TW200426236A - Silver alloy sputtering target for forming reflective layer of optical recording medium - Google Patents

Description

200426236 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於使用半導體雷射等的雷射光束，再生聲 音、影像、文字等的資訊信號或者執行記錄·再生·消去 的光記錄磁碟（CD-RW、DVD-RAM )等的光記錄媒體的 全反射層及半透明反射層（以下兩者總稱爲反射層）形成 時，用於濺鍍法的銀合金濺鍍靶。 【先前技術】 光記錄磁碟等的光記錄媒體係包含第1記錄層，位於 雷射的入射側以及第2記錄層，位於從雷射源比第1記錄 層距離遠處，於該記錄層上使用相變化記錄材料，反覆執 行記錄·再生·消去動作。前述光記錄媒體爲達到高記錄 密度，使用短波長的藍紫雷射作爲雷射光束的硏究非常興 盛。該光記錄媒體中，爲達到於第2記錄層可記錄·再 生·消去所記錄的信號，雷射穿透設置於雷射入射側靠第 2記錄層的半透明反射層必須效率高。另一方面，爲達到 於第1記錄層可記錄·再生·消去所記錄的信號，半透明 反射層必須具備充分的冷卻效率外，反射率更必須足夠。 滿足如此的條件的光記錄磁碟（CD-RW、DVD-RAM )等的光記錄媒體的全反射層與半透明反射層等的反 射層，向來使用銀或銀合金層，該銀或銀合金層係於 400〜830 nm波長範圍寬的反射率高，特別是對使用於高 密度化記錄光記錄媒體的短波長雷射光反射率高的原因， -5- (2) (2)200426236 正好適合。形成前述銀或銀合金層一般習知係由銀、或 銀-鋅合金、銀-銅合金、銀-鎳合金等的銀合金組成的濺 鎪靶以濺鍍法形成。（參照日本專利特開昭5 7- 1 86244號 公報及特開2 0 0 1 · 3 5 0 1 4號公報） 然而，使用歷來的銀或銀合金層作爲全反射層時，隨 著記錄·再生·消去的重複次數增加，反射率降低，無法 得到可充分的長期持續不斷記錄再生的耐用性。其中原因 之一係光記錄媒體重複記錄·再生·消去時，因雷射光的 照射重複的加熱、冷卻全反射層，因此使銀或銀合金層再 結晶，結晶粒變粗大而使反射率降低。 再者，使用歷來的銀或銀合金層作爲半透明反射層 時，雷射光的透過、反射的效率不足，因半透明反射層而 有雷射能量消耗的問題。而且隨著記錄·再生·消去的重 複次數增加，反射率、透過率改變而無法得到可充分的記 錄再生的耐用性。其中原因之一係光記錄媒體重複記錄· 再生·消去時，因雷射光的照射重複的加熱、冷卻半透明 反射層，因此半透明反射層的結晶粒子間擴散伴隨凝集進 行再結晶，又因半透明反射層的膜厚薄，原子移動時，因 擴散，原子的供給源缺乏，產生膜缺陷，膜上有孔產生。 【發明內容】 本發明的第1實施態樣的光記錄媒體之反射層形成用 銀合金濺鍍靶，其組成係由以下（1 )至（4 )之任一的銀 合金組成。 -6 - (3) (3)200426236 (1) 由包含Ζη: 0·1〜2 0質量％、A1: 0·1〜3質量°/〇、 其餘部分爲Ag組成的銀合金。 (2) 由包含Zn: 0.1〜20質量％、A1: 0.1〜3質量％、 更包含選自Ca、Be、Si中1種或2種以上共計： 0.005〜0.05質量°/〇、其餘部分爲Ag組成的銀合金。 (3) 由包含Zn: 0.1〜20質量％、A1: 0.1〜3質量°/〇、 更包含選自Dy、La、Nd、Tb、Gd中1種或2種以上共 計：0.1〜3質量％、其餘部分爲Ag組成的銀合金。 (4) 由包含Zn: 0.1〜2 0質量％、A1: 0·1〜3質量％、 更包含選自 Ca、Be、Si中1種或 2種以上共計： 0.005〜0.05質量％、更包含選自Dy、La、Nd、Tb、Gd中 1種或2種以上共計：〇」〜3質量％、其餘部分爲Ag組成 的銀合金。 而且，使用上述第1實施態樣中記載的銀合金濺鍍 靶，可形成光記錄媒體的反射膜，特別是形成光記錄媒體 的全反射膜時，使用調整包含Zn : 1質量％以上以及A1 : 0.5質量％以上之銀合金濺鍍靶更佳。 因此，更進一步本發明的第2實施態樣的光記錄媒體 之全反射層形成用銀合金濺鍍靶，其組成係由以下（6) 至（9 )之任一的銀合金組成。 (6) 由包含 Zn: 1〜20質量％、A1: 0·5〜3質量％、 其餘部分爲A g組成的銀合金。 (7) 由包含 Zn: 1〜20質量％、A1: 0.5〜3質量％、 更包含選自 Ca、Be、Si中1種或 2種以上共計： (4) (4)200426236 0.005〜0.05質量％、其餘部分爲Ag組成的銀合金。 (8 )由包含Zn : 1〜20質量％、A1 : 〇·5〜3質量％、 更包含選自Dy、La、Nd、Tb、Gd中1種或2種以上共 計：0·1〜3質量％、其餘部分爲Ag組成的銀合金。 (9)由包含Zn: 1〜20質量％、A1: 0.5〜3質量％、 更包含選自 Ca、Be、Si中1種或 2種以上共計： 0.005〜0.05質量％、更包含選自Dy、La、Nd、Tb、Gd中 1種或2種以上共計：0.1〜3質量％、其餘部分爲Ag組成 的銀合金。 另一方面，形成光記錄媒體的半透明反射膜時，調整 包含Zn : 1質量％以下以及A1 : 0.5質量％以下，必要時 對應選自 Ca、Be、Si中 1種或 2種以上共計： 0.005〜0.05質量％之銀合金濺鍍靶更爲適宜。 因此，更進一步本發明的第3實施態樣的光記錄媒體 之半透明反射層形成用銀合金濺鍍靶，係由以下（U)至 (1 2 )之任一的銀合金組成。 (11)由包含Zn: 0.1〜1質量％以下、A1: 0.1〜〇·5質 量％以下、其餘部分爲Ag組成的銀合金。 (12 )由包含Zn : 0.1〜1質量％以下、A1 ·· 0.1〜〇·5質 量％以下、更包含選自Ca、Be、Si中1種或2種以上共 計：0.005〜0.05質量％、其餘部分爲Ag組成的銀合金。 本發明的濺鍍靶係作爲原料，使用純度皆爲99.99胃 量％以上的高純度Ag、Zn、以及A1，同時純度皆爲999 質量％以上的Dy、La、Nd、Tb、以及Gd，該等原料於高 (5) (5)200426236 真空或不具活性氣體環境中溶化，於高真空或不具活性氣 體環境中，鑄造所得的融溶的金屬製作成金屬鑄塊，然後 將該金屬鑄塊作熱處理後，經機械加工即可進行製造。 就幾乎不與Ag固溶的Ca、Be、及Si而言，將分別 的各元素的濃度接近0.2質量％與Ag調配後，在高頻真 空溶解，溶解後加入氬氣直至爐內壓力變成大氣壓後，於 石墨製的模型中鑄造後預先製作成含Ca、Be、及Si的銀 的母合金，該母合金再與Zri及A1 —起添加於銀中溶解鑄 造，製作成金屬鑄塊，然後將該金屬鑄塊作熱處理後，經 機械加工即可進行製造。 更進一步本發明的第4實施態樣的光記錄媒體之反射 層形成用銀合金濺鍍靶，其組成係由以下（13)至（16) 之任一的銀合金組成。 (13) 由包含 Cu: 0.5〜5質量％、Ni: 0.05〜2質量 %、其餘部分爲Ag組成的銀合金。 (14) 由包含 Cu: 0.5〜5質量％、川：0.05〜2質量 %、更包含選自Ca、Be、Si中1種或2種以上共計： 0.005〜0.05質量％、其餘部分爲八8組成的銀合金。 (15) 由包含 Cu: 〇·5〜5質量°/〇、Ni: 0·05〜2質量 °/〇、更包含選自Dy、La、Nd、Tb、Gd中1種或2種以上 共計：0·1〜3質量％、其餘部分爲Ag組成的銀合金。 (16)由包含 Cu: 〇·5〜5質量％、Ni: 0·05〜2質量 %、更包含選自Ca、Be、Si中1種或2種以上共計： 0.005〜0.05質量％、更包含選自Dy、La、Nd、Tb、Gd中 (6) 200426236 0·1〜3質量％、其餘部分爲Ag組成 1種或2種以上共計： 的銀合金。 本發明的形成銀合金反射層用之機鑛祀係，使用作爲 原料純度皆爲99.99質量％以上的高純度Ag、及高純度 Cu，並且純度皆爲99·9質量％以上的…、Dy、La、Nd、

Tb、以及Gd，該等原料於高真空或不具活性氣體環境中 溶化，於商真空或不具活性氣體環境中，鑄造所得的融溶 的金屬製作成金屬鑄塊，然後將該金屬鑄塊作熱處理後， 經機械加工即可進行製造。

就幾乎不與銀固溶的Ca、Be、及Si而言，將分別的 各兀素的濃度接近0.2質量。/。與銀調配後，在高頻真空溶 解’溶解後加入氬氣直至爐內壓力變成大氣壓後，於石墨 製的模型中鑄造後預先製作成含Ca、Be、及Si的銀的母 合金，對於同樣的與銀幾乎不固溶的Ni，將Ni的濃度以 5〜95質量％與Cu g周配後’在局頻真空溶解，溶解後真空 環境中於石墨製的模型中鑄造製成含Ni的Cu母合金，將 該等母合金必要時添加銅一起溶解鑄造，製作成金屬鑄 塊，然後將該金屬鑄塊作熱處理後，經機械加工即可進行 製造。 〔實施發明的最佳形態〕 本發明人等爲得銀合金層，使其不因記錄·再生·消 去的重複操作次數增加’造成全反射層的反射率降低，而 且不因記錄·再生·消去的重複操作次數增加’造成半透 -10- (7) (7)200426236 明反射層的透過、反射效率降低等所作之硏究，有如下之 結果。 (A )使用於銀中添加Zn : 0.1〜20質量％，更添加 A1: 0.1〜3質量％後之Ag-Zn合金組成的銀合金濺鍍靶， 濺鍍所得之銀合金層，與以前使用由銀或Ag-Zn合金組成 的濺鑛靶，濺鍍所得之銀或銀合金層比較，雷射光束重複 照射伴隨之反覆加熱、冷卻，結晶粒較不易變粗大，長時 間使用反射率亦極少因而降低。 (B )使用於銀中添加Zn : 0.1〜20質量％，更添加 A1: 0.1〜3質量％後之Ag-Zn合金中再包含選自Ca、Be、 以及Si中1種或2種以上共計：0.005〜0.05質量％組成的 銀合金濺鍍靶，濺鑛所得之銀合金層，與以前使用由銀或 Ag-Zn合金組成的濺鑛靶，濺鍍所得之銀或銀合金層比 較，雷射光束重複照射伴隨之反覆加熱、冷卻，結晶粒更 加不易變粗大，長時間使用反射率亦極少因而降低。 (C )使用於銀中添加Zn : 0.1〜20質量％，更添加 A1 ·· 0.1〜3質量％後之Ag-Zn合金中再包含選自Dy、La、 Nd、Tb、Gd中1種或2種以上共計·· 0.1〜3質量％組成的 銀合金濺鍍靶，濺鑛所得之銀合金層，與以前使用由銀或 Ag-Zn合金組成的濺鍍靶，濺鍍所得之銀或銀合金層比 較，雷射光束重複照射伴隨之反覆加熱、冷卻，結晶粒更 加不易變粗大，長時間使用反射率亦極少因而降低。 (D )使用於銀中添加Zn : 0.1〜20質量％ ’更添加 A1 : 〇·1〜3質量％後之Ag-Zn合金中再包含選自Ca、Be、 •11 - (8) (8)200426236 以及Si中1種或2種以上共計：0.005〜0.05質量％以及包 含選自 Dy、La、Nd、Tb、Gd中1種或2種以上共計： 0.1〜3質量起共同組成的銀合金濺鍍靶，濺鍍所得之 銀合金層，可獲得同樣之功效。 (E )使用於銀中添加Cu與Ni後組成的銀合金濺鍍 靶，濺鍍所得之銀合金反射層，與以前使用由Ag、Ag-Cii 合金或Ag-Ni合金組成的濺鍍靶，濺鍍所得之銀合金反射 層比較，雷射光束重複照射伴隨之反覆加熱、冷卻，結晶 粒更加不易變粗大，一起含有該Cu與Ni之銀合金反射層 的理想之組成成分係包含Cu : 0.5〜5質量％、Ni : 0.05〜2 質量％、其餘部分爲Ag。 (F)使用包含Cu: 0·5〜5質量％、Ni: 0.05〜2質量 %、更包含選自 Ca、Be、Si中1種或2種以上共計： 0.005〜0.05質量％、其餘部分爲 Ag組成的銀合金濺鍍 靶，濺鍍所得之銀合金反射層，雷射光束重複照射伴隨之 反覆加熱、冷卻，結晶粒更加不易變粗大，長時間使用反 射率亦極少因而降低。 (G)使用包含 Cu: 0.5〜5質量％、Ni: 0.05〜2質量 %、更包含選自Dy、La、Nd、Tb、Gd中1種或2種以上 共計：0.1〜3質量％、其餘部分爲Ag組成的銀合金濺鍍 靶，濺鍍所得之銀合金反射層，雷射光束重複照射伴隨之 反覆加熱、冷卻，結晶粒更加不易變粗大，長時間使用反 射率亦極少因而降低。 (H)將包含 Cu: 0.5〜5質量％、川：0·05〜2質量％ -12 - (9) (9)200426236 其餘部分爲Ag組成的銀合金中，再與包含選自Ca、Be、 Si中1種或2種以上共計：0.005〜0.05質量％，以及選自 Dy、La、Nd、Tb、Gd中1種或2種以上共計：0.1〜3質 量％—起組成製成銀合金濺鍍靶，濺鍍所得之銀合金反射 層，可獲得同樣之功效。 以下，對於本發明的銀合金層形成用的濺鍍靶之組成 成分，說明如上述之限定原因。

Zn :

Zn係與Ag固溶，結晶粒的強度高，可防止結晶粒的 再結晶化，因此具有抑制濺鑛形成之反射層的反射率降低 的功效，若是Zn含量少於0·1質量％無法充分抑制結晶 粒的再結晶化，亦無法抑制反射層的反射率降低，另一方 面，若是Zn含量超過20質量％時，濺鍍形成之銀合金反 射層的內部應力變大，且濺鍍靶製作時結晶粒內及/或結 晶粒界上形成金屬間化合物，變成易產生碎片，因此不適 宜。於是，銀合金反射層及該銀合金反射層形成用之濺鍍 靶中，Zn含量範圍限定於0.1〜20質量％。特別是形成全 反射層用之Zn含量範圍更加偏好限定於1〜20質量％ (更 好之範圍爲5〜15質量％)。特別是形成半透明反射層用 之Zn含量範圍更加偏好限定於0.1〜1質量％以下（更好 之範圍爲0.5〜0.9質量％)。 A1 ： -13- (10) (10)200426236 A1係與Ag固溶，結晶粒的強度高’可防止結晶粒的 再結晶化，因此具有抑制濺鍍形成之反射層的反射率降低 的功效，若是A1含量少於〇·1質量％無法充分抑制結晶粒 的再結晶化，亦無法抑制反射層的反射率降低，另一方 面，若是A1含量超過3質量％時，濺鍍形成之銀合金反 射層的內部應力變大，反射層變成容易剝落，因此不適 宜。於是，銀合金反射層及該銀合金反射層形成用之濺鑛 靶中，A1含量範圍限定於〇·1〜3質量％。特別是形成全反 射層用之A1含量範圍更加偏好限定於0.5〜3質量％ (更好 之範圍爲1.0〜2.0質量％ )。特別是形成半透明反射層用 之A1含量範圍更加偏好限定於0.1〜1質量％以下（更好之 範圍爲0.1〜0.5質量％ )。

Cu ：

Cu係與Ag固溶，結晶粒的強度高，可防止結晶粒的 再結晶化，因此具有抑制濺鑛形成之反射層的反射率降低 的功效，若是Cu含量少於0.5質量％無法充分抑制結晶 粒的再結晶化，亦無法抑制反射層的反射率降低，另一方 面，若是Cu含量超過5質量％時，濺鍍形成之銀合金反 射層的內部應力變大，反射層變成容易剝落，因此不適 宜。於是，銀合金反射層及該銀合金反射層形成用之濺鍍 靶中，Cu含量範圍限定於0.5〜5質量〇/〇。

Ni ： -14- (11) (11)200426236

Ni係與Ag幾乎不固溶，可防止同類結晶粒因自結晶 粒界面上析出而彼此結合，因此可防止反射層的結晶粒的 再結晶化，進而有抑制濺鍍形成之反射層的反射率降低的 功效，若是N i含量少於0.0 5質量％無法獲得顯著的功 效，另一方面，若是Ni含量超過2質量％時，膜應力變 大，剛濺鏟後膜即會產生碎片，因此不適宜。於是，銀合 金反射層及該銀合金反射層形成用之濺鍍靶中，Ni含量 範圍限定於0.05〜2質量％(更好之範圍爲〇·1〜1.5質量 % )。 C a、B e、Si: 這些成分係與Ag幾乎不固溶，，可防止同類結晶粒 因自結晶粒界面上析出而彼此結合，因此可促進銀合金反 射層的結晶粒的再結晶化之防止，選自這些成分中1種或 2種以上共計·· 0.005質量％以下的情況，無法獲得顯著的 功效，另一方面，若是選自這些成分中1種或2種以上共 計：超過0.05質量％時，濺鑛靶會顯著的硬化，變得難以 製作濺鍍靶，因此不適宜。於是，銀合金反射層及該銀合 金反射層形成用之濺鍍靶中，這些成分含量範圍限定於 0.005〜0.05質量％ (更好之範圍爲0.010〜0.035質量％ ) °

Dy、La、Nd、Tb、Gd : 這些成分係與Ag反應，於結晶粒界面上形成金屬間 化合物，可防止同類結晶粒彼此之結合，因此可促進銀合 -15- (12) (12)200426236 金反射層的結晶粒的再結晶化之防止’選自這些成分中1 種或2種以上共計：0 · 1質量％以下的情況’無法獲得顯 著的功效，另一方面，若是選自這些成分中1種或2種以 上共計：超過3質量％時，濺鍍靶會顯著的硬化’變得難 以製作濺鍍靶，因此不適宜。於是，銀合金反射層及該銀 合金反射層形成用之濺鍍靶中，這些成分含量範圍限定於 0.1〜3質量％ (更好之範圍爲0.2〜1.5質量％ )。 使用本發明的光記錄媒體之反射層形成用銀合金濺鍍 靶，製作而成之反射層，與使用習知光記錄媒體之反射層 形成用銀合金濺鑛靶製作而成之反射層比較’不隨時間劣 化，可製造長期使用的光記錄媒體，對媒體產業的發展具 有相當貢獻。 【實施方式】 〔實驗1〕 準備作爲原料純度皆爲99.99質量％以上之高純度 Ag、Zn、以及A1。於高頻真空溶解爐中溶解這些原料， 溶解後充塡氬氣直至爐中壓力爲大氣壓後，於石墨製模型 中進行鑄造，製作成金屬鑄塊，將所得之金屬鑄塊於600 °C加熱2小時後使其壓延，然後機械加工成直徑 125mm、厚度5mm的尺寸，表1中表示製造實施例 1〜1 〇、比較例1〜2以及習知例1〜2的組成成分。 該等實施例1〜10、比較例1〜2以及習知例1〜2分別 軟焊於無氧銅製之塡裝薄板上，再將之安裝至直流磁控濺 -16- (13) (13)200426236 鍍裝置上，以真空排氣裝置將直流磁控濺鍍裝置內排氣至 壓力爲lxl(T4Pa後，導入氬氣使濺鍍壓力爲i.〇pa，接著 以直流電源對濺鍍靶施加100W直流濺鍍電力，與濺鍍靶 相對抗之直徑30mm厚度0.5mm之玻璃基板設置於與濺鍍 靶間隔70mm處且互相平行。玻璃基板與濺鍍靶之間產生 電漿，形成厚度lOOnm的銀及銀合金全反射膜。 以該方式形成之銀及銀合金全反射膜的剛成膜後的反 射率，以分光光度計測量。之後，將形成之銀及銀合金全 反射膜於溫度80°C相對溼度85%的恆溫恆溼槽中保持200 小時後，再度以相同條件測量其反射率。由所得之反射率 數據，求得於400nm以及650nm的各反射率’將該結果 列於表1中作爲光記錄媒體的反射層的記錄再生耐性的評 價。

-17- (14) (14)200426236 表1 濺鍍靶 組成成分 (質量％) 於波1 的反1 |:400nm 脾(％) 於波長:650nm 的反射率(％) 註 Zn A1 Ag 剛成 膜後 經過200 小時後 剛成 膜後 經過200 小時後 實 施 例 1 1.2 0.51 其餘部 92 91 98 96 2 4.6 1.0 其餘部 91 90 96 95 3 6.5 1.5 其餘部 90 88 96 95 4 8.1 2.1 其餘部 89 88 95 93 5 9.9 2.5 其餘部 88 87 95 94 6 11.5 3.0 其餘部 88 86 94 92 7 13.3 0.50 其餘部 88 87 94 93 8 14.8 1.0 其餘部 87 85 93 91 9 17.4 2.0 其餘部 85 84 92 90 10 19.8 2.9 其餘部 84 82 91 90 比較 例 1 23* 1.5 其餘部 產生碎片 2 10 4* 其餘部 反射層剝離 習知 例 1 100 93 41 99 77 2 6.3 其餘部 90 75 97 85 *表示數値落在實施例的範圍外 (15) (15)200426236 由表1所示之結果，使用本發明的實施例1〜1 0濺鍍 所得之全反射層，與使用習知例1〜2濺鍍所得之全反射層 比較，於溫度80°C相對溼度85%的恆溫恆溼槽中保持200 小時後的反射率的降低程度較小。但是，Zn與A1含量在 實施例範圍以外的比較例1〜2，產生碎片，得知記錄再生 耐性差因此不適宜作爲光記錄媒體的反射層。 〔實驗2〕 使用純度99.9質量％以上之Ca、Be、以及Si。Ca、 Be、以及Si係與Ag幾乎不固溶，分別以各元素的濃度 〇·20質量％與Ag調配後，於高頻真空溶解爐中溶解這些 原料，溶解後充塡氬氣直至爐中壓力爲大氣壓後，於石墨 製模型中進行鑄造，預先製作含Ca、Be、以及Si的銀的 母合金。 將該母合金一起添加至用於實驗1的高純度Ag、 Zn、以及A1溶解鑄造製作成金屬鑄塊，將所得之金屬鑄 塊於600 °C加熱2小時後使其壓延，然後機械加工成直徑 125mm、厚度5mm的尺寸，表2〜3中表示製造實施例 1 1〜28以及比較例3〜5的組成成分。 該等實施例11〜28以及比較例3〜5分別軟焊於無氧銅 製之塡裝薄板上，再將之安裝至直流磁控濺鍍裝置上，以 真空排氣裝置將直流磁控濺鍍裝置內排氣至壓力爲1x1 (Γ 4Pa後，導入氬氣使濺鍍壓力爲l.OPa，接著以直流電源 對濺鍍靶施加100W直流濺鍍電力，與該濺鍍靶相對抗之 (16) (16)200426236 直徑30mm厚度0.5mm之玻璃基板設置於與濺鍍靶間隔 70mm處且互相平行。玻璃基板與該濺鍍靶之間產生電 漿，形成厚度10Onm的銀及銀合金全反射膜。 以該方式形成之銀及銀合金全反射膜的剛成膜後的反 射率，以分光光度計測量。之後，將形成之銀及銀合金全 反射膜於溫度80°C相對溼度85%的恆溫恆溼槽中保持200 小時後，再度以相同條件測量其反射率。由所得之反射率 數據，求得於400nm以及65 0nm的各反射率，將該結果 列於表2〜3中作爲光記錄媒體的反射層的記錄再生耐性的 評價。

(17)200426236 表2 濺鍍靶 組成成分 (質量％) 於波長:400nm 的反射率(％) 於波3 的反1 |:650nm 陳％) Zn A1 Ca Be Si Ag 剛成 經過200 剛成 經過200 膜後 小時後 膜後 小時後 11 10.0 1.0 0.005 其餘部 88 87 95 94 12 10.2 1.5 0.012 其餘部 87 85 94 93 13 10.2 2.0 0.030 其餘部 85 84 93 92 14 10.1 1.0 0.049 其餘部 84 83 93 91 實 15 10.1 1.6 0.005 其餘部 88 87 94 93 16 10.0 1.9 0.015 其餘部 87 85 94 92 施 17 10.2 1.0 0.048 其餘部 84 82 93 92 18 10.1 1.6 0.006 其餘部 88 87 94 93 例 19 10.1 2.0 0.021 其餘部 86 85 94 93 20 10.3 1.0 0.049 其餘部 84 83 93 92 21 10.3 1.5 0.003 0.002 其餘部 88 86 94 92 22 10.0 2.0 0.003 0.045 其餘部 84 82 93 91 23 10.1 0.9 0.001 0.004 其餘部 88 87 95 94 24 10.2 1.5 0.025 0.024 其餘部 84 83 93 92

-21 - (18) 200426236 表3 濺鍍靶 組f m 交成分 '量％) 於波長:400nm 的反射率(％) 於波β 的反1 |:650nm 賴％) 註 Zn A1 Ca Be Si Ag 剛成 膜後 經過200 小時後 剛成 膜後 經過200 小時後 實 25 10.1 2.0 0.002 0.003 其餘部 88 86 94 92 施 26 10.2 1.0 0.0024 0.024 其餘部 84 82 93 91 例 27 10.1 1.5 0.001 0.001 0.003 其餘部 88 86 94 93 28 10.1 1.9 0.013 0.013 0.020 其餘部 84 83 93 92 比 3 10.0 1.0 0.06* 其餘部 無法成形 較 4 10.1 1.5 0.06* 其餘部 無法成形 例 5 10.0 2.0 0.06* 其餘部 無法成形

*表示數値落在實施例的範圍外

-22- (19) (19)200426236 由表2〜3所示之結果，使用本發明的實施例1 1〜2 8濺 鍍所得之全反射層，與實驗1的表1所示之使用習知例 1〜2濺鍍所得之全反射層比較，於溫度80 °C相對溼度85% 的恆溫恆溼槽中保持200小時後的反射率的降低程度較 小。但是，Ca、Be與Si含量較多在本發明的範圍以外的 比較例3〜5因變硬而無法成形。 〔實驗3〕 使用純度99.9質量％以上的Dy、La、Nd、Tb、以及 Gd，該等原料一起添加至用於實驗1的高純度Ag、Zn、 以及A1，於高頻真空溶解爐中溶解，所得的融溶的金屬 於氬氣環境石墨製模型中鑄造製作成金屬鑄塊，將所得之 金屬鑄塊於600 °C加熱2小時後使其壓延，然後機械加工 成直徑125mm、厚度5mm的尺寸，表4〜6中表示製造實 施例29〜53以及比較例6〜1 1的組成成分。 該等實施例29〜53以及比較例6〜11分別軟焊於無氧 銅製之塡裝薄板上，再將之安裝至直流磁控濺鍍裝置上， 以真空排氣裝置將直流磁控濺鍍裝置內排氣至壓力爲 lxl(T4Pa後，導入氬氣使濺鍍壓力爲l.OPa，接著以直流 電源對濺鍍靶施加l〇〇W直流濺鍍電力，與該濺鍍靶相對 抗之直徑30mm厚度0.5 mm之玻璃基板設置於與濺鍍靶間 隔70mm處且互相平行。玻璃基板與該濺鍍靶之間產生電 漿，形成厚度lOOnm的銀合金全反射膜。 以該方式形成之各銀合金全反射膜的剛成膜後的反射 -23- (20) (20)200426236 率，以分光光度計測量。之後’將形成之各銀合金全反射 膜於溫度8 0 °C相對溼度8 5 %的恒溫恆 '溼槽中保持2 0 0小 時後，再度以相同條件測量其反射率。由所得之反射率數 據，求得於400nm以及650nm的各反射率，將該結果列 於表4〜6中作爲光記錄媒體的反射層的記錄再生耐性的評 價。

-24- (21)200426236 表4 濺鍍靶 組成成分 (質量％) 於波β 的反1 |:400nm 脾(％) 於波長:650nm 的反射率(％) Zn A1 〇y La Nd Tb Gd Ag 剛成 經過200 剛成 經過200 膜後 小時後 膜後 小時後 29 10.1 1.5 0.11 其餘部 88 87 95 94 30 10.0 1.5 1.02 其餘部 86 85 93 92 31 10.2 1.5 2.10 其餘部 83 82 91 90 實 32 10.0 1.6 2.99 其餘部 81 80 90 89 33 10.1 1.5 0.10 其餘部 88 86 95 93 施 34 10.2 1.6 1.01 其餘部 86 85 93 92 35 10.0 1.6 2.00 其餘部 84 82 92 90 例 36 10.0 1.5 2.98 其餘部 82 81 90 88 37 10.3 1.5 0.11 其餘部 88 87 94 93 38 10.1 1.5 1.10 其餘部 86 85 93 92 39 10.2 1.5 2.09 其餘部 83 81 92 90 40 10.1 1.6 2.90 其餘部 81 80 90 89 41 10.0 1.6 0.12 其餘部 88 87 95 93 42 10.1 1.5 1.11 其餘部 85 84 93 92 -25- (22)200426236 表5 濺鍍靶 組成成分 (質量％) 於波長:400nm 的反射率(％) 於波長:650nm 的反射率(％) Zn A1 Dy La Nd Tb Gd Ag 剛成 經過200 剛成 經過200 膜後 小時後 膜後 小時後 43 10.1 1.6 2.10 其餘部 82 80 92 91 44 10.0 1.5 2.97 其餘部 80 79 90 88 45 10.2 1.5 0.11 其餘部 88 86 94 93 實 46 10.0 1.6 0.99 其餘部 86 84 93 92 47 10.0 1.6 2.01 其餘部 83 82 92 90 施 48 10.1 1.5 2.89 其餘部 81 80 90 89 49 10.1 1.5 0.05 0.05 其餘部 88 87 95 93 例 50 10.1 1.5 1.02 1.20 其餘部 83 81 91 90 51 10.0 1.5 0.11 1.13 1.52 其餘部 81 80 91 89 52 10.2 1.6 0.91 0.57 1.01 1.00 其餘部 80 79 89 88 53 10.1 1.5 0.58 0.57 0.61 0.62 0.61 其餘部 81 79 90 88 -26- (23) 200426236 (23)

表6 濺鍍 靶 組成成分 (質量％) 於波ί 的反1 |:400nm 卜寸率(％) 於波長:650nm 的反射率(％) 註 Zn A1 Dy La Nd Tb Gd Ag 剛成 膜後 經過200 小時後 剛成 膜後 經過200 小時後 比 較 例 6 10.2 1.5 3.3* 其餘部 無法成形 7 10.0 1.5 3.4* 其餘部 無法成形 8 10.0 1.5 3.3* 其餘部 無法成形 9 10.1 1.6 3.4* 其餘部 無法成形 10 10.0 1.5 3.5* 其餘部 無法成形 11 10.1 1.5 1.01 1.02 0.55 0.52 0.12 其餘部 無法成形

(24) (24)200426236 由表4〜6所示之結果，使用本發明的實施例29〜5 3濺 鍍所得之全反射層，與實驗1的表1所示之使用習知例 1〜2濺鍍所得之反射層比較，於溫度80°C相對溼度85 %的 恆溫恆溼槽中保持200小時後的反射率的降低程度較小。 但是，由比較例6〜11可發現，Dy、La、Nd、Tb、以及 Gd總共含量在3質量％以上的話，壓延時會產生碎片而 無法成形。 〔實驗4〕 用於實驗1的高純度Ag、Zn、以及A1，與用於實驗 2的含Ca、Be以及Si的Ag的母合金，再加上用於實驗 3的Dy、La、Nd、Tb、以及Gd，於高頻真空溶解爐中溶 解這些原料，所得的融溶的金屬於氬氣環境石墨製模型中 鑄造製作成金屬鑄塊，將所得之金屬鑄塊於60 0 °C加熱2 小時後使其壓延，然後機械加工成直徑1 2 5 m m、厚度 5mm的尺寸，表 7中表示製造實施例 54〜65的組成成 分。 就這些濺鑛靶與實驗1相同的方法，於玻璃基板表面 形成厚度l〇〇nm的銀合金全反射膜，各銀合金全反射膜 的剛成膜後的反射率，以分光光度計測量。之後，將形成 之各銀合金全反射膜於溫度8 0 °C相對溼度8 5 %的恆溫恆 溼槽中保持200小時後，再度以相同條件測量其反射率。 由所得之反射率數據，求得於400nm以及650nm的各反 射率’將該結果列於表7中作爲光記錄媒體的反射層的記 -28- (25)200426236 錄再生耐性的評價。

-29- (26)200426236 表7 濺鍍靶 組成成分 (質量％) 於波長:400nm 的反射率(％) 於波長:650nm 的反射率(％) Zn A1 Ca，Be,Si Dy，La，Nd，Tb，Gd Ag 剛成 經過200 剛成 經過200 膜後 小時後 膜後 小時後 54 10.2 1.6 Ca:0.011 Dy:0.21 其餘部 87 85 94 93 55 10.1 1.5 Be:0.021 La:0.50 其餘部 85 84 93 92 56 10.1 1.5 Si:0.030 Nd:0.82 其餘部 83 82 92 90 57 10.3 1.5 Ca:0.011 Tb:1.00 其餘部 82 80 92 91 實 Si:0.020 58 10.0 1.5 Be:0.029 Gd:1.49 其餘部 82 81 91 90 施 59 10.0 1.6 Si:0.025 Dy:0.05 Gd:0.06 其餘部 86 85 93 91 60 10.1 1.6 Ca:0.014 La:0.06 Tb:0.12 其餘部 85 83 93 92 例 Be:0.015 61 10.2 1.6 Be:0.031 Nd:0.51 Dy :0.52 其餘部 83 82 92 91 62 10.0 1.5 Si:0.028 Tb:1.01 Nd:1.05 其餘部 80 78 90 89 63 10.0 1.5 Ca:0.025 Gd: 1.45 La: 1.46 其餘部 79 78 89 87 64 10.3 1.5 Be:0.015 Dy:0.05 Gd:0.07 其餘部 85 83 93 92 Si.0.011 Nd:0.12 65 10.1 1.5 Si:0.025 La:0.61 Tb:0.57 其餘部 78 77 89 88 Dy:0.63 Nd:0.59 Gd:0.55

-30- (27) (27)200426236 由表7所示之結果，使用本發明的實施例54〜65濺鍍 所得之全反射層，與表1所示之使用習知例1〜2濺鑛所得 之全反射層比較，在400nm以及650nm於溫度80°C相對 溼度85%的恆溫恆溼槽中保持200小時後的反射率的降低 程度較小。 〔實驗5〕 與實驗1及實驗2同樣方法，表8〜10中表示製造實 施例66〜93以及比較例12〜14的組成成分。更進一步，使 用實驗1中製作之習知例1〜2。 將實施例66〜93、比較例12〜14、以及習知例1〜2分 別軟焊於無氧銅製之塡裝薄板上，再將之安裝至直流磁控 濺鍍裝置上，以真空排氣裝置將直流磁控濺鏟裝置內排氣 至壓力爲lxl(T4Pa後，導入氬氣使濺鍍壓力爲l.OPa，接 著以直流電源對濺鍍靶施加100W直流濺鑛電力，與該濺 鍍靶相對抗之直徑30mm厚度0.5mm之玻璃基板設置於與 濺鍍靶間隔70mm處且互相平行。玻璃基板與該濺鍍靶之 間產生電漿，形成厚度l〇nm的銀及銀合金半透明反射 膜。 以該方法形成之銀及銀合金半透明反射膜，以分光光 度計於波長範圍300〜800nm，測量剛成膜後的反射率與透 過率，由測得分光反射率曲線及分光透過率曲線，求得於 405 nm的反射率及透過率，將結果列於表8〜10中。 之後，形成之銀及銀合金半透明反射膜，於溫度80 -31 - (28) (28)200426236 °C相對溼度85%的恆溫恆溼槽中保持200小時後，再度以 相同條件求得其反射率與透過率，將結果列於表8〜10 中。由所得之反射率與透過率的數據，求得剛成膜後對於 波長40 5 nm的雷射的半透明反射膜的吸收率，再從於溫 度80°C相對溼度85%的恆溫恆溼槽中保持200小時後的 反射率與透過率，求得經過200小時後對於波長405nm 的雷射的半透明反射膜的吸收率，將這些結果列於表 8〜1 〇中。

200426236 (29) 表8 組成成分 剛成膜後 經過200小時後 濺鍍靶 (質量％) Zn A1 Ca Be Si Ag 反射率 透過率 膜的吸 反射率 透過率 膜的吸 (%) (%) 收率(％) (%) (%) 收率(％) 66 0.10 0.11 其餘部 29 69 2 27 68 5 67 0.22 0.20 其餘部 28 69 3 27 69 4 68 0.31 0.30 其餘部 26 71 3 26 69 5 實 69 0.51 0.39 其餘部 28 70 2 27 68 5 70 0.72 0.10 其餘部 26 72 2 25 71 4 施 71 0.95 0.21 其餘部 25 72 3 24 71 5 72 0.55 0.31 其餘部 25 70 5 24 69 7 例 73 0.70 0.40 其餘部 24 70 6 24 68 8 74 0.90 0.10 其餘部 26 71 3 24 71 5 75 0.91 0.25 其餘部 24 72 4 24 70 6 76 0.10 0.11 0.005 其餘部 28 70 2 27 70 3 77 0.22 0.20 0.012 其餘部 27 71 2 26 71 3 78 0.31 0.30 0.030 其餘部 26 72 2 26 72 2 79 0.51 0.40 0.049 其餘部 27 71 2 27 70 3

-33- (30)200426236

表9 濺鍍靶 組成成分 (質量％) 剛成膜後 經過200小時後 Zn A1 Ca Be Si Ag 反射率 透過率 膜的吸 反射率 透過率 膜的吸 (%) (%) 收率(％) (%) (%) 收率(％) 80 0.72 0.10 0.005 其餘部 26 73 1 25 73 2 81 0.95 0.20 0.015 其餘部 23 74 3 23 73 4 82 0.55 0.30 0.048 其餘部 24 72 4 23 72 5 實 83 0.70 0.40 0.006 其餘部 24 70 6 24 71 5 84 0.90 0.10 0.021 其餘部 24 73 3 24 73 3 施 85 0.90 0.25 0.049 其餘部 21 74 5 21 74 5 86 0.10 0.10 0.003 0.002 其餘部 28 69 3 29 69 2 例 87 0.22 0.20 0.003 0.045 其餘部 25 72 3 26 71 3 88 0.31 0.30 0.001 0.004 其餘部 26 70 4 26 71 3 89 0.51 0.40 0.025 0.024 其餘部 20 74 6 20 74 6 90 0.72 0.10 0.002 0.003 其餘部 26 72 2 26 72 2 9】 0.95 0.21 0.024 0.024 其餘部 24 72 4 23 72 5 92 0.55 0.31 0.001 0.001 0.003 其餘部 23 74 3 24 73 3 93 0.70 0.39 0.013 0.013 0.020 其餘部 22 74 4 23 72 5

-34- (31) 200426236 (31)

表10 濺鍍靶 組成成分 mm%) 剛成膜後 經過200小時後 Zn A1 Ca Be Si Ag 反射率 透過率 膜的吸 反射率 透過率 膜的吸 (%) (%) 收率(％) (%) (%) 收率(％) 比 12 0.07* 0.10 其餘部 29 70 1 17 72 11 較 13 10 0.07* 其餘部 20 45 35 14 47 39 例 14 0.05* 0.06* 其餘部 29 70 1 18 71 11 習 1 100 32 40 28 20 42 38 知 2 6.3 - - - - 其餘部 22 47 31 15 48 37 例

(32) (32)200426236 由表8〜10所示之結果，使用本發明的實施例66~9 3 濺鍍所得之半透明反射層，與使用習知例1〜2濺鍍所得之 半透明反射層比較，於溫度8 0 °C相對溼度8 5 %的恆溫恆 溼槽中保持200小時後的反射率與透過率的降低程度較 小，而且根據求得之膜的反射率與透過率，對於雷射的吸 收率而言，於溫度8 0 °C相對溼度8 5 %的恆溫恆溼槽中保 持2 00小時後的吸收率的增加程度也較小。但是，Zn與 A1的含量在本發明的範圍以外的比較例12〜14，因其記錄 再生耐性差不適宜作爲光記錄媒體的半透明反射膜，且於 溫度80°C相對溼度85%的恆溫恆溼槽中保持200小時後 的吸收率的顯著增加。 〔實驗6〕 使用作爲原料純度皆爲9 9.99質量％以上的高純度Ag 以及高純度Cu。至於Ni因與Ag幾乎不固溶，Ni與Cu 一起於高頻真空溶解爐中溶解，於石墨製模型中鑄造預先 製成含Ni的Cu母合金，將其作爲原料使用。使用Ag、 Cu、以及含Ni的 Cu母合金，於高頻真空溶解爐中溶 解，所得之融溶的金屬，氬氣環境於石墨製模型中鑄造製 成金屬鑄塊，將所得之金屬鑄塊於600 °C加熱2小時後使 其壓延，然後機械加工成直徑125mm、厚度5mm的尺 寸，表11中表示製造實施例94〜102、比較例15〜17以及 習知例3〜4的組成成分。 將實施例94〜102、比較例15〜17、以及習知例3〜4分 -36- (33) (33)200426236 別軟焊於無氧銅製之塡裝薄板上，再將之安裝至直流磁控 灘鑛裝置上’以真空排氣裝置將直流磁控灑鏡裝置內排氣 至壓力爲lxl(T4Pa後，導入氬氣使濺鍍壓力爲l.〇pa，接 著以直流電源對濺鍍靶施加1 00W直流濺鍍電力，與該濺 鍍靶相對抗之直徑30mm厚度0.5mm之玻璃基板設置於與 濺鍍靶間隔7〇mm處且互相平行。玻璃基板與該濺鍍靶之 間產生電漿，形成厚度10〇nm的銀合金反射膜。 以該方式形成之各銀合金反射膜的剛成膜後的反射 率，以分光光度計測量。之後，將形成之各銀合金反射膜 於溫度80°C相對溼度85%的恆溫恆溼槽中保持200小時 後，再度以相同條件測量其反射率。由所得之反射率數 據，求得於40〇nm以及650nm的各反射率，將該結果列 於表11中作爲光記錄媒體的反射層的記錄再生耐性的評 價。

-37- (34)200426236 表11 濺鍍靶 組成成分 (質量％) 於波β 的反1 t*400nm 时率(％) 於波β 的反1 |:650nm _(%) Cu Ni Ag 剛成 經過200 剛成 經過200 膜後 小時後 膜後 小時後 94 0.51 1.93 其餘部 86 84 96 95 95 1.03 1.11 其餘部 86 84 97 96 96 1.52 0.15 其餘部 87 86 97 96 實 97 2.00 0.64 其餘部 85 83 96 94 施 98 3.00 0.32 其餘部 84 83 96 95 例 99 4.05 0.11 其餘部 82 80 95 93 100 5.00 0.05 其餘部 80 78 94 92 101 2.01 0.89 其餘部 85 84 97 96 102 2.83 0.25 其餘部 84 83 96 85 比 15 0.35* 0.01* 其餘部 89 68 99 84 較 16 5.5* 0.15 其餘部 79 57 93 81 例 17 3.4 2.31* 其餘部 80 56 93 78 習 3 100 93 41 99 77 知 4 5.6* - 其餘部 79 57 93 79 例 *表示數値落在實施例的範圍外

-38- (35) (35)200426236 由表11所示之結果，使用本發明的實施例94〜102濺 鍍所得之反射層，與使用比較例15〜17以及習知例3〜4濺 鍍所得之反射層比較，於溫度80°C相對溼度85%的恆溫 恆溼槽中保持200小時後的反射率的降低程度較小。 〔實驗7〕 使用作爲原料純度爲99.9質量％以上的Ca、Be、以 及Si。Ca、Be、以及Si因與Ag幾乎不固溶，將各元素 分別濃度0.20質量％與Ag調配後，於高頻真空溶解爐中 溶解，溶解後充塡氬氣直至爐內壓力爲大氣壓爲止後，於 石墨製模型中鑄造預先製成含Ca、Be、以及Si的Ag母 合金。 添加該Ag母合金與用於實驗6中的Cu以及含Ni的 Cu母合金一起於Ag中溶解鑄造製成金屬鑄塊，將所得之 金屬鑄塊於600 °C加熱2小時後使其壓延，然後機械加工 成直徑125mm、厚度5mm的尺寸，表12〜13中表示製造 實施例103〜120以及比較例18〜21的組成成分。 以如此方式所得之實施例1 0 3〜1 2 0，與實驗6同樣方 法於玻璃基板上形成厚度10 Onm之銀合金反射膜，各銀 合金反射膜的剛成膜後的反射率，以分光光度計測量。之 後，將形成之各銀合金反射膜於溫度8 0 °C相對溼度8 5 % 的恆溫恆溼槽中保持200小時後，再度以相同條件測量其 反射率。由所得之反射率數據，求得於400nm以及 650nm的各反射率，將該結果列於表12〜13中作爲光記錄 (36)200426236 媒體的反射層的記錄再生耐性的評價。

(37)200426236 表12 濺鍍靶 組成成分 (質量％) 於波長:400nm 的反射率(％) 於波長 的反躬 :650nm •率(％) Cu Ni Ca Be Si Ag 剛成 經過200 剛成 經過200 膜後 小時後 膜後 小時後 103 1.50 0.52 0.005 其餘部 86 84 97 95 104 1.51 0.52 0.012 其餘部 85 84 96 94 105 1.50 0.50 0.030 其餘部 83 82 96 94 106 1.50 0.50 0.049 其餘部 81 80 95 94 實 107 1.50 0.53 0.005 其餘部 86 85 97 95 108 1.51 0.50 0.015 其餘部 85 83 96 95 施 109 1.50 0.55 0.048 其餘部 81 80 95 93 110 1.50 0.50 0.006 其餘部 86 84 97 95 例 111 1.51 0.52 0.021 其餘部 84 83 96 95 112 1.50 0.51 0.049 其餘部 81 80 95 94 113 1.50 0.53 0.003 0.002 其餘部 86 84 96 94 114 1.51 0.50 0.003 0.045 其餘部 81 80 94 92 115 1.50 0.51 0.001 0.004 其餘部 86 84 97 95 116 1.50 0.52 0.025 0.024 其餘部 81 79 95 93 •41 - (38) 200426236 (38)

表13 濺鍍靶 組成成分 (質量％) 於波β 的反1 |:400nm f寸率(％) 於波長:650nm 的反射率(％) 註 Cu Ni Ca Be Si Ag 剛成 膜後 經過200 小時後 剛成 膜後 經過200 小時後 賨 施 例 117 1.51 0.52 0.002 0.003 其餘部 86 85 96 95 118 1.50 0.53 0.024 0.024 其餘部 86 84 97 95 119 1.50 0.50 0.001 0.001 0.003 其餘部 85 84 97 96 120 1.50 0.50 0.013 0.013 0.020 其餘部 86 85 97 95 比 較 例 18 2.01 0.59 0.004 Ο.ΟΠ 0.051* 其餘部 無法成形 19 2.04 0.63 0.06* 其餘部 無法成形 20 2.03 0.61 0.06* 其餘部 無法成形 21 2.01 0.62 0.06* 其餘部 無法成形 *表示數値落在實施例的範圍外

(39) (39)200426236 由表12〜13所示之結果，使用本發明的實施例 103〜120濺鍍所得之反射層，與使用表1 1所示習知例3〜4 濺鍍所得之反射層比較，於溫度80°C相對溼度85%的恆 溫恆溼槽中保持200小時後波長400nm與65 0nm時的反 射率的降低程度較小。但是，由比較例18〜21可見，Ca、 Be、以及Si含量共計比0.05質量％以上的情況，壓延中 會產生碎片等情形，造成無法成形。 〔實驗8〕 使用作爲原料純度爲99.9質量％以上的Dy、La、 Nd、Tb、以及Gd，添加該等原料與用於實驗6中的Cu 以及含Ni的Cu母合金，同時再與用於實驗7中含Ca、 Be、以及Si的Ag母合金一起於銀中，於高頻真空溶解爐 中溶解，所得之融溶的金屬，氬氣環境於石墨製模型中鑄 造製成金屬鑄塊，將所得之金屬鑄塊於60 0 °C加熱2小時 後使其壓延，然後機械加工成直徑125mm、厚度5mm的 尺寸，表14〜16中表示製造實施例121〜145以及比較例 22〜27的組成成分。 將實施例121〜145以及比較例22〜27分別軟焊於無氧 銅製之塡裝薄板上，再將之安裝至直流磁控濺鍍裝置上， 以真空排氣裝置將直流磁控濺鍍裝置內排氣至壓力爲 lxl(T4Pa後，導入氬氣使濺鍍壓力爲l.OPa，接著以直流 電源對濺鍍靶施加100W直流濺鍍電力，與該濺鍍靶相對 抗之直徑30mm厚度0.5mm之玻璃基板設置於與濺鍍靶間 (40) (40)200426236 隔7 0mm處且互相平行。玻璃基板與該濺鍍靶之間產生電 獎’形成厚度100nm的銀合金反射膜。 以該方式形成之各銀合金反射膜的剛成膜後的反射 率’以分光光度計測量。之後，將形成之各銀合金反射膜 於溫度80°C相對溼度85%的恆溫恆溼槽中保持200小時 後，再度以相同條件測量其反射率。由所得之反射率數 據’求得於400nm以及650nm的各反射率，將該結果列 於表14〜16中作爲光記錄媒體的反射層的記錄再生耐性的 評價。

•44- 200426236 表14 濺鍍靶 組成成分 (質量％) 於波長:400nm 的反射率(％) 於波長:650nm 的反射率(％) Cu Ni Dy La Nd Tb Gd Ag 剛成 經過200 剛成 經過200 膜後 小時後 膜後 小時後 121 2.01 0.96 0.11 其餘部 84 82 96 95 122 2.02 1.01 1.02 其餘部 81 80 94 93 123 2.02 1.02 2.10 其餘部 78 77 93 91 124 2.00 1.00 2.99 其餘部 76 75 92 91 實 125 2.01 1.01 0.10 其餘部 84 83 96 94 126 2.02 1.02 1.01 其餘部 81 79 94 93 施 127 2.02 1.00 2.00 其餘部 78 77 93 91 128 2.00 0.99 2.98 其餘部 76 75 92 91 例 129 2.01 1.03 0.11 其餘部 84 83 96 95 130 2.02 1.01 1.10 其餘部 81 80 94 93 131 2.00 1.01 2.09 其餘部 78 76 93 91 132 2.02 1.02 2.90 其餘部 76 75 92 91 133 2.00 1.01 0.12 其餘部 84 83 96 94 134 2.01 1.00 1.11 其餘部 81 80 93 92

-45- (42)200426236 表15 濺鑛靶 組成成分 (質量％) 於波長:400nm 的反射率(％) 於波長:650nm 的反射率(％) Cu Ni Dy La Nd Tb Gd Ag 剛成 經過200 剛成 經過200 膜後 小時後 膜後 小時後 135 2.01 1.03 2.10 其餘部 77 76 92 91 136 2.02 1.01 2.97 其餘部 76 74 92 90 137 2.00 1.05 0.11 其餘部 84 83 95 94 138 2.01 1.02 0.99 其餘部 81 80 94 92 實 139 2.02 1.03 2.01 其餘部 78 77 94 93 140 2.02 1.01 2.89 其餘部 76 74 93 92 施 141 2.00 0.06 0.05 0.05 其餘部 86 85 97 96 142 2.01 0.12 1.02 1.20 其餘部 79 78 93 91 例 143 2.02 0.54 0.11 1.13 1.52 其餘部 77 75 93 92 144 2.00 1.03 0.91 0.57 1.01 1.00 其餘部 74 73 91 89 145 2.00 1.51 0.58 0.57 0.61 0.62 0.61 其餘部 75 73 91 90

-46- (43)200426236 表16 濺鍍 靶 組成成分 mm%) 於波5 的反1 ζ：400ηπι _(%) 於波5 的反1 l:650nm _(%) 註 Cu Ni Dy La Nd Tb Gd Ag 剛成 膜後 經過200 小時後 剛成 膜後 經過200 小時後 實 施 例 22 2.01 1.00 3.3* - - - - 其餘部 - - - - 無法 成形 23 2.03 1.03 - 3.4* - - - 其餘部 - - - - 無法 成形 24 2.01 1.02 - 麵 3.3* - - 其餘部 - - - 無法 成形 25 2.04 1.03 - - 泰 3.4* - 其餘部 - - - - 無法 成形 26 2.03 1.01 - - - - 3.5* 其餘部 - - - - 無法 成形 27 2.03 1.00 1.01 1.02 0.55 0.52 0.12 其餘部 - - - - 無法 成形

-47 - (44) (44)200426236 由表 14〜16所示之結果，使用本發明的實施例 1 2 1〜1 4 5濺鍍所得之反射層，與使用表1 1所示習知例3〜4 濺鍍所得之反射層比較，於溫度8 0 °C相對溼度8 5 %的恆 溫恆溼槽中保持.200小時後的反射率的降低程度較小。但 是，由比較例22〜27可見，Dy、La、Nd、Tb、以及Gd含 量共計比3質量％以上的情況，壓延中會發生碎片等情 形，造成無法成形。 〔實驗9〕 用於實驗6中的Cu以及含Ni的Cu母合金、用於實 驗7中含Ca、Be、以及Si的Ag母合金、用於實驗8中 的Dy、La、Nd、Tb、以及Gd-起如表17所示之組成成 分製作成實施例146〜157，將該等濺鍍靶，與實驗6同樣 方法於玻璃基板上形成厚度100nm之銀合金反射膜，各 銀合金反射膜的剛成膜後的反射率，以分光光度計測量。 之後’將形成之各銀合金反射膜於溫度80 °C相對溼度 8 5 %的恆溫恆溼槽中保持2 0 0小時後，再度以相同條件測 量其反射率。由所得之反射率數據，求得於400nm以及 6 5 Onm的各反射率，將該結果列於表17中作爲光記錄媒 體的反射層的記錄再生耐性的評價。 -48- (45)200426236 表17 濺鑛靶 組成成分 (質量％) 於波長:400nm 的反射率(％) 於波長:650nm 的反射率(％) Cu Ni Ca，Be，Si Dy，La，Nd，Tb，Gd Ag 剛成 經過200 剛成 經過200 膜後 小時後 膜後 小時後 146 3.03 0.11 Ca:0.012 Dy:1.47 其餘部 78 76 94 93 147 2.02 0.52 Be:0.019 La:0.98 其餘部 80 79 95 93 148 3.05 1.03 Si:0.028 Nd:0.75 其餘部 76 74 93 92 149 1.03 1.52 Ca:0.015 Tb:0.51 其餘部 81 80 95 94 實 Si:0.015 150 2.02 0.15 Be:0.030 Gd:0.22 其餘部 82 80 95 94 施 151 3.04 0.54 Si:0.031 Dy:0.04 Gd:0.08 其餘部 80 79 95 93 152 1.01 0.99 Ca:0.015 La:0.06 Tb:0.15 其餘部 83 82 95 94 例 Be:0.017 153 2.10 1.48 Be:0.028 Nd:0.05 Dy:0.13 其餘部 80 78 94 93 154 3.06 0.11 Si:0.030 Tb:1.01 Bd:1.02 其餘部 75 74 91 89 155 1.01 0.50 Ca:0.025 Gd:1.45 La: 1.43 其餘部 76 74 91 90 156 2.12 1.01 Be:0.015 Dy:0.05 Gd:0.12 其餘部 82 81 94 92 Si:0.005 Nd:0.06 157 3.10 1.49 Si:0.022 La:0.54 Tb:0.60 其餘部 72 70 89 88 Dy:0.59 Nd:0.60 Gd:0.61

-49 - (46) (46)200426236 由表17所示之結果，使用本發明的實施例146〜157 濺鍍所得之反射層，與使用表11所示習知例3〜4濺鍍所 得之反射層比較，波長400nm與65 0nm於溫度80°c相對 溼度8 5 %的恆溫恆溼槽中保持2 0 0小時後的反射率的降低 程度較小。 〔產業上的利用的可能性〕 根據本發明，使用於Ag中添加Zn : 0.1〜20質量％、 更添加A1: 0.1〜3質量％的Ag-Zn合金組成的銀合金濺鍍 靶，濺鍍所得之銀合金層，與使用習知銀或Ag-Zn合金組 成的濺鍍靶，濺鑛所得之銀合金層比較，雷射光束重複照 射伴隨之反覆加熱、冷卻，結晶粒不易變粗大，具有長時 間使用反射率亦極少因而降低的功效。 而且，使用於Ag中添加Cu以及Ni的銀合金組成的 濺鑛靶，濺鍍所得之銀合金反射層，與使用習知銀或Ag-Cu合金或Ag-Ni合金組成的濺鍍靶，濺鑛所得之銀合金 反射層比較，具有上述同樣之功效。 -50-

Claims (1)

1. (1) (1)200426236 拾、申請專利範圍 1、 一種光記錄媒體之全反射層及半透明反射層（以 下包含兩者總稱爲反射層）形成用銀合金濺鍍靶，其特徵 爲係由 Zn ·· 0· 1〜20質量％、A1 : 0· 1〜3質量％，以及其餘 部分爲Ag所組成的銀合金組成。 2、 一種光記錄媒體之反射層形成用銀合金濺鏟靶， 其特徵爲係由Zn: 0.1〜20質量％、A1: 0.1〜3質量❶/〇，更 包含 1種或 2種以上選自 Ca、Be、Si之共計： 〇·〇〇5〜0·05質量％，以及其餘部分爲Ag所組成的銀合金 組成。 3、 一種光記錄媒體之反射層形成用銀合金濺鍍靶， 其特徵爲係由 Ζη: 0·1〜20質量％、A1: 0·1〜3質量％，更 包含1種或2種以上選自Dy、La、Nd、Tb、Gd之共計： 〇·1〜3質量％，以及其餘部分爲Ag所組成的銀合金組成。 4、 一種光記錄媒體之反射層形成用銀合金濺鍍靶， 其特徵爲係由Ζιι : 0.1〜20質量％、A1 : 0.1〜3質量％，更 包含 1種或 2種以上選自 Ca、Be、Si之共計： 0.005〜0.05質量％，更包含1種或2種以上選自Dy、La、 Nd、Tb、Gd之共計：0.1〜3質量％，以及其餘部分爲Ag 所組成的銀合金組成。 5、 一種光記錄媒體之反射層，其特徵爲由使用如申 請專利範圍第1、2、3、或4項之銀合金濺鍍靶所製作的 蒸鍍膜所成。 6、 一種光記錄媒體之全反射層形成用銀合金濺鍍 -51 · (2) (2)200426236 靶，其特徵爲係由Zn: 1〜20質量％、Al: 0.5〜3質量0/〇, 以及其餘部分爲Ag所組成的銀合金組成。 7、 一種光記錄媒體之全反射層形成用銀合金濺鍍 靶，其特徵爲係由Zn : 1〜20質量％、A1 : 0.5〜3質量°/〇， 更包含1種或 2種以上選自 Ca、Be、Si之共計： 0·005〜0·05質量％，以及其餘部分爲Ag所組成的銀合金 組成。 8、 一種光記錄媒體之全反射層形成用銀合金濺鍍 靶，其特徵爲係由Zn: 1〜20質量％、A1: 0.5〜3質量％， 更包含1種或2種以上選自Dy、La、Nd、Tb、Gd2* 計：0.1〜3質量％，以及其餘部分爲Ag所組成的銀合金組 成。 9' 一種光記錄媒體之全反射層形成用銀合金濺鍍 靶，其特徵爲係由Zn: 1〜20質量％、A1: 0.5〜3質量％， 更包含1種或 2種以上選自 Ca、Be、Si之共計： 0.005〜0.05質量％，更包含1種或2種以上選自Dy、La、 Nd、Tb、Gd之共計：0.1〜3質量。/〇，以及其餘部分爲Ag 所組成的銀合金組成。 1〇、一種光記錄媒體之全反射層，其特徵爲由使用如 申請專利範圍第6、7、8、或9項之銀合金濺鍍靶所製作 的蒸鍍膜所成。 11、一種光記錄媒體之半透明反射層形成用銀合金濺 鍍靶，其特徵爲係由未達Zn: 0.1〜1質量％、A1:未達 0.1〜0.5質量％，以及其餘部分爲Ag所組成的銀合金組 -52- (3) (3)200426236 成。 1 2、一種洸記錄媒體之半透明反射層形成用銀合金濺 鍍靶，其特徵爲係由未達Zn : 0.1〜1質量％、A1 :未達 0.1〜0.5質量％，更包含1種或2種以上選自Ca、Be、Si 之共計：〇 · 〇 〇 5〜0 · 0 5質量％，以及其餘部分爲A g所組成 的銀合金組成。 13、 一種光記錄媒體之半透明反射層，其特徵爲由使 用如申請專利範圍第1 1項或第1 2項之銀合金濺鍍靶所製 作的蒸鍍膜所成。 14、 一種光記錄媒體之反射層形成用銀合金濺鍍靶， 其特徵爲係由Cu : 0.5〜5質量％、Ni : 0.05〜2質量％，以 及其餘部分爲Ag所組成的銀合金組成。 15、 一種光記錄媒體之反射層形成用銀合金濺鍍靶， 其特徵爲係由Cu : 0.5〜5質量％、Ni : 0.05〜2質量％，更 包含 1種或 2種以上選自 Ca、Be、Si之共計： 〇·〇〇5〜0.05質量％，以及其餘部分爲Ag所組成的銀合金 組成。 16、 一種光記錄媒體之反射層形成用銀合金濺鍍靶， 其特徵爲係由Cu : 0.5〜5質量％、Ni : 0.05〜2質量％，更 包含1種或2種以上選自Dy、La、Nd、Tb、Gd之共計： 〇·1〜3質量％，以及其餘部分爲Ag所組成的銀合金組成。 17、 一種光記錄媒體之反射層形成用銀合金濺鍍靶， 其特徵爲係由Cu : 0.5〜5質量％、Ni : 0.05〜2質量％，更 包含 1種或 2種以上選自 Ca、Be、Si之共計： -53- (4) (4)200426236 0.005〜0.05質量％，更包含1種或2種以上選自Dy、La、 Nd、Tb、Gd之共計：0.1〜3質量％，以及其餘部分爲Ag 所組成的銀合金組成。 1 8、一種光記錄媒體之反射層，其特徵爲由使用如申 請專利範圍第1 4、1 5、1 6、或1 7項之銀合金濺鍍靶所製作 的蒸鍍膜所成。

   -54- 200426236 柒、指定代表圖： (一Ο、本案指定代表圖為： 無 (二）、本代表圖之元件代表符號簡單說明：無

   捌、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學 式： 無