TW200529700A - Organic electroluminescent device, method for producing the same, and electronic appliance - Google Patents

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200529700 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關有機電激發光裝置，有機電激發光裝置 之製造方法，以及電子機器。 【先前技術】 近年來，作爲替代液晶顯示器之自發發光型顯示器， Φ 加速開發採用有機物之發光裝置，而針對在作爲發光材料 採用如此之有機物的有機電激發光裝置（經由本明細書稱 爲有機EL裝置）之製造方法係知道有採用真空蒸鍍法之 方法或，採用濺鍍法（液滴吐出法）等之濕式成膜法的方 法，而採用真空蒸鍍法之方法係由越過光罩使基板與蒸鍍 源對線配置的狀態，使低分子系發光材料氣化，而形成因 應光罩圖案之發光層（例如，參照申請專利文獻1 )，對 此，採用濺鍍法之方法係因應位元標誌等之圖案資料來吐 φ 出（塗抹）含有高分子系發光材料之液體材料，而形成因 應該位元標誌圖案之發光層，而針對在如此之濺鍍法係因 可由高解像度來吐出·塗抹直徑爲// m規則之液滴，故可作 爲高精細圖案，另外，因只吐出液體材料爲規定圖案，故 不會產生材料的浪費，而具有可由低成本製造有機EL裝 置之利點。 另外，作爲進行濺鍍法之前工程，一般知道係相對性 形成疏液部及親液部於基板上之方法，例如知道有堆積疏 液性之樹脂絕緣層與親液性之氧化矽層之方法，另外，在 -4- 200529700 (2) 近年來係知道有形成本身組織化膜之疏液膜於基板全面， 並越過光罩施以紫外線照射去除部份疏液膜而形成親液圖 案之方法（例如’參照申請專利文獻2 )，針對如此任何 方法，均可使附著在疏液部之液體材料朝親液部流動，並 針對在該親液部使液體材料停留之情況。 接著’關於在堆積形成親液部及親液部之後採用濺鍍 法所製造之有機E L裝置來進行說明。 φ 圖1 1 ( a )係爲有機EL裝置之要部剖面圖，而針對 在圖1 1 ( a )，各自表示符號3 00係畫素電極，符號30 i 係氧化矽層（親液部），符號3 02係樹脂絕緣層（疏液部 )，符號3 0 3係正孔注入層，符號3 04係發光層，符號 305係陰極，而在此正孔注入層3 03及發光層304係因採 用濺鍍法根據液體材料之塗抹所形成，故具有與樹脂絕緣 層3 02之接觸面，並更加地，因根據使液體材料中之溶劑 乾燥之情況所形成，故中央部xc則薄膜化，並成爲針對 φ 在端部X 1，x2作爲厚膜化之膜厚剖面（剖面形狀）。 〔申請專利文獻1〕日本特開平9-2049 8 5號公報 〔申請專利文獻2〕日本特開2002-23 73 8 3號公報 【發明內容】 〔欲解決發明之課題〕 但，當測定如上述所形成之發光層3 04之亮度分部時 ，如圖1 1 ( b )所示，端部X1，x2之亮度變低，中央部 xc之亮度變高，而有著亮度成爲不均之問題，更加地，當 200529700 (3) 使發光層3 04長時間發光時，如圖11 ( c )所示，亮度逐 漸劣化，而有中央部xc之亮度變得比端部X1，x2還低之 ，問題，而如此之亮度的不均一化係並不只發光壽命下降還 有無法顯示所期望發光色之問題。 更加地，對於爲了謀求中央部XC及端部X1，X2之膜 厚的均一化而將第2絕緣層3 02作爲薄膜化之情況係有著 於設置在畫素電極3 00之下方的薄膜電晶體與，陰極305 φ 之間發生寄生容量，並產生串訊之問題，另外，由薄膜電 晶體受到寄生容量之影響情況，無法得到正常之切換特性 而有著顯示品位下降之問題。 另外，薄膜電晶體與陰極3 05之間的寄生容量增加之 影響係爲信號線或掃描線的容量負荷變大，並信號線或掃 描線的驅動電路之負荷變大之情況，而這些驅動電路之驅 動能例如爲相同，信號線或掃描線之信號則變爲不易傳達 ，亦對於切換元件之動作產生影響。 φ 本發明係爲有鑑於上述課題所發明之構成，而其目的 爲提供由謀求正孔注入層或發光層等之剖面形狀均一化之 情況實現亮度分佈之均一化，更加地，控制針對在薄膜電 晶體等之切換元件與陰極之間的寄生容量而得到良好之顯 ^ 示特性的有機電激發光裝置，有機電激發光裝置之製造方 法，以及電子機器 〔爲了解決課題之手段〕 爲了達成上述之目的，本發明係採用以下之構成，本 -6- 200529700 (4) 發明之有機EL裝置係爲 信號線與，形成在該掃描 > 換元件112與，因應該切 _ 機能層與，形成在該發光 緣層之有機EL裝置，而 述發光機能層形成在非接 應前述掃描線，前述信號 φ 於前述第1及第2絕緣層 層之疏液性薄膜26之情 信號線或掃描線之各個電 要係爲控制發光機能層之 發光狀態之構成，另外， 作之外，亦作爲處理授於 理電路或補償電路的元件 機能層係意味根據液滴吐 φ 層或發光層等。 如根據本發明，因至 元件之位置形成有第2絕 線，掃描線及切換元件之 ^ 之影響，隨之，可防止因 另外，可抑制掃描線及信 制傳達掃描線及信號線之 由此，切換元件係因進行 品位優越之有機EL裝置。 具備有形成在基板上之掃描線及 線及該信號線之交差部附近的切 I換元件之動作來進行發光之發光 機能層之相互間的第1及第2絕 其特徵係前述第2絕緣層係與前 觸之位置的同時，至少形成在因 線及前述切換元件之位置，並對 係形成有覆蓋該第1及第2絕緣 況，而在此，切換元件係指因應 位而進行動作之構成，並作爲主 :發光/非發光狀態，中間等級之 切換元件係除了進行如此切換動 信號線及掃描線之信號之信號處 而發揮機能之構成，另外，發光 出法來塗抹在電極上之正孔注入 少於因應信號線，掃描線及切換 緣層，故可大幅降低對於該信號 寄生容量，進而可抑制寄生容量 寄生容量所引起之串訊之發生， 號線之驅動電路之負荷，並可抑 電氣信號之延遲或偏移情況，而 良好之切換動作，故可達成顯示 -7- 200529700 (5) 特別是，本發明係比起供給電力於發光機能層之驅動 用電晶體，信號線，掃描線及切換元件係爲根據容易受寄 、生容量之影響的情況所作爲之發明，而具體來說係驅動用 電晶體係因爲爲接續在供給一定電位之電源線之構成，故 電位則成安定之構成，對此，信號線，掃描線及切換元件 係具有比起驅動用電晶體還容易根據周圍的電場或寄生容 量之作用而產生電位變動之特性，因此，本發明係爲根據 φ 於因應信號線，掃描線及切換元件之位置形成第2絕緣層 之情況，降低這些配線及元件的寄生容量，並降低傳達這 些之電氣信號的延遲或偏移之構成，又爲根據此控制寄生 容量之影響來實現顯示品位優越之有機EL裝置之構成。 另外，如根據本發明，因配置發光機能層與第2絕緣 層於非接觸之位置，故在採用液滴吐出法來塗抹形成發光 機能層之液體材料之情況，並不會產生如以往技術所示之 液體材料與第2絕緣層之接觸情況，而更加地，因形成有 • 疏液性薄膜，故液體材料不會有冒出於由該疏液性薄膜所 覆蓋之第1及第2絕緣層之情況，隨之，可只對於疏液性 薄膜之非形成部分收納液體材料進行塗抹形成，並且，因 針對在該非形成部分之液體材料中的溶劑作爲乾燥之情況 來形成發光機能層，故將不會有產生對於疏液性薄膜之冒 出或，與第2絕緣層接觸之情況，而可形成發光機能層之 情況，更加地，將可達成如此之發光機能層的膜厚剖面形 狀之均一'化。 另外，針對在前述有機EL裝置係其特徵爲因應前述 200529700 (6) 切換元件而更加具備使前述發光機能層發光驅動之驅動元 件，並於因應該驅動元件之位置形成前述第2絕緣層之情 況，在此，驅動元件係指構成切換元件之後段側之電路的 元件，例如，意味著電源線，接續在電源線之驅動用電晶 體，切換元件與驅動用電晶體之間的配線，維持驅動用電 晶體之動作的維持容量，電源線與驅動用電晶體之間的配 線等之構成，而如此之驅動元件係爲均根據切換元件之動 φ 作來從動方式地進行動作之構成。 如根據本發明，可得到與上述有機EL裝置相同之效 果的同時，由形成第2絕緣層於因應驅動元件之位置的情 況，對於該驅動元件將可大幅降低寄生容量之情況，並更 可抑制寄生容量之影響，隨之，可防止因寄生容量所引起 之串訊之發生，由此，驅動元件係因可良好地進行動作， 故可達成顯示品位優越之有機EL裝置情況。 另外，針對在前述有機EL裝置係其特徵爲前述疏液 φ 性薄膜係爲單分子膜之情況，而如此作爲，將可從單分子 形成由2分子程度的分子層而成之疏液性薄膜情況，另外 ’根據此可由濕式成膜法來形成單分子膜之情況，而在如 此單分子膜之中亦採用耦合劑之情況則爲理想，而耦合劑 係因具有根據照射紫外線之情況所分解之性質，故可根據 朝全面形成之疏液性薄膜來局部性地照射紫外線之情況形 成規定圖案之疏液性薄膜。 另外’針對在前述有機EL裝置係其特徵爲前述疏液 性薄膜係爲樹脂膜之情況，而如此作爲，將可形成由樹脂 -9- 200529700 (7) 材料而成之疏液性薄膜情況，另外，根據此可由濕式成膜 法來形成樹脂膜之情況，而如此之樹脂材料之中意適宜採 用非感光性樹脂材料或感光性樹脂材料，如採用非感光性 樹脂材料，可根據採用微縮術法與蝕刻法之情況來形成規 定圖案之疏液性薄膜，另外，如採用感光性樹脂材料，可 根據顯像處理來形成規定圖案之疏液性薄膜，另外，對於 於樹脂材料本身無疏液性之情況係將可根據使以疏液處理 φ 之情況賦予疏液性而形成疏液性薄膜之情況。 另外’針對在前述有機EL裝置係其特徵爲前述疏液 性薄膜係爲比起前述發光機能層之膜後有1 · 5倍以下之膜 厚情況’如作爲此，在包含在發光機能層之液體材料之溶 劑乾燥後，可確實防止對於疏液性薄膜之材料的冒出情況 ’而更加地，因膜厚爲1 .5以下，故可更適當地平坦化發 光機能層。 另外，針對在前述有機EL裝置係其特徵爲前述疏液 φ 性薄膜係連續性地覆蓋前述第2絕緣層之側部及前述第1 絕緣層的上部情況，而如此作爲，針對在疏液性薄膜之上 面係因不會有冒出液體材料之情況，故發光機能層之液體 材料與第2絕緣層不會有接觸之情況，隨之，可確實非接 觸狀態地維持第2絕緣層之側部與發光機能層。 另外，針對在前述有機EL裝置係其特徵爲前述第1 絕緣層係具有露出電極之開口部，並針對在該開口部接觸 配置前述電極與前述發光機能層之情況，如此作爲’針對 在開口部因發光機能層與電極作爲接觸，故可從電極朝發 -10- 200529700 (8) 光機能層適當地注入載流子情況，另外，理想則是第1絕 緣層係本身具有親液性之情況，而對於此情況係於電極上 可適當地塗抹發光機能層之液體材料情況。 另外，本發明之有機EL裝置之製造方法係爲具備有 形成在基板上之掃描線及信號線與，形成在該掃描線及該 信號線之交差部附近之切換元件與，因應該切換元件而進 行發光之發光機能層與，形成在該發光機能層之相互間之 φ 第1及第2絕緣層之有機EL裝置的製造方法，其特徵係 於前述發光機能層與非接觸之位置，且，至少因應前述掃 描線，前述信號線，以及前述切換元件之位置，具有形成 前述第2絕緣層之工程與，形成覆蓋前述第1及第2絕緣 層之疏液性薄膜的工程情況。 如根據本發明，因於至少因應掃描線，信號線，以及 切換元件之位置形成有第2絕緣層，故可對於該掃描線， 信號線，以及切換元件大幅降低寄生容量，並可抑制寄生 φ 容量之影響，隨之，可防止因寄生容量所引起之串訊之發 生，由此，切換元件係因進行良好之切換動作，故可達成 顯示品位優越之有機EL裝置。 另外，如根據本發明，因將第2絕緣層與發光機能層 非接觸地來進行配置，故對於採用液滴吐出法來塗抹形成 發光機能層之液體材料情況，將不會產生如以往技術所示 之液體材料與第2絕緣層之接觸情況，更加地，因形成有 疏液性薄膜，故液體材料不會冒出在根據該疏液性薄膜所 包覆之第1及第2絕緣層之情況，隨之，可只對於疏液性 -11 - 200529700 (9) 薄膜之非形成部分收納液體材料來作爲塗抹形成，並且， 因由針對在非形成部分之液體材料中之溶劑乾燥之情況形 成發光機能層，故不會產生對於疏液性薄膜之冒出或，與 第2絕緣層之接觸情況，而可形成發光機能層，更加地， 可達成如此發光機能層之膜厚剖面形狀之均一化情況。 另外，針對在前述有機EL裝置之製造方法係形成前 述疏液性薄膜之工程之特徵係具備有塗抹含有單分子膜材 φ 料之液體材料來形成單分子膜於前述基板之全面的工程與 ，去除該單分子膜之一部分來露出電極之工程情況，而如 此作爲，將可形成由單分子膜而成之疏液性薄膜於除了電 極之部分，另外，根據電極露出之情況，將可在塗抹液體 材料於電極上之情況只對於電極上塗抹液體材料，並形成 含有液體材料之發光機能層之情況。 另外，針對在前述有機EL裝置之製造方法係去除前 述單分子膜之一部分來露出電極之工程的特徵係藉由具有 φ 光遮蔽部與光透過部之光罩來照射紫外線於前述單分子膜 之情況，如此作爲，照射紫外線之部分的單分子膜則分解 而被去除，並且因越過光罩而照射紫外線，故可根據通過 光罩之光透過部之紫外線去除單分子膜之情況，另外，可 留住因應被光罩的光這必部所遮蔽之部分的位置之單分子 膜，即，可因應形成在光罩之光遮蔽部及光透過部之圖案 來去除單分子膜之情況。 另外，針對在前述有機EL裝置之製造方法係去除前 述單分子膜之一部分來露出電極之工程的特徵係藉由具有 -12- 200529700 (10) 光遮蔽部與光透過部之前述基板來照射紫外線於前述單分 子膜之情況，如此作爲，因基板本身作爲光罩而發揮機能 ，故可進行光罩不足之紫外線照射，在此，基板上之光遮 蔽部係因應掃描線，信號線，切換元件，驅動元件，第1 及第2絕緣層之情況則爲理想，而基板上之光透過部係因 應透明電極之情況則爲理想。 另外，針對在前述有機EL裝置之製造方法係形成前 φ 述疏液性薄膜之工程之特徵係具備有塗抹含有樹脂材料之 液體材料來形成樹脂膜於前述基板之全面的工程與，去除 該樹脂膜之一部分來露出電極之工程與，施以親液性處理 及疏液處理之工程情況，如此作爲，將可形成由樹脂材料 而成之疏液性薄膜，另外，因電極作爲露出，故將可在塗 抹液體材料於電極上之情況只對於電極上塗抹液體材料， 隨之，將可只對於電極上形成發光機能層。 另外’去除樹脂膜之一部分來露出電極之工程係因應 φ 非感光性樹脂材料或感光性樹脂材料之任合一項而有所不 同’例如’如採用非感光性樹脂材料，可根據採用微縮術 法與蝕刻法之情況來去除樹脂膜之一部分，另外，如採用 感光性樹脂材料，可根據顯像處理來去除樹脂膜之一部分 ，另外，根據施以親液性處理及疏液性處理之情況，可將 樹脂膜作爲疏液化，將電極作爲親液化，而由此，將可不 對於fef脂膜上係塗抹液體材料而只對於電極上塗抹液體材 料之情況。 另外’本發明之電子機器之特徵係具備有先前記載之 -13- 200529700 (11) 有機E L裝置，而作爲如此之電子機器係例如可例示行動 電話，移動體資訊終端，手錶，文字處理機，電腦等之資 訊處理裝置等，另外，可例示具有大型顯不畫面之電視或 ，大型螢幕，如此於電子機器之顯示部，根據採用本發明 之有機EL裝置之情況，將可提供顯示特性良好之電子機 器。 p 【實施方式】 〔爲了實施發明之最佳型態〕 以下，詳細說明本發明 然而，本實施型態係爲表示本發明之一部分的形態的 構成，而並不限定本發明之構成，可在本發明之技術思想 的範圍內作任意變更，另外，針對在以下所示之各圖係爲 了在圖面上作爲可辨識各層或各構件之程度大小，而對於 每個各層或各構件做不同尺寸大小，首先，說明本發明之 φ 有機EL裝置之一實施型態，而圖1係爲表示本實施型態 之有機EL裝置之配線構造的模式圖，並針對圖1，符號1 係爲有機EL裝置。 此有機EL裝置係爲作爲切換元件採用薄膜電晶體（ Thin Film Transistor，以下稱爲TFT)之有源矩陣方式之 構成，具有由複數掃描線10 1·.·與，對於各掃描線101沿 著交差於直角之方向的複數信號線1 02…與，並列沿著各 信號線1 〇2之複數電源線（驅動元件）1 03…而成之配線 構成，並於掃描線101···與信號線102···之各交點附近形成 -14- 200529700 (12) 畫素範圍X之構成。 對於信號線1 02係接續有具備位移暫存器，準位移位 器，錄影線，以及類比切換器等之資料線驅動電路100, 而另外，對於掃描線1 0 1係接續有具備位移暫存器及準位 移位器等之掃描線驅動電路8 0。 更加地，對於各個畫素範圍X係設置有藉由掃描線 供給掃描信號至閘道電極之切換用TFT (切換元件） φ 112與，藉由此切換用TFT1 12來維持從信號線102所共 有之畫素信號之維持容量（驅動元件）1 1 3與，供給根據 該維持容量1 1 3所維持之畫像信號於閘道電極之驅動用 TFT (驅動元件）123與，藉由此驅動用TFT 123以電接續 於電源線1 0 3時，從該電源線1 0 3流入驅動電流之畫素電 極（電極）23與，夾合在此畫素電極23與陰極50之間的 發光機能層2 2。 接著，參照圖2〜圖4來說明本實施型態之有機EL裝 • 置1之具體的型態，而在此，圖2係爲模式方式表示有機 EL裝置1之構成平面圖，而圖3係爲了說明針對在有機 EL裝置1之畫素範圍X之電路構成的擴大平面圖，圖4 係爲沿著圖2之A-A’線之要部剖面圖，另外，圖4 ( a) 係爲由R (紅），G (綠），B (藍）各色進行發光之發光 機能層22R，22G，22B附近之剖面圖，而圖4 ( b )係爲 詳細表示一個發光機能層22附近之剖面擴大圖，圖4 ( c )係爲圖3所示之畫素範圍X之剖面圖，按照實際尺寸之 擴大圖。 -15- 200529700 (13) 首先，參照圖2，說明有機EL裝置1之構成，如圖2 所示，本實施型態之有機EL裝置1係由具備有具有光透 過性與電氣絕緣性之基板20與，由配置接續在切換用 TFT1 12之畫素電極23爲矩陣狀於基板20上而成之畫素 範圍X(參照圖1)與，配置在畫素範圍X之週圍同時接 續在各畫素電極之電源線10 3...與，至少位置在畫素範圍 X上之平面視略矩形之畫素部3 (圖2中一點虛線框內） φ 所構成之，然而，針對在本實施型態，畫素部3係區劃爲 中央部份之實際顯示範圍4 (圖中二點虛線內）與，配置 在實際顯示範圍4之空的範圍5 ( —點虛線及二點虛線之 間的範圍）。 對於實際顯示範圍4係規則性地配置各自具有畫素電 極之顯示範圍R，G，B於A-A’方向，另外，對於實際顯 示範圍4之圖2中兩側係配置有掃描線驅動電路80，80， 而此掃描線驅動電路80，80係由配置在空的範圍5之下 φ 層側所設置。 另外，對於實際顯示範圍4之圖2中上方側係配置有 檢查電路90，並此檢查電路90係由配置在空的範圍5之 下層側所設置，而此檢查電路90係爲爲了檢查有機EL裝 置1之動作狀況的電路，例如具備有將檢查結果輸出至外 部之檢查資訊報出手段（無圖示），並可進行針對在製造 圖中或出貨時之顯示裝置的品質，缺陷之檢查地構成之。 掃描線驅動電路80及檢查電路90之驅動電壓係從規 定之電源部藉由驅動電壓導通部（不圖示）及驅動電壓導 -16- 200529700 (14) 通部（不圖示）所施加，另外，對於這些掃描線驅動電路 8 0及檢查電路9 0之驅動控制信號及驅動電壓係成爲從掌 管此有機EL裝置1之動作控制之規定主驅動器等’藉由 驅動電壓導通部（不圖示）及驅動電壓導通部（不圖示） 所傳送及施加，然而，此情況之驅動控制信號係指從掃描 線驅動電路80及檢查電路90輸出信號時之關連控制之主 驅動器之指令信號。 B 接著，參照圖3就關於畫素範圍X之電路構成進行說 明，而如圖3所示，畫素範圍X係將設置在基板20上之 TFT112，123，畫素電極23，及維持容量113作爲主體所 構成之，而在上述構成構件之中，切換用TFT112與，驅 動用.TFT1 23與，維持容量113則構成有針對在畫素範圍 X之電路部。 切換用TFT1 12係具有閘道電極1 12g與，源極範圍 1 12s與，汲極範圍1 12d，而源極範圍 U2s及汲極範圍 Φ 112d係形成在由聚矽等而成之半導體層，並且，於與源極 範圍112s與汲極範圍112d之間的閘道電極112g對向之 範圍形成有不圖示之通道範圍，並該通道範圍係成爲根據 閘道電極112g之電場作用，切換源極範圍112s與汲極範 圍Π 2d之間的導通狀態，而閘道電極11 2g係分歧掃描線 1〇1所形成之，另外，針對在TFT 1 12源極範圍1 12S與信 號線102，以及，汲極範圍1 12d與汲極電極DR係各自藉 由接觸孔C以電接續。 驅動用 TFT123係將閘道電極123g與，源極範圍 -17- 200529700 (15) 1 2 3 s與，汲極範圍1 2 3 d作爲主體所構成之，而源極範圍 123s及汲極範圍123d係形成在由聚砂等而成之半導體層 ，而對於源極範圍1 2 3 s與汲極範圍1 2 3 d之間係形成有不 圖示通道範圍，並該通道範圍係成爲根據閘道電極1 23 g 之電場作用，切換源極範圍123s與汲極範圍123d之間的 導通狀態，而閘道電極123g係藉由汲極電極DR與接觸孔 C以電接續，並與沿著電源線1〇3而延伸之容量電極104 | ’以相同之構件一體型成之，另外，源極範圍1 2 3 s與畫 素電極2 3藉由接觸孔C極略圖示之汲極電極以電接續， 在此’汲極電極係爲埋設在形成於層間絕緣膜之接觸孔C 之中繼導電構件。 維持容量1 1 3 ‘係形成在對向配置電源線1 〇 3與容量電 極104之範圍，而容量電極1〇4係因與閘道電極I23g及 汲極電極D R電接續，故成爲維持藉由汲極範圍1丨2 d所供 給之畫像信號之同時，對於閘道電極1 2 3 g供給此維持之 _ 畫像信號。 更加地，對於畫素電極2 3之上方係依序堆積形成氧 化矽層（第1絕緣層）2 4，樹脂絕緣層（第2絕緣層）2 5 及疏液層（疏液性薄膜）26 (後述），而在此，氧化矽層 24係具有開口部24a，而疏液層係具有26a，由此，畫素 電極23係針對在該開口部24a，26a成爲露出之狀態，並 後樹脂發光機能層2 2與畫素電極2 3則成爲接觸著，而更 加地’如本發明之特徵點所示，樹脂絕緣層25之位置與 ，掃描線101，信號線102及切換用TFT 112之位置係有 -18- 200529700 (16) 作爲對應，並這些係針對平面視重疊所形成之’另外’針 對在本實施型態係驅動用TFT123或維持容量113係成爲 沒有與樹脂絕緣層2 5重疊之狀態。 針對在具有如此之TFT的有機EL裝置1係當驅動掃 描線101而切換用TFT1 12成爲開啓時，此時之信號線 1 02的電位則維持在維持容量1 1 3，並因應該維持容量1 1 3 之狀態，決定驅動用TFT 123之開啓.關閉，並且，藉由驅 φ 動用TFT 123之通道，從電源線103流動電流於畫素電極 23，更加地藉由發光機能層22流動電流至陰極50 ’當爲 如此時，發光機能層22係因應流動此之電流量進行發光 〇 接著，參照圖4就有關剖面構造進行說明如圖4 ( a )所示，有機EL裝置1係爲藉由不圖示之封合樹脂來貼 合基板20與封合基板30而成之構成，而針對在由基板20 ，封合基板3 0及封合樹脂所圍住之範圍係於封合基板3 0 φ 之內面貼著有吸收水分或氧之吸氣劑4 5，另外，其空間部 係塡充氮氣而成爲氮氣塡充層46，而如此構成之同時，抑 制水分或氧浸透於有機EL裝置1內部，並由此，有機EL 裝置1係成爲謀求其長壽化之構成。 作爲基板20係所謂前放射型之有機EL裝置之情況， 因爲爲從爲此基板20之對向側之封合基板3 0側取出發光 光之構成，故均可採用透明基板及不透明基板任何一種情 況，而作爲不透明基板係例如除了對於氧化鋁等之陶瓷， 不銹鋼等之金屬板施以表面氧化等之絕緣處理之構成以外 -19- 200529700 (17) ，可舉出熱硬化性樹脂，熱可塑性樹脂等，另外，對於所 謂底部放射型之有機EL裝置之情況係因爲爲從基板20側 取出發光光之構成，故作爲基板20係採用透明或半透明 之構成，例如可舉出玻璃，石英，樹脂（壓克力，壓克力 薄膜）等，特別是適合採用玻璃基板，然而，在本實施型 態之中係作爲從基板2 0側取出發光光之底部放射型，因 此作爲基板20係採用透明或半透明之構成。 B 作爲封合基板3 0係例如可採用具有電氣絕緣性及氣 體阻隔性之板狀構件，另外封合樹脂亦具有電氣絕緣性及 氣體阻隔性之情況則爲理想，例如爲由熱硬化性樹脂或紫 外線硬化樹脂而成之構成，並特別由爲熱硬化性樹脂之一 種的環氧樹脂而成之情況則爲理想。 另外，對於基板2 0上係形成有電路部（切換元件） 1 1，而該電路部1 1係如圖1所示，具備有掃描線1 〇 1與 ，信號線102與，切換用TFT1 12，驅動用TFT 123及維持 φ 容量1 1 3，另外，肝電路部1 1係例如亦可具備由4個或5 個之電晶體而成之信號處理電路，而針對在該電路部11 係實現對於每個畫素範圍設置補償TFT或發光機能層22 之動作不均之補償電路或，電流程式方式之電路等之信號 處理電路，另外，如此電路部之中掃描線1 0 1與，信號線 1〇2與，以及切換用TFT1 12之位置係與絕緣樹脂層25作 對應，如圖3所示，針對在平面視，重疊所形成之，另外 ，即使在形成信號處理電路於電路部Π之情況，該信號 處理電路係亦與絕緣樹脂層25作對應所形成。 -20- 200529700 (18) 更加地，對於因應驅動用TFT1 23之上方的位置係堆 積氧化矽層24與樹脂絕緣層25所設置，更加地，包覆氧 化矽層2 4與樹脂絕緣層2 5地形成疏液膜2 6。 氧化矽層24係鄰接於畫素電極23來配置之同時，形 成使畫素電極23之一部分露出之開口部24a，更加地，該 氧化矽層24係對於液體材料具有親液性，而針對在本實 施型態係材用爲無機材料之Sio2，但亦可採用其他的無機 φ 材料或有機材料之各種材料。 樹脂絕緣層25係形成在氧化矽層24之上部的同時， 形成在與後述之發光機能層22非接觸之位置，而作爲該 樹脂絕緣層2 5之材料係採用丙烯基或聚醯亞胺等之有機 材料，另外，樹脂絕緣層2 5之膜厚係爲約2 // m程度之情 況則爲理想，然而，如圖4 ( b )所示，樹脂絕緣層2 5之 側部25a係對於基板20平面形成爲略垂直，但亦可以規 定角度使該側部25a作爲傾斜。 φ 疏液膜2 6係如覆蓋氧化矽層24與樹脂絕緣層2 5地 形成成之，更加地，疏液膜26係因應氧化矽層24之開口 部24a而成爲非形成，即，對於畫素電極23之露出部23a 上係沒有形成疏液膜26，另外，疏液膜26係連續性地覆 蓋樹脂絕緣層2 5之側部2 5 a與，氧化砂層2 4之上部2 4 b ，而如此之疏液膜26係爲將全氟烷基三甲氧基矽烷作爲 材料之單分子膜，並且，其膜厚係爲單分子〜2分子程度之 情況則爲理想，然而，在本實施型態之中係採用有機矽烷 偶合劑，但偶合劑係包含矽烷，爲鈦系，矽烷系等之金屬 -21 - 200529700 (19) 的烷基化物，疏液性的基，例如烷基，烯丙基，或對於這 些置換芳香族之氟化物之情況則爲理想，然而，針對在本 實施型態之疏液膜2 6之〔疏液性〕係指，比較於至少構 成氧化矽層24之材料（在本實施型態之中係Si〇2 )等之 材料，作爲意味疏液性高之情況的構成。 畫素電極23係在本例之中係從爲底部放射型之情況 ，根據透明導電材料所形成之，作爲透明導電材料係適合 φ 爲1 τ 〇，但除此之外亦可採用例如氧化銦·氧化亞鉛系非晶 形透明導電膜（Indinm Zinc Oxide:IZO (出光興產社製） )等之情況，然而在本實施型態之中係作爲採用IT0之構 成，另外，對於爲前放射形之情況係沒有特別需要採用具 備光透過性之材料，而例如可於ΙΤΟ之下層側設置Α1等 ，作爲反射層來採用，並且，如圖4 ( a )所示，對於畫素 電極23之露出部23a上係形成有發光機能層22R，22G， 2 2B，在此發光機能層22R，22G，22B係成爲由RGB各 φ 個顏色進行發光。 並且’如圖4 ( b )所示，發光機能層2 2係成爲從畫 素電極2 3側堆積形成正孔注入層7 0與，發光層6 0與， 電子注入層65之構成，而正孔注入層70係爲注入/輸送 從畫素電極23之正孔於發光層60之層膜，而電子注入層 65係爲注入/輸送從後述之陰極50之電子於發光層之層膜 ，而發光層60係由因應發光機能層22R，22G，22B而有 所不同之材料所形成之。 作爲正孔注入層7 〇之形成材料係特別適合採用3，4- -22- 200529700 (20) 水乙丨布_*經基曝吩/聚苯乙燒礦酸（PEDOT/PSS)之分散 液’即，使3 ’ 4 -聚乙烯二羥基噻吩分散於聚苯乙烯磺酸 ’並更加地將此分散於水之分散液，然而，作爲正孔注入 層70之形成材料係可使用並不侷限於前述構成之各種構 成’例如可使用使聚苯乙烯，聚吡咯，聚苯胺，聚乙炔或 其衍生物等份散於適當之分散劑，例如聚苯乙烯磺酸之構 成等。 (I 作爲爲了形成發光層60之材料採用可將螢光或燐光 進行發光之公知的發光材料，另外，在本實施型態之中係 爲了進行全彩顯示，各自因應光的三原色而形成其發光波 長帶域’即，對於發光機能層22R係設置有發光波長帶域 因應紅色之發光層60而對於發光機能層22G係設置有發 光波長帶域因應綠色之發光層60，對於發光機能層22Β 係設置有發光波長帶域因應藍色之發光層60，根據具備有 如此RGB之三個發光層的發光機能層22，構成1畫素， φ 而根據這些進行等級發光之情況，有機EL裝置1則成爲 作爲全體構成全彩顯示。 作爲發光層60之形成材料，具體來說係適合採用聚 芴衍生物（PF )，（聚）對苯乙烯撐衍生物（PPV )，聚 對苯衍生物（PP )，聚對苯乙烯撐衍生物（PPP )，聚乙 烯咔唑（PVK )，聚噻吩衍生物，聚甲基苯基矽烷（PMPS )等之聚矽烷系等，另外，對於這些高分子材料亦可摻雜 茈系色素，香豆素色素，若丹明色素等之高分子系材料， 或亦可摻雜紅熒烯，菲，9，10-二苯基蒽，四苯基丁二烯 -23- 200529700 (21) ，耐綸紅，香豆素6，喹吖酮等之低分子材料來使用之情 況。 針對在本實施型態係作爲紅色的發光層60之形成材 料採用MEHPPV (聚（3 -甲氧基6- (3 -乙基己基）對苯乙 烯撑），作爲綠色的發光層60之形成材料採用聚二辛基 芴與F8BT (二辛基芴與苯并噻二唑之交互共重合體）之 混合溶液，作爲藍色的發光層6 0之形成材料採用聚二辛 φ 基芴’另外’作爲藍色的發光層60之形成材料亦可採用 聚芴系或對苯系之共役系高分子，另外，關於這些各發光 層60係特別是有關其厚度係無限制，雖對於每個各色理 想的厚度亦有變化，但例如作爲藍色發光層6 0之厚度係 ，作爲60〜70nm程度則爲理想。 電子注入層65係爲形成在發光層60之上的構成，而 該電子注入層65之材料係因應發光機能層22R，22G， 22B之各種材料所適當選擇，而作爲具體之材料係作爲鹼 φ 性金屬之氟化物，適當地採用 LiF (氟化鋰），NaF (氟 化鈉），KF (氟化鈣），RbF (氟化_ ) ，CsF (氟化鉋 )等或，鹼性金屬之氧化物，即，LiO 2 (氧化鋰）， Na20 (氧化鈉）等，另外，此電子注入層65之厚度係作 爲0.5 n m〜1 0 n m程度則爲理想。 陰極5 0係具備有比發光範圍4及空的範圍5之總面 積還廣之面積，並爲覆蓋各自地形成之構成，並爲由設置 在電子注入層65上之低功函數之金屬而成之第1陰極與 ，設置在該第1陰極上而保護該第1陰極之第2陰極而成 -24· 200529700 (22) 之構成，而作爲形成第1陰極之低功函數之金屬係特別是 功函數爲3.0 e V以下之金屬則爲理想，具體來說係適當地 採用Ca (功函數：2.6eV ) ，S r (功函數：2 · 1 e V ) ，Ba (功 函數：2.5eV)，而第2陰極係爲覆蓋第1陰極而從氧或水 分等保護此之同時，爲了提升陰極5 0全體之導電性所設 置之構成，而作爲此第2陰極之形成材料係如爲化學上安 定，比較來說功函數低之構成，並無特別限定，而可使用 φ 任意的構成，例如金屬或合金等，具體來說係適當地使用 A1 (鋁）或Ag (銀）等。 然而，上述成之有機EL裝置1係具有底部放射型之 構造，但並不限定此之構成，而該有機EL裝置1係針對 在從封合基板3 0側取出發光光之所謂前放射型亦可適用 ，而對於前放射型之有機EL裝置之情況係因爲爲從爲基 板2 0之對向側之封合基板3 0側取出發光光之構成，故均 可採用透明基板及不透明基板之任何一種情況，而作爲不 φ 透明基板係例如除了對於氧化鋁等之陶瓷，不銹鋼等之金 屬板施以表面氧化等之絕緣處理之構成以外，可舉出熱硬 化性樹脂，熱可塑性樹脂等。 接著，參照圖4 ( c )就關於各畫素範圍X之剖面構 ，說明配合各構件實際尺寸之構成，在此，圖4 ( c )係爲 沿著圖3之E-E’線的要部剖面圖，而如圖4 ( c )所示疏 液膜26之開口部26a與，樹脂絕緣層25之側部25a之間 的距離B係成爲約1 〇 # m，另外，具體之距離B之設定値 係根據由濺鍍法（液滴吐出法）形成正孔注入層7 0及發 -25- 200529700 (23) 光層6 0時之含在液體材料之溶質的比例作適當決定’例 如，對於容質爲〇 · 5〜1 · 〇 %之情況係將距離B設定爲1 0 # m 之情況則爲理想，而對於容質爲1 .〇〜2·0%之情況係將距離 Β設定爲8 // m之情況則爲理想，另外，對於容質未達 0.5 %之情況係將距離B設定爲1 〇 // m以上之情況則爲理 想，如此由將距離B設定爲適當的値之情況，根據濺鍍法 所吐出之液滴則不易接觸於樹脂絕緣層2 5之側部2 5 a，而 φ 將可由所期望的剖面形狀來形成正孔注入層70及發光層 60，另外，正孔注入層70及發光層60之總厚t係成爲 100nm，另外，寬度D係成爲50//m。 · 更加地，如圖3及圖4 ( c )所示，信號線1 02係重疊 配置在樹脂絕緣層25之下側，且針對在平面視重疊所配 置，另外，如圖3所示，不只信號線，掃描線1 01及切換 用TFT1 12亦重疊配置在樹脂絕緣層25之下側，且針對在 平面視重疊所配置，另外，對於信號線1 02之側方係形成 φ 有電源線1 〇 3，而更加地對向於該電源線1 〇 3形成有容量 電極1 0 4，而該電源線1 0 3及容量電極1 0 4係形成在比畫 素電極還下層側。 (有機E L裝置之製造方法之第1實施型態） 接著，參照圖1〜圖7就有關有機EL裝置之製造方法 之弟1貫S也型恶進丫了說明’首先，如圖4 ( a )所示，於基 板2 0上形成電路部1 1 ’而該電路部n係由掃描線1 〇 j， 信號線1 〇 2 ’切換用T F T 1 1 2，應驅動用T F T 1 2 3，電源線 -26-

200529700 (24) 1 0 3，維持容量1 1 3所構成（參照圖3 )，而對於形 電路部1 1係可適當採用公知之微縮術法，蝕刻法 外，採用於應驅動用TFT123及切換用TFT112之 係由汲極範圍，源極範圍，通道範圍而成，而對於 各範圍係適當採用離子摻雜法等，另外，針對在如 路部的形成過程係在堆積各層膜時適當地形成層間 ，並且，於電路部之最上層的層間絕緣膜形成接觸 露出應驅動用TFT 123之汲極電極。 接著，如覆蓋基板20全面地形成成爲畫素電極 導電膜，並且，根據將此導電膜作爲圖案化之情況， 藉由接觸孔來與應驅動用TFT 123之汲極電極進行_ 畫素電極23。 接著，形成氧化矽層24，而該氧化矽層24係異 畫素電極23之一部分露出之開口部24a，而根據形域 口部24a之情況，形成畫素電極23之露出部23a，女[ 據形成露出部23a之情況，從畫素電極23之正孔移 成爲可能。 接著，形成樹脂絕緣層2 5，而該樹脂絕緣層2 5 覆蓋氧化矽層24之規定位置地形成之，更加地，如 所示，如重疊於掃描線101，信號線1 02，及切 TFT1 12地形成，而作爲具體之樹脂絕緣層25之形成 係根據旋塗法，浸漬法等之各種塗抹法塗抹，例如江 基樹脂，聚醯亞胺樹脂等之光阻劑溶解於溶劑之構成 形成有機質層，接著，根據採用微縮術技術’蝕刻技 3如此 ;，另 =導體 〖成該 :之電 ί緣膜 ，，並 23之 形成 通之 有使 該開 此根 動則 係如 圖3 換用 方法 丙烯 ，而 術等 -27- 200529700 (25) 將有機質層圖案化之情況，形成樹脂絕緣層2 5，另外，樹 月旨絕緣層25係形成在氧化矽層24之表面的同時從露出部 23a離開所形成之，而由此，即使由之後的工程塗抹發光 機能層22之液體材料，樹脂絕緣層25亦不會接觸於液體 材料之情況。 然而’作爲樹脂絕緣層2 5之材料係爲適當採用非感 光性樹脂材料或感光性樹脂材料，在此，如採用非感光性 # 樹脂材料’則成爲將可因應由微縮術技術所採用之光罩圖 案形成樹脂絕緣層2 5之情況，另外，如採用感光性樹脂 材料’則成爲不需要由微縮術技術所採用之光阻技之塗抹 工程或蝕刻工程，而根據顯像即可形成樹脂絕緣層25，另 外’在本實施型態之中係於氧化矽層24上形成有樹脂絕 緣層25’但亦可位置在不同之2個畫素電極23之間形成 黑矩陣’而此情況，採用金屬鉻根據噴射法所形成。 接著，形成疏液膜26，而該疏液膜26之形成方法係 Φ 首先，由浸漬法塗抹全氟烷基三甲氧基矽烷1 %乙醇液， 接著，由乙醇沖洗之情況形成疏液膜2 6於基板2 0上全體 ’由此，形成由單分子〜2分子層程度之膜厚而成之單分子 膜。 接著’如圖5所示，根據藉由光罩Μ照射紫外線l 之情況，以規定圖案形成單分子膜，在此，對於光罩Μ係 形成有因應畫素電極23之露出部23a的光透過部Ma與， 除此之外之光遮蔽部Mb，而根據藉由如此之光罩μ照射 紫外線L之情況，通過光透過部μ a之紫外線l則接觸疏 -28 - 200529700 (26) 液膜2 6，而單分子膜係分解而去除’在此’對於照射紫外 線L係採用波長2 4 5 nm之低壓水銀燈之情況則爲理想’由 此，對於除了露出部2 3 a之部分形成疏液膜2 6，而如此所 形成之疏液膜2 6係連續性地覆蓋樹脂絕緣層2 5之側部 25a與，氧化矽層24之上部24b地來形成之。 然而，針對在本實施型態係在形成樹脂絕緣層25之 後形成疏液膜2 6，但亦可在形成疏液膜2 6之前施以爲了 φ 確實將畫素電極之露出部2 3 a作爲親液性之疏液處理於基 板20全面，而作爲如此之疏液處理係〇2等離子處理則爲 適當，另外，針對在本實施型態係採用有機矽烷偶合劑， 但並不侷限於此構成，而作爲其他材料係鈦系等之金屬的 烷基化物，疏液性的基，例如烷基，烯丙基，或對於這些 置換芳香族之氟化物則爲適當。 接著，形成正孔注入層70，而該正孔注入層70之形 成方法係適合採用濺鍍法，首先，如圖6所示，將含有正 φ 孔注入層70之材料的液體材料塡充於濺鍍頭Η，並使濺 鍍頭Η之吐出噴嘴，對向於位置在氧化矽層24之開口部 2 4a內之露出部23a，在邊使濺鍍頭Η與基板20相對移動 ，邊從吐出噴嘴吐出控制相當1滴的液量之液體材料L於 露出部23a，而由此，選擇性地配置包含正孔注入層7〇材 料之液體材料70a於畫素電極23之露出部23a上來塗抹 此。 此時，從吐出噴嘴所吐出之液體材料70a係擴散於露 出部23a上，並裝滿於氧化矽層24之開口部24a內，而 -29- 200529700 (27) 另一方面，在疏液膜26上面之中係液滴被彈開而並未附 著，隨之，液滴則從規定之吐出位置偏移，即使一部分的 液滴附著在疏液膜26表面，該表面亦不會被液滴所浸潤 ，另外，液滴不會冒出，隨之，針對在疏液膜2 6，被彈開 之液滴則被引入至氧化矽層24之開口部24a內，然而， 在此正孔注入層形成工程之後係爲了防止各種形成材料或 形成之要素的氧化·吸濕，以氮素環境，氬環境等之不活 φ 性氣體環境氣來進行之情況則爲理想。 之後，由進行乾燥處理及熱處理之情況，包含在液體 材料70a之溶劑則蒸發，形成正孔注入層70於畫素電極 2 3之露出部2 3 a，而作爲正孔注入層7 0之形成材料係採 用例如使前述、PED〇T:PSS溶解於異丙醇等之極性溶劑之 構成。 接著，形成發光層60，而作爲該發光層60之形成方 法係與上述正孔注入層7 0之形成相同地，適合採用濺鍍 φ 法，即，如圖7所示，根據濺鍍法吐出含有發光層60之 材料之液體材料60a於正孔注入層70上，在此，在疏液 膜2 6之上面係液滴被彈開而並未附著，隨之，液滴則從 規定之吐出位置偏移，即使一部分的液滴附著在疏液膜2 6 表面，該表面亦不會被液滴所浸潤，另外，液滴不會冒出 ，隨之，針對在疏液膜26，被彈開之液滴則被引入至氧化 矽層2 4之開口部2 4 a內，並且，液體材料6 0 a係針對在 正孔注入層7 0配置成凸狀。 之後，由進行乾燥處理及熱處理之情況，包含在液體 -30- 200529700 (28) 材料60a之溶劑則蒸發，形成發光層60於正孔注入層70 上，而針對在發光層6 0之形成係對於每個R G B的顏色進 行，另外，由施以如此之乾燥情況，發光層60之上面係 被作爲略平坦化，然而，針對在形成發光層60之工程係 爲了防止正孔注入層70之再溶解，作爲具有發光層60之 材料之液體材料60a，對於正孔注入層70採用不溶之無極 性溶劑。 φ 接著’形成電子注入層6 5，而針對在形成該電子注入 層65之工程係例如根據蒸鍍法或噴射法，將鹼性金屬之 氟化物或氧化物等成膜，將電子注入層6 5作爲厚度2 n m 程度，而在本實施型態之中係將LiF進行成膜，然而亦可 替代LiF將NaF進行成膜來欲形成電子注入層65。 接著，形成陰極5 0，而針對在形成該陰極5 0之工程 係形成形成在電子注入層6 5側之第1陰極5 0 a與，形成 在該第1陰極50a之第2陰極50b，而在該工程之中係與 % 電子注入層6 5之形成相同，根據蒸鍍法或噴射法，將低 功函數之金屬’即，Ca，Ba或Sr進行成膜來形成第1陰 極5 0a，而更加地，於該第1陰極50a之上採用蒸鍍法1 或噴射法，例如將A1進行成膜來形成第2陰極5 Ob，並且 ’根據此得到由第1陰極50a與第2陰極50b而成之陰極 50 〇 然而，在前述電子注入層65之形成，以及陰極50之 形成工程之中係與正孔注入層70.或發光層60有所差異， 而爲了由蒸鍍法或噴射法等來進行，成爲並不只對於畫素 -31 - 200529700 (29) 電極2 3上選擇性地配置材料，而是對於基板2 0幾乎全面 設置材料之情況。 如此在形成陰極5 0之後，根據封合工程設置封合基 板3 0 ’而在此封合工程之中係根據於封合基板3 0之內側 持續貼著吸氣劑4 5，並由封合樹脂4 〇來封合該封合基板 3 〇與基板2 0之情況，圖4 ( a )所示之有機E L裝置1則 完成之，然而此封合工程亦由氮素，氬，氦等之不活性氣 φ 體環境中進行則爲理想。 如上述，針對在針對本實施型態之有機EL裝置1， 以及有機EL裝置1之製造方法係因形成樹脂絕緣層25於 與掃描線101，信號線102，及切換用TFT1 12作對應之位 置，’故可抑制針對在與陰極5 0之間的寄生容量，並可防 止串訊之發生，更加地，根據該寄生容量之防止，切換用 TFT1 12之切換特性則成爲良好之構成，並可達成顯示品 位優越之有機EL裝置1之情況，另外，因發光機能層22 φ 與樹脂絕緣層25配置在非接觸之位置，故於採用液滴吐 出法來塗抹形成發光機能層22之液體材料之情況，將不 會產生如以往技術所示之液體材料與樹脂絕緣層25之接 觸情況，更加地，因形成有疏液膜26，故不會有液體材料 冒出於根據該疏液膜26所覆蓋之氧化矽層24，以及樹脂 絕緣層2 5，隨之，可只對於疏液膜2 6之非形成部分放入 液體材料進行塗抹形成之，並且，因可由對在該疏液膜2 6 之非形成部分之液體材料中的溶劑進行乾燥之情況來形成 發光機能層22，故可不會產生對於疏液膜26之冒出或’ -32- 200529700 (30) 與樹脂絕緣層25之接觸情況，而形成發光機能層22之情 況’更加地’將可達成如此之發光機能層2 2之膜厚剖面 形狀之均一化。 另外’疏液膜26係因爲爲從單分子至2分子程度之 膜厚的單分子膜’故可根據濕式成膜法來形成單分子膜之 情況’更加地，在單分子膜之中因亦採用偶合劑所形成， 故可根據紫外線L之照射形成規定圖案之疏液膜26之情 • 況。 另外，疏液膜26係因連續性地覆蓋樹脂絕緣層25之 側部25a與氧化矽層24之上部24b，故針對在疏液膜26 之上面係沒有冒出液體材料之情況，另外，發光機能層22 之液體材料與樹脂絕緣層25並無接觸，隨之，可確實地 維持樹脂絕緣層2 5之側部2 5 a與發光機能層2 2成非接觸 狀態情況。 另外，氧化矽層24係具有露出畫素電極23之開口部 φ 24a，並針對在該開口部24a因接觸配置有畫素電極23與 發光機能層22，故可從畫素電極23朝發光機能層22適當 地注入正孔之情況，另外，氧化矽層24係對於本身具有 親液性之情況則爲理想，而對於此情況係可於畫素電極23 上適當地擴散發光機能層22之液體材料。 另外，形成疏液膜26之工程係因具有塗抹含有單分 子膜材料之液體材料來形成單分子膜於基板20全面之工 程與，去除單分子膜之一部分來露出畫素電極2 3之工程 ，故可於去除畫素電極23上之部分形成由單分子膜而成 -33- 200529700 (31) 之疏液腠2 6情況，另外，根據畫素電極2 3露出之情況， 對於塗抹液體材料於畫素電極2 3上之情況，可只對於畫 素電極23上擴散液體材料，並可形成含有液體材料之發 光機能層22之情況。 另外’因根據藉由光罩Μ照射紫外線L於單分子膜 之情況’去除單分子膜之一部分而露出畫素電極23，故將 可为解照射糸外線L之部分的單分子膜而進行去除，並且 φ ，因越過光罩Μ來照射紫外線l，故將可根據通過光罩μ 之光透過部Me之紫外線L來去除單分子膜情況，另外， 可使因應由光罩Μ之光遮蔽部Mb所遮蔽之部分的位置之 單分子膜殘留之情況，即，可因應形成在光罩Μ之光遮蔽 部Mb及光透過部Me之圖案來去除單分子膜之情況。 然而’針對在上述之實施型態係表示有對於每個畫素 範圍X具備有切換用TFT112及應.驅動用TFT123之2個 電晶體之構成，但亦可具備更多複數之電晶體，例如採用 φ 具備4個或5個電晶體之構成，而在具備如此之電晶體之 情況之中係可實現對於每個畫素範圍設置補償TFT或發光 機能層22之動作不均之補償電路或，電流程方式之電路 ，電壓程方式之電路，電壓比較方式之電路，副圖框方式 之電路等之信號處理電路之構成，並且，根據使其因應該 信號處理電路之位置，以平面視呈重疊地形成樹脂絕緣層 2 5之情況，針對在信號處理電路亦可抑制寄生容量之影響 ，並可達成顯示品位優越之有機EL裝置1之情況。 另外，針對在上述之實施型態係重疊於掃描線1 0 1 ’ -34- 200529700 (32) 信號線102，及切換用TFT1 12地形成樹脂絕緣層25，但 亦可重疊於驅動用TFT123及維持容量113地形成樹脂絕 緣層2 5，而在此，驅動用T F T 1 2 3及維持容量1 1 3係從接 續於定電位之電源線103之情況，與掃描線101，信號線 102，及切換用TFT1 12作比較，幾乎可以無視寄生容量之 影響，但根據與樹脂絕緣層25重疊地來形成之情況，更 可抑制因寄生容量所引起之顯示特性之下降。 (有機EL裝置之製造方法之第2實施型態） 接著，參照圖8就關於有機EL裝置之製造方法之第 2實施型態進行說明，在此係只關於與上述第1實施型態 ,不同的部分進行說明，第1實施型態係越過光罩Μ照射紫 外線L於疏液膜26，但，本實施型態係不使用光罩Μ而 照射紫外線L於疏液膜26，然而，針對在本實施型.態， 對於相同之構成係附上相同符號將說明簡略化。 φ 如圖8所示，從基板2 0之內面側，即，沒有形成氧 化矽層24或樹脂絕緣層25之基板20的面，照射紫外線 L，而針對在該紫外線L之照射工程係無使用光罩，從基 板20之內面20a所照射之紫外線L係針對在形成有開〇 部24a之部分，透過由透明金屬而成之畫素電極（光透過 部）23 ’照射形成在該畫素電極23上之疏液膜26來進行 分解，另外，針對在形成有氧化矽層（光遮蔽部）24之部 分係因並無照射紫外線L於疏液膜26，故疏液膜26係沒 被分解，然而，本實施型態之情況，第1絕緣層係選擇紫 -35- 200529700 (33) 外線透過率低之材料即可，而可舉出氮化砂或 如上述，根據從基板20之內面20a照射 情況’將可去除針對在形成有開口部24a部分 ，另外，針對在第1實施型態使用之光罩Μ貝[J 故可進行光罩不足之紫外線照射情況。 (有機EL裝置之製造方法之第3實施型態） g 接著，關於有機EL裝置之製造方法之第 進行說明，在此係只關於與上述第1實施型態 進行說明，第1實施型態係根據濕式成膜法來 行成膜形成疏液膜2 6，但針對在本實施型態係 材料進行成膜形成疏液膜2 6之情況進行說明 對在本實施型態，對於相同之構成係附上相同 簡略化。 本實施型態之疏液膜26的形成方法係首 φ 樹脂絕緣層2 5之後，將成爲疏液膜2 6之樹脂 板20上之全面，在此係採用浸漬法進行成膜 理想，另外，作爲由此方法所使用之材料係例 丙嫌基樹脂或聚醯亞胺樹脂等之液體材料，另 光性樹脂或感光性樹脂之任何一項，更加地， 厚係爲比正孔注入層70與發光層60之合計膜 能層22之膜厚）1 .5倍以下之情況則爲理想， 實施型態係調整爲0.1 // m程度之膜厚。 接著，去除覆蓋有開口部24a之絕緣膜來 ，SiO。 紫外線L之 之單分子膜 因不需要， 3實施型態 不同的部分 將偶合劑進 關於將樹脂 ，然而，針 符號將說明 先，在形成 膜形成在基 之情況則爲 如採用含有 外採用非感 樹脂膜之膜 厚（發光機 而針對在本 形成疏液膜 -36- 200529700 (34) 26，在此，作爲疏液膜26之材料，如採用 ，將可因應由微縮術技術所採用之光罩圖案 2 6之情況，另外，如採用感光性樹脂，將不 技術所採用之光阻劑之塗抹工程或蝕刻工程 像來形成疏液膜2 6之情況。 接著，由對於全面施以〇2等離子處理 開口部24a所圍住之露出部23a施以CF4等 p 況，只對於畫素電極23之露出部23a賦予 其他部分賦予疏液性。 如上術，針對在本實施型態係可行成由 之疏液膜26，隨之，即使爲作爲疏液膜26 .…之情況，亦可得到與第1實施型態相同之效 爲可根據施以疏液處鯉魚樹脂材料之情況來 況’進而可形成疏液膜2 6之情況。 另外，疏液膜26的膜厚因爲爲比正孔Q φ 光層6 0之合計膜厚1 .5倍以下之膜厚，故 於疏液膜2 6之材料的冒出情況，更加地， 倍以下’故可更適當地平坦化發光機能層22 成疏液膜26之後，因具有實施親液性處理 之工程，故可將樹脂膜疏液化之同時，可將 進行親液化’而由此，對於樹脂膜上係可不 而只對於畫素電極2 3上擴散液體材料之情ί 〔實施例〕 非感光性樹脂 來形成疏液膜 需要由微縮術 ，而可根據顯 ，並只對於由 離子處理之情 親液性，而對 樹脂材料而成 採用樹脂材料 果，另外，成 賦予疏液性情 ί入層70與發 可確實防止對 因膜厚爲1.5 ，另外，在形 及疏液性處理 畫素電極2 3 塗抹液體材料 - 37- 200529700 (35) 圖9係爲表示圖7所示之發光層60之亮度分佈之測 定結果圖’而針對圖9，橫軸係表示發光層6 0之X方向 的位置’縱軸係表不売度，另外，針對圖9之xa，xb係 相當於針對圖7之發光層的位置，而如圖9所示，發光層 6〇之亮度分佈係針對在xa〜Xb之間成爲略均—，特別是比 起以往技術所不之亮度分佈還成爲明確均一之亮度分佈。 φ (電子機器） 接著’關於具備有上述實施型態之有機E L裝置的電 子機器來進行說明，而圖1 0 ( a )係爲表示行動電話之一 例斜視圖，針對在圖1 0 ( a )，符號5 0 0係表示行動電話 主體”而符號501係表示具備有有機El裝置之顯示部， 而圖1 〇 ( b )係爲表示文字處理機，電腦等之攜帶型資訊 處理裝置之一例的斜視圖，而針對在圖1 0 ( b )，符號 600係表示資訊處理裝置，符號601係表示鍵盤等之輸入 φ 部，符號6〇3係表示資訊處理機主體，符號602係表示具 備有有機EL裝置之顯不部，圖i〇(c)係爲表示手錶型 之電子機器之一例斜視圖，而針對在圖i〇(c)，符號 7 〇 〇係表示手錶主體，符號7 0 1係表示具備有有機e L裝 置之顯不部，而圖10(a)〜（c)所示之電子機器係因 爲爲具備有先前實施型態所示之有機E L裝置之構成，故 成爲顯不特性良好之電子機器。 然而，作爲電子機器係並不限於上述電子機器而可適 用於各種電子機器，例如可適用在筆記型電腦，液晶投影 -38- 200529700 (36) 機，媒體對應之電腦（P C )，以及工程·工作站（E W S ) ，CALL機，文字處理機，電視，取景型監視直視型之錄 影機，電子辭典，電子計算機，汽車導航裝置，P0S終端 ’具備觸控面板之裝置等之電子機器。 【圖式簡單說明】 〔圖1〕表示本發明之有機EL裝置之配線構造之模 • 式圖。 〔圖2〕模式性地表示本發明之有機EL裝置之構成 平面圖。 〔圖3〕表示本發明之有機EL裝置之要部之平面圖 〇 ' 〔圖4〕表示本發明之有機EL裝置之要部之剖面圖 〇 〔圖5〕爲了說明本發明之有機EL裝置之製造方法 φ 的第1實施型態部之圖。 〔圖6〕爲了說明本發明之有機EL裝置之製造方法 的第1實施型態部之圖。 〔圖7〕爲了說明本發明之有機EL裝置之製造方法 的第1實施型態部之圖。 〔圖8〕爲了說明本發明之有機EL裝置之製造方法 的第2實施型態部之圖。 〔圖9〕表示本發明之有機EL裝置之發光特性的圖 -39- 200529700 (37) 〔圖10〕表示具備有本發明之有機EL裝置之電子機 器的圖。 〔圖11〕表不以往之有機EL裝置之要部之剖面圖。 主要元件符號說明】 1 :有機EL裝置（有機電激發光裝置） U :電路部（切換元件）

20 :基板 22 :發光機能層 2 3 :畫素電極（電極） 24 :氧化矽層（第1絕緣層） 2 4 a :開口部 24b :上部 25 :樹脂絕緣層（第2絕緣層） 2 5 a :側部 26 :疏液膜（疏液性薄膜） 1 0 1 :掃描線 1 0 2 :信號線 103 :電源線（驅動元件） Π2 :切換用TFT (切換元件） 1 1 3 :維持容量（驅動元件） 123 :驅動用TFT (驅動元件） L :紫外線 Μ :光罩 - 40 - 200529700 (38)

Ma :光透過部 Mb :光遮蔽部

Claims (1)

1. 200529700 (1) 十、申請專利範圍 1 . 一種有機電激發光裝置，屬於具備形成於基板上 之掃瞄線及信號線，和形成於該掃瞄線及該信號線之交叉 部之附近的開關元件，和對應於該開關元件之動作而發光 之發光機能層，和形成於該發光機能層之相互之間的第1 及第2絕緣層的有機電激發光裝置，其特徵乃 前述第2絕緣層乃形成於與前述發光機能層非接觸之 φ 位置的同時，至少形成於對應於前述掃瞄線、前述信號線 及前述開關元件的位置， 於前述第1及第2絕緣層，形成被覆該第1及第2絕 緣層之疏液性薄膜。 2.如申請專利範圍第1項之有機電激發光裝置，其 中，更具備對應於前述開關元件之動作，發光驅動前述發 光機能層之驅動元件， 於對應於該驅動元件之位置，形成前述第2絕緣層。 φ 3.如申請專利範圍第1項之有機電激發光裝置，其 中，前述疏液性薄膜乃單分子膜。 4·如申請專利範圍第3項之有機電激發光裝置，其 中，前述單分子膜乃由耦合劑所成。 5 .如申請專利範圍第1項之有機電激發光裝置，其 中，前述疏液性薄膜乃樹脂膜。 6·如申請專利範圍第5項之有機電激發光裝置，其 中，前述樹脂膜之表面乃施以疏液處理。 7.如申請專利範圍第1項至第6項之任一項之有機 -42- 200529700 (2) 電激發光裝置’其中，前述疏液性薄膜乃較前述發光機能 層之膜厚爲1 · 5倍以下之膜厚者。 8 ·如申請專利範圍第1項至第6項之任一項之有機 電激發光裝置’其中，前述疏液性薄膜乃連續性被覆前述 第2絕緣層之側部和前述第1絕緣層之上部。 9 ·如申請專利範圍第1項至第6項之任一項之有機 電激發光裝置，其中，前述第1絕緣層乃具有露出電極之 開口部，於該開口部接觸配置前述電極和前述發光機能層 〇 1 〇· —種有機電激發光裝置之製造方法，屬於具備形 成於基板上之掃瞄線及信號線，和形成於該掃瞄線及該信 號線之交叉部之附近的開關元件，和對應於該開關元件之 動作而發光之發光機能層，和形成於該發光機能層之相互 之間的第1及第2絕緣層的有機電激發光裝置之製造方法 ，其特徵乃具有 於與前述發光機能層非接觸之位置，且至少於對應於 前述掃瞄線、前述信號線及前述開關元件的位置，形成前 述第2絕緣層之工程， 形成被覆該第1及第2絕緣層之疏液性薄膜之工程。 1 1 .如申請專利範圍第1 〇項之有機電激發光裝置之 製造方法，其中，形成前述疏液性薄膜之工程乃具有塗佈 包含單分子膜材料之液體材料，於前述基板之整面，形成 單分子膜的工程，和除去該單分子膜之一部分，露出電極 之工程。 -43 - 200529700 (3) 1 2 ·如申請專利範圍第11項之有機電激發光裝置之 製造方法’其中，除去前述單分子膜之一部分，露出電極 之工程乃藉由具有光遮蔽部和光透過部之光罩，於前述單 分子膜照射紫外線者。 1 3 ·如申請專利範圍第i 0項或第n項之有機電激發 光裝置之製造方法，其中，除去前述單分子膜之一部分， 露出電極之工程乃藉由具有光遮蔽部和光透過部之前述基 0 板’於前述單分子膜照射紫外線者。 1 4·如申請專利範圍第1 〇項之有機電激發光裝置之 製造方法，其中，形成前述疏液性薄膜之工程乃具有 塗佈含樹脂材料之液體材料，於前述基板之整面，形 成樹脂膜之工程μ 和除去該樹脂膜之一部分，露出電極之工程， 和施以親液處理及疏液處理的工程。 1 5 · —種電子機器，其特徵乃具備如申請專利範圍第 應 1項至第9項之任一項記載之有機電激發光裝置。 -44-