TW200306661A - Circuit board, electronic device, electro-optic device, and electronic machine - Google Patents

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200306661 ⑴ 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關光電裝置或半導體裝置等之電子裝置， 可適用於電子裝置之配線基板，適用於顯示裝置之光電 裝置電子機器。 【先前技術】 顯示裝置例如有具備液晶元件、有機電激發光（以下 稱爲有機EL )元件之液晶顯示元件或有機El顯示裝置等 之光電裝置。特別是有機EL顯示裝置因高亮度、自行發 光、可直流低電壓驅動、高速應答等，因此顯示性能優異 。而且顯示裝置可薄型化、輕量化、低耗電化（參照例如 專利文獻1 )。 [專利文獻1]國際公開第WO98/36406號公報。 【實施方式】 [發明欲解決之問題] 光電裝置會因配線間所產生之寄生電容，而造成資料 改寫動作產生錯誤已爲人知。此配線間電容係取決於配線 長度等，隨著配線變長而增加，因此例如以光電裝置作爲 顯示裝置時，會成爲阻礙形成大晝面化的原因。 近年，記憶體等之半導體裝置要求高度集成化，同時 動作高速化，因而配線等之導電部分間所產生之電容成爲 問題。 -5- (2) (2)200306661 本發明係有鑑於上述問題點而完成者，本發明之目的 係提供性能之安定化的配線基板，可達成大晝面，且經長 時間亦可穩定地動作之光電裝置，及使用這些之電子機器 [解決問題的方法] 爲了達到上述目的，本發明之第1之配線基板，其特 徵係含有含配線之基體；配置於基體上面具有4以下之介 電率的構件；該上面設置未形成該構件的區域。 通常矽氧化膜之介電率爲4.2以下，因此該構件具有 低介電率。依據本發明之配線基板時，配置具有4以下之 介電率的構件，例如在該上面設置未形成該構件的區域設 置光電材料，其上方形成電極聚合物等之導電性部位時， 可降低因導電性部位與該配線所產生之寄生容量。 本發明之第2配線基板，其特徵係含有含絕緣基板與 配線之基體；被配置於基體上面之構件；該基體上面設置 未形成該構件之區域，該配線係配置於該絕緣基板與其上 面之間，該構件之介電率低於該絕緣基板之介電率。 該絕緣基板用於顯示裝置等時，理想爲以玻璃或石英 等作爲該絕緣基板使用，這種情形時，該構件之介電率爲 4以下爲佳。 上述配線基板中，該構件之介電率爲3以下，更理想 爲2.5以下。在基體面上可設置多個該區域。 上述配線基板中，例如該基體含有主動元件時’寄生 -6 - (3) (3)200306661 容量降低，可藉由更高頻率或高速之驅動信號使主動元件 作動。主動元件例如有電晶體等半導體元件或MIM等雙端 子元件等。 上述配線基板中，該構件例如爲含有氧化砂玻璃、院 基矽氧烷聚合物、烷基倍半矽氧烷聚合物、氫化烷基倍半 矽氧烷聚合物、聚芳基醚中之任一種之旋塗式玻璃膜、鑽 石膜及氟化非晶質碳膜等。 其中該構件可由多孔質材料所構成。 具體而言爲氣溶膠、將多孔質氧化矽、氟化鎂之微粒 子分散的凝膠、氟系聚合物、多孔性聚合物及所定之材料 中含有微粒子者。 本發明之電子裝置，其特徵爲對應於上述記載之配線 基板之該區域，配置功能膜。 上述電子裝置中，該功能膜間配置較低介電率之該構 件’因此，可降低該功能膜間產生之寄生容量。 上述電子裝置中，其功能膜上方配置電極等之導電膜 時’ s亥配線與該電極藉由該構件而產生距離，因此可降低 該配線與該電極間產生之寄生容量。特別是該配線供給信 號時’可減少信號之延遲、聲音不準確等之問題。導電膜 之形成材料例如有機導電材料、無機導電材料（金屬等） 及含有這些之混合物等。 上述電子裝置中，不限定爲其功能膜之周圍全部配置 該構件者。 本發明之第1之光電裝置，其特徵爲含有··含有絕緣 (4) (4)200306661 基板與配線之基體；配置於該基體上面之多個像素電極； 配置於該像素電極上方之對向電極；含有被配置於該各個 多個像素電極與該對向電極之間之光電材料的功能膜；設 置於該功能膜之周圍，且配置於該對向電極與該上面之間 的構件；該構件之介電率低於該絕緣基板之介電率。 上述光電裝置中，該絕緣基板使用玻璃或石英等較佳 。這種情形時，該構件之介電率爲4以下爲佳。 本發明之第2之光電裝置，其特徵爲含有：含有配線 之基體；被配置於該基體上面之多個像素電極；配置於該 像素電極上方之對向電極；含有被配置於該各個多個像素 電極與該對向電極之間之光電材料的功能膜；設置於該功 能膜之周圍，且配置於該對向電極與該上面之間的構件； 該構件之介電率爲4以下。 上述光電裝置中，該構件之介電率理想爲3以下或2.5 以下。 上述光電材料例如可爲用於有機EL元件之材料、液晶 元件、電泳元件或釋放電子元件之材料。 上述光電裝置中，該基體係進一步含有與該像素電極 連接之主動元件，該配線可含有將信號供給該主動元件之 信號配線。 該主動元件例如有電晶體等半導體元件或ΜIM等雙 端子元件等。 上述光電裝置中，該構件係含有氧化矽玻璃、烷基矽 氧院聚合物、院基倍半砂氧院聚合物、氫化院基倍半砂氧 -8- (5) (5)200306661 烷聚合物、聚芳基醚中任一種之旋塗式玻璃膜、鑽石膜及 氟化非晶質碳膜等。 該構件可由多孔質材料所構成。 具體而言，該構件爲氣溶膠、將多孔質氧化矽、氟化 鎂之微粒子分散的凝膠、氟系聚合物、多孔性聚合物及所 定之材料中含有微粒子者等。 上述光電裝置中，該構件與主動元件之間可設置抑制 物質穿透之阻隔層。 該構件作爲低介電率之材料使用時，低介電率材料一 般爲多孔質材料，或低密度材料，因此，金屬或氧等之物 質容易穿透，因穿透之物質有時會產生主動元件劣化或配 線等腐蝕等之問題。對此該構件與主動元件之間設置該阻 隔層，可抑制造成劣化或腐蝕等重要原因之物質穿透。 該構件之至少一部分以防止物質通過之保護層覆蓋。 物質容易穿透上述構件，因此，該構件之至少一部分 以該保護膜覆蓋，可抑制物質經由該構件擴散。藉此可降 低光電裝置內部之配線或主動元件腐蝕或劣化。低介電率 材料一般而言其大部分機械性較脆弱，該構件上設置保護 膜具有補強機械特性的效果。 本發明之電子機器，其特徵係具備以上述電子裝置作 爲顯示機構者。 依據本發明之電子機器係降低寄生容量，例如對於高 頻或高速輸入信號具有遵循性良好，穩定之顯示動作。 (6) (6)200306661 實施方式 [發明之實施形態] 以下詳細說明本發明。 圖1係本發明之光電裝置及基板之斷面結構之槪念圖 ，符號10爲光電裝置’符號11爲配線基板。配線基板11係 由含有設置於基材15上之薄膜電晶體（TFT : Thin Film Transistor*，以下稱爲TFT)等之主動元件16與絕緣層之多 層配線型所構成。光電裝置1 〇係在配線基板1 1上設置含有 功能膜之發光層之多個發光區域丨7者，其發光狀態係經由 主動元件16控制。多個發光區域17之界面設置作爲絕緣層 之分隔構件（觸排）1 8。 #發明之光電裝置1〇，其特徵係低介電率材料形成分 隔構件1 8。以低介電率材料形成分隔構件丨8可降低配線等 之導電性部位間所產生之寄生容量。 低介電率材料之介電率（比介電率）爲4以下，理想 爲3以下’更理想爲2· 5以下。特別是低介電率材料爲高空 隙率之多孔質（porous )所構成，可得到上述低介電率之 低介電率材料。 以^彳氐t m率材料形成分隔構件丨8的方法例如使用各種 塗佈法或CVD法（化學氣相沉積法）等形成層後，藉由蝕刻 或硏磨等圖案化可得到所定形狀之分隔構件1 8。 ® $材·料例如有含有氧化矽玻璃、烷基矽氧烷聚 « % '院基倍半砂氧烷聚合物、氫化烷基倍半矽氧烷聚合 牧1 '聚方基釀中任一種之旋塗式玻璃膜、鑽石膜及氟化非 -10- (7) 200306661 晶質碳膜等。 低介電率材料例如可使用氣溶膠、將多孔質氧化 氟化鎂之微粒子分散的凝膠、氟系聚合物、多孔性聚 及所定之材料中含有微粒子者等。 氣溶膠例如可使用氧化矽氣溶膠或以氧化鋁爲基 之氣溶膠。氣溶膠係使矽醇鹽之溶膠凝膠反應所形成 潤凝膠，藉由超臨界乾燥所得之具有均勻超微細結構 孔質體。氧化矽氣溶膠係占有體積90%以上之孔隙， 部分爲由凝結成樹枝狀之數十奈米之微細Si〇2粒子所 之材料。改變孔隙率可調整介電率。 氧化矽氣溶膠係經由溶膠-凝膠法製造濕潤凝膠 驟；使濕潤凝膠熟化之步驟；及以超臨界乾燥法乾燥 凝膠得到氣溶膠之超臨界乾燥步驟製得氧化矽氣溶膠 臨界乾燥法係適用於以超臨界流體取代由固相及液相 之果凍狀凝膠物質中之液體，並去除，在凝膠不收縮 態，使凝膠物乾燥的方法，可得具高孔隙率之氣溶膠 形成上述旋施玻璃膜時，也可使用上述超臨界乾 。使用超臨界乾燥法可提高被覆性或膜質。 以氧化矽氣溶膠形成分隔構件1 8時，藉由旋轉塗 於基材上塗布濕潤凝膠後，進行超臨界乾燥，也可於 凝膠中混合合成樹脂（有機物）。此時之合成樹脂其熱 溫度高於超臨界流體之臨界溫度之合成樹脂。超臨界 例如使用醇時，其熱改質溫度高於醇之臨界溫度之合 脂例如有羥丙基纖維素（HPC)、聚乙烯基丁縮醛（PVB) 石夕' 合物 礎物 之濕 之多 剩餘 構成 之步 濕潤 。超 所成 的狀 〇 燥法 覆等 濕潤 改質 流體 成樹 、乙 -11 - (8) 200306661 基纖維素（EC)等（又，PVB及EC可溶於醇而不溶於水〕 用醚作爲溶劑時，理想爲選擇氯系聚乙烯等作爲樹脂 外使用C〇2作爲溶劑時，選擇HPC等較佳。 多孔質氧化矽（具有多孔性之3丨〇2膜）係利用 CVD法（電漿化學氣相成長法）形成，可使用SiH4及 之反應氣體。此Si〇2膜上形成具有多孔性之Si〇2膜 Si〇2膜係利用常壓CVD法（常壓化學氣相成長法）形 使用含有TEOS (四乙氧基矽烷）與氧（〇2 )與低濃 〇3 (臭氧）之反應氣體。此處低濃度之 〇3係指比 TEOS之氧化所需之濃度更低之濃度之〇3。 氟系聚合物或包含其之材料例如有全氟烷基-聚 全氟烷基胺，或全氟烷基聚醚-全氟烷基胺之混合薄 〇 另外可爲於預定之聚合物粘結劑中混合可溶性或 性之氟碳化合物者。 聚合物粘結劑例如有聚乙烯醇、聚丙烯酸、聚乙 吡咯烷酮、聚乙烯基磺酸鈉鹽、聚乙烯基甲基醚、聚 醇、聚α三氟甲基丙烯酸、聚乙烯基甲基醚-馬來酸 聚物、聚乙二醇-丙二醇共聚物、聚甲基丙烯酸等。 另外氟碳化合物例如有全氟辛酸-銨鹽、全氟辛糜 甲基銨鹽、C7及C10之全氟烷磺酸銨鹽、C7及C10之 院磺酸四甲基銨鹽、氟化院基四級銨職化物、全氟己 及全氟己二酸之四級銨鹽等。 低介電率材料係使用微粒子，可形成微粒子間或 I。使 ，另 電漿 ，N2〇 0此 成， 度之 上述 醚、 膜等 分散 烯基 乙二 酐共 ! -四 全氟 二酸 微粒 -12 - (9) (9)200306661 內之微孔隙之空隙。微粒子可使用無機微粒子或有機微粒 子。無機微粒子以非晶性爲佳。無機微粒係由金屬之氧化 物、氮化物、硫化物或鹵化物所成者爲佳，由金屬氧化物 或金屬鹵化物所成者更佳，而由金屬氧化物或金屬氟化物 所成者最佳。金屬原子理想爲Na、K、Mg、Ca、Ba、A1、 Zn、Fe、Cu、Ti、Sn、In、W、Y、Sb、Μη、Ga、V、Nb 、Ta、Ag、Si、B、Bi、Mo、Ce、Cd、Be、Pb 及 Ni，更理 想爲Mg、Ca、B及Si。也可使用含有2種金屬之無機化合 物。特別理想之無機化合物爲二氧化矽，即爲氧化矽。 例如藉由使形成粒子之氧化矽分子產生交聯，可形成 無機微粒子內之微孔隙。使氧化矽分子產生交聯時，體積 會縮小，粒子成爲多孔質。藉由溶膠-凝膠法（日本特開昭 5 3 - 1 1 273 2號、特公昭57-905 1號等各公報記載）或析出法 (APLIED OPTICS，27，3 356頁（ 1 9 8 8)記載）可直接合成具微 孔隙之（多孔質）無機微粒子分散物。另外，以乾燥沉澱法 製得之粉粒體進行機械式粉碎也可製得分散物。也可使用 市售之多孔質無機微粒子（例如二氧化矽溶膠）。具有微孔 隙之無機微粒可分散於適當介質之狀態來使用。分散介質 理想爲水、醇（例如甲醇、乙醇、異丙醇）及酮（例如甲基乙 基酮、甲基異丁基酮）。 例如係藉由使形成粒子之聚合物交聯以形成有機微粒 子內之微孔隙。聚合物產生交聯時，體積縮小，粒子成爲 多孔質。爲使形成粒子之聚合物產生交聯時，合成聚合物 之單體之20莫耳％以上爲多官能單體較佳。多官能單體之 -13· (10) (10)200306661 比例理想爲30至80莫耳％，最佳爲35至50莫耳％。多官能 單體例如有包括二烯類（例如丁二烧、戊二燒）、多元醇與 丙燒酸之酯（例如二丙燦酸乙二醇酯、二丙燦酸1，4 —環己 烷酯、六丙烯酸二季戊四醇酯）、多元醇與甲基丙烯酸之 酯（例如二甲基丙烯酸乙二醇酯、四甲基丙烯酸1，2，4一 己烷酯、四甲基丙烯酸季戊四醇酯）、二乙烯基化合物（例 如二乙烯基環己烷、1，4 -二乙烯基苯）、二乙烯基硕、雙 丙烯醯胺類（例如伸甲基雙丙烯醯胺）及雙甲基丙烯醯胺類 。可藉由堆積至少2個以上之微粒子形成粒子間之微孔隙 〇 也可使用具有微小空孔及微粒狀無機物之材料作爲低 介電率材料。此情況下，藉由塗覆形成上述材料層後，進 行活化氣體處理，使氣體由層中脫離形成微細空孔。 或者可混雜2種以上之超微粒子（例如MgF2及Si〇2)。此 時藉由矽酸乙酯熱分解所產生之Si〇2黏結超微粒子。矽酸 乙酯熱分解係藉由乙基部份之燃燒，產生二氧化碳及水蒸 汽。二氧化碳及水蒸汽由層中脫離，可於超微粒子間產生 間隙。 或者含有由多孔質氧化矽所構成之無機微粉末與粘結 劑可形成層，或藉由堆積2個以上由含氟聚合物所構成之 微粒子，在微粒子間也可形成產生孔隙的層。 低介電率材料可使用分子結構等級，且可提高孔隙率 之物質，例如具有網枝狀聚合物等之支鏈結構之聚合物。 分隔構件18與主動元件16之間理想爲設置可防止金屬 -14- (11) (11)200306661 通過之阻隔層20。以低介電率材料所形成之分隔構件1 8因 大部分由多孔質所構成，因此，金屬等之物質容易通過， 通過分隔構件18之金屬侵入主動元件16時，有時因化學反 應使主動元件16產生劣化。分隔構件18與主動元件16之間 設置上述阻隔層20可抑制主動元件1 6劣化，抑制元件性能 降低。 阻隔層20之形成材料可使用例如陶瓷或含有氮化砂、 氧化氮化矽、氧化矽等之矽的化合物，另外也可使用具有 放熱效果之材料，例如鋁之氮化物、矽之碳化物、硼之氮 化物、硼之磷化物等。阻隔層20具有金屬阻隔及放熱效果 ，因此可降低由低介電率材料所構成之分隔構件1 8之熱收 縮所產生之影響。 例如可使用含有稀土元素之1種（選自Ce(鈽）、Yb(鏡） 、Sm(釤）、Er(餌）、Y(釔）、La(鑭）、Gd(釓）、Dy(鏑）、Nd( 鈸）中之至少1個元素）及氮、矽、鋁及氧的材料。 也可形成氮化鈦、氮化鉅等具有導電性之層。 形成具有導電性之阻隔層2〇時，爲了防止實效性之配 線電阻上升，而決定阻隔層之厚度或形狀。 由上述材料所構成之分隔構件1 8之至少一部分以可防 止液體或氣體、或金屬等之物質通過之保護膜21覆蓋較佳 。以低介電率材料所形成之分隔構件i 8因物質易侵入，因 此’在製造過程等中，物質侵入有時造成分隔構件18之介 電率性能降低。分隔構件丨8之至少一部分以上述保護膜2 1 覆蓋可保持分隔構件丨8之低介電率性，確實使配線低容量 -15- (12) (12)200306661 化。一般而言，低介電率材料之機械性脆弱，但是上述保 護膜2 1具有補強機械性的效果。可抑制經由分隔構件丨8之 物質擴散，因此可避免通過分隔構件1 8之物質影響其他之 區域。 保護膜2 1之形成材料例如有陶瓷或含有氮化矽、氧化 氮化矽、氧化矽等。在分隔構件1 8之角上形成膜時，除了 無機旋施玻璃系、有機旋施玻璃系、PSG( phosphate glass )外，可使用高柔軟性之無機聚合物或有機聚合物等。 形成旋施玻璃系之膜時，可使用上述超臨界乾燥法。 使用超臨界乾燥法可提高被覆性及膜質。 由上述材料所構成之保護膜2 1可使用各旋轉塗佈、浸 漬塗佈、分散塗佈法、回流法等各種塗佈法來形成。保護 膜2 1可爲單層結構或多層結構。 也可形成保護膜21取代上述阻隔層20。換言之，包括 面向主動元件16側，以阻隔層20覆蓋分隔構件18可省略阻 隔層20。此時可使用上述阻隔層20之形成材料形成保護膜 2卜 如上述本發明之光電裝置10係以低介電率材料形成分 隔構件1 8，試圖降低導電性部位間所產生之寄生容量，提 高動作之速度。動作高速度化時，必須考慮寄生容量及降 低配線之阻抗，且需要配線結構之整體設計。本發明之配 線基板11也包括將低介電率材料用於分隔構件以外之其他 部份的情形。 其次說明將本發明之光電裝置及配線基板用於使用有 -16- (13) (13)200306661 機EL元件之主動矩陣型之顯示裝置的實施形態例。參照之 各圖中，層或構件爲了可在圖面上看淸楚之大小尺寸來形 成層或構件，因此有時比例與實際物品不同。 圖2係表示本發明之實施形態例之有機EL顯示裝置之 構成的模式圖，此有機EL顯示裝置100係採用使用TF丁主 動元件之主動型之驅動方式。 顯示裝置100係在基材121上依序層合含有TFT主動元 件之主動元件部146、含有發光層、電洞輸送層及電子輸 送層等之功能膜之有機EL元件140、陰極154及封裝部147 等之結構所構成。 基材1 2 1在本例中可使用玻璃基板。此外可使用矽基 板、石英基板、陶瓷基板、金屬基板、塑膠基板、塑膠膜 基板等光電裝置或配線基板使用之公知的各種基材。 基材121上發光區域之多個像素區域102以矩陣狀排列 ，彩色顯示時，例如與紅色、綠色、藍色各色對應之像素 區域102以所定排列狀排列。 各像素區域102上被配置像素電極141，其附近被配置 信號線1 3 2、共同供電線1 3 3、掃描線1 3 1及無圖式之其他 像素電極用掃描線等。像素區域1 02之平面形狀除了圖示 之矩形外，也可爲圓形、長圓形等之其他形狀。例如以噴 墨法等之液相製程形成構成有機EL元件之發光層、電洞 輸送層及電子輸送層等之電荷輸送層時，爲了在像素電極 上方均勻形成上述層，理想爲無角之圓形或具有長圓等形 狀之像素電極較理想。 -17- (14) (14)200306661 封裝部147係阻止水或氧侵入，防止陰極154或有機 EL元件140之氧化’包括被塗佈於基材m上之封裝樹脂 及被貼合於基材121上之封裝基板（方裝罐）148等。封裝 樹脂之材料例如可使用熱硬化樹脂或紫外線硬化樹脂等， 特別理想爲使用硬化樹脂之一種的環氧樹脂。封裝基板 1 4 8係由玻璃或金屬所構成，基材1 2 1與封裝基板1 4 8係經 由密封劑黏貼。基材1 2 1之內側配置乾燥劑，兩者間所形 成之空間形成塡充％氣體之N2氣體塡充層149。 圖3係顯示裝置1 〇〇之電路結構。 圖3中，基材121上配設多條掃描線131、與這些掃描 線1 3 1交叉之方向延伸之多條信號線丨32、與這些信號線 1 3 2並排延伸之多條共同供電線1 3 3。對應於掃描線1 3 1及 信號線132之各交叉點，形成上述像素區域1〇2。 信號線1 32係與具備例如移位寄存器、位準移相器、 視頻線路、類比開關之資料側驅動電路1 03連接。掃描線 1 3 1連接具備移位寄存器、位準移相器之掃描側驅動電路 104 ° 像素區域102上設置經由掃描線131，掃描信號被供給 閘極之切換用之第1之TFT 142 ;經由此TFT 142保持由信號 線132所供給之圖像信號之保持容量145 ;以保持容量145 保持之圖像信號被供給閘極之驅動用之第2之TFT143電連 接於共同供電線133時，由共同供電線133流入驅動電流之 像素電極141 (陽極）；像素電極141與對向電極154(陰 極）之間所夾之有機EL元件140。 -18- (15) (15)200306661 有機EL元件140係含有光電材料之有機EL材料的層 (功能膜），有機EL裝置係由含有像素電極141、陰極 154及有機EL元件140等所構成。 像素區域102係當掃描線13 1被驅動，第1之TFT142成 爲on時，此時之信號線132之電位保持在保持容量145， 配合該保持容量145之狀態，決定第2之TFT143之導通狀 態。配合轉換器TFT143之導通狀態之電流量係經由共同 供電線133供給有機EL元件140。依據此時供給之電流量 決定有機EL元件140之發光強度。 構成爲由與設置有TFT22之基板2相反之處取出所發出 光（頂部發射型）時，基板2亦可爲不透明者，於此情況下 ，可使用於絕氧等陶瓷、不銹鋼等金屬片材上施加表面氧 化等絕緣處理所得物、熱固性樹脂、熱塑性樹脂等。 圖4 ( a ) 、（ b )係表示有機EL裝置之像素區域 102之斷面結構的模式圖，（a )爲頂端放射型，（b ) 爲背面放射型。 圖4(a)中，頂端放射型之有機EL裝置係由設置 TFT143之基材121另一側放射有機EL元件140之發光光 的構成。因此可透明或不透明。 不透明之基材例如有在氧化鋁等之陶瓷、不鏽鋼等之 金屬板上實施表面氧化等之絕緣處理者，其他尙有熱硬化 樹脂、熱可塑性樹脂等。像素電極1 4 1以金屬膜等具有反 射性的膜所構成爲佳。圖4 ( a )及（b )中，本例係以像 素電極141爲陽極，以對向電極154爲陰極，但是陽極與陰 -19- (16) (16)200306661 極可互換。 圖4(b)中，背面放射型之有機EL裝置係由設置 TFT143之基材121側放射有機EL元件140之發光光的構 成。因此基材121可使用透明或不透明之基材。透明或 不透明之基材例如可使用玻璃基板、石英基板、樹脂 基板（塑膠基板、塑膠膜基板）等，特別理想爲使用 廉價之鈉鈣玻璃。使用鈉鈣玻璃時，此玻璃上塗佈氧 化矽，具有保護對弱鹼耐性較差之鈉鈣玻璃，同時也 具有提高基板之平坦性的效果。基材上配置濾光膜或 含有發光物質之顏色變換膜，或介電體反射膜，以控 制放射光的波長。 符號281係設置於像素區域102之界面的分隔構件（觸 排）。分隔構件281具有在形成有機EL元件140時，防止 相鄰之有機EL元件140之材料彼此混合等的功能。此圖之 分隔構件28 1具有頂邊長度小於底邊的圓錐結構，但是也 可爲頂邊長度大於或等於底邊的結構。 背面放射型之有機EL裝置係由設置TFT143之基材 1 2 1側放射發光層之發光光的構成，因此提高光放射效率 ，避免在有機EL元件140之正下方配置TFT143，可將 TFT143配置於分隔構件281之下。 圖5係表示分隔構件281之平面結構之形態例。 分隔構件281係位於多個像素區域102之界面，對應於 多個像素區域1 02之排列，且具有開口。 圖5 ( a )中，分隔構件2 8 1係設置成與矩陣狀排列之 -20- (17) (17)200306661 多個像素區域1 02對應之格子狀。圖5 ( b )中，分隔構件 2 8 1係設置成與長條狀排列之多個像素區域1 〇 2對應之長條 狀。本例中，分隔構件28 1係由圖5 ( a )所示之格子狀之 平面結構所構成。像素區域102之排列及分隔構件281之平 面形狀不限於這些形狀，例如可爲配合每行挪移之排列， 所謂的5排列之像素區域的形狀。也可配合圖2所示之像 素電極154之形狀決定分隔構件281的形狀。例如像素電極 爲無角之圓形或具有長圓等形狀時，分隔構件281也可爲 無角之形狀。 圖6係頂端放射型之有機EL裝置之斷面結構放大 圖。 圖6中，有機EL裝置具有基材121;由銦錫氧化物 (ITO )等之透明電極材料所構成之像素電極141 (陽 極）；由像素電極1 4 1可傳輸電洞之電洞傳輸層2 8 5 ;含 有光電物質之一之有機EL物質之發光層286 (有機EL 層）；設置於發光層286之上面之電子傳輸層287;設置 於電子傳輸層287之上面之陰極154 (對向電極）；形成 於基材121上之TFT 142、TFT 143。陰極154係覆蓋元件 整體，與像素電極141成對，具有將電子注入有機EL 元件140之功能。此陰極154可爲單層結構或多層結構。 陰極154之形成材料例如有鋁（A1 )、鎂（Mg )、金（

Au )、銀（Ag )、鈣（Ca )、氟化鋰等。這些材料可 單獨使用’或可作爲這些之單體材料之層合膜或合金 使用。 -21 - (18) (18)200306661 TFT142、TFT143在本例中，兩者皆形成 η通道型 。TFT142、TFT143兩者不限於形成η通道型TFT，兩 者或其中之一也可使用P通道型TFT。 TFT142、TFT143例如經由以 Si〇2爲主之底層保護 層201設置於基材121之表面，由底層保護層201之上層 所形成之矽等所構成之半導體膜204、205 ;覆蓋半導體 膜204、205，並設置於底層保護層201之上層之閘極絕 緣膜220 ;閘極絕緣層220之上面，其中設置於與半導體 膜204、205逆向之部分之閘電極229、230 ;覆蓋閘電極 229、23 0並設置於閘極絕緣膜220之上層之第1層間絕緣 層250 ;經由穿過閘極絕緣膜220及第1層間絕緣膜250之 開孔之通孔，與半導體膜204、205連接之源電極262、 263 ;挾著閘電極229、230，設置於源電極262、263之 反向位置，經由穿過閘極絕緣層220及第1層間絕緣膜 250之開孔之通孔，與半導體膜204、205連接之漏電極 265、266 ;設置於第1層間絕緣膜250之上層覆蓋源電極 262、263及漏電極265、266之第2層間絕緣膜270。 若爲頂端放射型時，第2層間絕緣膜270爲平坦膜 爲佳。藉此可抑制光之亂反射。 第2層間絕緣膜270之上面配置像素電極141，而像 素電極141與漏電極266係經由設置於第2層間絕緣膜270 之通孔27 5來連接。 第1層間絕緣膜250與第2層間絕緣膜270之材質彼此 不同時，如圖示設置於第1層間絕緣膜250之通孔與設 -22- (19) (19)200306661 置於第2層間絕緣膜270之通孔275兩者彼此不重疊爲佳 〇 半導體膜204、205中，挾著閘極絕緣膜220，與閘 電極229、23 0重疊之區域爲通道區域246、247。半導體 膜204、205中，通道區域246、247之源極側設置源極區 域23 3、236，而通道區域246、247之漏極側設置漏極區 域234、235。其中源極區域23 3、236爲經由穿過閘極絕 緣膜220及第1層間絕緣膜250之開孔之通孔，連接於源 電極262、263。漏極區域234、235爲經由穿過閘極絕緣 膜2 20及第1層間絕緣膜250之開孔之通孔，連接於與源 電極262、263同一層所構成之漏電極265、266。像素電 極141係經由漏電極266連接於半導體膜205之漏電極區 域 2 3 5。 第2層間絕緣膜270之表面除了設置有機EL裝置以外 的部份與陰極1 5 4之間設置如前述氧化矽氣溶膠等之低介 電率材料所形成作爲第3絕緣層之分隔構件28 1。分隔構件 28 1係由低介電率材料所形成，因此可抑制寄生容量。 分隔構件281與第2層間絕緣膜270之間可設置由氮化 矽、氧化氮化矽、或氮化鈦、氮化鉅等所構成之阻隔層 271。此阻隔層271具有可防止通過分隔構件281之金屬（ 例如可動離子）侵入TFT142、TFT 143的功能。 分隔構件2 8 1之側面及上面係以無機聚合物或有機聚 合物等所構成之保護膜272覆蓋。保護膜272可防止液體或 氣體、或金屬等之物質侵入分隔構件28 1內。利用此保護 -23- (20) (20)200306661 膜272可抑制經由分隔構件281之物質擴散。分隔構件281 中，以保護膜2 7 2被覆區域不限於如圖示者，例如分隔構 件281之全面可以保護膜27 2覆蓋。 其次參照圖7〜圖11說明本發明之光電裝置之製造方 法（包括配線基板之製造方法）用於製造具備上述有機 EL裝置之顯示裝置之步驟的實施例。此處說明包含前述 之TFT142、TFT143之有機EL裝置，同時製造N型及P型 之驅動電路用之TFT之步驟。 如圖7 ( a )所示，對於基材1 2 1必要時，可以TE0S ( 四乙氧基矽烷）或氧氣體等爲原料，利用電漿CVD法形 成由厚度約200〜500nm之氧化矽膜所構成之底層保護層 20 1。除氧化矽膜外，也可設置氮化矽膜或氧化矽氮化膜 之底層保護層。 其次將基材121之溫度設定爲約350 □，底層保護層之 表面上使用電漿CVD法或ICVD法形成由厚度約30〜70nm 之非晶矽膜所構成之半導體膜200。半導體膜200不限定爲 非晶砂膜’只要含有微結晶半導體膜等之非晶質結構之半 導體膜即可。也可爲含有非晶矽鍺膜等之非晶質結構之化 合物半導體膜。 接著對於此半導體膜200進行雷射退火或急速加熱法 (燈退火法或熱退火法等）等之結晶化步驟，使半導體膜 200轉變成多晶矽膜。雷射退火法係使用例如準分子雷射 ’光束長度爲400mm之直線光束，其輸出強度例如爲 200ml/cm2。也可使用yag雷射之第2高次諧波或第3高次 -24 - (21) (21)200306661 諧波。對於相當於直線光束短方向之雷射強度峰値之90% 的部分，進行直線光束掃描，使各區域重疊掃描。 其次如圖7 ( b )所示，藉由使用微影法等之形成圖案 去除半導體膜（多晶矽膜）200之不需要的部份，形成對 應於TFT之各形成區域之島狀之半導體膜202、203、204 、205 ° 接著以TEOS或氧氣體等爲原料，利用電漿CVD法形 成半導體膜200，以覆蓋由厚度約60〜150nm之氧化矽膜 或氮化矽膜（氧化矽氮化膜）所構成之閘絕緣膜220。閘 絕緣膜220可爲單層結構或多層結構。不限於電漿CVD法 ，也可使用熱氧化法等其他方法。利用熱氧化法形成閘絕 緣膜220時，也進行半導體膜200之結晶化，可使這些半導 體膜轉變成多晶矽膜。 如圖7 ( c )所示，閘絕緣膜220之全面上形成摻雜矽 、氧化矽膜或包含鋁、钽、鉬、鈦、鎢等金屬之閘電極形 成用導電膜221。此導電膜221之表面形成圖案用光罩222 ，此狀態下形成圖案，如圖7 ( d )所示，在形成P型之驅 動電路用電晶體之側形成閘電極2 2 3。此時N型之像素電極 用電晶體及N型之驅動電路用電晶體之側，其閘電極形成 用導電膜221係以形成圖案用光罩222覆蓋，因此閘電極形 成用導電膜221未形成圖案。閘電極可爲單層之導電膜或 爲層合結構。 如圖7 ( e )所示，以殘留於P型之驅動電路用電晶體 之閘電極223與N型之像素電極用電晶體所形成之區域及n -25- (22) (22)200306661 型之驅動電路用電晶體所形成之區域之閘電極形成用導電 膜221作爲光罩，注入p型雜質元素（本例爲硼）離子。摻 雜量爲例如約lx 101 5cnT2。結果在閘電極223上，自行整 合形成雜質濃度例如lx 1020cnT2之高濃度之源•漏區域 224、225。以閘電極223覆蓋，未被導入雜質之部份成爲 通道區域2 2 6。 如圖8(a)所示，形成完全覆蓋P型之驅動電路用電 晶體之側，且覆蓋N型之像素電極用TFT10及N型之驅動電 路用電晶體之側之閘電極形成區域之光阻光罩等所構成之 圖案用光罩227。 如圖8 ( b )所示，使用圖案用光罩227，使閘電極形 成用導電膜221形成圖案，形成N型之像素電極用電晶體及 N型之驅動電路用電晶體之閘電極228、229、230。 接著留下圖案用光罩227，注入η型雜質元素（本例 爲磷）離子。摻雜量爲例如lx 101 5cnT2。結果雜質自行整 合被導入圖案用光罩227上，在半導體膜203、204、205中 形成高濃度之源·漏區域231、232、233、234、235、236 。半導體膜203、2 04、205中，未導入高濃度之磷的區域 大於以閘電極228、229、230覆蓋之區域。換言之，半導 體膜203、204、205中，與閘電極228、229、230相反側之 區域的兩側與高濃度之源·漏區域231、232、233、234、 23 5、23 6之間形成未被導入高濃度之磷的區域（後述之低 濃度之源·漏區域）。 接著去除圖案用光罩227，此狀態下注入η型雜質元 -26- (23) (23)200306661 素（本例爲磷）離子。摻雜量爲例如lx 1013cm·2。結果如 圖8(c)所示，半導體膜203、204、205中，閘電極228、 2 29、230上被導入低濃度之雜質，自行整合形成低濃度之 源·漏區域 23 7、23 8、239、240、241、242。與閘電極 228 、2 29、23 0重疊之區域未導入雜質，形成通道區域24 5、 246 、 247 ° 如圖8 ( d )所示，閘電極228、229、230之表面側形 成第1層間絕緣層250，使用微影法等形成圖案，在所定之 源電極位置、漏電極位置形成通孔。第1層間絕緣層250可 使用例如氧化矽氮化膜或氧化矽膜等含矽之絕緣膜。可爲 單層或層合膜。在含有氫之氣氛中，進行熱處理使半導體 膜之不成對鍵結產生氫末端（氫化）。也可使用以電漿激 發之氫進行氫化。 接著其上使用鋁膜、鉻膜或鉅膜等金屬膜形成成爲源 電極、漏電極之導電膜25 1。此導電膜25 1之厚度例如爲 200nm〜300nm。導電膜可爲單層或層合膜。 接著在源電極、漏電極之位置形成圖案用光罩252， 同時進行圖案化，形成如圖8 ( e )所示之源電極260、261 、262、263 及漏電極 264、265、266。 如圖9 ( a )所示，形成由氮化矽所構成之第2層間絕 緣膜270。此第2層間絕緣膜270之厚度例如爲1〜2μηι。第2 層間絕緣膜270之形成材料例如可使用氧化矽膜或有機樹 脂等光可穿透之材料。有機樹脂可使用例如有丙烯酸、聚 醯亞胺、聚醯胺、BCB (苯並環丁烯）聚合物等。 -27- (24) (24)200306661 如圖9 ( b )所示，以蝕刻除去第2層間絕緣膜270，形 成可達漏電極266之通孔275。 如圖9 ( c )所示，例如形成由ITO或摻雜氟所成之 Si〇2、Zn〇或聚苯胺等之透明電極材料所構成之膜，並且 埋入通孔27 5內，形成以電連接源·漏區域23 5、23 6之像 素電極141。此像素電極141成爲有機EL元件之陽極。 如圖10 ( a )所示，形成阻隔層271。形成阻隔層271 之位置係後來形成分隔構件28 1之位置，與第2層間絕緣膜 270之像素電極141相鄰之位置。阻隔層271之材料可使用 例如氮化矽、氧化氮化矽、氮化鈦、氮化鉅等。阻隔層 271之形成方法配合材料可適當選擇，例如可使用CVD法 、塗佈法、濺鍍法、蒸鍍法等。阻隔層27 1例如在第2層間 絕緣膜270極像素電極141之全面形成材料膜，然後該材料 膜可藉由微影法等可形成圖案。阻隔層27 1之開口部係對 應設置於像素電極1 4 1之形成位置。阻隔層27 1之一部分可 與像素電極141之周緣部重疊。 如圖9 ( b )所示，使用氧化矽氣溶膠、多孔質氧化矽 等之低介電率材料，在阻隔層27 1上形成分隔構件28 1。例 如使用氧化矽氣溶膠時，如前述經由溶膠-凝膠法製造濕 潤凝膠之步驟；使濕潤凝膠熟化之步驟；及以超臨界乾燥 法乾燥濕潤凝膠得到氣溶膠之超臨界乾燥步驟，在基材 1 2 1上形成氧化矽氣溶膠之層，然後，藉由蝕刻或硏磨等 形成圖案，可得到所定形狀之分隔構件28 1。形成圖案使 分隔構件2 8 1之底面在阻隔層2 7 1內較佳。 -28 - (25) (25)200306661 如圖10(c)所示，使用無機聚合物或有機聚合物等 之材料形成保護膜272。此時形成保護膜272，以保護膜 272覆蓋分隔構件281之側面及上面。 可以僅局部塗佈分隔構件28 1或元件之全面形成被膜 後，以微影法等進行圖案化也可形成保護膜272。藉由此 保護膜272可補強分隔構件281之機械特性，同時也可在之 後的步驟防止物質侵入分隔構件281內。分隔構件281之底 面比阻隔層27 1窄時，分隔構件28 1之牆面全部被保護膜 272及阻隔層271覆蓋，有效防止物質侵入分隔構件281內 或經由分隔構件2 8 1之物質擴散。其次說明電洞輸送層之 形成材料等液狀材料配置於分隔構件28 1之開口位置時， 對於液狀材料具有斥液性或親液性之材質也可用於保護膜 272。或電漿處理等之表面處理對於液體材料具有所要之 親和性。藉由抑制保護膜對該液體材料之親和性，可容易 配置液體材料，或可提高該材料所形成之膜的平坦性。 如圖11 (a)所示，形成電洞輸送層285覆蓋像素電極 1 4 1。電洞輸送層2 8 5之形成步驟係使用噴墨裝置吐出液滴 ’使形成材料吐出至像素電極1 4 1上。然後進行乾燥處理 及熱處理，在像素電極141上形成電洞輸送層285。使用噴 墨方式形成層係例如將噴墨頭之吐出噴嘴Η 1向著像素電 極141配置，由噴嘴Η1吐出材料。像素電極141之周圍形 成像素電極1 4 1，使噴嘴Η 1與基材1 2 1在相對移動的狀態 下’將控制噴嘴Η 1每一滴之液量之材料吐出至像素電極 141 上。 -29- (26) (26)200306661 噴墨方式之吐出技術例如有帶電控制方式、加壓振動 方式、電氣機械轉換方式、電熱轉換方式、靜電吸引方式 等。靜電控制方式係以帶電電極將電荷賦予材料，以偏向 電極控制材料之行進方向，然後由噴嘴吐出者。加壓振動 方式係以30kg/cm2之超高壓施加於材料，使噴嘴前端側吐 出材料’未施加控制電壓時，材料直行由噴嘴吐出，施加 控制電壓時’材料間產生靜電排斥，材料飛散未由噴嘴吐 出。電氣機械轉換方式係利用壓電元件接受脈衝電氣信號 產生變形的特性，利用壓電元件變形將壓力經由可撓物質 施加於貯存材料之空間，由此空間將材料押出，由噴嘴吐 出。電熱轉換方式係利用設置於貯存材料之空間內的加熱 器’使材料急速汽化產生氣泡，以氣泡之壓力將空間內的 材料吐出。靜電吸引方式係將微小壓力施加於貯存材料之 空間內，在噴嘴上形成材料之彎月面，此狀態下施加靜電 吸引取出材料。其他也可使用利用電場使流體產生粘性變 化的方式或以放電火花產生飛散之方式等的技術。 液滴吐出形成電洞輸送層285或下述之發光層286、電 子輸送層287時，使用電漿處理等預先進行像素電極141之 表面的親液性處理、分隔構件281之表面（保護膜272表面 )的潑液化處理較佳。 包括此電洞輸送層之形成步驟，在以下之步驟爲無水 及無氧氣氛較佳。例如可在氮氣氛，氬氣氛等惰性氣體氣 氛下進行。 電洞傳輸層2 8 5之形成材料無特別限定，可使用公知 -30- (27) (27)200306661 物，例如有D比哩琳衍生物、芳基胺衍生物、莲衍生物、二 苯二胺衍生物等。具體而言，例如有日本特開昭63_7〇257 號公報、63- 1 75 860號公報、特開平2- 1 3 5 3 59號公報、特開 平2- 1 353 6 1號公報、特開平2-209988號公報、特開平3_ 37992號公報、特開平3- 1 52 1 84號公報所記載者等，較理想 者爲三苯二胺衍生物，較佳者爲4，4’-雙（N(3 -甲基苯基 )-N-苯基胺基）聯苯。 也可形成電洞注入層取代電洞傳輸層，也可形成電洞 注入層及電洞傳輸層。此時電洞注入層之形成材料例如可 使用銅酞菁（CuPc )或聚四氫苯硫基苯撐之聚苯乙燒、1 ，1-雙（4-1^， N-二甲苯基胺苯基）環己烷、三（8-羥 基喹啉酚）鋁等，特別理想爲使用銅酞菁（CuPc )。形成 電洞注入層及電洞傳輸層兩者時，例如在形成電洞傳輸層 前，在像素電極側先形成電洞注入層，其上再形成電洞傳 輸層較佳。如此形成電洞注入層及電洞傳輸層，可抑制驅 動電壓之上升，可延長驅動壽命（半減期）。 如圖11 (b)所示，電洞傳輸層285上形成發光層286 。發光層286之形成步驟係與電洞傳輸層285相同，使用例 如噴墨裝置吐出液滴，使形成材料吐出至像素電極1 4 1上 。然後進行乾燥處理及熱處理，在像素電極141上形成發 光層2 8 6。彩色對應時，以所定排形成與列如與藍色、紅 色及綠色各色對應之發光層286。 發光層2 8 6之形成材料無特別限定，可使用低分子之 有機發光色素或高分子發光體、換言之，可使用由各種螢 -31 - (28) (28)200306661 光物質或燐光物質所構成之發光物質。發光物質之共軛系 高分子中，含有伸芳基乙烯基結構者特別理想。低分子發 光體可使用例如萘衍生物、蒽衍生物、芘衍生物、聚甲川 系、咕噸系、香豆素系、花青系等之色素類、8-羥基喹啉 及其衍生物之金屬錯合物、芳香胺、四苯基環戊二烯衍生 物等，或日本特開昭57- 5 1 7 8 1、59· 1 94393號公報等所記載 之公知物。 如圖11 (c)所示’發光層286上形成電子傳輸層287 。電子傳輸層287之形成步驟係與電洞傳輸層285及發光層 286相同，使用例如噴墨裝置吐出液滴，使形成材料吐出 至像素電極141上。然後進行乾燥處理及熱處理，在像素 電極141上形成電子傳輸層287。 電子傳輸層287之形成材料無特別限定，例如有二噁 唑衍生物、蒽醌基二甲烷及其衍生物、苯醌及其衍生物、 萘醌及其衍生物、蒽醌及其衍生物、四氰基蒽醌基二甲烷 及其衍生物、芴衍生物、二苯基二氰基乙烯及其衍生物、 二吩醌衍生物、8 -羥基喹啉酚及其衍生物之金屬錯合物等 。具體而言，與先前之電洞傳輸層之形成材料相同，例如 有日本特開昭63-70257號公報、63 - 1 75 860號公報、特開平 2-135359號公報、特開平2-135361號公報、特開平2-2099 88號公報、特開平3-37992號公報、特開平3-152184號 公報所記載者等，特別理想者爲2- ( 4-聯苯基）-5- ( 4-第 三丁基苯基）-1，3，4-二噁唑、苯醌、蒽醌、三（8-D奎啉 酚）鋁。 -32- (29) (29)200306661 獎電洞傳輸層285之形成材料或電子傳輸層287之形成 材料與發光層286之形成材料混合，也可作爲發光層材料 使用。此時電洞傳輸層之形成材料或電子傳輸層之形成材 料之使用量係因使用之化合物的種類等而異，但是可在不 影響充分之成膜性與發光特性之量的範圍內，可適當決定 其使用量。通常，對於發光層形成材料時，使用1〜40重 量％，更理想爲2〜30重量％。 如圖11 (d)所示，在基材121之表面整體上或形成長 條之陰極154 (對向電極）。陰極154係以 Al、Mg、Li、 Ca等之單體材料之單層結構或層合結構。或Mg ·· Ag ( 10 :1合金）之合金材料之單層結構，或含有由合金材料所 構成之層合結構。具體而言例如有Lh〇（〇.5nm) /A1或 LiF ( 0.5nm) /Al、MgFWAl之層合膜。例如接近發光層側 形成功函數較低之材料爲佳，可使用例如Ca、Ba等，又 因材料不同有時下層形成薄的LiF等較佳。上部側（封裝 側）可使用功函數較高之材料，例如A1。 陰極154例如可使用蒸鍍法、濺鍍法、CVD法等來形 成，特別是以蒸鍍法形成可防止因熱損傷發光層286。 陰極154之上部使用以蒸鍍法、濺鍍法、CVD法等所 形成之 A1膜、Ag膜等較佳。其厚度例如爲100〜lOOOnm ，更理想爲200〜500nm。陰極154上可設置 Si〇2、SiN等 之保護膜防止氧化。 利用上述步驟完成有機EL裝置及N型及P型之驅動 電路用之TFT。然後藉由封裝樹脂封裝有機EL裝置所形 -33- (30) (30)200306661 成之基材121與封裝基版146(參照圖6)。封裝步驟係在 氮、氬、氨等之惰性氣體氣氛在進行較佳。若在大氣中封 裝時，若在陰極154產生針孔等之缺陷時，水或氧等可能 由此缺陷部分侵入陰極154，使陰極154氧化。 陰極154與基材121之配線連接，同時電路元件部146 (參照圖6 )之配線與設置於基材1 2 1或外部之驅動I c (驅 動電路），可得到本實施形態之顯示裝置1 0 0。 圖12係表示有機EL裝置之其他的型態例。 圖12所示之有機EL裝置係與上述例不同，具有遮斷 氣體或金屬離子侵入之封裝層（第1封裝層3 00、第2封裝 層301、第3封裝層302中之至少一層）。 第1封裝層300係在第1層間絕緣膜250與第2層間絕 緣膜270之間，覆蓋源電極262、263及漏電極265、266 。厚度例如爲50〜500nm。構成第1封裝層300之材料例 如可使用陶瓷、或氮化矽、氧化氮化矽、氧化矽等之 材料。第1封裝層300係防止水分或由發光層286 (EL層 )等之鹼金屬（鈉）侵入TFT 142、TFT 143。 構成第1封裝層300之材料例如可使用具有上述鹼 金屬之封裝效果及放熱效果的材料。這種材料例如有 含有選自B(硼）、C(碳）、N(氮）中之至少1種的元素，與 選自A1(鋁）、Si(矽）、P(磷）中之至少1種的元素的絕緣 膜。例如可使用鋁之氮化物、矽之碳化物、硼之氮化 物、硼之磷化物等。也可使用含有Si、Al、N、〇、M 之絕緣膜（但是Μ爲稀土元素中之至少1種，較理想爲 -34 - (31) (31)200306661

Ce(铈）、Yb(鏡）、Sm(釤）、Ει*(餌）、Y(釔）、La(鑭）、Gd( 釓）、Dy (鏑）、Nd(鈸）中之至少1個元素）。 第2封裝層301係形成於第2層間絕緣膜270與像素電 極141之間，膜厚例如爲5〇〜500ηιη。構成第2封裝層301 之材料例如可使用陶瓷、或氮化砂、氧化氮化砂、氧 化矽等之材料。第2封裝層301係防止水分或由發光層 286 ( EL層）等之鹼金屬（鈉）侵入丁FT 142、TFT 143 ο 構成第2封裝層301之材料例如可使用上述第1封裝層 所使用的材料。也具有上述鹼金屬之封裝效果及放熱效果 〇 形成第2封裝層301可省略上述阻隔層271。 第3封裝層302係覆蓋陰極154，膜厚例如爲50〜 500nm。構成第3封裝層302之材料例如可使用陶瓷、或 氮化矽、氧化氮化矽、氧化矽等之材料。第3封裝層 302係防止外部水分侵入。構成第3封裝層302之材料例 如可使用上述第1封裝層所使用的材料。也具有上述鹼 金屬之封裝效果及放熱效果。圖18之有機EL裝置係頂 部放射型，第3封裝層302係以良好之光穿透之材質及 厚度所形成者爲佳。 取代上述封裝層或可另外形成提高光放射效率之低折 射率層。低折射率層爲光穿透率低於基材1 2 1的層，例如 由前述之有氧化矽氣溶膠所構成。 基材1 2 1之材料玻璃的折射率爲1 · 54、石英玻璃之折 -35- (32) (32)200306661 射率爲1.4 5。 低折射率層可使用具有多孔性之8丨〇2膜或聚合物等之 其他材料。可將乾燥劑或化學吸附劑分散於構成低折射率 層之材料中。藉此可將封裝效果賦予低折射率層。 圖1 3係表示有機EL裝置之其他的型態例。 ±述各例中，切換用之TFT142係具有所謂的單閘結 構’但是本發明不受此限。換言之，如圖丨3所示，也可爲 以無圖示之閘線電連接2個閘電極310、311之雙閘結構， 或三閘結構等多閘結構（含有具直行連接之2個以上之多 區域之半導體膜的結構）。多閘結構可降低off電流値， 有助於晝面之大型化。 圖14 ( a)及（b)係表示有機EL顯示裝置之電路的 其他例。 圖1 4 ( a )及（b )所示之電路係藉由控制電流，控制 EL元件之通電，所謂電流程式方式的電路。圖丨4 ( a )係 採用所謂的電流鏡電路。採用此電路可維持EL元件之一 定的導通狀態，使EL層安定發光。有助於構成大畫面之 顯示裝置。 發光層60之形成材料使用高分子發光材料時，可使用 側鏈具發光基之高分子，理想爲主鏈上含有共軛系結構者 ，特別理想爲聚噻吩、聚對伸芳基、聚伸芳基伸乙烯基、 聚芴及其衍生物。其中聚伸芳基伸乙烯基及其衍生物較佳 。聚伸芳基伸乙條基及其衍生物理想爲下述化學式（1)所 示之重覆單元係占總重覆單元之50莫耳％以上之聚合物。 -36- (33) (33)200306661 依重覆單元之結構而異’但是化學式（1)所示之重覆單元 更理想爲總重覆單元之70%以上。 -Ar-CR= CR’_ (1) (式中Ar爲伸芳基或雜環化合物基，R、t係各自獨 立選自氫、碳數1至20之有機基、全氟烷基、胺基所成群 之基團） 該高分子發光材料也可含有以化學式（1)表示之重 覆單位以外之重覆單位’例如芳香族化合物或其衍生物、 雜環化合物基或其衍生物及這些組合所得之基等。以化學 式（1)表示之重覆單位或其他重覆單位可以具有醚基、 酯基、醯胺基、醯亞胺基等之非共軛之單位連接’或重覆 單位含有這些非共軛部分。 聚芳基乙烯基類例如有如式（2)所示之PPV (聚（ 對苯乙烯基））、MO- PPV (聚（2，5·二甲氧基-1’ 4-苯 乙烯基））、CN-PPV (聚（2，5-雙己氧基-1，4-伸苯基-(1-氰基乙烯基）））、MEH-PPV (聚〔2-甲氧基-5- ( 2’-乙氧基己基）〕對苯乙烯基）等之PPV衍生物等。 -37- (34)200306661

PPV h13c6〇 cn

38 (35) 200306661 上述材料外，例如有聚（對苯）、聚烷基芴等，理想 爲如化學式（3)所示之聚烷基芴（具體而言如化學式（4 )所示之聚烷基芴系共聚物）。 -39- (36)200306661

门 -40- 200306661 \)/ (37

-(4) -41 - (38) (38)200306661 前述高分子發光材料理想爲無規、嵌段或接枝共聚物 或具有這些之中間結構之高分子，例如具有嵌段性之無規 共聚物。從得到較高之發光之量子收率之高分子發光材料 的觀點，具有嵌段性之無規共聚物或嵌段或接枝共聚物優 於無規共聚物。此處形成之機EL元件係利用薄膜之發光 ，因此，該高分子發光材料可使用固體狀態下，具有良好 之發光量子收率者。 上述材料中，形成發光層時之溫度下，將液狀之材料 或對於所要之溶媒具有良好溶解性之材料’可用於形成使 用噴墨法等之液體材料之發光層。該溶媒例如有氯仿、二 氯甲烷、二氯乙烷、四氫呋喃基、甲苯、二甲苯等。雖因 高分子發光材料之結構或分子量而異，通常在這些溶媒中 可溶解0.1 wt%以上。 前述高分子發光材料之分子量以聚苯乙烯換算理想爲 1〇3〜107，也可使用分子量103以下之低聚物。 採用配合所要之高分子發光材料之合成法，可得到該 所要之高分子發光材料。例如有由伸芳基與兩個醛基鍵結 之二醛化合物、伸芳基與兩個鹵化甲基鍵結之化合物與三 苯膦所得之二鳞鹽之Wittig反應。其他合成法例如有伸芳 基與兩個鹵化甲基鍵結之化合物之去鹵化氫法。另外，以 _聚合伸芳基與兩個鹵化甲基鍵結之化合物之锍鹽所得之 中間體，再藉由熱處理得到該高分子發光材料之锍鹽分解 法。 具體說明前述高分子發光材料之一例之伸芳基乙烯基 -42- (39) 200306661 系共聚物之合成法。例如以Wittig反應得到高分子發光材 料時，例如首先將雙（鹵化甲基）化合物、更具體係例如 將2，5_二辛氧基-對二甲苯二溴在N，N-二甲基甲醯胺溶 媒中，與三苯膦反應合成鱗鹽，此鱗鹽與二醛化合物，更 具體係例如對苯二甲醛例如在乙醇中，藉由使用乙醇鋰縮 合之Wittig反應，得到含有苯乙烯基與2，5-二辛氧基-對 苯乙烯基之高分子發光材料。此時爲了得到共聚物，可使 兩種以上之二鳞鹽及/或兩種以上之二醛化合物產生反應

150°CX4hr

•“⑸ 這些高分子發光材料作爲發光層之形成材料使用時， 其純度會影響發光特性，因此，合成後利用再度沉澱純化 、以色譜儀等分離等之純化處理較佳。 在高分子發光材料爲溶解性較低之材料時，例如塗佈 對應之先質後，如化學式（5 )所示加熱硬化，有時可得 到發光層。例如聚苯乙燒爲構成高分子發光材料時，將對 應之先質之錬鹽配置於成爲發光層之部位後，加熱處理使 锍基脫離，得到具有發光層功能之聚苯乙烯。 可形成發光層之低分子材料爲顯示可見光域之發光物 -43- (40) (40)200306661 質時，基本上可使用。其中具有芳香族系之取代基之材料 較佳。例如有_啉酚鋁錯合物（A1 g3)或二苯乙燒基聯苯 、化學式（6 )所示之BeBq2或Zn ( OXZ ) 2等以往所用者 ，此外例如有吡唑啉二聚物、喹嗪羧酸、苯並吡喃鐵全氯 酸酯、苯並吡喃喹嗪、紅熒烯、菲繞啉銪錯合物等。 由上述代表之高分子材料及低分子材料適當選擇顯示 藍色、綠色、紅色發光之材料’配置於所定位置時可顯示 彩色。配置於所定位置時可使用光罩蒸鍍法、印刷法、或 噴墨法等。

將客分散於以發光層爲媒介功能之主中，可形成所謂 的主/客型發光層。 主/客型發光層中，決定該發光層之發光色基本上是 客材料，因此可依據發光色選擇客材料。一般可使用產生 高效率之螢光的材料。基本上，具有比參與客材料之發光 -44- (41) 200306661 之激發狀態之位準更高之能量位準之材料適合作爲主材料 。有時也需要載體之移動度較高之材料，此時也可由上述 高分子發光體來選擇。 顯示藍色發光之客材料，例如有葷苯類、二苯乙基聯 苯類等’顯示綠色發光之客材料，例如有喹吖酮、紅榮燦 等，顯示紅色發光之客材料，例如有若丹明類之螢光色素 主材料可配合客材料來選擇。例如形成主材料及客材 料分別爲Zn ( OXZ ) 2及葷苯之發光層，可得到顯示藍色 發光之發光層。 客材料也可使用燐光材料。例如可使用化學式（7 ) 所不之 Ir(PPV) 3、Pt(thpy) 2、Pt〇EP 等。

i「(PPy)3 Pt(thpy)2 以前述化學式（7 )所示 材料可使用化學式（8 )所^ Alq3 等。

之燐光物質爲客材料時，主 ^ 之 CBP、DCTA、TCPB 或 藉由共蒸鍍法、或塗佈主材料與客材料或其先質液狀 物的方法形成主/客型發光層。 -45 - (42) 200306661

…⑻ 上述例中’形成發光層之下層之電洞傳輸層，形成上 層之電子傳輸層，氮本發明不受此限，例如可僅形成電洞 傳輸層或電子傳輸層其中之一，或形成電洞注入層取代電 洞傳輸層，也可單獨形成發光層。 電洞注入層、電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層外， 例如可在發光層之對向電極側形成封孔層，延長發光層之 壽命。這種封孔層之形成材料例如可使用化學式（9 )所 示之BCP或化學式（1〇)所示之BAlq，考慮長壽命時， B A1 q較佳。

…⑼ -46 (43) (43)200306661

很明顯，上述製作之光電裝置可以主動方式或被動方 式驅動。 圖15〜20係本發明之電子機器的實施例。 本例之電子機器係具備上述有機EL顯示裝置等之本發 明之光電裝置之顯示機構。 圖1 5爲顯示電視圖像或電腦之文字或圖像之顯示裝置 的例子。圖15中，符號1〇〇〇係表示使用本發明之光電裝置 之顯示裝置本體。顯示裝置本體1〇〇〇係使用上述之機以顯 示裝置，可應用於大晝面。 圖16係表不車用之導航裝置之—例。圖16中，符號 1010係表不導航裝置本體，符號1〇11係表示使用本發明之 光電裝置之顯示部（顯示機構）。 圖17係表不攜帶型之圖像記錄裝置（攝影機）之一例 。圖17中’符號1020係表示記錄裝置置本體，符號1〇21係 -47- (44) (44)200306661 表示使用本發明之光電裝置之顯示部。 圖18係表示行動電話一例。圖18中，符號1 030係表示 行動電話本體，符號1031則表示使用本發明之有機EL顯示 裝置之顯不部（顯不機構）。 圖19係表示文字處理機、個人電腦等之資訊處理裝置 一例。圖19中，符號1040係表示資訊處理裝置、符號1〇41 係表示資訊處理裝置本體、符號1042係表示鍵盤等輸入部 分、符號1 043係表示使用本發明之有機EL顯示裝置之顯示 部。 圖20係表示腕錶型電子機器一例。圖20中，符號1〇5〇 係表示手錶本體，符號1051係表示使用本發明之有機El顯 示裝置之顯示部。 圖15〜圖20所示之電子機器因具備本發明之光電裝置 之顯示裝置，因此可達成耐久性及品質優異之顯示。 以上參照附圖說明本發明之理想的實施例，但是本發 明並不限定於上述之實施例。上述例中，各構成要件之各 形狀或組合等係其中一例，只要不超過本發明之技術特徵 的範圍內，可依據設計要求等，進行種種變更。

L發明之效果L 依據本發明之基板及其製造方法，例如可降低因導電 性部位產生之寄生容量等，實現性能穩定之基板。 依據本發明之電子裝置及其製造方法，可有效發揮功 能膜之性能，可適用於高速之動作，因此能實現大晝面化 ，且長期作動穩定之光電裝置。 -48- (45) (45)200306661 夂依據本發明之電子機器時，因具備本發明之電子裝 置之顯示機構，因此，遵循性良好，顯示穩定。 【圖式簡單說明】 [@1]係本發明之光電裝置及基板之斷面結構之槪念 圖。 [圖2]係表示本發明之實施形態例之有機EL顯示裝置 之構成的模式圖 [圖3]係顯示主動矩陣型之有機EL顯示裝置之電路之 一例的電路圖。 [圖4]像素區域（有機El裝置）之斷面結構的模式圖 ，（a )爲頂端放射型，（b )爲背面放射型。 [圖5 ]係表示分隔構件之平面結構之形態例。 [圖6]係頂端放射型之像素區域（有機EL裝置）之 斷面結構放大圖。 [圖7]係說明本發明之光電裝置之製造方法用於製造 具備有機EL元件之顯示裝置之步驟之實施例的說明圖。 [圖8]係說明本發明之光電裝置之製造方法用於製造 具備有機EL元件之顯示裝置之步驟之實施例的說明圖。 [圖9]係說明本發明之光電裝置之製造方法用於製造 具備有機EL元件之顯示裝置之步驟之實施例的說明圖。 [圖1 0]係說明本發明之光電裝置之製造方法用於製造 具備有機EL元件之顯示裝置之步驟之實施例的說明圖。 [圖11]係說明本發明之光電裝置之製造方法用於製造 -49- (46) (46)200306661 具備有機EL元件之顯示裝置之步驟之實施例的說明圖。 [圖12]係表示有機EL裝置之其他的型態例。 [圖1 3 ]係表示有機EL裝置之其他的型態例。 [圖14]係表示有機EL顯示裝置之電路的其他例的圖。 [圖1 5 ]係本發明之電子機器的實施例的圖。 [圖16]係本發明之電子機器之其他實施例的圖。 [圖17]係本發明之電子機器之其他實施例的圖。 [圖18]係本發明之電子機器之其他實施例的圖。 [圖19]係本發明之電子機器之其他實施例的圖。 [圖20]係本發明之電子機器之其他實施例的圖。 [符號說明] 10 ’ 100…有機EL顯示裝置（光電裝置） 11配線基板 151，121…基材 16， 142，143··· TFT (主動元件） 17，102…發光區域 18， 2 8 1…分隔構件 20， 271…阻隔層 21，272…保護膜 140…有機EL元件（功能膜） -50-

Claims (1)

1. (1) (1)200306661 拾、申請專利範圍 1. 一種配線基板，其特徵係含有含配線之基體；配置 於基體上面具有4以下之介電率的構件；該上面設置未形 成該構件的區域。 2. —種配線基板，其特徵係含有含絕緣基板與配線之 基體；配置於基體上面之構件；該基體上面設置未形成該 構件之區域，該配線係配置於該絕緣基板與其上面之間， 該構件之介電率低於該絕緣基板之介電率。 3·如申請專利範圍第1或2項之配線基板，其中該構件 之介電率爲3以下。 4.如申請專利範圍第1或2項之配線基板，其中該構件 之介電率爲2.5以下。 5·如申請專利範圍第1〜4項中任一項之配線基板，其 中該基體含有主動元件。 6·如申請專利範圍第5項之配線基板，其中該主動元 件與該構件之間至少設置抑制物質穿透之阻隔層。 7·如申請專利範圍第丨〜6項中任一項之配線基板，其 中該構件係含有至少一種含有氧化矽玻璃、烷基矽氧烷聚 合物、烷基倍半矽氧烷聚合物、氫化烷基倍半矽氧烷聚合 物、聚芳基醚中任一種之旋塗式玻璃膜、鑽石膜及氟化非 晶質碳膜。 8.如申請專利範圍第1〜6項中任一項之配線基板，其 中該構件係由多孔質材料所構成。 9·如申請專利範圍第1〜6項中任一項之配線基板，其 -51 - (2) (2)200306661 中該構件係含有氣溶膠、將多孔質氧化矽、氟化鎂之微粒 子分散的凝膠、氟系聚合物、多孔性聚合物及所定之材料 中含有微粒子者中之至少一種者。 1 0. —種電子裝置，其特徵爲對應於如申請專利範圍 第1〜9項中任一項之配線基板之該區域，配置功能膜。 11· 一種光電裝置，其特徵爲具備：含有絕緣基板與 配線之基體；配置於該基體上面之多個像素電極；配置於 該像素電極上方之對向電極；含有配置於該各個多個像素 電極與該對向電極之間之光電材料的功能膜；設置於該功 能膜之周圍，且配置於該對向電極與其上面之間的構件； 該構件之介電率低於該絕緣基板之介電率。 12·—種光電裝置，其特徵爲具備：含有配線之基體 :配置於該基體上面之多個像素電極；配置於該像素電極 上方之對向電極；含有配置於該各個多個像素電極與該對 向電極之間之光電材料的功能膜；設置於該功能膜之周圍 ，且配置於該對向電極與其上面之間的構件；該構件之介 電率爲4以下。 1 3 ·如申請專利範圍第1 1或1 2項之光電裝置，其中該 光電材料爲有機電激發光材料。 1 4·如申請專利範圍第11〜1 3項中任一項之光電裝置 ，其中該基體係進一步含有與該像素電極連接之主動元件 ，該配線含有將信號供給該主動元件之信號配線。 1 5.如申請專利範圍第1 1〜1 4項中任一項之光電裝置 ，其中該構件係含有至少一種含有氧化矽玻璃、烷基矽氧 -52- (3) (3)200306661 烷聚合物、烷基倍半矽氧烷聚合物、氫化烷基倍半矽氧烷 聚合物、聚方基醚中任一種之旋塗式玻璃膜、鑽石膜及氟 化非晶質碳膜。 1 6.如申g靑專利範圍第1 1〜1 4項中任一項之光電裝置 ，其中該構件係由多孔質材料所構成。 1 7 ·如申請專利範圍第1 1〜丨4項中任一項之光電裝置 ’其中該構件係含有氣溶膠、將多孔質氧化矽、氟化鎂之 微粒子分散的凝膠、氟系聚合物、多孔性聚合物及所定之 材料中含有微粒子者中之至少一種者。 1 8 .如申請專利範圍第1 4項之光電裝置，其中該構件 與主動元件之間設置抑制物質穿透之阻隔層。 1 9 ·如申請專利範圍第11〜1 8項中任一項之光電裝置 ，其中該構件之至少一部分以防止物質通過之保護層覆蓋 〇 20. —種電子機器，其特徵係具備如申請專利範圍第 11〜19項中任一*項之光電裝置之顯不裝置。 -53-