TW200529979A - Compositions and methods for barrier removal - Google Patents

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200529979 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種半導體晶圓材料的化學機械平面化 (CMP)及，更特定言之，係關於在介電體及中間連接金屬存 在下移除半導體晶圓的障壁物材料之Cmp組合物及方法。 【先前技術】 典型而a，半導體晶圓具矽晶圓及包含被排列以在介電 層内形成電路中間連接點圖案的多重溝槽之介電層，此圖 案排列一般具鑲嵌結構或雙鑲嵌結構。障壁物層覆蓋經圖 樣化的介電層及金屬層覆蓋障壁物層，金屬層至少具以金 屬填充經圖案化的溝槽之足夠厚度以形成電路中間連接 點。 ' CMP方法常包括多重平面化步驟，例如，第一步驟自下 方障壁介電層移除金屬層，第一步驟拋光移除金屬層，並 留下平滑平面層於具金屬填充溝槽（其提供平坦於經拋光 表面的電路中間連接點）的晶圓上。第一步驟拋光移除過多 的中間連接金屬，例如，在初使高速率的銅。在第一步驟 移除後，第二步驟拋光可移除留在半導體晶圓上的障壁， 第二步驟拋光自丨導體晶圓的下方介電層移除障壁以提供 平坦的拋光表面於介電層。

引起電路中間連接點的尺寸損失。 信形。此淺碟化可得自第 超過可接受程度的淺碟化 。在電路中間連接點的這 96753.doc 200529979 些’’薄’’區域減弱電子信號及破壞雙鑲嵌結構的連續製造。 障壁典型上為一種金屬、金屬合金或金屬層間化合物， 如短或氮化纽。障壁形成防止在晶圓内層間的遷移或擴散 的層。例如，障壁防止中間連接金屬如銅或銀擴散進入相 鄰介電體’障壁材料必需為耐因大部分酸所引起的腐蝕， 及因而’耐在CMP流體拋光組合物中的溶解。而且，這些 P早壁材料呈現抗在CMP漿液中磨|虫粒子及自固定磨钱墊移 除的勃性。 知钱表示在介電層表面的不欲凹洞，其係因由CMP方法 移除一些介電層而產生，相鄰於溝槽中金屬所發生的侵蝕 引起在電路中間連接點的尺寸缺陷，這些缺陷以一種類似 於淺碟化的方式成為減弱由電路中間連接點所傳送電子信 號及損傷雙鑲嵌結構的後續製造的因素。障壁的移除速率 比上金屬中間連接或介電層的移除速率稱為選擇率比。 如上所討論，大多數障壁物質不易由CMP移除，因為障 壁物質耐由磨蝕及由溶解的移除。典型的障壁移除漿液需 要高磨蝕濃度於流體拋光組合物中以移除障壁物質。例 如，在美國專利第6,001，730號，Farkas等揭示拋光具障壁 層的銅中間連接的漿液具多至12重量百分率磨蝕粒子，但 具攻些鬲磨蝕粒子濃度的漿液傾向於提供對介電層的不利 侵蝕及產生銅t間連接的淺碟化及刮傷。除此之外，高磨 蝕粒子濃度造成低-k介電層自半導體晶圓的剝離或層離。 因而，所需要的是一種選擇性移除鈕障壁材料的改良 CMP組合物及方法，特別是，需要具減少的介電侵蝕及減 96753.doc 200529979 少的金屬中間連接的淺碟化及刮傷之選擇性移除麵障壁材 料的CMP組合物及方法，而且，需要移除纽障壁材料而不 會自半導體晶圓剝離低-]^介電層。 【發明内容】 本發明提供-種用於自半導體晶圓拋光钽障壁材料的水 相組合物，該組合物包括具足以加速叙障壁材料移除的濃 度之吡咯化合物。此外’該吡咯化合物不會抑制中間連接 金屬的移除’該組合物進—步包括磨蝕粒子，該組合物亦 具鈕障壁材料相對介電體的較大選擇率。 在第一方面，本發明提供一種拋光半導體晶圓的水相組 合物，該晶圓在介電體及中間連接金屬前面具纽障壁材 :斗’該組合物包括：具足以加速钽障壁材料移除的濃度之 °比嘻化合物’該^各化合物不會抑制中間連接金屬的移 除，磨蝕粒子，及其中該組合物具鈕障壁材料相對於介電 體的較大選擇率。 在第二方面，本發明提供一種自半導體晶圓拋光鈕障壁 材料的水相組合物’其包括重量百分率。至25的氧化劑、〇 至6非鐵金屬的抑制劑、〇至15非鐵金屬的錯合劑、0 05至 25白^比略化合物、〇〇5至1〇的磨餘粒子，其中該组合物具 纽I1早壁材料相對於介電體的選擇率為至少1〇比卜如以垂直 於曰曰圓测量的微多孔聚氨基甲酸酯拋光墊壓力為20.7 kPa 斤則得及吡咯化合物係由丨，2，心三唑、％甲基三唑、 3 5 - 贫 土 ，2,4-二口坐、1_胺基_1，2,4-三0坐、3一胺基_1，2,4_ —坐、5-胺基甲基_丨，2,4_三唑、弘異丙基]，2,4_三唑、 96753.doc 200529979 1，2,3-三唑、1-甲基_i，2,3-三唑、1-胺基_ι，2,3-三唑、1-胺基 •5_甲基_1，2,3-三唑、4,5-二甲基_1，2,3_三唑、1-胺基-5-正丙 基-1，2,3-三唑、ΐ-(β-胺乙基三唑、^甲基四唑、2_ 甲基四唑、5-胺基-1H-四唑、5-胺基-1_甲基-四唑、1-(β·胺 乙基）-四唑、具電子提供取代基的經取代三唑或四唑化合 物’及其混合物所組成族群選出。 在第三方面，本發明提供一種拋光半導體晶圓的化學機 械平面化方法’該晶圓在介電體及中間連接金屬前面具鈕 障壁材料’ δ亥方法包括·將晶圓與拋光組合物接觸，該拋 光組合物包括吡咯化合物及磨蝕粒子，該吡洛化合物具足 以加速鈕障壁材料移除的濃度，該吼咯化合物不會抑制中 間連接金屬的移除；及以拋光墊拋光該晶圓以在較介電體 移除速率為大的移除速率（以埃每分鐘表示）移除组障壁材 料。 【實施方式】 該溶液及方法提供移除鈕障壁材料的意想不到的選擇 率，該溶液依靠吡咯化合物及磨蝕粒子以選擇性地移除鈕 障壁材料’該溶液以減少的介電侵姑及減少的金屬中間連 接（如鋼）的淺碟化及刮傷選擇地移除鈕障壁材料，而且，气

溶液移除㈣壁材料而不會自半導體晶_離或層離低I 介電層。 為此專利說明書目的，鈕障壁表示鈕、含鈕合金、以知 為基底合金及鈕金屬層間’溶液具對鈕、以钽為基底合金 及鈕金屬層間’如组的碳化物、氮化物及氧化物的特別有 96753.doc 200529979 效性’漿液對自經圖案化半導體晶圓加速移除㈣壁為最 有效的且不會抑制金屬中間連接的移除速率。 此處吡咯化合物被定義為包含二或更多氮原子於共軛環 狀化合物的化合物，該共軛環狀化合物進一步包括至少一 個雙鍵於該至少兩個氮原子間，在該共軛環狀化合物的氮 原子可彼此相鄰或由其他原子分開。該吡咯化合物亦可由 其他基團沿該環狀元取代，較佳取代基為電子提供基。為 此專利說明書目的，名稱”電子提供基"表示為鍵結至基材 的化學基，其傳送電子密度至基材。F· A. Cwq及r. 高等有機化學，部分A :結構及機構，第3版， 紐約，Plerumi Press (1990)，208及546_561頁提供電子提供 取代基的更詳細敘述。電子提供取代基包括如胺基、羥基 (OH)、烧基、經取代烧基、烴基自由基、經取代烴基自由 基、醯胺基、及芳基，這些電子提供取代基加速含鈕障壁 材料的移除。理論上，當咄咯化合物吸附於障壁表面時， 如TaN或Ta，電子在該至少兩個氮原子間經由共軛鍵流動， 結果’吡咯化合物對障壁表面具強親合性，此障壁表面的 親合性被理論化以使用有限的磨蝕粒子加速障壁移除速 率。 較佳的呢洛化合物包括三唑化合物，如三唑、3•甲 基-1，2,4-二唑、3,5-二甲基-i，2,4-三唑、1-胺基-i，2,4-三唑、 3-胺基]，2,4-三唑、5_胺基甲基·丨二扣三唑、3_異丙基 -1，2,4-二唑、1，2,3_三唑、卜甲基β1，2,3-三唑、^胺基qj，％ 二唑、1-胺基-5-甲基-i，2,3-三唑、4,5·二甲基·1，2,3-三唑、 96753.doc 200529979 1-胺基-5-正丙基-1，2,3-三唑、1-(β_胺乙基）_i,2,3-三唑、具 電子提供取代基的經取代三唾化合物，及其混合物。而且， 其他吼咯化合物包括四唑化合物如丨_甲基四唾、2-甲基四 °坐、5-胺基-1H-四唾、5-胺基-1-曱基_四0坐、^(卜胺乙基）_ 四唑、具電子提供取代基的經取代四唑化合物，及其^合 物。加速钽障壁移除的特別有效吡咯化合物為丨，2,4•三唑及 3-胺基-1，2,4-三唑。 有利的是，該》比洛化合物可以如自〇 〇5至25重量百分率 的濃度範圍存在於溶液中，此規格表示 濃度，可存在單一型一化合物，或是可 的料化合物及對大多數應用，⑴重量百分率的料化 合物濃度提供；I夠的障壁移除速率。最佳為，料化合物 濃度為2重量百分率。 合物的混合物。最有利的是，溶液包含…錢重量百分率 拋光組合物包含0.05至1G重量百分率的磨帅子以促使 障壁層’在此範圍内，希望具大於或等於〇1重量百分率的 磨蝕粒子，及較佳為大於或等於〇.5重量百分率，在此範圍 内，亦希望具少於或等於5番旦 、重里百刀率，及較佳為少於或等 於3重量百分率，最佳為磨 ， ~深蚀粒子浪度為自1至2重量百分 率 〇 粒u均粒子尺寸為小於或等於财 以 ::過量金屬淺碟化及介電侵钱。為進行此說明書目的， 具平均粒子尺寸為小”等=寸，更佳為’希望使用 、次專於40奈米的膠態磨蝕粒子。而 96753.doc 200529979 且，最小介電侵蝕及金屬淺碟化有利地以具平均粒子尺寸 為小於或等於3G奈米的膠態二氧切發生，減少膠態磨飯 粒子尺寸至小於或等於3G奈米有助於改良拋光組合物的選 擇率，但是，其亦傾向於減少障壁移除速率。此外，較佳 膠您磨餘粒子可包括添加劑如分散劑、表面活化劑及緩衝 劑=改良膠態磨㈣子的穩定性。—種此種膠態磨餘粒子 為侍自法國Puteaux的Cladant S.A.膠態二氧化矽。 拋光組合物包括用於障壁層”機械"移除的磨蝕粒子，實 例磨❹子包括無機氧化物、金屬硼化物、金屬碳化物、 金屬氮化物、聚合物粒子及包含前者至少一個的混合物。 合適無機氧化物包括二氧化石夕⑶仏）、氧化紹（Al2〇3)、氧 化锆（Zr〇2)、氧化鈽（Ce〇2)、氧化錳（Mn〇2)、或包含至少一 個前者氧化物的組合。若需要亦可使用這些無機氧化物的 經改良型式，如經聚合物塗佈的無機氧化物粒子及經無機 塗佈的粒子。合適金屬碳化物、删化物及氮化物包括，如， ,化石夕、氮化石夕、秒碳氮化物（SiCN)、碳化蝴、碳化鶴、 人化L匕銘、碳化短、碳化欽、或包含至少—個前者 金屬碳化物、硼化物及氮化物的組合，若需要金鋼鑽亦可 乍磨I虫粒子’替代磨餘粒子亦包括聚合物粒子及經塗佈 聚合物粒子及，較佳的磨蝕粒子為二氧化矽。 有利的疋比咯化合物的使用促使以低磨蝕粒子濃度的 抛^包含対化合物及低隸粒子濃度的抛光溶液可以 、^十彳α ”電體移除速率的速率容易地移除鈕障壁材料， 以埃每分鐘表示。更佳為，本發明溶液可以至少一百倍介 96753.doc 200529979 電體移除速㈣速率容易地移除组障壁材料，最佳為，本 發明溶液可以至少-千倍介電體移除速率的速率容易地移 除p早土材料而且，包含π比洛化合物及低磨敍粒子濃度 的拋光溶液可以至少二倍金屬移除速率的速率容易地移除 组障壁材料，以埃每分鐘表示，更佳為，本發明拋光溶液 可以至少5倍金屬移除速率的速率容易地移除组障壁材 料’以埃每分鐘表示，最佳為，本發明抛光溶液可以至少 10倍金屬移除速率的速率容易地移除㈣壁材料，以埃每 分鐘表示。注意，本發明„比略化合物可加速组障壁材料的 移除’本發明料化合物不為中間連接金屬的抑制物，換 言之，本#明吡咯化合物可加速鈕障壁材料的移除且不抑 制中間連接金屬的移除。 比咯化合物在包含其餘量為水的溶液中於廣0^範圍提供 效用，此溶液的有用pH值範圍為自至少2至13。此外，該溶 液有利地依靠其餘量為去離子水以限制偶發的不純度，本 發明拋光流體的pH值較佳為自7至12，更佳為自pH 8_1〇。 右/谷液的pH值小於7 ’可添加氧化劑以加強σ比洛移除障壁材 料的效用。用於調整本發明漿液1)11值的鹼可為含銨離子的 鹼，如氫氧化銨，含經烷基取代的銨離子的鹼，含鹼金屬 離子的鹼，含鹼土金屬離子的鹼，含族ΠΙΒ金屬離子的鹼， 含族IVB金屬離子的鹼，含族VB金屬離子的鹼及含過渡金 屬離子的鹽類。在鹼性範圍的經指定pH的鹼不僅用於障壁 表面的移除，亦有用於使本發明漿液為穩定的。對拋光漿 液pH值可由已知技術調整，例如，可直接加入驗於二氧 96753.doc 200529979 化石夕磨I虫粒子分散及有機酸溶解的漿液中。或是，一部份 或所有要加入的鹼可以有機鹼鹽加入，可使用的驗實例包 括驗土氫氧化物如氫氧化鉀，鹼土碳酸鹽如碳酸钾，氨及 胺。 f 選擇性地，該溶液含〇至25重量百分率的氧化劑，有利的 疋，選擇氧化劑係在〇至1 5重量百分率的範圍，氧化劑在協 助溶液於移除會在低pH值範圍形成的氧化鈕臈為特別有效 的。氧化劑可為數種氧化化合物的至少一個，如過氧化氫 (仏〇2)、單過硫酸鹽、碘酸鹽、過鄰苯二酸錳 '過醋酸及 其他過酸鹽、過硫酸鹽、溴酸鹽、過碘酸鹽、硝酸鹽、鐵 鹽、鉋鹽、Μη(ΙΠ)、Mn(IV)及Mn(VI)鹽類、銀鹽類、銅鹽 類、鉻鹽類、鈷鹽類、鹵素次氯酸鹽及其混合物，而且， 使用氧化劑化合物的混合物常是有利的。當拋光漿液包含 不穩定氧化劑，如過氧化氫，於使用時混合氧化劑於漿液 常是最有利的。 選擇性地，該溶液含0至6重量百分率的抑制劑以控制由 靜態蚀刻或其他移除機構所進行的中間連接移除速率，調 整抑制劑;辰度由保護金屬不致靜態蝕刻而調整了中間連接 金屬移除速率。有利的是，溶液包含選擇性的〇.〇2至5重量 百分率的抑制劑以抑制銅或銀中間連接的靜態蝕刻。抑制 劑可由抑制劑混合物組成’吨,各抑制劑對銅及銀中間連接 為特別有效的，典型的吡咯抑制劑包括苯並三唑（bta)、蘄 基苯並㈣（肅）、甲苯三錢_，職為銅及銀的特另: 有效抑制劑。注意’這些抑制劑特別自此中請案目的"^各” 96753.doc 13 200529979 化合物的定義排除，換言之，本發明吡咯化合物係因其移 除障壁材料的選擇能力而被選擇而非因其抑制金屬中間連 接的移除速率之目的。 除了抑制劑，該溶液可包括0至20重量百分率的非鐵金屬 的錯合劑，當存在時，錯合劑防止由溶解非鐵金屬中間連 接而形成的金屬離子之沉澱。更有利地，該溶液包括〇至1〇

重1百分率的非鐵金屬的錯合劑，錯合劑實例包括醋酸、 檸檬酸、乙醯醋酸乙酯、乙醇酸、乳酸、羥基丁二酸、草 酸、水楊酸、二乙基二硫代氨基甲酸鈉、丁二酸、酒石酸、 氫硫基醋酸、甘氨酸、丙氨酸、天門冬氨酸、乙二胺、三 甲基二胺、丙二酸、谷氨酸、3-羥基異丁酸、丙酸、苯二 酸、異苯二酸、3_羥基水楊酸、3,5-二羥基水揚酸、鎵酸、 葡萄糖酸、鄰苯二酚、連苯三酚、丹寧酸，包括其鹽類及 混合物。有利地，錯合劑係選自由醋酸、擰檬酸、乙醯醋 酸乙醋、乙醇酸、乳酸、經基丁二酸、草酸及混合物所組 成族群。最佳為，錯合劑為醋酸。

本發明拋光流體可應用於包含傳導金屬如銅、鋁、鎢、 始、鈀、金、或銀；障壁或内襯膜如叙、氮化组、鈦、或 氮化鈦；及下方介電層的任何半導體基材。為說明書目的， 名稱介電體表示介電常數，k，的半傳導材料，其包括低_k 及超低-k介電材料。本方法移除钽障壁材料且在習知介電 體及低-k介電材料具些微影響，因該溶液以在低壓力(亦即 二於20.7 kPa)的低磨姓粒子濃度及高组選擇率提供有效的 障壁移除速率，其促使低介電體侵料率的拋光，該溶液 96753.doc 14 200529979 及方法對防止多重晶圓A /八 、办、 夕里日日HJ成份，如多孔及非多孔低_k介電 體、有機及無機低-k介電艚、古她_碰a β "电般、有機矽酸鹽玻璃（〇SG)、氟矽 酸鹽玻璃（FSG)、碳摻雜氧化物（CD〇)、原矽酸四乙酯 (TEOS)及由TE0S得到的氧化石夕的侵#為優秀的。 该拋光溶液亦包括整平液如氣化銨以控制中間連接金屬 的表面磨光，除此之外，該溶液選擇性地包含限制生物污 染的殺菌劑，如Kordex®MLX抗微生物劑2_甲基_4_異噻咪 唑-3_酮於水中（Rohm and Haas Company)提供許多應用的 有效殺菌劑，殺菌劑典型上以供應商指定的濃度使用。 溶液分別提供至少1 〇比1及至少2比1的氮化鈕比介電體 及金屬選擇性，如以垂直於晶圓測量的微孔洞聚氨基曱酸 S旨拋光墊壓力為20.7 kPa所測得的。用於決定選擇率的特別 拋光墊為Politex微孔洞聚氨基甲酸酯拋光墊。調整磨蝕粒 子及吡咯化合物濃度調整鈕障壁移除速率，調整抑制劑、 氧化劑、錯合劑及整平液濃度調整中間連接金屬蝕刻速率。 實例 在實例中，本發明數個代表實例及信件表示對照實例， 此外，所有實例溶液包含0.01重量百分率Kordek®MLX抗微 生物劑2-甲基-4-異噻咪唑-3-酮於水中及〇.〇1氣化銨增白 劑。 實例1 此實驗測量TaN障壁、TEOS的介電層及銅自半導體晶圓 的移除速率，特別是，測試決定在第二步驟拋光操作中特 定吡咯化合物及磨蝕粒子的效用。使用Politex聚氨基甲酸 96753.doc -15- 200529979 酯拋光墊（Rodel，Inc)的Strausbaugh拋光機器在約3 pSi(2〇.7 kPa)的向下力條件及200 cc/min的拋光溶液流速，12ORPM 的壓盤速度及114RPM的載體速度平面化該樣品。拋光溶液 具以KOH及HN〇3調整的pH值9，所有溶液包含去離子水， 此外，拋光溶液包含1重量百分率的具平均粒子尺寸為5 〇 nm的二氧化石夕磨餘粒子。 表1 第二拋光步驟結果 測試 添加劑 重量％ 磨蝕 粒子

BTA 檸檬 酸 _ (wt%) _

TaN TEOS Cu A/min A/min 人/min A 無 — 0 0.1 0 5 -3 38 B 無 — 1 0 0.15 26 32 116 C 無 — 1 0.2 0.15 163 39 91 D 1，2,4-三唑 2 0 0.1 0 -8 -1.4 33 E 3-胺基 2 0 0.1 0 -21 -5.1 49 -1，2,4-三唑 1 1，2,4·三唑 2 1 0.1 0 1995 -0.2 135 2 3-胺基 2 2 0.1 0 2223 -0.4 174 -1，2,4-三嗤 如在表1所說明’高的TaN障壁膜移除速率係以包含。比u各 化合物及磨蚀粒子的拋光流體得到。特別是，包括磨蝕粒 子及1，2,4-三唑或3·胺基-^，心三唑（分別為測試1及2)的第 二拋光步驟流體提供優秀的TaN移除速率，至少1995埃每分 #里（A/min) ’包含磨蝕粒子而無吡咯化合物的拋光流體（對照 96753.doc -16· 200529979 溶液，B及C)及包含吡咯化合物而無磨蝕粒子的拋光流體 (對照溶液，D及E)顯示較低的TaN移除速率及相對於介電體 (TEOS)及金屬（Cu)的差的移除選擇率。注意，TaN及介電體 的負的移除速率係在拋光機器的訂定公差内及顯示沒有可 偵測的TaN及/或TEOS損失。當吡咯化合物與磨蝕粒子存在 於拋光流體中，對測試1及2，TaN相對於介電體的的移除選 擇率分別為1995比1及2223比1。對測試1及2，TaN相對於金 屬的移除選擇分別為15比1及13比1。注意，所討論選擇性 係在先前所定義實例測試條件下，選擇率可隨測試參數的 變化而變化。 當使用包含吡咯化合物及磨蝕粒子的拋光流體時，第1 圖所不結果顯示障壁膜（TaN)的優秀移除及得到相對於金 屬膜（Cu)與介電體層（TE〇s)的相稱移除選擇率。約2重量百 刀率的比咯化合物有用於此移除，提供優秀的障壁膜移除 速率及移除選擇率，所有拋光流體包含丨至2重量百分率的 磨餘粒子含量，此量遠低於在習知第二拋光步驟流體所典 型使用的磨蝕粒子濃度。 該溶液及方法提供移除叙障壁材料如组、氮化組及氧化 ㈣㈣㈣性’該溶液以具減少的介電體侵料擇地移 除组障壁材料，例如， 該/合液以無可偵測的TEOS損失及無 剝離或層離低-k介電體> # ' 二， 層移除鈕障壁材料，此外，該溶液 減少銅中間連接的淺砰化 ㈣辟心 磾化及到傷，本發明吡咯化合物亦加 速鈕P早壁材料的移除而 I市』甲間連接金屬的移除。 96753.doc

Claims (1)

1. 200529979 十、申請專利範圍： 種用於拋光半導體晶圓的水相組合物，該晶圓在介電 體及中間連接金屬前面具拋光鈕障壁材料，該組合物包 括： 具足以加速组障壁材料移除的濃度之吡咯化合物，該 。比咯化合物不會抑制中間連接金屬的移除； 磨蝕粒子；及 /、中A、、且5物具艇(I早壁材料相對於介電體的較大選擇 率。 2. 根據申請專利範圍第！項白勺組合物，丨中該濃度係為㈣ 至25重量百分率的吡咯化合物。 3. 根據申請專利範圍第！項的組合物，其中該組合物包括 0.05至10重量百分率的磨蝕粒子。 4. 根據申請專利範圍第j項的組合物，其中該組合物具至少 2比1的该鈕障壁材料相對於金屬的選擇率，如以垂直於 晶圓測量的微孔洞聚氨基甲酸醋拋光墊壓力為2〇7 kb 所測得的。 5·根據p專利範圍第i項的組合物，其中該料化合物係 自έ ·二哇、四。坐、及其混合物的族群選出。 、 6·根據申請專利範圍第5項的組合物，其中該三唑係自包 含·· 1，2,4-三唑、3-甲基-三唑、3,5_二甲基]' = 三唑、1-胺基-1，2,4-三唑、3_胺基十2,心三唑、5_胺基| 甲基]，2，‘三唑、3_異丙基“又扣三唑、三唑、 甲基-1，2,3-三，坐、；μ胺基^、三口坐、！·胺基i甲基 96753.doc 200529979 -1，2,3-三嗤、4,5-二甲其！ 0。 f基-1，2,3-三唑、^胺基巧·正丙美 -1，2,3-二唑、ι_(β_胺乙基 土 .6, ^ L ) ，2,3-二唑，具電子提供取代 基的經取代三唾化合物，及其混合物的族群選出。 根據申請專利範圍第5項的 含4甲基四哇'2-甲Α Γ °坐係自包 甲基四唑、5-胺基_1Η•四唑、夂 _卜甲基_四°坐、1-(β-胺乙其、 土 ρ版乙基)-四唑’具電子提供取代基的 8. 9. 經取代三魏合物，及其混合物的族群選出。 一種對自半導體晶圓拋光_壁材料為有用的水相έ且人 :广括重量百分率〇至25的氧化劑、。至6非鐵金屬： 抑制劑、0至15非鐵金屬的錯合劑、0.05至25的吼洛化合 物、0.05至12的磨钮粒子，其中該組合物具㈣障壁材料 相對於介電體的選擇性為至少10比卜以垂直於晶圓測量 的微多孔聚4基甲㈣拋光墊壓力為2G7 kpa所測得的 及吼略化合物係由包含：i，2,4_三唾、3_甲基_ i三口坐、 3,5-二甲基'2,三口坐、r胺基十2，心三唾、％胺基十2扣 三0坐、5-胺基I甲基-1，2,4-三。坐、3-異丙基W，心三唾、 1，2,3-二唑、1_甲基d，2,3_三唑、卜胺基H3·三唑、ι_ 胺基-5-甲基-1，2,3-三。坐、4,5_二甲基_152,3_三。坐、卜胺基 _5_正丙基·1’2’3-三°坐、1,胺乙基）-1，2,3-三.坐、1_甲基 四坐、2-甲基四n坐、5_胺基]H_四唾、％胺基小甲基-四 唾、1-(β-胺乙基）-四唆、具電子提供取代基的經取代三唑 或四唑化合物，及其混合物所組成族群選出。 -種拋光半導體晶圓的化學機械平面化方法，該晶圓在 介電體及中間連接金屬前面具组障壁材料，該方法包括： 96753.doc 200529979 將晶圓與拋光組合物接觸，該拋光組合物包括^各化 合物及磨㈣子，該料化合物具^以加速纽障壁材料 移除的展度，5亥》比洛化合物不會抑制中間連接金屬的移 除，及 以拋光墊拋光該晶圓以在較該介電體移除速率為大的 移除速率（以埃母分鐘表示）移除該组障壁材料。 ίο. 根據申請專利範圍第9項的方法，其中該料化合物係自 包含：！，2,4-三唾、3_甲基.^，心三嗤、3,5_二甲基·^，心 三唑、1-胺基-1，2,4-三唑、3_胺基{以·三唑、5_胺基-^ 甲基-1，2,4-三》坐、3·異丙基三嗤、三唑、」_ f ^-1,2,3-= ^ . 1-^^-1,2,3-= ^ -1，2,3-二唑、4,5-二甲基-ΐ，2,3·三唑、j胺基巧_正丙基 1，2,3·三唑、Ηβ_胺乙基三唑、卜甲基四唑、2_ 甲基四唑、5_胺基_1H-四唑、5_胺基_1_甲基·四唑、l·(卜 胺乙基）-四唑、具電子提供取代基的經取代三唑或四唑化 合物’及其混合物所組成族群選出。 96753.doc 200529979 七、指定代表圖： (一) 本案指定代表圖為：（無）。 (二) 本代表圖之元件符號簡單說明： 八、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式： (無） 96753.doc 200529979 發明專利說明I (本說明書格式、順序及粗體字，請勿任意更動，※記號部分請勿填寫） ※申清案破： ※申請曰期： XIpc分類： 一、發明名稱：（中文/英文） 用於除去障壁物之組合物及方法 COMPOSITIONS AND METHODS FOR BARRIER REMOVAL —、申請人：（共1人） 姓名或名稱··（中文/英文） 羅門哈斯電子材料CMP控股公司 ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS CMP HOLDINGS, INC. 代表人：（中文/英文） 班德門布萊克T BIEDERMAN, BLAKE T. 住居所或營業所地址：（中文/英文） 美國•德拉瓦州19899 ·威明頓•北區市集街^05號1300室 1105 North Market Street, Suite 1300, Wilmington, DE 19899, U. S. A. 國籍：（中文/英文） 美國 / U.S.A. 三、發明人：（共1人） 姓名··（中文/英文） 金路班 ΒΙΑΝ, JINRU 國籍：（中文/英文） 美國 / U.S.A. 93064L