TW200304941A - Composition of etching liquid - Google Patents

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200304941 , 」· i *·:"、· . 、ί «· ‘· y ν，、、'〜·、. 玖:、.:發明說明 (發明說明應敘_ :發明所屬之技術領域、先前技術、內容、實施方式及圖式簡單說明) ㈠發明所屬之技術領域： 本發明係關於蝕刻液組成物。更詳細來說，本發明係關 於使用於顯示裝置等之透明電極膜用之鈾刻液組成物。 ㈡先前技術： 透明電極膜係廣泛地使用於液晶顯示裝置、場致發光顯 示裝置等。於該等之裝置中，爲了形成畫素之顯示電極， 必須蝕刻透明電極膜。 該等透明電極膜之蝕刻液方面，由於乙二酸水溶液廉 價、長時間安定性優異之觀點而被廣泛地使用。然而，乙 二酸水溶液有容易產生蝕刻殘渣之問題。 爲了解決該產生蝕刻殘渣之問題，硏究於乙二酸水溶液 中添加烷基苯磺酸。例如，於特開平7- 1 4 1 932號公報中， 係記載著含有乙二酸、十二烷基苯磺酸與水之氧化銦錫膜 用之蝕刻液組成物。 然而，蝕刻液中含有十二烷基苯磺酸等之界面活性劑， 則不易產生蝕刻殘渣，但於蝕刻時，則發泡顯著，不能正 確地進行蝕刻，是在配線圖案中產生缺陷之原因。 ㈢發明內容： 本發明之目的係提供一種蝕刻液組成物，其在使用乙二 酸水溶液於蝕刻之情況下，不易產生殘渣，而且抑制發泡。 本發明者等，針對在使用於蝕刻之情況下，約略不會產 生殘渣，亦抑制發泡之蝕刻液組成物，重複專心一意硏究 之結果，藉由在乙二酸水溶液中添加含有過氟烷基之磷酸 200304941 化合物之操作，發現可解決該等之問題，而完成本發明。 本發明之蝕刻液組成物係含有含有過氟烷基之磷酸化 合物、乙二酸、以及水。 在較佳之實列中’上述含有過氟烷基磷酸化合物係以下 述通式（1)、（2)、或（3): (CnF2n + i) χ-Ρ ( Ο) - ( OA) y ( 1) (通式中，A係選自包括NH4、K、Li、Na、及H之群 組之官能基或原子；n係6〜1 2之整數；x及y係個別爲1 或2之整數，而x + y爲3 ); (CnF2n + 1CmH2m-〇）X-P (〇）-(〇A ) y ( 2) (通式中，A係選自包括NH4、K、Li、Na、及H之群 組之官能基或原子；η係6〜12之整數；m係1〜5之整數；χ 及y係個別爲1或2之整數，而x + y爲3 ); (CnF2n+1CqH2q) X-P ( 0) - ( OA) y ( 3) (通式中，A係選自包括NH4、K、Li、Na、及H之群 組之官能基或原子；η係6〜12之整數；q係1〜5之整數；χ 及y係個別爲1或2之整數，而x + y爲3 )所表示。 用於實施發明之最佳眚例 本發明之蝕刻液組成物係含有含有過氟烷基之磷酸化 合物、乙二酸、水、以及必要時之添加劑。 本發明之蝕刻液組成物中之乙二酸含有量並無任何限 制’若乙二酸能溶解則不在意該含有量。含有量係以組成 物全體之重量爲基準則以0.1〜9重量％爲佳。以1〜6重量 %爲較佳、而以2〜4重量％爲更佳。蝕刻液組成物中之乙 二酸含有量未滿0 · 1重量％ ，則有於3 5 °C之蝕刻速度變成 200304941 1 0◦ A/分鐘以下等現象而不實用。又，超過9重量％則恐怕 乙二酸不溶解、於蝕刻液組成物中析出乙二酸。 含有過氟烷基之磷酸化合物係以組成物全體重量爲基 準，以含有10〜lOOOppm之比例爲佳。以含有60〜300ppm之 比例爲較佳。 含有過氟/院基之憐酸化合物含有量超過lOOOppm^則發 泡變得顯著、在洗濯步驟中發生不合適狀況，又恐怕變成 配線缺陷之原因。未滿5ppm則於蝕刻時有殘留殘渣等之問 用於本發明之含有過氟烷基之磷酸化合物方面雖無特 別之限制，但以使用以下述通式（1 )、（ 2 )、或（3 )所表 不之含有過氯院基之碟酸化合物爲佳。 (CnF2n + 1) X-P ( 〇) - ( 〇A) y ( 1 ) (通式中，A係選自包括NH4、K、Li、Na、及H之群 組之官能基或原子；η係6〜1 2之整數；χ及y係個別爲1 或2之整數，而x + y爲3 ); (CnF2n + 1CraH2m-0) Χ-Ρ ( Ο) - ( OA) y ( 2) (通式中，A係選自包括NH4、K、Li、Na、及H之群 組之官能基或原子；η係6〜12之整數；m係1〜5之整數；x 及y係個別爲1或2之整數，而x + y爲3 ); (CnF2n+1CqH2q) Χ-Ρ ( Ο) - ( OA) y ( 3) (通式中，A係選自包括NH4、K、Li、Na、及H之群 組之官能基或原子；η係6〜12之整數；q係1〜5之整數；x 及y係個別爲1或2之整數，而x + y爲3 )。 無論在上述通式（1 )〜（3 )中，η係以6〜9之整數爲佳’ 200304941 X及y爲個別獨立的，以1或2爲佳。於通式（2 )及（3 ) 中，m以1〜3、q以1〜3爲佳。A方面特別以NH4、K、Na、 或Η爲佳。 藉由使用上述通式（1)、（2)、或（3)之化合物，於氧 化銦錫膜等金屬膜之蝕刻時，亦抑制起泡，造成所謂不殘 留殘渣之優異效果。該等含有過氟烷基之磷酸化合物方 面，例如有大日本油墨化學工業株式會社製之商品名美家 伐克F-491 (滿足上述通式（1)之含有過氟烷基之磷酸化 合物）。含有過氟烷基之磷酸化合物可單獨使用，亦可組合 2種以上來使用。 本發明之蝕刻液組成物係如上述，於必要時加入添加 劑。添加劑方面，例如有消泡劑等。在含有該等添加劑之 情況下，通常，於組成物中含有5〜lOOOppm之比例。 藉由混合上述含有過氟烷基之磷酸化合物、乙二酸、 水、及必要時之添加劑，得到蝕刻液。該蝕刻液係使用於 各種金屬之蝕刻。例如，利用於爲各種金屬或金屬化合物 之電極膜之蝕刻，而以利用於透明電極膜、例如氧化銦錫 膜、氧化銦鋅膜等之蝕刻爲特佳。 藉由上述蝕刻液之蝕刻，係將形成圖案之透明電極膜、 例如，藉由在玻璃等基板上所形成之氧化銦錫膜等，浸漬 於本發明之蝕刻液組成物中，於25〜50 °C加熱，浸漬0.5 ~30 分鐘左右來進行。蝕刻處理後，水洗並乾燥之。 ㈣實施方式： 【實例】 200304941 以下，同時顯示本發明之實例與比較例來詳細地說明發 明之內容，但本發明係不受該等實例之限制。 本實例與比較例所得之蝕刻液評估之試驗項目及試驗 方法如下所示。 ⑴發泡性（泡沬高度） 將200ml蝕刻液置入阿伊賽羅化學株式會社製AC- 25 0S 多口瓶中，以震盪機（鈦技術株式會社製SR-2s)以194 次/分鐘之速度震盪1 5分鐘，然後測定液體表面之泡沬高 度（mm ) 〇 ⑵蝕刻後之殘渣 將已成形1 400A膜厚之氧化銦錫膜之基板形成蝕刻阻 圖案。其次，將該已形成圖案之基板於4(TC下浸漬於蝕 刻液2.5分鐘來進行鈾刻。將其水洗1分鐘、乾燥後， 以電子顯微鏡觀察基板表面。 【實例1】 調製含有3.4重量％比例之乙二酸、然後調製80ppm之 比例含有過氟烷基之磷酸系界面活性劑（商品名：美家伐 克F-491 (大日本油墨化學工業株式會社製））作爲含有過 氟烷基之磷酸化合物之水溶液，以其作爲蝕刻液。使用該 蝕刻液，進行針對上述發泡性及蝕刻後殘渣之試驗。於蝕 刻期間，未觀察到發泡。大致上亦未觀察到鈾刻後之殘渣。

表1中，顯示所使用之乙二酸濃度、界面活性劑種類以 及濃度、然後是試驗結果。於表1之「蝕刻後之殘渣」項 目中，於基板表面大致上未觀察到殘渣之情況以〇表示、 殘渣稍微存在之情況以△表示、殘渣多量存在之情況以X -10- 200304941 表示。針對後述之實例2〜7、以及比較例1及2亦一倂示 於表1。 【實例2〜7】 來使用乙二酸濃度爲示於表1之値、並且作爲如該表1 所示之濃度之含有過氟烷基之磷酸化合物爲表1所示之種 類之界面活性劑，與實例1相同地進行試驗。 【比較例1】 除了不使用含有過氟烷基之磷酸化合物之外與實例1相 同。以電子顯微鏡觀察蝕刻後之基板表面時，氧化銦錫已 被蝕刻，並觀察到多量殘渣。 【比較例2】 除了使用十二烷基苯磺酸取代含有過氟烷基之磷酸化 合物之外，與實例1相同。以電子顯微鏡觀察蝕刻後之表 面時，觀察到殘渣比較於實例1〜7之情況爲多。 表1 乙二酸濃度 (雷量％ ) 界面活性劑 泡沬高度 (mm) 蝕刻後 之殘渣 種類 濃度（ppm) 實例1 3.4 美家伐克F-491 80 0 〇 實例2 1.0 美家伐克F-491 80 0 〇 實例3 8.0 美家伐克F-491 80 0 〇 實例4 3.4 美家伐克F-491 1000 8 〇 實例5 3.4 美家伐克F-491 20 0 〇 實例6 3.4 美家伐克Exp.TF-904 80 0 〇 實例7 3.4 化合物（3) a) 80 0 〇 比較例1 3.4 - 0 X 比較例2 3.4 十二烷基苯磺酸 500 >20 Δ 200304941 a)以（3)式所示之化合物（n=8、q=2、x=l、y=2、A =NH4 ) 比較實例1〜7與比較例1，得知在使用包含含有過氟烷 基之磷酸化合物之本發明之蝕刻液組成物之情況下’得以 未產生殘渣、且無發泡地進行氧化銦錫膜之蝕刻。 比較實例1〜7與比較例2，則得知在即使比較厚之氧化 銦錫膜，在使用本發明之蝕刻液組成物之情況下，未產生 殘渣且亦無發泡，而在使用習知之包含十二烷基苯磺酸之 蝕刻液之情況下，已知發現很多殘渣而且發泡。 因此，使用本發明之蝕刻液組成物，即使比較厚之電極 ® 膜，顯示可精確度佳地蝕刻。再者，比較使用本發明之蝕 刻液與使用習知之蝕刻液之情況，可確認發泡極少。 【產業上之利用可行性】 根據本發明，因而得到顯示蝕刻時爲低發泡性、而且不 產生殘渣、形成得到正確圖案之優異效果之蝕刻液組成 物。該蝕刻液組成物係以利用於蝕刻用於液晶顯示裝置、 場致發光顯示裝置等之透明電極膜爲佳。 ㈤圖式簡單說明： φ >£τττ

Claims (1)

1. 200304941 拾、申請專利範圍 1. 一種蝕刻液組成物，其含有含有過氟烷基之磷酸化合 物、乙二酸、及水。 2. 如申請專利範圍第1項之蝕刻液組成物，其中該含有過 氟烷基磷酸化合物爲以下述通式（1 ): (CnF2n + 1 ) X-P ( 〇 ) - ( OA ) y ( 1 ) (輝式中，A係選自包括NH4、K、Li、Na、及Η之群組 之官能基或原子；η係6〜12之整數；χ及y係個別爲1 _ 或2之整數，而x + y爲3)表示。 3. 如申請專利範圍第1項之蝕刻液組成物，其中該含有過 氟烷基磷酸化合物爲以下述通式（2): (CnF2n + iCmH2ni-〇) X-P ( 〇) - ( OA) y (2) (通式中，A係選自包括NH4、K、Li、Na、及H之群組 之官能基或原子；n係6〜12之整數；m係1〜5之整數；x 及y係個別爲1或2之整數，而x + y爲3 )表示。 4·如申請專利範圍第1項之蝕刻液組成物，其中該含有過 氣院基憐酸化合物爲以下述通式（3): (C n F 2 η + 1 C q Η 2 q ) χ.ρ ( 〇) . ( 〇Α ) y (3) (通式中，Α係選自包括νη4、Κ、Li、Na、及Η之群組 之官能基或原子；η係6〜12之整數；q係1〜5之整數；χ 及y係個別爲1或2之整數，而x + y爲3)表示。 -13- 200304941 陸、（一)、本案指定代表圖爲:.第__圖 (二）、本代表圖之元件代表符號簡單說明: 柒、本案若有化學式時，請揭示最能巔示發明特镦的化學 .·»-·«/ *Λ，c.. - . . ”：.ί i" : J. ·_- / ： y ·'· :. V V>、-。： / *,· :-、. · 、 ； . ： *· ·：*·：.·· ,f ,» i -. · Ά v«·. -:<·.、 ·. v^*： * *.· . ：. ;. · V -· ： . ,i.. V、 .· ♦ . ·：.·' .：·.> » St y； V .V .

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