200401400 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於具有能從基板本體表面的電路形成面到 達背面之貫穿電極的半導體裝置之製造方法、該半導體裝 置以及組裝有該半導體裝置的電子機器。 【先前技術】 圖63(a)〜圖63(g)分別爲顯示具有貫穿電極的先前半導 體裝置的各製造步驟之剖面圖。 以下，係根據圖說明該半導體裝置的製造順序。 首先，如圖63(a)所示，製造基板本體201，配置有多數 個在表面電路形成面上具有規定功能的電路元件部202。 接著，如圖63(b)所不，從砍晶圓所構成的基板本體201 表面上，形成多個很接近l〇〇#m但是不到lOOym的孔洞 203 ° 其次，在孔洞2 03內壁面上形成絕緣膜，之後在絕緣膜 上沉積作爲電鍍陰極的金屬膜。然後，以其爲陰極如圖62(c) 所示以金屬塡入孔洞203內部而形成貫穿電極204。 接下來，如圖63(d)所示，切削基板本體201背面直到 貫穿電極204的端面露出爲止，或如圖62(e)所示，將基板 本體20 1的背面作選擇性的蝕刻。 其次，以化學氣相沉積（CVD)法，如圖62(f)所示’在基 板本體2 0 1背面沉積由S i 02構成的絕緣膜2 0 5。 之後，用光微影法將絕緣膜205的貫穿電極204部分以 蝕刻去除，藉以製造如圖63(g)所示貫穿電極204貫穿過 6 312/發明說明書(補件)/92-06/92107728 200401400 基板本體20 1的半導體裝置集合體’最後將該半導體 集合體分割成多個即成半導體裝置。 【發明內容】 (發明所欲解決之問題） 在上述具有貫穿電極204的半導體裝置之製造方法當 中，在形成貫穿電極之前’先行飩刻加工，但是在使用該 蝕刻加工的時候，能夠做溝槽蝕刻加工的孔洞2 0 3深度最 多是100/zm左右，因此在如圖63(d)所示切削基板本體201 背面使得貫穿電極204的端面露出時，不得不使得基板本 體201板半身的厚度變得非常薄。 在如此的狀態下，後段步驟中，如圖63(e)〜圖63(g)所 示，還有基板本體2 0 1背面的蝕刻處理步驟、蝕刻處理後 的絕緣膜205形成步驟、光微影進行的貫穿電極204部分 的絕緣膜205的鈾刻去除步驟等，若基板本體201厚度太 薄，在上述操作處理時很容易造成破損，因此形成半導體 裝置製品良率不高的問題。 本發明，係以解決該問題爲課題，其目的在於，減少半 成品在操作過程中的破損，使得具有貫穿電極的半導體裝 置良率提高，並且可輕易製造的半導體裝置，以及其製造 方法。 此外，另一目的在於：組裝有以該製造方法所得的半導 體裝置在內的電子機器。 (解決問題之手段） 本發明的半導體裝置之製造方法，包含下述步驟：在基 7 3 Π/發明說明書(補件)/92-06/92107728 200401400 板本體的背面貼上支撐板，該基板本體在表面的電路形成 面上形成多個具有所規定功能的電路元件部；至少在前述 基板本體的電路元件部的週邊部或者電路元件部內的所規 定部分的其中之一上，形成能到達前述支撐板上的第一溝 部；採用絕緣材料，在前述第一溝部上形成能使支撐板從 該底部露出的孔洞；形成金屬配線圖案，該金屬圖案由形 成在前述電路元件部上的電極部到達前述孔洞的至少一部 分內壁上；將前述孔洞底面去除所規定量；將導電材料埋 設入於前述孔洞內而形成貫穿電極，使其得以由前述電路 形成面突出。在前述電路元件部週邊部形成能到達前述支 撐板的第二溝部；以及去除前述支撐板，藉以分離成多個 半導體裝置。 此外，本發明的半導體裝置之製造方法，係在電路元件 部的週邊部形成第一溝部，而在第一溝部內形成第二溝部。 本發明的半導體裝置之製造方法中，係在將支撐板貼在 基板本體上之前，先將基板本體的背面去除所規定的量。 本發明的半導體裝置之製造方法中，係以切片鋸 (dicingsaw)來形成第一溝部。 本發明的半導體裝置之製造方法中，係以反應性離子蝕 刻（reactive ion etching system)來形成第一溝部。 本發明的半導體裝置之製造方法中，在使用絕緣材料在 第一溝部形成到達支撐板上的孔洞時，也同時在半導體基 板表面形成絕緣膜。 本發明的半導體裝置之製造方法中，係以感光性玻璃或 8 47 3 4 7 312/發明說明書(補件)/92-06/92107728 200401400 者聚醯亞胺樹脂作爲絕緣材料，而由以光微影法 (photolithography)來形成孔洞。 本發明的半導體裝置之製造方法中，係以切片鋸來形成 第二溝部。 本發明的半導體裝置之製造方法中，係將直徑大約3〜 3 Onm的金屬粒子分散於以介面活性劑所覆蓋的溶液中的 獨立分散超細微粒子，旋轉塗敷使其覆蓋在半導體基板表 面以及第一溝部以及形成在第一溝部上的孔洞內部，在燒 成以後，將燒成部分消除一部分而在孔洞內部形成埋設的 金屬部分。 本發明的半導體裝置之製造方法中，孔洞內的導電性材 料埋設，係將氣體環境內的蒸鍍法所產生的金屬超細微粒 子，放置在減壓室內的台上的半導體基板上，以朝向孔洞 的噴嘴吹出的氣體沉積法來進行。 本發明的半導體裝置之製造方法中，支撐板係爲金屬 板，孔洞底面去除所規定量的步驟係以腐蝕液體的蝕刻來 進行。 本發明的半導體裝置之製造方法中，將金屬埋設孔洞內 的步驟，係以支撐板爲陰極的電鍍進行。 本發明的半導體裝置之製造方法，係包含下述步驟：在 基板本體的背面貼上支撐板，該基板本體在表面的電路形 成面上形成多個具有所規定功能的電路元件部；在前述基 板本體上形成能到達前述第一支撐板的第一溝部；用絕緣 材料，在前述第一溝部上形成能使支撐板從該底部露出的 9 312/發明說明書(補件)/92-06/92107728 200401400 孔洞；由形成在前述電路元件部上的電極部到達 的至少一部分內壁上的金屬配線圖案的形成步驟 孔洞底面去除所規定量；在前述孔洞內埋設入導 形成貫穿電極，使其能由前述電路形成面突出； 路元件部週邊部，形成能到達前述支撐板的第二 前述半導體基板的電路形成面側貼上第二支撐板 述第一支撐板；以探針接觸前述貫穿電極以檢查 部的電路功能；以及去除第二支撐板，藉以分離 導體裝置。 本發明的半導體裝置之製造方法中，係在電路 邊部形成第一溝部，在第一溝部內部形成第二溝 本發明的半導體裝置之製造方法中，係將孔洞 所規定量之後，形成從電極部到達前述孔洞底面 線圖案。 本發明的半導體裝置之製造方法中，係在電路 的第一溝部內沿著第一溝部形成兩列並列的孔洞 列孔洞之間形成第二溝部。 本發明的半導體裝置之製造方法中，係在電路 分別形成兩列延伸的第一溝部，在各第一溝部內 排列的孔洞，在兩列延伸的第一溝部之間形成第 本發明的半導體裝置之製造方法中，係以陽極 撐板貼在半導體基板背面上。 本發明的半導體裝置之製造方法中，基板本體 撐板之間係以接著材料黏接，黏接後使其硬化而 312/發明說明書(補件)/92-06/92107728 前述孔洞 ;將前述 電性材料 在前述電 溝部；在 ;去除前 電路元件 成多個半 元件部週 部。 底面去除 的金屬配 元件部間 ，在該兩 元件部間 形成一列 二溝部。 結合將支 背面和支 成爲絕緣 10 200401400 層’在去除支撐板之後仍殘留在半導體基板背面上。 本發明的半導體裝置之製造方法中，在將支撐板貼於半 導體基板背面之前，先在半導體基板背面形成氧化膜。 本發明的半導體裝置之製造方法，係在電路元件部內部 設置第一溝部。 本發明的半導體裝置之製造方法，係包含下述步驟：在 支撐板上形成孔洞部；在該孔洞部塡入電極材料以形成第 一突起電極；形成第一金屬配線圖案以使第一突起電極和 前述支撐板上所規定位置連接；用接著材料將基板本體的 背面貼在上述支撐板上，該基板本體在表面的電路形成面 上形成多個具有所規定功能的電路元件部；在電路元件部 間的基板本體區域中，形成第一溝部，使其能到達以前述 第一金屬配線圖案前面的前述接著材料所形成的絕緣層； 用絕緣材料，在前述半導體基板表面上，去除前述電路元 件部的電極部以形成絕緣膜’並在前述第一溝部形成能到 達支撐板的孔洞；形成第二金屬配線圖案，使電極部到達 前述孔洞的至少一部分內壁；去除前述孔洞底面的絕緣 層，使第一金屬配線圖案露出的步驟；在前述孔洞中埋設 金屬以形成貫穿電極；在前述第二金屬配線圖案的所規定 位置上設置第二突起電極；設置沿前述第一溝部到達前述 支撐板的第二溝部，分割成多個半導體基板；以及去除支 撐板。 本發明的半導體裝置之製造方法中，消除了在支撐板形 成孔洞部’在該孔洞部中填入電極材料形成第一突起電極
312/發明說明書(補件)/92-06/92107728 11 200401400 的步驟、或者在前述第二金屬配線圖案的所規定位置設置 第二突起電極的步驟。 本發明的半導體裝置之製造方法中，去除孔洞底面的絕 緣層而使得第一金屬配線圖案露出後，形成第二金屬配線 圖案，從電極部通過前述孔洞和第一金屬配線圖案連接。 本發明的半導體裝置之製造方法中，係包含在電路形成 面上形成突起電極的步驟。 本發明的半導體裝置之製造方法中，包含在背面形成突 起電極的步驟。 本發明的半導體裝置之製造方法，係包含下述步驟：在 表面的電路形成面上，形成具有所規定功能的電路元件 部’將前述基板本體的背面硏磨成所規定的厚度；將在支 撐板基材表面以中間膜和絕緣膜的順序形成的支撐板的絕 緣膜’和硏磨過的前述基板本體的背面結合；形成由前述 電路形成面到達前述支撐板基材的孔洞，形成貫穿孔洞內 側壁的絕緣膜；在前述孔洞內埋設導電性材料以形成前述 貫穿電極；硏磨到前述中間膜露出爲止，而使前述貫穿電 極的端部突出；以及以蝕刻去除前述中間膜使得前述絕緣 膜露出。 本發明的半導體裝置之製造方法，係包含下述步驟：在 表面的電路形成面上，形成具有所規定功能的電路元件 部’將前述基板本體的背面削去而成所規定的厚度；將削 去後的前述基板本體的背面，接合在支撐板基材表面形成 有絕緣膜的支撐板的絕緣膜上；形成由前述電路形成面到 12 312/發明說明書(補件)/92-06/92107728 200401400 達前述支撐板基材的孔洞，形成貫穿孔洞內側壁的絕緣 膜；在前述孔洞內埋設導電性材料以形成前述貫穿電極； 硏磨到前述中間膜露出爲止而使得前述貫穿電極的端部突 出；以及將前述中間膜蝕刻去除而使前述絕緣膜露出。 本發明的半導體裝置之製造方法，係包含下述步驟：在 表面的電路形成面上，形成具有所規定功能的電路元件 部，將前述基板本體的背面削去而成所規定的厚度；將削 去後的前述基板本體的背面，接合在支撐板基材表面形成 有絕緣膜的支撐板的絕緣膜上；形成由前述電路形成面到 達前述支撐板基材的孔洞，形成貫穿孔洞內側壁的絕緣 膜；在前述孔洞內埋設導電性材料以形成前述貫穿電極； 以及使前述支撐板基材突出於前述貫穿電極的端部，並旦 留下前述絕緣膜。 本發明的半導體裝置之製造方法，係包含下述步驟··將 具有作爲絕緣膜的埋設氧化膜的前述基板本體的背面削去 而成所規定的厚度；將削去後的前述基板本體的背面，接 合在支撐板基材表面上；使前述接著劑硬化而形成絕緣 膜；形成由前述基板本體的表面能到達前述支撐板基材的 孔洞，並在前述孔洞內埋設導電性材料以形成前述貫穿電 極；使前述支撐板基材突出於前述貫穿電極的端部，並且 將前述絕緣膜留下的去除步驟；以及使得前述貫穿電極的 端部從前述支撐板基材上突出，並且留下前述絕緣膜的去 除步驟。 本發明的半導體裝置之製造方法，係包含下述步驟：將 13 312/發明說明書(補件)/92-0(3/921 〇7728 200401400 具有作爲絕緣膜的埋設氧化膜的前述基板本體的背面削去 而成所規定的厚度；將削去後的前述基板本體的背面，接 合在支撐板基材表面上；形成由前述基板本體的表面能到 達前述支撐板基材的孔洞的步驟；在前述孔洞內埋設導電 性材料以形成前述貫穿電極；以及使前述支撐板基材突出 於前述貫穿電極的端部，並且將前述絕緣膜留下的去除步 驟。 本發明的半導體裝置之製造方法，係包含下述步驟··將 具有作爲絕緣膜的埋設氧化膜的前述基板本體的背面削去 而成所規定的厚度；形成由前述基板本體表面超越前述埋 設氧化膜的孔洞；在前述孔洞內埋設導電性材料以形成前 述貫穿電極；以及使前述貫穿電極的端部突出於前述基板 本體背面，並且使前述埋設氧化膜露出的去除步驟。 本發明的半導體裝置之製造方法中，基板本體係以SOI 晶圓構成。 本發明的半導體裝置之製造方法中，基板本體係以極薄 的半導體層貼合在絕緣基板上的貼合型SOI晶圓所構成。 本發明的半導體裝置之製造方法中，基板本體係TFT基 板。 本發明的半導體裝置之製造方法中，支撐板基材係以金 屬構成，而用支撐板基材爲陰極進行電鍍而形成貫穿電極。 本發明的半導體裝置之製造方法中，在支撐板基材表面 上沉積金屬的中間膜而形成支撐板，以前述中間膜爲陰極 用電鍍形成貫穿電極。 14 312/發明說明書(補件)/92-06/92107728 200401400 本發明的半導體裝置之製造方法中，支撐基板’在將貫 穿電極的端面平坦化削去之後以蝕刻消除。 本發明的半導體裝置之製造方法中，在貫穿電極快要露 出之前停止硏削，之後以蝕刻法削去直到達絕緣膜爲止。 本發明的半導體裝置之製造方法中，支撐板基材，可以 蝕刻消除。 本發明的半導體裝置之製造方法中，接合係爲陽極接 合。 本發明的半導體裝置之製造方法中，接著劑係爲聚醯亞 胺樹脂。 本發明的半導體裝置之製造方法中，支撐板基材係以矽 晶圓構成，中間膜以鋁構成，而絕緣膜以氧化矽膜構成。 本發明的半導體裝置之製造方法中，支撐板基材係以鋁 構成。 本發明的電子機器，係以多個半導體裝置互相以突起電 極連接而沉積構成。 本發明的電子機器，半導體裝置的至少其中一面上，至 少在貫穿電極或者突起電極的其中之一上載放有被動元件 的電路基板連接所構成。 本發明的電子機器，半導體裝置的兩面，至少由連接於 貫穿電極或突起電極的其中之一的第一電路基板和第二電 路基板所夾住構成。 本發明的電子機器，係將半導體裝置埋入電路基板的板 芯中’形成在電路基板兩面上的配線至少連接於貫穿電極 15 312/發明說明書(補件)/92-06/92107728 200401400 或突起電極的其中之一而構成。 本發明的半導體裝置，在構成所定功能的電路元件部形 成在一主面上的半導體基板上，具有從電路形成面到達電 路开^成面反面側的貫穿孔’沿著該貫穿孔具有導電路，具 有包圍該導電路周圍的絕緣材料，相鄰的前述導電路之間 除了該絕緣材料之外並無其他材料介入。 本發明的半導體裝置，具備：從電路形成面上形成大致 垂直延伸貫穿之孔洞的基板本體；貫穿前述孔洞同時從前 述基板本體的兩面中至少一面上突出端部的貫穿電極；在 該貫穿電極週面上形成的貫穿絕緣膜；以及由前述基板本 體突出前述貫穿電極側的基板本體側面上和前述貫穿絕緣 膜成垂直交叉形成的絕緣膜。 本發明的半導體裝置中，從基板本體貫穿，而從基板本 體突出端部的貫穿電極之端面，係和基板本體的電路形成 面大致成平行，並且平坦的面。 【實施方式】 (實施形態1) 圖1到圖10係說明本發明的半導體裝置之製造方法中 的各製造步驟之圖。 以下’參照圖式說明半導體裝置1 0 0的製造順序。 首先，在基板本體1表面的電路形成面上，配置多個具 有規定功能的電路元件部2 (第一步驟）。 其次’如圖2所不’將基板本體1之電路形成面的反面 側也就是背面切削到規定的厚度爲止（第二步驟）。 16 312/發明說明書(補件)/92-06/92107728 200401400 之後，如圖3所示，在基板本體1背面貼上例如鋁等金 屬板作支撐板3(第三步驟）。該貼上動作，係以基板本體1 爲陽極、支撐板3爲陰極而施加電場進行陽極接合而進 行。此外，在將支撐板3貼在基板本體1背面上之前，在 基板本體1背面形成氧化膜的氧化矽。半導體基板背面在 電氣方面及化學方面都很安定，而半導體裝置電氣方面的 性能和可信賴性也可提高。 其次，如圖4(a)和圖4(b)所示，在電路元件部2的區域 之外的基板本體1的區域上，以例如切片鋸來形成格子狀 的能到達第一支撐板3的第一溝部4(第四步驟）。其結果， 將基板本體1分割成多個半導體基板50。 接下來，如圖5(a)以及圖5(b)所示，用例如感光性聚 醯亞胺樹脂等來作絕緣材料，在半導體基板5 0的表面， 形成絕緣膜6而使其在電路元件部2上露出電極部5，並 在第一溝部4以光微影法來形成能到達支撐板3的孔洞 7。此外，也可以感光性玻璃來代替聚醯亞胺樹脂（第五步 驟）。 其次，如圖6(a)以及圖6(b)所示，形成金屬配線圖案8 使得來自電極部5的孔洞7至少到達內壁的一部分（第六步 驟）。 其後如圖7所示，以輒如晶圓飩刻等方法將露出的孔洞 7底面的支撐板3去除掉規定的量（第七步驟）。 然後，如圖8所示，以例如第一支撐板3作爲陰極，以 例如銲錫之類的導電性金屬塡入孔洞7內使其從金屬配線 17 312/發明說明書(補件)/92-06/92107728 200401400 圖案8表面突出，形成貫穿電極10(第八步驟）。 接著，如圖9 ( a )以及圖9 (b )所不，沿著第一溝部4的中 心線將到達第一支撐板3的第二溝部9以例如切片鋸等來 形成格子狀（第九步驟）。 最後，如圖1 0 ( a)以及圖1 0 (b )所示，以晶圓飩刻去除第 一支撐板3，製造成在週邊部分具有從表面到達裡面的貫 穿電極10的多個半導體裝置100(第十步驟）。 如此所製造的半導體裝置1〇〇，係具備：在一主面上形 成電路元件部2的半導體基板5 0上，具有從電路形成面到 達該電路形成面的相反面上的孔洞7，沿著該孔洞7的導 電路，具有金屬配線圖案8和貫穿電極10，環繞該導電路 8、1 0周圍作爲絕緣材料的感光性聚醯亞胺樹脂，而相鄰 接的導電路8、1 0之間並無絕緣材料之外的物質介入。 上述實施形態的半導體裝置之製造方法，可輕易製造出 在週邊部分具有貫穿電極10的半導體裝置100。 此外，在將支撐板3貼在基板本體1上之前，因爲要先 將基板本體1背面去除規定的量，故能更輕易的形成半導 體基板50上的孔洞7。 而且，因爲基板本體1背面係以氧化膜的氧化矽形成， 故半導體基板50的背面在電氣方面、化學方面都很安定， 半導體裝置1 〇〇的電氣性能和可信賴性都能提昇。 另外，因爲在基板本體1背面以陽極接合來將支撐板3 貼上，故完全不需要黏接劑等其他種類的材料介入，使得 在製造過程中所受到的藥品承受性等限制更爲減少。
312/發明說明書(補件)/92-〇6/92107728 18 200401400 此外，因爲第一溝部4係以切片鋸形成，故能更輕易， 並且高效率的形成第一溝部4。 而且，因爲在電路元件部2間的第一溝部4內，沿著第 一溝部4形成兩列並行的孔洞7，週邊部分的貫穿電極1 〇 係以共同的第一溝部4所形成，故製造步驟更爲簡單而能 更輕易製造。 附帶說明，也可以反應性離子蝕刻來形成第一溝部 4，在本狀況中，可以形成尺寸精準度更高的第一溝部 4 〇 另外，因爲在用感光性聚醯亞胺樹脂的絕緣材料，形成 第一溝部4上到達支撐板3的孔洞7時，同時在半導體基 板1表面形成絕緣膜6,故不需要特地爲形成電路元件部2 的保護形成膜而設置其他步驟。又能比不具有感光性的絕 緣材料更省略步驟。此外’因爲第二溝部9也以切片鋸形 成，故能更簡單的和第一溝部4同樣的’有效率的形成第 二溝部9。 此外，在本實施形態中’支撐板3爲金屬板，係以使用 腐蝕液體的蝕刻法來將孔洞7底面去除規定量’故能輕易 形成從半導體裝置1〇〇背面突出的貫穿電極。該金屬板係 爲鋁板，不但重量輕，也能降低成本。 另外，因爲也以使用腐蝕液體的蝕刻法來進行支撐板3 的去除，故也能輕易去除支撐板3 ° 而且，可以支撐板3作爲陰極，用電鍍來將金屬埋入孔 洞7內，故和無電解電鍍比較’可選擇的成長性更高’可 19 312/發明說明書(補件)/92-06/92107728 200401400 以僅埋入孔洞7的部分。且可以使用的材料可選擇的範圍 更大。 (實施形態2) 圖1 1到圖1 3係爲表示本發明實施形態2的半導體裝置 之製造方法的各步驟圖。 附帶說明，在本實施形態以及其他實施形態中，和圖1 到圖1 0中相同或者同等的元件、部位，都使用同樣符號加 以說明。 本實施形態的製造步驟，上述第一步驟到第九步驟都和 實施形態1相同。 在本實施形態中，在圖9(a)、圖9(b)所示的第九步驟之 後，如圖1 1所示，在半導體基板5 0的電路形成面側上使 用黏著劑1 1，至少在黏著面側上貼上第二支撐板1 2。此 外，也可貼上支撐薄片來代替第二支撐板12。 之後，如圖1 2所示，利用濕式蝕刻去除支撐板3。 其次，將該半導體裝置1 00的半成品，如圖1 3所示反 轉後，以探測針1 3接觸貫穿電極1 0來檢查電路元件部2 的電路功能。 最後，將第二支撐板1 2剝除或者以其他方法去除，即 可獲得如圖10所示的半導體裝置100。 如依照本發明實施形態的半導體裝置之製造方法，去除 第一支撐板3之後，多個半導體裝置100仍未個別分開， 僅僅利用第二支撐板1 2即可使得操作處理更加輕易，而能 更輕易檢查電路元件部2的功能。
312/發明說明書(補件)/92-06/92107728 20 200401400 (實施形態3) 圖1 4到圖2 1係爲表示本發明實施形態3的半導體裝置 之製造方法的各步驟圖。 在本實施形態中，在如圖1 4所示的基板本體1背面和鋁 金屬板的第一支撐板3之間形成絕緣層1 4。該絕緣層1 4， 係爲例如形成聚醯亞胺之前的黏著材料所構成，用該黏著 材料將第一支撐板3黏接在基板本體1背面上後，將該黏 著材料加熱硬化之後形成。其他製造的各步驟，都和實施 形態1的各步驟相同，在本實施形態中，如圖2 1所示，可 獲得在半導體基板50背面上形成絕緣層14的半導體裝置 3 50 〇 在本實施形態中，基板本體1背面和支撐板3之間係以 黏著材料來黏接，黏接後硬化而成爲絕緣層1 4，在去除支 撐板3後仍留在半導體基板50背面，故黏著劑仍保持原狀 而在半導體裝置350形成安定的絕緣層。 (實施形態4) 圖2 2到圖2 8係爲表示本發明實施形態4的半導體裝置 之製造方法的各步驟圖。 本實施形態的製造步驟，到實施形態1的第三步驟爲止 的步驟’也就是將第一支撐板3貼在基板本體1背面的圖 3所示的步驟之前的步驟，都和實施形態1相同。 本實施形態中’接下來，如圖22所示，以例如切開法來 形成圍繞電路元件部2而到達支撐板3的第一溝部丨5。 其後’如圖2 3所示，例如用感光性聚醯亞胺樹脂作爲絕 21 312/發明說明書(補件)/92-06/92107728 200401400 緣材料，以光微影法，在半導體基板5 0表面形成絕緣膜 1 7而使得電路元件部2的電極部5露出，也在第一溝部1 5 中形成到達支撐板3的孔洞1 6。附帶說明，也可以感光玻 璃來取代感光性聚醯亞胺樹脂。 接著，如圖24所示，在絕緣膜1 7上形成金屬配線圖案 8，使其能夠到達來自電極部5的孔洞1 6內壁的至少一部 分。 接下來，如圖2 5所示，以例如濕式蝕刻法將露出的孔洞 底面的支撐板3去除某一定量。 其後，如圖2 6所示，以例如銲錫等導電金屬，以例如支 撐板3作爲陰極進行電鍍，形成貫穿電極10埋入孔洞16 並從絕緣膜17之表面突出。 接著，如圖2 7所示’，沿著相鄰的第一溝部1 5之間的中 心線到達支撐板3的格子狀的第二溝部9，以例如切片鋸 來形成之。 而最後，如圖2 8所示，以濕式蝕刻來去除支撐板3，即 可獲得具有從週邊部的表面到達背面的貫穿電極10之半 導體裝置300。 如依照本實施形態，可在電路元件部2之間分別形成兩 列延伸的第一溝部1 5，各條第一溝部1 5內形成一列並列 的孔洞1 6，故和實施形態1的半導體裝置之製造方法相比 較，因爲第二溝部9形成在基板本體1上，故可以使用先 前的切斷基板本體1所用的刀刃。此外，半導體裝置300 的週邊部爲半導體基板5 0的一部份，和實施形態1至3 22 312/發明說明書(補件)/92·06/92107728 200401400 的半導體裝置1 00、200相比較，其剛硬性更高，僅僅如此， 即可更加保護週邊部的貫穿電極1〇。 (實施形態5 ) 圖29到圖40係爲表示本發明實施形態5的半導體裝置 之製造方法的各步驟圖。 在本實施形態中’首先，如圖2 9所示，在鋁金屬板的支 撐板20上形成穴部21。 其次’如圖30所示，在該穴部21內塡入電極材料以形 成第一突起電極23。 其後，如圖3 1所示，在支撐板20規定的位置上形成和 第一突起電極23連接的第一金屬配線圖案22。 接著’如圖3 2所示，用例如聚醯亞胺樹脂的黏著劑，將 如圖2所示的基板本體1黏接在第一金屬配線圖案2 2上。 該黏著劑可以加熱硬化而形成絕緣層2 4。 接著，如圖3 3所示，在電路元件部2之間的基板本體1 區域上，用例如切割方式形成格子狀的第一溝部2 5，延伸 到第一金屬配線圖案22前面爲止。經由所形成的第一溝部 25 ’使得基板本體1分割成多數個半導體基板50。 其次，如圖3 4所示，例如以感光性聚醯亞胺樹脂作爲絕 緣材料，在半導體基板5 〇表面，形成絕緣膜6而使得電極 部5露出於電路元件部2上，此外在第一溝部2 5以光微影 法形成到達支撐板2 0的孔洞2 6。此外，也可以感光性玻 璃來取代感光性聚醯亞胺樹脂。 其次，如圖35所示，形成第二金屬配線圖案27使其至 23 312/發明說明書(補件)/92-06/92107728 200401400 少能到達電極部5的孔洞2 6內壁的一部分。 接著’如圖36所示，將孔洞26底面的絕緣層24去除而 使得第二金屬配線圖案27露出。 其後’如圖3 7所示，以例如銲錫等導電金屬，以例如支 搏板20作爲陰極進行電鍍，形成埋入貫穿電極3〇埋入孔 洞26使其從第二金屬配線圖案27表面突出。 接著’如圖3 8所示，在第二金屬配線圖案2 7上規定的 位置設置第二突起電極28。 其次’如圖3 9所示，沿著的第一溝部2 5之間的中心線 到達支撐板20的格子狀的第二溝部29，以例如切片鋸來 形成之。 而最後’以濕式蝕刻來去除支撐板2 0，即可獲得設有在 表面側通過貫穿電極30而電氣連接的第一突起電極23之 半導體裝置400。 在本實施形態中，可輕易製造具有第一突起電極23以及 第二突起電極28的半導體裝置400。 (實施形態6) 圖4 1係爲表示本發明實施形態6的製造方法所製造之半 導體裝置500。在該半導體裝置500中，係將實施形態5 中的弟—突起電極28消除。圖42的半導體裝置600係將 實施形態5的第一突起電極23消除後之例，圖43的半導 體裝置700則在半導體基板50的電路形成面上設第二突起 電極28，在反面上設第一突起電極23的例。 (實施形態7) 24 312/發明說明書(補件)/92-〇6/921〇7728 200401400 圖44係爲表示本發明實施形態7的製造方法所製造之半 導體裝置800的剖面圖、圖45爲圖44重要部分的擴大圖。 在本實施形態中’先將埋設有貫穿電極3 0的孔洞2 6底 面上的絕緣層24去除，使得作爲導電路的第一金屬配線圖 案2 2露出後’形成作爲導電部的第二金屬配線圖案2 7， 使得在電路形成面上一部分的電極至少能到達孔洞2 6內 壁的一部分。換句話說，和圖43所示的實施形態6之半導 體裝置7 0 0相比較，使得第一金屬配線圖案2 2露出的步 驟，和形成第二金屬配線圖案2 7的步驟順序互相調換。而 且，也沒有在孔洞26中埋設金屬形成貫穿電極的步驟。 此外，圖46的半導體裝置900，在電路元件部2間分別 形成兩列延伸的第一溝部1 5，在各第一溝部1 5內形成一 列排列的孔洞1 6所製造的半導體裝置9 0 0之重要部分的剖 面圖。 附帶說明，在上述各實施形態1至7的半導體裝置之製 造方法中，也可將直徑大約3〜30nm的金屬粒子分散於以 介面活性劑所覆蓋的溶液中的獨立分散超細微粒子，旋轉 塗敷使其覆蓋在半導體基板表面以及第一溝部上燒成以 後，將燒成部分消除一部分而使電極部露出，再在前述第 一溝部形成孔洞即可。在此情形下，廢水處理等對於環境 的影響比較小，而且因爲適用旋轉塗敷，使得半導體裝置 之製造過程中的整合性更加良好。 此外，在孔洞內埋設導電材料金屬的方法，也可以無電 解鍍金方式進行。在此情形下，埋設步驟所需的時間更短， 25 312/發明說明書(補件)/92-06/92107728 200401400 而且更爲簡便。 另外’也可使用骨狀導電劑來作孔洞內的導電彳生材·料， 如此即可更加省略埋設的步驟。 而且’孔洞內導電性材料的埋設，也可以介面活性劑覆 蓋直徑大約3〜30nm的金屬粒子，將在溶液中分散的獨立 分散超細微粒子以網板印刷燒成。 此外，孔洞內的導電性材料的埋設，也可以將氣體蒸鑛 法所產生的金屬超細微粒子’在減壓室台上的半導基丰反 上，以朝向孔洞方向的噴頭吹出的氣體沉積法來進行。如 此可使得埋設步驟所需時間減少，而且減少材料浪費，對 環境的影響也減少。 另外，也可以蒸鍍金屬膜而形成在半導體基板以及第— 溝部全面上，以該金屬膜爲陰極進行電鍍，以形成孔洞中 埋設金屬後的金屬配線圖案，此時在將金屬埋設入孔洞內 電鍍時，不需要用金屬（導電體）作爲支撐板。 此外，也可在孔洞底面去除規定量之後，再形成從電極 部到達前述孔洞的金屬配線圖案。此時可以提昇電氣連接 的可信賴程度。 另外，也可以反應性離子蝕刻來形成第一溝部，也可將 突起電極設在除了半導體裝置週邊部之外的地方。 (實施形態8) 圖47係將實施形態1的製造方法所製造之半導體裝置 1 〇 〇多段互相連接貫穿電極1 〇而沉積構成的電子機器的剖 面圖，在本實施形態中，可以獲得高度集中的高性能電子
312/發明說明書(補件)/92-06/92107728 26 200401400 機器。 (實施形態9 ) 圖4 8係在實施形態1的製造方法所製造之半導體裝置 100的貫穿電極10上，連接載放有例如晶片電容器等被 動元件3 1的小型電路基板3 2，具有整體化功能的電子 機器之圖。此時，和先前所謂的混合1C相比較更能夠小型 化。 (實施形態10) 圖49係在實施形態1的製造方法所製造之半導體裝置 100的貫穿電極10上，連接：表裡兩面都有電子元件35 的第一電路基板33、以及具有電子元件36的第二電路基 板3 4之電子機器之圖。此時，成爲三度空間的連接構造， 可以獲得自由度更高、積體電路更集中化的的電子機器。 (實施形態11) 圖5 0係在實施形態1的製造方法所製造之半導體裝置 1〇〇,埋設板芯41，在貫穿電極10表裡兩面連接電路基板 40兩面的配線層42之電子機器之部分剖面圖。此時，成 爲三度空間的連接構造，可以獲得自由度更高、積體電路 更集中化的電子機器。而且更具有配線延遲減少的效果。 附帶說明，實施形態8至1 1中，每個都以實施形態1 的製造方法所製造之半導體裝置100組裝入電子機器內爲 例而加以說明，但是當然也可用實施形態1至7的製造方 法所製造之半導體裝置200、300、400、500、600、700、 8〇〇以及之後所述的實施形態1 2至1 8的製造方法所製造 27 312/發明說明書(補件)/92-06/92107728 200401400 之半導體裝置，自然不在話下。 (實施形態12) 圖51(a)到圖51(g)係爲表示本發明實施形態12的半導 體裝置之製造方法的各步驟圖。 以下，以圖式就該半導體裝置的製造步驟加以說明。 首先，如圖51(a)所示，在表面的電路形成面上，製造基 板本體210,其配置多個具有規定功能的電路元件部211。 此外’也事先預備以矽晶圓所構成的支撐板構件2 1 2 (第一 步驟）。 其次’如圖51(b)所示，將矽晶圓所構成的基板本體210 的電路形成面反面側也就是背面，硏磨削去一部分使其厚 度比後步驟的溝槽蝕刻步驟所形成的孔洞2 1 3深度更薄。 另一方面’在支撐板構件212表面以鋁膜等來形成中間膜 214’而且在中間膜214表面上，形成Si〇2或者氧化鋁所 構成的絕緣膜2 1 5而製造支撐板2 1 7 (第二步驟）。 其後，如圖5 1 ( c)所示，將支撐板2 1 7和硏磨後變薄的基 板本體2 1 0作陽極結合（第三步驟）。此時，絕緣膜2丨5表 面上附著有稱爲PSG(Phosphosilicate Glass)或者 BSPSG(Brophosphosilicate Glass)的材料。如此一來，在絕 緣膜215中就參雜有磷或者硼，使得絕緣膜215表面更容 易誘發電荷，更容易進行陽極接合。此外，不僅在絕緣膜 表面，絕緣膜整個都可以該等材料構成。 附帶說明’在先前說明的實施形態中之陽極接合，也都 可以在絕緣膜表面或者整個絕緣膜使用PSG或者BSPSG 312/發明說明書(補件)/92-06/92107728 28 200401400 的材料。 其次，如圖5 1 (d)所示，由電路元件部2 1 1進行蝕刻’ 其爲進行能到達深度在1 0 0 # m左右的支撐板構件2 1 2的 蝕刻處理（第四步驟）。 再其次，如圖5 1 (e)所示，在孔洞2 1 3內壁面上形成絕緣 膜，其後將作爲電鍍時的陰極的金屬膜沉積在絕緣膜上。 然後，以該金屬膜爲陰極以電鍍再孔洞2 1 3內部由導電性 材料形成貫穿電極216。 其後，如圖5 1 (f)所示，將支撐板2 1 2去除，並且切削背 面使得中間膜214和貫穿電極216的端面在同一面上（第五 步驟）。此時，貫穿電極2 1 6的端面即可平坦化。 最後，如圖5 1 (g)所示，以蝕刻將中間膜2 1 4完全去除， 製造出貫穿電極216能從基板本體210背面突出的半導體 裝置集合體，將該半導體裝置集合體分割成多個半導體裝 置（第六步驟）。在該步驟中，蝕刻處理僅僅對中間膜2 1 4 進行’並不到達絕緣膜2 1 5，其結果，即可使得絕緣膜2 1 5 轉印到基板本體2 1 0背面上。而且，被蝕刻的支撐板2 1 2、 中間膜2 1 4，只要選擇能輕易蝕刻的材料使用即可。 以上述步驟所製造的半導體裝置，在製造途中係以支撐 板212來支撐基板本體210，因此先行技術中所需要的薄 形化之後的絕緣膜形成以及其貫穿電極的開口處都已不需 要’僅僅在不需要求加工精確度的單純步驟中（請參照圖 51(f)、圖51(g))’才能形成從基板本體210背面突出的貫 穿電極216,因此能減低在製造步驟發生的支撐板構件212 29 312/發明說明書(補件)/92-06/92107728 200401400 破損機率，進而提高半導體裝置製品的良率。 此外，因爲在基板本體210的背面側設置由絕緣膜215, 故在磨削背面側時，電極材料殘留在基板本體背面並擴散 到基板本體中，形成超出期待的能源順序，而能防止造成 半導體裝置特性劣化的發生。 此外，因爲使用陽極接合來進行支撐板構件2 1 2和基板 本體2 1 0的結合，故支撐板構件2 1 2和基板本體2 1 0之間 並不存在其他不同種類的材料，而使得蝕刻形成孔洞2 1 3 的步驟更輕易進行。 此外，支撐板構件2 1 2使用S i、中間膜2 1 4使用A1，絕 緣膜215使用Si02，這些都是現在的半導體製造步驟中一 般使用的技術，這些加工技術也都已經高度成熟，使用的 是已經確實穩定的材料，故不但能提高製品良率，更能降 低成本。 圖52爲以圖51所示方法所製造之半導體裝置350的重 要部分剖面圖。 基板本體210的孔洞213形成在相對於電路形成面的大 致垂直方向。該孔洞2 1 3的垂直壁面上則形成貫穿絕緣膜 218。貫穿電極216貫穿於該孔洞213，而貫穿電極216的 連端都從中突出。在基板本體210背面側，去除貫穿電極 216的下端面而形成絕緣膜215。該絕緣膜215和貫穿絕緣 膜218成大致垂直交叉。 在實施形態1 2的半導體裝置3 5 0中，貫穿電極2 1 6和 基板本體2 1 0之間，並未使得基板本體2 1 0背面露出，故 30 312/發明說明書捕件)/92-06/92107728 200401400 在絕緣性上並無問題，另外，絕緣膜215也不會攀上貫穿 電極2 1 6的端面，故貫穿電極的結合性也不會發生問題。 此外，從基板本體210貫穿的多個貫穿電極216的下端 面，和基板本體2 1 0的電路形成面大致成平行’並具有平 坦的面，而且因爲從基板本體2 1 0的絕緣膜2 1 5上各個貫 穿電極216的突出量大致相同，故在半導體裝置互相沉積 並作電氣結合的時候其結合性也相當良好° (實施形態13) 圓53(a)到圖53(g)係爲表示本發明實施形態13的半導 體裝置之製造方法的各步驟圖。 以下，以圖式就該半導體裝置的製造步驟加以說明。 首先，如圖53(a)所示，製造配置有多個電路元件部211 的基板本體210，該電路元件部211在表面的電路形成面 上具有所規定的功能。此外，在矽晶圓所構成的支撐板構 件2 1 2表面上，形成以A1膜所構成的中間膜2 1 4 (第一步 驟）。 其次，如圖53(b)所示，將和基板本體210的電路形成 面反面側的背面，硏磨到厚度比以後步驟的溝蝕刻所形成 的孔洞2 1 3深度更薄。另一方面，表面以A1膜形成中間膜 214的支撐板構件212上，在該中間膜214表面上，塗敷 以聚醯亞胺樹脂構成的接著劑的絕緣膜220，以形成支撐 板22 1(第二步驟）。 其後，如圖53(c)所示，在支撐板221上，將硏磨到夠薄 的基板本體210，以上述接著劑硬化的方法黏接（第三步 31 312/發明說明書(補件)/92-06/92107728 200401400 驟）。 其後，以圖53(d)到圖53(g)所示的步驟來製造半導體裝 置，各該步驟都和實施形態12所述的51(d)到圖51(g)相 同。 在本實施形態的半導體裝置中，作爲接著劑的聚醯亞胺 樹脂前驅體，係用來取代實施形態1 2的半導體裝置中所使 用的陽極接合。 陽極接合因爲需要比較高度的技術而使得製作費用也 提高，但是若使用聚醯亞胺樹脂，即可使得步驟所需成本 降低。 (實施形態14) 圖54(a)到圖54(g)係爲表示本發明實施形態14的半導 體裝置之製造方法的各步驟圖。 本實施形態中和實施形態1 2的半導體裝置之製造方法 相比較，不同之處在於：並不形成中間膜2 1 4，換句話說， 實施形態1 2的支撐板2 1 7係以中間膜2 1 4以及絕緣膜2 1 5 沉積而成，相對於此，實施形態1 4的支撐板23 0係在支撐 板構件212上面形成絕緣膜215，其結果使得圖54(b)到圖 54(f)的步驟不同。 附帶說明，在本實施形態中，基板本體2 1 0和支撐板構 件2 1 2的結合也是以陽極接合進行，此外，在孔洞2 1 3的 內壁面上形成絕緣膜，之後在絕緣膜上沉積作爲電鍍陰極 的金屬膜，以該金屬膜爲陰極進行電鍍而在孔洞213內部 形成貫穿電極216。 32 312/發明說明書(補件)/92-06/92107728 200401400 在本實施形態中，因爲並未形成作爲硏磨加工衡量基準 的中間膜2 1 4，故基板本體2 1 0內側的硏磨加工，如圖5 3 ( f) 所示，必須在尙未達到絕緣膜2 1 5層的狀態下就停止。因 此，必須僅依靠尺寸來控制硏磨的程度，雖然因此而要求 更高的硏磨加工精準度，但是因爲不需要形成中間膜214 的步驟而使得製造步驟更加簡便。 另外，也可使用A1來取代S i晶圓作爲支撐板構件2 1 2， 如此即可更容易進行蝕刻，而可獲得和實施形態1 2相同的 作用效果。 此外，也可使得支撐板構件2 1 2的背面硏磨，在貫穿電 極2 1 6並未露出於背面的階段即予以停止，其後將支撐板 構件2 1 2完全蝕刻去除，使得貫穿電極2 1 6能自動從基板 本體2 1 0內側突出。如此一來，硏磨精確度即可不必要求 太筒。 但是，各貫穿電極216從絕緣膜215上突出的量，非常 倚賴圖5 4 ( d)的溝鈾刻的蝕刻深度和其均整性，故各突出 量的均整性不良，而所突出的貫穿電極2 1 6端面上的平坦 性也較弱。 附帶說明，即使支撐板不同時形成中間膜2 1 4和絕緣膜 2 1 5，僅支撐板構件2 1 2的情形，也能夠製造具有貫穿電極 的半導體裝置。 也就是說可以下列的步驟來製造半導體裝置。 首先，在支撐板構件2 1 2表面上，以聚醯亞胺樹脂和圖 5 1(b)所示的基板本體210背面黏合，其後將聚醯亞胺樹脂 33 312/發明說明書(補件)/92-06/92107728 200401400 硬化形成絕緣膜。其次，形成從電路形成面到達支 件2 1 2的孔洞2 1 3，在孔洞2 1 3內側壁上形成貫穿| 接著，在孔洞2 1 3內埋設導電性材料以形成貫穿電; 其次，使支撐板構件2 1 2從貫穿電極2 1 6端部突出 留下絕緣膜2 2 0而將之去除。如此，將所製造的集 導體裝置分割成多個即可。 (實施形態15) 圖5 5 ( a)到圖5 5 (g)係爲表示本發明實施形態1 5 ® 體裝置的製造方法的各步驟圖。 本實施形態中和實施形態1 2的半導體裝置的製廷 相比較，不同之處在於：係以具有埋設氧化膜24 1 SOI(Silicon on Insulator)晶圓來構成基板本體，並 形成貫穿電極216時，孔洞213內壁面上並不形成 膜。 在本實施形態中，以機器硏磨、化學性機器硏磨、 或者該等技術並用加工，使得基板本體240的背面 到達只有數個micron左右的厚度，而使埋設氧化® 的其中一面露出（參照圖55(b))。 其後，以陽極結合將基板本體240和支撐板構件 合（參照圖55(c))，形成到達支撐板構件212的孔洞 照圖 55(d))。 其次，在孔洞213內壁面上形成作爲電鍍陰極的 膜，以電鍍形成貫穿電極216(參照圖55(e))。 之後，硏磨支撐板構件212直到貫穿電極216端 312/發明說明書(補件)/92-06/92107728 撐板構 §緣膜。 睡 2 1 6 ° ，並且 合體半 半導 I方法 的 且在 絕緣 蝕刻、 總厚度 I 241 212結 2 1 3(參 金屬 面露出 34 200401400 爲止（參照圖55(f))。 其次，以蝕刻法將支撐板構件2 1 2完全去除，以製造半 導體裝置集合體（參照圖55(g))，將該集合體分割以製造半 導體裝置。 此外，可以依照需要而形成中間膜2 1 4。 在本實施形態的半導體裝置中，基板本體24〇的埋設氧 化膜24 1相當於實施形態1 2中的絕緣膜2 1 5，故如同以下 所述，在支撐板構件212上形成絕緣膜215的步驟即可省 略不用，因此，不僅可使製造步驟更簡化，並且可以提昇 貫穿電極2 1 6的絕緣性。 此外，因爲基板本體240係以SOI晶圓所構成，而SOI 晶圓本身又比先前的晶圓的動作速度更快，故使用貫穿電 極的元件互相連接（沉積安裝）加上輸送電路縮短的效果， 更能提供快速動作的電子機器。 圖5 6爲以S i晶圓構成基板本體2 1 0狀況下的貫穿電極 216形成時的圖，圖57爲SOI晶圓構成基板本體240狀況 下的貫穿電極216形成時的圖。 但是，兩圖係明確比較用基板本體2 1 0的情形’和使用 基板本體240的情形的不同的對比圖，而非實施形態1 2 和實施形態1 5的半導體裝置的構成不同。 圖5 6的情形中，因爲基板本體2 1 0具有導電性’一旦 在孔洞213內壁面形成絕緣膜250之後，在上面沉積作爲 電鍍陰極的金屬膜251，其後在孔洞213內部埋設金屬’ 形成貫穿電極216。 35 312/發明說明書(補件)/92-06/92107728 200401400 另一方面’在圖57的情形中，基板本體240係以SOI 晶圓構成，包含該基板本體240的電路元件部2 1 1的金屬 膜25 1非常薄，其下層埋設作爲絕緣膜的埋設氧化膜241， 並且更下層的支撐板構件212最後會被去除，故不需要孔 洞2 1 3內壁面上的絕緣膜。 (實施形態16) 圖5 8(a)到圖5 8(g)係爲表示本發明實施形態丨6的半導 體裝置之製造方法的各步驟圖。 本實施形態中和實施形態1 5的半導體裝置之製造方法 相比較，不同之處在於：以貼了極薄的半導體層例如石英 玻璃所成的絕緣基材26 1的貼合型SOI來取代基板本體 260的SOI晶圓。 在本實施形態的半導體裝置中，以機器硏磨、化學性機 器硏磨、蝕刻、或者該等技術並用，加工使基板本體260 的背面總厚度到達規定的厚度之後，依照和實施形態1 5 同樣的手續，使貫穿電極2 1 6從背面突出來。 在此情形中，可以加厚絕緣基材2 6 1的厚度直到蝕刻的 深度到達極限爲止，故和實施形態1 5比較起來，在各製造 步驟中的半成品都比較容易處置。 (實施形態17) 圖59(a)到圖59(g)係爲表示本發明實施形態17的半導 體裝置之製造方法的各步驟圖。 本實施形態中和實施形態1 6的半導體裝置之製造方法 相比較，不同之處在於：以A1取代S i晶圓作爲支撐板基 36 312/發明說明書(補件)/92-06/92107728 200401400 材 2 70 ° 在此實施形態中，用金屬板作支撐板基材270，形成孔 洞213之後，孔洞213內部以電鍍形成貫穿電極216°不 再需要孔洞213內壁面上的絕緣膜、以及作爲電鍍陰極的 金屬膜形成，以支撐板基材2 7 0爲陰極以電鍍將金屬埋設 於孔洞2 1 3內部。 圖60爲以Si晶圓構成支撐板構件2 1 2狀況下的貫穿電 極216形成時的圖，圖61爲以金屬構成支撐板基材270 狀況下的貫穿電極216形成時的圖。 但是，兩圖係明確比較用支撐板構件2 1 2的情形，和使 用支撐板基材270的情形的不同處的對比圖，而非實施形 態1 6和實施形態1 7的半導體裝置之構成不同。 圖60的情形中，在包含孔洞2 1 3的全面上，必須先形 成作爲電鍍陰極的金屬膜251，並形成光阻272以避免孔 洞2 1 3之外的地方被電鍍，相對於此，圖6 1的情形下，不 需要形成金屬膜251和光阻2 72的步驟。 此外，在Si晶圓表面立體沉積以例如Cu構成的金屬中 間膜形成支撐板，形成到達該中間膜而不到達S i晶圓的孔 洞，以中間膜作爲陰極進行電鍍以形成貫穿電極亦可。 (實施形態1 8 ) 圖62 (a)到圖62(e)係爲表示本發明實施形態18的半導體 裝置之製造方法的各步驟圖。 以下，以圖式就該半導體裝置的製造步驟加以說明。 首先’在如圖62(a)所不將絕緣基材261貼在SOI晶圓 37 312/發明說明書(補件)/92-06/92107728 200401400 2 6 2上所構成的基板本體2 6 0的電路形成面上，形成具有 規定功能的電路元件部2 1 1 (第一步驟）。 其次，如圖62(b)所示，從電路元件部21 1經由蝕刻而 達到絕緣基材261形成深度1〇〇 左右的孔洞213(第二 步驟）。 其次，如圖6 2 ( c )所示，以電鍍在孔洞2 1 3內部’孔洞側 壁上不形成絕緣膜而直接形成貫穿電極2 1 6(第三步驟）。 其後，如圖62(d)所示，硏磨基板本體260背面直到貫 穿電極216端面露出爲止（第四步驟）。 最後，如圖62(e)所示，將絕緣基材261触刻去除到所規 定的厚度爲止，製造從基板本體260背面突出貫穿電極216 的半導體裝置集合體，將該半導體裝置集合體分割成多數 個而製造半導體裝置（第五步驟）。 在該半導體裝置中，顯示即使不使用支撐板基材，也可 製造具有貫穿電極的半導體裝置的例子。 附帶說明，在上述實施形態1 6至1 8之中，說明的是使 用在SOI晶圓262上貼上絕緣基材261所構成的基板本體 260製造半導體裝置的情形，然而用TFT基板也可以獲得 效果。 (發明的效果） 如以上所說明，依照本發明的半導體裝置之製造方法， 因爲包含下述步驟：在基板本體的背面貼上支撐板，該基 板本體在表面的電路形成面上形成多個具有所規定功能的 電路元件部；至少在前述基板本體的電路元件部的週邊部 38 312/發明說明書(補件)/92-06/92107728 200401400 或者電路元件部內的所規定部分的其中之一上，形成能到 達前述支撐板上的第一溝部；採用絕緣材料，在前述第一 溝部上形成能使支撐板從該底部露出的孔涧；形成金屬配 線圖案，該金屬圖案由形成在前述電路元件部上的電極部 到達前述孔洞的至少一部分內壁上；將前述孔洞底面去除 所規定量；將導電材料埋設入於前述孔洞內而形成貫穿電 極，使其得以由前述電路形成面突出，在前述電路元件部 週邊部形成能到達前述支撐板的第二溝部；以及去除前述 支撐板，藉以分離成多個半導體裝置，故在製造途中不會 讓基材變薄而能更方便加工處理，因此能輕易製造具有貫 穿電極的半導體裝置。 此外，依照本發明的半導體裝置之製造方法，因爲係在 電路元件部的週邊部形成第一溝部，而在第一溝部內形成 第二溝部，故更容易以機械加工來製造。 此外，依照本發明的半導體裝置之製造方法，因爲係在 基板本體貼上支撐板之前，先將基板本體的背面去除所規 定的量，故能更輕易形成半導體基板的孔洞。 此外，依照本發明的半導體裝置之製造方法，因爲係以 切片鋸來形成第一溝部，故能簡單並且效率良好的形成第 一溝部。 此外，依照本發明的半導體裝置之製造方法，因爲係以 反應性離子蝕刻來形成第一溝部，故能形成尺寸精確的第 一溝部。 此外，依照本發明的半導體裝置之製造方法，因爲在使 39 312/發明說明書(補件)/92-06/92107728 200401400 用絕緣材料在第一溝部形成到達支撐板上的孔洞時，也同 時在半導體基板表面形成絕緣膜，故不需要另外特地設置 形成電路元件部的保護膜的步驟。 此外’依照本發明的半導體裝置之製造方法，因爲係以 感光性玻璃或者聚醯亞胺樹脂作爲絕緣材料，而由以光微 影法來形成孔洞’故和不具備感光性的絕緣材料相比較製 造過程能夠更加簡化。 此外，依照本發明的半導體裝置之製造方法，因爲係以 切片鋸來形成第二溝部，故能簡單且效率良好的形成第二 溝部。 此外，依照本發明的半導體裝置之製造方法，因爲係將 直徑大約3〜3 Onm的金屬粒子分散於以介面活性劑所覆蓋 的溶液中的獨立分散超細微粒子，旋轉塗敷使其覆蓋在半 導體基板表面以及第一溝部以及形成在第一溝部上的孔洞 內部，在燒成以後，將燒成部分消除一部分而在孔洞內部 形成埋設的金屬部分，故在廢水處理等對環境造成的影響 比較少，而旋轉塗敷也更能提高半導體裝置製造過程的整 合性。 此外，依照本發明的半導體裝置之製造方法’因爲孔洞 內的導電性材料埋設，係將氣體環境內的蒸鑛法所產生的 金屬超細微粒子，放置在減壓室內的台上的半導體基板 上，以朝向孔洞的噴嘴吹出的氣體沉積法來進行’故和申 請專利範圍第9項同樣可減少埋設步驟所需時間’並且不 需要浪費多餘材料，對環境的影響更少。 40 312/發明說明書(補件)/92-06/92107728 200401400 此外，依照本發明的半導體裝置之製造方 板係爲金屬板，孔洞底面去除所規定量的步 體的蝕刻來進行，故能簡單的形成半導體裝 電極。 此外，依照本發明的半導體裝置之製造方 屬埋設孔洞內的步驟’係以支撐板爲陰極的 和無電解電鍍相比較，選擇成長性更高，可 設孔洞部分’而且可使用得材料選擇範圍更
此外，依照本發明的半導體裝置之製造方 下述步驟：在基板本體的背面貼上支撐板， 表面的電路形成面上形成多個具有所規定功 部；在前述基板本體上形成能到達前述第一 溝部；用絕緣材料，在前述第一溝部上形成 該底部露出的孔洞；由形成在前述電路元件 到達前述孔洞的至少一部分內壁上的金屬配 步驟；將前述孔洞底面去除所規定量；埋設 形成貫穿電極，使其在前述孔洞內能由前述 出；在前述電路元件部週邊部，形成能到達 第二溝部；在前述半導體基板的電路形成面 擦板；去除前述第一支撐板；以探針接觸前 檢查電路元件部的電路功能；以及去除第二 分離成多個半導體裝置’故去除第—'支撐板 體裝置，因爲還有第二支撐板而不會個別化 可使操作更加容易，而電路元件部的功能也I 祀/發明說明書(補件)/92-06/92107728 法，因爲支擦 驟係以腐蝕液 置背面的突起 法，因爲將金 電鍍進行’故 以僅僅選擇埋 廣。 法，因爲包含 該基板本體在 能的電路元件 支撐板的第一 能使支撐板從 部上的電極部 線圖案的形成 入導電性材料 電路形成面突 前述支撐板的 側貼上第二支 述貫穿電極以 支撐板，藉以 後的多個半導 ，僅僅如此即 后更容易檢查。 41 200401400 此外，依照本發明的半導體裝置之製造方法，因爲係在 電路元件部週邊部形成第一溝部，在第一溝部內部形成第 二溝部’故可使用一般的刀刃來切斷基板本體。 此外，依照本發明的半導體裝置之製造方法，因爲係將 孔洞底面去除所規定量之後，形成從電極部到達前述孔洞 底面的金屬配線圖案，故可提昇電氣連接的可信賴性。 此外’依照本發明的半導體裝置之製造方法，因係在電 路元件部間的第一溝部內沿著第一溝部形成兩列並列的孔 洞，在該兩列孔洞之間形成第二溝部，因此週邊部的貫穿 電極係以共同的第一溝部所形成，故使得製造步驟更簡 單，製造更容易。 此外’依照本發明的半導體裝置之製造方法，因爲係在 電路元件部間分別形成兩列延伸的第一溝部，在各第一溝 部內形成一列排列的孔洞，在兩列延伸的第一溝部之間形 成第二溝部，故和申請專利範圍第22項的半導體裝置之製 造方法相比較’因爲第二溝部的形成係設於基板本體，故 可使用一般的刀刃來切斷基板本體，和申請專利範圍第22 項相比較，剛性更高，僅僅如此即可更保護週邊部的貫穿 電極。 此外’依照本發明的半導體裝置之製造方法，因爲係以 陽極結合將支提板貼在半導體基板背面上，故不需要任何 接著劑等不同質的材料介入，在製造時所受的藥物承受性 等限制則可減少。 此外’依照本發明的半導體裝置之製造方法，因爲基板 42 312/發明說明書(補件)/92-06/92107728 200401400 本體背面和支撐板之間係以接著材料黏接，黏 化而成爲絕緣層，在去除支撐板之後仍殘留在 背面上，故接著材料可直接安定形成半導體裝f 此外，依照本發明的半導體裝置之製造方法 支撐板貼於半導體基板背面之前，先在半導體 成氧化膜，故半導體基板的背面在電氣上、化 定，半導體裝置的電氣性能、信賴度都能提昇 此外，依照本發明的半導體裝置之製造方法 電路元件部內部設置第一溝部，故也可在半導 邊部之外設置貫穿電極。 此外，依照本發明的半導體裝置之製造方法 下述步驟：在支撐板上形成孔洞部；在該孔洞 材料以形成第一突起電極；形成第一金屬配線 一突起電極和前述支撐板上所規定位置連接； 將基板本體的背面貼在上述支撐板上，該基板 的電路形成面上形成多個具有所規定功能的電 在電路元件部間的基板本體區域中，形成第一 能到達以前述第一金屬配線圖案前面的前述接 成的絕緣層；用絕緣材料，在前述半導體基板 除前電路元件部的電極部以形成絕緣膜，並在 部形成能到達支撐板的孔洞；形成第二金屬配 電極部到達前述孔洞的至少一部分內壁；去除 面的絕緣層，使第一金屬配線圖案露出；在前 設金屬以形成貫穿電極的步驟；在前述第二金 312/發明說明書(補件)/92-06/92107728 接後使其硬 半導體基板 置的絕緣層。 ，因爲在將 基板背面形 學上都很安 〇 ，因爲係在 體裝置的週 ，因爲包含 部塡入電極 圖案以使第 用接著材料 本體在表面 路元件部； 溝部，使其 著材料所形 表面上，去 前述第一溝 線圖案，使 前述孔洞底 述孔洞中埋 屬配線圖案 43 200401400 的所規定位置上設置第二突起電極；設置沿前述第一溝部 到達前述支撐板的第二溝部，分割成多個半導體基板；以 及去除前述支撐板，故可輕易製造具有第一突起電極和第 二突起電極的半導體裝置。 此外，依照本發明的半導體裝置之製造方法，因爲削減 了在支撐板形成穴部，在該穴部中塡入電極材料形成第一 突起電極的步驟、或者在前述第二金屬配線圖案的所規定 位置設置第二突起電極的步驟，.故製程步驟更加簡化。 此外’依照本發明的半導體裝置之製造方法，因爲削減 孔洞底面的絕緣層而使得第一金屬配線圖案露出後，形成 第二金屬配線圖案，從電極部通過前述孔洞和第一金屬配 線圖案連接，故可削減在孔洞內埋設金屬而形成埋設貫穿 電極的步驟。 此外，依照本發明的半導體裝置之製造方法，因爲係包 含在電路形成面上形成突起電極的步驟，故能輕易獲得在 電路形成面上具有突起電極的半導體裝置。 此外，依照本發明的半導體裝置之製造方法，因爲包含 在背面形成突起電極的步驟，故能輕易獲得在電路形成面 上具有突起電極的半導體裝置。 此外，依照本發明的半導體裝置之製造方法，因爲包含 下述步驟：在表面的電路形成面上，形成具有所規定功能 的電路元件部，將前述基板本體的背面硏磨成所規定的厚 度；將在支撐板基材表面以中間膜和絕緣膜的順序形成的 支撐板的絕緣膜，和硏磨過的前述基板本體的背面結合； 44 312/發明說明書(補件)/92-06/92107728 200401400 由前述電路形成面形成到達前述支撐板基材的孔洞，形成 貫穿孔洞內側壁的絕緣膜；在前述孔洞內埋設導電性材料 以形成前述貫穿電極；硏磨到前述中間膜露出爲止，而使 前述貫穿電極的端部突出；以及以餓刻去除前述中間膜使 得前述絕緣膜露出的步驟，故在製造途中，基板本體由支 撐板基材所支撐，所以不再需要先前薄型化後所需的絕緣 膜形成和貫穿電極的開口，僅需不要求加工精度的單純步 驟即可形成由基板本體背面突出的貫穿電極，減少在製造 過程中基板本體發生破損的機率，提昇半導體裝置製品的 良率。 此外，因爲在基板本體背面側設絕緣膜，故在削去背面 側時’電極材料可殘留在基板本體背面而擴散到基板本體 內，形成未曾期待的能量順序，而可防止半導體裝置特性 劣化。 此外，因爲支撐板基材的中間膜在削去支撐板時成爲提 醒標誌’可確實在絕緣膜之前停止削去支撐板，故在半導 體裝置背面可確實形成絕緣膜。 此外，依照本發明的半導體裝置之製造方法，因爲包含 下述步驟：在表面的電路形成面上，形成具有所規定功能 的電路元件部，將前述基板本體的背面削去而成所規定的 厚度；將削去後的前述基板本體的背面，接合在支撐板基 材表面形成有絕緣膜的支撐板的絕緣膜上；由前述電路形 成面形成到達前述支撐板基材的孔洞，形成貫穿孔洞內側 壁的絕緣膜；在前述孔洞內埋設導電性材料以形成前述貫 45 312/發明說明書(補件)/92-06/92107728 200401400 穿電極；硏磨到前述中間膜露出爲止而使得前述貫穿電極 的端部突出；以及將前述中間膜蝕刻去除而使前述絕緣膜 露出，故在製造途中，基板本體由支撐板基材所支撐，所 以不再需要先前薄型化後所需的絕緣膜形成和貫穿電極的 開口，僅需不要求加工精度的單純步驟即可形成由基板本 體背面突出的貫穿電極，減少在製造過程中基板本體發生 破損的機率，提昇半導體裝置製品的良率。 此外，因爲在基板本體背面側設絕緣膜，故在削去背面 側時，電極材料可殘留在基板本體背面而擴散到基板本體 內，形成未曾期待的能量順序，而可防止半導體裝置特性 劣化。 此外，因爲支撐板基材的中間膜在削去支撐板時成爲提 醒標誌，可確實在絕緣膜之前停止削去支撐板，故在半導 體裝置背面可確實形成絕緣膜。 此外，因爲絕緣膜也具有接合支撐板和基板本體的接著 劑作用，故接合步驟直接成爲絕緣膜形成步驟，而使製作 步驟更加簡化。 此外，依照本發明的半導體裝置之製造方法，因爲包含 下述步驟：在表面的電路形成面上，形成具有所規定功能 的電路元件部，將前述基板本體的背面削去而成所規定的 厚度；將削去後的前述基板本體的背面，接合在支撐板基 材表面形成有絕緣膜的支撐板的絕緣膜上：由前述電路形 成面形成到達前述支撐板基材的孔洞，形成貫穿孔洞內側 壁的絕緣膜；在前述孔洞內埋設導電性材料以形成前述貫 46 312/發明說明書(補件)/92-06/92107728 200401400 穿電極；以及使前述支撐板基材突出於前述貫穿電極的端 部’並且將前述絕緣膜留下的去除步驟，故在製造途中， 基板本體由支撐板基材所支撐，所以不再需要先前薄型化 後所需的絕緣膜形成和貫穿電極的開口，僅需不要求加工 精度的單純步驟即可形成由基板本體背面突出的貫穿電 極’減少在製造過程中基板本體發生破損的機率，提昇半 導體裝置製品的良率。 此外’因爲在基板本體背面側設絕緣膜，故在削去背面 側時’電極材料可殘留在基板本體背面而擴散到基板本體 內’形成未曾期待的能量順序，而可防止半導體裝置特性 劣化。 此外’因爲支撐板基材的中間膜在削去支撐板時成爲提 醒標誌’可確實在絕緣膜之前停止削去支撐板，故在半導 體裝置背面可確實形成絕緣膜。 此外，因爲支撐板背面沒有作爲削去標誌的中間膜，故 僅如此即可省卻需要高度削去加工精度的中間膜形成步 驟，而簡化製造步驟。 此外’依照本發明的半導體裝置之製造方法，因爲包含 下述步驟：將具有作爲絕緣膜的埋設氧化膜的前述基板本 體的背面削去而成所規定的厚度；將削去後的前述基板本 體的背面’接合在支撐板基材表面上；使前述接著劑硬化 而形成絕緣膜；由前述基板本體的表面形成能到達前述支 撐板基材的孔洞，並在前述孔洞內側壁形成貫穿電極；在 前述孔洞內埋設導電性材料以形成前述貫穿電極的步驟； 47 312/發明說明書(補件)/92-06/92107728 200401400 使前述貫穿電極的端部突出，並且將前述絕緣膜留下的去 除步驟’故在製造途中’基板本體由支撐板基材所支撐， 所以不再需要先前薄型化後所需的絕緣膜形成和貫穿電極 的開口，僅需不要求加工精度的單純步驟即可形成由基板 本體背面突出的貫穿電極，減少在製造過程中基板本體發 生破損的機率，提昇半導體裝置製品的良率。 此外’因爲在基板本體背面側設絕緣膜，故在削去背面 側時’電極材料可殘留在基板本體背面而擴散到基板本體 內，形成未曾期待的能量順序，而可防止半導體裝置特性 劣化。 此外，因爲支撐板基材的中間膜在削去支撐板時成爲提 醒標誌，可確實在絕緣膜之前停止削去支撐板，故在半導 體裝置背面可確實形成絕緣膜。 此外，因爲支撐板背面沒有作爲削去標誌的中間膜，故 僅如此即可省卻需要高度削去加工精度的中間膜形成步 驟，而簡化製造步驟。 此外，依照本發明的半導體裝置之製造方法，因爲包含 下述步驟：將具有作爲絕緣膜的埋設氧化膜的前述基板本 體的背面削去而成所規定的厚度；將削去後的前述基板本 體的背面，接合在支撐板基材表面上；由前述基板本體的 表面形成能到達前述支撐板基材的孔洞；在前述孔洞內埋 設導電性材料以形成前述貫穿電極的步驟；以及使前述支 撐板基材突出於前述貫穿電極的端部，並且將前述絕緣膜 留下的去除步驟，故在製造途中，基板本體由支撐板基材 48 312/發明說明書(補件)/92-06/92107728 200401400 所支撐，所以不再需要先前薄型化後所需的絕緣膜形成和 貫穿電極的開口，僅需不要求加工精度的單純步驟即可形 成由基板本體背面突出的貫穿電極，減少在製造過程中基 板本體發生破損的機率，提昇半導體裝置製品的良率。 此外，因爲在基板本體背面側設絕緣膜，故在削去背面 側時，電極材料可殘留在基板本體背面而擴散到基板本體 內，形成未曾期待的能量順序，而可防止半導體裝置特性 劣化。 此外，因基板本體本身具有絕緣膜，故不需要在支撐板 基材上形成絕緣膜的步驟，不僅能使製造過程更簡單，更 能提昇貫穿電極的絕緣性。 此外，依照本發明的半導體裝置之製造方法，因爲包含 下述步驟：將具有作爲絕緣膜的埋設氧化膜的前述基板本 體的背面削去而成所規定的厚度；由前述基板本體表面形 成超越前述埋設氧化膜的孔洞；在前述孔洞內埋設導電性 材料以形成前述貫穿電極；以及使前述貫穿電極的端部突 出於前述基板本體背面，並且使前述埋設氧化膜露出的去 除步驟故在製造途中，基板本體由支撐板基材所支撐，所 以不再需要先前薄型化後所需的絕緣膜形成和貫穿電極的 開口，僅需不要求加工精度的單純步驟即可形成由基板本 體背面突出的貫穿電極，減少在製造過程中基板本體發生 破損的機率，提昇半導體裝置製品的良率。 此外，因爲在基板本體背面側設絕緣膜，故在削去背面 側時，電極材料可殘留在基板本體背面而擴散到基板本體 49 31W發明說明書(補件)/92-06/92107728 200401400 內，形成未曾期待的能量順序，而可防止半導體裝置特性 劣化。 此外’因不用支撐板，因此不需要基板本體和支撐板之 接合步驟’製造步驟更加簡化。 此外’因爲基板本體本身具有絕緣膜，故不需要在支撐 板基材上形成絕緣膜的步騾，不僅能使製造過程更簡單， 更能提昇貫穿電極的絕緣性。 此外’依照本發明的半導體裝置之製造方法，因爲基板 本體係以SOI晶圓構成，以SOI晶圓所形成的半導體元 件，比一般的晶圓形成的半導體元件更能快速動作，故能 提供更快速動作的半導體裝置。 此外’依照本發明的半導體裝置之製造方法，因爲基板 本體係以極薄的半導體層貼合在絕緣基板上的貼合型SOI 晶圓所構成，僅僅如此即可提高基板本體的剛性，故使得 各製造步驟中半成品的處理更加容易。 此外’依照本發明的半導體裝置之製造方法，因爲基板 本體係爲TFT基板，故可以比貼合型SOI更簡單更低成本 提供在絕緣基板上具有極薄半導體元件的半導體裝置。 此外，依照本發明的半導體裝置之製造方法，因爲支撐 板基材係以金屬構成，而用支撐板基材爲陰極進行電鍍而 形成貫穿電極’故在孔洞內形成貫穿電極時，不需要在內 壁面上形成作爲電鍍陰極的金屬膜。 此外’依照本發明的半導體裝置之製造方法，因爲在支 撐板基材表面上沉積金屬的中間膜而形成支撐板，以前述 50 312/發明說明書(補件)/92-06/92107728 200401400 中間膜爲陰極用電鍍形成貫穿電極，故在孔洞內形成貫穿 電極時，不需要在內壁面上形成作爲電鍍陰極的金屬膜。 此外，依照本發明的半導體裝置之製造方法，因爲支撐 基板，係在將貫穿電極的端面平坦化削去之後以蝕刻消 除，故能使貫穿電極的端部確實從基板本體上突出，同時 也能使通過貫穿電極的其他電子元件之間的電氣結合性提 高。 此外，依照本發明的半導體裝置之製造方法，因爲在貫 穿電極快要露出之前停止硏削，之後以蝕刻法削去直到到 達絕緣膜爲止，故能使得貫穿電極確實從基板本體上突出。 此外，依照本發明的半導體裝置之製造方法，因爲支撐 板基材，可以蝕刻消除，故能使得貫穿電極確實從基板本 體上突出。 此外，依照本發明的半導體裝置之製造方法，因爲接合 係爲陽極接合，故在支撐板基材和基板本體之間並不存在 不同材料，可以蝕刻輕易的形成孔洞。 此外’依照本發明的半導體裝置之製造方法，因爲接著 劑係爲聚醯亞胺樹脂聚醯亞胺樹脂，故和需要高度技術並 且施工成本高的陽極接合相比較，可減低製作成本。 此外’依照本發明的半導體裝置之製造方法，因爲支撐 板基材係以矽晶圓構成，中間膜以鋁構成，而絕緣膜以氧 化敬膜構成’這些材料都是現在半導體製造步驟中一般所 使用的材料，因此加工技術也高度成熟，使用已經確實安 定的材料’故不但能提昇製品的良率，也能減低製造成本。 51 312/發明說明書(補件)/92-06/92107728 200401400 此外’依照本發明的半導體裝置之製造方法，因爲支撐 板基材係以鋁構成，是現在半導體製造步驟中一般所使用 的材料，因此加工技術也高度成熟，使用已經確實安定的 材料，故不但能提昇製品的良率，也能減低製造成本。 此外’依照本發明的電子機器，係以上述記載半導體裝 置之任一製造方法所製造的多個半導體裝置互相以突起電 極連接而沉積構成，故能獲得高度集中、高功能的電子機 器。 此外’依照本發明的電子機器，因爲係以上述記載半導 體裝置之任一製造方法所製造的半導體裝置的至少其中一 面上’至少在貫穿電極或者突起電極的其中之一上載放有 被動元件的電路基板連接所構成，故比一般所謂的混合形 ic更能小型化。 此外，依照本發明的電子機器，因爲係以上述記載半導 體裝置之任一製造方法所製造的半導體裝置的兩面，至少 由連接於貫穿電極或突起電極的其中之一的第一電路基板 和第二電路基板所夾住構成，故爲立體接觸構造，可獲得 自由度更高、更高度集中化的電子機器。 此外，依照本發明的電子機器，係將上述記載半導體裝 置之任一製造方法所製造的半導體裝置埋入電路基板的板 芯中，形成在電路基板兩面上的配線至少連接於貫穿電極 或者突起電極的其中之一而構成，故爲立體接觸構造，可 獲得自由度更高、更高度集中化的電子機器。而且有配線 延遲減少的效果。 52 312/發明說明書(補件)/92-06/92107728 200401400 此外，依照本發明的半導體裝置，因爲在構成所定功能 的電路元件部形成在一主面上的半導體基板上，具有從電 路形成面到達電路形成面反面側的貫穿孔，沿著該貫穿孔 具有導電路，具有包圍該導電路周圍的絕緣材料，相鄰的 前述導電路之間除了該絕緣材料之外並無其他材料介入， 故能獲得信賴度高的半導體裝置。 此外，依照本發明的半導體裝置，因爲包含下述步驟： 從電路形成面上形成大致垂直延伸貫穿之孔洞的基板本 體；貫穿前述孔洞同時從前述基板本體的兩面中至少一面 上突出端部的貫穿電極；在該貫穿電極週面上形成的貫穿 絕緣膜；以及由前述基板本體突出前述貫穿電極側的基板 本體側面上和前述貫穿絕緣膜成垂直交叉形成的絕緣膜， 故在貫穿電極和基板本體之間，並無基板本體背面露出， 絕緣性上沒有問題，而且絕緣膜也不會覆上貫穿電極的端 面，在貫穿電極上不會發生接合性的問題。 此外，依照本發明的半導體裝置，因爲從基板本體貫 穿，而從基板本體突出端部的貫穿電極的端面，係和基板 本體的電路形成面大致成平行並且平坦的面，故在半導體 裝置互相沉積成電氣接合時，其接合性良好。 【圖式簡單說明】 圖1爲本發明實施形態1的半導體裝置之製造方法中的 製造途中剖面圖。 圖2爲本發明實施形態1的半導體裝置之製造方法中的 製造途中剖面圖。 53 312/發明說明書(補件)/92-06/92107728 200401400 圖3爲本發明實施形態1的半導體裝置之製造方法中的 製造途中剖面圖。 圖4(b)爲本發明實施形態1的半導體裝置之製造方法中 的製造途中平面圖，圖4(a)爲圖4(b)的沿A-A線的剖面圖。 圖5(b)爲本發明實施形態1的半導體裝置之製造方法中 的製造途中平面圖，圖5(a)爲圖5(b)的沿B — B線的剖面圖。 圖6(b)爲本發明實施形態1的半導體裝置之製造方法中 的製造途中平面圖，圖6(a)爲圖6(b)的沿C-C線的剖面圖。 圖7爲本發明實施形態1的半導體裝置之製造方法中的 製造途中剖面圖。 圖8(b)爲本發明實施形態丨的半導體裝置之製造方法中 的製造途中平面圖，圖8(a)爲圖8(b)的沿D-D線的剖面圖。 圖9(b)爲本發明實施形態1的半導體裝置之製造方法中 的製造途中平面圖，圖9(a)爲圖9(b)的沿E-E線的剖面圖。 圖10(b)爲本發明實施形態1的半導體裝置之製造方法 中的製造途中平面圖，圖1 0 ( a)爲圖1 0 ( b )的沿F - F線的剖 面圖。 圖1 1爲本發明實施形態2的半導體裝置之製造方法中的 製造途中剖面圖。 圖1 2爲本發明實施形態2的半導體裝置之製造方法中 的製造途中剖面圖。 圖13爲本發明實施形態2的半導體裝置之製造方法中 的製造途中剖面圖。 圖14爲本發明實施形態3的半導體裝置之製造方法中 54 312/發明說明書(補件)/92-〇6/92107728 200401400 的製造途中剖面圖。 圖1 5爲本發明實施形態 的製造途中剖面圖。 圖1 6爲本發明實施形態 的製造途中剖面圖。 圖1 7爲本發明實施形態 的製造途中剖面圖。 圖1 8爲本發明實施形態 的製造途中剖面圖。 圖1 9爲本發明實施形態 的製造途中剖面圖。 圖2 0爲本發明實施形態 的製造途中剖面圖。 圖21爲本發明實施形態 的製造途中剖面圖。 圖22爲本發明實施形態 的製造途中剖面圖。 圖23爲本發明實施形態 的製造途中剖面圖。 圖2 4爲本發明實施形態 的製造途中剖面圖。 圖25爲本發明實施形態 的製造途中剖面圖。 圖26爲本發明實施形態 的半導體裝置之製造方法中 的半導體裝置之製造方法中 的半導體裝置之製造方法中 的半導體裝置之製造方法中 的半導體裝置之製造方法中 的半導體裝置之製造方法中 的半導體裝置之製造方法中 的半導體裝置之製造方法中 的半導體裝置之製造方法中 的半導體裝置之製造方法中 的半導體裝置之製造方法中 的半導體裝置之製造方法中 312/發明說明書(補件)/92-06/92107728 200401400 的製造途中剖面圖。 圖27爲本發明實施形態4的半導體裝置之製造方法中 的製造途中剖面圖。 圖2 8爲本發明實施形態4的半導體裝置之製造方法中 的製造途中剖面圖。 圖29爲本發明實施形態5的半導體裝置之製造方法中 的製造途中剖面圖。 圖30爲本發明實施形態5的半導體裝置之製造方法中 的製造途中剖面圖。 圖31爲本發明實施形態5的半導體裝置之製造方法中 的製造途中剖面圖。 圖32爲本發明實施形態5的半導體裝置之製造方法中 的製造途中剖面圖。 圖33爲本發明實施形態5的半導體裝置之製造方法中 的製造途中剖面圖。 圖3 4爲本發明實施形態5的半導體裝置之製造方法中 的製造途中剖面圖。 圖35爲本發明實施形態5的半導體裝置之製造方法中 的製造途中剖面圖。 圖36爲本發明實施形態5的半導體裝置之製造方法中 的製造途中剖面圖。 圖37爲本發明實施形態5的半導體裝置之製造方法中 的製造途中剖面圖。 圖38爲本發明實施形態5的半導體裝置之製造方法中
312/發明說明書(補件)/92-06/92107728 200401400 的製造途中剖面圖。 圖39爲本發明實施形態5的半導體裝置之製造方法中 的製造途中剖面圖。 圖40爲本發明實施形態5的半導體裝置之製造方法中 的製造途中剖面圖。 圖41爲本發明實施形態6的半導體裝置之製造方法中 的製造途中剖面圖。 圖42爲本發明實施形態6的半導體裝置之製造方法中 的製造途中剖面圖。 圖43爲本發明實施形態6的半導體裝置之製造方法中 的製造途中剖面圖。 圖44爲本發明實施形態7的半導體裝置之製造方法中 的製造途中剖面圖。 圖45爲圖44的重要部分擴大圖。 圖46爲半導體裝置之製造方法中的別之例子的製造途 中剖面圖。 圖4 7爲本發明實施形態8之電子機器的剖面圖。 圖4 8爲本發明實施形態9之電子機器的剖面圖。 圖49爲本發明實施形態1〇之電子機器的剖面圖。 圖5 0爲本發明實施形態1 1之電子機器的剖面圖。 圖51(a)〜圖51(g)爲本發明實施形態12的半導體裝置 之製造方法的各步驟的圖。 圖52爲圖51的製造方法所製造的半導體裝置重要部分 的剖面圖。 57 312/發明說明書(補件)/92-06/92107728 200401400 圖53(a)〜圖53(g)爲本發明實施形態13的半導體裝置 之製造方法的各步驟的圖。 圖54(a)〜圖54(g)爲本發明實施形態14的半導體裝置 之製造方法的各步驟的圖。 圖5 5(a)〜圖55(g)爲本發明實施形態15的半導體裝置 之製造方法的各步騾的圖。 圖56爲用晶圓的基板本體設置賃·穿電極的樣式圖。 圖57爲用SOI晶圓的基板本體設置貫穿電極的樣式圖。 圖58(a)〜圖58(g)爲本發明實施形態16的半導體裝置 之製造方法的各步驟的圖。 圖59(a)〜圖59(g)爲本發明實施形態17的半導體裝置 之製造方法的各步驟的圖。 圖60爲用Si晶圓構成支撐板基材之情形中形成貫穿電 極的圖。 圖6 1爲用金屬構成支撐板基材之情形中形成貫穿電極 的圖。 圖62(a)〜圖62(e)爲本發明實施形態18的半導體裝置之 製造方法的各步驟的圖。 圖63(a)〜（g)爲表示先前半導體裝置之製造方法的各步 驟之圖。 (元件符號說明） 1 基板本體 2 電路元件部 3 第一支撐板 58 312/發明說明書(補件)/92-06/92107728 200401400 4、 1 5、25 第一溝部 6、 17 絕緣膜 7、 16 孔洞 8 金 屬 配 線 圖 案 9 第 一 溝 部 10 貫 穿 電 極 (突起電極 11 黏 著 劑 12 第 一 支 撐 板 13 探 測 針 14、17 絕 緣 層 20 支 撐 板 2 1 穴 部 22 第 -. 金 屬 配 線 圖 案 23 一 突 起 電 極 24 絕 緣 層 2 7 第 一 金 屬 配 線 圖 案 28 第 一 突 起 電 極 30 導 電 部 3 1 被 動 元 件 3 2 電 路 基 板 3 3 第 ^- 電 路 基 板 3 4 第 一 電 路 基 板 35、36 電 子 元 件 40 電 路 基 板 312/發明說明書(補件)/92-06/92107728
59 200401400 4 1 5 0 板芯 半導體基板 100' 200 ' 3 00 > 3 5 0 400、 5 00、 600、 700 > 8 00、 9 00 2 10、 240、 260 2 11 電路 元 件 部 2 12、 270 支撐 板 構 件 2 13 孔洞 2 14 中間 膜 2 15 絕緣 膜 2 16 貫穿 電 極 2 17 支撐 板 2 18 貫穿 絕 緣 膜 22 1> 230 支撐 板 24 1 埋設 氧 化 膜 2 5 1 金屬 膜 26 1 絕緣 基 材 262 SOI 晶 圓 半導體裝 基板本體 312/發明說明書(補件)/92-06/92107728 60