TW200409165A - Plasma display panel - Google Patents

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200409165 玖、發明說明： I：發明戶斤屬之技術領域3 技術領域 本發明係有關於一種用於顯示裝置等之電漿顯示面 5 板，特別是有關於一種可抑制長期驅動時之晝質劣化之技 術。 L先前技術]1 背景技術 近年來，顯示器被要求趨於高精細化、大晝面化及平 10 面化，故而開發各種顯示器。其中，尤以電漿顯示面板（以 下稱為『PDP』）等氣體放電面板為代表而廣受注目。 PDP中係構成如下，即，前面面板與背面面板係於其 間挾有間壁而相對配置，並以各自之外周部密封，且於形 成在兩面板間之空間（放電空間）中封入放電氣體（如 15 53.2〜79.8kPa之Ne〜Xe系氣體）。前面面板具有前面玻璃基 板、形成於其該前面玻璃基板面上且呈直條狀之多數顯示 電極、將其覆蓋之介電體玻璃層以及覆蓋在介電體玻璃層 之介電體保護層（MgO)。 另一方面，背面面板則具有：背面玻璃基板、形成在 20 該背面玻璃基板面上且呈直條狀之多數位址電極、將其覆 蓋之介電體玻璃層以及於介電體玻璃層上方且立設於各位 址電極間之間壁。此外，背面面板上，以相鄰之間壁與介 電體玻璃層形成之溝部份中，則有紅(R)、綠(G)及藍(B)等 各色螢光體層形成於壁面上。一般而言，構成各色螢光體 5 200409165 層之螢光體中，紅色係使用Y2〇3: Ειι，綠色係使用zn2Si〇4 : Μη，而藍色則使用BaMgAhoOp: Eu2+等。其中，為使驅動 時面板之免度提高，’綠色螢光體有時係使用組成中含有石夕 (Si)者。 前述PDP基本上係以點亮/非點亮之2值加以驅動，因此 使用如下方式，即，針對各色將丨幀分割為多數子幀後，將 點亮時間作時序分割，再藉其組合來表現中間灰階（幀内時 序分割灰階表示方式）者。而各子幀則藉ADS(Address Display-Peri〇d Separation)方式使面板顯示影像，且該方式 係由對欲使其點亮之放電胞元進行寫入之位址期間與於位 址期間後維持放電之維持顧等—連串動作所構成。 =則述般，PDP於發光驅動時，被選出之胞元之介電 體保護層表面將於位址㈣形㈣電荷，再於維持期間產 15 以藉此進行影像之顯示，但μ荷之蓄積量將受 :呆護層之阻抗影響。因此，無論介電體之阻抗較預 2 氏或反之為高，於維持期間均無法產生正常之放 有產生所謂黑雜訊之情形。此外，城過高時，為 、、，’，期間產生玫電，必須施加高電壓n肖 增0 20

有鑑於此而開發出如下技術（特開平1〇_3348〇9 Ρ於u電體保護層中添加Si等IV族元辛及 袖^紐㈣讀域麵^藉此(使 =保達層之阻抗呈所需之值，而可將介電體保護層之 放出特性設為最適者。 6 毛但就PDP而言，於多數放電胞元内之—部份中，可能 ^生：隨驅動時間經過’介電體層之阻抗由初期設定值逐 《生艾化之問題。介電體保護層之阻抗若如此這般隨著 驅動時間經過而變動，則驅動趨於長_，欲使維持期間 ，點党之放電胞元將*產生放電，而終至發生所謂之黑雜 ::而此種現象正如前述公報所揭示之pDp般即使於製 造時添加料至介電體保護層中，同樣地可能發生此種現 象。 ί 明内】 發明之揭示 ^本發明即為解決前述課題而生者，目的在於提供一種 電漿顯示面板，其除面板整體獲得較高之發光亮度外，且 即使驅動時間經過亦可抑·介電體保護層之阻抗變動所 弓丨起之黑雜訊，因而無論驅動時間長短均可維持高畫質。 本案發明人發現，前述習知pDp於長期驅動時發生顯 著黑雜訊之原因係在於：於驅動時，Si、鋅(Zn)、氧(〇)及 Mn等70素將朝介電體保護層之表面附著。這些成為黑雜訊 發生原因之元素於PDp製造階段中主要係包含在螢光體層 中’因觉到驅動時放電之影響而飛散至放電空間中，進而 附著至介電體保護層之表面。該等元素逐漸地附著至界點 體保4層之表面，於其附著量到達一定程度時，介電體保 4層之阻抗將逸脫原本應有之範圍。 此外’介電體保護層之阻抗將因所構成之各螢光體之 組成等不同而於R、G、B之各放電胞元間具有偏差而變動， 因此’即使調整驅動電壓等亦無法抑制面板整體產生黑雜 訊。 土；）述研九開發所得之各事項，本發明之旨趣即在 於·將PDP驅動趨於長期時之介電體保護層之阻抗變動加 乂控制α便可藉调整驅動方法等來抑制黑雜訊之發生。 具體言之，係以如下所示之結構為特徵。 ⑴種PDP，其_對之基板係以基板間具有放電空間 U相對配置’且形成有面臨該放電空間之Mg〇所構 成之介電體保護層與紅色、綠色及藍色之各螢光體層；其 特徵在於：構成3色所有螢光體層的各螢光體之組成中，並 未含有IV族元素。 ^前述⑴之PDP中，因3色所有之螢光體於其組成中不含 IV族元素，故即使驅動趨於長期時，⑽騎由各勞光體 層朝放電^間巾飛散之現象被抑制而較少，使附著於介電 體保護層表面之職元素量較少。財之，即使螢光體層 中螢光體以外之部分添加有不純物程度之ιν族元素，因勞 光體層中佔質s比最大部分之螢光體於其組成中不含以族 元素，對介電體層之放電特性可謂無實質上之影響。因此， 本發明之PDP於設計階段設定之介電體保護層之阻抗不致 因驅動而產生變化。 因此，就前述（1)之PDP而言，僅需預先於設計階段時 將’丨私體保護層之阻抗設定在適切範圍内，於驅動中便不 致使黑雜訊之發生狀況增加，而即使在驅動趨於長期時亦 不易引起黑雜訊所致之畫質劣化。 人（2)於m述（1)之PDP中，若不僅令構成要素之螢光體不 ^IV私元素’而使螢光體之所有構成要素均不含IV族元 素’則可使因驅動而起之介電體保護層之放電特性變化趨 於〇，故甚為理想。 (3)種PDP ’其一對之基板係以基板間具有放電空間 狀〜、而相對配置’且形成有面臨該放電空間之所構 成^介電體保制與紅色、綠色域色之各螢紐層；其 特欲在於· 3色所有之螢光體層中均含有IV族元素。 刖述(3)之PDP中，3色所有之螢光體層均含有族元 素IV^元素雖將因驅動放電而從各螢光體層對放電空間 飛散，但因使3色螢光體均含IV族元素，故可令3色勞光體 層之1% π素層的IV族元素飛散特性相同。藉此，於此爾 中，雖因驅動而使1V族元素飛散，但所有放電胞元中之介 電體保護層之表面均相同地附著有IV族元素。因此，（3)之 PDP中，可使對應於R、G、B各色放電胞元之介電體保護 層之阻抗的經時變化方向性整體一致。 此外，（3)之PDP因螢光體層中含有㈣矣元素於驅動 時從螢光體層飛散至放電㈣之⑽元素將附著至介電體 保護層表面，藉此可獲得使每—脈衝之實質放電時間延長 之效果。因此，料紐層中完衫含IV族元素時相較下: 可使面板之發光亮度提高。故就(3)之pDp而言可先預， 經時性之阻抗收束再經時性地難㈣錢，藉此^ 黑雜訊發生。 P刺 因此，本發明之PDP除可使螢光體層含有以族元素以 200409165 謀求面板發光亮度之提高外，即使驅動趨於長期時亦可維 持優異之畫質。 ' ⑷於月’j述⑺之PDP中，若令所有螢光體層中之以族元 素含有率於5000(質量ppm)以下之範圍内，則可使因驅動而 5起之介電體保護層之阻抗變動與設置實質上完全不含^元 素之螢光體層時相同，故甚為理想。此外，⑷之pDp因所 有之榮光體層均含有微量之IV族元素，而可使面板維持高 度之發光亮度。 此外，將IV族元素之含有率定於5000(質量㈣以下較 · 10為理想之理由則於後述之確認實驗中確認。 (5)IV私元素含有率雖如前述般宜於5〇〇〇(質量卯切）以 下’但為獲得含微量IV族元素所能獲致之亮度提高效果， 其下限宜令為100(質量ppm)。 ⑹前述(3)之PDP宜構成如下，即，使構成3色營光體層 15内至少1色螢光體層之螢光體係使用組成中含有ιν族元素 者。換言之，若使螢光體之組成中含有IV族元素，就下述 觀點看來甚為理想。 舉例言之’於形成螢光體層之過程中，使異物混入鸯 光體糊時，若混合之程序未療完全，則可能發生異物之分 20布狀態在混合容器之上下等處呈不同狀態。此外，一般而 言，於培燒程序中，異物之分布比率具有在層之表面部分 較小而在層内部增大之傾向。若如前述般，異物之分布比 率在螢光體層之厚度方向上產生偏差，則PDP之驅動趨於 長期時’介電體保護層之阻抗將無法安定，而於面内產生 10 偏差，且亦於基板間產生偏差。 相對於此，若如前述(6)之PDP般，螢光體之組成中含 有IV族元素時，使添加物之IV族元素與螢光體之量成比例 存在，可獲得大幅減輕前述問題之效果。 (7)如岫述(3)之PDP，其特徵在於：令前述所有螢光體 層中之I v族元素含有率為丨00(質量ppm)以上且5 〇〇〇〇(質量 ppm)以下，且在各螢光體層中相互大致相同。 就（7)之PDP而言，各螢光體層中係以1〇〇(質量卯㈤）以 上且50000(質量ppm)w下之比例含有…族元素而該含有 率與刖述⑷之PDP之含有率相較下，上限約為1〇倍，故以 面板發光亮度之面看來甚為優異。 此外，於(7)之PDP中，HJR、G、B各色螢光體層中之 IV族含有率大致相同，故於驅動趨於長期時，可使介電體 保護層之阻抗更為平均地收束。藉此，⑺之㈣較前述(3) 之PDP可更容易調整預先設定之經時性驅動電壓，而更有 效果地抑制黑雜訊之發生。 因此，本發明之PDP可維持面板之高發光亮度，而於 驅動初期至長期驅動時可維持優良畫f之點上更為優里。 ⑻於前述⑺之PDP中，若縣將含有率之偏^丁於 20000(質量ppm)以内，以阻抗收束性之面看來較為理相。 (9)如前述⑺之PDP ’其特徵在於：構成財螢光體層 之各螢光體係使用在組成中選擇性地合右 也各有IV族元素者。該 股除具有前述⑺之優異性外，更—併具有⑹之優里性。 ⑽於前述⑼之PDP巾，錢所衫域層巾之榮光體 200409165 係使用選自於組成中含有相同之1v族元素者，則從可使介 電體保護層之阻抗變動的方向性一致之觀點看來較為理 想。 (11) 於前述（1)或（3)之PDP中，若採用元素， 5則從提高面板發光亮度及抑制黑雜訊發生之二觀點看來甚 為理想。 (12) 於前述（11)之PDP中，可令具體之螢光體組成呈： 紅色為Y2Si〇5 : Eu，綠色為Zn2Si04 ·· Μη，藍色為丫说〇 · Ce。 10 (13)於前述(3)之PDP中，即使各螢光體層中Iv族元素 係含於螢光體以外之化合物中，亦可獲得同樣之效果。 如前所述，可將螢光體層中之IV族元素含有率定於前 述各數值（亦包含含有率為Oppm，即，不含iv族元素之产 況），藉此於提高面板發光亮度之同時，並可再跨長期驅動 15面板時抑制黑雜訊之發生。而除規定螢光體層中之Iv族元 素含有率外，可藉規定含有率以獲得前述優異性之情形尚 有：規定過渡金屬（W、Mn、Fe、Co、Ni)、驗金屬、驗土 類金屬（但]Vig除外）之含有率。以下（14)〜(34)即係針對此等 而加以記述者。 20 (丨句一種PDP，其一對之基板係以基板間具有放電空間 之狀態而相對配置，且形成有面臨該放電空間之Mg〇所構 成之介電體保護層與紅色、綠色及藍色之各螢光體層；其 特徵在於：構成3色所有螢光體層的各螢光體係在組成中不 含W、Mn、Fe、Co及Ni中之任一者。 12 200409165 (15) 如前述（14)之PDP，其特徵在於：所有之螢光體層 係各僅由不含W、Mn、Fe、Co及Ni中之任一者的物質所構 成。 (16) —種PDP，其一對之基板係以基板間具有放電空間 5 之狀態而相對配置，且形成有面臨該放電空間之MgO所構 成之介電體保護層與紅色、綠色及藍色之各螢光體層·，其 特徵在於：3色所有之螢光體層中均含有過渡金屬。 (17) 如前述（16)之PDP，其特徵在於：所有螢光體層中 之過渡金屬含有率為30000(質量ppm)以下。 1〇 (18)如前述(16)之PDP，其特徵在於：所有螢光體層中 之過渡金屬含有率為500(質量ppm)以上且3〇〇〇〇(質量ppm) 以下。 (19) 如前述（16)項之PDP，其特徵在於：3色螢光體層 内，至少構成1色螢光體層之螢光體係使用組成中含有過渡 15金屬者。 (20) 如前述（16)之PDP，其特徵在於：過渡金屬為選自 W、Mn、Fe、Co及Ni中之至少一種。 (21) 如前述(20)之PDP，其特徵在於：所有螢光體層中 之過渡金屬含有率為300(質量ppm)以上且12〇〇〇〇(質量ppm) 20 以下，且在各螢光體層中彼此大致相同。 (22) 如前述(21)之PDP，其特徵在於··所有螢光體層中 所含前述過渡金屬係在各色螢光體層間呈40000(質量ppm) 以内之比例偏差。 (23) 如前述(21)之PDP ’其特徵在於：構成所有螢光體 13 200409165 層之各勞光體係選擇性地使用在組成中含有過渡金屬者。 (24) 如W述(23)之PDP，其特徵在於：各螢光體在組成 中所含之過渡金屬在所有螢光體層内為同一者。 (25) -種PDP ’其-對之基板係以基板間具有放電空間 5之狀怨而相對配置，且形成有面臨該放電空間之MgO所構 成之介電體保護層與紅色、綠色及藍色之各螢光體層；其 特徵在於.構成3色所有螢光體層之各螢光體於其組成中不 含驗金屬及驗土類金屬（但Mg除外）中之任一者。 (26) 如前述(25)之PDP，其特徵在於：所有之螢光體層 10係各僅由不含鹼金屬及鹼土類金屬（但Mg除外）之物質所構 成。 (27) —種PDP ’其一對之基板係以基板間具有放電空間 之狀態而相對配置，且形成有面臨該放電空間之Mg〇所構 成之介電體保護層與紅色、綠色及藍色之各螢光體層；盆 15特徵在於：所有螢光體層中均含有鹼金屬及鹼土類金屬（但 Mg除外）中之至少一者。 (28) 如前述(27)之PDP，其特徵在於：所有螢光體層中 之驗金屬及驗土類金屬（但Mg除外）之總含有率為6〇〇〇〇(質 量ppm)以下。 2〇 (29)如前述(27)之PDP，其特徵在於··所有螢光體層中 之驗金屬及驗土類金屬（但Mg除外）之總含有率為ι〇〇〇(質 量ppm)以上且60000(質量ppm)以下。 (30)如前述(29)之PDP，其特徵在於：3色螢光體層内， 至少構成1色螢光體層之螢光體係使用在組成中含有驗金 14 200409165 屬及鹼土類金屬（但Mg除外）中之至少一者。 (31) 如前述(27)之PDP ’其特徵在於：所有螢光體層中 之鹼金屬及鹼土類金屬（Mg除外）之總含有率為3〇〇(質量 ppm)以上且120000(質量ppm)以下，且在各螢光體層中大致 5 彼此相同。 (32) 如前述(31)之PDP，其特徵在於：所有螢光體層中 所含驗金屬及驗土類金屬（但Mg除外）係在各色螢光體声間 呈總計40000(質量ppm)以内之比例偏差 (33) 如前述(31)之PDP，其特徵在於··構成所有螢光體 10層之各螢光體係選擇性地使用在組成中含有鹼金屬或驗土 類金屬（但Mg除外)者。 (34) 如前述(31)之PDP，其特徵在於：所有榮光體層中 含有相同之鹼金屬及鹼土類金屬（但Mg除外）中之至少一 者0 15 此外，若就前述（1)、（14)及(25)之各PDP加以思考，可 知呈如下結構之PDP亦可獲得與前述PDP相同之效果。 (35) —種PDP，其一對之基板係以基板間具有放電空間 之狀態而相對配置，且形成有面臨該放電空間之MgO所構 成之介電體保護層與紅色、綠色及藍色之各螢光體層；其 20 特徵在於··構成3色所有螢光體層之各螢光體於組成中未含 IV元素、w、Mn、Fe、Co、Ni、鹼金屬及鹼土類金屬（但 Mg除外）中之任一者。 (36) 如前述(35)之PDP，其特徵在於··所有之螢光體層 係各僅由不含IV族元素、W、Mn、Fe、Co、Ni、驗金屬及 15 200409165 鹼土類金屬（但Mg除外）之中任一者的物質所構成。 (37) 如前述(1)、（3)、（Η)、（16)、（25)、（27)及(35)之PDP， 其特徵在於：前述介電體保護層中含有1▽族元素。 (38) 如前述(37)之電漿顯示面板’其特徵在於··前述介 5電體保護層中之IV族元素含有率為5〇〇(質量ppm)以上且 2000(質量ppm)以下。 (39) 如前述(1)、（3)、（14)、（16)、（25)、（27)及(35)之PDP， 其特徵在於：前述介電體保護層中含有過渡金屬。 (40) 如前述(39)之PDP，其特徵在於：前述介電體保護 10層中之過渡金屬含有率為1500(質量PPm)以上且6000(質量 ppm)以下。 (41) 如前述（1)、（3)、（14)、（16)、（25)、（27)及(35)之PDP， 其特徵在於：前述介電體保護層中含有鹼金屬及鹼土類金 屬中之至少一者。此外，前述介電體保護層可含之元素内， 15鹼土類金屬含有係介電體保護層主要構成要素之MgO的 Mg ;但，在此稱含有驗土類金屬係指：包含與該Mg不同種 類之元素之意。 更可構成如下： (42) 如前述(3)、（16)及(27)之PDP，其特徵在於：前述 2〇 螢光體層中放電空間側之面的至少部分領域係彼覆有一紫 外線穿透率於8〇(%)以上之螢光體保護膜，該螢光體保護膜 具有以下機能，即：既使在發光驅動而產生放電時，亦可 抑制元素飛散至放電空間中，而前述元素係構成該螢光體 層之元素之中將讓前述介電體保護層所具有之放電特性劣 16 200409165 化者。 就(42)之PDP而言，因介電體保護層螢光體層中放電空 間側之面的至少部分領域披覆有一螢光體保護膜，故於該 彼覆之領域内不致因驅動時之放電而使前述元素（如IV族 5元素、過渡金屬、鹼金屬、鹼土類金屬（但Mg除外）等）飛散 至放電空間中。因此，（42)之PDP即使於長期驅動後，亦可 維持於設計階段所設定之介電體保護層之放電特性（阻 抗）’而可於驅動趨於長期時抑制因發生黑雜訊而引起之畫 質劣化。 10 此外，（42)之PDP中之螢光體保護膜因形成為可確保 8〇(%)以上之紫外線穿透率，故放電空間所產生之紫外線被 螢光體保護膜遮蔽之比例甚少，即使驅動初期之面板發光 党度降低少許，但其抑制長期驅動時發生黑雜訊之效果甚 大。 15 因此，（42)之1>]01>除可使面板全體維持高發光亮度外， 且驅動趨於長期時亦少發生黑雜訊，而可維持優異之畫質。 此外，就本發明相關PDP之結構看來，即使在紅 綠（G)、藍(B)三色螢光體層並未全部含有以族元素、過渡 金屬、鹼金屬、鹼土類金屬（但Mg除外）等元素時亦可達到 20效果。舉例言之，即使於僅有G螢光體層含有以族元素之 Si等而其他螢光體層則未含前述元素時，若令其呈以螢光 體保護膜披覆至少G螢光體層放電空間側之面的結構，則面 板整體並不致因驅動而使IV族元素飛散至放電空間中。 另，該PDP係於G螢光體層中含IV族元素等，R、g、b所有 17 200409165 之放電胞元之驅動初期發光亮度高，且因形成有螢光體保 護膜’而可抑制長期驅動時發生黑雜訊。因此，該PDP無 論從驅動初期或驅動趨至長期時，均可維持設計時所設定 之高畫質。 5 (43)如(42)之PDP，其特徵在於：螢光體保護膜係彼覆

在螢光體層之放電側之面上，且該螢光體層含有1000(質量 ppm)以上之IV族元素、30000(質量ppm)以上之過渡金屬以 及60000(質量ppm)以上之鹼金族或鹼土類金屬（但Mg除外） 中之至少一種。如前述般，可以螢光體保護膜將含有高比 10率前述元素之螢光體層加以彼覆，藉此可同時達成提高面 板發光亮度及抑制黑雜訊產生之效果，故更為理想。 (44) 如（42)之I>DP，其特徵在於：前述螢光體保護膜係 彼覆在所有螢光體層之表面。 (45) 如（42)之PDP，其特徵在於：前述螢光體保護膜係 15 以MgF2為主成分而構成者。

(46) 如（42)之PDP，其特徵在於：前述螢光體保護膜具 有MgO為主成分之第丨層與MgF2為主成分之第2層的層積 結構’且該第1層係形成呈面臨放電空間者。 若如（46)之PDP般，將Mg〇所構成之第_己置在放電 20空間側且將MgF2所構成之第2層配署+妓上祕店 r _ ^日把置在螢光體層側，則可提 咼放電時螢光體保護膜本身之耐 了，賤鍍性，亦可將整體膜厚 設定為較薄。 第1層之厚度較前述第 (47)如（46)之PDP，其特徵在於： 2層之厚度為薄。 18 200409165 如此這般將第1層之厚度設定較第2層之厚度為薄，可 同時謀求螢光體保護層之高穿透性及耐濺錄性而甚為理 想。 圖式簡單說明 5 第1圖係相關於實施形態1之PDP1的要部立體圖(部分截面圖）。 弟2(a)、2(b)圖係一概略圖’用以顯示確認實驗時測定介電體 保護層阻抗之裝置結構。 第3(a)、3(b)圖係一概略圖，用以顯示確認實驗時劣化加速試 驗裝置之結構。 10 第4圖係一特性圖，用以顯示劣化試驗時間與介電體保護層之 阻抗以及發光亮度間之關係。 第5圖係一特性圖，用以顯示螢光體層中別之含有率與劣化加 速試驗後介電體保護層之阻抗間之關係。 第6圖係一特性圖，用以顯示螢光體層中|之含有率與劣化加 15 速試驗後介電體保護層之阻抗間之關係。 第7圖係實施形態3相關之pDP3的要部立體圖(部分截面圖）。 第8圖係實施形態4相關之PDP4的要部立體圖(部分截面圖）。 I：實施方式j 用以實施發明之最佳形態 20 (實施形態1) 1-1· PDP之結構 以下’就本發明實施形態相關之AC型PDP(以下僅稱為 「PDP」）1之結構，參照第1圖之同時加以說明。第1圖係挑 出PDP1之要部而加以圖示之要部立體圖。於此，pDpi係一 19 200409165 具有適於40英忖等級VGA之樣式的面板，但本發明並不受 此限。 如第1圖所示般，PDP1係由隔有間隔而相對配置之前 面面板10及背面面板20所構成。 5 顯示電極12(掃描電極12a及維持電極12b)係呈條狀地 形成在即將成為前面面板10之基板的前面玻璃基板11上。 形成有顯示電極12之前面玻璃基板11之面上則形成有包覆 整體之介電體玻璃層13,且更於其上形成介電體保護層14。 此外，雖未圖示，但顯示電極12具有如下結構，即， 10於透明電極膜(ITO等）所構成之下層上，層積有Ag細線之匯 流線。 另一方面，位址電極22係呈條狀地形成在即將成為背 面面板20之基板的背面玻璃基板21上。形成有位址電極22 之月面玻璃基板21之面上則形成有包覆整體之介電體玻璃 15層23。其次，介電體玻璃層23上則突設有間壁24，該間壁 24係配合相鄰之位址電極22與位址電極22間之間隙而設 者。此外，介電體玻璃層23與相鄰之2條間壁24所形成之溝 部分的壁面上則以每溝為別地形成紅(R)、綠(G)、藍之 螢光體層25R、25G及25B。 20 各色螢光體25R、25G、25B係具有下述者作為主成分 之螢光體，而下述者係於其組成中含1¥族元素之si。 紅色(R) : Y2Si〇5 : Eu 綠色(G) : Zn2Si04 : Μη 藍色(B) : Y2Si〇3 : Ce 20 200409165 前面面板10與背面面板20係配置在介電體保護層14與 螢光體層25R、25G、25B相對且顯示電極12與位址電極22 呈交叉之方向，而外周部分則以燒結玻料密封。 介電體保護層14、間壁24及螢光體層25R、25G、25B 5所包圍之放電空間30R、30G、30B中，係以預定之壓力（如 53.2〜79.8kPa)封入有由氦(He)、氙(Xe)、氖(Ne)等惰性氣體 成分構成之放電氣體。 鄰接之間壁24之間為放電空間3〇R、3〇g、30B，且一 對掃描電極12a及維持電極12b與一位址電極22挾放電空間 10 30R、30G、30B而交叉之領域係與顯示影像之胞元對應。 而相鄰之R、G、B三個胞元構成丨像素。本實施形態相關之 PDP1中，舉例言之，胞元間距在χ方向為1〇8〇(μιη)，在γ 方向為360(μηι)。而以相鄰之r、g、Β三胞元構成1像素（如 1080μηιχ 1080μιη)。 15 1·2· PDP1之製造方法 接著針對前述PDP1之製造方法加以說明。 (前面面板10之製作） 於鈉石灰玻璃構成之前面玻璃基板u(舉例言之，厚度 約2.6mm)之一主表面整體上，使用濺鍍法形成厚度約 20 0.12(μιη)之1T〇(氧化銦與氧化錫構成之透明導體）膜，再使 用微影成像法而形成為寬15〇(μηι)之條狀（間隔為 0.05mm)，形成電極下層（未圖示）。其次，全面性地於其上 塗佈感光性之銀(Ag)糊而形成膜後，使用微影成像法於前 述電極下層之上形成寬30(μηι)呈條狀之八§匯流線（未圖 21 200409165 示）。接著，以約550(°C)焙燒Ag匯流線，完成顯示電極12。 接著，於形成有顯示電極12之前面玻璃基板11之面 上’將已混入有機結合劑之糊塗佈整面；該有機結合劑係 由軟化點為550〜600(t：)之介電體玻璃粉（氧化鉛系或氧化 5 鉍系）與丁基卡必醇乙酸酯等構成者。接著，使其乾燥後， 以550〜650(。〇焙燒，而形成介電體玻璃層13。 其次，舉例言之，對前述介電體玻璃層13之表面使用 EB蒸錢法而形成厚度7〇〇(nm)之介電體保護層14。具體言 之’使用小球狀之MgO(平均粒徑3mm〜5mm，純度99.9%以 10 上)作為条鐘源’以皮爾斯式電子搶作為加熱源之反應性eb 蒸鍍法為準，於真空度：6·5χ l〇_3(pa)、氧氣導入量： l〇(Sccm)、氧氣分壓：90(%)以上、速率：2(nm/s)及基板溫 度· 15 0( C )專條件下進行。介電體保護層14之材料可從 MgO、MgF2及MgAlO中選出。 15 此外，除前述方法以外，亦可使用CVD(化學蒸鍍法) 等方法形成介電體保護層。 (背面面板20之製作） 於鈉石灰玻璃構成之背面玻璃基板21(舉例言之，厚度 約2.6mm)之一主表面整體上，塗佈感光性之銀(Ag)糊（厚度 20約5μιη)而形成膜後，使用微影成像法而成為條狀，再以約 550(°C)焙燒之，形成位址電極22。 其次，於形成有位址電極22之背面玻璃基板21之面 上，使用與前述前面面板10之介電體玻璃層13相同之方 法，形成介電體玻璃層23。但，形成背面面板2〇之介電體 22 200409165 破璃層23時，可使其中含有氧化鈦(Ti〇2)。 之後，使用鉛系玻璃材料製作破璃糊，再以網版印刷 法將其分數次而條狀地塗佈在介電體玻璃層23上，再進行 焙燒而形成間壁24。間壁24之形成部位為相鄰位址電極22 5與位址電極22之間，且其高度最終約為60〜lOOhm)。此外， 本實施形態中’構成間壁24之鉛系玻璃材料中若含有si， 則抑制介電體保護層14阻抗上升之效果提高，甚為理想。 再者，Si成分可含於玻璃之組成中，亦可添加在玻璃材料 中。 1〇 形成有間壁24之背面玻璃基板20上，因相鄰之2條間壁 24與介電體玻璃層23而形成有溝部，可將含前述各色螢光 體之邊光體墨水對該溝部分溝進行塗佈。 可於各分配器内放入50(質量％)之量的前述各螢光 體’再對其投入乙基纖維素：〇1(質量％)、溶劑（α _蔥品 15醇）· 49(質量％)，以輾輪式混砂機攪拌混合，將黏度調整 至15x l〇_3(Pa· s)以製作螢光體墨水。再將如此製得之螢光 體墨水分色注入連繫至泵之容器，利用泵之壓力，從口徑 60(μιη)之噴嘴噴射並塗佈於各間壁以間之溝部壁面上。螢 光體墨水之塗佈係使噴嘴沿間壁24之長向移動，而形成為 2〇 條狀。 於所有間壁24之間塗佈各色螢光體後，將背面玻璃基 板21以約500(°C)之程度焙燒10(min)程度，而形成螢光體層 25H、25G、25B。該等螢光體層25r、25G、25B所含之各 里光體中，全部含有Si且具有前述組成。 23 200409165 (PDP1之完成） 使用密封用玻璃將製得之前面面板10與背面面板20貼 合。之後，將放電空間30R、30G、30B之内部排氣至高真 空（l.Ox l(T4Pa)程度，再以預定之壓力（於此，舉例言之， 5 53.2〜79.8kPa)對其封入Ne-Xe系及He-Ne-Xe-Ar系等之放電 氣體。 10 15 20 至此，完成PDP1。 1-3· PDP1之基本動作 河述結構之PDP1係藉給電予顯示電極12及位址電極 22之未圖不之驅動部進行驅動。該驅動部係以〇N/〇FF之二 值控制來控制各胞元之發光，且為表現灰階，舉例言之， 將來自外部之輸入影像的時系列各.分割為6個子傾。各 子幢之亮度相對比率舉例言之可如i: 2:4:8:16:32般 成等比岐定各子_持(轉放電)之發光次數 。各子幀則 分配重設期間、他期間及維持期間。 一所明重.又期間係指為防止於此之前胞元點亮造成之影 響積之Μ荷所造成之影響），而進行消除畫面全體之壁、月化）之期間。對所有顯示電極12施加超過面放電起 始電壓之正極性重今矿 垔叹脈衝。此時，為防止背面面板20侧帶 電及離子衝擊，而對 > ’之位址電極22施加正極性脈衝。 因施加脈衝之上升盥 拼亡Γ 1+ ’所有胞元產生強烈之面放電， 所有放電胞元中之壁電非帶電狀態。 電何成乎元全消失’畫面整體-致為位址期間則係一 77割為子幀之影像信號為準而進行

24 200409165 被選擇胞元之定址(點亮/不點亮之設定）的期間。使掃描電 極12a對接地電位偏向正電位，再使所有維持電極12b偏向 負電位。於此狀態下，由面板上部頂端之線(與一對顯示電 極對應之杈列之放電胞元)起一線線地依序選擇各線，對 5相關維持電極12b施加負極性之掃描脈衝。此外，對與應點 亮之放電胞元對應之位址電極22施加正極性之位址脈衝。 疋址並不會發生放電，而僅有應點亮之放電胞元蓄積壁電 Λ务 何0 維持期間係一為確保對應灰階等級之亮度而維持所設 10定之點亮狀態的期間。為防止無謂之放電，使所有位址電 極22偏向正極性之電位，並對所有維持電極I2b施加正極性 之維持脈衝。之後，對掃描電極12a與維持電極12b交互施 加維持脈衝，而反覆進行預定期間放電。 此外，重設期間及位址期間之長度與亮度的強度無關 15而呈固定，但亮度的強度越大，維持期間之長度就越長。 意即，各子幀之顯示期間長度互為不同。 PDP1係如前述般藉R、G、B各色之子幀單位組合而實 現多色多灰階顯示。 1-4· PDP1具有之優異性 20 具有前述結構之本實施形態1之PDP1係於R、g、B各 色螢光體層25R、25G、25B中採用組成中含1¥族元素之矽 的螢光體，使各色螢光體層25R、25G、25B中之IV族元素 (Si元素）呈1〇0(質量ppm)以上50000(質量ppm)以下之比 率，且所有螢光體層25R、25G、25B含有相同之比例。藉 25 200409165 著採用此種技巧，可獲得使介電體保護層14之阻抗之經日夺 變化方向一致之效果。具體言之，將IV族元素添加至全榮 光體層25R、25G、25B中，藉此可於對應R、G、B所有顏 色之放電胞元中，使介電體保護層14之阻抗經時性地上# 5 至同一程度。因此，本實施形態1中，對應於所有r、G、B 各色之介電體保護層之阻抗經時變化量之偏差受到抑制， 且可使其變化之方向性在所有顏色上一致固定，因此，可 藉經時性地採用因應阻抗變化之驅動方法而抑制黑雜訊之 發生。 10 如前述般，舉例言之，PDP1可藉預測對應r、g、 色放電胞元之介電體保護層14之阻抗變化程度，再於製作 PDP1時預先將驅動電路側之電壓設定閾設定成高出若 干，或經時性地變更位址期間之施加電壓與維持期間之施 加電壓的平衡等，而在減低黑雜訊等良好影像顯示性能之 15持續上採取非常有效之對策。 此外，本發明係使^存在於螢光體之組成中，但除此 之外，亦可添加Si以外之Iv族元素、過渡金屬、鹼金屬、 驗土類金屬（但Mg除外），或可於形成介電體保護層14時於 勞光體外之層中添加該等元素。過渡金屬可得抑制介電體 20保護層14阻抗降低之效果。該等變化係於後述之各實施例 1-4中詳述。 1 - 5 ·確認貫驗 於此，製作前述實施形態1與本發明其他實施形態之各 實施例及對照例(PDP與測定用試料)後，再進行確認實驗。 26 ^U4U9165 (貫施例1) 兹針對本發明實施例1相關之PDP製作方法說明如下。 用於螢光體層之RGB各色螢光體中，紅色及藍色螢光 體係使用含Si之材料作為基材。 5 <實施例1之各色螢光體> 紅色螢光體：Y2Si05 : Eu 綠色螢光體：Zn2Si04 : Μη 藍色螢光體：Y2Si03 : Ce (對照例1) 10 此外，亦製作用以比較對照之實施例相關PDP。於此， 係使用如下所示之螢光體材料之組合。 〈對照例1之各色螢光體> 紅色螢光體：Y2〇3 : Eu3+ 綠色螢光體：Zn2Si04 : Μη 15 藍色螢光體：BaMgAl1C)〇17 : Eu2+ 其他程序則與實施形態1相同。特別是構成介電體保護 層之Mg〇，其係以前述可抑制不純物之方法（處理室内之Eb 蒸鍍法)形成者。 為調查前述實施例1之PDP之性能，而製作具有與該 20 PDP相同性能之阻抗測定用試料與長時間劣化試驗用試料。 (阻抗測定裝置及劣化加速試驗裝置） 首先，使用第2圖及第3圖，針對用於實驗之阻抗測定 裝置及劣化加速試驗裝置加以說明。 如第2(a)圖所示，阻抗測定裝置係由表面形成有IT〇構 27 200409165 成之電極112的玻璃基板111(50mmx 40mm)以及同樣在表 面形成有ITO所構成之電極122的玻璃基板121(50mmx 40mm)。玻璃基板111與玻璃基板121係以電極112與電極122 之間具有〇·7(μιη)之間隙而相對配置。電極U2與電極122之 5間，即為測定對象之介電體保護層130(厚度700nm)。 如第2(b)圖所示般，電極112係由均具蛇行圖樣之電極 112a及電極112b所構成。電極112a與電極112b間之間隙係 配合前述PDP1而為50(μηι)。電極112a、112b之一端形成有 矩形圖樣之接地，且其接續有與LCR計量器140連繫之導 10 線。 LCR計量器140亦與自形成在玻璃基板丨21表面全體之 電極線122延伸出的導線接續。 於前述裝置中，係使介電體保護層13〇以7〇〇(kPa)之壓 力挾入玻璃基板111與玻璃基板121之間，並以施加電壓： 15 Uv)且頻率：100(Hz)之條件進行阻抗之測定。 此外’阻抗之測定係於後述之劣化加速試驗之前後進 行。本案發明人對PDP發生黑雜訊之點加以考量檢討之結 果，該阻抗於220(kQ/cm2)以上340(kQ/cm2)以下為容許範 圍0 其次’如弟3(a)圖所示’劣化加速試驗裝置之玻璃基板 311係使用與前述阻測定裝置所用玻璃基板1U相同者。 即’玻璃基板311如第3(b)圖所示般，於其表面上形成有電 極312a、312b所構成之電極312。 ITO構成之電極322係遍佈玻璃基板321(50mmx 40mm) 28 200409165 表面全體而形成者，且介電體玻璃層323係形成為將其披覆 狀。而其表面上則形成具有後述特性之螢光體層325。此 外’該螢光體層325之面上形成有與PDP1之胞元尺寸 0.36(mm)對應之隔層（間壁)324。 5 使玻璃基板311與玻璃基板321於處理室300内以挾介 電體保護層130於其間之狀態重合，並施加重力。接著，使 用TMPMO使處理室300内呈高真空（約1·〇χ l〇、a)後，藉高 壓儲氣瓶360充填具有預定組成之放電氣體。 各電極312、322係接續至驅動電路340，且與pdpi施 10 加相同之脈衝。 前述狀態中，自驅動電路340連續施加一般Pdp所用驅 動頻率5倍頻率之脈衝，以實施劣化加速試驗。接著，對驅 動初期及劣化试驗後之各者評估其面板之晝質。而畫質之 評估係應用如下所示表1之基準。 【表1】

如表1所示，晝質之評估係以5階段評估進行，等級越 15 ^則表示越優異之畫質。評估等級4及5之PDP為出貨產品 實際上之容許級數。 (評估結果） 茲將鈾述各測定及評估結果連同後述實施例2〜4之數 29 20 200409165 據示於以下之表2及表3。此外，表3中，介電體保護層之阻 抗係表示/則疋全部5個樣本所得之平均值。此外，pDp所用 介電體保護層之實際容許阻抗範圍為··就量產不良之產生 及没计條件等加以推測之預定阻抗值的上下3〇化〇 /cm2)之 範圍。舉例舌之，以預定阻抗值為28〇(kQ/cm2)而驅動時， 與各色螢光體層對應之介電體保護層之阻抗變化若控制在 250(kD/cm2)以上3l〇(kQ/cm2)以下之範圍内，則不發生黑 雜訊。藉著以該數值為準之判斷基準，進行各pDp之性能 評估。 就理想而言，於對應R、G、B各螢光體層之介電體保 護層之阻抗中，可將劣化實驗前之最大值與劣化實驗最小 值之和除以2所得之值作為所稱之「預定阻抗」加以導出。 【表2】 製作條件 畫質(黑雜訊黧級) . 螢光體 介電體保護層 驅動初期 劣化實驗"! 對照例1 _ 僅〇具别之組成 無添加 4 3 實施例1 RGB均具Si之組成 無添加 4 3* 實施例2 各對RGB添加少篁Si(lOOOppm) 無添加 4 5 實施例3 各對RGB添加少量Si( 1 OOOppm) 添加少量Si(700ppm) 5 4* 實施例4 各對RGB添加少量M(1000ppm) 添加少量Si(lOOOppm) 5 5 30 200409165 【表3】 製作條件 阻抗(kD/cm2) 螢光體層 介電體保護層 驅動初期 劣化實驗後 _ 對照例1 R螢光體 無添加 310 315 G螢光體(含Si組成） 無添加 315 225 B螢光體 無添加 315 310 實施例1 R螢光體(含Si組成） 無添加 310 230 G螢光體(含Si組成） 無添加 315 225 B螢光體(含Si組成） 無添加 310 230 實施例2 R螢光體添加少量Si(lOOOppm) 無添加 310 275 G螢光體添加少量Si(lOOOppm) 無添加 315 270 B螢光體添加少量Si(1000ppm) 無添加 310 270 R螢光體添加少量Si(lOOOppm) 添加少量Si(700ppm) 285 240 實施例3 G螢光體添加少量Si(lOOOppm) 添加少量SiC700ppm) 280 240 B螢光體添加少量Si(lOOOppm) 添加少量Si(700pprr〇 280 240 R螢光體添加少量Ni(lOOOppm) 添加少量Si( 1 OOOppm) 265 295 實施例4 G螢光體添加少量Ni(1000ppm) 添加少量Si( 1 〇〇〇ppm) 260 300 B螢光體添力σ少量Ni(lOOOppm) 添加少量Si( 1 OOOppm) 260 300

(考察) 首先，由表二之數據可知，僅有綠色螢光體含Si組成 之對照例與RGB所有色之螢光體組成均含Si之實施例1於 5 驅動初期及劣化實驗後之晝質評估大致相等，均顯示良好 之結果。

但另一方面，由表3之測定結果得知，對照例1中其對 應各色螢光體之介電體保護層之阻抗出現偏差。對照例1之 預定阻抗值被認定為270(kQ/cm2)左右，但以其為基準而加 10 以觀察之對照例於劣化實驗後之阻抗偏差係超過3 0 (k Ω /cm2)。由此可以推知，對照例1最終亦將引發黑雜訊而導致 畫質劣化。 相較之下，實施例1於劣化實驗後，對應各螢光體之介 電體保護層之阻抗大致一致，令其預定阻抗值為230(kQ 15 /cm2)時之阻抗偏差亦僅止於30(kQ/cm2)以内之範圍，故可 知將進行安定之驅動。表2中，實施例1之PDP可藉著將位 31 200409165 址期間與維持期間之時間設定較短之簡易驅動調節以使黑 雜訊不易發生，畫質評估之等級亦成為5。而包括對照例1 之習知PDP因各對應R、B螢光體層與〇螢光體層胞元之介 電體保護層之阻抗差過大，難以藉此種驅動方法之調整範 5圍使黑雜訊消失。於已使驅動方法最佳化之比較中，若慮 及生產偏差之點，則實施例丨之結構具有亦使成品率提高之 效果。PDP之驅動係以介電體保護層之預定阻抗範圍加以 設定者。一般之預定阻抗值為28〇(kQ/cm2)，但可將預定阻 抗值以約200(kQ /cm2)以上350(k Ω /cm2)以下之範圍加以變 10 更。 如實施例1所示般，對應r、G、B各色之介電體保護層 之阻抗值即使略有變化，若使各色間之阻抗變化差縮小， 則可藉驅動電路調整電壓值，以維持等級5之畫質。但如對 照例1所示’若各色間之阻抗變化差過大則無法維持高畫 15質。舉例言之，實施例1中若介電體保護層之阻抗於驅動初 期R、G、B均為31〇(k〇/cm2)且劣化實驗後均為約230(kQ /cm)則可使驅動電壓之設定值配合該阻抗之變化，於驅 動中藉著進行切換而實現。另一方面，若如對照例1所示 般’於劣化實驗後，阻抗值出現極端偏差如R為315(kQ 20 /cm2)、G為 225(k Ω /cm2)而 B為 310(k Ω /cm2)，則預定阻抗值 僅能取實際上最大與最小之平均值27〇(kQ/cm2)左右，但此 時對應各色螢光體層之介電體保護層之阻抗不入上下30(k Ω/cm2)之預定阻抗範圍内，結果畫質等級仍將下降。 (實施例2) 32 200409165 以下，針對本發明實施例2相關之PDP製作方法加以說 明。 本實施例2中，係使用螢光體之化學組成本身不含^者 作為螢光體材料’而代之於勞光體層中另添加Si化合物。 5 紅色螢光體：Y2〇3 : Eu3+ 綠色螢光體：BaAl12019 : Μη 藍色螢光體：BaMgAl1()017 : Eu2+ 此外，前述螢光體組成中，綠色螢光體亦可以 Ba0.82Al12O18.82 : Μη或Ba(1.x)Al120(29-X) ·· Μη表記，但其内 10容則與前述者相同。本發明說明書中係載為BaAl12019。 螢光體層之製作方法為··先以相對前述各色螢光體為 1000(質量ppm)之比率混合Si〇2粉末，再焙燒、粉碎及過 篩。依Si〇2等之Si化合物的混合量，劣化實驗後之阻抗降低 量將有變化。實際上，Si化合物介於1〇〇(質量ppm)至 15 10000(質量PPm)之間時，預定阻抗值將進入易於設計之範 圍（約200kD/cm2以上350kQ/cm2以下）。此外，理論上si化 合物之混合比率可能低於1〇〇(質量ppm)，但實際問題為， 就量產性之觀點看來，難以正確地添加較1〇〇(質量ppm)少 量之Si化合物。 20 此外，不限於^，若添加其他之IV族元素亦可望相同 之效果。就貫際製造程序而言，Ge化合物（具體言之為Ge〇2) 易於獲得而甚為理想。 添加Si化合物後，可與實施形態1相同地製作螢光體 層。阻抗測定用試料及劣化實驗用試料僅形成單色之螢光 33 200409165 體層。整體試料之製作方法及各試驗方法與實施例丨相同。 而所得數據亦一併彙整於表2及表3中。 (考察） 首先’如表2所示，PDP畫質評估結果中係藉由劣化實 5驗得知’對R、G、B所有螢光體層添加si化合物之實施例2 與對照例1相較下，黑雜訊之發生減少而晝質提高。該實施 例2中，預定阻抗值可設定於270(kD/cm2)左右，但劣化實 驗後之各阻抗數值均呈一致，而可藉預定阻抗值之設定而 呈現良好之顯示性能。表3之阻抗評估結果正證實此一觀 10點，即於R、G、B所有之螢光體層混有SHb合物之實施例2 中’即使經劣化實驗，介電體保護層之阻抗亦可被有效抑 制，而逼近適當之數值範圍。 (實施例3) 兹將本發明實施例3相關PDP之製作方法說明如下。 15 本實施例3之特徵在於··使R、G、B之螢光體層各存有 少量（1000質量ppm)之Si，且使Mg〇構成之介電體保護層之 中亦含有Si。 介電體保護層之成膜程序係如下所述。 將小球狀之MgO與小球狀或粉狀之si化合物（Si〇2、sio) 20混合以作為蒸鍍源。於此，舉例言之，係將1900(質量ppm) 之SiCb粉末混合至純度99.95(%)且平均粒徑3(mm)之MgO 小球中。以此為蒸鍍源，並藉以皮爾斯式電子搶作為加熱 源之反應性EB蒸鍵法進行蒸錢。此時之條件為：真空度： 6·5χ 10 3(Pa)、氧氣導入流量·· 1〇(sccm)、氧氣分壓：9〇(%) 34 200409165 以上、成膜速率：2.5(nm/s)、最終膜厚：700(nm)、基板溫 度：150(°C)。藉此，可製得Si濃度·· 700(質量ppm)之保護 層。此外，可藉著調整混合至MgO小球中之Si02的量而變 更保護層中之Si量。 5 另，亦可使用MgO與Si化合物之混合物的燒結體作為 蒸鍍源。此外，亦可藉以同樣之燒結體為標的之濺鍍法使 含Si且由MgO構成之介電體保護層成膜。又，亦可將小球 狀或粉狀之MgO與Ni化合物之混合物的燒結體作為蒸鍍源 φ 使用，藉此方法使含Ni之MgO構成之介電體保護層成膜。 10 本實施例3之介電體保護層中之Si含量係以SiMS(二次 離子質量分析法）測定者。 其他程序則與實施例1相同地進行。阻抗測定用試料與 劣化實驗用試料除形成單色螢光體層與含si之介電體玻璃 層外，均與貫施例1相同地製作。以測定數據為準之pDp影 15像5平估與阻抗坪估以及劣化實驗等各以與前述實施例1相 同之方法進行。彙整各數據後顯示於表2及表3。 馨 (考察） 首先，由W述表2可知，使R、G、B所有之螢光體中混 合少許之S4分而於介電體保護層中存在7〇〇(質量ppm)濃 2〇度之貫施例3與對照例！相較下，除驅動初期之畫質提高 外’即便於劣化實驗後亦可維持等級4程度之畫質。若將位 址期間與維持期間之時間設定較短，則本實施例3結構之 PDP將不致發生黑雜訊，其晝質評估於驅動初期及劣化實 驗後均可為最高層級之等級5。此外，本實施例3之預定阻 35 200409165 抗值可设疋於260(kQ/cm2)，各阻抗值均未出現偏差。 其次，從表3可知，實施例3使R、G、B所有之螢光體 混合少量之Si而於介電體保護層中以濃度7〇〇(質量卯⑺)存 在時，雖然阻抗於劣化實驗後降低若干，但其降低之幅度 5甚少，且R、G、B全體一致而安定。因此，可望其具有使 驅動之設計較為容易之效果。本實施例3雖係顯示使si含於 螢光體層及介電體保護層之例，但由其他實驗可確認：並 不限於Si，即使藉其他IV族元素亦可求相同之效果。 (實施例4) 1〇 以下，針對本發明實施例4相關PDP之製作方法加以說 明。 本實施例之特徵在於：使R、G、B之螢光體層各存有 少量（1000質量ppm)之Ni，且使MgO構成之介電體保護層之 中含有Si。 15 螢光體係使用下述者。 紅色螢光體：Υ203 : Eu3+ 綠色螢光體：BaAl12〇19 : Μη 藍色螢光體：BaMgAl1Q017 : Eu2+ 使前述各螢光體含有適量之Ni。具體言之，以相對各 20 螢光體粉末為1〇〇〇(質量ppm)之比率混合並調合NiO粉末， 再進行焙燒、粉碎及過_。NiO粉末之添加量為100至 10000(質量ppm)之範圍而容易控制。如前述般形成含冲之 螢光體層。此外，不限於Ni，亦可使各螢光體含有過渡金 屬。此時，於製造程序中可使用過渡金屬化合物（如W〇3)。 36 200409165 其次，以濺鍍法使介電體保護層成膜。使粉末狀之Si 化合物（如Si〇2)以相對於Mg〇粉末為2700(質量ppm)之比例 混合並燒結，並以此材料為蒸發源，而形成最終义濃度為 1000(質量ppm)之介電體保護層。SI含量則aSiMS確認。 5 另，亦可以濺鍍法使Si直接混入MgO中。 濺鍍法之蒸發源除前述者外，亦可將]^§〇與抓化合物 (NiO)混合並燒結，而形成含抓之介電體保護層。 阻抗測定實驗及劣化實驗各與實施例丨相同地進行。其 數據則分別示於前述表2及表3。 1〇 (考察） 首先，從表2可知，使R、g、B所有之螢光體層含有少 量之Νι ’再使少量（1〇〇〇質量ppm)2Si含於介電體保護層 時，可將預定阻抗值設為280(kQ/cm2)，而畫質於初期及劣 化實驗後均呈最高層級之等級5。 15 其次’由表3之介電體保護層（MgO)阻抗評估結果可 知，實施例4於驅動初期之阻抗值略低，且因劣化實驗而使 值徐徐升高，但該上升幅度甚小，r、G、B各色一致安定 在高於預定阻抗值20(kQ/cm2)之值處。因此，本實施例3 可望具有使驅動設計較為容易之效果。 20 此外，實施例4係呈使Ni存於螢光體層且Si含於介電體 保護層内之結構，但由其他實驗可知，即便使螢光體層含 有其他過渡金屬且使以MgO為主成分構成之介電體保護層 含有其他IV族元素，亦可望具有與前述相同之效果。 另，即使採取使螢光體層或介電體保護層均含有過渡 37 歲屬及Si等IV族元素之方法，亦可望具有自由設定驅動初 功與長時間驅動後之阻抗的效果，可使放電特性最佳化而 進订優異之影像顯示。此時，以質量比率計，宜使螢光體 曰中之過渡金屬多於IV族元素之3倍。另一方面，以質量比 率計，宜使介電體保護層中之過渡金屬較IV族元素之3倍 少。如此做之原因在於，IV族元素之阻抗減少效果約為過 渡金屬之阻抗上升效果的3倍。因IV族元素具有使阻抗安定 化之效果(於具溫度變化之情況下，使阻抗不致產生巨大變 化之效果），故宜使介電體保護膜中所含IV族元素較過渡金 屬之1/3略多。 1-6.有關實施形態1及前述各實施例之其他事項 前述實施形態1及各實施例中，係以使用IV族元素或過 渡金屬作為影響介電體保護層阻抗變化之材料之例為中心 加以説明，但本發明不限於此，雖則鹼金屬及Mg除外之鹼 土類金屬對介電體保護層之阻抗影響較IV族元素及過渡金 屬略小’但右糟與前述者相同之方法使其等含於介電體保 護層及螢光體層中，亦可望大致相同之效果。使用該等元 素時，宜以如下之數值範圍進行設定。 (1) 將R、G、B所有螢光體層中之鹼金屬及鹼土類金屬 (但Mg除外）之總含有率定於300(質量ppm)以上且 120〇〇〇(質量PPm)以下之範圍内。 (2) 將該等元素(鹼金屬、鹼土類金屬（但Mg除外）)之含 有率於各螢光體層間之偏差定為40000(質量ppm)以内。 (3) 使該等元素（鹼金屬、驗土類金屬（但Mg除外))於所 有螢光體層中為同一者。 外此外，可使該等元素(驗金屬、鹼土類金屬（但_除 卜)）s於螢光體層中，亦可含於構成要素之榮光體的組成 中，或含於層中螢光體以外之部分。 5 另，本發明中，使Si_族元素含於螢光體層中以抑 制介電體保護層之阻抗上升時，以前述劣化實驗進行裯畫 之、·。果’發現可對介電體保護層之阻抗帶來影塑之以族元 素=«100(質量ppm)以上。但，若過剩地含有難元素，Φ 則劣化貫驗後之阻抗值將較適當範圍更低。此外，f適當 10控制阻抗之IV族元素添加量為5〇〇〇〇(質量p㈣以下。由此 可知，螢光體層中之以族元素添加量宜為100(質量ppm)以 上且5〇_(質量ppm)以下。另，該等之含有率係以使0、 B所有螢光體層以大致相同之比率含有_元素為前提。 具體言之，使si等iv族元素含於R、G、B各色螢光體 μ層時，各色間之IV族元素添加量之偏差若超過2_〇(質量 ppm)以上，則劣化實驗後對應各色勞光體層之介電體保冑 ^ 層之阻抗的差將增大。因此，為抑制驅動趨於長期時發生 之黑雜訊，宜使R、G、B各色螢光體中之以族元素含有率 之偏差止於前述數值。 20 另—方面，使過渡金屬含於R、g、b各色螢光體層時， 雖然可為劣化貫驗後之介電體保護層的阻抗帶來影響之添 加量為3〇〇(質量ppm)，但若使其含有過量之過渡金屬，則 劣化灵驗後之阻抗值將較適當範圍南。由於可將阻抗適度 控制之過渡金屬含有率為120000(質量ppm)以下，因此螢光 39 200409165 體層中之過渡金屬添加量宜為300(質量ppm)以上且 120000(質量ppm)以下。此時，宜預先使各色間之過渡金屬 添加量之偏差於40000(質量ppm)以下。 於更使Si等IV族元素含於MgO構成之介電體保護層 5 時，以劣化實驗調查之結果，可對阻抗造成影響之含有率 為500(質量ppm)以上。此外，使Ni等過渡金屬含於介電體 保護層時，進行相同實驗後結果顯示，可對阻抗造成影響 之含有率為150(質量ppm)以上。且由阻抗測定實驗可知， 該等添加物含有率之上限宜為6000(質量ppm)程度。 10 如上所述，若令PDP中Si等之IV族元素以500(質量ppm) 以上且2000(質量ppm)以下之範圍含於用以構成介電體保 護層之MgO内，且IV族元素係以100(質量ppm)以上且 50000(質量ppm)以下之範圍含於R、G、B各色螢光體層内， 則劣化實驗後對應各色螢光體層之介電體保護層之阻抗差 15 將縮小，進而使黑雜訊之發生受抑制而可進行優異之畫面 顯示。 此外，若令PDP中Mn、Fe、Co、Ni等過渡金屬以1500(質 量ppm)以上且6000(質量ppm)以下之範圍含於介電體保護 層内，且過渡金屬係以300(質量ppm)以上且120000(質量 20 ppm)以下之範圍含於R、G、B各色螢光體層内，則與前述 者相同，劣化實驗後對應各色螢光體層之介電體保護層之 阻抗差將縮小，使黑雜訊之發生受抑制而可進行優異之畫 面顯示。於此，如前所述，即使係使驗金屬、驗土類金屬（但 Mg除外)含於介電體保護層及螢光體層中，亦可達到與含有 40 200409165 過渡金屬時相同之效果，至於其理想之含有率則以前述過 渡金屬之含有率為準。如此使鹼金屬、驗土類金屬（但Mg 除外)含於介電體保護層及螢光體層時，亦宜預先使各色間 含有率之偏差於40000(質量ppm)以下。 5 此外，前述實施例中係顯示使IV族元素或過渡金屬中 之任一種存於螢光體層或介電體保護層中之例，但各元素 可亦各存有多數種。另，亦可使IV族元素與過渡金屬雙方 均存在。 (實施形態2) 10 2-1· PDP2之結構 茲針對實施形態2相關PDP2之結構加以說明。 本實施形態相關之PDP2具有基本上與前述第1圖所示 實施形態1相關之PDP1相同之結構，主要差異在於螢光體 層25R、25G、25B之組成及介電體保護層14之組成。因此， 15 賦予PDP2之各構成要件與PDP1之各構成要件相同之編 號，以下便以與PDP1之差異為中心，對PDP2之結構加以說 明。 PDP2設有以如下組成之螢光體為主成分之各色螢光 體層 25R、25G、25B。 20 紅色螢光體：Y2〇3 ·· Eu 綠色螢光體：使用後述方法製作之螢光體 藍色螢光體：BaMgAl1()017 : Mn2+ 此外，R螢光體層25R及B螢光體層25B中，螢光體外之 部分係以1〇〇(質量ppm)以上且5000(質量ppm)以下範圍内 41 200409165 之比率έ有1^族元素(如Sl)。使各螢光體層25R、25B含有IV 族元素之方法則可用前述實施例2所說明者。 此外，W述各色螢光體中，綠色螢光體之製造方法係 於後再予以詳述。 5 此外，設於前面面板10之介電體保護層14中，係以 1500(質量ppm)之比率含有…族元素之以。 2-2· PDP2之製造方法 其次，就PDP2之製造方法加以說明，但基本上製造方 法亦與前述實施形態1相同，故以其差異處為中心進行說 10明。 (前面面板10之製作） 於岫面玻璃基板11之主表面上形成顯示電極丨2及介電 體玻璃層，至此與前述實施形態1相同。相異處則在於如下 所示之介電體保護層14之形成方法。 15 對鈾述介電體玻璃層13之表面採用以氧化镁（MgO)與 矽化合物（如二氧化矽、一氧化矽等）之混合物為蒸鍍源之真 空瘵鍍法，舉例言之，藉此形成厚度700(nm)之介電體保護 層14舉例來說，具體之蒸鍍源可使用：在粒徑3〜5(mm) 且純度"·95(❶/°)以上之Mg〇小球中以100(質量ppm)之比例 20混有二氧化矽（Si02)之混合物。 此外，舉例言之，具體之蒸鍍方法可採用以皮爾斯式 電子搶作為加熱源之反應性EB蒸鍍法。此時之成膜條件 為·真空度：6 5χ 1〇_3(pa)、氧氣導入流量：⑺㈣⑽）、氧 氣为壓· 90(〇/〇)以上、速率：2.5(nm/s)、基板溫度：150(。〇。 42 200409165 藉此，可形成含Si之比例為1500(質量ppm)之介電體保護層 14。 此外，形成介電體保護膜14時，除前述EB蒸鍍法外， 亦可使用CVD(化學蒸鍍法）等方法。另，介電體保護層14 5 之主材料除前述MgO以外，亦可使用MgF2及MgAlO等。 (背面面板20之製作） 製作背面面板20時，於背面玻璃基板21之主表面上形 成位址電極22、介電體玻璃層23及間壁24，至此係經與前 述實施形態相同之過程。差異處則在於以下所示之螢光體 10層25R、25G、25B之形成方法。 相對於形成有間壁24之背面玻璃基板21，可藉相鄰之2 條間壁24與介電體玻璃層23形成溝部，而可將含前述各色 螢光體之螢光體墨水對該溝部分溝進行塗佈。 可於各分配器内放入50(質量％)之量的前述各螢光 15體，再對其投入乙基纖維素：〇.1(質量％)、溶劑（α -蔥品 醇）：49(質量％)，以輾輪式混砂機攪拌混合，將黏度調整 至15x l(T3(Pa.s)以製作螢光體墨水。再將如此製得之螢光 體墨水分色注入連繫至泵之容器，利用泵之壓力，從口徑 60〇tm)之喷嘴噴射並塗佈於各間壁24間之溝部壁面上。螢 20光體墨水之塗佈係使噴嘴沿間壁24之長向移動，而形成為 條狀。 · 於所有間壁24之間塗佈各色螢光體後，將背面玻璃基 板21以約500(°〇之程度培燒1〇(min)程度，而形成營光體層 25R、25G、25B。 θ 43 至此完成背面面板20,以下則針對本形態特徵部分之 綠色螢光體製作方法加以說明。 (綠色螢光體之製作方法） 首先，製作綠色螢光體之第1階段為：預先準備預定量 5 之用以製作一般具有BaAl 12019 : Μη組成之綠色螢光體時 採用之各材料(BaC〇3、Μη〇2、Al2〇3)，再對其添加碎氧化 物(如二氧化矽)後，使全體粉碎。於此，形成綠色螢光體層 25G時，係以層中Si之比率為100(質量ppm)以上50〇〇(質量 ppm)以下之範圍内來逆算並設定出矽化合物之添加量。 10 其次，第2階段則為：將粉碎之混合原料焙燒後，再次 細細粉碎並過筛，取得粒徑在一定範圍内者。意即，於製 作螢光體之階段中同時添加矽化合物。 經以上過程而製得綠色螢光體。 (PDP2之完成） 15 密封已完成之前面面板與背面面板20時，係以與前述 實施形態1相同手法實施之。 接著，將用以使氣體排出或送入前面面板10或背面面 板20而設之孔加以密封，完成PDP2。此外，就提高發光亮 度之目的而言，放電氣體中之Xe含量宜設定於5(體積。/。）以 20 上0 就PDP2而言，舉例言之，為適於40英对級之VGA，可 將胞元間距設定為〇.36mm，而將掃描電極i2a與維持電極 12b之電極間隔設為〇·1 (mm)。 2-3. PDP2之驅動 44 200409165 驅動PDP2時，係採用與前述實施形態iiPDPi相同之 驅動方法。因此，省略此處之說明。 2-4. PDP2之優異性 如述’ PDP2係於顯不電極12(掃描電極12a、維持電 5 極12b)及位址電極22之間發生放電，再以放電氣體產生之 紫外線激發螢光體層25之螢光體而進行螢光發光。 如前所述，本案發明人已確認出，驅動趨於長期時因 發生黑雜訊導致之晝質劣化係起因於如下之機制。即，前 述之習知PDP中，螢光體層中之構成元素(如Si等）將放出至 10放電空間中，而逐漸附著於前面面板之介電體玻璃層表 面。隨此，介電體保護層所具阻抗將逐漸變化。驅動趨於 長期時，介電體保護層之阻抗可能因此逸出預定之數值範 圍，進而使欲點亮之胞元未點亮，而產生所謂之黑雜訊。 而此種黑雜訊之發生將使PDP之晝質大為降低。此種介電 15體保護層之阻抗變動即使於介電體保護膜表面所附者為Si 以外之過渡金屬或過渡金屬、鹼金屬、鹼土類金屬（但Mg 除外）時亦同樣發生。 此外，為使驅動初期之介電體保護層之阻抗呈適切之 值，即使係製造時已於介電體保護層中添加以等1¥族元素 20 2PD]P，隨著驅動時間經過，介電體保護層之阻抗亦將變 動而逐漸脫離初期之值，而於經過某段時間後逸脫容許範 圍。 對此，本實施形態相關之PDP2中，除紅色⑻及藍色(B) 之螢光體層25R、25B中未含矽外，綠色(G)之螢光體層25g 45 200409165 中則以1 〇〇(質量ppm)以上5〇〇〇(質量ppm)以下範圍之含有 率含有以族元素之Si。如此，PDP2中，螢光體層25R、25G 及25B中完全未含Si，或僅含前述數值規定之極微量，因此 即使驅動趨於長期，附著在介電體保護層14表面上之Si量 5亦文到限制。接著，因該受限之附著量將使介電體保護層 14幾無變動’故若於設計階段便將介電體保護層14之阻抗 设定在適切範圍内，黑雜訊之發生便不致便得顯著。至於 该數值等級則係於後述之實驗中確認。 此外，為使綠色螢光體層25G之Si含有率為0(質量 10 PPm) ’即成為完全未含矽者，僅需選擇組成中完全未含矽 之綠色螢光體，再以完全不含Si之物質形成層即可；但組 成中完全不含Si之綠色螢光體層之亮度將較含若干Si之螢 光體層25G低，因此，本實施形態中係以組成中不含si之螢 光體為基材，而製作出添加有1〇0(質量ppm)以上5〇〇〇(質量 15 PPm)以下比率之微量矽的螢光體後加以使用。 另，不僅綠色螢光體層25G，紅色、藍色螢光體層25R、 25B亦可將Si之含有率定於1〇〇(質量ppm)且5〇〇〇(質量ppm) 以下範圍内。 除具有前述長期驅動時介電體保護層之阻抗亦幾不變 2〇動之優異性外，PDP2可於製造階段時使介電體保護層丨4含 有1500(質量ppm)比率之Si，藉此使驅動初期之介電體保護 層之阻抗呈最佳之值。 因此，PDP2除面板亮度高外，因無論驅動時間長短均 可使介電體保護層之阻抗保持在適切範圍内，故不致使黑 46 200409165 雜訊之發生增加，而可維持優異之晝質。 2-5.確認實驗 於此，進行以下實驗，即：用以證實前述PDP2之優異 性的實驗，以及用以界定出各元素於螢光體層中之最佳含 5 有率的實驗。 (阻抗測定裝置及劣化加速試驗裝置） 實驗採用之阻抗測定裝置及劣化加速試驗裝置係與前 述實施形態1之確認實驗所用各裝置為相同結構。 (實驗1) 10 首先，以實驗1調查出螢光體層中所含Si之比率與介電 體保護層阻抗及螢光體層亮度之關係。試驗所用之樣本係 表4所示者。 【表4】 樣本No. 綠色螢光體層 介電體保護層 螢光體組成 Si 比率(ppm) Si 比率(ppm) 1 BaAli2〇i9 Μη 0 0 2 BaAli2〇i9 Μη 200 0 3 BaAli2〇i9 Μη 7000 0 表4所示3種樣本中，樣本No.2之螢光體層係使用與前 15 述實施形態2之PDP2之綠色螢光體層相同之方法製得者， 樣本3之螢光體層則為Si含有率為7000(質量ppm)者。至於 介電體保護層，則各樣本均係以與前述PDP2之介電體保護 層14相同方法製作者。但介電體保護層中並未含有Si。 製作No.1〜3之樣本各5個，並對各樣本預先測定其介電 20 體保護層之阻抗，再實施劣化加速試驗，以每隔100(hr)、 200(hr)之固定時間將介電體保護層取出，測定其阻抗。 47 200409165 此外，亦針對劣化加速試驗中每一經過時間之發光亮 度加以測定。各種樣本No. 1〜3之5個樣本平均值係作為測定 結果而顯示於第4圖。 如第4圖所示，於劣化加速實驗開始前，介電體保護層 5 之阻抗呈樣本No. 1〜3均為310(kΩ /cni2)。於此，介電體保護 層於製造時均未含有Si。 螢光體層中完全未含Si之樣本Νο·1之介電體保護層阻 抗無論劣化加速試驗之試驗時間長短均呈定值（31〇kQ /cm2〜320kQ/cm2程度）。 10 相對於此，螢光體層中以200(質量ppm)比率含Si之樣 本的介電體保護層阻抗將隨著試驗時間經過而降低。 螢光體層之Si含有率為7000(質量ppm)之Νο·3樣本於 劣化實驗開始後介電體保護層之阻抗即開始大幅降低，經 過700(hr)時已降低至約230(k Ω /cm2)。 15 其次，如第4圖所示，就發光亮度而言，至經過400(hr) 以前’螢光體層中Si含有率為7000(質量ppm)之樣本Νο·3最 南’其次是樣本Νο·2，而最低係樣本No.l。 但，一旦試驗時間超過400(hr)，樣本Νο·3之發光亮度 即急遽漸低，Si含有率為200(質量ppm)之樣本Νο·2具有最 20 高之發光亮度。 就介電體保護層之阻抗安定性及發光亮度等2個要因 加以綜合性地檢討，可知螢光體層中以2〇〇(質量ppm)比率 含Si之樣本Νο·2最為優異。即，從發光亮度之觀點看來， 螢光體層中之Si宜含有極微量，而就介電體保護層之阻抗 48 200409165 安定性的角度看來，有必要使含有率抑制較低。 另，數據上雖未顯示，但令螢光體層中之Si含有率為 100(質量ppm)時，已確認其發光亮度與前述樣本Ν〇·2幾無 差異。 5 (實驗2) 其次’貫驗2係將螢光體組成及層中Si含有率以及介電 體保護層中之Si含有率加以變化而製作樣本No.il〜14，再 進行500(hr)之劣化加速實驗，以測定試驗前後之介電體保 護層之阻抗者。各樣本内容與阻抗之測定結果係示於表5。 1〇【表5】 樣本No. 綠色螢光體層 介電體保護層 阻抗（k Ω /cm2；i '〜 螢光體組成 Si 比率（ppm) Si 比率（ppm) 驅動初期 劣化試 11 Zn2Si04 : Μη 一 1500 265 190~~~^ 12 Zn2Si04 : Μη — 0 310 230 13 BaAl12〇19 : Μη 200 1500 265 260 14 BaAli2〇i9 : Μη 200 0 310 305 ' 此外’製作各個具有與前述樣本No· 11〜14相同之綠色 螢光體層及介電體保護層之PDP，再以與前述劣化試驗相 同之條件進行實驗時，以目測評估試驗前後之畫質。PDp 之内容(綠色螢光體層、介電體保護層）及畫質之評估結果係 15 不於表6。 【表6】 樣本No. 綠色螢光體層 介電體保護層 G___ 晝質 ~~ 螢光體組成 Si 比率（PPm) Si 比率（ppm) 驅動初期 劣化試驗德 11 Zn2Si04 : Μη 一 1500 口 5〜 2 ' 12 Zn2Si04 : Μη 一 _ μ_ι_ 4 13 BaAl12〇19 : Μη 200 1500 it_J__ 5 14 BaAl12〇lq : Μη 200 .〇 1 「4 4 另，表6内樣本No·11〜14之pDP中’前述表中所示者以 外之構成要件均與前述實施形態2之PDP相同。 此外，試驗時面板之畫質评估基準係與前述表1所示實 49 200409165 施形態1之確認實驗的畫質評估基準相同。 如表5所示，螢光體組成為Zn2Si〇4: Μη之No. 11及ν〇· 12 兩樣本均因劣化试驗而使"電體保護層之阻抗大為降低， 就為使驅動初期之介電體保護層阻抗設定成265(k Ω /cm2) 5 而使介電體保護層以15〇〇(質量ppm)之比率含有^的樣本 Νο·11而言，其劣化加速試驗後之阻抗跌破容許範圍之下限 值220(kD/cm2)，為 19〇(kQ/cm2)。 相對於此，螢光體層中Si之含有率為2〇〇(質量ppm)之 樣本Νο·13及Νο·14於劣化加速試驗前後阻抗幾無變動。特 10 別是樣本No· 13於劣化加速試驗前後均可維持260〜265(1<:Ω /cm2)之優異阻抗。 其次，如表6所示，No.Pll之PDP樣本之畫質評估於驅 動初期（劣化加速試驗前）雖為等級5，但劣化加速試驗後則 降低至不合格之等級2。 15 就Ν〇·Ρ12之PDP樣本而言，其評估等級雖於劣化加速 試驗前後均相同為等級4，但由前述表2可知，驅動初期之 等級4是因其阻抗係取容許範圍之上限值，相對地，劣化試 驗後之等級4則是因取其下限值之故。因此，若使實驗再持 續進行短時間（如100hr程度），可容易地想見介電體保護層 2〇 之阻抗將跌破容許範圍之下限值。 相對於此，No· P13及No· P14之PDP樣本於驅動初期之 畫質等級與劣化加速試驗後之畫質等級均無變化，此外， 由前述表2可知其阻抗亦幾無變化，故可推知即便使劣化加 速試驗繼續，畫質亦不易劣化。 50 200409165 由以上結果玎知，螢光體層中Si含有率較高之PDP於驅 動趨於長期時畫質之劣化較大’相對而言，令螢光體層中 Si含有率為微量200(¾畺PPm)之pDP即使於長期驅動時亦 將少有因黑雜訊而起之晝質劣化。 5 此外，就前述實驗結果而言，若採用不僅使Si而係使

Ti、Zr、Hf、C、Ge、Sn、Pb等（IV族元素全體)含於螢光體 層中之結構，詰果亦同。 (實驗3) · 其次，進行一用以調查螢光體層中Si含有率之最佳範 10 圍之實驗。 實驗採用之樣本係表7所示之Νο·21〜25等5種，每種各 製作5個後，與前述實驗2相同地測定500(hr〇之劣化加速實 驗後之介電體保護層之阻抗。 【表7】 樣本N 〇. 綠色螢光體層 介電體保護層 螢光體組成 Si 比率（ppm) Si 比率（ppm) 21 BaAli2〇i9 Μη 0 1500 22 BaAli2〇i9 Μη 1000 1500 23 BaAli2〇i9 Μη 3000 1500 24 BaAli2〇i9 Μη 5000 1500 25 BaAli2〇i9 Μη 7000 1500 如表7所示，本實驗採用之樣本係全部以150〇(質量ppm) 之比率使介電體保護層中含有Si，並使劣化加速試驗採用 之綠色螢光體層之Si含有率呈5等級變化。用為基材之螢光 體材料與前迷實驗1相同，為BaAl12019 : Μη。 #化貫驗加速後介電體保護層之阻抗測定結果係示於 20 第5圖。笛 乐3圖中，係以平均值顯示No. 21〜25各等級之5個 測定結果。 51 200409165 如第5圖所示，螢光體層中Si之含有率越高，劣化加速 試驗後介電體保護層之阻抗越低，而含有率超過5〇〇〇 (質量 ppm)之樣本Νο·25已低於阻抗容許範圍下限值之220(kQ /cm ) 〇 5 自前述第5圖之數據得知，為使介電體保護層之阻抗保 持在容許範圍之下限值以上，5000 (質量ppm)為螢光體層中 Si含有率之上限值。其原因在於··螢光體層中^含有率超過 5000 (質量ppm)之樣本ν〇·25中，因500(hr)之劣化加速實驗 鲁 而使將令阻抗較容許範圍下限值低之Si量附著於介電體保 10 護層表面。 由前述貫驗1〜3可知，從發光亮度與介電體保護層之阻 抗安定性看來，螢光體層中IV族元素之含有率於2〇〇(質量 ppm)以上5000(質量ppm)之範圍内為適當。 (實驗4) 15 冑述實驗1〜3係針對蟹光體層中之IV族元素加以檢討 者’但本實驗則係針對螢光體層中過渡金屬之鶴㈤含有* 鲁 與介電體保護層阻抗之關係加以調查者。本案發明人經研 究後發現，螢光體層中過渡金屬之含有率宜於500(質量ppm) 、上理由則與則迷Si等IV族元素相同。即，介電體保護 2〇層之表面未附著過瘦金屬時，即使施加脈衝，放電（發光） 亦將於較短時間内結束；但附著有過渡金屬時，放電(發光） 可持續較長之時間。 本貫驗中’係將螢光體組成及層中W含有率以及介電 體保叹層中之Si及％含有率加以變化而製作各樣本 52 1^〇.11〜14，再進行5〇〇(11〇之劣化加速實驗，並與實驗2相同 地測定試驗前後介電體保護層之阻抗。各樣本内容與阻抗 之測定結果係示於表8。 【表8】 樣本 藍色螢光覺 !層 介電體保護層 II 阻抗(kQ/cm2) No. 螢光體組成 W比率(ppm) Si 比率(ppm) W比率(ppm)驅動初期 劣化試·驗後 31 CaW04 ： Pb — 2000 1000 295 360 _32/ CaW04 ： Pb — 0 0 310 370 33 BaMgAl10〇17 ： Eu2+ 1000 2000 1000 295 300 34 BaMgAll0On ： Eu2+ 1000 0 0 II 305 310 此外，於表8中，使樣本No.31、33之介電體保護層中 除W(1000質量ppm)外亦含Si(2000質量ppm)之原因在於，若 介電體保護層中僅含W，其阻抗將變得過高。 另，並未必須使介電體保護層中含Si，此為用以使介 電體保護層之阻抗更接近適切範圍之中心值而為者。 如表8所示，具有CaW〇4:Pb作為螢光體之樣本No.31、 32於驅動初期與劣化加速實驗後之介電體保護層之阻抗變 動甚大，無論介電體保護層有無含Si及W，於劣化加速試驗 後之阻抗均超過阻抗之容許範圍上限值。 相對於此，螢光體層中以1000(質量ppm)之比率含有w 之樣本Νο·33、34於驅動初期與劣化加速試驗後阻抗值均僅 上升5，可謂甚為安定。 此外，預先使W以2000(質量ppm)含於發光體層中之樣 本Νο·33、34可將驅動初期之介電體保護層之阻抗設為更適 切之數值，該傾向於劣化加速實驗後亦不變。 其次，製作各個具有與前述樣本Νο·31〜34相同之藍色 螢光體層及介電體保護層之PDP，再於與前述劣化試驗相 同之條件進行實驗時評估試驗前後之畫質。PDP之内容及 200409165 晝質之評估結果係示於表9。 【表9】 樣本 No. 藍色螢光骨 !層 介電體保讜層 ^i畫質之評估結果 螢光體組成 W比率(ppm) Si 比率(ppm) W比率(ppm^T驅動初期 劣化試驗後 31 CaW04 : Pb — 2000 1000 5 3 32 CaW04 · Pb 一 0 0 4 3 33 BaMgAl10O17 ： Eu2+ 1000 Γ 2000 1000 5 5 34 BaMgAl10O】7 : Eu2+ 1000 卜0 0 4 4 此外，表9内No.P31〜P34之PDP中，除前述表中所示者 以外之構成要件均與前述實施形態2之pdp相同。 5 另，試驗時面板之畫質評估基準係與前述實驗2相同， 為示於表1者。 如表9所示，將CaW04: Pb用於藍色螢光體層之螢光體 的樣本Νο·Ρ31、P32之晝質評估等級於劣化加速試驗後為不 合格之等級3。這與前述表8所示之介電體保護層之阻抗相 10 符。 相對於此，樣本Νο·Ρ33、Ρ34即使經劣化加速試驗亦不 見晝質之劣化，可維持優異之畫質。特別是介電體保護層 中含有Si及W之樣本Νο.33因製作時已將介電體保護層之阻 抗調整為最適值，故於劣化加速試驗後亦可得最高等級之 15等級5。 由前述實驗結果可知，若螢光體層中之W含有率過 ν ’貝彳PDP於長期驅動時其介電體保護層之阻抗將大為上 升’而使黑雜訊之發生變得顯著。此外，若，預先使榮光體 層中之W含有率設為1〇〇〇(質量ppm)，則介電體保護層之阻 抗於劣化加速試驗後亦呈安定’具有此種條件之pDp之畫 質劣化亦少。 54 另’使監色螢光體層中以1〇〇〇(質量卯^)之比例含有w 二去則與前述實施形態2相同，使用BaMgA1⑺〇n:Euh， 二寸其添加鎢化物（如氧化鎢等），經混合、焙燒及粉碎等過 程即可製得。 (實驗5) ^其次’與前述實驗3相同地調查螢光體層中W含有率之 最適範圍。 只驗採用之樣本係Νο·41〜45為止之僅改變螢光體層中 *含有率者，共5種，每種各製作5個後，與前述實驗3相同 地測定500(hr)之劣化加速實驗後之介電體保護層 之阻抗。 各樣本内容係顯示於表1〇，且阻抗測定結果係示於第6圖。 【表10】 樣本 No. 綠色螢光1 if層 介電體保護層 螢光體組成 W比率（ppm) Si 比率（ppm) 41 BaMgAl10O7 ： Eu2+ 0 1500 42 BaMgAl10O7 ： Eu2+ 10000 1500 43 BaMgAli〇〇7 · Eu2+ 20000 1500 44 BaMgAli〇〇7 · Eu2+ 30000 1500 45 BaMgAll0O7 ： Eu2+ 40000 1500 如表10所示，Νο·41〜45各樣本之螢光體層中之W含有 率各為0、10000、20000、30000、40000(質量ppm)。 此外，全部樣本之介電體保護層均不含W而含1500 (質 量ppm)之Si，且驅動初期之阻抗設定為270(kD/cm2)。 如第6圖所示，螢光體層之W含有率與劣化加速試驗後 之介電體保護層阻抗具有相關關係’含有率越南則劣化加 速試驗後之阻抗越高。且螢光體層中之w含有率為40000 (質量ppm)之樣本No.45於劣化加速試驗後其介電體保護層 之阻抗超過容許範圍上限值之34〇 (kQ/cm2)。意即，設有 200409165 Νο·45之螢光體層之PDP於長期驅動時黑雜訊之發生將變 得顯著，推測其畫質將劣化至不合格等級。 由此實驗結果可知，螢光體層中W含有率之適切範圍 為500(質量ppm)以上30000(質量ppm)以下。 5 此外，前述實驗中係使螢光體層中含有W，但除此之 外，亦可使Mn、Fe、Co、Ni含於螢光體層中，此時，藉著 含有率之適當範圍所得效果亦與含有W時相同。 另，實驗數據雖未記載，但若使螢光體層中以1〇〇〇(質 量ppm)以上60000(質量ppm)以下之比率含有驗金屬及驗土 10 類金屬（但Mg除外）中之至少一者，則其在長期驅動時亦少 發生黑雜訊，可得畫質劣化少之PDP。 2-6.有關實施形態2之其他事項 前述實施形態2中，係以使螢光體層25R、G、B以100(質 量ppm)以上5000(質量ppm)以下之比率含有Si之PDP為例加 15 以說明，但如確認實驗等所示，亦可以同樣比率含有Si以 外之IV族元素來獲得同樣之效果。 此外，除IV族元素以外，亦可以500(質量ppm)以上且 30000(質量ppm)以下之比例含有以W為首之過渡金屬，或 以1000(質量ppm)以上且60000(質量ppm)以下之比例含有 20 驗金屬及驗土類金屬（但Mg除外）中之至少一者，亦可獲得 相同效果。 更可使前述元素組合而含於螢光體層中。 使前述IV族元素等含於前述螢光體層之方法僅需係於 PDP完成時已使其含於螢光體層者即可，不限於前述方 56 200409165 法。舉例言之，亦可於將螢光 〇丞纖維素、α_蔥品醇 等混合以製作螢光體墨水時添加前述元素。但此時因該等 兀素係以附著在螢光體粒子之兩面的形態存在與前述實 施形態丄相較下，在元素含有之平均性上略為不及。 5 肖以作絲材之螢紐*限於前述實卿態所述者， 舉例言之，含有極微量si(100質量ppm程度）時，可採用組 成中未含矽之螢光體。於欲使其他元素含有規定量時同 樣地可採用組成中不含所欲含之元素的螢光體作為基材。 此外，鈾述實施形態2中，雖係限制螢光體層25G中之 IV無元素含有率，但即便對面臨放電空間如r、〇、b之其 他部分之含有率加以限制，如間壁24中未覆有螢光體層25 邛刀之各元素(Iv族元素、過渡金屬、驗金屬、鹼土類金屬）， 亦甚有效果。特別是若預先將間壁24之頂部及輔助間壁等 之七述各元素含有率加以限制，則於抑制介電體保護層之 15阻抗變動上更具效果。 另’由前述實驗結果可知，即使讓r、G、B所有之螢 光體層呈完全不含IV族元素、過渡金屬（W、Mn、Fe、Co、 Νι)、鹼金屬及鹼土類金屬（但Mg除外）之結構，亦可於驅動 趨於長期時達到抑制黑雜訊之目的。也就是說，前述實施 形怨2所定之iv族元素等之含有率係於即使面板驅動時螢 光體層中所含之IV族元素等飛散至放電空間中亦不致對介 電體保護層之阻抗造成實 質上影響的範圍内。若就此點加 以考量，則即使在所有螢光體層中完全不含1¥族元素等， 亦可達成同樣之效果。但，亦如同前述實驗之考察中所述 57 200409165 者，可使極微ΐ之前述物質含於螢光體層中以求提高面保 之發光亮度，而甚為理想。 此外，即使以組成中不含Ιν族元素、過渡金屬（W、Μη、 Fe、Co、Νι)、鹼金屬及鹼土類金屬（但Mg除外）之各螢光體 5作為構成要素而形成所有之螢光體層，亦可獲得實質上與 前述者相同之效果。換言之，即使螢光體層中作為構成要 素之螢光體佔大部分，若使該佔大部分之螢光體採用組成 中不含前述元素者，則可於實質上抑制驅動時介電體保護 層之放電特性變動。 1〇 (實施形態3) 3-1· PDP3之結構及優異性 關於實施形態3相關之PDP3，係使用第7圖並以與前述 實施形態2相異之處為主加以說明。 如第7圖所示，本實施形態3之PDP3與前述實施形態2 15 之PDP2的差異在於背面面板40之結構。 背面面板40中，背面玻璃基板21、位址電極22、介電 體玻璃層23及間壁24等之結構係與前述pDp2相同，但在勞 光體層25中之綠色螢光體組成以及間壁24中未被螢光體層 25彼覆之部分係形成有螢光體保護膜26等諸點上則與前述 20 PDP2相異。 首先，構成螢光體層25之螢光體中，綠色螢光體係使 用與前述實施形態1之PDP1中一般所用者相同之具有 Zn2Si04: Μη組成者。由該螢光體構成之螢光體層因於組成 中含有多量之Si，故每一脈衝之實質可見光發光量甚大， 58 200409165 而具有高發光亮度。 其次，螢光體保護膜26係一由形成有約1〇(μιη)膜厚之 氟化鎂（MgF2)所構成之薄膜。該螢光體保護膜％之波長 147(nm)之紫外線穿透率為85(%)。於此，若使營光體保護 5膜％之务、外線牙透率確保於80(%)以上，則pj)p在實用上不 致有所妨礙。 可對業經A述貫施形態2之製造過程而形成有榮光體 層25之背面玻璃基板21使用EB蒸鍍法，在形成有螢光體層 25之面上以膜厚1·〇(μπι)使MgF2成膜，而形成前述榮光體保 10護層26。 另’本貫施形態之PDP3中，為使前面面板ι〇與背面面 板40之間隙與前述PDP2者相同，宜先使間壁24之高度低出 榮光體保護膜26之膜厚（Ι.Ομπι)量。 具有前述結構之PDP3即使經發光驅動之放電，其螢光 15 體層中之元素(如IV族元素、過渡金屬、驗金屬及鹼土類金 屬等）亦不致飛散至放電空間中。特別是前述螢光體層25G 因係使用組成中含有Si之螢光體作為構成要素，而層中將 含有多量之Si，但因存有用以彼覆該層上之螢光體保護層 26，故可抑制Si朝放電空間30飛散。也就是說，即使因發 2〇 光驅動時之放電而使螢光體層中之各種元素向放電空間飛 散，藉著彼覆螢光體層25表面之螢光體保護膜26，可使該 飛散受到抑制。 此外，間壁24露出至放電空間時，其構成元素(如Si等) 雖將以極微量飛散出，但本實施形態之PDP3因間壁24與放 59 200409165 電空間30R、G、B等係藉螢光體保護膜26而呈遮蔽分離， 故各種元素自間壁24朝放電空間30之飛散亦將受到抑制。 因此，即使該PDP3經驅動，其介電體保護層14之阻抗 亦幾無變動，且面板全體之發光亮度甚高。 此外，前述者係以膜厚1·〇(μπι)形成螢光體保護膜26， 但本發明未必受到該膜厚之限制。 3-2·確認實驗 為證貫前述實施形態3之PDP3之優異性而進行以下實 驗。 首先，於劣化加速試驗前後，確認因有無螢光體保護 膜26而起之介電體保護層阻抗變動差異。試驗所用之樣本 内谷及阻抗測定結果係示於表11。 【表11】 樣本No. 螢光體保護膜 介電體保護層| 阻抗(kQ/cm勹 Si比率(ppm) 驅動初期 劣化試驗後 51 有 1500 270 275 52 有 0 310 305 53 無 1500 270 220 54 無 0 315 270 如表11所示，樣本Νο·51及52係於螢光體層上形成與前 15述實施形態2相同之螢光體保護膜，相對而言，樣本Νο.53 及54則未於螢光體層上形成螢光體保護膜。 此外，樣本Νο·51及53係使Si以1500(質量ppm)之比率 含於介電體保護層中，而樣本Νο·52及54則未含。 另’螢光體層係使用由具有Zn2Si04: Μη組成之綠色螢 2〇 光體所形成者。 如表11所示，樣本Νο·53及54之樣本於劣化加速試驗前 60 200409165 後之介電體保護層阻抗變動甚大’且介電體保護層中含有 Si之樣本Νο·53則瀕臨容許範圍之下限值。 相對於此，樣本Ν〇·51及52於驅動初期與劣 1加速試驗 後其介電體保護層阻抗幾無變動。 其次，就有然榮光體保護膜與PDp畫質之關係加以調 查。樣本内容及畫質評估結果係示於表12。 【表12】 樣本 No. 螢光體保護膜 介電體保護層 _ 畫質評估結果 Si 比率（pp^p 驅動初期 劣化試驗後 P51 有 1500 5 P52 有 1 0 4 4 P53 無 1500 " 5 2 P54 無 0 4 5 如表12所示，Νο·Ρ51〜54之PDP樣本中，螢光體保護膜 之有無及介電體保護層之Si含有率等與前述表11中之 10 No.51 〜54相同。 如表12所示’除Νο·Ρ53之樣本外，於劣化加速試驗後 之畫質均呈合格等級。其中，樣本Νο.51及54於試驗後之畫 質等級為最高之等級5。 但，若與前述表11之結果一併檢討，則樣本^^0.54因於 15劣化加速試驗前後之介電體保護層阻抗變動為45，與樣本 Νο·51、52相較下差異甚大，故推測若使劣化加速試驗繼 續，其畫質將急據劣化。 因此’就將螢光體保護膜形成為披覆螢光體層之PDP 而言，即使於驅動趨於長期時，其介電體保護層之阻抗亦 2〇不致大幅變動，故黑雜訊引起之畫質劣化較少。 3-3 ·有關實施形態3之其他事項 61 200409165 前述實施形態3中，係使螢光體保護層26形成呈披覆所 有螢光體層25，但，並未必須彼覆所有螢光體層25之表面。 舉例言之，即使僅將螢光體層中含有IV族元素Si之綠色榮 光體層之表面加以彼覆，則於驅動時至少可抑制Si從該綠 5色螢光體層朝放電空間飛散。另，若亦於螢光體層中含有 過渡金屬、鹼金屬、鹼土類金屬（但Mg除外）等時形成本實 施形態之螢光體保護膜，則可抑制前述元素因驅動之放電 而由螢光體層朝放電空間飛散。 於此，就僅於含有IV族元素、過渡金屬、驗金屬、驗 10 土類金屬（但Mg除外）之螢光體層表面形成螢光體保護膜時 所得之特別優異效果加以說明。 一旦形成螢光體保護膜，將引起紫外線穿透率減少部 分，故於R、G、B所有之螢光體層表面形成螢光體保護膜 時，發光亮度將有一定份量之降低。相對於此，因前述者 15 係僅於含有IV族元素、過渡金屬、驗金屬、驗土類金屬（但 Mg除外）之螢光體層表面形成螢光體保護膜，故放電亮度降 低者僅限於G之放電胞元，就面板整體之發光亮度而言，發 光亮度提高。且，即使如前述般G之放電胞元之發光亮度有 所降低時，亦可藉設定驅動方法及設計胞元尺寸而取得各 20 色放電胞元間之亮度平衡。 此外，即使於綠色螢光體層中，亦可構成呈僅就驅動 時易受放電影響之部分彼覆螢光體保護膜26。 另，即使螢光體層中含有極微量之IV族元素、過渡金 屬、驗金屬、鹼土類金屬（但Mg除外）時，如本實施形態之 62 200409165 PDP3般以螢光體保護膜披覆螢光體層表面雖 果，但右—併考量前述實施形態2,則以使前述元^政 率含於螢光體層中時，形成螢光體保護膜特別具有^比 舉例吕之·含有IV族元素超過1〇〇〇(質量ppm)之比率果。 5含過渡金屬、驗金屬及驗土類金屬（但Mg除外、頂及 6〇_質量卿)之比率時，特別有效。、）於超過

如刚述般，若於設計時以較高比率含有前述元 可求提高面板整體之發光亮度，且預先以榮光體則 覆該榮光體層，藉此即使於驅動趨於長期時亦可抑=坡 10體保護層之阻抗變動，進而使因黑雜訊引起之奎所1丨電 小。 I貝劣化減 15 20 因此，採用本實施形態之結構除可得面板整體 光亮度外，即使隨著驅動時間經過介電體保護層之阻 動亦少，而無論驅動時間長短均少有黑雜訊發生， 得高畫質之PDP。 (實施形態4) 使用第8圖對實施形態4相關之PDP4加以說明 如第8圖所示，本實施形態4之PDP4所具有 之向發 抗變 進而獲

之特徵在 於：背面面板50中覆蓋螢光體層25而形成之螢光體保 護祺 27之結構。具體言之，則形成之螢光體保護膜27係—展 s積 有膜厚〇·3(μπι)之MgF2所構成之下膜27a與膜厚 MgO所構成之上膜27b。 至於其他結構則與前述實施形態3之PDP3相同。具_ 前述結構之螢光體保護膜27之PDP4係與前述實施形態3之 63 200409165 PDP3相同，具有可使因發光驅動放電而起螢光體層25之元 素飛散党到抑制的優異性。本實施形態4之PDP4除前述優 異性外’更因具有優異耐濺鍍性之MgO為上膜27b，故可使 Mgh所構成之下膜27a之膜厚薄至〇·3(μιη)，而可使紫外線 5 (波長147nm)之穿透率達88(%)。此外，螢光體保護膜27因 係將上膜27b之膜厚設定較下膜27a之厚度薄，故可使高穿 透率及確保耐丨賤艘性得以兩全。因此，該PDP4可使驅動趨 於長期時所發生黑雜訊更確實地受到抑制，而可更安定地 維持南晝質。 1〇 另，本實施形態4ipDP4與前述實施形態3說明者相 同，就螢光體保護膜之形成形態或所用材料等均可採用各 種變化。 此外，就前述實施形態3及實施形態4共通之形成於勞 光體層25面上的勞光體保遵膜26、27而言，亦不限於稽述 15實施形態3及實施形態4之結構。舉例言之，可於容許範圍 内變更各膜之膜厚。而就螢光體保護膜26、27之各膜厚而 言，則因由發光亮度之觀點看來，紫外線穿透率若於8〇(%) 以上則無妨礙，故可使膜厚逐漸增加至紫外線穿透率顏臨 80(%)為止，而呈於驅動時可更確實抑制元素由螢光體層飛 20 散出之結構。 產業上之可利用性 本發明之PDP有益於電腦及電視等顯示裝置，特別是 有效於：實現高精細、高亮度且經時影像品質安定之顯示 裝置。 64 【圖式簡單說明】 第1圖係相關於實施形態1之PDP1的要部立體圖(部分截面圖）。 第2(a)、2(b)圖係一概略圖，用以顯示確認實驗時測定介電體 保護層阻抗之裝置結構。 5 第3(a)、3(b)圖係一概略圖，用以顯示確認實驗時劣化加速試 驗裝置之結構。 第4圖係一特性圖，用以顯示劣化試驗時間與介電體保護層之 阻抗以及發光亮度間之關係。 第5圖係一特性圖，用以顯示螢光體層中別之含有率與劣化加 10速試驗後介電體保護層之阻抗間之關係。 第6圖係一特性圖，用以顯示螢光體層中…之含有率與劣化加 速試驗後介電體保護層之阻抗間之關係。 苐7圖係實施形態3相關之PDP3的要部立體圖(部分截面圖）。 第8圖係實施形態4相關之PDP4的要部立體圖(部分截面圖）。 15 【圖式之主要元件代表符號表】 1...PDP 10…前面面板 11···前面玻璃基板 12 · · ·顯不電極 12a· ··知"描電極 12b···維持電極 Π··.介電體玻璃層 14···介電體保護層 20…背面面板 21··.背面玻璃基板 22···位址電極 23···介電體玻璃層 24…間壁 25…螢光體層 25R···紅色螢光體層 25G···綠色螢光體層 25B···藍色螢光體層 27...螢光體保護膜 65 200409165 27a...下膜 130...介電體保護層 27b...上膜 140…LCR計量器 30R...放電空間 311…玻璃基板 30G...放電空間 312...電極 30B...放電空間 312a···電極 40··.背面面板 312b··.電極 111...玻璃基板 323...介電體玻璃層 112...電極 324...間壁 112a...電極 325…螢光體層 112b...電極 340…驅動電路 121...玻璃基板 350...TMP 122···電極 360…高壓儲氣瓶 66

Claims (1)

1. 200409165 拾、申請專利範圍： 1. 一種電漿顯示面板，其一對之基板係以基板間具有放電 空間之狀態而相對配置，且形成有面臨該放電空間之 MgO所構成之介電體保護層與紅色、綠色及藍色之各螢 5 光體層；其特徵在於： 構成3色所有螢光體層的各螢光體之組成中，並未含 有IV族元素。 2. 如申請專利範圍第1項之電漿顯示面板，其特徵在於·· 前述所有之螢光體層係各僅由不含IV族元素之物質所構 10 成。 3. —種電漿顯示面板，其一對之基板係以基板間具有放電 空間之狀態而相對配置，且形成有面臨該放電空間之 MgO所構成之介電體保護層與紅色、綠色及藍色之各螢 光體層；其特徵在於： 15 3色所有之螢光體層中含有IV族元素。 4. 如申請專利範圍第3項之電漿顯示面板，其特徵在於·· 前述所有之螢光體層中之IV族元素含有率為5000質量 ppm以下0 5. 如申請專利範圍第3項之電漿顯示面板，其特徵在於： 20 前述所有之螢光體層中之IV族元素含有率為100質量 ppm以上且5000質量ppm以下。 6. 如申請專利範圍第3項之電漿顯示面板，其特徵在於：3 色螢光體層内，至少構成1色螢光體層之螢光體係使用組 成中含有IV族元素者。 67 7. =申請專利範圍第3項之電_*面板，其特徵在於： 别迷所有螢光體層中之IV族元素含有率^⑽質量靜 =且5〇_質量―下’且在各螢光體騎彼 相同。 8. ^申請專利範圍第7項之電漿顯示面板，其特徵在於. 光縣情含1v族元耗在各色螢光體層間 壬20000貝ippm以内之比例偏差。 9. 如申鱗利範圍第7項之電漿顯示面板，其特徵在於： 構成料所有螢紐狀各螢光體係❹在 ㈣含有IV麵素者。 10. 如申請專利範圍第9項之顯示面板，其特徵在於： 各榮光體之組射所含之前物族元素在所有螢光體層 内為相同者。 η·如申請專利範圍第1或3項之電聚顯示面板，其特徵在 於：前述IV族元素為Si。 ❹申請專利範圍第u項之顯示面板，其特徵在於： 前述各螢光體之組成中，紅色為Y2Si〇5 : Eu，綠色為 Zn2Si04 : Μη，藍色為Y2Si〇3 : Ce。 13·如申請專利範圍第3項之電_示面板，其特徵在於： 在前述所錢練層巾，前述IV族元韻包含於構成各 螢光體層之螢光體以外的其他化合物中。 14· -種電漿顯示面板，其一對之基板係以基板間具有放 電空間之狀態而相賊置，且形成有面臨該放電空間之 MgO所構成之介電體保護層與纟：&、、綠色及藍色之各勞 200409165 光體層；其特徵在於： 構成3色所有螢光體層的各螢光體係在組成中不含 W、Mn、Fe、Co及Ni中之任一者。 15. 如申請專利範圍第14項之電漿顯示面板，其特徵在於： 5 前述所有之螢光體層係各僅由不含W、Mn、Fe、Co及 Ni中之任一者的物質所構成。 16. —種電漿顯示面板，其一對之基板係以基板間具有放電 空間之狀態而相對配置，且形成有面臨該放電空間之 MgO所構成之介電體保護層與紅色、綠色及藍色之各螢 10 光體層；其特徵在於： 3色所有之螢光體層中含有過渡金屬。 17. 如申請專利範圍第16項之電漿顯示面板，其特徵在於： 前述所有螢光體層中之過渡金屬含有率為30000質量 ppm以下0 15 18.如申請專利範圍第16項之電漿顯示面板，其特徵在於： 前述所有螢光體層中之過渡金屬含有率為500質量ppm 以上且30000質量ppm以下。 19. 如申請專利範圍第16項之電漿顯示面板，其特徵在於： 3色螢光體層内，至少構成1色螢光體層之螢光體係使用 20 組成中含有過渡金屬者。 20. 如申請專利範圍第16項之電漿顯示面板，其特徵在於： 前述過渡金屬為選自W、Mn、Fe、Co及Ni中之至少一種。 21. 如申請專利範圍第20項之電漿顯示面板，其特徵在於： 前述所有螢光體層中之過渡金屬含有率為300質量ppm 69 200409165 以上且120000質量ppm以下，且在各螢光體層中彼此大 致相同。 22. 如申請專利範圍第21項之電漿顯示面板，其特徵在於： 前述所有螢光體層中所含前述過渡金屬係在各色螢光體 5 層間呈40000質量ppm以内之比例偏差。 23. 如申請專利範圍第21項之電漿顯示面板，其特徵在於： 構成前述所有螢光體層之各螢光體係選擇性地使用在組 成中含有過渡金屬者。 φ 24. 如申請專利範圍第23項之電漿顯示面板，其特徵在於： 10 各螢光體之組成中所含之前述過渡金屬在所有螢光體層 内為同一者。 25. —種電漿顯示面板，其一對之基板係以基板間具有放電 空間之狀態而相對配置，且形成有面臨該放電空間之 MgO所構成之介電體保護層與紅色、綠色及藍色之各螢 15 光體層；其特徵在於： 構成3色所有螢光體層之各螢光體於其組成中不含 · 驗金屬及Mg以外之驗土類金屬中之任一者。 26. 如申請專利範圍第25項之電漿顯示面板，其特徵在於： 前述所有之螢光體層係各僅由不含驗金屬及Mg以外之 20 鹼土類金屬之物質所構成。 27. —種電漿顯示面板，其一對之基板係以基板間具有放電 空間之狀態而相對配置，且形成有面臨該放電空間之 MgO所構成之介電體保護層與紅色、綠色及藍色之各螢 光體層；其特徵在於： 70 200409165 所有之螢光體層中均含鹼金屬及Mg以外之鹼土類 金屬中之至少一者。 28. 如申請專利範圍第27項之電漿顯示面板，其特徵在於： 前述所有螢光體層中之鹼金屬及Mg以外之鹼土類金屬 5 之總含有率為60000質量ppm以下。 29. 如申請專利範圍第27項之電漿顯示面板，其特徵在於： 前述所有螢光體層中之鹼金屬及Mg以外之鹼土類金屬 之總含有率為1000質量ppm以上且60000質量ppm以下。 30. 如申請專利範圍第29項之電漿顯示面板，其特徵在於： 10 3色螢光體層内，至少構成1色螢光體層之螢光體係使用 在組成中含有鹼金屬及Mg以外之鹼土類金屬中之至少 一者。 31. 如申請專利範圍第27項之電漿顯示面板，其特徵在於： 前述所有螢光體層中之鹼金屬及鹼土類金屬（Mg除外）之 15 總含有率為300質量ppm以上且120000質量ppm以下，且 在各螢光體層中彼此大致相同。 32. 如申請專利範圍第31項之電漿顯示面板，其特徵在於： 前述所有螢光體層中所含鹼金屬及Mg以外之鹼土類金 屬係在各色螢光體層間呈總計40000質量ppm以内之比 20 例偏差。 33. 如申請專利範圍第31項之電漿顯示面板，其特徵在於： 構成前述所有螢光體層之各螢光體係選擇性地使用在組 成中含有驗金屬或Mg以外之驗土類金屬者。 34. 如申請專利範圍第31項之電漿顯示面板，其特徵在於： 71 200409165 前述所有螢光體層中含有相同之鹼金屬及Mg以外之鹼 土類金屬中之至少一者。 35.—種電漿顯示面板，其一對之基板係以基板間具有放電 空間之狀態而相對配置，且形成有面臨該放電空間之 5 MgO所構成之介電體保護層與紅色、綠色及藍色之各螢 光體層；其特徵在於： 構成3色所有螢光體層之各螢光體於組成中未含IV 元素、W、Mn、Fe、Co、Ni、驗金屬及Mg以外之驗土 ⑩ 類金屬中之任一者。 10 36.如申請專利範圍第35項之電漿顯示面板，其特徵在於： 前述所有之螢光體層係各僅由不含IV族元素、W、Μη、 Fe、Co、Ni、驗金屬及Mg以外之驗土類金屬中任一者的 物質所構成。 37. 如申請專利範圍第1、3、14、16、25、27及35項中任一 15 項之電漿顯示面板，其特徵在於：前述介電體保護層中 含有IV族元素。 0 38. 如申請專利範圍第37項之電漿顯示面板，其特徵在於： 前述介電體保護層中之IV族元素含有率為500質量ppm 以上且2000質量ppm以下。 20 39·如申請專利範圍第1、3、14、16、25、27及35項中任一 項之電漿顯示面板，其特徵在於：前述介電體保護層中 含有過渡金屬。 40.如申請專利範圍第39項之電漿顯示面板，其特徵在於： 前述介電體保護層中之過渡金屬含有率為1500質量ppm 72 200409165 以上且6000質量ppm以下。 41.如申凊專利範圍第1、3、14、16、25、27及35項中任一 項之電漿顯示面板，其特徵在於：前述介電體保護層中 含有鹼金屬及鹼土類金屬中之至少一者。 5 42·如申請專利範圍第3、16及27項中任一項之電漿顯示面 板，其特徵在於：前述螢光體層中之放電空間側之面的 至少部分領域係披覆有一紫外線穿透率於8〇%以上之螢 光體保護膜，該螢光體保護膜具有以下機能，即：既使 春 在發光驅動而產生放電時，亦可抑制元素飛散至放電空 10 間巾’而&述元素係構成該螢光體層之元素中將讓前述 介電體保護層所具有之放電特性劣化者。 43.如申請專利範圍第42項之電漿顯示面板，其特徵在於： 前述螢光體保護膜係彼覆在螢光體層之放電側之面上， 且該螢光體層含有1000質量ppm以上之以族元素、 15 質量ppm以上之過渡金屬以及60000質量ppm以上之鹼金 族或鹼土類金屬（但Mg除外）中之至少一種。 44·如申請專利範圍第42項之電漿顯示面板，其特徵在於： 月丨J述螢光體保護膜係披覆在所有螢光體層之表面。 45. 如申請專利範圍第42項之電漿顯示面板，其特徵在於： 20 岫述螢光體保護膜係以MgF2為主成分而構成者。 46. 如申請專利範圍第42項之電漿顯示面板，其特徵在於： 前述螢光體保護膜具有Mg〇為主成分之第！層與邮2為 主成分之第2層的層積結構，且該第丨層係形成呈面臨放 電空間者。 73 200409165 47.如申請專利範圍第46項之電漿顯示面板，其特徵在於： 其中前述第1層之厚度較前述第2層之厚度為薄。

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