TW200529447A

TW200529447A - Display device manufacturing method and display device

Info

Publication number: TW200529447A
Application number: TW093135339A
Authority: TW
Inventors: Masaomi Kameyama; Naomasa Shiraishi
Original assignee: Nippon Kogaku Kk
Priority date: 2003-11-18
Filing date: 2004-11-18
Publication date: 2005-09-01
Also published as: JPWO2005050305A1; JP4940659B2; US20060256250A1; WO2005050305A1; US7432993B2; CN1906529B; KR20060130041A; TWI348762B; CN1906529A; KR101102642B1

Description

200529447 九、發明說明：【發明所屬之技術領域】本發明，係有關資訊機器或家電掣σ 示裝置，更咩细而一将右奶、,衣0口所使用之2維顯文七細而吕，係有關以液晶顯示顯示元件等構成之2維顯示裝置及其製造方：。、氧致變色【先前技術】作為2維顯示裝置之液晶顯示器或電。。係由2維排列之顯示元件（ “… 類示亮度等之按制，可分為單純二成主動=元件之顯不影像的對比等晝質角度觀之，以主動乂式’ k 大畫面及高精細之2維顯示裝置 ’ 1乂佳，在主動妬睡士二、 , 以主動矩陣式為主流。式，必須對各顯示元件分體或薄膜二極體等控制元件… '電晶夕肪-上— 制顯不亮度等。各傻音之顯^度等資訊，係透過平行於各像素 ^ ^ ^ . 唯毛卜列之顯示元件的早方向之稷數條信號線之一千勺件，^ 得達至對應各像素之控制元 1千，進而傳達至各像素之一。又’在使用薄膜電晶體之情形， ψ ik 2,h ^ , Μ在大致正交於前述 k唬線的方向上形成複數條前诫f % A k 、擇線。溽膜電晶體係配置在这“旎線與選擇線之各交點 — ,¾ _ 7 各顯不兀件亦配置在 /寻胰电晶體附近，亦即前述传近。 Μ唬線與選擇線之各交點附 ’Μ吕號線之一透過薄膜雷勃彻拓體（控制元件）而配置多數個顯示元件。另一方面，各匕制70件係透過與信號線正 200529447 交之選擇線，批在件的作用，二非導通，藉由選擇線與控制元傳達至一個顯示元件。 …4 ’僅能依既疋％間依序變更選擇之信號線號線上之明暗蓉顯_ 一』乂文更各k 一不貧訊，藉此，能使2維排列的各顯干兀件依庠以膝今^ 士，、、、貝不的明暗來顯示。另一方面，I 取的控制元件呈非l、s , 未被4擇線選非導通，仍維持儲存在顯示元件中的電 4唬’並維持前述既定的明暗狀態之顯示。 ’、作為則述控制元件之薄膜電晶體，係在待形成顯件的基板上，形成非a所0 /攻非日日貝石夕或多晶矽的薄膜，將政— 加工而作為薄膜電晶體之用。八4刀 ":二=制元！而言，取代習知般成膜於基板上之 *提案使用預形成之既定棒狀的單曰等半導體材料。此係將前述棒狀之半導體材料 = 程中之顯示裝置上，施以加工而形成電晶體，以二;；：控制元件的功能。 < 如前述，在基板上形成多晶石夕或非晶質石夕薄膜，對盆 -部分加工成薄膜電晶體以形成主動矩陣型之顯示- 該方法中’前述多晶石夕或非晶質石夕的成膜步驟必須：有埶處理，能用於顯示裝置之其姑枓把成加、/、力… 材料。 /置之基板材枓僅侷限於耐熱性較佳的又，用於顯示裝置的其也 s , m 衣罝扪暴板，至少用於表面透明。因此，對基板既要求透明亦要具耐熱性採用1 價之玻璃基板。 w 200529447 此外，最近提案之使用前述棒狀之半導體材料的方法中，已無須在半導體基板上直接形成多晶石夕或非晶質石夕薄膜，故大幅緩和對基板之耐熱性要求。然而，尚難以❹ 細之切體㈣正確配置於多㈣顯_件丨各既置。因此’可在形成有多數㈣㈣素或I料用素電極'、及信號線之基板上，以隨機撒布另外形成之多數個棒狀半導體材料等僅對彳導體Μ…列在所要位置之棒狀半 =材：才::以加工使具備電晶體等之功能，以作為前述工Κ牛。猎前述方法，無須對基板施以高溫處理即可在 ::上形成高品質之半導體材料，亦能謀求個製程所耗成本。攸4 ^ 料等然:在未配置在所要位置之棒狀半導體材 W成於基板上之複數條信號線或複數極中"，發生使原本彼此間不應導通之處導通（短路）之声，而有欲製造無像素缺陷之顯示裝置極困難的問題。* 【發明内容】裝置ίΓ月/系有鑑於上述問題’其第1目的係提供一顯示户理、衣k技術，俾能以低成本製造無須對基板施以高溫处、且無像素缺陷之顯示裝置。廉俨夕本發明之第2目的，係使用前述製造技術來提供廉核之顯示裝置。七、下内备中’附於本發明各要件之帶括弧符號，係對 200529447 應於後述之本發明實施形態的構成。然而，各符號僅是單純表示各要件之示例，並未將各要件侷限於該實施形態之構成。本心月之顯示裝置製造方法，該顯示裝置係具有2維排列之複數個顯示元件（LC13、DC13)，其包含以下步驟： (1)在構成該複數個顯示元件之至少一個基板（PL1) 上，形成複數個像素電極（⑶#)，其等可分別連接至 §亥複數個顯示元件； (2) 在°亥基板上形成複數條信號線（A03等），苴等可將顯示資訊傳達至該複數個顯示元件；八 (3) 使複數個主動元件材料（SRQ、如、如、sr 分布於該基板上； ⑼（Γ在該主動元件材料中，將所要主動元件材料（SR〇、 S R1寺，跨設於該满查數條^諕線中之既定信號線與複數個像素電極中的既定像素雷元件，其可控制/極而分布)之至少-部分作成控制性· /、 ^既疋彳§號線與既定像素電極間的導電 (5)對於該所要主叙 ,,m * ± ^ 動70件材料外之主動元件材料、亦即非所要主動兀件材料 p 至少-部分予以實質一部分’將其非所要導電性之數條信號線彼此間之導二生該非所要導電性，係、包含該複素電極間之導複數條錢線與複數個像電性。驭者是該複數個像素電極彼此間之導 200529447 =發明，可將待傳達至分別與基板（構成 =成：複數個顯示元件連接的複數個像素電極二) 二丨基板而另外形成的主動元件材料所構成的控制元件來控制。亦即情構成的料本身的成膜等，故而r 進行主動元件材因此省略。 ^亥成膜而對基板之高溫處理可因此’可採用耐熱性較置的低成本化。車乂低之岛基板，而謀求顯示裝二本發明之顯示裝置製造方法，由於亦包含以下步之非所要7於主動元件材料中，前述所要主動元件材料以元件:：中至少-部分，將其非所要導電性 ” 刀予以貫質去除，該非所要導電性’係、包含嗜 =:言號線彼此間之導電性、該複數條信號線與複㈣象：電:广導電性、或是該複數個像素電極彼此二之顯示裝置在設計上不欲導通之處，能避免非要之導通（短路）狀態’可防止發生顯示像素的缺陷。因此，此製造無像素缺陷之顯示裝置。又，本發明中，前述複數個主動元件材料之分布步驟，可包合將該複數個主動元件材料隨機分布於該基板上之驟0 又、，本發明中，前述信號線’係以該像素電極的全周長ι/4以上的長度配置成近接且圍繞該像素電極。又’本發明之顯示裝置製造方法中，實質去除前述非所要主動元件材料之非所要導電性之步驟，包含去除該非 200529447 所要f動元件材料的至少-部分之步驟。糟此，對於該基板上所形成之之導雷批斗… 後数個化號線彼此間 ;二、:？數個信號線與複數個像素電極間之導電或疋该稷數個像素電極彼導通能夠予以防止，l ^之5^性，即非必要之 :防止可防止發生顯示像素缺陷。又，别述主動元件材料可包含棒狀之半 (SR0)。該棒狀之半 "貝

Jf ，丁守篮物貝的一例可為矽。半導體物質，可在其表面被覆絕緣膜（OX)。" + 又，該棒狀之半導體物質可為石夕，其表矽以作為絕緣膜。被復氧化 :者太該棒狀的半導體物質可使用η型或P型半導體。又，本發明之顯示裝置製造方法中基板上所形成之顯示元件’可為透過型之顯 = 型元件）卿3)。藉此，可製造透過型之顯示裝置。透仏本發明之顯示裝置製造方法中，構成顯示裝置 A 所形成之顯示元件，可為反射型之顯示元件（反射型元件）(EC13)。藉此’可製造反射型之顯示震置。 —y前述之顯示元件，舉例而言，可為液晶顯示元件、元件。斤出i頌不兀件、或電致變色顯示方法中，以前述所要主動可包含以該所要主動元件又’本發明之顯示裝置製造元件材料作成控制元件之步驟，材料作為場效電晶體之步驟。藉此，可將待傳達至分別與基板（構成該顯示裝置）上 10 200529447 電極的信號，，而使該顯示料成之讀個顯示元件連接之複數個像素藉由該場效電晶體所構成之控制元件來控制裝置具高品質之顯示效果。本备明之顯示裝置製造方法中，欲實質去除前述所要主動元件材料之非所要導電性之步驟，彳包含使該 θ 動元件材料作為場效電晶體之步驟。又，對於該 ::效電晶體的閘極施加切斷電壓（電位），可實質去除該非所要導電性。

、卜藉此忒基板上之複數條信號線彼此間之導電性、該硬數條ϋ線與複數個像素電極間之導電性、或是該複數個像素電極彼此間之導電性所造成之非必要之導通能因此加以防止，可防止發生顯示像素缺陷。至二，本發明之顯示裝置製造方法中，構成顯示裝置之片基板，可使用撓性基板。藉此，可使顯示裝置本身具有撓性，故能製造可彈性變形之顯示裝置。

至本發明之顯示褒置製造方法巾，構成顯示裝置之 =少一片基板，可使用有機材料構成之基板。藉此，可使製造之顯示裝置輕量化。又，使用有機材料構成之基板，對顯示裝置之撓性亦頗有助益。又，本發明之顯示裝置製造方法，亦可進一步包含，在構成顯示裝置之至少—片基板的端部連接薄膜狀配線構之v驟。藉此，除了能將待顯示的影像信號等，供應至所製造之顯示裝置，並可實現輕量且柔軟之配線構件。接著，本發明之顯示裝置，係以前述本發明之顯示裝 11 200529447 置衣仏方法製成。依本發明，能以低成本實現高性能之顯示裝置。依本發明’分別連接於顯示裝置之至少！個基板上之、 2維排列的複數個顯示元件之複數個像素電極，與用以傳達該複數個顯示元件之各顯示資訊的信號線之間所設置之 ^制凡件’其係使用有別於該基板而形成之主動元件材 2 ’因此’無須在該基板±進行主動元件㈣本身之成膜寺，令去伴隨該成膜而對基板施加之高溫處理。因此’、可採用耐熱性較低之廉價基板，並可謀求顯示裝置之低成本化要求。再者’本發明如以上所述，可使用耐熱性較低之基板，二：製造之顯示裝置，能夠具備如有機材料製之基板叙之南撓性（彈性），並能謀求顯示裝置之輕量化。又’本發明之顯示裝置製造方法，係實質去除前述非 =主動元件材料之至少一部分，以去除至少一部分之前 =所要導電性，因此’對於顯示裝置在設計上不欲導通素缺陷。要的導通（短路），可防止發生顯示像因此，能製造無像素缺陷之顯示裝置。【實施方式】以下參照附圖’說明本發明之較佳實施形態之—例。列中，係將本發明運用在製造透過型之液晶顯示哭者， 1下依製造步驟順序加以說明 '然而，以下所示牛 12 200529447 驟順序僅是一例示，可依實際需要而替換其順序。首先，如® 1所示般，在構成顯示裝置（如液晶顯示器等）之透明基板PL1上，形成透明之像素電極D11、D12、 D13、D21、D22、D23、D3 卜 D32、D33、D4卜 D42、D43。該等像素電極Dll〜D43，係在基板PL1上以正交之2維袼子狀排列。再者，於以下說明與圖式簡單說明之攔内，為說明方便起見，以「D11〜43」來表示像素電極D1丨〜 D43，而其他構件之符號亦以同樣方式表現。

透明基板PL1，例如係玻璃基板，其中，為了防止後述步驟所形成之電晶體等發生誤動作，較佳係宜使用不含納等鹼金屬之無鹼玻璃。分又’透明基板PL1，亦可使用壓克力樹脂、聚對苯二甲酸乙二醇酯等之聚酯系樹脂、或聚乙烯等具撓性之有機材料所構成之透明樹脂。

又，边明之像素電極DU〜43，可使用ΙΤΌ (銦錫氧化物）、氧化錫等金屬氧化物、或導電性塑膠。 :象素電極DU〜43,亦可先在基板pu的全面形成前 .^ ^ "材料，然後以包含曝光與蚀刻之微影步驟來形成則述排列。另一古 ,_ " 面’亦可藉噴墨等印刷技術，僅在所要區域形成則述透明電極材料。 :a ’在實際的顯示裝置中，像素電極的數圖1所示之禮| , 利考量，3 a '、電極D1 1〜43的數目，但此處為說明之便里假疋為圖1所示之排列來說明。 13 200529447 接著進行形成圖2所示之信號線A01、a〇2、A〇3之步驟。再者’如圖2所示般，本例係連同信號，線a〇i〜〇3 的形成，以相同於信號線A〇1〜〇3的配線材料，在前述像素电極D1 1〜43的邊緣一併形成像素電極周緣部匚丨j ' ⑺、⑴、⑶、C22、C23、C31、C32、C33、c4i c42、 C43。各像素電極周緣部⑶〜43，係分別沿像素電極〇ιι 〜43的邊緣（添附數字一致）而形成。信號線細〜03,係圖中之上下方向的電氣信號之傳達配線，且，各信號線A〇1〜〇3，係圍繞像素電極周緣冑 #

Cl 1〜43中對應之圍繞像素電極邊緣的方式配置。亦即，如圖2所示之例，信號線細係圍繞像素電極周緣部c"、 C21、C31、C41 〇

信號線A01〜〇3係與像素電極周緣部ci丨〜43以同樣形成步驟而形成者。該形成步驟，亦可先在基板pLi的上端面形成配線材料，藉微影步驟而留下所要形狀並去除並他部^ ’亦可藉喷墨技術等，僅在所要部分形成配線材料^ 信號線A01〜〇3及像素電極周緣部cu〜43的材料，若以微影步驟而形成者’適用料金屬；#以喷墨技術而形成者’ ϋ肖導電性塑膠或添加金屬微粉末之有機溶媒。信號線A01〜〇3與像素電極周緣部cu〜43及像素極Dl 1〜43應絕緣配置。亦即，信號線Α〇ι〜〇3與像素極周緣部CU〜43不可重疊或接觸；又，信號線a〇i二與像素電極D11〜43不可重疊或接觸。

在本例中，由於信號線A 〇丨〜〇 3與像素電極周緣部C 14 200529447 43係以同樣形成步驟而形成者，妨成者故犯正確控制兩圖案間 :'。因此，無信號線〜與像素電極周緣部⑶ *3之連接導通之虞。、<口號線AOi〜03與像素電極D11〜43係以不同 /形成/兩步驟間的圖案形成位置之對位極為重要。此處用於形成圖案之微影裝置（曝光裝置）或喷墨印刷裝置，必須要有對位機構。

如别述’在形成有像素電極Du〜43、像素電極周緣部C11〜43、信號線A〇1〜〇3之基板pLi上，如圖3所示般地分布本發明之特徵之主動元件材料SRO、SR1、SR2、 SRj SR4等。主動元件材料SR〇 #，係如圖中黑色棒狀所不般的細長形棒狀物，其長度為5 i 1〇〇”左右。基本上’其截面形狀並無侷限，如圓形、四角形、六角形等皆可，其粗細程度以直徑或最大對角線長而言係5〇nms 3 # m左右。主動元件材料SRO等，係以大致隨機分布於形成有像素電極周緣部、信號線A〇1〜〇3之基板pLi上。可採行之配置方法例如，將微粉末之主動元件材料sr〇等麗於基板PL 1上’或者’將微粉末之主動元件材料$r〇等以有機溶媒為媒介，以噴霧方式而配置在基板pL丨上。又，亦可將微粉末之主動元件材料SR〇等混於有機溶媒，以旋塗（spin coat)方式而配置在基板pL1上。之所以將該等主動元件材料SR0等配置在基板pl 1 上’其目的在於，要作為電晶體以控制像素電極周緣部C j j 15 200529447 〜43及像素電極mi〜 /、"ί吕號線A 01〜〇 3中之一 gf a 對象彼此間的導電性。龙疋然而，即使採用前诫引这任一方法，欲將 SR0等正確地配置在基板PL1上之所要位置並不容易成、、配置位置必須以隨機方式來處理。因此，例如在圖3中存在有，位在前述所要設於於信號線A03盥像夸蛩权β 4 蜂像素電極周緣部C43雙方之主動元件材料（以下稱為「所要本叙_ ^ U 1干要主動7L件材料」）SR2，但同時，存在著，配置在前述所i 玟所要位置以外的主動元件材料，例如. 配置在像素電極D42上之主叙-从^丨之主動凡件材料SR3、跨設於相鄰 4吕號線AO 1和Α02雙方之主無—也& 艾万之主動το件材料SR4、跨設於相仏號線A02和A03雙方之主動元件材料sr〇等。一然而，前述主動㈣材料SRQ之其中—部分，亦位在别述所要之位置，如跨設於信號線細與像素電極周緣部 C1 3雙刁之所要主動元件材料。又，前述主動元件材料SR4 八中P刀刀別跨设於信號線A〇 1與像素電極周緣部 1雙方以及跨设於信號線A02與像素電極周緣部雙方而配置，亦是屬於位在所要位置之所要主動元件材料。、此處，對於主動元件材料SR0〜4等當中，不屬於前述所要主動元件材料或部分，稱為非所要主動元件材料。以下之製造步驟，參照圖6至圖16以說明，圖3中的主動元件材料SR0附近之基板PL1的截面圖。圖6係表示圖3所示狀態之主動元件材料sr〇等被分 16 200529447 布於基板PL1上之狀態之截面圖。如圖3所示般，主動元件材料SR0,具有跨設於信號線a〇3與像素電極周緣部cn 而配置之部分，此部分即是所要主動元件材料，但在此同時’亦有跨設於信號線A03與信號線A02而配置者，此部分即是非所要主動元件材料。再者’本例中的主動元件材料SR0係使用棒狀之石夕單晶，然而，亦可在其表面被覆氧化矽膜來作為絕緣膜〇X。但’主動元件材料SR0的材料並未侷限於此，亦可使用其他半導體單晶或多晶、或是非晶質之半導體材料。又，將主動元件材料SR0分布於基板pli上之際，不必非得在其表面形成前述絕緣膜，亦可在分布於基板pL1後才對其表面施以氧化或氮化而形成絕緣膜。接著，如圖7所示般，以喷霧或旋塗方式，將負型光阻NPR形成於圖3及圖6所示狀態之基板pLi上。在該狀怨，由基板PL1的背面照射具同樣強度分布之曝光用光

Expl，以使光阻NPR曝光。形成於基板上之、由前述鋁或導電性塑膠等所形成的信號、線A〇2、A〇3及像素電極周緣斗C 1 2、C 1 3，對於曝光用光Exp 1具吸收性，故會使曝光用光Expl減光。因此，位在圖7中之該部分上方的光阻嫩並未感光，藉由顯影，使該部分之負型光阻嫩溶解於顯影液而去除。因此，在顯影後，對應於信號線A02、A03及像素電極周緣部C12、C13部分之光阻職已被去除，其他部分則尚殘存光阻NPR。此時，儘管主動元件材料则被視為 17 200529447 亦具遮光作用，但若主動元件材料SR〇的徑長為5〇 nm至左右，其細微程度可較曝光用光£xPl的波長（300 〜500 nm)為細，故不具有特別的遮光作用。然而，若主動元件材# SR0的徑長在1//m以上，能發揮較高—些的遮光作用，故宜將前述曝光用光Εχρ1之曝光量（累計之曝，能量）設定為稍高’來自其周邊的曝光部之光滲入，或疋因為光阻NPR中的感光物質之擴散等，即使位在主動凡件材料SR0的上方，光阻NpR亦能實質感光。在該狀態下，使基板pLl的表面（圖中之上面）經過含稀薄氟酸或敗離子的水溶液之姓刻後，在光阻NpR業已剝離之對應於信號線A〇2、A〇3與像素電極周緣部c丨2、匸^ 3 的。(M立’位在主動元件材料SR〇表面之絕緣膜（氧化石夕）則被洛解去除，如圖8所示般，使其内部㈣單晶露出。

>再者，在以上的步驟，係以形成於基板PL1上的圖案，即L號線A02、A03及像素電極周緣部c丨2、c〗3，作為從背面曝光時之光罩，以進行光阻麗之曝光及圖案^作業’但無庸贅言者，亦可將其置換成一般的微影步驟。亦即’在既定的光罩上’形成與信號線備、AG3及像素電極周緣部C12、C13的形狀大致對應之圖案，使用曝光裝置’使該圖案經曝光而轉印至光阻NPR上。此時，藉由^ 罩圖案之負、正反轉（明部與暗部之反轉），亦可❹正型光阻來作為光阻NPR。 “其中，如前述之方法，在基板PL1上以既存圖案作為光罩而k背面曝光之方法，能較廉價地形成所要圖案是其 18 200529447 優點所在。另方面，右使用一般的微影步驟，該方法能形成較微細之圖案，是其優點所在。斤户又對則述氧化矽膜之蝕刻，同樣並不侷限於以前述氫n酉文等所進行之濕飯刻，亦可使用氣系氣體來進行乾姓刻。此時’前述溼蝕刻的優點同樣為成本較低，另一方面，採用乾蝕刻的優點則同樣是利於較微細圖案。 ♦接者，藉由電鍍或無電解鍍敷等方法，在經過前述曝光、顯影步驟而形成之光阻NPR的剝離部分’形成上層信號配線A020、A030及像素電極周緣部ci2〇、ο%。由前述製造步驟可明確了解，該上層信號配線A_、細〇係依信號配線A〇2、A03的形狀而形成於其上者。又，上層像素電極周緣部⑽、⑽亦是依像素電極周緣部⑴、曰 c 1 3的形狀而形成者。再者，如圖9所示，上層信號配線A020、A030與信號配線A02、A03看似並未導通，實際上，在主動元^ 料SR0部分以外’亦即是相對於紙面的前側及深側理所 Μ是分別導上層像素電極周緣部ci3〇與像素電極周緣部C1 3亦是同樣關係。因此，透過信號配線细而傳送來之電氣信號（即顯示資訊），透過上層信號配、線_而傳達至主動元件材科SRO ’進而透過上層像素電極周緣部⑶〇與像素電極周緣部C1 3而傳達至像素電極〇】3。、接著，使用有機溶媒等，從基板Pu上去除光阻腫。 19 200529447 去除光阻NPR之狀態如圖1〇所示。再者，在上層信號配線A030與主動元件材料SR〇、以及上層像素電極周緣部C130與主動元件材料SR0之間，會有僅以丽述電鍍或無電電鍍並無法獲得良好的導通性。此處，亦可在去除光阻NpR之後，進行例如雷射退火等，以改善前述導通性。接著，如圖11所示，在像素電極D丨2、D丨3等上方形成遮光材料Si2、Sl3之後，在基板pu上形成絕緣性: 保護膜CC。遮光材料S12、⑴之形成，例如，可藉由嘴墨印刷機，亦可藉噴霧式塗布或旋塗而形成於其全面，然後以微影步驟去除非所要部分。保護冑cc係藉由喷霧式塗布或旋塗方式而形成於基板PL1上的全面。接著，如圖12所示般，以喷霧式塗布或旋塗方式，將正型光阻PPR塗布於該基板PL1的表面。又，從基板pLi 的背面照射具同樣強度分布之曝光用光Εχρ2，以使正型光阻p p R感光。在該曝光步驟中，形成於基板上之信號線Α〇2、Α〇3、像素電極周緣部c 12、C13，和形成於像素電極D丨2、D i 3 上之遮光材料S12、S13，對於曝光用光Εχρ2亦具有吸收故έ使曝光用光Εχρ2減光。因此，位在圖中之該等部分上方的光阻PPR並未發生感光，在顯影後，位在該等部分之正型光阻PPR亦並未被顯影液去除。因此，若在顯影後以光阻PPR為光罩進行保護膜CC 的蝕刻，則如圖13所示般，在基板之上，形成信號線Α〇2、 20 200529447 A〇3、像素電極周緣部Cl2、cu 之對瘅位f产卢延光材料S 12、S 1 3 位置處殘留有保護膜cc，但装

則可去除。此時，已去除光阻PPR的的保護膜CC 則露出。 °丨刀，主動元件材料

再者’該曝光步驟，盆作、禾回祥背面照射相同光束^ 7未傷限於自基板PLI 遮光圖宰之光Η:: 影步驟，先形成具有、尤圖案之先罩，並使其中之遮光所形成之信號線施、細、像辛電極^狀對應於基板上遮光材料m、S13,進而以一=3緣部C12、C13、至光阻PPR上。…瓜心步驟將該等圖案轉印 2:广蔓膜CC的餘刻同樣能採濕麵刻或乾钮刻。接者，如圖14所示，在去除光阻、制電極m2、B13、及切斷電極E 極=形成控 ★:以無電解電鑛等電鑛方式來形成‘電:=例藉由蒸鍍或濺鍍來形成金屬物。、 ’、可再者，若難以在光阻PPR之去除情形，則因為亦在保護m CC上形成電成之成電極材料之故，可在 ^成電極材料後以酸等來施以姓刻，以去除形成於保護膜上的電極材料。再者，前述電極材料之去除步驟亦可連用CMP(化學機械研磨）。如上述般，在光阻PPR的去除部分形成控制電極βΐ2、 B13、切斷電極E03後，以敍刻等方式去除保護膜π鱼遮光材料S12、S13。去除後之狀態如圖15所示。八此處，所形成之控制電極Bl3,係圍繞主動元件材料 21 200529447 §R〇及形成於其表面之絕緣膜〇 7h ^ ^ a ^ 、猎此，主動兀件材料SR0 料成4制電極B13^極、以信號線周緣部C13 Λ、、馬Λ ^ ^ 不1笨京包極為源極、沒極之場效電晶體TR。亦即施加於控制電極Bl3之電曰者 Λ〇3 (私位），即能夠控制信號線 Α03與像素電極周緣部cu兩者之導電性。電曰Γ™為：使主動元件㈣sr°成為順利動作的場效卿於主動元件材料则的至少—部矽單晶所構成之主勤&处刀將雜）摻質0在既定條件下添加（摻石夕單曰r以既：a使成為n型或P型半導體。然而，欲對矽早日日轭以既疋摻雜使發揮良好。。左右之熱處理。乂— 450 但是，在本發明之顯示裝置製造方法中，其一即是對前述基板Pu Α須施 4 ， /貝她以冋/皿處理，因此，高溫處理之摻雜步驟，還是以不採用為宜。思" :處’所使用之主動元件材料sr〇，較佳 tPL1前大致相同之推雜程度，使用-樣的η型或= 此時，在信號線A03與像素電極周緣部Cl3之門即’相當於主動元件材料SR〇形成之場效二極、汲極之間，在-般狀態下係具有電導性，= 閘極（即控制電極Bl3)施加既曰/ 斷其導電性。亦即，甚M m (東位），來切 I即右主動兀件材料SR0為n型半

施加負電壓，若主動亓杜枓刹_ cpA & 等體男J ^件㈣SRG為p型半導電厂堅，按照對控制電厂堅B13之施加電厂堅，即可控制信號線 A03與像素電極周緣部^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ' 間之¥電性，故可作成控制元 22 200529447 件以對方；位在主動元件材料的圖中中之主動元件材料，控制其導電性。之所要中，：二如則述以及® 15所示可知’在主動元件材料SR0 則逃所要主動元件材料以外之圖中左端部分（非戶動几件材料）’係跨設於兩信號線AG2和A03而配、、’精則迷處理’形成以信號線AG2和信號線AG3為源極、 ;及極並以切斷電極EG3為閘極之場效電晶體。主動元件材料SR〇如η μ &、丄、

上所述，較佳係同樣的η型或ρ型半導體， H♦若不對切斷電極Ε03施加既定電麼，在信號線α〇2 ”。k線Α03之間，即會因主動元件材料SR〇動元件材料的作用，而成為導通狀態。非所要主〆導通，係導致將本來不應顯示的信號混於對各顯示像素（顯示元件）㈣達之信號的原因，而使製造的顯示裝置之品質劣化。

在本例中’係將既定電麼施加於切斷電極E03，以實 =去=兩信i線AG2、A()3間之導通性。所施加的既定電 L田主動元件材料SR0為η型半導體時則是負電壓，當主動元件材料SR0是ρ型半導體時則是正電壓。藉此，可去除主動元件材料SR0所發生之非所要之導通，可防止顯示裝置的品質劣化。圖4係表示示在圖15之截面圖所示狀態之基板、俯視圖。理所當然，在基板PL1上，除前述以外，亦形成對應於各像素電極DU〜43之多數個控制電極Bu〜EM 或切斷電極E02、E03。又，在切斷電極E02、E03的上端 23 200529447 部及下端部，亦形成連接牧包極 E12 、 E13 、 E22 、 E23 ，以利切辦電極E02、E03盘德；十、g「去〃傻述驅動電路之連接。又’亦對主動元件材料】ct>. ^ ^ 卞从1、SR2等施以加工，對於其中跨設於信號線AO 1〜〇3血你主^ 、與像素電極周緣部C 1 1〜43的部分（即所要主動元件材料）卄J所轭仃之加工，係使成為以控制電極Β 1 1〜Β43為閘極之妤上々+ η从 ]位之场效電晶體，作成控制元件；對於其中跨設於信號線Α01〜（η由+ > & a 3中之複數條而配置者（即非所要主動元件材料），則知幻加工成為以切斷電極E〇2、E03

為問極之場效電晶體，以實質去除兩信號線間之導電性。 1接著，如圖5所示般，在圖4所示之基板PL1上形成選擇線 ΒΙΟ、B20、B30、B40。甘士 π «40。其中，選擇線B1〇係與控制電極BU〜B43當中之控制電極Bn、Bi2、Bi3形成: 氣連接，與其他信號線純〜Q3或切斷電極膽、删則呈絕緣。對於其他選擇線B2〇〜4〇亦是同樣作法，僅與控制電極B21〜B43 f中配置在各選擇線㈣〜刊正下方者

形成電氣連接，與其他信號線A〇1〜〇3或切斷電極別2、 E03則呈絕緣。藉此，例如，當主動元件材料SR〇係n型半導體時，僅對選擇線Β10施加正電遷或G電麼，對其他選擇線㈣〜40則施加負電塵，因此，僅有選擇線bi〇所屬之控制電極Bn〜13被施加正電壓或0電塵，而其他選擇線㈣〜 4〇所屬之控制電極B21〜43則是被施加負電壓。其結果，能使被控制電# B11〜13控制之主動元件材料（二中央部等）戶斤構成的控制元件具有導電性，而將其他選擇線 24 200529447 B20〜4〇之控制元件（由主動元件材料如等構成之控制凡件）之導電性切斷。 —又’在該狀態下，透過信號線細〜G3傳送既定之顯不貧訊（電氣信號），藉此，可傳送之前述顯示資訊，僅能傳送至對應各信號線她、細、細之像素電極叫、 D12、D13 〇又，依序改變施加正電麼或0電屢之選擇線，盘此同步變更透過信號線A01〜03所傳送之顯示資訊，藉此，能依序將顯示資訊傳送至基板PL1上之所有像素電極叫〜 43 ° 藉由以上步驟’在前述-片基板上所形成之信號線施 ::3、選擇線B10〜4〇、像素電極叫〜&像素電極周 Ό⑶〜43、控制電極Bu〜B43、切斷電極e〇2和删、主動元件材料與控制元件SRG等之製造步驟因此完成。 &再者，前述製造步驟之順序，並不侷限於前述實施形悲所述者’無庸贅言’亦能以其他順序來形成。又，在前述貫施形態中’信號線A01〜〇3與像素電極周緣部⑶〜 43係以同一形成步驟而形成’但亦能藉不同步驟來形成之。又，在前述實施形態中，對於主動元件材料SR0等之二I使相胃於所要主動元件材料之部分成為控制元件之二驟以及使相田於非所要主動元件材料之部分的導電性貫質去除之步驟，係以同一开；成牛 ^ ^成步驟來形成，然而，亦可藉不同的步驟來形成。 25 200529447 :相當於非所要主動元件姑予以實質去除的步驟 _科之。p分的導電性等元件當中、相〜k 11只心去除主動元件材料SR0 … 非所要主動元件材料者，或對Α Φ -部分予以實際去除。其作法係，如 =中之元件材料SR0等分^ 斤不般地將主動在相當於所要主動: 之後，藉由微影步驟，僅之形成於信號線_〜保，亦即是將上像素電極周緣部Cii〜卜以及被挾於其間的部分；、

則可藉姓刻方式去除所八本的部分，材料SR… 動元件材料（如主動元件材枓SR〇的左端部或主動元件材料SR3等）。 =二如此實際去除非所要主動元件材料的情無須形成如述切斷電極E〇2、E〇3。在前述實施形態中，信號線趟〜〇3及像素電極周緣二⑶〜43’係以圍繞於像素電㈣卜“的外周的方式配直’其原因乃在於，其配置方式若如上揭般地圍繞於像素電極D11〜43的外周全部，可增大像素電極周緣部C11

〜43、以及信號線A〇1〜〇3當中與此近接部分的長度有利於將主動元件材料S R 0 f i \ + 十4確貫地分布於所要信號線A01 〜〇3與像素電極周緣部C11〜43之間。然而’信號線AG1〜〇3與像素電極周緣部⑶〜43之配置形狀不在此限。亦即，像素電極周緣部Cl 1〜43亦可僅形成於像素電極DU〜43當中的左邊部位，並同樣使信唬線AO 1〜03為近接於各像素電極D丨丨〜43之單純延伸於上下方向之線狀（棒狀）物。 26 200529447 作成=:配置主μ件㈣测等、並藉之後的加工而 w η : &件之機率，相較於上例之繞像素電極D11〜43 之像素黾極周緣部Cll〜43 之際，約是其1/4左右。線A(H〜03 其：果，由信號線A01〜03朝各像素電極叫达顯不—貝訊時，其電阻約寻顯示裝置的性能，判定二 ^然而，若經總合考量判疋則述電阻值的增大尚在容許之内抑，所此採用像素電極周 ^ . ^ I丨Li 1〜43之配置，例如，亦

在像素電極DU〜43當中的左端部位配置。 A狀况下，有可能因主動元件材料SRO等之二’3 :像，極周緣部C"〜43或像素電極D"〜43 係，在像素H面當中的上下方向發生導通之虞。因此較佳下以”周緣部CU〜43與像素電極D11〜43的上 °之間，形成前述切斷電極E〇俾實質去除主動元件材料SR…、」〇3般之切斷電極’

步驟去除前述非所要主動二專…性，或是，藉微影之主動it件材料。 Μ材料，以去除分布於該部分 :广月本實知形態之顯示元件的形成方法。圖16係表示在圖$ 一信號線L選擇線:―片基板上:使用業已完成像素電極周緣部⑶〜43 像素電極D11〜43、 ^制電極Bl 1〜43、切斷電極 :、主動元件材料和控制元件sr〇等之製造步驟之基板PU’來形成液晶顯示元件時之例。又’圖16係表示像素電極叫附近之放大截面圖。 27 200529447 在基板PL1上之場效電晶後，以相對於基板pLl之既定向電極DC之對向基板pL2。之間。體TR、TR2形成保護膜之間隔，對向配置同樣形成對然後將液晶材料封入兩基板此時:對應於-個像素電極D13之顯示元件，其構成體係像素電極D13與對向電極DC、以及挟於其間之液晶材料LC。

再者’錢晶顯示裳置為透過型時，理所#然，兩基板PLl、PL2係使用透過性材料。又，在基板㈤上之對向電極DC亦以1το等透明電極形成。X，在基板PL1的、Λ 2的上方’分別形成偏光板或偏光膜，遂完成透過型液晶顯示元件 ΓΛ1 l 3。又，同樣作法，在其他像素電極 1〜43㈣應之位置，亦完成透過型液晶顯示元件。、，又，如前述，朝像素電極周緣部D11〜43選擇性地傳送顯示資訊（電氣作缺、 — ’、ϋ〜），精此，能使對應於既定的像素

電極Dl 1〜43之、波曰％ - - L

古、之液日日顯不兀件LC13，以既定透過率（亮度）專而顯示之。亦可依其必要性，在基板PL1或對向基板PL2上 …-色片’以成為可彩色顯示之液晶顯示裝置。 :方、圖16中’例如’亦可使對向電極DC為高反 PL1/屬膜等，以成為光自基板pli側人射、亦由基板貝’射出之反射型液晶顯示裝置。χ ’亦可使像素電極〜43為高反射率之金屬膜等，以成為光自對向基板… 射、亦由對向基板PL2側射出之反射型液晶顯示裝置。 28 200529447 接著參照圖17、圖18,說明形成電致變色顯示元件的方法。圖17係表示在圖5所示之一片基板上，在完成信號線 A01〜〇3、選擇線B10〜40、像素電極Du〜43、像素電極周緣部Cl 1〜43、控制電極Bl 1〜B43、切斷電極E02、 E03、主動元件材料和控制元件SR〇等之製造步驟之基板 pL1上，例如形成鋁等金屬所構成之高反射率反射膜mr，在其上形成氧化銻（SB2〇5)等電解質ES，並在其上形成氧化鎢（W03 )等電致材料EC，進而塗布光阻之狀悲。再者，ffi 17亦是像素電極D13附近之放大截面圖。藉由微影步驟，照射具既定強度分布之曝光用光 Exp3，在對應於像素電極叫〜“的部分，正確而言應是略為放大的部分，殘存著光p且PR2，並去除其他部分之光阻PR2。之後’以前述光阻pR2為光罩，對電致變色材料電解貝ES反射膜MR施以蝕刻。又，將絕緣構件1、 F S 2埋入餘刻所去除的八 ❿

“ 4刀’之後’將已形成透明電極DC 之對向基板PL2配置在基板pu上。藉此70成反射型電致變色顯示元件EC丨3等，朝像素電極D1 1〜43選擇性从捕、、，％ -一 / 谭14地傳达顯不貧訊（電氣信號），使得對應於既定像辛命〗豕素电極DU〜43之電致變色顯示元件 13，能以既定之污以古/ * <反射率（亮度）等顯示。再者，電致變色顯-—& + μ 欠巴頌不7L件亦可與液晶顯示元件用透過型，因此，亦πy 卞丨J俅便 τ可採用透明電極來代替前述之高反射率反射膜MR，或去 ^ 不採用上揭形成物而逕以透明像素 29 200529447 電極D 1 1〜43本身夹你或為頌不兀件的電極，藉此亦能製造透過型之電致變色顯示裝置。接著說明電解析出型成方法。件與電泳型顯示元件之形以下係參照圖18予以鳍昍乂门 ^ , 于以5兒明，但圖〗8之構成要件所分 :係與前述電致變色顯示裝置之實施形態不同者。件顯示裝置中的顯示元件係電解析出型顯示元物形成圖18中的高反射率反射膜-。電極Ec夕/板PL2上形成透明電極DC，進而形成透明，、而透明電極EC可依情況予以省略。在本例中，對反射膜MR施以圖荦化接 | 充填絕緣物。3案化後所產生的空隙FS卜㈣，無須又，近接配置著基板PL1與對向.基板⑴，將含銀離子之溶液封入其間ES’以及前述空隙阳、咖，元成電解析出型顯示元件E C1 3。將正電荷透過信號線AG3而注人像素電極叫後射膜MR的銀成為銀離子而解離至溶液它一士 r 丄、FS2; 钯又Α在對向之透明電極Ec上，銀離子成為析出的，艮。又，由於在透明電極EC上析出的銀所致，降明電極Ec之透明度，因此降低電解析出型顯件之反射率。汗M3 r^入像素電極後，在透明電極EC上析出的銀再度成為銀離子而解 30 200529447 在反射膜MR的銀 EC上所析出的銀以提高電解析出型離至溶液ES、FS1、FS2;另一方面，離子成為銀而析出。藉此’在透明電極減少，而回復透明電極EC之透明度，顯示元件E1 3之反射率。雨述之電解析出型顯示元件Eu，其反射率的上昇具可逆性，可重複任意次數之反射率的下降、: 以作為顯示元件及顯示元件裝置之用。

形成電泳型顯示元件以作為本發明之顯示元件時，龙製w方法’亦幾乎相同於前述電解析出型顯示元件之製造方法’惟，充填入兩基板間的液體並非銀離如含碳粒子或4h ^ 糸例、、、—虱化鈦粒子之液體；而高反射率反射膜Mr 的材料並不侷限為銀’亦可使用銘等其他金屬材料。卜在剛述方法所形成之顯示裝置，僅憑其單體不具有處理及違吐姑-一生動作，必須且有= ^㈣㈣示裝置發或選擇信號動電路以輸入顯示資訊(電氣信號)

圖19所示’係驅動電路形成方法的一例，立 :電路1C_1:IC2，透過其端部之電極部A"、：. 方法j::貝A (電氣信號）或選擇信號輸至藉前述製造製成之形成有顯示裝置之基板PL1。驅動電路IC1 ΤΙ、T2上之積體電形成配線圖案AL 1 配線圖案AL1 IC2，係分別安裝在撓性的薄膜狀基材路’在薄膜狀的基材T1、T2上，分別 BL1等，構成薄膜狀配線構件。等，係透過基板PL1上之電極部An 31 200529447 等連接至k成線A01等。又’配線圖案BL1等，係分別透過基板PL1上之電極部B〇1等連接至選擇線㈣等。又，配線圖案AL1 BL1分別連接至積體電路、IC2，積體電路IC2則與外部之影像信號Sig連接。積體電路IC2根據影像信號Sig而作成選擇信號，透過配線圖t BL1等，將既定電壓施加於顯示裝置中的選擇線B10等又積體電路IC2係透過相互配線，朝積體電路傳達影像信ESig或其中一部分，積體電路⑹ 則根據該信號作成顯示信號，並透過配線圖案ali等，將既定顯示資訊（電氣信號）傳送至顯示裝置中的信號線a〇i 等。又，依而要，積體電路IC1透過配線圖案EL1及基板 PL1上之電極E12 #，朝基板pL1上之切斷電極別2等供應既定之電壓（電位）。 …再者’以上之實施形態中，主動元件材料sr〇等係由，導體所構成’但其適用不在此限，亦可使用金屬或金屬氧:匕物等之導體’《由有機物所構成。即是使用有機物，亦能與前述實施形態同樣構成電晶體。 ^又，使周金屬或金屬氧化物等之導體時，可構成二極月：亦~，在金屬性的主動元件材料表面形成異種金屬薄膜或半導體薄冑’利用異種金屬間的整流特性，或是金屬半導體間產生的整流特性，可作為二極體之用。藉此，例如，可構成背對背型二極體之主動顯示元件。再者，本發明不侷限於前述實施形態，理所當然，在 32 200529447 未脫本發明要旨的範圍 ^ n . 1R 靶她以各種構成。又，在2003 牛11月18曰所提出之 .1 本專利申請案2003-388457，以及2003年“月19日所提以中，勹乜甘η 之曰本專利申請案2003-389385 中，包括其說明書、申干內as專利乾圍、圖式、摘要之全部揭不内谷，亦援用於本案。丨佝依本發明之顯示裂置 m . ^ ,c L l k方法，無須在顯示裝置所使用之基板上形成半導體薄膜，吓便妹由古、w走、口此，製&顯不裝置時無須、、工由间溫處理。故可掠田了知用耐熱性較低廉示裝置之低成本化。低之廉化基板，達到顯又，根據本發明之顯示f 步署％ 4 士只丁展置製造方法，可防止在顯示凌置玟叶時不欲導通之處顯示像素缺陷。 …通（紐路）’可防止發生因此可製造無像素缺陷之顯示裝置。【圖式簡單說明】 β係表不本發明之顯示裝置製造方法的實施形態之

1造步驟途中，在顯+驻I ”、、/、4置用基板pl 1上形成像素電極〇 π 〜43之狀態。。圖2係表示在顯示裝置用基板pLi上，進一步形成信號線A01〜〇3與像素電極周緣部⑶〜“之狀態。 …圖3係表示在圖2所示之顯示裝置用基板⑴上，然後進一步分布主動元件材料SRQ等之狀態。 ^圖4係表示對圖3所示之顯示裝置用基板pLi施以既疋處理後，進一步形成用以控制所要主動元件材料之控制 33 200529447 電極B1 1〜43、及用以去除非所要主動元件材料之導電性的切斷電極E02、E03之狀態。圖5係表示在圖4所示之顯示裝置用基板pl 1上形成遥擇線B 1 〇〜4 0之狀態。圖6係圖3所示狀態之顯示裝置用基板pl 1之主動元件材料SR0附近之放大截面圖。圖7係表示在圖6所示狀態之顯示裝置用基板pu塗布光阻NPR後，照射曝光用光Εχρ 1時之狀態。

圖8係表示對圖7所示狀態之顯示裝置用基板pL1施以顯影、蝕刻時之狀態。圖9係表示在圖8所示狀態之顯示裝置用基板pL i，形成上層像素電極周緣部、cl2〇、cl3〇、及上層信號線 A020、A030時之狀態。圖1 〇係表示自圖9所示狀態之顯示裝置用基板pL 去除光阻NPR後之狀態。

,圖11係表示在圖10所示狀態之顯示裝置用基板PL 形成遮光構件S12、S13與保護膜CC之狀態。圖12係表示在圖Η所示狀態之顯示裝置用基板PL 塗布光阻PPR後，曝光用《Εχρ2之照射時之狀態。 …圖13係表示對圖12所示狀態之顯示裝置用基板几化以顯影、蝕刻時之狀態。，圖14係表示在圖13所示狀態之顯示裝置用基板pLi，形成控制電極B12力B13、及切斷電極咖時之狀態。圖15係表示自圖14所示狀態之顯示裝置用基板pL: 34 200529447 去除保護膜CC後之狀態。圖16係表示本發明之弓 ^ 个知a又_示裝置製造方法的實施形態之液晶顯示裝置之製造方法圖。、" 圖1 7係表示本發明之鬅一不# #名姑-趾 '不裝置製造方法的實施形態之電致k色顯不裝置之製造方〆去圖。圖1 8係表示本發明之黑員示对電致變色顯示裝置、電解批’、羞置製造方法的實施形態之 π竹出型_ 一裝置之製造方法圖。 ”、、示裝置、與電泳型顯示圖1 9係表示在本發明 $成驅動電路的方法 ' _示驻μ 之例。式置【主要元件符號說明】 P L1 ·基板

Dl 1〜D43 :像素電極 Α01〜〇3 :信號線 CU〜43 :像素電極周緣部 SR0〜4 :主動元件材料 Β11〜43 :控制電極 Ε02 ' 03 :切斷電極 Β10〜Β40 :選擇線 PL2 ·對向基板 35

Claims

200529447 十、申請專利範圍： 1 · 一種顯示裝置製造方法，該顯示裝置具有2維排列之複數個顯示元件，其特徵在於包含以下步驟·· 在構成該複數個顯示元件之至少一個基板上，形成複數個像素電極，其等分別連接至該複數個顯示元件；、在該基板上形成複數條信號線，其等可將顯示資訊傳達至該複數個顯示元件；使複數個主動元件材料分布於該基板上；該主广元件材料中，將所要主動元件材料(跨設於該 =條w線中之既m線與複數個像素電極中的既定像素電極而分布）之至少一既W。刀忭成控制70件，其可控制該既疋#號線與既定像素電極間的導電性；及所要動元件材料外之主動μ材料、亦即非少^ Γ 至少—部分，將其非所要導電性之至條信號線彼此間之導雷 ^ tη ^φ 電禝數條信號線與複數個像素免極間之導電性、戎去 > 个丁性。或者疋该钹數個像素電極彼此間之導電 2 ·如申請專利範圍楚該複數個…件材料之分布::示:::造”，其中動元件材料隨機分布於該基板上之步驟。匕3將5亥複數個主 3.如申睛專利範圍笛該作妒绫，孫弟1項之顯示裝置製造方法，其中乂 1。就線，係以該像幸成近接日n u 3王周長1/4以上的長度配置战近接且圍繞該像素電極。 J笊又置 36 200529447 4·如申請專利範圍第卫该#號線相，係以該像素電成近接且圍繞該像素電極，項之顯示裝置製造方法，其中極的王周長1 /4以上長度配置並且，在該複數個主動元件材料的分布 …主動：件材料隨機分布於該基板上之步驟 5.如申凊專利範圍第丨實質去除該非所要主動頁不4置製造方法’其中’ 孫…」件材料之非所要導電性之步驟，係匕δ去除该非所要主叙-

“…件材料的至少-部分之步驟。方法，其中該主頁中任-項之顯示裝置製造，動几件材料係包含棒狀之半導體物質。 7·如申請專利範圍第6項之顯示裝、該棒狀之半導體物質為矽。中 8·如申請專利範圍第6項之顯示該棒狀之半導體物質万法，、〒亚且具表面係以氧化矽被覆。 9·如申睛專利範圍第乐1 5項中任一項之顯示裝置製造

方法，其中该顯示元件係透過型元件。、1〇·如中請專利範㈣卜5項中任—項之顯示裝置製造方法，其中該顯示元件係反射型元件。、11·如中請專利範圍帛卜5項中任—項之顯示裝置製造方法，其中該顯示元件係液晶顯示元件。、12·如巾請專利範圍帛卜5項中任—項之顯示裝置製造方法，其中該顯示元件係電泳型顯示元件。、13·如申請專利範圍第卜5項中任一項之顯示裝置製造方法’其中該顯示元件係電解析出型顯示元件。 37 200529447 Μ.如申請專職圍第卜5項巾任―項之㈣裝置製造方法’其中該顯不7L件係電致變色顯示元件。 15.如申明專利乾圍帛1項之顯示裝置製造方法，其中該主動元件材料包含棒狀之半導體物質。 16_如申請專利範圍帛15項之顯示裝置製造方法，其中該複數個主動το件材料之分布㈣m將該複數個主動元件材料隨機分布於該基板上之步驟。 1 7 ·如申請專利範圍笼，

J靶国弟1 5項之顯示裝置製造方法，其中該信號線，係以該像素電極全周長ι/4卩上長度配置成近接且圍繞該像素電極。 -πτ晴寻利範圍第15項之顯示裝置製造方法，中該信號線，係以該像素電極的全周I 1/4以上長度配成近接且圍繞該像素電極，並且， δ亥複數個主動元件；#八士午材枓之刀布步驟，包含將該複數主動元件材料隨機分布於該基板上之步驟。

1:.如申請專利範圍第15項之顯示裝置製造方法，去除該非所要主動元件材料之非所要導電性之 :糸包含去除該非所要主動元件材料的至少一部分之 =請專利範圍第15項之顯示裝置製造方法使該所要主動元件材料作成控制元件之步驟，係動疋件材料作為場效電晶體之步驟。 h如申請專利範圍第15項之_ ，’實質去除該非所要主動元件置製造方法干材科之非所要導電性- 38 200529447 騾，係包含使該非驟。 1動元件材料作為場效電晶體之步 22. 如申請專利範圍第15〜21項中造方法，其中該棒狀之半導體物質;^之顯示裝置製 23. 如申請專利範圍…項中任V型半導體。造方法，其中該棒狀之半導體物質為石夕。、之顯不裳置製 24. 如申請專利範圍第15~21項中造方法，其中該棒狀之半、=裝置製覆。貝八表面係以絕緣膜被 "二5::二專體:= 專利範; 造方法，其中實質丰^ 項之顯示裝置製電性之步驟，係勺：所要主動元件材料之非所要導部分之步驟,…去除該非所要主動元件材料的至少- 造方：·如範圍第15〜21項中任一項之顯示裝置製〃中5亥至少一片基板，係使用具有撓性之基板。、2心如申請專利範目帛27項之顯示裝置製造，豆中该至少-片基板，係使用有機材料構成之基板。 29·如申請專利範圍第27項之顯示裝置製造方法，其 '、、^包a，於6亥至少一片基板的端部連接薄膜狀配線構件之步驟。 30·如申請專利範圍第28項之顯示裝置製造方法，其係進—步包含，於該至少一片基板的端部連接薄膜狀配線 39 200529447 構件之步驟。 3 1. —種顯示裝置，其特徵在於，係以申請專利範圍第 1〜5項及申請專利範圍第15〜21項中任一項之顯示裝置製造方法製成。 3 2. —種顯示裝置，其特徵在於，係以申請專利範圍第 6項之顯示裝置製造方法製成。 33. —種顯示裝置，其特徵在於，係以申請專利範圍第 23項之顯示裝置製造方法製成。 34. —種顯示裝置，其特徵在於，係以申請專利範圍第 26項之顯示裝置製造方法製成。 3 5.—種顯示裝置，其特徵在於，係以申請專利範圍第 27項之顯示裝置製造方法製成。 36.—種顯示裝置，其特徵在於，係以申請專利範圍第 28項之顯示裝置製造方法製成。

Η^一^、圖式：如次頁 40