TW200412191A - Manufacturing method of organic light emitting diode for reducing reflection of external light - Google Patents
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Classifications
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Description
200412191 五、發明說明（1) 發明所屬技術領域： 本發明係關於一種古祕益止_ α ^ 4主如《—播！_古牧種有機發先一極體元件之製作方法， 製作方法。 -有機么光二極體元件外部光線反射之 先前技術：
有機電激發光顯示器（Organic Electroluminescence Display, 〇LED, Organic EL
Display)又稱為有機發光二極體 E.Ut.n.D.ode^UD) ^h；t^ 應速度快、輕薄短小、全彩、無視角i、不需液晶顯示器 式背光板以及節省燈源及耗電量，因此可率先取代扭曲向 列（Twist Nematic ;TN)與超扭曲向列（Super 了^以
Nematic ; STN )液晶顯示器的市場，並進一步取代小尺寸 薄膜電晶體液晶顯示器，而成為新一代攜帶型資訊產品'、 行動電話、個人數位助理以及攜帶型電腦普遍使用^ 材料。 ，μ
請參照第一圖，有機發光二極體之基本結構是在鍍有 透明陽極12的透明基板10上’依序鍍上有機材料以形成有 機層14，其係包括電洞注入層（hole-in iert、, JCCI1ng layer, HIL )、電洞傳輸層（hole-transport ing layer HTL )、發光層（emitting layer，EML)和電子傳輸芦 (electron-transporting layer， ETL )，接莫蔽辦 μ 々
第5頁 200412191 五、發明說明（2) 屬形成一金屬陰極16。通常陰極金屬為不透明且具反射 性’當外加電壓使元件發光，光經由透明陽極丨2和透明基 板1 0的路徑放射出來，此種透過基板方向發光的方式稱做 底部發光（bottom emission);反之，將透明導電陽極 鐘在不透明具反射性的基板上（也有在透明基板上鍍上一 層反射金屬層），接著鍍上相同的有機層後，再鍍上透明 陰極’此時元件發光是經由透明陰極放射，稱為頂部發光 (top emission ) 〇
上述的兩種結構皆因具有金屬反射層而容易反射外在 環境的入射光，使得顯示器面板的對比降低。因此，傳統 上在底部發光結構中會利用黑色且具導電性的材料，如： 氧化鋅，插入有機層與反射陰極之間，使外在環境的入射 光被此材料吸收而避免產生反射，此種結構稱之為黑色陰 極（black cathode)。另有一種稱之為干涉層（Mack 1 ayer )的結構，明參照第二圖所示，並非將入射光吸 收，而是藉由鍍上多層不同折射率的薄膜於有機層22與金 屬陰極28 (即反射陰極）之間，並藉由調整干涉層26的厚 度使半透明電子注入陰極層24與反射陰極的反射光產生
180度的相位差，造成破壞性干涉而達到降低反射光的效 果，進而提昇對比。 不管疋黑色陰極（black cathode)或是干涉層 (black layer )的製作，材料的導電性都是考量^因
200412191 五、發明說明（3) -- 素|若是選擇的材料導電性不佳，可能導致元件的驅動電 壓增加，與現今要求的低功率消耗並不相符。而干涉層更 有各層薄膜折射率的考量，如此，材料的選擇上有一定的 難度此外，製程上只要多一層的結構，成本及時間上的 增；^都不疋我們所樂見的，在講究u㈣的時程 考^ 製程上只要能減少一層結構，不僅成本降低且縮 短製程時間，也毋須為了增加的結構而調整相關的製程來 數’這將使得產品更具競爭力。 4 主/有鑑於此，本發明提供一種在不需要增加其它結構的 情形下’即可達到降低外界光線反射干擾的目的。 發明内容： ,本發明之目的為提供一種毋須增加額外製程結構的产 形下，即能降低外界光線反射干擾之有機發光二極體^ 之製作方法。 十 電極=之再一目的為提供一種調整有機層與透明陽極 :極：q，即能降低外界光線反射干擾之有機發光二極 體兀件之製作方法。 根據本發明第一實施例’係提供一種能降低外界光 於=機發光二極體製作方法。首先’形成金屬反射層 '土 ί反上。接著，依序形成透明陽極電極、有機層、半透
第7頁 200412191 五、發明說明（4) * 明電子注入陰極層、緩衝層，以及透明電極。當外加電壓 於透明陽極電極與透明電極時，有機層因電子電洞的再結 合現象而發光’其中來自外界的入射光線由頂部的透明電 極入射至金屬反射層形成反射，此時，將與元件的有機層 發射的光線形成干擾，降低元件的對比性。本實施例藉由 調整有機層及透明陽極電極的厚度，使得由半透明電子注 入陰極層反射的第一反射光，與由金屬反射層反射的第二 反射光，兩者產生1 80度的相位差，形成破壞性干涉，進 而降低外界光線的反射干擾，提昇元件的對比。 根據本發明第二實施例，係提供一種能降低外界光線 反射之有機發光二極體製作方法。首先形成金屬陽極於基 板上。接著，依序形成有機層、半透明電子注入陰極層、 緩衝層和透明電極。來自外界的人射光線由頂部的透明電 極入射至金屬陽極形成反射，此時，將與元件的有機層發 射的光線形成干擾’降低元件的對比性。纟實施例藉由調 整有機層及透明陽極電極的厚度，使得由半透明電子注入 ，極層反射的第-反射光，肖由金屬陽極反射的第二反射 光’兩者產生18G度的相位差，形成破壞性干涉，進而降 低外界光線的反射干擾，提昇元件的對比。 實施方式：
本發明所揭示為一種具有降彳 - μ t r . ^ ^ …” 低有機發光二極體（0LED 疋件外部光線反射之製作方法 . 力&。為了使本發明之敘述更
第8頁 200412191
加詳盡與完備，可參照下列描述並配合第三圖至第六圖之 圖不。有關本發明之實施說明將如下所述。 請參照第四圖所示，係根據本發明第一實施例，所製 作能降低外界光線反射之有機發光二極體。請配合第三圖 所不，首先，提供基板3 〇。此基板材質可選自透光或是不 ，光的適當材質，以利承載有機發光二極體元件結構。接 著，形成一金屬反射層3 2於基板3 〇上。此步驟係使用蒸鍍 (Evaporation)或濺鍍（Sputtering)成膜的方式將金 屬材料形成於基板上，上述的金屬材料係選用導電性佳的 材質，如1鋁、鉻等金屬材料。其功能係用以反射有機發 光二極體元件本身發出的光線。 清參照第四圖，接著形成一透明陽極電極34於金屬反 射層32上。此透明導電電極的材質可選自銦錫氧化物 (Indium Tin 〇xide，IT〇)、銦鋅氧化物zinc
Oxide， IZ0 )等材料，並以濺鍍法、電子束蒸鍍法 (Electron Beam Evaporation)、熱蒸鍍法（Thermal Evaporation)、化學氣相鍍膜法（Chemicai VapQ；r
Deposition)或噴霧熱烈解法（Spray pyr〇lysis)等法 來製成，用以做為有機發光二極體元件之陽極電極。然 後，形成一有機層36於透明陽極電極34上。上述有機層材 料可以使用Alq、ΝΡβ、CuPc、C545T 、CBP、 BAlq、Ir(ppy)3、等螢光或磷光色素或錯合物材料，再以
200412191 五、發明說明（6) 真空蒸鍍法、電子束加熱的真空蒸鍍法、_子化蒸鍍法、 有機分子線蒸鍍法、電漿聚合法、真空蒸鑛聚合法、浸泡 被覆法、紋轉被覆法、Langmuir_Bl〇dgett 薄膜 法、Sol-Gel法或電解聚合法等方法形成有機層於透明 極電極上。 然後，形成 上。做為電子注 如驗金屬做為電 是濺鍍或蒸鍍比 化合物，再蒸鍍 值，且厚度須夠 約數原子層厚（ )、鋁鋰（A 1 - L 著，形成一緩衝 是採用CuPc等有 生保護效果，因 虞，遂需要加入 一半透明電子注入陰極層38於有機層36 入陰極的材料，係選擇導電性較佳的材料 極’但其本質上是不安定的，所以，一般 較安定的材料，如：氟化鋰（L i F )金屬 銘金屬與之搭配即可有效降低驅動電壓 薄才具有一定的透光性而成半透明狀態， 約〇· 5〜5nm )即可。另外，鎂銀（Mg —Ag 1 )合金電極材料也有同樣的效果。接 層40於半透明電子注入陰極層38上。一般 機^料，以便在濺鍍下一層透明電極時產 為高能量的濺鍍成膜恐有損及有機層之 此緩衝層來吸收大部分的能量。 最後，形成一透明電極42於緩衝層4〇上。透明的導電 材質係選自銦錫氧化物或銦辞氧化物，可以濺鍍法、電子 束蒸鍍法（Electron Beam Evap〇rati〇n)等法來製成， 其中濺鍍法具有大面積成膜、良好膜厚均勻性和再現性等 優點’而被應用作為量產之成膜技術。
第10頁 200412191
田上述有機發光二極體結構外加電壓時，發射自 匕6的光線’部分將透過透明電極42方向向外部放射，部 分糟由金屬反射層32朝外部放射而出，於此同時，來自外 界的入射光線1〇〇也會經由金屬反射層32來反射，這將使 仔顯不器面板的對比降低。參照第四圖所#，當外界的入 射光線100進入此有機發氺—搞辦 0 β伐赞九一極體結構，光線1 0 0經過半透 明電子注入陰極層38時，入射的氺加八γ丄， > ^ 了 八对的先一部份經由半透明電子 注入陰極層38反射’而產生第一及私 座王乐 反射光200，至於入射的 光一 4份則會穿過此半透明電子 ^ , ^ β电卞〆玉入陰極層38，直到今屬 « ^ 成第二反射光3 0 0。值得注意的 疋’在本發明中可藉著調整 -^ ^ 、半透明電子注入陰極層38反射 的第一反射光200，盘由冬思^ Qnn ^ ^ ，、由金屬反射層32反射的第二反射光 300，兩者產生18〇度的相 久耵九 政你从田， 伯证是，而造成破壞性干涉，進而 降低外界光的反射，減少外邱 y遷向 件的對比。 夕外J入射先線的干擾，並提昇元 w = ’係根據本發明第二實施例，製作 二2 2，如第五圖所示，於基板5。上直接形ΐ全ί 錄H、金、銀、;工：函數較大的 式的電阻加熱或電子束加金，“膜方式有乾 不加熱的真空蒸鍍法、離子化蒸鍍法 200412191 五、發明說明（8) 和濺鍍法或濕式的無電電鍍法等法來靠 有機層54、半透明電子注入陰極層56、 極60。當來自外界的入射光線4〇〇入射 體元件結構時，藉由調整有機層5 4的眉 明電子注入陰極層56表面反射的第一反 屬陽極52表面反射的第二反射光6〇〇，J 位差，形成破壞性干涉，進而降低外界 昇元件對比的效果。 本發明之設計具有如下之優點： (1 )相較於習知技術之增加一黑色陰極 )，以吸收外界的入射光，此舉雖可達 的干擾，但也可能吸收有機材料發出的 光一極體元件的發光效率；本發明因為 發光效率較習知技術為佳。 “ (2 )相較於習知技術之增加額外的結構 ，困難、徒增成本及減低單位時間的產 調整有機層與透明陽極電極的厚度， 射光線干擾的缺點，以提昇顯示ί的對 本發明雖以較佳實例闡明如上，鈇 ::精神與發明實體僅止於上述實施二 本發明之精神與範圍内所作之修改， 申請專利範圍内。 ^ 成。接著依序形成 緩衝層5 8、透明電 L此有機發光二極 度Ρ，使得由半透 射光500 ’與由金 3者產生180度的相 光的反射，達到提 (b 1 ack cathode 到降低外界入射光 光’減低了有機發 沒有這層結構，故 ’不僅增加製程上 量；本發明則藉由 可達到降低外界入 比。 其並非用以限定本 爾。是以’在不脫 均應包含在下述之 200412191
合所附圖示，將可輕易的了解 優點，其中： 之有機發光二極體元件基本結 的基本結構； 第三圖為根據本發明第一實 板截面圖； 藉由以下詳細之描述結 上述内容及此項發明之諸多 第一圖為底部發光方式 構； 第二圖為習知技術之底部發氺 丄，丨… 〜先式有機發光二極體元件 施例形成金屬反射層的基
第四圖為根據本發明第一 件的基本結構； 實施例之有機發光二極體元 第五圖為根據本發 截面圖；以及 第六圖為根據本發 件的基本結構。 明第二實施例形成金屬陽極的基板 明第二實施例之有機發光二極體元 圖號對照表： 1 〇、1 8透明基板 14 ' 22 ' 36、W 有機層 24、38、56半透明電子注 3 0、5 G基板 4 0、5 8緩衝層 5 2金屬陽極 12、20、34透明陽極 1 6、2 8金屬陰極 入陰極層26 干涉層 32金屬反射層 42、60透明電極 100、40 0外界入射光 線
第13頁 200412191 圖式簡單說明 3 0 0、6 0 0 第二反射光 第14頁
Claims (1)
- 200412191 六、申請專利範圍 1 * 一種能降低外界光線反射之有機發光二極體之製 作方法，該方法至少包含下列步驟： 提供一基板； 形成一金屬反射層於該基板上； 形成一透明陽極電極於該金屬反射層上； 形成一有機層於該透明陽極電極上； 形成一半透明電子注入陰極層於該有機層上； 形成一緩衝層於該半透明電子注入陰極層上；以及 形成一透明電極於該緩衝層上丨 =I，藉由調整該有機層及該透明陽極電極的厚度，使得 外界的入射光照射至該半透明電子注入陰極層反射之 ^ ^ ^ ^與照射至该金屬反射層反射的第二反射光， 夕卜；的相位差，並造成破壞性干涉，進而降低 卜界先的反射，提昇有機發光二極體的對比。 # 1女士申。月專利麗圍第1項之方法，其中上述之緩衝層 係具有保護的功能，用以//、丫上之泼风曰 明電極時保護該有機Γ 于賤鍵（sputtering)該透 3 ·如申請專利範圍第1 >丄 電子注入陰極層之厚度約』。員^ 極體之製 4 · 一種能降低外界光绩$ ^ 作方法，該方法至少包含下射之有機發 乂 ι 3下列步驟：200412191提供一基板； 形成一金屬陽極於該基板上； 形成一有機層於該金屬陽極上； 形成一半透明電子注入陰極層於該有機層上； 形成一緩衝層於該半透明電子注入陰極層上；以及 形成一透明電極於該緩衝層上；^中，藉由調整該有機層及該透明陽極電極的厚度，使得 2外界的人射光照射至該半透明電子注人陰極層反射之 一反射光，與照射至該金屬反射層反射的第二反射光， =者產生1 8 0度的相位差，並造成破壞性干涉，進而降低 外界光的反射，提昇有機發光二極體的對比。 5·如广請專利範圍第4項之方法，其中上述之緩衝層 糸具有保護的功能，用以在進行濺鍍（sputtering )該透 明電極時保護該有機層。 ^ 6·如申請專利範圍第1項之方法，其中上述之半透明 電子注入陰極層之厚度約為〇· 5〜5nm。 • 一種能降低外界光線反射之有機發光二極體結 構’該結構至少包含·· 一基板； 一金屬反射層，係形成於該基板上； 一透明陽極電極，係形成於該金屬反射層上；第16頁 200412191 六、申請專利範圍 一有機層，係製作於該透明陽極電極上； 一半透明電子注入陰極層，係形成於該有機層上· 声ϋ作於該半透明電子注入陰極；h具有保 曼茨有機層的功能；以及 I透明電極，係形成於該緩衝層上； ^ 藉由"周整^亥有機層及該透明陽極電極的厚度，使得 I# 一外界的入射光照射至該半透明電子注入陰極層反射之 反射光，與照射至該金屬反射層反射的第二反射光， 7者產生1 8 0度的相位差，並造成破壞性干涉，進而降低 外界光的反射’提昇有機發光二極體的對比。 8·如申請專利範圍第7項之有機發光二極體結構，其 中上述之半透明電子注入陰極層之厚度約g〇.5〜5nm。第17頁
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111725270A (zh) * | 2020-06-08 | 2020-09-29 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性显示面板及其制备方法 |
| CN114284451A (zh) * | 2021-12-17 | 2022-04-05 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板、显示装置及显示面板的制作方法 |
Families Citing this family (50)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7242140B2 (en) * | 2002-05-10 | 2007-07-10 | Seiko Epson Corporation | Light emitting apparatus including resin banks and electronic device having same |
| JP2004207084A (ja) | 2002-12-25 | 2004-07-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法 |
| US20050052119A1 (en) * | 2003-09-08 | 2005-03-10 | Gang Yu | Organic electronic device having low background luminescence |
| JP4797361B2 (ja) * | 2004-11-05 | 2011-10-19 | 富士電機株式会社 | 有機ｅｌ素子 |
| JP2008521165A (ja) * | 2004-11-16 | 2008-06-19 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 有機発光デバイス、それを製造するための方法、および複数の有機発光デバイスを備えるアレイ |
| US20070193624A1 (en) * | 2006-02-23 | 2007-08-23 | Guardian Industries Corp. | Indium zinc oxide based front contact for photovoltaic device and method of making same |
| JP2008047340A (ja) * | 2006-08-11 | 2008-02-28 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| TWI324491B (en) * | 2006-08-16 | 2010-05-01 | Au Optronics Corp | Low-reflection self-illumination unit display pixel structure |
| US20080105298A1 (en) * | 2006-11-02 | 2008-05-08 | Guardian Industries Corp. | Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same |
| US7964788B2 (en) * | 2006-11-02 | 2011-06-21 | Guardian Industries Corp. | Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same |
| US20080105293A1 (en) * | 2006-11-02 | 2008-05-08 | Guardian Industries Corp. | Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same |
| US8012317B2 (en) * | 2006-11-02 | 2011-09-06 | Guardian Industries Corp. | Front electrode including transparent conductive coating on patterned glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same |
| US8203073B2 (en) * | 2006-11-02 | 2012-06-19 | Guardian Industries Corp. | Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same |
| US20080178932A1 (en) * | 2006-11-02 | 2008-07-31 | Guardian Industries Corp. | Front electrode including transparent conductive coating on patterned glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same |
| US20080302414A1 (en) * | 2006-11-02 | 2008-12-11 | Den Boer Willem | Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same |
| US20080105299A1 (en) * | 2006-11-02 | 2008-05-08 | Guardian Industries Corp. | Front electrode with thin metal film layer and high work-function buffer layer for use in photovoltaic device and method of making same |
| US8076571B2 (en) * | 2006-11-02 | 2011-12-13 | Guardian Industries Corp. | Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same |
| US8334452B2 (en) * | 2007-01-08 | 2012-12-18 | Guardian Industries Corp. | Zinc oxide based front electrode doped with yttrium for use in photovoltaic device or the like |
| US20080169021A1 (en) * | 2007-01-16 | 2008-07-17 | Guardian Industries Corp. | Method of making TCO front electrode for use in photovoltaic device or the like |
| US7767253B2 (en) * | 2007-03-09 | 2010-08-03 | Guardian Industries Corp. | Method of making a photovoltaic device with antireflective coating |
| US20080223430A1 (en) * | 2007-03-14 | 2008-09-18 | Guardian Industries Corp. | Buffer layer for front electrode structure in photovoltaic device or the like |
| US8237047B2 (en) * | 2007-05-01 | 2012-08-07 | Guardian Industries Corp. | Method of making a photovoltaic device or front substrate for use in same with scratch-resistant coating and resulting product |
| US20080295884A1 (en) * | 2007-05-29 | 2008-12-04 | Sharma Pramod K | Method of making a photovoltaic device or front substrate with barrier layer for use in same and resulting product |
| US20080308145A1 (en) * | 2007-06-12 | 2008-12-18 | Guardian Industries Corp | Front electrode including transparent conductive coating on etched glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same |
| US20080308146A1 (en) * | 2007-06-14 | 2008-12-18 | Guardian Industries Corp. | Front electrode including pyrolytic transparent conductive coating on textured glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same |
| KR100838088B1 (ko) | 2007-07-03 | 2008-06-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
| DE102007041896A1 (de) * | 2007-09-04 | 2009-03-05 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements |
| US7888594B2 (en) * | 2007-11-20 | 2011-02-15 | Guardian Industries Corp. | Photovoltaic device including front electrode having titanium oxide inclusive layer with high refractive index |
| KR101382783B1 (ko) * | 2007-11-30 | 2014-04-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
| US8114472B2 (en) * | 2008-01-08 | 2012-02-14 | Guardian Industries Corp. | Method of making a temperable antiglare coating, and resulting products containing the same |
| US20090194155A1 (en) * | 2008-02-01 | 2009-08-06 | Guardian Industries Corp. | Front electrode having etched surface for use in photovoltaic device and method of making same |
| US20090194157A1 (en) * | 2008-02-01 | 2009-08-06 | Guardian Industries Corp. | Front electrode having etched surface for use in photovoltaic device and method of making same |
| CN101345292B (zh) * | 2008-05-29 | 2012-01-04 | 清华大学 | 一种顶发光oled显示器件及其制备方法 |
| US8022291B2 (en) * | 2008-10-15 | 2011-09-20 | Guardian Industries Corp. | Method of making front electrode of photovoltaic device having etched surface and corresponding photovoltaic device |
| KR101156428B1 (ko) * | 2009-06-01 | 2012-06-18 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 소자 |
| US8580353B2 (en) * | 2010-07-08 | 2013-11-12 | Applied Vacuum Coating Technologies Co., Ltd. | Method for treating surface of glass substrate and apparatus for performing same |
| CN104137287B (zh) * | 2010-10-15 | 2017-04-26 | 密歇根大学董事会 | 用于控制光伏器件中光活性层的外延生长的材料 |
| JP5955014B2 (ja) * | 2011-02-14 | 2016-07-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光モジュール、発光パネルおよび照明装置 |
| CN104183748A (zh) * | 2013-05-22 | 2014-12-03 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 有机电致发光装置、显示屏及其终端 |
| KR102132464B1 (ko) | 2013-06-07 | 2020-07-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR102080131B1 (ko) | 2013-06-17 | 2020-04-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR102084715B1 (ko) | 2013-06-18 | 2020-03-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR102090713B1 (ko) | 2013-06-25 | 2020-03-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 가요성 표시 패널 및 상기 가요성 표시 패널의 제조 방법 |
| KR102068341B1 (ko) | 2013-07-10 | 2020-01-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 터치 스크린 패널 일체형 표시장치 |
| KR102260991B1 (ko) | 2014-02-14 | 2021-06-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 및 이의 제조 방법 |
| KR102265751B1 (ko) | 2014-08-22 | 2021-06-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR102329809B1 (ko) * | 2014-10-08 | 2021-11-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| US9680132B1 (en) | 2015-11-30 | 2017-06-13 | Industrial Technology Research Institute | Display device and optical film |
| KR102608418B1 (ko) * | 2016-07-13 | 2023-12-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| CN109148536B (zh) * | 2018-08-22 | 2022-02-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 子像素结构及制作方法、阵列基板、显示装置 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6248458B1 (en) * | 1997-11-17 | 2001-06-19 | Lg Electronics Inc. | Organic electroluminescent device with improved long-term stability |
| US6339290B1 (en) * | 1998-08-21 | 2002-01-15 | Tdk Corporation | Organic electroluminescent device and making method |
| US6551725B2 (en) * | 2001-02-28 | 2003-04-22 | Eastman Kodak Company | Inorganic buffer structure for organic light-emitting diode devices |
| US6513451B2 (en) * | 2001-04-20 | 2003-02-04 | Eastman Kodak Company | Controlling the thickness of an organic layer in an organic light-emiting device |
| US6736986B2 (en) * | 2001-09-20 | 2004-05-18 | Heliovolt Corporation | Chemical synthesis of layers, coatings or films using surfactants |
| US6500733B1 (en) * | 2001-09-20 | 2002-12-31 | Heliovolt Corporation | Synthesis of layers, coatings or films using precursor layer exerted pressure containment |
| US7956349B2 (en) * | 2001-12-05 | 2011-06-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic semiconductor element |
| KR100474891B1 (ko) * | 2001-12-20 | 2005-03-08 | 엘지전자 주식회사 | 유기 ｅｌ 디스플레이 소자 |
| US6815723B2 (en) * | 2001-12-28 | 2004-11-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, method of manufacturing the same, and manufacturing apparatus therefor |
| US20030224204A1 (en) * | 2002-06-03 | 2003-12-04 | Eastman Kodak Company | Sputtered cathode for an organic light-emitting device having an alkali metal compound in the device structure |
| US6797129B2 (en) * | 2002-06-03 | 2004-09-28 | Eastman Kodak Company | Organic light-emitting device structure using metal cathode sputtering |
-
2002
- 2002-12-25 TW TW091137342A patent/TWI232066B/zh not_active IP Right Cessation
-
2003
- 2003-04-22 US US10/419,903 patent/US6876018B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2005
- 2005-02-17 US US11/059,404 patent/US6989280B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111725270A (zh) * | 2020-06-08 | 2020-09-29 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性显示面板及其制备方法 |
| CN114284451A (zh) * | 2021-12-17 | 2022-04-05 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板、显示装置及显示面板的制作方法 |
Also Published As
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|---|---|
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| US6876018B2 (en) | 2005-04-05 |
| US20040124432A1 (en) | 2004-07-01 |
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