TW200416406A - Electronic testing structure assembly - Google Patents
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200416406 ____ 五、發明說明(1) 發明領域 本發明與一種檢測技術有關,特別是一種晶片電訊檢 測之測試組件結構。 發明背景
有傳統方式所沒有的優點, 裝面積、降低製造成本、肩 述先進電子裝置構裝形式Ϊ 於空氣Φ以撼;仓I 近年來,隨著電子產品功能的快速提升,先進電子裝 置朝向更精細的尺寸、高容量、高速度與多功能邁進。先 進電子裝置構裝已快速地從傳統的接腳式構裝轉至面積陣 列形式,並朝更高I /0密度、晶圓尺寸構裝技術發展。本 電子裝置結構利用在晶圓上即可完成構裝的製程,使其擁 點,如··可大幅度減少電子裝置構 成本、具優良的電性表現等優勢。而前
200416406 五、發明說明(2) 程序,包括力學緩衝層製作、熔接單元製作等,最後將電 子裝置自晶圓中分離。於將獨立之電子裝置組裝至電子產 品系統前,將進行長時間高熱環境之電訊測試,以確保電 子裝置於構裝製程中之品質與良率。 習知技藝 中華民國專利公告號4,4 8 5,5 2 7,其中揭露一種晶圓 等級測試結構,如圖一 A所示,其架構於一晶圓1 0 1上,主 要特徵為該晶圓具有複數個電子裝置1 0 0,位於該電子裝 置1 0 0間形成有複數個應用凸塊1 3 0與預燒測試凸塊1 2 0。 其中預燒測試凸塊1 3 0位於電子裝置1 0 0外圍,並且其電子 訊號透過一導線與電子裝置相連接。並且,該專利亦揭露 前述晶圓等級測試結構之製程方式與測試方法,包括:進 行一重新配置線路製程、於該晶圓1 0 1上形成具有導線結 構與相對應之絕緣層、形成複數個該預燒測試凸塊等,並 且利用導線層將前述預燒測試凸塊與電子裝置連接;以及 利用前述預燒測試凸塊進行預燒測試的方法。美國專利字 號5,8 5 9,5 3 9,其中揭露一種可重複使用之長時晶圓測試 裝置,如圖一 B所示,其中包括一晶圓1 0 1以及複數個電子 裝置1 0 0佈於前述晶圓上。一測試上板1 5 0,並於前述測試 上板1 5 0中佈有複數個導線1 5 2,且前述之導線1 5 2之位置 與電子裝置之電極相對。並於測試上板1 5 0中具有電訊外 接結構1 5 1,並具有單或複數個導線1 5 2與前述之電訊外接
200416406 五、發明說明(3) 結構1 5 3相接,使得測試時由電子裝置1 0 0產生之電子訊號 得以與外界連通。並於測試上板1 5 0中具有一測試空穴以 容納測試晶圓1 0 1,以及單或複數個對準插梢1 5 4,可於組 裝時與測試下板1 6 0精密接合。另於測試下板1 5 0中具有彈 性體1 6 5,以保護進行老化測試時之晶圓1 0 1。 然而,前文述及之先進電子裝置結構技術為增進其散 熱與電訊等效能,多將電子裝置基質直接暴露於空氣中, 並且缺乏傳統接腳型結構之力學保護設施。於傳統之長時 高熱預燒電訊測試組件進行測試程序中,前述測試組件之 測試接觸單元將與電子裝置之熔接單元產生直接電訊接 觸。由於先進電子裝置有輕、薄、短、小的設計考量,其 力學缓衝層之厚度有限,故力學緩衝層難以吸收前述之接 觸單元於測試時所施予電子裝置之接觸力。因此,上述之 接觸力將直接傳遞予電子裝置之基質中,造成前述之先進 電子裝置内部之力學破壞,而使得電子裝置之功能函數失 效。如此將難以判斷長時高溫預燒測試之破壞因素,究竟 是構裝製程缺陷抑或是長時高溫測試本身造成。然欲解決 前述議題,可大略分為三個方向:其一、利用高價位且特 殊設計之傳統測試結構,如此將大幅度提升測試成本;其 二、利用前述之晶圓針測測試程序’於未切割之晶圓上即 進行長時高溫預燒測試,此亦將冒忽略因切割晶圓製程之 缺陷造成良率下降的風險;其三、重新設計一低價位且高 效率之測試結構。 鑑於高效率之先進電子裝置構裝結構近來多為電子產
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業所用,本發明提 電訊檢測組件結構 溫預燒檢測系統, 先進電子裝置構裝 出一電訊檢測組件結 之適當組合,即可構 並且將大幅降低檢測 結構長時高溫檢測之 構。藉由本發明之 成一合適之長時高 成本與前文述及之 問題。 發明目的及概述 個墊Γΐΐίϊ:種檢測組件結構1以檢測具單或複數 成禮获Ρ皮裝目的在提供一種組件結構,可針對完 測續。# Β 心也千衮置進仃長時咼温之預燒電訊 學損傷、。’,可減低長時高溫測試系統對於電子裝置之力 為達成上述目 構。本結構包含一 複數個彈性體結構 述檢測結構上板。 或複數個電訊墊片 複數個測試墊片。 由單或複數個檢測 含:圓形、橢圓形 另包括一檢測結構 述之電子裝置。於 接觸結構,並對應 片接觸以進行電訊 的’本發明提出一晶 檢測結構上板,並於 。而單或複數個電子 於前述電子裝置之電 ’並於前述之電子裝 该測試塾片與電訊塾 訊號導線達成之,該 、多邊形或以上各形 下板,對應於前述之 前述之檢測結構下板 於前述之測試墊片, 連接。前述接觸結構 片電訊檢測組件結 其表面可具有單或 裝置,將對應於前 訊傳遞面佈有具單 置表面另形成單或 片之電訊連通可經 测試墊片形狀包 狀之組合。本結構 檢測結構上板與前 中佈有單或複數個 且與前述之測試墊 形狀包含:圓柱
第9頁 200416406 五、發明說明(5) 狀、橢圓柱狀、多邊形柱狀、頂面非平面之圓柱狀、頂面 非平面之橢圓柱狀、頂面非平面之不規則形柱狀或以上形 狀之組合。因此,此電訊測試組件結構可有效的消散於進 行長時高溫預燒測試時所產生之對於電子裝置基質之力學 破壞。故依本發明所組成之長時高溫老化測試系統,可擁 有較高之測試準確度,以及較低廉的單價。 本發明之前述與其他目的、特徵、以及優點,將藉由 下文中參照圖示之較佳實施例之詳細說明得以更明確。 較佳實施例之詳細描述 本發明揭露一種有關晶片電訊檢測組件結構之技術。 詳言之,本發明提供一種檢測結構用以檢測具單或複數個 墊片之電子裝置,並提供其實施例。其詳細說明如下,唯 所述之較佳實施例只做一說明,並非用以限定本發明。 本發明之晶片電訊檢測組件結構之電子裝置佈線結構之上 視示意圖與側視示意圖分別如圖二A與圖二B所示。其中圖 二B之橫截面如圖二A中之A-A截面所示。其中包括一電子 裝置2 0 0,及其電訊傳遞面2 0 3。於該電訊傳遞面2 0 3塗佈 有力學緩衝層280,其材質可為綠漆、高分子光阻或有機 高分子材料聚合物等或以上化合物或具緩層效果的物質之 組合。於力學緩衝層2 8 0上,佈有單或複數個電訊墊片 260,其材質可為鎳、錫、金、銅或上述金屬合金或導電 金屬之組合。另具有熔接單元270,相對於各電訊墊片,
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組成:為錫、鉛、豸、金、銅或上述金屬合金或導電金 之組合。*L述之熔接單元,將扮演該電子裝置2 0 0盥外V 電路设施溝通角色,如:將電子裝置内之電子訊號,傳 至電子裝置外部;或將外部之電子訊號,冑遞至該; 置中。唯本發明之電訊檢測組件結構中,前述之熔接裝 2 7 0可不具有。但於完成傳統電子裝置構裝程序之電子壯疋 = 前述之熔接單元2 70。故於進行長時高溫二 j f序牯考慮熔接早元2 70,可廣泛地提升該測試之準確 生。於前述電子裝置之電訊傳遞面m上,佈有 之單ΪΪ Κι墊片2 2 0,形成於前述之電子裝置2〇()外緣 二邊予 邊。而位於外電子裝置2〇()外側之溶接單元 訊墊片26°,可經由檢測訊號導線2 25與測試塾; Γ中;二而!於電子裝置2°°中央部位之炼接單元,如圖 訊t莫始溶接早70 271與熔接單元272,亦可由彎折的檢Θ a yU 、、、 2 2 6或延長之檢測訊號導線2 2 7,與相對;ft < _、 則試塾片222相接。唯並非全部之溶 ^界進ί ΐ片相接,若此溶接單元2 73於測試時不需要盘而 線與之訊連接,則可以不製作測試墊片及檢測訊號導 如圖i 1所明-之測試結構下板之第-實施例之上|示意圖可 結構下板二?丄包*括一測試結構下板31 〇 1及於測試 電子裝 之早或複數個測試空穴3 0 2,以容納待測試之 構,料::各測試空穴中,亦佈有單或複數個接觸結 料可為金、銅、鈹、銅、鎳、铑、鎢或以上金
2UU4154Ub 五、發明說明(7) =i全i :::::二料的級合。其接觸結構330之幾 本發明之測試結構;;裝㊁之測試塾片。 三Β所示。其中包括一 弟一實施例之上視示意圖可如圖 下板中之單或複數個?=下板31〇’以及位於測試結構 置。而於各測試空穴乙以容納待測試之電子裝 3 3 5,其材料可為古八2 有單排或複數排之接觸軟板 或複數個電路圖案33f,於接觸軟板335上,佈有單 錄、铑、鶴或以上金屬材料二可為金、銅、鈹、銅、 電路圖案3 3 i之位置具導電材料的組合。其 片。 將相對於前述電子裝置之測試墊 豆中包括月0 SI式結構上板之上視示意圖可如圖四所示。 =二,f 一測試結構上板44〇,以及於測試結 裝置,可於具斤-體 其成何位置相對於前述之電子 ;長4咼溫老化電訊測試時,保護該電子裝置。 作之=i訊檢測組件結構第·"實施例之電訊檢測運 A、圖三A、圖1 其中圖五之橫截面如圖二 電子事置5〇S A之A_A截面所示。其中包括單或複數個 提升電,於^訊傳遞面5 03上佈有力學緩衝層580以 二:之數力個學「靠度。並且具… 1 測試墊片520。其中,測試墊片之f + =測:號/線㈣接單元-_接 、置5 0 0之電汛傳遞面5 0 3朝向測試結構下板 第12頁 200416406 五、發明說明(8) 510並置放於特疋之測試空穴502中。且令電子裝置單邊 或複數邊之測試墊片520與檢測結構下板51 〇之接觸結構 5 3 0相對應,於測試時令前述兩者進行機械接觸以達成電 訊連通。同時,於測試結構下板51 〇中,佈有單或複數個 電訊外接結構5 5 0,透過特定線路與接觸結構5 3 〇相接。可 使得於測試時、,電子裝置5 0 0中的電子訊號與測試組件結 構外界進行溝通。同時,置備測試結構上板54〇,具有單 或複數個力學緩衝體5 9 0,使之與測試結構下板5丨〇盥電 裝置5 0 0幾何驶於進行測試程序時,使前述之測試結 構下板510、電子裝置5〇〇與測試結構上板54〇,相互接合 以組裝,並令電子裝置5〇〇上之測試墊片 σ 觸結構53 0相接?成為本發明之電訊檢測組 接:二與1子裝置之電⑽ 之電訊檢測組件結構並夫吉垃乂 +七月 接單元56〇;並且測試^=電子裳置5 0 0之溶 5 0 0,故電子裝置500之電^碰觸電子裝置 由度。故就力學上而言電進κ:ί:!03二有相當之力學自 子裝置内部之應力將小於c =: ▲電訊測試時,其電 結構。 ^於傳統之接觸熔接單元5 70之測試 本發明之^訊檢心 作之剖面示意圖,如圖丄% - ^ ^ <寬Λ檢測運 Α、圖三Β、圖四中之;二7示Λ六,橫載面如圖二 電子裝置6 0 0,於電訊傳遞 佑、匕括早或複數個 遞面6 0 3上佈有力學緩衝層6 8 〇以
第13頁 200416406 五、發明說明(9) 提升電子裝置之力學可靠度。並且具有單或複數個熔接單 元6 7 0與單或複數個測試墊片6 2 〇。其中,測試墊片之電子 訊號’將利用特定之檢測訊號導線與熔接單元6 7 〇相接。 並且’使電子裝置6 0 0之電訊傳遞面6 0 3朝向測試結構下板 61〇,並置放於特定之測試空六60 2中。且令電子裝置單邊 或複數邊之測試墊片6 2 0與檢測結構下板6 1 0之接觸軟板 6 3 5上之電路圖案6 3 1相對應,於測試時令前述兩者進行機 械接觸以達成電訊連通。同時,於測試結構下板6丨〇中, 佈有單或複數個電訊外接結構650,透過特定線路與電路 圖案631相接。可使得於測試時,電子裝置6〇〇中的電子訊 ί t測試組件結構外界進行溝通。同時,置備測試結構i 下杯I’具有單或複數個力學缓衝體6 9 0,使之與測試結構 ^ = 610與電子裝置60 0幾何相對。於進行測試程序時,使 7,之測試結構下板610、電子裝置6〇〇與測試結構上 盥ί互ί合以組裝,並令電子裝置6 0 0上之測試墊片 測組件結構。㈣,於測試::乂 f為本發明之電訊檢 哚 於測忒日守,外界與電子裝置之雷早邙 逮可經由電訊外接結構6 5 0、雷踗m垒β01 b 之逼子成 ^ , 丄々 電路圖案6 31與測試墊片6 2 0 凡成之。本毛明之電訊檢測組件結構、^ 子裝置6〇〇之熔接單元6 6 0;並且測二則/接觸電 觸電子裝置60 0,故電子裝置6〇() 亦未直接碰 當之力學自由度。故就力學上ΓΪ”傳^ 6〇3具有相 試時,其電子裝置内部之應力將 2長打兩溫老化測 之測試結構。換言之,於長時〜Y之接觸熔接單元 长f同/皿電訊測試時本發明 200416406 五、發明說明(ίο) 之組件結構,將可大幅度降低對於電子裝置基質之損傷, 即可提稱電訊量測之可信度與降低檢測成本。 本發明意欲涵蓋對於熟習此項技藝之人士而言係明顯 的各種修改與相似配置。因此,申請專利範圍之範圍應根 據最廣的詮釋,以包容所有此類修改與相似配置。
第15頁 200416406 圖式簡單說明 本發明之較佳實施例將於下述說明中輔以下列圖形做 更詳細的闡述: 圖一 A為傳統之晶圓級測試結構。 圖一 B為傳統之晶圓級長時電訊檢測結構。 圖二A為本發明晶片電訊檢測組件結構之電子裝置佈線結 構之上視不意圖。 圖二B為本發明晶片電訊檢測組件結構之電子裝置佈線結 構之剖面示意圖。
圖三A為本發明檢測結構下板第一實施例之上視示意圖。 圖三B為本發明檢測結構下板第二實施例之上視示意圖。 圖四為本發明檢測結構上板之上視示意圖。 圖五為本發明晶片電訊檢測組件結構弟一實施例之電訊檢 測運作之剖面示意圖。 圖六為本發明晶片電訊檢測組件結構第二實施例之電訊檢 測運作之剖面示意圖。 符號說明
100電子裝置 1 0 1晶圓 1 2 0老化測試片 1 3 0應用凸塊 1 5 0測試上板 1 5 1電訊外接結構
第16頁 200416406 圖式簡單說明 1 5 2導線 1 5 3測試空穴 1 5 4對準插梢 1 6 0測試下板 1 6 5彈性體 2 0 0電子裝置 2 0 3電訊傳遞面 2 2 0測試墊片 2 2 1測試墊片 2 2 2測試墊片 2 2 5檢測訊號導線 2 2 6檢測訊號導線 2 2 7檢測訊號導線 2 6 0電訊墊片 2 7 0熔接單元 2 7 2熔接單元 2 7 3熔接單元 2 8 0力學緩衝層 3 0 2測試空穴 3 1 0檢測結構下板 3 3 0接觸結構 331電路圖案 3 3 5接觸軟板 4 4 0檢測結構下板
第17頁 200416406 圖式簡單說明 4 9 0彈性體 5 0 0電子裝置 5 0 2測試空穴 5 0 3電訊傳遞面 5 1 0檢測結構下板 5 2 0測試墊片 5 3 0接觸結構 5 4 0檢測結構上板 5 6 0電訊塾片 5 5 0電訊外接結構 5 7 0熔接單元 5 8 0力學緩衝體 5 9 0彈性體 6 0 0電子裝置 6 0 2測試空穴 6 0 3電訊傳遞面 6 1 0檢測結構下板 6 2 0測試墊片 631電路圖案 6 3 5接觸軟板 6 4 0檢測結構上板 6 6 0電訊墊片 6 5 0電訊外接結構 6 7 0熔接單元
200416406 圖式簡單說明 6 8 0力學緩衝體 6 9 0彈性體 1··11 第19頁
Claims (1)
- 200416406 六、申請專利範圍 1 · 一種晶片電訊檢測組件結構,用以檢測具單或複數個墊 片之電子裝置,至少包含: 一檢測結構上板; 單或複數個電子裝置,對應於前述之檢測結構上板,並具 有單或複數個電訊墊片佈於前述電子裝置表面; 單或複數個測試墊片,形成於前述之電子裝置外緣之單邊 或複數邊,經由單或複數個檢測訊號導線與全部或部分之 前述電訊墊片相接;並前述測試墊片形狀包含:圓形、橢 圓形、多邊形或以上各形狀之組合; 一檢測結構下板,對應於前述之檢測結構上板與前述之電 子裝置; 單或複數個接觸結構,佈於前述之檢測結構下板,並對應 於前述之測試墊片,且與前述之測試墊片接觸以進行電訊 連接;前述接觸結構形狀包含:圓柱狀、橢圓柱狀、多邊 形柱狀、頂面非平面之圓柱狀、頂面非平面之橢圓柱狀、 頂面非平面之不規則形柱狀或以上形狀之組合。 2.如申請專利範圍第1項之電訊檢測組件結構,其中所述 之檢測結構上板,可佈有單或複數個彈性體結構,與上述 之電子裝置接觸。 3 .如申請專利範圍第1項之電訊檢測組件結構,其中所述 之檢測結構下板,可佈有單或複數個測試空穴,容納上述 之電子裝置。200416406 六、申請專利範圍 4 ·如申請專利範圍第1項之電訊檢測組件結構,其中所述 之檢測結構下板,可佈有單或複數個電訊外接結構,於測 試時將電子裝置之電子訊號與外界連接。 5. —種電訊檢測組件結構,用以檢測具單或複數個墊片 之電子裝置,至少包含: 一檢測結構上板; 單或複數個電子裝置,對應於前述之檢測結構上板,並具 有單或複數個電訊塾片佈於前述電子裝置表面; 單或複數個測試墊片,形成於前述之電子裝置外緣之單邊 或複數邊,經由單或複數個檢測訊號導線與全部或部分之 前述電訊墊片相接;並前述測試墊片形狀包含:圓形、橢 圓形、多邊形或以上各形狀之組合; 一檢測結構下板,對應於前述之檢測結構上板與前述之電 子裝置; 單或複數個接觸軟版,佈於上述之檢測結構下板中,並具 有單或複數個電路圖案,其幾何位置對應於前述之測試墊 片,並與上述之測試墊片接觸以進行電訊連接。 6 .如申請專利範圍第5項之電訊檢測組件結構,其中所述 之檢測結構上板,可佈有單或複數個彈性體結構,與上述 之電子裝置接觸。200416406 六、申請專利範圍 7. 如申請專利範圍第5項之電訊檢測組件結構,其中所述 之檢測結構下板,可佈有單或複數個測試空穴,容納上述 之電子裝置。 8. 如申請專利範圍第5項之電訊檢測組件結構,其中所述 之檢測結構下板,可佈有單或複數個電訊外接結構,於測 試時將電子裝置之電子訊號與外界連接。第22頁
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TWI220695B TWI220695B (en) | 2004-09-01 |
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