200428454 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於電子注流測定裝置及使用其之電子注流 測定方法，尤其是關於無離子束之截止而以高精度測定電 子注流值的裝置。 【先前技術】 無注流截止而以高精度測定離子束的電流值的方法之 一，具有如下的研究報告（參照非專利文獻1)。該方法係 使用屬極為高感度的磁場感測器的使用約瑟夫遜接合元件 的稱為超導量子（S Q U I D )的感測器，檢測產生電子注流的磁 場以測定電子注流值的方法。S Q U I D具有平行配置2個約 瑟夫遜接合的超導環構造，是針對貫穿該超導環的磁束， 按基準測定磁束量子（2 · 0 7 X 1 (Γ 15 W b )者。 上述文獻中，S Q U I D係使用在液態氦溫度進行動作的低 溫超導體者。另外，該電子注流測定裝置，係由檢測對應 電子注流的磁場的檢測部，傳導磁束於測定部的磁束傳導 部；具有感應所傳導的磁束的超傳導元件與以抹消貫穿超 傳導元件的磁束的變化的方式流動反饋電流的反饋線圈的 測定部；及具有可從含有流動離子束的空間的外部空間來 磁性屏蔽檢測部、磁束傳導部和測定部的超導體組成的間 隙的磁性屏蔽部來構成其主要部分。 檢測部係於軟磁性體的磁芯繞捲超導線而成的線圈，由 軟磁性體磁芯收集藉由電子注流發生的磁場而於線圈誘發 超導電流。然後，該線圈誘發的超導電流被傳導至鄰接 312/發明說明書(補件)/93-06/93106870 200428454 S Q U I D而S己置的線圈。利用對應於電子注流的變化，使流 動於該線圈的超導電流發生變化，以便使貫穿S Q U I D的磁 束量變化。在此，在該檢測部中，為以貫穿S Q U I D的磁束 量不變化的方式，形成於反饋線圈流動反饋電流以抹消變 化的方式之組成。該反饋電流與電子注流值的變化成比 例，利用測定反饋電流可決定電子注流值的變化量。 最近，正研究著使用高溫超導體的電子注流值的測定方 法（參照非專利文獻2 )。根據該非專利文獻2所揭示的方 法，使用由高溫超導體塗敷表面的圓筒作為檢測部。但是， 其僅在圓筒外周面的一部分設置高溫超導體的橋接部分。 貫穿圓筒中央的電子注流係於圓筒表面誘發表面屏蔽電 流。在此，於橋接部分集中表面屏蔽電流。於是，成為由 S Q U I D測定集中表面屏蔽電流而建立的磁束的構成。在該 方法中所使用的S Q U I D係使用高溫超導體，可在液態氮溫 度以上使其動作。 使用前者的低溫超導的S Q U I D的電子注流測定裝置，係 可以相當於數nA程度的雜音域幅來測定電子注流。 另一方面，使用後者的高溫超導的S Q U I D的電子注流測 定裝置，具有可僅由液態氮或冷凍機進行運轉的優點，但 是，其雜音域幅為相當於數μ A大（參照非專利文獻3 )。並 且，因為零點的飄移也大，因此在數十秒以上的實際測定 中，具有僅可測定相當於1 0 β A程度以上的電子注流的問 題。 在其他的非破壞型測定方法中有直流變流器。但是，雜 6 312/發明說明書(補件)/93-06/93106870 200428454 音域幅係相當於數// A，若考慮零點的飄移，實際上1 0 // A 程度以下的測定有困難。 (非專利文獻1 ) 超導裝置及其應用：Super Conducting Quantum Interference Devices and Their App 1 icatiοns(Wa 1ter de Gruyter,1977)p.31L· IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS, VOL. MAG-21, NO. 2, MARCH 1 9 8 5、Proc. 5th European Particle Accelerator Con f. , Sitges, 1 9 9 6 ( I nstitute of Physics, 1 9 9 7 )p. 1627、曰本物理學會誌 Vol . 54, No. 1 , 1999 (非專利文獻2 ) 超導處理：IEEE TRANSACTION ON APPLIED SUPERCONDUCTIVITY, VOL. 11, No.l, MARCH 2001 p. 635 (非專利文獻3 ) 超導處理：IEEE TRANSACTION ON APPLIED SUPERCONDUCTIVITY, VOL. 11, No.l, MARCH 2001 p. 635 【發明内容】 如上述般，使用低溫超導的S Q U I D的電子注流測定裝 置，雖然其感度高，但對雜音卻非常敏感。因為外部電磁 場、機械振動是成為雜音的原因，因此嘗試強化屏蔽的種 種試驗，而為了強化屏蔽而完全截止外部電磁場、機械振 動，由為數眾多的研究者正進行刻意研究中是現實狀況。 然而，已了解到即使在大致接近完全的狀態將外部電磁 場、機械振動遮蔽，其耐雜音性仍有限度的情況。於是， 7 312/發明說明書(補件)/93-06/93106870 200428454 有因為此等雜音使得S Q U I D的鎖定脫離（測定點飄飛）的情 況。若鎖定脫離時，將失去測定的連續性，因此有無法正 確測定的深刻問題。 另一方面，使用高溫超導的S Q U I D的電子注流測定裝 置，其感度小且零點飄移也大，因此實際上僅可測定相當 於1 0 // A程度以上的電子注流。即使在可無視零點飄移之 短時間的測定中，也因雜音域幅為數// A，而比此微小的電 子注流的測定有困難。 另夕卜，作為其他的非破壞型測定方法，雖有使用直流變 流器，但若考慮零點飄移時，實際上1 0 μ A程度以下的測 定有困難。即使在可無視零點飄移之短時間的測定中，雜 音域幅也為數// A。 從如此之情況，要求可由非破壞測定注流，且可高精度 測定的電子注流測定裝置及其測定方法。也就是說，要求 提供一種可穩定測定提高耐雜音性、測定的連續性不消 失，且為1 0 // A程度以下、最好為數"A程度以下的雜音 域幅之微小電子注流的非破壞型測定方法及測定裝置。 本發明係鑑於上述實際狀況而完成者，其目的在於提供 一種耐雜音性良好，且高感度的電子注流測定裝置。 另外，其目的在於提供一種盡可能在常溫附近可使用的 電子注流測定裝置。 為達成上述目的，本發明中，其係具備外部磁場屏蔽用 的磁性屏蔽部；及配置於藉由上述磁性屏蔽部所生成的屏 蔽空間的磁場感測器，並由上述磁場感測器來測定應欲測 8 312/發明說明書(補件)/93-06/93106870 200428454 定之電子注流所生成的磁場的電子注流測定裝置^其特徵 為：上述磁場感測器，其磁束-反饋電流變換係數為8 X 10_15Wb/A 以上。 本發明者等從使用常溫導體、低溫超導體及高溫超導體 的種種實驗結果，藉由使用感測器的感度與先前為不同區 域者，意外發現耐雜音性得到提高的情況。本發明正是基 於該發現而完成者。 根據本發明，藉由使用磁束-反饋電流變換係數為8 X 1 0_15 W b / A以上的磁場感測器，可大幅提高耐雜音特性。 根據上述構成，可提供耐雜音性高，且在相當於數十nA 〜1 0 // A程度以下的雜音域幅下，可測定電子注流的電子 注流測定裝置。 另外，藉由將磁束-反饋電流變換係數設為2x 1 (Γ 12 Wb/A 以下，可成為耐雜訊特性良好，且雜音域幅小的可測定區 域。 另外，最好磁場感測器，其磁束-反饋電流變換係數為1 X 1 (Γ 12 W b / A以下。其理由是可進行雜音域幅更小的測定的 緣故。 另外，本發明之電子注流測定裝置，其係具備外部磁場 屏蔽用的磁性屏蔽部；及配置於藉由上述磁性屏蔽部所生 成的屏蔽空間的磁場感測器，並由上述磁場感測器來測定 應欲測定之電子注流所生成的磁場者，其特徵為：上述磁 場感測器，其磁束感度為2 X 1 (Γ 18 W b / V以上。 藉由使用上述磁場感測器，耐雜音特性大幅提高。 9 312/發明說明書(補件)/93-06/93106870 200428454 另外，最好其特徵為：上述磁場感測器，其磁性感度為 5 X 1 (Γ |5 W b / V 以下。 另外，最好其特徵為：上述磁場感測器，其磁束感度為 2 X 1 (Γ 15 W b / V 以下。 另外，最好其特徵為：上述磁場感測器，具有平行配置 2個約瑟夫遜接合的超導環構造。 該磁場感測器被稱為S Q U I D。在此，將流動於反饋線圈 的反饋電流對貫穿S Q U I D的磁束量變化的比，設為磁束-反饋電流變換係數。 另外，將對貫穿S Q U I D的磁束量變化的輸出的比，設為 磁束感度。 在此，磁束-反饋電流變換係數為2 . 9 5 X 1 (Γ 13 W b / A，磁 束感度為5 . 9 X 1 (Γ 16 W b / V程度的S Q U I D，係使用高溫超導 體所製造。 又，最好使用高溫超導體者，因其可在液態氮溫度以上 進行動作。在此，高溫超導體係指在1 0 k以上顯示超傳導 的物體，最好為在3 0 k以上引起超傳導者。藉由使用如此 之高溫超導體，在工作成本便宜的基礎上，還因為屏蔽部 薄亦可的緣故而可使裝置小型化。 又，具有可從包含流動離子束的空間的外部空間來磁性 屏蔽S Q U I D的超導體組成的磁性屏蔽部者，可屏蔽外部磁 場而減低雜音，因此較佳。 超導體組成的磁性屏蔽部係具有間隙的構造者，可減低 外部磁場，可選擇性地僅使注流建立的磁場通過，因此較 10 312/發明說明書(補件)/93-06/93106870 200428454 佳。 又，具有電場屏蔽部、電磁場屏蔽部者，係將脈衝 動或高頻變動的外部電場、電磁場屏蔽，而可提高測 穩定性，因此較佳。 另外，上述磁性感測器最好具備收集應欲測定之電 流所生成之磁場的機構。 另外，上述收集磁場的機構，最好為將超導線繞捲 磁性體磁芯的線圈，或由高溫超導體塗敷表面，僅於 面的一部分具有高溫超導體的橋接部分的圓筒。 另外，電場屏蔽部、電磁場屏蔽部，其由包含從鋁 所選擇的至少一種的材質所構成者，易產生渦電流且 場、電磁場效率良好而可取消，因此較佳。 利用應用於要求由高精度測定例如從數// A至數ni A 的電子注流的離子注入裝置，可邊於半導體晶圓照射 束，邊同時可由非破壞測定電子注流。 另外，本發明之電子注流測定方法，其特徵為：使 述電子注流測定裝置，在從離子源或電子線源照射於 理物表面的注流線上，配置上述電子注流測定裝置的 感測器，從上述磁場感測器的輸出測定上述注流線的 注流值。 另外，本發明之注流照射方法，其特徵為包含：對 離子源或電子線源所生成的注流，使用上述電子注流 方法來測定電子注流的測定步驟；將在上述測定步驟 得的上述電子注流值，反饋於離子源或電子線源的控 312/發明說明書(補件)/93-06/93106870 狀變 定的 子注 於軟 外周 群中 電 程度 離子 用上 被處 磁 電子 使用 測定 所獲 制參 11 200428454 數的控制步驟；及將使用在上述控制步驟所獲得的控 數所控制的電子注流照射於被處理物的照射步驟。 又，根據使用上述電子注流測定裝置的注流照射裝 可邊高精度控制電子注流邊進行注流照射，使高精密 工變為可能。 又，使用具備上述電子注流測定裝置的離子注入裝 電子注流曝光裝置、加速器而製造或檢查的半導體、液 生物芯片等的能動元件及電阻、線圈、電容器等的被 件也有效。 【實施方式】 以下，參照圖式詳細說明本發明之實施形態。 (實施例1 ) 圖1為顯示本發明之實施形態的電子注流測定裝置 意圖。 本電子注流測定裝置，如圖1所示，其具備配置於 以測定之注流的通路上的檢測線圈1 ;屬檢測對應於 注流的磁場的磁場感測器S Q U I D 2 ;作為將由上述檢測 1所檢測的磁束傳導致測定部的磁束傳導部的墊圈線 6 ;及具有感應所傳導的磁束的超導元件、以抹消貫穿 導元件的磁束的變化的方式流動反饋電流的反饋線圈 S Q U I D輸入線圈5與S Q U I D 2的測定部；其成為經由前 大器與積分器將該S Q U I D 2的輸出導向輸出端子7，同 經由反饋電阻4反饋於反饋線圈3的構成。 本裝置中，係藉由磁場感測器2及具有從含有流動 312/發明說明書(補件)/93-06/93106870 制參 置， 之加 置、 晶、 動元 的示 應予 電子 線圈 圈 超傳 3、 置放 時， 離子 12 200428454 束的空間的外部空間進行磁性屏蔽的超導體組成的間隙的 磁性屏蔽部來構成其主要部分。檢測線圈1係於軟磁性體 的磁芯繞捲超導線而成的線圈，由軟磁性體磁芯收集藉由 電子注流發生的磁場而於線圈誘發超導電流。於該線圈所 誘發的超導電流被傳導至鄰接S Q U I D 2而配置的線圈。利用 對應於電子注流的變化，使流動於該線圈的超導電流發生 變化，以便使貫穿S Q U I D的磁束量變化。但是，其為以貫 穿S Q U I D的磁束量不變化的方式，形成以抹消變化的方式 而於反饋線圈流動反饋電流的組成。該反饋電流與電子注 流值的變化成比例，利用測定反饋電流可決定電子注流值 的變化量。 元件符號8為磁性屏蔽部，9為間隙。藉由該間隙的存 在，可於所需方向輸出磁場感測器。然後，以反饋電流於 反饋電阻4兩端所產生之電壓為輸出7，並以示波器監示 此輸出。磁性屏蔽部係使用由鉛製成的具有間隙的超導磁 性屏蔽部。間隙係於套管形狀形成為7段。然後將檢測線 圈1與S Q U I D 2放入磁性屏蔽部内。應予以測定之電子注流 建立的磁場，係通過間隙到達檢測線圈1。又，最好使用 除磁性屏蔽部8外還具備電性屏蔽功能的屏蔽體。 在此，以在一捲成之匝線圈上流動模擬電流來取代離子 束進行實驗。 在本裝置中，使用磁束-反饋電流變換係數為2 . 9 5 X 10-13Wb/A，磁束感度為 5.9x 10_16Wb/V 程度的 SQUID，作 為磁場感測器2，作為使用驅動電路的電子注流測定裝 13 312/發明說明書(補件)/93-06/93106870 200428454 置。亦即，所使用之磁束-反饋電流變換係數及磁束感度， 較先前非專利文獻2所記載使用的高溫超導體者（作為比 較例1容待後述）高出2位數，較利用具有與本發明者等製 成者相同的構造且使用低溫超導體者（作為比較例2容待 後述）低2位數。其他則與先前所使用者（比較例1 )具有相 同條件。 在此，滿足S Q U I D 2的超導封閉電路的磁束保存原則’ 係 M i s · I p + M f s · I f = 0。但是，M i s 為 S Q U I D 輸入線圈 5 與S Q U I D 2的相互電阻，I p為流動於檢測線圈1、墊圈線圈 6及S Q U I D輸入線圈5建立的超導封閉電路的超導電流， M f s為反饋線圈3與S Q U I D 2的相互電阻，I f為流動於反饋 線圈3的反饋電流。將反饋電阻4的大小設定為R f。第1 項係輸入S Q U I D 2的磁束，I f · R ί係輸出7的電壓。藉此， 磁束感度係由M i s · I p / I f · R f所求得。另外，磁束-反饋 電流變換係由M i s · I p / I f所求得。 此時之電子注流-電壓變換係數，係從磁束感度可預估 為1 . 5 X 1 0 ί A / V。亦即，對模擬電流的輸出可預估為 0 . 6 7 m V / 1 0 0 η A程度。雜音域幅係可以認為從比較例1可減 低為2 m V程度。這相當於3 0 0 η A程度的模擬電流。 如上述，根據本發明之實施例1，可由3 0 0 η A程度的雜 音域幅測定電子注流。 (實施例2 ) 收集磁場的機構，係使用具有由高溫超導體塗敷表面而 僅於外周部的一部分有由高溫超導體構成橋接部分的筒狀 14 312/發明說明書(補件)/93-06/93106870 200428454 構造物。在注流貫穿筒狀構造物的内徑建立的閉曲面時， 藉由注流建立的磁場而於筒狀構造物的内壁表面誘發表面 屏蔽電流。該表面屏蔽電流係於筒狀構造物的内壁表面沿 與注流的行進方向相反的方向流動。然後，在外壁表面沿 與注流的行進方向相同的方向流動一周。在此，筒狀構造 物的外壁表面具有僅一部分為高溫超導的橋接部分，其他 則形成為不具高溫超導體的縫隙部s，因此在絕緣體或屬 常溫導體的基材的裸露出的部分不流動電流，而於橋接部 分集中表面屏蔽電流。利用如此的構成，收集生成應予以 測定之電子注流的磁場。於是，成為於上述線圈檢測集中 的表面屏蔽電流在橋接部分建立的磁場而由S Q U I D測定的 構成。 在本裝置中，貫穿具有由高溫超導體塗敷表面而於外周 部僅一部分而有由高溫超導體構成橋接部分的筒狀構造物 的中央的電子注流，係於圓筒的表面誘發表面屏蔽電流。 然後於橋接部分集中表面屏蔽電流。利用如此的構成，由 S Q U I D測定集中的表面屏蔽電流建立的磁束。 在該方法中所使用的S QU I D，係使用高溫超導體者，可 在液態氣溫度以上進行動作者。S Q U I D係利用配置於橋接 部分之極近旁，盡量不使集中於橋接部分之表面屏蔽電流 建立的磁場漏磁。 在本裝置中，使用磁束-反饋電流變換係數為2 . 9 5 X 1 0 13 W b / A ^ 磁束感度為 5.9x10 — ll5Wb/V 的高溫 SQUID，作 為磁場感測器，作為使用驅動電路的電子注流測定裝置。 15 312/發明說明書(補件)/93-06/93106870 200428454 亦即，與實施例1具備相同，磁束-反饋電流變換係數及磁 束感度之磁場感測器。 此時之對模擬電流的輸出，與實施例1相同，可預估為 0 . 6 7 m V / 1 0 0 η A程度。可以認為雜音域幅係從比較例1可減 低為2 m V程度。這相當於3 0 0 η A程度的模擬電流。 利用如此之構成，可提供一種在構件上未使用鉛等的低 溫超導體而僅使用高溫超導體，即使在更為接近常溫的溫 度區域仍為高感度且耐雜音性良好的電子注流監視器。 其次，說明比較例。 (比較例1 ) 使用高溫超導體的S Q U I D ( B )與驅動電路進行實驗。檢測 部係使用由高溫超導體塗敷表面的圓筒。然後，如在先前 技術中所說明，於圓筒的外周面僅一部分設置高溫超導體 的橋接部分，由S Q U I D與驅動電路來測定集中於橋接部分 的表面屏蔽電流建立的磁束。由比較例1所使用的高溫 S Q U I D ( B )與驅動電路的磁束-反饋電流變換係數為1 . 1 5 X 10_11Wb/A，磁束感度為 3.84xlO_14Wb/V° 在此，也以在一捲成之匝線圈上流動模擬電流之來取代 離子束進行實驗。模擬電流係於以通過電子注流測定裝置 注流通過孔的軸上附近的方式在所捲成的一區線圈上流過 電流而製成者。此時，對1 m A的模擬電流的輸出為4 0 m V。 亦即，電子注流-電壓變換係數，係為2 . 5 X 1 (Γ2 A / V。雜 音域幅係2 m V程度。這相當於5 0 // A程度。 如上述，在相當於數// A以下的雜音域幅無法測定電子 16 312/發明說明書(補件)/93-06/93106870 200428454 注流。另一方面，無雜音所產之S Q U I D的鎖定脫落，而可 穩定測定。 (比較例2 ) 使用低溫超導體的S Q U I D與驅動電路進行實驗。作為裝 置係具有與圖1所示本發明之實施例相同的構成，而僅磁 場感測器不同，因此，在比較例2中，磁束感度為1 · 8 X 1 0_18Wb/V程度，使用感度較實施例高2位數者。磁束-反 饋電流變換係數為8. 46x 1 0_15Wb/A，使用感度較實施例高 2位數者。此時，對1 0 η A的模擬電流的輸出7為4 0 m V。 另外，在為將檢測部與測定部間的磁束傳導率成為最大 化而設置變壓器的實驗中，對1 0 η A的模擬電流的輸出7 為7 0 mV。亦即，電子注流-電壓變換係數，係為1 . 4〜2. 5 X 1 (Γ7 A / V。雜音域幅係在兩者的情況大致相同，為1 0 m V 程度。雜音域幅係相當於1 . 4〜2 . 5 η A程度，在相當數η A 程度的雜音域幅可測定電子注流。另一方面，有對雜音敏 感，且S Q U I D 2的鎖定脫落的情況。在該例中，除磁性屏蔽 外，利用進行外部電場與機械振動的遮蔽雖也降低鎖定脫 落的頻率，但因為在一般之製造步驟的環境使用，因此有 測定的穩定性的課題。 但是，成為比較例2之S Q U I D的鎖定脫落的原因來自外 部的雜音，係為單位時間的磁束變動大的脈衝狀雜音。單 位時間的磁束變動若超過驅動電路的追隨性的界限，便發 生鎖定的脫落。 在此，在實施例中，使用磁束感度較比較例2低2位數 17 312/發明說明書(補件)/93-06/93106870 200428454 的S Q U I D與驅動電路。藉此，僅在單位時間的磁束變動發 生2位數大的外部雜音的情況，才鎖定脫落。但是，可以 認為是在單位時間的磁束變動發生2位數大的外部雜音的 頻率極端少，發生2位數以上的頻率降低。 又，單位時間的磁束變動大於2位數以上的外部雜音， 要特定該雜音源較為簡單。藉此，容易取得減低來自雜音 源的雜音電磁場的發生本身^或是’去除特定的雜音源的 對策。藉此，可以認為如上述的單位時間的磁束變動大的 雜音的發生頻率幾乎為零。 在此，無鎖定脫落之程度的單位時間的磁束變動小的脈 衝狀外部雜音，可使用適當的截止頻率的低通濾波器而從 輸出信號除去，因此不會成為問題。從上述可以認為，無 因雜音而發生之S Q U I D的鎖定脫落，而可進行穩定的測定。 表1顯示上述實施例與比較例1、2的關係。 [表1 ] (比較例1) 發明例 (比較例2) 磁場分解能 磁束感度 磁束-反饋電流變換係數 1ρΤ//"Ηζ 3.84x l〇-14Wb/V 1.15x l〇-nWb/A 34fT/，Hz 5.9x l〇-16Wb/V 2.95x 10'13Wb/A 10fT/，Hz 1.8x 10_18Wb/V 8.46x l〇-15Wb/A 電子注流-電壓變換係數 2.5x 10"2A/V 1.5x l〇-4A/V 1.4〜2·5χ 10·7Α/Υ 另外，圖2為顯示磁束感度與電子注流-電壓變換係數 的關係曲線。從該結果可以認為磁束感度與電子注流_電壓 變換係數係為成比例的關係。可以認為雜音域幅可從電子 機器的一般雜音域幅與比較例1減低為2mV的程度。可知 使2mV的雜音域幅相當於10//A，需要有5xlO_3A/V的電 子注流-電壓變換係數。 18 312/發明說明書(補件)/93-06/93106870 200428454 從該情況與上述的比例關係可以推定相當於1 ο Μ A之雜 音域幅由非破壞型可測定電子注流的條件，係在磁束感度 為5 X 1 (Γ 15 W b / V以下時。該條件為解決課題所必要的條 件。磁束感度高者，其所能見到的雜音域幅變小。 但是，若感度高，則耐雜音性降低，尤其是產生有因脈 衝狀外部雜音而使得S Q U I D的鎖定變得容易脫落的課題。 在此，磁束感度為2 X 1 (Γ 18 W b / V以上者便可進行穩定測 定，因此較佳。 如上述，為保持測定的穩定性，且將雜音域幅設定於相 當於數//A以下，最好令磁束感度為2xlO_18Wb/V以上， 且為5xlO-15Wb/V以下。 圖3為顯示磁束-反饋電流變換係數與電子注流-電壓變 換係數的關係的示意圖。可以認為磁束-反饋電流變換係數 與電子注流-電壓變換係數係成比例的關係。 與有關上述磁束感度的記述相同，為保持測定的穩定 性，且將雜音域幅設定於相當於1 0 // A以下，最好令磁束-反饋電流變換係數為8x 1 0_15Wb/A以上，且為2x 1 (T12Wb/A 以下 。 更佳之情況，在相當於數// A之雜音域幅由非破壞型可 測定電子注流的條件，係可以推定為在磁束-反饋電流變換 係數為1 X 1 0-I2Wb/A以下，磁束感度為2x 1 (T15Wb/V以下 時。 以上參照詳細或特定的實施態樣說明了本發明，但是只 要未超出本發明之精神及範圍便可作各式各樣的變更或修 19 312/發明說明書(補件)/93-06/93106870 200428454 正，是熟悉該項技術者所有的共識。 本發明係根據2 0 0 3年3月1 4日提出申請的曰本專利申 請（特願2 0 0 3 - 7 1 0 2 8號），在此，將其内容作為參照而取入。 (產業上之可利用性） 如上述說明，本發明提供一種耐雜音性能良好，且高感 度可操作的作業性良好的電子注流測定裝置，因此可應用 於電子注流控制裝置及使用此之曝光裝置等。 【圖式簡單說明】 圖1為顯示本發明之實施例的電子注流測定裝置的示意 圖。 圖2為顯示磁束感度與電子注流-電壓變換係數的關係 的示意圖。 圖3為顯示磁束-反饋電流變換係數與電子注流-電壓變 換係數的關係的示意圖。 (元件符號說明） 1 檢測線圈
2 SQUID 3 反饋線圈 4 反饋電阻 5 S Q U I D輸入線圈 6 墊圈線圈 7 輸出端子 8 磁性屏蔽部 9 間隙 20 312/發明說明書(補件)/93-06/93106870