器之情形’由於塗緣內 之流體狀態不均勻，將鹼溶液與酸性溶液混合’然後將此溶 液混合物再度塗佈於膜。在此情形，中和比率無法由塗佈之 酸性溶液量決定。因此’在塗佈酸性溶液後’必須測量鹼濃 度。在輥塗覆器與棒塗覆器之情形’較佳爲決定酸性溶液之 量使得塗佈酸性溶液後之PH値變成4至9，而且更佳爲6 -26- 200534930 至8。 皂化反應可藉由降低聚合物膜之溫度而終止。皂化反應 實質上係藉由充分降低聚合物膜（其爲了加速反應而維持在 室溫或更高）之溫度而終止。降低聚合物膜之溫度之裝置係 基於將聚合物膜表面之一以鹼溶液濕潤而決定。較佳爲可使 用施加於膜之未塗覆表面之冷風及冷卻輥之接觸熱轉移。冷 卻後之膜溫較佳爲5至60°C，更佳爲1〇至50°C，而且最佳 爲1 5至30°C。膜溫較佳爲藉非接觸型紅外線溫度計測量。 # 冷卻溫度可藉由基於測量溫度對冷卻裝置實行反饋控制而 調節。 清洗步驟係實行以去除鹼溶液。更特別地，如果殘留鹼 溶液，則不僅皂化反應進行，定向層之膜形成（以後藉塗覆 而形成）及液晶分子層之結晶分子定向亦受影響。爲了防止 之，實行清洗步驟。以水清洗可藉一種塗佈水之方法，一種 噴灑水之方法，或一種將聚合物膜全部浸於含水容器中之方 法實行。其中，由於其適合在連續地轉移聚合物膜時進行， ® 塗佈水之方法及噴灑水之方法較佳。由於噴灑於聚合物膜上 之水因噴灑力而混合鹼塗覆溶液形成擾流混合物，噴灑水之 方法特佳。 水可藉一種使用塗覆頭（噴注塗覆器、噴霧塗覆器）之 方法或一種使用斜面噴嘴（其用於將空氣濕化、塗刷、及自 動清洗槽）之方法噴灑。錐形或扇形噴灑噴嘴可沿聚合物膜 厚度方向排列，以使水流衝擊全部寬度。可使用市售噴灑噴 嘴（例如，Ikeuchi或Spraying Systems製造）。噴灑水之 -27- 200534930 速率較佳爲高，因爲可得擾流混合物。然而，如果噴灑速率 太高，則在連續轉移系統中無法穩定地轉移聚合物膜。噴灑 時之水撞擊速率較佳爲50至1〇〇〇公分/秒，更佳爲1〇〇至 700公分/秒，而且最佳爲100至500公分/秒。 用於清洗之水量應大於基於以下定義之理論稀釋比率 之計算値。 理論稀釋比率=應用於清洗之水量[cc/平方米]/鹼塗覆 溶液之量[CC/平方米] II 理論稀釋比率係基於全部清洗水量均促成鹼塗覆溶液 之稀釋及混合之假設而定義。實際上，由於並非全部水量均 促成形成混合物，實務上使用大於得自理論稀釋比率之量之 水。水量係視所使用鹼塗覆溶液之鹼濃度、添加劑、及溶劑 型式而不同；然而，水係以提供至少1 0 0至1 0 0 0倍，較佳 爲500至10,000，更佳爲1，000至100,000之稀釋比率之量 使用。 在將預定量之水用於清洗時，較佳爲將預定量之水分成 •數份且清洗聚合物膜數次，而非一次使用全部水量。更特別 地，將水量分成數份且供應至多個按聚合物膜轉移方向串列 配置之清洗裝置。多個裝置係以適當間隔配置，以加速擴散 而稀釋鹼塗覆溶液。更佳爲，將聚合物膜傾斜地轉移。如此， 膜上之水沿膜表面流動，結果鹼塗覆溶液因流體移動及擴散 而稀釋。最佳爲，在相鄰清洗裝置間提供脫水裝置以去除聚 合物膜上之水膜。藉此脫水裝置，可進一步改良水之稀釋效 率。此脫水裝置之指定實施例包括用於輪葉塗覆器之輪葉' -28- 200534930 用於空氣刀塗覆器之空氣刀、用於棒塗覆器之棒、及用於輥 塗覆器之輥。應注意，串列配置之清洗裝置數量越多越佳。 然而，就裝設空間及設備成本而言，通常串列配置2至10 個，較佳爲2至5個裝置。 在藉脫水裝置將水去除後得到之水膜較佳爲薄。最小水 膜厚度係由所使用脫水裝置之型式而限制。在一種藉由使固 體物質（如輪葉、棒或輥）實體上接觸聚合物膜而去除水之 方法中，即使此固體物質係由剛性低之彈性材料（如橡膠） # 形成，其仍可能刮傷膜表面且因磨擦而損耗彈性材料。因 此，必須留下有限厚度之水作爲潤滑劑。留下作爲潤滑劑之 水膜厚度通常爲數微米或更大，較佳爲10微米或更大。至 於可去除水至最小厚度之脫水裝置，空氣刀較佳。空氣刀可 去除水至幾乎爲零之厚度。然而，在空氣之噴灑量太大時， 在某些情形聚合物膜振動且側移，使聚合物膜轉移不穩定。 因此，空氣之噴灑量及壓力限於較佳範圍內。空氣速度視聚 合物膜上之起初水膜厚度及膜轉移速度而不同；然而，通常 Φ爲10至500米/秒，較佳爲20至300米/秒，更佳爲30至 20 0米/秒。此外，爲了均勻地去除水膜，控制空氣刀之空氣 出口位置及空氣刀之空氣供應法，使得厚度方向之氣流分布 通常在1 〇%內，而且較佳爲5 %內。轉移之聚合物表面與空 氣刀之空氣出口間之間隔越窄則越佳。其乃因爲脫水性能之 效率增加。然而，在間隔窄時，有空氣出口接觸聚合物膜而 將表面刮傷之高度可能性。因此，空氣刀係以適當間隔安 置，其通常爲1〇微米至1〇公分，較佳爲1〇〇微米至5公分， -29- 200534930 而且更佳爲5 00微米至1公分。此外，藉由將支撐輥配置於 聚合物膜之清洗表面相反側上以面對空氣刀，而將間隔保持 穩定。此外，配置支撐輥較佳，因爲可減輕膜之振動、捲曲、 及變形。 至於用於清洗之水，較佳爲使用純水。用於本發明之純 水定義如下：其電阻比爲至少1 Μ :金屬離子（如鈉、鉀、 鎂、與鈣）係以少於1 ppm之量存在，及陰離子（如氯與硝 酸）係以少於〇.1 ppm之量存在。純水可容易地藉由單獨地 • 或組合使用逆滲壓薄膜、離子交換樹脂及蒸餾而得到。 清洗水之溫度越高越佳。其乃因爲清潔性能增加。然 而，在轉移時將水噴灑至聚合物膜之方法中，接觸空氣之水 面積大。在此情形，水蒸發隨水溫上升而顯著地增加，結果 週邊濕度增加且冷凝之可能性增加。因此，清洗水之溫度通 常設定爲5至90 °C，較佳爲25至80 °C，而且更佳爲25至 6〇°C之範圍內。 在鹼塗覆溶液之成分或皂化產物不易溶於水中時，可將 •以溶劑清洗之步驟加入程序中以水清洗之步驟之前或之 後，以去除不溶性成分。至於以溶劑清洗之步驟，可使用上 述之以水清洗之方法及脫水裝置。在此使用之有機溶劑之實 施例包括單價醇類（例如，甲醇、乙醇、正丙醇、異丙醇、 正丁醇、異丁醇、環己醇、苄醇、氟化醇）；酮類（例如， 丙酮、甲乙酮、甲基異丁基酮）；酯類（例如，乙酸甲酯、 乙酸乙酯、乙酸丁酯）；多羥基醇類（例如，乙二醇、二乙 二醇、丙二醇、乙二醇二乙醚）；醯胺類（例如，N，N-二甲 -30- 200534930 基甲醯胺、二甲基甲醯胺）；胺類 乙胺）；亞颯類（例如，二甲基亞 基賽路蘇）。 在以水清洗之步驟後，可實行 置（如空氣刀）可充分地去除水膜 驟。乾燥可藉由在將聚合物膜捲成 將水分含量控制爲較佳値。反之， 賦與濕度。 # [光學補償片] 經皂化處理之聚合物膜較佳ΐ 基板。光學補償片具有依序由藉由 物膜、用於形成定向層之樹脂層、 子之光學各向異性層形成之層結構 定向層係藉由將聚合物膜加熱 鹼溶液以定向，維持經鹼溶液塗覆 及清洗以自膜表面去除鹼溶液之步 # 定向層塗覆及乾燥之步驟。此外， 且將定向層表面磨擦然後將液晶分 式，得到最終之光學補償片。 藉由在一個步驟中整合地實行 液晶分子層之形成，可得到高生產 點。皂化步驟與定向層塗覆步驟之 造成之活化表面退化低。在皂化時 法除塵步驟。在多次將聚合物膜捆 (例如，全氟三丁胺、三 颯）；及醚類（例如，甲 乾燥步驟。由於藉脫水裝 ，其通常不需要此乾燥步 捆形式前加熱而實行，以 藉具有預定濕度之氣流可 电作爲光學補償片之透明 施加鹼溶液而巷化之聚合 及具有定向固定之液晶分 〇 、對聚合物膜表面上塗佈 表面之溫度，終止反應/ 驟形成。此外，可增加將 將定向層塗覆及乾燥，而 子層塗覆及乾燥。以此方 不僅皂化，亦及定向層與 力。此方法具有以下之優 間並無時間差。由於皂化 隨清洗步驟可同時實行濕 解開及將捆捲繞時，通常 -31 - 200534930 . * 產生捆末端之廢料；然而’在此方法中’不產生此捆端損失。 光學補償片係由透明基板（其由經皂化聚合物膜形 成）、形成於透明基板上之定向層、及形成於定向層上且具 有碟形結構單元之光學各向異性層形成。定向層較佳爲由交 聯聚合物形成且經磨擦。 至於用於光學各向異性層及碟形結構單元之化合物，可 使用藉低分子量碟形液晶化合物（單體）或碟形聚合液晶化 合物之聚合而得之聚合物。通常將碟形化合物（碟狀化合物） Φ 約略地分類成具有碟狀液晶相（即，向列碟狀相）之化合物 及無碟狀液晶相之化合物。碟形化合物通常具有負雙折射。 光學各向異性化合物係利用此碟狀化合物之負雙折射。 [定向層] 光學各向異性層之定向層較佳爲藉由磨擦由交聯聚合 物形成之膜而形成。更佳爲，定向層係由兩型交聯聚合物形 成。兩型聚合物之一可自我交聯，或爲藉交聯劑之助交聯之 聚合物。定向層係藉由使具有官能基之聚合物或具有官能基 • 引入其中之聚合物藉光、熱或pH變化在聚合物分子間反應 而形成，或藉由交聯反應性高之試劑以引入衍生自交聯劑之 交聯基，因而將聚合物分子交聯而形成。 聚合物之交聯係藉由將含聚合物或混合物與交聯劑之 塗料液體塗佈在透明基板上，繼而加熱而實行。交聯處理可 在程序中將定向層塗覆於透明基板上後直到得到光學補償 片之任何階段實行。考量在定向層上形成之具有碟形結構之 化合物之定向（光學各向異性層），亦較佳爲將具有碟形結 -32- 200534930 構之化合物定向然後實行最終交聯。更特定言之’將含聚合 物及可將聚合物交聯之交聯劑之塗料溶液塗佈於透明基板 上，將基板加熱脫水，及磨擦所得表面而形成定向層。然後 將含具有碟形結構之化合物之塗料溶液塗佈於定向層上’及 將所得結構加熱至碟狀向列相形成溫度或更高’然後冷卻形 成光學各向異性層。 至於用於定向層之聚合物，可使用可自我交聯之聚合物 或藉交聯劑之助交聯之聚合物。可使用其多種之組合。此聚 φ 合物之實施例包括聚甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸/甲基丙烯酸 共聚物、苯乙烯/順丁烯二醯亞胺共聚物、聚乙烯醇、經修 改聚乙烯醇、聚（N-羥甲基丙烯醯胺）、苯乙烯/乙烯基甲 苯共聚物、氯磺酸化聚乙烯、硝基纖維素、聚氯乙烯、氯化 聚烯烴、聚酯、聚醯亞胺、乙酸乙烯酯/氯乙烯共聚物、乙 烯/乙酸乙烯酯共聚物、羧甲基纖維素、聚乙烯、聚丙烯、 及聚碳酸酯。矽烷偶合劑可作爲聚合物。其中，水溶性聚合 物（例如，聚（N-羥甲基丙烯醯胺）、羧甲基纖維素、明膠、 #聚乙烯醇、與經修改聚乙烯醇）較佳；明膠、聚乙烯醇、與 經修改聚乙烯醇更佳；而且聚乙烯醇與經修改聚乙烯醇最 佳。特佳爲組合使用兩型聚合程度相同之未修改或經修改聚 乙烯醇。 聚乙烯醇之皂化程度較佳爲70至100%，更佳爲80至 1 〇 〇 %，而且最佳爲8 5至9 5 %。聚乙烯醇之聚合程度較佳爲 100至3 000。經修改聚乙烯醇之經修改基可藉共聚合引起之 修改、鏈轉移引起之修改、或嵌段聚合引起之修改而引入。 -33 - 200534930 共聚合修改基之實施例包括COONa、Si(〇X)3、n(CH3)3C1、 C9H19COO、S03Na、與C12H25，其中χ爲質子或陽離子。鏈 轉移修改基之實施例包括COONa、SH與C12H25。嵌段聚合 修改基之實施例包括COOH、CONH2、COOR、與c6h5，其 中R爲烷基。 皂化程度爲8 5至9 5 %之未修改聚乙烯醇或經烷硫基修 改聚乙嫌醇最佳。 經修改聚乙燃醇較佳爲以下式（1)表示之化合物與聚乙 • 燒醇間之反應產物。
在式（1)中，R1爲未取代烷基、經丙烯醯基取代烷基、 經甲基丙烯醯基取代烷基、或經環氧基取代烷基；W爲鹵素 原子、烷基或烷氧基；X爲形成活性酯、酸酐或酸鹵所需之 原子基；P爲0或1;及η爲0至4之整數。 經修改聚乙烯醇更佳爲以下式（2)表示之化合物與聚乙 烯醇間之反應產物。 [式2]
X1-CO
在式（2)中，X 1爲形成活性酯、酸酐或酸鹵所需之原子 基；及m爲2至24之整數。 與式（1)或（2)表示之化合物反應之聚乙烯醇可爲經修改 聚乙烯醇（共聚合修改、鏈轉移修改、嵌段聚合修改）。合 -34- 200534930 成聚乙烯醇之方法，可見光吸收光譜之測量、及決定修改基 引入比率之方法敘述於日本專利申請案公開第8-338913號。 聚合物（較佳爲水溶性聚合物，更佳爲聚乙烯醇或經修 改聚乙烯醇）之交聯劑之實施例包括醛類（例如，甲醛、乙 二醛、戊二醛）、N-羥甲基化合物（二羥甲基脲、羥甲基二 甲基尿囊素）；二噚烷衍生物（例如，2,3-二羥基二噚烷）； 藉由將羧基活化而作用之化合物（例如，碳烯陽離子、2-萘 磺酸酯、1，1_貳吡咯啶基-1-氯吡啶鑰、1-嗎啉基羰基-3-(磺 Φ 酸基胺基甲基））、活性乙烯基化合物（例如，1，3，5 -三丙 烯醯基六氫-s-三阱、貳（乙烯颯）甲烷、N，N，-亞甲基貳[-(乙烯颯基）丙醯基醯胺]);及活性鹵素化合物（例如， 2,4-二氯-6-二羥基-s-三畊）、異曙唑、及二醛澱粉。不少於 兩型之交聯劑可同時使用。其中，具有高反應性之醛較佳， 特別是戊二醛。 交聯劑之量以聚合物之量計較佳爲Ο · 1 .至2 0質量％，而 且更佳爲0 · 5至1 5質量％。在定向層中保持未反應之交聯劑 ® 之量較佳爲不超過1·〇質量％，而且更佳爲不超過0.5質量 %。如果交聯劑以超過1 ·〇質量％之量保留在定向層中，則 無法得到足夠之耐久性。如果將此定向層用於液晶顯示裝置 且長期使用，或在高溫/高濕度大氣下靜置長時間，則有時 發生網狀。 定向層可藉由將含作爲定向層形成材料之聚合物與交 聯劑之溶液塗佈於透明基板上，繼而加熱脫水（交聯）及磨 擦之而形成。交聯反應係在塗覆透明基板後之任何時間進 -35 - 200534930 , * 行。在使用水溶性聚合物（如聚乙烯醇）作爲定向層用材料 時，較佳爲使用水與具有消泡作用之有機溶劑（例如，甲醇） 之溶劑混合物作爲塗料溶液。水對甲醇之比例較佳爲0:1 00 至99: 1，而且更佳爲0·· 100至91 :9。藉此可抑制泡沬產生， 而且可顯著地減少定向層與光學各向異性層表面上之缺陷 數量。 定向層之塗層較佳爲藉旋塗、浸塗、簾塗、擠壓塗覆、 棒塗、或輥塗而實行。其中，棒塗法較佳。乾燥後之定向層 0 厚度較佳爲〇·1至10微米。熱乾燥可在20至110 °C實行。 爲了實行充分之交聯，熱乾燥較佳爲在60至100 °C，而且特 佳爲在80至100 °C實行。乾燥係實行1分鐘至36小時，較 佳爲1至3 0分鐘。pH較佳爲設定爲所使用交聯劑之最適 値。在使用戊二醛時，pH爲4.5至5.5，而且特佳爲5。 定向層係提供於透明基板上或上述底塗層上。定向層係 藉由實行聚合物層之交聯且在表面上應用磨擦處理而得。定 向層係提供以界定置於其上之液晶碟狀化合物之定向方向。 ® 至於磨擦處理，使用一種廣泛地用於LCD之液晶定向 處理步驟之方法。更特定言之，在使用紙、砂紙、毛氈、橡 膠、或耐綸纖維或聚酯纖維按相同方向磨擦定向層表面時， 可得到定向。定向通常藉由以其中纖維之長度均勻且直徑均 勻之布磨擦表面數次而得。 [光學各向異性層] 光學補償片之光學各向異性層係形成於定向層上。光學 各向異性層較佳爲包括具有碟形結構單元且具有負雙折射 -36- 200534930 之化合物。光學各向異性層爲藉由低分子量碟形液晶化合物 (單體）之聚合或聚合液晶碟形化合物之聚合（硬化）而得 之聚合物層。碟形（碟狀）化合物之實施例包括苯衍生物、 甲苯衍生物、環己烷衍生物、與氮冠系與苯基乙炔系巨環。 碟狀（碟形）化合物具有其中各化合物位於分子中心處作爲 核，及經易自中心以直鏈形式徑向地延伸之直鏈烷基或烷氧 基或經取代苯甲醯氧基取代之結構。碟形化合物包括顯示共 振形態之碟狀液晶。由碟形化合物形成之光學各向異性層包 • 括如具有可藉熱或光誘發而引發反應之基之低分子量碟狀 液晶聚合或交聯至聚合物中之結果，而失去共振形態之聚合 物化合物。 光學各向異性層係由具有碟狀結構單元且具有負雙折 射之化合物形成。碟狀結構單元之表面相對透明基板表面傾 斜，而且碟狀結構單元與透明基板表面間形成之角度較佳爲 按光學各向異性層之深度方向而改變。 碟狀結構單元之表面之平面（傾斜）角度通常隨光學各 ® 向異性層在其深度方向距定向層底部之距離增加而增加或 減小。傾斜角度較佳爲隨距離增加而增加。此外，傾斜角度 之變化可包括傾斜角度連續地增加、連續地減小、斷續地增 加、斷續地減小之情形，而且亦包括傾斜角度在某部份連續 地增加且在其他部份連續地減小，及在某部份斷續地增加且 在其他部份斷續地減小之情形。斷續變化表示傾斜角度不改 變之區域包括於深度方向中間。傾斜角度較佳爲整體增加或 減小，即使其包括此不改變區域。此外，傾斜角較佳爲整體 -37 - 200534930 增加，而且特佳爲連續地增加。 光學各向異性層可藉由將具有碟狀化合物與其他化合 物溶於溶劑中之溶液塗佈於定向層上，繼而將溶液乾燥，及 將所得層乾燥至碟狀向列相形成溫度，繼而將層冷卻同時保 持定向狀態（碟狀向列相）而得。或者，光學各向異性層可 藉由將具有碟狀化合物與其他化合物（例如，其包括可聚合 單體與光學聚合引發劑）溶於溶劑中之溶液塗佈於定向層 上，繼而將溶液乾燥，將乾燥物質加熱至碟狀向列相形成溫 • 度，聚合（藉UV射線照射）及進一步冷卻之而得。用於本 發明之碟狀向列液晶化合物之碟狀向列液晶固相轉移溫度 較佳爲70至300 °c，而且特別是70至170 °C。 碟狀單元在基板側處之傾斜角度可藉由選擇定向層用 碟狀化合物或材料，或選擇磨擦處理而控制。此外，碟狀單 元在表面側（空氣側）處之角度通常可藉由選擇碟狀化合物 或與碟狀化合物一起使用之其他化合物（塑性劑、界面活性 劑、聚合單體、與聚合物）而控制。此外，傾斜角度之變化 鲁程度可藉由選擇上述化合物而控制。 任何化合物均可作爲塑性劑、界面活性劑與聚合單體， 只要其具有適當之碟狀化合物相容性，改變液晶碟狀化合物 之傾斜角度或不抑制定向。其中，聚合單體（例如，具有乙 烯基、乙烯氧基、丙烯醯基、與甲基丙烯醯基之化合物）較 佳。上述化合物通常以碟狀化合物計爲1至5 0質量％，而且 較佳爲5至3 0質量％之量使用。 任何聚合物均可使用，只要其具有適當之碟狀化合物相 -38- 200534930 、 * 容性，而且可改變液晶碟狀化合物之傾斜角度。至於聚合物 之實施例，可提及纖維素酯。此纖維素酯之較佳實施例包括 乙酸纖維素、乙酸丙酸纖維素、羥丙基纖維素、與乙酸丁酸 纖維素。聚合物係以不抑制液晶碟狀化合物之定向之量使 用，其通常爲〇·1至1〇質量％，較佳爲0.1至8質量％，而 且特佳爲0.1至5質量％。 [偏光板] 偏光板具有連續地依序在聚合物膜上堆疊定向層、具有 # 光學各向異性層（其具有固定之液晶分子定向）之光學補償 片、偏光膜、與透明保護膜而得之層結構。透明保護層可由 一般之乙酸纖維素膜形成。偏光膜之實施例包括碘爲主偏光 膜、使用二色染料之染料爲主偏光膜、及多烯爲主偏光膜。 碘爲主偏光膜與染料爲主偏光膜通常使用聚乙烯醇爲主膜 製造。聚合物膜之遲相軸與偏光膜之透明軸間之關係視應用 之液晶顯示裝置而不同。在ΤΝ、MVA及OCB模式之液晶顯 示裝置之情形，其實質上係平行配置。在反射液晶顯示裝置 鲁之情形，其較佳爲實質上以45°角配置。 [液晶顯示裝置] 光學補償片或偏光板有利地用於液晶顯示裝置。ΤΝ、 MVA及OCB模式之液晶顯示裝置係由一個液晶胞及兩片配 置於兩側上之偏光板組成。液晶胞在兩個電極基板之間具有 液晶。光學偏光片可僅配置於液晶胞與偏光板之一之間，或 液晶胞與各偏光板之間。 在OCB模式液晶顯示裝置之情形，光學補償片可在聚 -39- 200534930 勢 合物膜上具有含碟形化合物與棒形液晶化合物之光學各向 異性層。光學各向異性層係藉由將碟形化合物（或棒形化合 物）定向且將定向狀態固定而形成。碟形化合物通常具有大 雙折射率。此外，碟形化合物具有各種定向軸。因此，使用 碟形化合物造成製造具有習知拉製膜（呈雙折射）無法得到 之光學特徵之光學補償片。 在偏光板中，聚合物膜可作爲透明保護膜而配置於液晶 胞與偏光膜之間。聚合物膜可僅作爲偏光板之一之透明保護 • 膜（配置於液晶胞與偏光膜之間），或作爲兩片偏光板之兩 片透明保護膜（配置於液晶胞與偏光膜之間）。較佳爲使用 OCB模式或TN模式之液晶胞。OCB模式之液晶胞係用於液 晶顯示裝置作爲彎曲定向模式之液晶胞，其中將棒形液晶分 子定向，使得液晶胞上部之分子按下部之相反方向（即，對 稱地）定向。因爲棒形液晶分子之上下對稱定向，彎曲定向 模式液晶胞具有自我光學補償功能。因此，此液晶模式亦稱 爲OCB (光學補償彎曲）。彎曲定向模式之液晶顯示裝置具 鲁有筒回應速度之優點。另一方面，在TN模式之液晶胞中， 棒形液晶分子在未施加電壓時實質上係水平地定向，而且進 一步具有60至120。之扭轉定向。TN模式液晶最廣泛地作爲 彩色TFT液晶顯示裝置且敘述於大量文獻中。 [實施例] 光學補償片係藉由使寬度L0爲540毫米之基板連續地 依序接受皂化步驟、定向層塗覆步驟、磨擦處理步驟、及液 晶塗覆步驟而製造。同時，將定向層之塗層寬度L2始終設 -40- 200534930 定爲5 06毫米之固定値，而將皂化用塗層寬度LI及液晶層 用塗層寬度L3改變而製造光學補償片。更特定言之，在實 施例1中，將各塗層寬度Ll(520毫米）及塗層寬度L3(510 毫米）均設定爲大於塗層寬度L2之程度。在實施例2中， 將塗層寬度L3 (510毫米）設定爲大於塗層寬度L2之程度， 及將塗層寬度L1 ( 490毫米）設定爲小於塗層寬度L2。此 外，在比較例1中，將塗層寬度L1 ( 520毫米）設定爲大於 塗層寬度L2之程度，及將塗層寬度L3 ( 500毫米）設定爲 鲁小於塗層寬度L2。在比較例2中，將各塗層寬度L1 ( 490 毫米）及塗層寬度L3 ( 5 00毫米）均設定爲小於塗層寬度 L2。檢查如此製造之光學補償片之膜移除。結果示於表1。 [表1]
L0 (mm) L1 (mm) L2 (mm) L3 (mm) 皂化作用膜 移除 磨擦時層 移除 判定 實施例1 540 520 506 510 dnc Μ j\\\ A 實施例2 540 490 506 510 無 有 B 比較例1 540 520 506 500 有 4rrt Μ F 比較例2 540 490 506 500 有 有 F 由表1明顯可知，在其中塗層寬度L3均小於塗層寬度 L2之比較例1及2中，在偏光板處理中之皂化時膜移除。 相反地，在其中塗層寬度L3均大於塗層寬度L2之實施例1 及2中，可在偏光板處理中之皂化時防止膜移除。結論爲， 在實施例1及2中製造無膜移除之光學補償片。 由表1亦明顯可知，在僅塗層寬度L3大於塗層寬度L2 -41 - 200534930 之實施例2中，在磨擦處理時膜移除，而在塗層寬度L 1及 L3均大於塗層寬度L2之實施例1中，可在磨擦處理時防止 膜移除而不失敗。因此，相較於實施例2，實施例1較爲改 良製程中之光學補償片良率。 【圖式簡單說明】 第1圖爲顯示一種應用本發明而製造光學補償片之方法 之組成的方塊圖； 第2圖爲用於顯示塗層寬度LI、L2與L3間關係之光學 •補償片切面圖；及 第3圖爲另一種光學補償片（異於第2圖所示之光學補 償片）之切面圖。 【主要元件符號說明】 10 片 12 皂 化 部 份 14 定 向 層 16 液 晶 層 L1 塗 層 寬 度 L2 塗 層 寬 度 L3 塗 層 寬 度 -42-