TW200405301A - Method for deciding recording condition of data onto optical recording medium and data recording device - Google Patents

Description

200405301 Ο) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明是關於對光記錄媒體之資料之記錄條件決定方 法及資料記錄裝置，更詳細而言，是關於於將2位元以上 之資料記錄於光記錄媒體上，並讀出被記錄於光記錄媒體 之資料時，使可以確實判別資料之記錄水平的不同，並可 以取得具有寬廣動態範圍之再生訊號，可以決定資料之記 錄條件之資料記錄條件決定方法；及於將2位元以上之資 料記錄於光記錄媒體，並讀出被記錄於光記錄媒體之資料 時，使可以確實地判別資料之記錄水平不同，並可以取得 具有寬廣動態範圍之再生訊號，可以決定資料記錄條件， 將資料記錄在光記錄媒體上的資料記錄裝置。 【先前技術】 自以往，作爲用以記錄數位資料之記錄媒體，廣泛利 用以CD或DVD爲代表之光記錄媒體，當作該資料記錄 方式是廣泛使用將應記錄之資料調變成沿著軌道之位元長 度的方式。 於使用如此之記錄方式時，在資料記錄之際，調變該 強度之雷射束是沿著光記錄媒體之軌道，予以照射，形成 持有規定長度之位元，另外，於資料再生之時，被設定成 再生功率之雷射束是沿著光記錄媒體之軌道而予以照射， 檢測出有無位元及長度。 近年來，隨著資料之高密度記錄的要求，提案有將光 -4- (2) (2)200405301 I己錄媒體之軌道假想性地分割成具有規定長度之假想記錄 單元，在假想記錄單元上形成2N種類（N爲2以上之整數） 的不同記錄標記中之任一者，而記錄N位元之資料的所 謂「多水平錄方式」。 於多水平記錄方式中，藉由使被照射在假想記錄單元 上之雷射束的總能量，即是（雷射束之功率）X (對假想記 錄單元照射雷射束的時間）變化成2N階段，將2N種類之 記錄標記形成假想記錄單元，構成可記錄N位元之資料 。該結果是所照射之雷射束的總能量爲不同，形成有不同 之記錄標記的假想記錄單元是成爲對雷射束具有不同之光 反射率，因此，依據將雷射束沿著光記錄媒體之軌道予以 照射，檢測出依據假想記錄單元而所反射之雷射束之光量 ，可以再生資料。 如此一來，依據使假想記錄單元之光反射率變化成 2N階段，在光記錄媒體上記錄有N位元之資料，故爲了 高密度將資料記錄在光記錄媒體上，使光反射率最高之假 想記錄單元，和光反射率最低之假想記錄單元之間的光反 射率之差成爲較大，即是使動態範圍變寬，則需將被照射 在假想記錄單元之雷射束的總能量’爲了滿足如此之要求 ，被構成可依據多水平記錄方式而記錄資料的光記錄媒體 是具備有包含有機色素材料的記錄層。 包含有機色素材料之記錄層的光反射率是於無記錄資 料之時，當以最大照射具有規定値以上之功率的雷射束時 ，則具有有機色素材料分解變質，光反射率下降的性質。 (3) (3)200405301 因此，依據使照射於假想.記錄單元之雷射束的總能量變化 成2N階段，則可以使形成有記錄標記之假想記錄單元之 光反射率變化成2N階段，可將記錄水平爲不同之N位元 之資料記錄在光記錄媒體上。 因此，被認定爲於包含有機色素材料之記錄層上形成 S己錄標記之時，被照射在假想記錄單元之雷射束的總能量 和假想記錄單元之光反射率的關係並非爲線形，在被照射 於假想記錄單元之雷射束之總能量爲第1規定値以下的範 圍中，即使被照射於假想記錄單元之雷射束的總能量變化 ’假想記錄單元之光反射率幾乎無變化，另外，被照射至 假想記錄單元之雷射束的總能量爲第2規定値以上時，即 使假想記錄單元之光反射率爲飽和，被照射在假想記錄單 元之雷射束之總能量變化，假想記錄單元之光反射率也幾 乎無變化。 因此，以往是構成在被照射至假想記錄單元之雷射束 的總能量，和假想記錄單元之光反射率之關係爲略線形之 範圍內，使被照射至假想記錄單元之雷射束的總能量予以 變化，在假想記錄單元形成記錄水平不同之記錄標記。 但是，爲了取得具有框廣之動態範圍的再生訊號，爲 了儘可能使光反射率最高之假想記錄單元，和光反射率最 低之假想記錄單元之間的汪反射率差成爲較大，則需控制 被照射在假想記錄單元之雷射束的總能量，在假想記錄單 元之光反射率的關係成爲略線形之範圍內，於使被照射至 假想記錄單元之雷射束的總能量予以變化，在假想記錄單 -6 - (4) (4)200405301 元形成記錄水平不同之記錄標記時，則有無法充分取得具 有寬廣動、態範圍之再生訊號的問題。 【發明內容】 . 因此’本發明之目的是提供一種可以決定資料之記錄 _ 條件的資料記錄決定方法，而使得於將2位元以上之資料 > 記錄在光記錄媒體上，並讀出被記錄在光記錄媒體之資料 時’可以確實地判別資料記錄水平不同，並可以取得具有 馨 寬廣之動態範圍之再生訊號。 而本發明之另外目的是提供一種可以決定資料之記錄 條件而將資料記錄於光記錄媒體上的資料記錄裝置，而使 得於將2位元以上之資料記錄在光記錄媒體上，並讀出被 記錄在光記錄媒體之資料時，可以確實地判別資料記錄水 平不同’並可以取得具有寬廣之動態範圍之再生訊號。 而本發明者爲了達成本發明所涉及之目的，經過精心 硏討之結果，發現當雷射束之記錄功率的水平變化時，被 鲁 設定成假想記錄單元之記錄功率之雷射束的照射時間，和 假想記錄單元之光反射率的關係則變化，雷射束之記錄功 率的水平爲高，即使於假想記錄單元分配高的最大反射率 ，亦不會極大地變化被設定成記錄功率之雷射束的照射時 間，可以將記錄水平不同之資料記錄於假想記錄單元，另 一方面，雷射束之記錄功率的水平爲低，即使於假想記錄 單元分配低的最小反射率，亦不會極大地變化被設定成記 錄功率之雷射束的照射時間，可以將記錄水平不同之資料 (5) (5)200405301 記錄於假想記錄單元。 本發明是根據該些發現而所創作出者，若依據本發明 的上述目的，是依據特徵爲：於將2位元以上之資料記錄 於被假想性地設疋在光錄媒體之錄層的多數假想記錄 單兀時，因應分配在上述假想記錄單元之最大光反射率及 /或最小反射率’設定爲了記錄資料而所使用之雷射束之 記錄功率，而所達成者。 本發明之最佳實施態樣，是分配在上述假想記錄單元 之最大反射率爲高時，則被設定成上述雷射束之記錄功率 設定爲高的水平。 本發明之最佳實施態樣，是分配在上述假想記錄單元 之最大反射率爲低時，則被設定成上述雷射束之記錄功率 設定爲低的水平。 本發明之又一最佳實施態樣，是分配在上述假想記錄 單元之最大反射率爲高時，則將上述雷射束之記錄功率設 定爲高水平，並將最大相對光反射率RraH和最小相對光 反射RRhH設定成可滿足100 - RRaH< RRhH。 本發明之另一最佳實施態樣，是分配在上述假想記錄 單元之最大反射率爲低時，則將上述雷射束之記錄功率設 定爲低水平，並將最大相對光反射率RraH和最小相對光 反射RRhH設定成可滿足100— RraL>RRhL。 本發明之最佳實施態樣中，上述光記錄媒體之上述記 錄層爲包含有有機色素材料。 本發明之上述目的是又藉由其特徵爲：於將2位元以 -8- (6) (6)200405301 上之資料記錄於被假想性地設定在光記錄媒體之記錄層的 多數假想記錄單元時，因應分配在上述假想記錄單元之最 大光反射率及/或最小反射率，存儲設定有爲了記錄資料 ▲ 而所使用之雷射束之記錄功率的記錄條件設定用資料而所 ， 達成。 本發明之最佳實施態樣，是上述分配於假想記錄單元 的最大反射率爲高時，上述雷射束之記錄功率則被設定成 高功率，而生成有上述記錄設定用資料。 鲁 本發明之又一最佳實施態樣，是上述分配於假想記錄 單元的最大反射率爲低時，上述雷射束之記錄功率則被設 定成低功率，而生成有上述記錄設定用資料。 本發明之另一最佳實施態樣，是分配在上述假想記錄 單元之最大反射率爲高時，上述雷射束之記錄功率則被設 定爲高水平，且最大相對光反射率RraH和最小相對光反 射RRhH則被設定成可滿足100— RRaH<RRhH，而生成 有上述記錄條件設定用資料。 φ 本發明之又另一實施態樣，是分配在上述假想記錄單 元之最大反射率爲低時，上述雷射束之記錄功率則被設定 爲低水平，且最大相對光反射率RraH和最小相對光反射 RRhH則被設定成可滿足100— RraL>RRhL，而生成有上 述記錄條件設定用資料。 本發明之上述及另外之目的或特徵從下述及所對應之 圖面可淸楚得知。 (7) (7)200405301 【實施方式】 說明發明之最佳實施態樣 以下，根據附件圖面針對本發明之最佳實施態樣予以 詳細說明。 第1圖是光記錄媒體之一部分逡口斜視圖，第2圖是 以第1圖之圓形所包圍之部分的放大斜視圖。 如第1圖及第2圖所示般，本實施態樣所涉及之光記 錄媒體1是當作補記型之DVD-R型光記錄媒體而構成， 具備光透過性基板U及虛設基板1 2，於光透過性基板1 1 及虛設基板1 2之間具備有記錄層、反射層、保護層2 3及 接著層24。 如第1圖所示般，光透過性基板1 1是依據光透過性 樹脂而形成圓盤狀。 於第2圖中，光透過性基板1 1之下面是構成射入雷 射束之光射入面，如第2圖所示般，於光透過性基板11 之上面，自該中心部附近朝向外圍部，螺旋狀地形成有用 以引導雷射束之溝1 1 a及凸紋1 1 b。 如第2圖所示般，記錄層2 1是被形成覆蓋形成在光 透過性基板11之上面的溝11a及lib，包含有氰（Cyanine 、Melocyanine)、甲亞胺（Methine)系色素及該誘導體、苯 硫酚（Benzenethiol)金屬複合體、鈦氰（Phthalocyanine)、 萘氰（Naphthalocyanine)色素、含氮色素等之有機色素等 。當具有規定値以上之功率的雷射束被照射到記錄層2 1 時，記錄層2 1所包含之有機色素分解變質，雷射束所照 -10- (8) (8)200405301 射之部分的鋼反射率則變化。 反射層2 2是於被記錄於光記錄媒體1之記錄層2 1的 資料再生時，經由光透過性基板1 1，用以反射被照射於 記錄層21之雷射束的薄膜層，依據以金或銀等之金屬爲 主成分而所使用之濺鍍法而所形成。 如第2圖所示般，爲了保護反射層22及記錄層21， 形成有保護層23覆蓋反射層22之表面。 如第2圖所示般，在保護層2 3上，形成有接著層2 4 ，依據接著層24接著有由光透過性基板n、記錄層2 1、 反射層22及保護層23所構成之疊層體，和虛設基板12 〇 於本實施態樣中，光透過性基板1 1及虛設基板1 2是 各具有大約〇.6mm之厚度。 於本實施態樣中，光記錄媒體1之記錄層21上是記 錄有3位元之資料。 如第1圖及第2圖所示般，光記錄媒體1之記錄層 2 1是沿著溝1 1 a，假想性地被分割成具有規定長度之多數 記錄單元S、S、…，各假想記錄單元構成有記錄資料之 記錄單元。 第3圖是表示再多數假想記錄單元上形成有記錄標記 之狀態的圖示。 如第3圖所示般，假想記錄單元S、S、…，沿著各 假想記錄單元S之溝1 1 a的方向長度l，是假想性地被設 定成比雷射束之光點直徑還小。 • 11 - (9) 200405301 上 Mf 的 各 機 成 分 體 錄 射 料 記 於 反 錄 示 記 於第3圖中，在8個連續假想記錄單元s、s、… ，各形成有不同之記錄標記Ma、Mb、Mc、Md、Me、 ' Mg、Mh，圖示著以不同記錄層記錄3位元之資料 情形’依據控制照射功率被設定成記錄功率之雷射束於 個假想記錄單元S的時間，控制假想記錄單元s內之有 色素材料之分解變質之程度，可以在假想記錄單元s形 不同之記錄標記。 於第3圖中，假想記錄單元s內之有機色素材料之 解變質之程度是以Ma、Mb、Mc、Md、Me、Mf、Mg Mh之大小所表不，當資料記錄時，因一面使光記錄媒 1旋轉’ 一面使雷射光照射至記錄層2 1，故於各假想記 單元S上形成有長圓形之記錄標記Ma、Mb、Me、Md Me、Mf、Mg、Mh。 有機色素材料是具有分解變質之程度爲大時，光反 率則降低的性質，因此，不形成有記錄標記，不記錄資 之假想記錄單元S具有最大光反射率，形成有大記錄標 之假想記錄單元S，具有小的光反射率。 第4圖是表示照射功率被設定成記錄功率之雷射束 光記錄媒體1之記錄層21上的時間，和記錄層2 1之光 射率的關係之曲線圖。 有機色素材料之分解變質之程度是隨著被設定成記 功率之雷射束之照射時間變長，而變大，故如第4圖所 般，隨著被設定成記錄功率之雷射束之照射時間變長， 錄層2 1之光反射率則降低。 -12- (10) (10)200405301 因此’照射被設定成記錄功率之雷射束的時間在Ta 中’將最短之時的記錄層2 1之光反射率Ra當作具有最大 光反射率之假想記錄單元S之光反射率而予以分配，並且 照射被設定成記錄功率之雷射束的時間在Th中，將最長 時之記錄層2 1的光反射率Rh，當作具有最小之光反射率 之假想gS錄單兀S之光反射率而予以分配，將最大之光反 射率Ra和最小光反射率Rh之間的光反射率分割成7個 ，而決定6種互相不同之光反射率Rb、RC、Re、Rf、Rg ，並當作資料之記錄水平不同之假想記錄單元S之光反射 率而予以分配，照射雷射束，而使記錄2 1所含有之有機 色素材料予以分解，並各決定使假想記錄單元S之光反射 率成爲Rb、Rc、Re、Rf、Rg、Rh所需之記錄功率之雷射 束的照射時間，因應資料之記錄水平，將被設定成記錄功 率之雷射束於假想記錄單元S，依據形成記錄標記，可將 3位元之資料記錄於各假想記錄單元S。但是，假想記錄 單元之雷射束的最大照射時間Tmax因和L/V(在此，L爲 假想記錄單元之長度，V爲記錄線形速度）相等，故用以 形成具有最小光反射率Rh之記錄標記Mh的雷射束之照 射時間Th，則必須設定爲Tmax以下。例如，假想記錄單 元S之長度L爲3 8 5 nm，記錄線形速度V爲7m/sec之時 ，則必須設定成55nSeC以下。 第5圖是表示被照射至假想記錄單元S之雷射束之功 率的變化圖案的圖不。 如第5圖所示般，被照射至假想記錄單元S之雷射束 -13- (11) (11)200405301 的功率，示選擇性地被調變成記錄功率Pw和基底功率Pb ，對應於應形，成假想記錄單元S之記錄標記M a、M b、M C 、Md、Me、Mf、Mg、Mh，設定雷射功率之功率被設定 成言己錄功率Pw之時間Ta、Tb、Tc、Td、Te、Tf、Tg ' Th。 記錄層2 1所包含之有機色素材料示是在照射有被設 定成記錄功率之雷射束之後，僅有一些分解變質，自被設 定成記錄功率之雷射束的照射開始，當經過第1規定時間 時，有機色素材料之分解變質程度，是隨著雷射束之照射 時間增大，增大成略線形，經過第2規定時間後，即使增 大雷射束之照射時間，有機色素材料之分解變質程度因具 有幾乎不增大的性質，故如第4圖所示般，記錄層2 1之 光反射率，是被設定成記錄功率之雷射束的照射時間爲第 1規定時間未滿之區域A內時，即使增大雷射束之照射時 間，也不太變化，被設定成記錄功率之雷射束的照射時間 爲第1規定時間以上，第2規定時間未滿之區域b時，則 隨著雷射束之照射時間的增大，幾乎線形地下降，被設定 成記錄功率之雷射束的照射時間爲第2規定時間以上之區 域C內時，即使增大雷射束之照射時間，也不太變化，光 反射率則達到Rs。 因此，不僅區域B內之光反射率，也將區域a及區 域C內之光反射率當作假想記錄單元s之光反射率，於 分配之時，使用區域B之光反射率，比起在假想記錄單元 S上記錄不同記錄水平之資料時，因必須使被設定成記錄 -14- (12) (12)200405301 功率之雷射束的照射時間予以較大變化，故以往將第4圖 所示之區域B內之光反射率當作假想記錄單元S之光反 射率S而予以分配，控制被設定成記錄功率之雷射束的照 ‘ 射時間，使假想記錄單元S之光反射率可成爲被分配的値 ， ，在假想記錄單元上，記錄記錄水平不同之資料時，不可 ^ 使最大反射率Ra和最小反射率Rh之差成爲極大，其結 i 果則有無法取得充分寬廣動態範圍之再生訊號的問題。 因此，即使不使被設定成記錄功率之雷射束之照射時 鲁 間極大變化，爲了用以再生具有寬廣之動態範圍的訊號， 是需要使可將以記錄水平不同之資料記錄於假想記錄單元 S之範圍中，假想記錄單元S之最大光反射率Ra儘量地 靠近於無形成有記錄標記之假想記錄S之光反射率Ro， 並且，假想記錄單元S之最小反射率R h儘量靠近於飽和 光反射率Rs，分配各假想記錄單元S之光反射率，決定 照射被設定成記錄功率Pw之雷射束的時間之最小値及最 大値。 _ 在此，本發明者精心硏討結果，發現當雷射束之記錄 功率Pw之水平變化時，被設定成第4圖所示之假想記錄 單元S之記錄功率的雷射束之照射時間，和假想記錄單元 S之光反射率的關係則變化，雷射束之記錄功率Pw之水 平爲高時，即使將高的最大反射率分配於假想記錄單元S ，亦不會使被設定成記錄功率Pw之雷射束之照射時間極 大變化，可以將記錄水平不同之資料記錄於假想記錄單元 S，另一方面，雷射束之記錄功率Pw之水平爲低時，即 -15- (13) (13)200405301 使將低的最小反射率分配於假想記錄單元S，亦不會使被 設定戌記錄功率Pw之雷射束之照射時間極大變化，可以 將記錄水平不同之資料記錄於假想記錄單元S。 弟6圖是表不照射使照射至光自2錄媒體之記錄層2 1 的雷射束之記錄功率Pw予以變化時之被設定成記錄功率 Pw之雷射束的時間，和記錄層2 1之光反射率之關係曲線 圖。 如第6圖所示般，若依據本發明者之硏究，當將雷射 束之記錄功率Pw設定成高水平之時，是自記錄層21之 光反射率開始照射被設定成記錄功率Pw之雷射束，在短 時間，換言之在光反射率爲高階段時，被斷定成隨著雷射 束之照射時間的增大，光反射率略線形地下降，再者，在 早階段，換言之在光反射率不太下降之階段，即使增大雷 射束之照射時間，光反射率亦不太變化，不久則到達飽和 光反射率Rs，另外，當將雷射束之記錄功率Pw設定成低 水平時，則斷定成即使記錄層2 1之光反射率是自開始照 射被設定成記錄功率Pw之雷射束，經過比較長時間’增 大雷射束之照射，亦不太變化，光反射率在比較低的階段 ，隨著雷射束之照射時間的增大，光反射率成爲略線形地 下降，即使增大雷射束之照射時間，光反射率直到無變化 爲止，需要長時間，光反射率相當地下降，開始即使增大 雷射束之照射時間，光反射率也不太變化。 因此，若將雷射束之記錄功率Pw設定成高的水平時 ，即使將分配於假想記錄單元S之最大光反射率設定成高 -16- (14) (14)200405301 的數値，也不使被設定成記錄功率之雷射束之照射時間極 大變化；因可將記錄水平不同之資料記錄於假想記錄單元 S，故雷射束之記錄功率p W爲PwH之時，可以分配於假 想記錄單元S之最大反射率RaH及最大相對光反射率 RRaH(%)以及雷射束之記錄功率pw爲pwL(PwL<PwL)之 時，可以分配於假想記錄單元S之最大光反射率RaL及 最大相對光反射率RRaL(%)是成爲滿足下式。

RaL < RaH RRaL < RRaH 在此，絕對光反射率爲Ri之時的相對光反射率RRi (% )是依據下式而被定義。

RRi ( 〇/〇 ) = { ( Ri - RS ) / ( Ro - Rs ) } xlOO 如此一來，因應分配於假想記錄單元S之最大反射率 Ra及最大相對光反射率RRa ( % )，依據設定雷射束之記 錄功率Pw之水平，即使將分配於假想記錄單元S之最大 光反射率Ra及最大相對光反射率RRa ( % )設定成高的 數値’亦不會使被設定成記錄功率Pw之雷射束的照射時 胃@ t變化，可以將記錄水平不同之資料記錄於假想記錄 單元S ’可取得具有寬廣動態範圍之再生訊號。 另外’若將雷射束之記錄功率Pw設定成低水平時， -17- (15) (15)200405301 即使將分配於假想記錄單元S之最小反射率設定成低的數 値，亦不會使被設定成記錄功率P w之雷射束的照射時間 成爲極大變化，因可將記錄水平不同之資料記錄於假想記 * 錄單元，故雷射束之記錄功率Pw爲PwH時，可以分配於 假想記錄單元S之最小光反射率RhL及最小相對光反射 4 率RRhL ( % )以及雷射束之記錄功率Pw爲pwL ( PwL <

PwH)之時，可以分配於假想記錄單元S之最小光反射率

RhL及最小相對光反射率RRhL ( % )是成爲滿足下式。 馨

RhL < RhH RRhL < RRhH 如此一來，因應分配於假想記錄單元S之最小光反射 率Rh及最小相對光反射率RRh ( % )，依據設定雷射束 之記錄功率Pw之水平，即使將分配於假想記錄單元S之 最小光反射率Rh及最小相對光反射率RRh ( % )設定成 鲁 低的數値，亦不會使被設定成記錄功率Pw之雷射束的照 射時間極大變化，可以將記錄層次不同之資料記錄於假想 記錄單元s，可取得具有寬廣動態範圍之再生訊號。 並且，如第6圖所示般，雷射束之記錄功率pw之水 平爲高之時’記錄層21之光反射率是在光反射率之水平 比較高的階段，隨著雷射束之照射時間增大，而成爲略線 形下降，另一方面，記錄層21之光反射率是在光反射率 不太下降的階段，即使增大雷射束之照射時間，因幾乎不 -18- (16) (16)200405301 變化，故.爲了提高分配於假想記錄單元s之最大光反射率 ，於將雷射束之記錄功率p W設定成高的水平P WH時，被 分配於假想記錄單元S之最大相對光反射率RRaH及最小 相對光反射率RRhH則被決定成可滿足下式

1 00 — RRaH < RRhH 雷射束之記錄功率爲PwH之時，依據將被分配於假 想記錄單元S之最大相對光反射率RRaH及最小相對光反 射率RRhH決定成如此，雷射束之記錄功率爲PwH之時 ，即使不使被設定成記錄功率之雷射束之照射時間予以較 大變化，亦可在可將記錄水平不同之資料記錄於假想記錄 單元S之範圍，各分配假想記錄單元S之最大相對光反射 率RRaH及最小相對光反射率RRhH。 對此，雷射束之記錄功率Pw之水平爲低時，是如第 6圖所示般，因被斷定成記錄層2 1之光反射率是到光反 射率之水平成爲比較低爲止，隨著雷射束之照射時間的增 大，部略線形地下降，另一方面，記錄層2 1之光反射率 是到光反射率之水平相當降低爲止，隨著雷射束之照射時 間的增大，而略線形下降，故當將雷射束之記錄功率Pw 設定成低水平PwL，被分配於假想記錄單元S之最大相對 光反射率RRaL及最小相對光反射率RRhL是被決定成可 滿足下式。 (17)200405301

100- RRaL > RRhL 雷射束之記谶功率爲P w L之時，依據將被分 想記錄單元S之最大相對光反射率RRaL及最小相 射率RRhL決定成如此，雷射束之記錄功率爲PwL 即使不使被設定成記錄功率之雷射束之照射時間予 變化，亦可在可將記錄水平不同之資料記錄於假想 元S之範圍，各分配假想記錄單元S之最大相對光 RRaL及最小相對光反射率RRhL。 依照上述之基本構思，因應分配於假想記錄單元 最大光反射率Ra及最小相對光反射率RRh，選擇駕 錄資料而所使用之雷射束之記錄功率Pw，依照其他 ，例如，再生資料時之誤差率，自所選擇之雷射束之 功率Pw中，決定最適當之記錄功率pw。 並且，大略7等份最大反射率Ra和最小反射] 之間的光反射率，決定6種類互相不同之光反射率 Rc、Rd、Re、Rf、Rg，當作資料之記錄水平不同之 g己錄單兀S之光反射率而被分配，照射雷射束，使包 記錄層21之有機色素材料予以分解變質，在資料之 水平不同之每假想記錄單元S上決定使假想記錄單元 光反射率成爲 Ra、Rb、Rc、Rd、Re、Rf、Rg、Rh 之雷射束之記錄功率Pw之最適當水平，和被設定成 當之記錄功率Pw之雷射束的照射時間，而生成記錄 設定資料。 於假 光反 時， 較大 錄單 射率 s之 了記 特性 記錄 s Rh Rb、 假想 含於 記錄 S之 所需 最適 條件 -20- (18) (18)200405301 如此所生成之記錄條件設定用資料是與特定光記錄媒 體1之種類的ID資料賦予關連，而被記億於資料記錄裝 置之記憶體上，記錄資料之時，因應雷射束之記錄功率 Pw之水平及資料之記錄水平，決定被設定成照射在假想 記錄單元S上之雷射束的照射時間，將雷射束照射於光記 錄媒體1之記錄層21上，記錄資料。 第7圖是本發明之最佳實施態樣所涉及之資料記錄裝 置之方塊圖。 如第 7圖所示般，資料記錄裝置40是當作所謂之 DVD-R記錄器而所構成，具備有主軸伺服器41、主軸馬 達42、拾取器43、聚焦跟蹤伺服器44、發送伺服器45 及控制裝置46。 主軸馬達42是依據主軸伺服器4 1而被驅動控制，構 成可以一定線速度使光記錄媒體1予以旋轉。 拾取器4 3是依據控制裝置4 6而被控制，資料記錄時 ，照射自基底功率Pb到記錄功率Pw爲止之振幅的雷射 束，並於被記錄於光記錄媒體1之資料再生時，構成可將 被設定成再生功率Pr之雷射束照射至光記錄媒體1上。 再者’拾取器43是具備有物鏡（無圖示）及半透明鏡（ 無圖示），於資料之記錄時或資料再生時，雷射束是依據 物鏡及半透明鏡，被集光至光記錄媒體1之記錄層2 1。 具體而言，依據聚焦跟蹤伺服器44，物鏡被聚焦跟蹤伺 服器控制，雷射束則被集光至光記錄媒體1之記錄層2 1 -21 VJ 'T} (19) (19)200405301 拾取器4 3是沿著光記錄媒體1 5之直徑方矽，依據發、 送伺服器再該內圍側和外.圍側之間來回動作，另外，光記 錄媒體i因是依據主軸馬達42以一定線速度而被旋轉， 故沿著軌道，雷射束被照射至記錄層2 1之全面。 控制裝置46是控制主軸伺服器41、拾取器43、聚焦 跟蹤伺服器44及發送伺服器45之驅動，並且，根據自拾 取器43所輸出之電氣性訊號，構成可讀取被記錄於記錄 層2 1之資料。 再者，雖然無圖示，但是在控制裝置46之記憶體上 ，記錄條件設定用資料是與特定光記錄媒體1之種類的 ID資料賦予關連，而被記憶。 在光記錄媒體1之記錄層2 1記錄資料之時，首先， 依據控制裝置4 6讀取被記錄於光記錄媒體1之ID資料， 依照ID資料，讀出被記錄於記憶體之對應的記錄條件設 定用資料。 接著，控制裝置46是依照所讀出之記錄條件設定用 資料，決定爲了將資料記錄於光記錄媒體1之記錄層2 1 所使用之雷射束之記錄功率P w，並且，因應資料之記錄 水平，決定被設定成照射至假想記錄單元S之最適當記錄 功率Pw的雷射束之照射時間，並依據控制裝置46，控制 拾取器4 3之雷射驅動器，依照應記錄之資料的記錄水平 ，控制被照射至假想記錄S之雷射束之照射時間。 若依據本實施態樣，被分配於假想記錄單元S之最小 光反射率Rh及最小相對光反射率RRh ( % )爲低時，因 -22- (20) (20)200405301 被構成可將雷射束之記錄功率Pw.設定成低層次，故即使 將分配於假想記錄單元S之最小光反射率Rh及最小相對 反射率RRh ( % )設定成低數値，亦不會極大變化被設定 ./ 成記錄功率Pw之雷射束之照射時間，可以將記錄水平不 同之資料記錄於假想記錄單元S，可取得寬廣動態範圍之 4 再生訊號。 並且，若依據本實施態樣，爲了提高分配於假想記錄 單元s之最大光反射率，於將雷射束之記錄功率Pw設定 馨 成高水平PwH時，因被分配於假想記錄單元S之最大相 對反射率RRaH及最小相對光反射率RRhH是被決定成可 滿足下式，故於雷射束之記錄功率爲PwH之時，即使極 大變化被設定成記錄功率之雷射束的照射時間，亦可在可 將記錄層次不同之資料記錄於假想記錄單元S的範圍，分 配假想記錄單元S之最大相對光反射率RRaH及嘴最小相 對光反射率RRhH。

1 00 - RRaH < RRhH 再者，若依據本實施態樣，爲了降低分配於假想記錄 之最小光反射率，於將雷射束之記錄功率Pw設定成低水 平PwL之時，因被分配於假想記錄單元S之最大的相對 光反射率RRaL及最小相對光反射率RRhL因是被決定可 滿足下式，故雷射束之記錄功率爲PwL之時，即使極大 地變化被設定成記錄功率之雷射束的照射時間，亦可在可 -23- (21) (21)200405301 以將記錄水平不同之資料記錄於假想記錄單元S之範圍， 各分配假想記錄單元S之最大相對光反射率，RRaL及最小 相對光反射率RRhL。 再者，若依據本實施態樣，記錄條件設定用資料是與 用以特定光記錄媒體1之種類的ID資料賦予關連，而被 記憶於資料記錄裝置5 0之控制裝置4 6之記憶體（無圖示） ，在將資料記錄於光記錄媒體1之記錄層2 1時，依據控 制裝置46讀取被記錄於光記錄媒體1之ID資料，依照 ID資料讀出被記錄於記憶體之對應的記錄條件設定用資 料，依照記錄條件設定用資料，決定雷射束之記錄功率 Pw最適合之水平，並且因應資料之記錄水平，因被構成 可決定被設定成照射於記錄水平不同之假想記錄單元S之 最適合功率P w的雷射束照射時間，故如所欲般，可將記 錄水平不同之資料，並取得具有寬廣之動態範圍之再生訊 號。 以下’是爲了使本發明之效果更加明瞭，而所揭示的 實施例及比較例。 實施例1 如下所述般，製作光記錄媒體樣品。 首先，依據射出成型法，製作由具有0.6mm厚度和 120mm直徑，並其表面軌道間距（溝間距）爲0.74 // m，形 ✓ 成有溝和凸紋之聚碳酸酯所構成之碟狀的光透過性基板。 接著’將光透過性基板置放於旋轉塗層裝置上，一面 -24- (22) (22)200405301 使光透過性基板旋轉，一面使含有以下述構造式所示之含 氮系有機色素之有機溶媒，滴落於形成有光透過性基板之 溝及凸紋的表面上，形成塗膜，並使塗膜予以乾燥，而在 溝上形成具有100 nm之厚度的記錄層。

並且，將形成有記錄層之光透過性基扳置放於濺鍍裝 置，並在記錄層上形成由Ag、Pd及Cu之合金所構成， 具有150nm厚度之反射層。 接著，置放於光透過性旋轉塗層裝置，一面使光透過 性基板旋轉，一面將丙燒系紫外線硬化性樹脂溶解於溶劑 ，然後塗布所調製之樹脂溶液於反射層之表面，形成塗膜 ，並照射紫外線於塗膜，使丙烯系紫外線硬化性樹脂予以 硬化，而形成保護層。 並且，一面使光透過性基板旋轉，一面將紫外線硬化 型接著劑滴落於保護層2 3上，而形成接著層。 接著，將由具有依據射出成型法所製作出之〇.6mm 之厚度和120mm直徑的聚碳酸酯所構成之虛設基板貼合 於接著層之表面，照射紫外線，並使紫外線硬化型接著劑 -25- (23) (23)200405301 予以硬化，而製作出光記錄媒體樣品。 ， 將如此所製作出之光記錄媒體樣品置放在脈衝科技 (PULSETECH)工業股份有限公司所製作的光記錄媒體評估_ Μ 裝置「DDU 1 0 0 00」（產品名稱），將記錄線速度設定成 7.0m/sec，並且將雷射束之記錄功率設定成9.0mW，自光 透過性基板照射雷射束。 < 在此，沿著溝假想性地在記錄層上設定具有3 8 5 n m 長度之假想記錄單元，於對每假想記錄單元，改變被設定 φ 成記錄功率之雷射束的照射時間，於多數之假想記錄單元 上形成不同之記錄標記。 在此，照射被設定乘記錄功率之雷射束於假想記錄單 元的最大照射時間爲5 5 n s e c。 同樣地在相同光記錄媒體樣品之不同軌道上，照射記 錄功率被設定成12.OmW的雷射束，對每假想記錄單元， 改變被設定成記錄功率之雷射束的照射時間，而在多數假 想記錄單元上形成不同之記錄標記。 鲁 並且，同樣地在相同光記錄媒體樣品之不同軌道上， 照射記錄功率被設定成16.OmW的雷射束，對每假想記錄 單元，改變被設定成記錄功率之雷射束的照射時間，而在 多數假想記錄單元上形成不同之記錄標記。 如此一來，將再生功率Pr被設定成1 .3 mW之雷射束 自光透過性基板側，以線速度爲7. Om/sec照射在多數假 想記錄單元上形成有不同記錄標記的光記錄媒體樣品上， 然後測定依據各假想記錄單元所反射之雷射束之光量，並 -26- (24) (24)200405301 測定出各假想記錄單元之光.反射率和被設定成記錄功率之 雷射束的照射時間的關係。 測定結果是如·第8圖所示般。 於第8圖中，依據光電變換藉由各假想記錄單元所反 射之雷射束而所取得之電壓値（V)，表示縱軸之光反射率 。第8圖之光反射率（V)是被校正成無形成有記錄標記之 假想s5錄卓兀之光反射率（v)可成爲1.〇。 如第8圖所示般，可知雷射束之記錄功率的水平爲高 之時’假想記錄單元之光反射率音開始照射被設定成記錄 功率之雷射束，故在短時間隨著雷射束之照射時間的增大 ，而略線形地下降，縮短第4圖之區域A的長度。 再者’如第8圖所示般，可知雷射束之記錄功率的水 平爲低之時’即使增大雷射束之照射時間，直到假想記錄 單元之光反射率不怎樣變化爲止，也需要長時間，縮短第 4圖區域C之長度。並且，將第4圖之區域C之長度設定 成9.0mW之時，即使經過最大照射時間55nsec，將被設 定成記錄功率之雷射功率照射至假想記錄單元，假想記錄 單元之光反射率亦無達到飽和光反射率。 並且’如第8圖所示般，發現雷射束之記錄功率的水 平爲局時’對於第4圖之區域B中的雷射束之照射時間增 大的假想記錄單元之光反射率變化則變大。 實施例2 與實施例1相同，製作光記錄媒體樣品，置放在脈衝 -27- (25) (25)200405301 科技（PULS ETECH)工業股份有限公司所製作的光記錄媒體 評估裝置「DDU 1 0000」（產品名稱），將記錄速度設定 成7.0m/Sec，依照第1記錄條件及第2記錄條件，在各假 ， 想記錄單元上記錄3位元之資料。 在第1記錄條件中，將分配於假想記錄單元之最大相 對光反射率RRa設定成8 5%，將最小相對光反射率RRh 設定成5 %，將具有不同記錄功率P w之雷射束照射至記 錄層2 1，而記錄資料。 眷 另外，在第2記錄條件中，將分配於假想記錄單元之 最大相對光反射率RRa設定成95%，將最小相對光反射 率RRh設定成15%，將具有不同記錄功率Pw之雷射束照 射至記錄層2 1，而記錄資料。 依照第1記錄條件，依照記錄有資料之光記錄媒體樣 品及第2記錄條件，將功率水平被設定成1 . 3 m W之雷射 束，以 7 .Om/sec之線速度照射至記錄有資料之光記錄媒 體樣品上，再生資料，而測定誤差率（DDER)，並測定出 鲁 雷射束之記錄功率Pw和誤差率的關係。 測定結果如第9圖所示般。 如第9圖所示般，可確認依照第1記錄條件，在記錄 有資料之光記錄媒體樣品中，誤差率（DSER)爲最小之記 錄功率Pw大約爲8mW，對此，依照第2記錄條件，在記 錄有資料之光記錄媒體樣品中，誤差率（DSER)爲最小之 記錄功率Pw大約爲1 1 niW，於分配低的最大相對光反射 率及低的最小相對光反射率至假想記錄單元上之時，將雷 •28-, (26) (26)200405301 射數之記錄功率P w設定成低水平，並於分配高的最大相 對光反射率及高的最小相對光反射率至假想記錄單元上時 ，是將雷射束設定成高的水平爲最佳。 ^ 本發明並不限定於以上之實施態樣及實施例，在專利 申請範圍中所記載之發明範圍內可作各種變更，該些當然 也包含在本發明之範圍內。 例如，於上述實施態樣及上述實施例中，雖然是說明 將資料記錄在補記型之DVD-R型光記錄媒體之情形予以 說明，但是本發明並不限定於將資料記錄於補記型之 DVD-R型光記錄媒體，亦可以適用於將資料記錄於其他 光記錄媒體。 並且，於上述實施態樣及上述實施例中，雖然是構成 光記錄媒體1是經過光透過性基板1 1，而照射雷射束至 記錄層2 1，記錄資料，並使被記錄於記錄層2 1之資料予 以再生’但是不一定要構成光記錄媒體1經過光透過性基 板Π，將雷射束至記錄層2 1，記錄資料，使被記錄於記 錄層2 1之資料予以再生，本發明即使於記錄資料之時亦 可以適用構成在基板上依序具備反射層、記錄層及保護層 ，依據保護層’照射雷射束至記錄層，而記錄資料，並使 被記錄於記錄層之資料予以再生的光記錄媒體。 再者’於上述實施態樣中，雖然在各假想記錄單元s 上記錄3位元之資料，但是本發明並不限定在各假想記錄 輩元上記錄3位元之資料的情形，於各假想記錄單元s上 記錄2位元以上之資料之時，亦可以廣泛使用。 -29- (27) (27)200405301 並且’於上述實施態樣中，雖然在各假想記錄單元S 上記錄3位元之資料時，設定分配於假想記錄單元s之最 大光反射率Ra、最大相對光反射率RRa及最小光反射率 以及最小相對光反射率 RRh，大略 7等份最大光反射率 Ra和最小光反射率Rh，或最大相對光反射率RRa和最小 相對光反射率RRh之間，決定6種類互相不同之光反射 率Rb、He、Rd、Re、Rf、Rg，但是不一定要設定分配於 假想記錄單元S之最大光反射率Ra及最大相對光反射率 RRa以及最小光反射率Rh及最小相對光反射率RRh，亦 可以設定分配於假想記錄單元S之最大光反射率Ra及最 大相對反射率RRa或分配於假想記錄單元s之最小光反 射率Rh及最小相對光反射率RRh，並以分配於假想記錄 單元S之最大光反射率Ra及最大相對光反射率RRa或是 分配於假想記錄單元S之最小光反射率Rh及最小相對光 反射率RRh爲基準，對記錄水平不同之假想記錄單元S， 檢測出自假想記錄單元S反射出的雷射束，而於再生資料 之時，使可成爲針對可辨識資料之記錄水平之不同的光反 射率差或是相對光反射率差，分配不同之光反射率或是相 對光反射率。 再者，於上述實施態樣中，雖然在應形成記錄標記之 假想記錄單元S的起點，雷射束到達之時點，雷射束之功 率從基底功率Pb爬升至記錄功率Pw，但是被照射至假想 記錄單元S之雷射束的總能量若爲相同，雷射束之功率從 基底功率Pb爬升至記錄功率Pw之時機是可以任意決定 -30- (28) (28)200405301 並且，於上述實施態樣及上述實施例中’光記錄媒體 雖然是.具備有包含有機色素材料之記錄層’但是光記錄媒 體不一定要具備有包含有機色素材料的記錄層’即使具備 有無機材料之記錄層亦可。 若依據本發明，則可以提供一種可決定資料之記錄條 件的資料記錄決定方法，而使得在光記錄媒體上記錄2位 元以上之資料，並於讀出被記錄於光記錄媒體之資料時’ 可以確實地判別資料之記錄水平不同，並可取得具有寬廣 動態範圍之再生訊號。 再者，若依據本發明，則可以提供一種可決定資料之 記錄條件而將資料記錄於光記錄媒體上的資料記錄裝置， 而使得於將2位元以上之資料記錄在光記錄媒體上，並讀 出被記錄在光記錄媒體之資料時，可以確實地判別資料記 錄水平不同，並可以取得具有寬廣之動態範圍之再生訊號 【圖式簡單說明】 第1圖是本發明之最佳實施態樣所涉及之光記錄媒體 之略斜視圖。 第2圖是以第1圖所示之光記錄媒體之圓形所包圍之 部分的放大剖面圖。 第3圖是表示再多數假想記錄上形成記錄標記之狀態 的圖表。 -31 - (29) (29)200405301 第4圖是表示將功率被設定成記錄功率之雷射束照射 於光記錄媒體之記錄層的時間，和記錄層之光反射率的關 係曲線圖。 4 第5圖是表示照射於假想記錄單元S之雷射束功率的 調變圖案的圖示。 4 第6圖是表示照射使照射至光記錄媒體之記錄層的雷 射束之記錄功率予以變化時之被設定成記錄功率之雷射束 的時間，和記錄層之光反射率之關係曲線圖。 泰 第7圖是本發明之最佳實施態樣所涉及之資料記錄裝 置之方塊圖。 第8圖是表示實施例1中，測定各假想記錄單元之光 反射率，和被設定成記錄功率之雷射束照射時間之關係的 結果曲線圖。 第9圖是表示實施例2中，測定雷射束之記錄功率 Pw和誤差率之關係的結果曲線圖。 【主要元件對照表】 I 光記錄媒體 II 光透過性基板 11a 溝 lib 凸紋 12 虛設基板 2 1 記錄層 22 反射層 32- (30) 保護層 接著層 假想記錄單元 資料記錄裝置 主軸伺服器 主軸馬達 拾取器 聚焦跟蹤伺服器 發送伺服器 控制裝置 -33-

Claims (1)

1. (1) (1)200405301 拾、申請專利範圍 1 · 一種資料之記錄條件方法，其特徵爲：於將2位元 以上之資料記錄於被假想性地設定在光記錄媒體之記錄層 的多數假想記錄單元時，因應分配在上述假想記錄單元之 最大光反射率及/或最小反射率，設定爲了記錄資料而所 使用之雷射束之記錄功率。 2 .如專利申請範圍第1項所記載之資料之記錄條件決 定方法，其中，分配在上述假想記錄單元之最大反射率爲 高時，則將上述雷射束之記錄功率設定爲高水平。 3 ·如專利申請範圍第1項所記載之資料之記錄條件決 定方法，其中，分配在上述假想記錄單元之最大反射率爲 低時，則將上述雷射束之記錄功率設定爲低水平。 4 ·如專利申請範圍第2項所記載之資料之記錄條件決 定方法，其中，分配在上述假想記錄單元之最大反射率爲 高時’則將上述雷射束之記錄功率設定爲高水平，並將最 大相對光反射率RraH和最小相對光反射RRhH設定成可 滿足 1 00 - RRaH < RRhH 〇 5 ·如專利申請範圍第2項所記載之資料之記錄條件決 定方法，其中’分配在上述假想記錄單元之最大反射率爲 低時’則將上述雷射束之記錄功率設定爲低水平，並將最 大相對光反射率RraH和最小相對光反射RRhH設定成可 滿足 100 — RraL>RRhLo 6 ·如專利申請範圍第1項至第5項中之任一項所記載 之資料之記錄條件決定方法’其中，上述光記錄媒體之上 -34- (2) (2)200405301 述記錄層爲包含有有機色素材料。 7.—種資料記錄裝置，其特徵爲：於將2位元以上之 資料記錄於被假想性地設定在光記錄媒體之記錄層的多數 假想記錄單元時，因應分配在上述假想記錄單元之最大光 反射率及/或最小反射率，存儲設定有爲了記錄資料而所 使用之雷射束之記錄功率的記錄條件設定用資料。 8 ·如專利申請範圍第7項所記載之資料記錄裝置，其 中，上述分配於假想記錄單元的最大反射率爲高時，上述 雷射束之記錄功率則被設定成高功率，而生成有上述記錄 設定用資料。 9 ·如專利申請範圍第7項所記載之資料記錄裝置，其 中，上述分配於假想記錄單元的最大反射率爲低時，上述 雷射束之記錄功率則被設定成低功率，而生成有上述記錄 設定用資料。 1 0.如專利申請範圍第8項所記載之資料記錄裝置， 其中，分配在上述假想記錄單元之最大反射率爲高時，上 述雷射束之記錄功率則被設定爲高水平，且最大相對光反 射率RraH和最小相對光反射RRhH則被設定成可滿足 100 — RRaH < RRhH，而生成有上述記錄條件設定用資料 〇 η ·如專利申請範圍第8項所記載之資料記錄裝置， 其中，分配在上述假想記錄單元之最大反射率爲低時，上 述雷射束之記錄功率則被設定爲低水平，且最大相對光反 射率RraH和最小相對光反射RRhH則被設定成可滿足 -35- (3)200405301 100 RraL>RRhL，而生成有上述記錄條件設定用資料

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