TW200405227A - Organic electroluminescence panel - Google Patents
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- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title abstract 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 60
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 25
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 claims description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 20
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 8
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000005394 sealing glass Substances 0.000 abstract description 4
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 230000009545 invasion Effects 0.000 abstract description 3
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 43
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 13
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 11
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 230000007847 structural defect Effects 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000002689 soil Substances 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/02—Details
- H05B33/04—Sealing arrangements, e.g. against humidity
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/841—Self-supporting sealing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
Description
200405227 五、發明說明（1) 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關一種有機電場發光（e 1 e c t r 〇 1 um i n e s c e n c e ; E L)面板，其係將矩陣配置之有機E L元 件、與用以驅動此等有機EL元件之複數個薄膜電晶體設置 於基板上，且在此基板之周邊部分，將配置有機EL元件之 畫素區域之上方加以密閉之密封面板予以黏合。 :先前技術】 自以往以來，有機EL顯示器面板即已被作為一種平面 顯示器面板。此有機EL顯示器面板係與液晶顯示器 :Liquid Crystal Display; LCD)面板不同，其為自發 光，故被期待能普及成為一種明亮而易於觀看的平面顯示 器面板。 此有機EL顯示器係以有機EL元件為晝素，而將此晝素 配置構成多數矩陣狀。此外，以此有機E L元件之驅動方法 而言，雖係與LCD同樣地具有被動方式與主動方式，但與 一書 LCD同 素設置開關元件（通常為開關用與驅動用之2個），控制 該開關元件，並控制各晝素之顯示之主動矩陣方式，此方 式與在每一晝素不具有開關元件的被動方式相較，更能夠 實現高精密度之晝面，故極為理想。 在此，有機EL元件係藉由於流通電流有機發光層之方 式而使有機EL元件發光。此外，為與此有機發光層相鄰接 而有助於發光，大多設置有由有機材料所構成之電洞傳輸 層及電子傳輸層之情況。此等有機層將由於水分而易於惡
JL
314678.ptd 第5頁 200405227 五、發明說明（2) 化。 因此，在有機EL顯示器上除了以金屬製之陰極，將有 機EL元件之上方予以覆蓋之外，並同時將配置有機EL元件 之顯示區域（晝素之存在區域）之上方空間作為氣密之空 間，並於此空間配置乾燥劑將水分去除。 發明欲解決之問題 但是，在此種習知之有機EL顯示器面板中，其使用年 限大多不長。針對此點，經研究後結果發現大多係由於有 機E L元件之上部空間不夠乾燥所致。亦即無法充分有效的 防止來自外部的水分的侵入所致。 本發明係有鑑於上述問題而研創者，其目的在提供一 種能夠有效防止水分侵入到有機EL元件之上部空間之有機 E L面板。 【内容】 本發明係一種有機EL面板，其係將矩陣配置之有機EL 元件、與用以驅動此等有機E L元件之複數個薄膜電晶體設 置於基板上，且在此基板之周邊部分，將配置有機E L元件 之晝素區域之上方加以密閉之密封面板予以黏合，其特徵 為：在前述基板之上面形成矽系氮化膜或矽系氧化膜，且 藉由密封材將此矽系氮化膜或矽系氧化膜予以黏著於密封 面板之方式，進行基板與密封面板間之密封。 因此，依據本發明，係設置矽系氮化膜或矽系氧化 膜，並藉由此與密封材而將有機EL面板之内部空間與外部 予以區隔。以往，由設置在薄膜電晶體上之有機物質所構
314678.ptd 第6頁 200405227 五、發明說明（3) 成之平坦化膜，係存在於密封材之下方，因此會有水分透 過此平坦化膜而從外部侵入之虞，但依據本發明藉由矽系 氮化膜則可確實解決此種問題。 此外，前述有機EL元件係形成於基板上之前述薄膜電 晶體更上方，而前述矽系氮化膜或矽系氧化膜則以覆蓋前 述薄膜電晶體之上方而形成者為最理想。 此外，當前述密封材之下方存有薄膜電晶體之源極或 汲極電極時，則設置覆蓋其上方之電極保護層，且以密封 材將此電極保護層予以覆蓋者為最理想。 如此，藉由以緩衝材覆蓋薄膜電晶體之方式，將可解 除由於薄膜電晶體之電極在矽系氮化膜或矽系氧化膜所產 生之段差之不良影響。 【實施方式】 以下，茲以圖式說明本發明之實施形態。 第1圖係顯示實施形態之一之主要部分剖面圖。在玻 璃基板1 0上，為了防止雜質從玻璃基板1 0侵入，而全面形 成依S i 0 2、S i Nx的順序所層積之2層之絕緣膜1 2。在此絕緣 膜1 2上之主要部分係形成多數薄膜電晶體。在此圖中係顯 示作為薄膜電晶體之第2TFT(Thin Film Transistor，薄 膜電晶體），其係控制電源線供予有機EL元件之電流。另 外，在各畫素中係設有第1 T F T，其係為控制將來自數據 線之電壓儲存為電容，第2 TFT則係因應儲存在電容之電 壓而導通’控制由電源線流向有機E L元件之電流。 在絕緣膜1 2上係形成有由多晶矽構成且形成活性層之
314678.ptd 第7頁 200405227 五、發明說明（4) 半導體層14，並形成有由覆蓋此半導體層14而依si〇2、 S i N X順序層積之2層膜所構成之閘極絕緣膜1 6。在半導體 層1 4之中間部分之上方’係形成有隔著閘極絕緣膜1 g而由
Mo等所構成之閘極電極18,並形成有由覆蓋此閘極電極18 而依Si Nx、Si 0順序層積之2層膜所構成之層間絕緣膜2〇。 此外’在半導體層1 4之兩端側，則係於層間絕緣膜2 〇以及 問極絕緣膜1 6形成接觸孔，例如形成鋁之汲極電極22與源 極電極2 4。 然後 極2 4，全 分阻擋層 2 2、源極電 所構成之水 ’並覆蓋層間絕緣膜2 0以及没極電極 面形成由SiNx或TE0S(矽酸四乙醋）膜 26。 、 脂等 化膜 透明 成在 上。 與第 所覆 形成 區域 ^ ί機ί此水分阻撞層26之Λ，係形成有由丙烯酸樹 Hi ϊ料所構成之第1平坦化膜28,且於該第1平土曰 恭極^成有1T〇(IndiUm Tln 〇xide，氧化銦錫）等之 &、ϊΐ aa以作為每一晝素之有機E L元件之陽極。 將設晋，極3〇之一部分係到達源極電極24上，並亦形 ^ 此之源極電極之上端予以露出之接觸孔内面 1二而使源極電極24與透明電極3〇直接連接。 Ϊ平二極3°之發光區域以外之晝素區域之周邊部係由 蓋千。-化膜28同樣之有機物質所構成之第2平坦化_ 然後，在第2平坦化膜32以及透明+ + 〇Λ 電洞傳輪層34。在此，由於第方全面 開口，# +垣化膜3 2係在發朵 故電洞傳輸層34係在發光區域與作為陽極：透
200405227 五、發明說明（5) 明電極3 0直接接 若干大於發光區 輸層3 8以此順序 40 ° 因此，當第 給至有機EL元件 30、陰極40間， 然後，在本 層間絕緣膜2 0、 璃基板1 0上之周 電洞傳輸層3 4、 換言之，如圖所 以黏合之密封材 26° 觸。此外 域且依每 加以層積 2TFT導通 之透明電 並使有機 實施形態 以及水分 邊，但第 以及陰極 示，相對 5 2係黏合 ’在此電洞傳輸層3 4之上，係使 一晝素分割之發光層3 6、電子傳 ’再於其上形成有鋁等之陰極 時’則使電流隔著源極電極2 4供 極3 0，且使電流流動於透明電極 EL元件因應電流而發光。 中’絕緣膜1 2、閘極絕緣膜1 6、 阻擋層2 6雖係全面地形成到達玻 1平垣化膜28、第2平坦化膜32、 4 0係在到達周邊之前形成終端。 於玻螭基板1 〇，將密封玻璃5 〇予 於玻璃基板1 〇上之水分阻擋層 在密封材52中係採用環氧樹脂等之uv(ultravi〇let 备、外線）硬化樹脂，且使此1^硬化樹脂直接黏合於水 擋層2 6。此水分阻擋層2 6係由 並不會將來自外部之水分傳導 防止來自外部的水分侵入到密 以習知之構成觀之，其第 於玻璃基板1 〇上形成至密封材 坦化膜2 8、3 2係由丙烯酸樹脂 物質之吸濕性係大於S i Νχ等， 内部。在本實施形態中，係藉 S i N X等矽系氮化膜所形成， 至内側。藉此，即可有效地 封玻璃5 0之内部空間。 卜第2平坦化膜28、32亦係 5 2之下方。此等第1、第2平 等有機物質所形成，而此等 因此易於將水分導入到面板 由防水性較高之S i N X等之矽
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第9頁 200405227 五、發明說明（6) _ ^化膜覆蓋内部之薄膜電晶體（TFT)，藉此，基本上
月^以此水分阻擋膜2 6、密封材5 2、密封玻璃5 0而將有機EL ^件之存在之空間予以包圍，有效地防止水分到達此有機 EL元件。 中 第2圖係顯示另一實施形態之構成。在此實施形態 部’係使第1平坦化膜2 8之一部分存在於密封材5 2之内 多 亦即’在配置密封材5 2之玻璃基板1 〇之周邊部分，大 體^ f有驅動電路，而此驅動電路亦含有多數的薄膜電晶 晝素Fp 。^驅動用之薄膜電晶體係與通常設置於每一 因此之二丄\第2 TFT以同一之製程形成在玻璃基板10上。 薄膜電曰二^ ί 5 2之下方’大多存有薄膜電晶體，而此時 蓋此層^緣出於層間絕緣膜2〇上，且亦於覆 阻擋層26形成得非常；；阻擋層26產生段差。虽隹然將水分 形成太厚，而會產二=不會有問題，但在實用上卻無法 此段差部上亦# & Ϊ ：：極60之形狀相對應的段差，且在 因此，在太每a :充刀復皿电極6 〇之情況。 差，而針對ΐί 態中’為覆蓋水分阻擒層26之段 成為電極保;；；：：；將第1平坦化膜28之-部分形 阻擋層26之段差a P可用弟1平坦化膜28而覆蓋水分 擋層⑼之構造缺陷可補償由於電極60所產生之水分阻 此外，第3圖係顯示又一每 中係為了覆蓋由於水分 κ = v怨之構成。在此構成 部，而使透明電極3Qt ^ 5 26之電極60所形成之段差 “ 3〇之—部分殘留作為電極保護層。亦
第10頁 200405227 五、發明說明（7) 即，在形成透明電極3 0時，形成部份覆蓋電極6 0之周圍上 方之水分阻擋層2 6。藉此，即可補償由於電極6 0所產生之 水分阻擋層2 6之構造缺陷。 發明之效果 綜上，依據本發明，係設置矽系氮化膜或矽系氧化 膜，並藉由此與密封材而將有機EL面板之内部空間與外部 予以區隔。以往，由設置在薄膜電晶體上之有機物質所構 成之平坦化膜係存在於密封材之下方，因此會有水分透過 此而從外部侵入之虞，但依據本發明藉由矽系氮化膜或矽 系氧化膜則可確實解決此種問題。 因此，藉由以缓衝材覆蓋薄膜電晶體之方式，將可解 除由於薄膜電晶體之電極在矽系氮化膜或矽系氧化膜所產 生之段差之不良影響。
314678.ptd 第11頁 200405227 圖式簡单說明 【圖式簡單說明】 第1圖係顯示實施形態之構成之主要部分之剖面圖。 第2圖係顯示另一實施形態之密封材部分之剖面圖。 第3圖係顯示又一實施形態之密封材部分之剖面圖。 10 玻 璃 基 板 12 絕 緣 層 14 半 導 體 層 16 閘 極 絕緣膜 18 閘 極 電 極 20 層 間 絕緣膜 22 汲 極 電 極 24 源 極 電極 26 水 分 阻 擋 層 28 第 1平坦化膜 30 透 明 電 極 32 第 2平坦化膜 34 電 洞 傳 層 36 發 光 層 38 電 子 傳 m 層 40 陰 極 50 密 封 玻 璃 52 密 封 材 60 電 極
314678.ptd 第12頁
Claims (1)
- 200405227 六、申請專利範圍 1. 一種有機電場發光面板，其係將矩陣配置之有機電場 發光元件與用以驅動此等有機電場發光元件之複數個 薄膜電晶體設置於基板上，且在此基板之周邊部分， 將配置有機電場發光元件之畫素區域之上方加以密閉 之密封面板予以黏合， 其特徵為：在前述基板之上面形成矽系氮化膜或矽 系氧化膜，且藉由密封材將此石夕系氮化膜或石夕系氧化 膜予以黏著於密封面板之方式，進行基板與密封面板 間之密封。 2. 如申請專利範圍第1項之有機電場發光面板，其中， 前述有機電場發光元件係形成於基板上之前述薄膜 電晶體更上方，而前述矽系氮化膜或矽系氧化膜則為 覆蓋前述薄膜電晶體之上方而形成。 3. 如申請專利範圍第1或第2項之有機電場發光面板，其 中， 當前述密封材之下方存有薄膜電晶體之源極或汲極 電極時，則設置覆蓋其上方之電極保護層，且以密封 材將此電極保護層予以覆蓋。314678.ptd 第13頁
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002158178A JP2003347044A (ja) | 2002-05-30 | 2002-05-30 | 有機ｅｌパネル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW200405227A true TW200405227A (en) | 2004-04-01 |
| TWI233578B TWI233578B (en) | 2005-06-01 |
Family
ID=29773637
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW092112811A TWI233578B (en) | 2002-05-30 | 2003-05-12 | Organic electroluminescence panel |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7049744B2 (zh) |
| JP (1) | JP2003347044A (zh) |
| KR (1) | KR100612814B1 (zh) |
| CN (1) | CN1472992A (zh) |
| TW (1) | TWI233578B (zh) |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100581901B1 (ko) * | 2004-02-06 | 2006-05-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 액티브 매트릭스형 유기전계발광소자 |
| KR100615212B1 (ko) | 2004-03-08 | 2006-08-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판 표시 장치 |
| JP2005285395A (ja) * | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Fujitsu Display Technologies Corp | 配線構造並びにそれを備えた表示装置用基板及び表示装置 |
| US8278818B2 (en) | 2004-06-04 | 2012-10-02 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Electroluminescent display device and method of fabricating the same |
| KR100611755B1 (ko) * | 2004-06-04 | 2006-08-10 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광소자 및 그의 제조방법 |
| US8350466B2 (en) | 2004-09-17 | 2013-01-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
| US8148895B2 (en) * | 2004-10-01 | 2012-04-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method of the same |
| JP2006339049A (ja) * | 2005-06-02 | 2006-12-14 | Tokki Corp | 封止膜形成装置 |
| JP2007149542A (ja) * | 2005-11-29 | 2007-06-14 | Kyocera Corp | 画像表示装置およびその製造方法 |
| US20070170846A1 (en) * | 2006-01-23 | 2007-07-26 | Choi Dong-Soo | Organic light emitting display and method of fabricating the same |
| KR100685854B1 (ko) * | 2006-01-25 | 2007-02-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 |
| KR101281888B1 (ko) | 2006-06-30 | 2013-07-03 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| TWI472639B (zh) | 2009-05-22 | 2015-02-11 | Samsung Display Co Ltd | 薄膜沉積設備 |
| JP6296187B2 (ja) * | 2012-07-31 | 2018-03-20 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 表示装置および電子機器 |
| JP6142151B2 (ja) | 2012-07-31 | 2017-06-07 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 表示装置および電子機器 |
| KR20140064328A (ko) * | 2012-11-20 | 2014-05-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계 발광소자 및 이의 제조 방법 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998046424A1 (fr) * | 1997-04-17 | 1998-10-22 | Kureha Kagaku Kogyo K.K. | Pellicule resistant a l'humidite et dispositif electroluminescent |
| TW439387B (en) * | 1998-12-01 | 2001-06-07 | Sanyo Electric Co | Display device |
| JP2000174282A (ja) * | 1998-12-03 | 2000-06-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| JP3817081B2 (ja) * | 1999-01-29 | 2006-08-30 | パイオニア株式会社 | 有機ｅｌ素子の製造方法 |
| US6281552B1 (en) * | 1999-03-23 | 2001-08-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistors having ldd regions |
| JP3423261B2 (ja) * | 1999-09-29 | 2003-07-07 | 三洋電機株式会社 | 表示装置 |
| US6605826B2 (en) * | 2000-08-18 | 2003-08-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and display device |
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| US7038377B2 (en) * | 2002-01-16 | 2006-05-02 | Seiko Epson Corporation | Display device with a narrow frame |
-
2002
- 2002-05-30 JP JP2002158178A patent/JP2003347044A/ja active Pending
-
2003
- 2003-05-12 TW TW092112811A patent/TWI233578B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-05-29 KR KR1020030034280A patent/KR100612814B1/ko active IP Right Grant
- 2003-05-29 US US10/448,990 patent/US7049744B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-05-30 CN CNA031380506A patent/CN1472992A/zh active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100612814B1 (ko) | 2006-08-18 |
| US7049744B2 (en) | 2006-05-23 |
| JP2003347044A (ja) | 2003-12-05 |
| TWI233578B (en) | 2005-06-01 |
| CN1472992A (zh) | 2004-02-04 |
| US20040012870A1 (en) | 2004-01-22 |
| KR20030094003A (ko) | 2003-12-11 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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