TW200302445A

TW200302445A - Display device and electric equipment using the same

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Publication number: TW200302445A
Application number: TW091135196A
Authority: TW
Inventors: Jun Koyama
Original assignee: Semiconductor Energy Lab
Priority date: 2001-12-07
Filing date: 2002-12-04
Publication date: 2003-08-01
Also published as: KR20030047800A; CN1432980A; US7737924B2; US20030117388A1; CN100388329C; TWI250498B; KR100934396B1

Description

200302445 A7 B7 五、發明説明（1 ) 【發明所屬之技術領域】本發明涉及顯示裝置，特別涉及用在例如玻璃或塑膠等的透明基底上形成的薄膜電晶體之OLED顯示裝置。而且，本發明還涉及使用該顯示裝置的電子設備。【先前技術】近年來，隨著通信技術的發展，行動電話變得越來越普遍。預計今後需要電傳輸大量的移動圖像和大量的資訊。隨著輕型化，攜帶型個人電腦已經進入生産階段，從電子筆記本發展出來的所謂個人數位助理（PDA )的資訊設備也進入生産階段並變得越來越普遍。隨著顯示裝置的發展，大多數這種攜帶型資訊設備都裝有平面顯示器。最新的技術旨在用主動矩陣型顯示裝置作爲攜帶型資訊設備中用的顯示裝置。在主動矩陣型顯示裝置中，爲控制圖像，設置與各個圖素對應的TFT (薄膜電晶體）。與被動矩陣型顯示裝置比較，主動矩陣型顯示裝置的優點是，可以使圖像有高解析度，移動圖像的一致性是可能的。所以，攜帶型資訊設備的顯示裝置將從被動矩陣型變成主動矩陣型。尤其，近年來，已生産出使用低溫多晶矽的顯示裝置。在低溫多晶矽技術中，除了構成圖素的圖素TFT之外，還同時在圖素部分的週邊形成使用TFT的驅動電路。所以，低溫多晶矽技術有助於設備的小型化和降低功耗。所以，近年來，低溫多晶矽裝置件變成了已廣泛用於各個領域的攜本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐）-5 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝- 訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 200302445 A7 B7 五、發明説明（2 ) 帶型設備的顯示裝置中不可或缺的裝置。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 近年來，對使用有機發光元件（OLED元件）的顯示裝置之開發已變得越來越活躍。OLED元件既包括由單重激勵發光的（螢光）OLED元件，也包括三重激勵發光的（磷光 )OLED元件。本說明書中，OLED元件作爲發光元件的例子進行描述。但是，也能用其他發光元件。 OLED元件有插在一對電極（陽極和陰極）之間的 OLED層結構並通常具有疊層結構，具有代表性的疊層結構是由 Eastman Kodak公司的Tang等人提出的“電洞輸送層 /發光層/電子輸送層”結構。也可以使用其他結構，例如，按順序層置的“電洞注入層/電洞輸送層/發光層/電子輸送層”結構，或按順序疊置的“電洞注入層/電洞輸送層/發光層/電子輸送層/ 電子注入層”結構，可以用所述的每一種結構。發光層也可以摻入螢光顔料等。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本說明書中，設在陰極和陽極之間的全部膜層在這裏通稱爲“OLED層”。因此，所述的電洞注入層，電洞輸送層，發光層，電子輸送層和電子注入層全部包圍在OLED 層中。陽極、OLED層，和陰極構成的發光元件叫做“ OLED元件” 圖3顯示出主動矩陣型OLED顯示裝置的圖素部分之結構範例。從閘極信號驅動電路輸入選擇信號的閘極信號線 (G1至Gy )連接到設在圖素部分的各個圖素中的開關TFT 3 〇 1的閘極極上。設在各個圖素中的開關TFT的源極區域和本紙張尺度適用中.國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）~~ 200302445 A7 B7 五、發明説明（3 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 汲極區域中的任何一個區係連接到要從源極信號線驅動電路輸入信號的源極信號線（S 1至Sx )，同時，另一個區則連接到OLED驅動TFT 302的閘極上，而且，連接到設在每個圖素中的電容器3 03的任何一個電極。電容器3 03的另一個電極連接到供電線（VI至Vx )。設在每個圖素中的驅動 TFT 3 02的OLED元件之源極區域和汲極區域中的任何一個區係連接到供電線（VI至Vx )，同時，另一個區連接到設在每個圖素中的OLED元件3 04的一個電極。 OLED元件3 04有陽極，陰極和設在陽極與陰極之間的 OLED層。如果，OLED元件304的陽極連接到驅動TFT 302 的OLED元件的源極區域或汲極區域上，則OLED元件304的陽極和陰極分別成爲圖素電極和計數器電極。相反，如果 OLED元件304的陰極連接到驅動TFT 302的OLED元件的源極區域或汲極區域上，則OLED元件304的陰極和陽極分別成爲圖素電極和計數器電極。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製附帶一提，計數器電極的電位在這裏叫做“計數器電位 ”，給計數器電極供給計數器電位用的電源在這裏叫做“ 計數器電源”。圖素電極的電位與計數器的電位之間的差是OLED驅動電壓，且此OLED驅動電壓係施加到OLED層。作爲上述OLED顯示裝置用的灰度等級顯示法，目前有類比灰度等級法和時間灰度等級法。以下首先描述OLED顯示裝置的類比灰度等級法。圖4 是時序圖，它顯示出用類比灰度等級法驅動圖3的顯示裝置之情況。從選擇一個閘極信號開始到選擇下一個閘極信號本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-7 - 200302445 A7 B7 五、發明説明（4 ) 線時爲止的一個週期在此稱爲“閘極信號線週期（L ) ” 。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 從選擇一個圖像信號開始到選擇下一個圖像信號爲止的一個週期相當於一圖框週期。在圖3所示的OLED顯示裝置之情況中，閘極信號線的數量是“ Y” ，且在一圖框週期中設有“Y數量”的行週期（L1到Ly)。隨著OLED顯不裝置的解析度變得越來越高，一個圖框週期用的行週期數變得越來越大，而且，必須在更高的頻率下驅動OLED顯示裝置的驅動電路。供電線（V1 -Vx )保持在固定電壓（電源電位）。此外，計數器電位保持固定。計數器電位與電源極電位有差異，所以OLED元件能發光。在第一行週期（L 1 )，來自閘極信號線驅動電路的選擇信號輸入到閘極信號線G1。之後，類比視頻信號依序輸入到源極信號線（S 1 -Sx )。由於連接到閘極信號線G1的全部開關TFT 301都導通，所以輸入到源極信號線（S 1 -Sx )的類比視頻信號經開關 TFT 301分別輸送到驅動TFT 302的OLED閘極電極。經濟部智慧財產局0(工消費合作社印製根據開關TFT 3 0 1導通時輸入到圖素的類比視頻信號的電位，驅動TFT 3 02的OLED閘極電壓會產生變化。這時，根據閘極電壓和驅動TFT 3 02的OLED的Id-Vg特性，按——對應的方式確定驅動TFT 3 02的OLED的汲極電流。具體的說，按照輸入到驅動TFT 302的OLED閘極電極的類比視頻信號的電位，確定驅動TFT 3 02的OLED的汲極區域電位（導通狀態下的OLED驅動電壓）。預定的汲極電流流本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-8 - 200302445 A7 _ B7 五、發明説明（5 ) 入OLED兀件，OLED元件按相當於汲極電流量的發光量來發光。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 重復上述的操作直到終止向各個源極信號線（Sl-Sx) 輸入類比視頻信號時，結束第一行週期（L1 )。而且，一個行週期也可以確定爲輸入到各個源極信號線（Sl-Sx)的類比視頻信號終止所需的週期與水平返馳週期之和。之後，開始第二行週期（L2 )，選擇信號輸入到閘極信號線G2 。類似於第一行週期（L 1 )，類比視頻信號依序輸入到源極信號線（S 1-Sx )。選擇信號輸入到全部閘極信號線（Gl_Gy)時，終止全部行週期（Ll_Ly)。當全部行週期（Ll-Ly)終止時，終止一個圖框週期。在一個圖框週期中，所有圖素執行顯示並且形成一個圖像。而且，一個圖框週期也可以確定爲全部行週期（Ll-Ly)與一個垂直返馳週期之和。如上所述，用類比視頻信號控制OLED元件的發光量，控制發光量來提供灰度等級顯示。按類比灰度等級法，通過改變輸入源極信號線的各個類比視頻信號的電位實施灰度等級顯示。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製以下描述時間灰度等級法。按時間灰度等級法，數位信號輸入到圖素，以選擇各個OLED元件的發光狀態或不-發光狀態。累計在每個OLED 元件的發射期間的每個圖框週期的週期以表示灰度等級。以下的描述中，表示2n灰度級，“ η ”是自然數。圖5 是時序圖，用時間灰度等級法顯示圖3中所示的顯示裝置的本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐）-9 · 200302445 A7 B7 五、發明説明（6 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 驅動情況。一個圖框週期分成η個子圖框週期（SFi-SFn)。而且，用於圖素部分中的所有圖素顯示一圖框圖像的週期叫做“一圖框週期（F ) ” 。一圖框週期分成的多個週期分別叫做“子圖框週期”。隨著灰度等級數量的增大，一圖框週期分成的數量也增多。而且，必須在更高的頻率下驅動OLED顯示裝置的驅動電路。一個子圖框週期分成寫週期（Ta )和顯示週期（Ts ) 。寫週期（Ta )是在一個子圖框週期期間數位信號輸入到全部圖素所用的週期。顯示週期（Ts )(也稱“照明週期 ”）是各個OLED顯示裝置按照輸入數位信號處於發光狀態或不-發光狀態以執行顯示的週期。圖5中顯示的OLED驅動電壓表示選擇發光狀態的OLED 元件的OLED驅動電壓。具體地說，在寫週期期間，選擇發光狀態的OLED元件的OLED驅動電壓（見圖3)爲0 v，在顯示週期期間，選擇發光狀態的OLED元件的OLED驅動電壓的大小能使OLED元件發光（參見圖3 )。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製用外部開關（未顯示）控制計數器的電位，以便在寫週期期間，使計數器電位保持在與電源電位大致相同，而在顯示週期期間，使計數器電位與電源電位的不同，以使 OLED元件發光。首先參見圖3和5，詳細描述每個子圖框週期的寫週期的顯示週期。隨後，描述時間灰度等級顯示。首先，閘極信號輸入到閘極信號線G1，連接到閘極信號線G 1的全部開關TFT 3 0 1導通。之後，數位信號順序輸入本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-1〇 - 200302445 A7 B7 五、發明説明（7 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 到源極信號線（Sl-Sx)。計數器的電位保持在與供電線電位（電源電位）相同的電壓位準（VI-Vx)。每個數位信號具有資訊“ 0”或“ 1” 。即，“ 0”的每個數位信號有高電壓位準（Hi)或“Γ的每個數位信號有低電壓位準（Lo) 〇之後，輸入到源極信號線（S 1 -Sx )的數位信號，分別經由處於導通狀態的開關TFT 301而輸入到驅動TFT 302的 OLED元件的閘極。各個數位信號也輸入到電容器3 03並儲存。之後，把閘極信號依序輸入到各個閘極信號線（G1-Gy )而重復上述的操作。由此使數位信號輸入到全部圖素，並使輸入的數位信號保持在每個圖素中。直至數位信號輸 .入到全部圖素所需的週期叫做“寫週期”。當數位信號輸入到全部圖素中時，全部開關TFT 301斷開。由此，連接到計數器電極的外部開關（沒畫）引起計數器電位變化，以便在計數器電位與電源電位之間産生引起OLED元件304發光的電位差。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製在數位信號有資訊“ 〇 ”的情況下，驅動TFT 3 02的 OLED兀件斷開，OLED兀件304不發光。相反，在數位信號有資訊“1”的情況下，驅動TFT 3 02的OLED元件導通。因此，各個OLED元件304的圖素電極保持在與電源電位大致相同的電壓位準，且OLED元件304發光。以此方式，根據數位信號的資訊選擇OLED元件3 04的發光狀態或不發光狀態同時，全部圖素執行顯示。當全部圖素執行顯示時，則本紙g尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2K)X297公釐）~' 200302445 Α7 Β7 五、發明説明（8 ) 形成一個圖像。圖素執行顯示的週期叫做“顯示週期”。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 全部η-個子圖框週期（SF^SFn)的寫週期（Tal-Tan) 的長度相同。各個子圖框週期（SFi-SFn)的顯示週期（Ts )用Tsl-Tsn表示。各個顯示週期的長度分別設定爲Tsl : Ts2 : Ts3 :： Ts ( n_" : Tsn = 2。： 2·1 : 2.2 :…：2· ( n-2) : 2·(卜1)。組合這些顯示週期中要求的週期，可以提供規定的灰度等級2n 〇顯示週期長度是Tsl_ Tsn中的任何一個，這裏假定預定的圖素導通的週期長度爲Tsl。之後，當下一個寫週期開始和數位信號輸入全部圖素時，下一個顯示週期開始。這時顯示週期長度是Ts2. Tsn中的任何一個，這裏假定預定的圖素導通的週期長度爲Ts2· 對剩餘的（n-2 )個子圖框重復相同的操作，由此，顯示週期順序設置成Ts3，Ts4... ，Tsn，在每個子圖框期間導通預定的多個圖素。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製當出現η個子圖框週期時，一個圖框週期結束。這時，通過累積計算圖素導通的顯示週期之長度來確定圖素的灰度等級。例如，假設η = 8，在全部顯示週期圖素都發光的狀態下，所能獲得的亮度是100%，如果在Tsl和Ts2期間圖素發光，則亮度爲75%，如果選擇在Ts3，Ts5和Ts8期間圖素發光，則亮度可爲16% 。在藉由輸入η位元數位信號表示灰度等級的時間灰度等級方法之驅動方法中，一個圖框週期被劃分成的子圖框週本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐）-12 - 200302445 A7 _ B7_ 五、發明説明（9 ) 期的數量，以及各個子圖框週期的長度不限於上述的實例〇 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 上述的習知OLED顯示裝置存在有以下的問題。必須向配置在圖素部分中的OLED元件供給必需量的電流才能使OLED元件發光。這裏，當OLED板爲2英吋且在該位置用OLED材料時，如果要獲得200cd/m2的亮度，發紅光需要的電流是3.5mA/cm2，發綠光需要的電流是ImA/cm2，發藍光需要的電流是3.0mA/cm2。因此，當這些電流轉換成 2英吋時，則分別需要電流14 mA，4mA和1 2mA。而且在 OLED元件中的各個顔色中産生8v，5v和7v的電壓。如圖2 所示，通常在面板的外邊設置三個電源電路，各使用源極跟隨器，以供給這些電流。在這些電源電路中會出現零件使用的數量增大以及安裝面積增大等的缺陷。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製而且，當使用這些源極跟隨器所構成的電源電路時，在源極跟隨器的飽和面積中用MOS電晶體，因此，（汲極與源極之間的電壓）Vds增大，電功耗增大。例如，當要求 Vds爲5v時，則依照與每種顔色的電源電路之源極跟隨器的 Vds有關的最高的OLED電壓來設置Vcc。因此，要求紅色中的電壓爲5v，綠色中的電壓爲8v，藍色中的電壓爲6v。用上述的電流分別乘這些電壓來計算源極跟隨器的功耗時，各種顔色中産生的電功率是70mW，40 mW和72 mW，因此，所需的總電功率是184mW。這種電源功率引起在攜帶型設備中的電池損耗並縮短了在攜帶型設備中的使用壽命。因此，最好能將具有小電功率的電源電路內建到面板中。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-13 - 200302445 A7 B7 五、發明説明（1〇 ) 【發明內容】 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 因此，本發明的目的是在用OLED元件的顯示裝置中構建低電功耗的電源，以減小安裝面積，減小每個零件的成本和電功耗。而且，本發明也可以用於用其他發光元件的顯示裝置以及用OLED元件的顯示裝置。例如，本發明可以用在包括無機材料的發光元件的顯示裝置中，所述的無機材料用於電洞注入層，電洞輸送層，電子輸送層，電子輸送層。本發明中用以下裝置克服上述的缺點。本發明提供一種顯示裝置，其中在基底上有以矩陣形狀配置的多個圖素，多個源極信號線和多個閘極信號線，且圖素具有一 OLED元件，其中在基底上形成給OLED元件施加電流或電壓用於發光的電源電路。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本發明還提供一種顯示裝置，其中在基底上有以矩陣形狀配置的多個圖素，多個源極信號線和多個閘極信號線，圖素有發紅光，發綠光和發藍光的OLED元件，其中在基底上形成給OLED元件施加電流或電壓用於發紅光，發綠光和發藍光的電源電路。本發明還提供一種顯示裝置，其中在基底上有以矩陣形狀配置的多個圖素，多個源極信號線和多個閘極信號線 ’且圖素具有一 OLED元件，其中在基底上形成給OLED元件施加電流或電壓用於發光的電源電路，電源電路使用一運算放大器。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210X297公釐）~-14: " ' 200302445 A7 B7 五、發明説明（11 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明還提供一種顯示裝置，其中在基底上有以矩陣形狀配置的多個圖素，多個源極信號線和多個閘極信號線，圖素有發紅光，發綠光和發藍光的OLED元件，其中，在基底上形成給OLED元件施加電流或電壓用於發紅光，發綠光和發藍光的電源電路，電源電路用運算放大器。本發明還提供一種顯示裝置，其中在基底上有以矩陣形狀配置的多個圖素，多個源極信號線和多個閘極信號線 ’圖素有發紅光，發綠光和發藍光的OLED元件，在基底上形成有給發紅光，發綠光和發藍光的各個OLED元件施加電流或電壓用於發光的電源電路，電源電路使用一運算放大器。其中，在OLED元件中的陰極設置成公用，並且用源極接地的P-通道型電晶體構成電源電路的輸出。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本發明還提供一種顯示裝置，其中在基底上有以矩陣形狀配置的多個圖素，多個源極信號線和多個閘極信號線 ’圖素有發紅光，發綠光和發藍光的OLED元件，在基底上形成有給發紅光，發綠光和發藍光的各個OLED元件施加電流或電壓用於發光的電源電路，電源電路使用一運算放大器。其中，在OLED元件中的陽極設置成公用，並且用源極接地的η-通道型電晶體構成電源電路的輸出。本發明還提供一種顯示裝置，其中在基底上有以矩陣形狀配置的多個圖素，多個源極信號線和多個閘極信號線 ’圖素有發紅光，發綠光和發藍光的OLED元件，在基底上本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-15 - 200302445 A7 _____B7 五、發明説明（12 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 形成有給發紅光，發綠光和發藍光的各個OLED元件施加電流或電壓用於發光的電源電路，電源電路使用一運算放大器’其中，在OLED元件中的陰極設置成公用，用源極接地通道型電晶體構成電源電路的輸出，電源電路設置成使電源電路中的最高電位與輸出電位之間的電位差是p-通道型電晶體的臨限値或低於臨限値。本發明還提供一種顯示裝置，其中在基底上有按矩陣形狀配置的多個圖素，多個源極信號線和多個閘極信號線 ’圖素有發紅光，發綠光和發藍光的OLED元件，在基底上形成有給發紅光，發綠光和發藍光的各個OLED元件施加電流或電壓用於發光的電源電路，電源電路使用一運算放大器，其中在OLED元件中的陰極設置成公用，用源極接地的通道型電晶體構成電源電路的輸出，電源電路設置成使電源電路中的最低電位與輸出電位之間的電位差是η-通道型電晶體的臨限値或低於臨限値。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本發明還提供一種顯示裝置，其中在基底上有按矩陣形狀配置的多個圖素，多個源極信號線和多個閘極信號線，圖素有發紅光，發綠光和發藍光的OLED元件，其中在基底上形成有給發出紅光，綠光和藍光中的兩個顔色的OLED 元件施加電流或電壓的電源電路。本發明還提供用上述任何一種顯示裝置的電子設備。本發明還提供一種顯示裝置，其中在基底上有按矩陣形狀配置的多個圖素，多個源極信號線和多個閘極信號線，圖素有一發光元件，在基底上形成有給發光元件施加電本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-16 - 200302445 A7 B7 五、發明説明（13 ) 流或電壓用於發光的電源電路。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明.還提供一種顯示裝置，其中在基底上有按矩陣形狀配置的多個圖素，多個源極信號線和多個閘極信號線 ’圖素有發紅光，發綠光和發藍光的發光元件，其中，在基底上形成有給發紅光，發綠光和發藍光中的各個OLED元件施加電流或電壓用於發光的電源電路。本發明還提供一種顯示裝置，其中在基底上有按矩陣形狀配置的多個圖素，多個源極信號線和多個閘極信號線 ’圖素有一發光元件，在基底上形成有給發光元件施加電流或電壓用於發光的電源電路，電源電路使用一運算放大器。本發明還提供一種顯示裝置，其中，基底上有按矩陣形狀配置的多個圖素，多個源極信號線和多個閘極信號線 ’圖素有發紅光，發綠光和發藍光的發光元件，其中在基底上形成有給發紅光，發綠光和發藍光的各個發光元件施加電流或電壓用於發光的電源電路，電源電路用運算放大器。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本發明還提供一種顯示裝置，其中在基底上有按矩陣形狀配置的多個圖素，多個源極信號線和多個閘極信號線 ’圖素有發紅光，發綠光和發藍光的發光元件，其中，在 S底上形成有給發紅光，發綠光和發藍光的各個發光元件方担加電流或電壓用於發光的電源電路，電源電路用運算放大器，其中，發光元件中的陰極設置成公用，並且使用源極本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-17 - 200302445 A7 ___B7_ 五、發明説明（14 ) 接地的P-通道型電晶體構成電源電路的輸出。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明還提供一種顯示裝置，其中，在基底上有按矩陣形狀配置的多個圖素，多個源極信號線和多個閘極信號線’圖素有發紅光，發綠光和發藍光的發光元件，在基底上形成有給發紅光，發綠光和發藍光的各個發光元件施加電流或電壓用於發光的電源電路，電源電路使用一運算放大器，其中，發光元件中的陽極設置成公用，並且使用源極接地的η-通道型電晶體構成電源電路的輸出。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本發明還提供一種顯示裝置，其中在基底上有按矩陣形狀配置的多個圖素，多個源極信號線和多個閘極信號線 ’圖素有發紅光，發綠光和發藍光的發光元件，在基底上形成有給發紅光，發綠光和發藍光的各個發光元件施加電流或電壓用於發光的電源電路，電源電路使用一運算放大器’其中發光元件中的陰極設置成公用，用源極接地的ρ-通道型電晶體構成電源電路的輸出，其中電源電路設置成使電源電路中的最高電位與輸出電位之間的電位差是ρ-通道型電晶體的臨限値或低於臨限値。本發明還提供一種顯示裝置，其中在基底上有按矩陣形狀配置的多個圖素，多個源極信號線和多個閘極信號線 ’圖素有發紅光，發綠光和發藍光的發光元件，在基底上形成有給發紅光，發綠光和發藍光的各個發光元件加電流或電壓用於發光的電源電路，電源電路用運算放大器，發光元件中的陰極設置成公用，用源極接地的η-通道型電晶本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐）~:、8 - 200302445 A7 B7 五、發明説明（15 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 體構成電源電路的輸出，其中電源電路設置成使電源電路中的最低電位與輸出電位之間的電位差是n_通道型電晶體的臨限値或低於臨限値。本發明還提供一種顯示裝置，其中在基底上有按矩陣形狀配置的多個圖素，多個源極信號線和多個閘極信號線，圖素有發紅光，發綠光和發藍光的發光元件’其中，在基底上形成有給發出紅光，綠光和藍光中的兩個顔色的發光元件加電流或電壓的電源電路。本發明還提供用上述任何一種顯示裝置的電子設備。在習知的顯示裝置中，係利用外部電源電路給圖素中的OLED元件施加電流或電壓。因而，增加了外部連接的零件，增大了基底的尺寸等，使生産成本增加。根據本發明，在面板中構建電源電路，從而減少了零件的數量和基底尺寸。本發明也可以用於用其他發光元件的顯示裝置以及用 OLED元件的顯示裝置。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製【實施方式】以下將首先描述本發明的OLED顯示裝置。圖1顯示出本發明的結構。根據本發明，在基底上整體形成OLED顯示裝置，並且具有一個源極信號線驅動電路 102，閘極信號線驅動電路103，1〇4和電源電路1〇6以及圖素部分1 〇5。用三個電源電路構成對應紅、綠和藍三色的電源電路1〇6。圖6顯示出電源電路的具體範例，圖6中的電路本紙張尺度適用中屋1國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）~. 1 Q - 200302445 A7 B7 五、發明説明（16 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 沒有習知例中的源極跟隨器電路，但是，電路是運算放大器型的電源電路。而且，在輸出級藉由架構以P-通道TFT形成的輸出電路，就可以降低電源電位與輸出電位之間的差動電壓。以下用圖6具體描述本發明內容。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製從外部給輸入端609輸入參考電壓。由於電源電路601 的輸入阻抗極高，所以，電源電路601不會干擾參考電壓。因此，如圖6所示，可以組合可變電阻器和固定電阻器以便容易地提供參考電壓。該電壓輸入到用電晶體602，6 03構成的微分電路。當輸出端61 1的電位，亦即電晶體603的閘極電位很低時，電晶體602的電流會變成大於電晶體603的電流，這是因爲固定電流源607供給微分電路的電流之故。由於電晶體604和605構成電流鏡電路，電晶體604的電流等於電晶體6〇3的電流。因此，在電晶體606的閘極電位降低的方向中，電容器610會產生放電而電晶體606執行運作。大於固定電流6 〇 8的電流流到電晶體6 0 6，使它的輸出電位升高。因此，通過執行負反饋使輸出電位幾乎變成與輸入電位相同的電位。如果在輸出的電晶體6〇6中用源極接地的 P-通道電晶體把輸出電晶體的操作點設置到一線性區的話，則可以升高輸出電位，直到電位接近電源電壓VDD爲止。亦即’輸出電壓與電源電壓之間的電壓差降低到p -通道電晶體的臨限値或低於臨限値。電源電路60 1的輸出端6 1 1 連接到圖素部分612的供電線，以給圖素供給電流。在此，當在電源電壓VDD與輸出電壓之間的電壓差設本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-20 - 200302445 A7 B7 五、發明説明（17 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 定爲IV且設定習知OLED元件的特性之前提下，發紅色的電源電壓變成爲9V ( OLED電壓8V +電源電壓1 V)。這時，綠色的微分電壓變成4V，藍色的微分電壓變成2V。各種顔色的電功耗變成！4mW，MmW和24mW，所以總功耗是 54mW 〇當規定習知例中所示的源極跟隨器型電源電路中的總電源功耗是1 84mW時，本發明的電功率僅變成1/3。所以，發熱量也成爲大約1/3，如此才能內建電源電路。以上的描述中，設定發紅光的OLED材料的發光效率低，發綠光的OLED材料的發光效率高。但是，本發明不限於這種情況。即使材料的特性在以後變化而且發紅光的效率不會變低時，OLED材料也有足夠的實用性。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製而且，在該描述中是以OLED中的陰極公用爲前提。但是’即使當採用頂發光系統等實現陽極公用時，它也可能對應這種陽極公用。這種情況下，輸出電晶體變成源極接地的η-通道電晶體。GND或負邊電源與輸出電位之間的差動電壓減小到η-通道的臨限値或低於臨限値。這種情況的電路中，圖6中的電路的極性基本上是反向的。這裏已描述了 OLED顯示裝置。但是，本發明也可以用於其他發光兀件的顯不裝置以及用OLED元件的顯示裝置。 [實施例] 以下描述本發明的實施例。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）~- -- 200302445 Α7 Β7 五、發明説明（18 ) [實施例1 ] (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖7顯示出與實施模式不同的電源電路的實施例。在實施模式中，可以降低從微分電路看的阻抗，這是因爲微分電路的輸出直接連接到輸出電路。在本實施例中，爲了防止降低從微分電路看的阻抗，在電晶體702和703構成的微分電路與源極接地P-通道電晶體706構成的輸出電路之間插入電晶體712和713構成的緩衝電路。加入這種緩衝電路可以防止降低從微分電路看的輸出級阻抗。但是，該系統的缺點是微分電路的輸出電位，亦即電晶體71 2的閘極電位降低。因此在圖6所示結構中的電晶體702，703的閘極電位太高，而不能進行正常操作。因此，必須降低電晶體7〇2， 7 03的差動輸入電壓，以防止操作缺陷。所採用的防範措施是在微分電路的輸入端也設置電晶體7 1 4和7 1 5構成的緩衝電路和電流源極7 1 6和7 1 7，以降低微分電路的電位。用這種防範措施可以升高阻抗而不會引起操作缺點。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製這種電路中，即使電源電路中所需的電流容量增大，也能提供在輸入與輸出之間有小的電功率變化的電源電路。與實施模式類似，電源電路701的輸出端711連接到圖素部分7 1 8的供電線，並爲圖素供給電流。與實施模式類似，在本實施例中的前提也是0LED中的陰極公用。但是，當用頂發光系統實現陽極公用等時’它也可以對應陽極公用。這種情況下’輸出電晶體變成源極接地的η-通道電晶體，GND或負邊電源極與輸出電位之間的差動電壓可以被設置得小於η-通道電晶體的臨限値。這本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（21〇X297公麓)~-22 - 200302445 A7 B7 五、發明説明（19 ) 種情況的電路中，圖7中的電路的極性是反向的。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本實施例也可以用於用其他發光元件的顯示裝置以及用OLED元件的顯示裝置。 [實施例2 ] 圖8顯示出紅光光源是外部連接的，而其他兩種顔色的光源是內建的情況。但是，可以構成只把兩種顔色放在 OLED面板中的光源，所以，可以進一步減小面板內的功耗〇而且，本實施例也可以用於用其他發光元件的顯示裝置以及用OLED元件的顯示裝置。 [實施例3 ] 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製在實施例3中，描述同時製造本發明OLED顯示裝置的圖素部分的TFT和其週邊中設置的驅動電路部分（源極信號線驅動電路，閘極信號線驅動電路和電源電路）的方法。但是爲了簡化描述，在圖中顯示出用於驅動電路的基本單元之CMOS電路。首先，如圖9A所示，在諸如由Corning公司製造型號爲 #705 9或# 1 73 7的硼酸鋇玻璃或硼酸鋁玻璃的玻璃基底500 i 上形成諸如氧化矽膜，氮化矽膜或氧氮化矽膜的絕緣膜構成的帶基薄膜5〇〇2。例如，用電漿CVD方法將SiH4，NH3和 N20製成的厚度爲10至2 00nm (最好是50至lOOnm )的氧氮化矽膜5002a，和同樣用SiH4和N20製成的厚度爲50至200nm 本紙張尺度適用中國國家操準（CNS ) A4規格（210X297公釐）~-23 - = ~ 200302445 A7 _____B7 五、發明説明（20 ) (最好是100至150nm)的氫化氧氮化矽膜5002b，以形成疊層膜。實施例3中，儘管基帶薄膜50〇2是兩層結構，但是，基帶薄膜也可以用所述的絕緣膜的單層膜構成，或者用兩層以上的多層膜構成。在非晶結構的半導體膜上用雷射晶化法或用已知的熱晶化法製造的結晶半導體膜，會形成島狀半導體層5 〇〇 3至 5006。島狀半導體層5 00 3至5 006的厚度是25至8 Onm (最好是30至60nm)。不限於結晶半導體膜材料，但是最好用矽或矽鍺合金膜（SiGe)形成半導體膜。在雷射晶化法中，可以用雷射器，例如脈衝震盪型或連續發射型準分子雷射器，YAG雷射器或YV04雷射器製造結晶半導體膜。用這些類型的雷射器時，可以用光學系統把雷射震盪器發射的雷射聚集成直線形，之後，將光輻射到半導體膜上的方法。由操作員適當選擇結晶條件，但是，用準分子雷射器時，脈衝震盪頻率設定爲3 0 Hz，雷射能量密度設定爲100至400m；r/cm2(通常在200至300 mJ/cm2) 。而且，用YAG雷射器時，利用二次諧波，脈衝震盪頻率設定爲1至10kHz，雷射能量密度設定爲3 00至600 mJ/cm2 ( 最好在3 5 0至500 mJ/cm2 )。之後，可以聚集成寬度爲1〇〇至 ΙΟΟΟμιη，例如400μιη的線形激光輻射到基底的整個表面上。如果是線性雷射，則這可以利用80%至98%的覆蓋率執行。而且，日本專利申請第200 1 -3 653 〇2號案中公開的CWLC 可以用作雷射晶體。之後，形成覆蓋島狀半導體層5〇〇3至5 006的閘極絕緣本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐）-24 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 200302445 A7 B7 五、發明説明（21 ) 膜5007。閘極絕緣膜5 007是用電漿CVD法或濺射法形成的厚度爲4 〇至1 5 0 n m的含砂絕緣膜構成的。在實施例3中形成 120nm厚的氧氮化矽膜。閘極絕緣膜5007不限於這種氧氮化矽膜，當然，也可以用含矽的其他絕緣膜，可以是單層結構，也可以是疊層結構。例如，用氧化矽膜時，可以用電漿CVD法用TEOS (原矽酸四乙酯）和02的混合物，在40Pa 的反應壓力下，基底溫度設定在300至40(T C，用電功率密度爲0.5至0.8W/ cm2頻率以高頻（13.56MHz)放電，形成氧化矽膜。隨後，在400至50(T C的溫度下進行熱退火，可以獲得作爲閘極絕緣膜的氧化矽膜的優良特性。之後，在閘極絕緣膜5 0 0 7上依序形成第一導電膜5 0 0 8 和第二導電膜5009。在實施例3中，用50至l〇〇nm厚的Ta膜形成第一導電膜5008，·和用50至lOOnm厚的W膜形成第二導電膜5009。

Ta膜通過濺射形成，通過使用Αι·執行鉅Ta靶的濺射。如果在濺射過程中Ar氣中加入適量的Xe或Kr氣，則會減小 Ta膜的內應力，能防止膜剝離。α相Ta膜的電阻率在 20μΩ(：ιη數量級，Ta膜能用作閘極電極，但是，β相Ta膜的電阻率在180 μΩαιη數量級，Ta膜不適合作閘極電極。如果具有類似於Ta的α相的晶體結構的氮化鉅被形成厚度爲1 0 至5 0nm作爲用於基帶薄膜形成α相Ta膜的Ta基底，則容易獲得α相Ta膜。用W作靶，濺射形成W膜。W膜也可以用熱CVD法用六氟化鎢（WF6 )形成。無論用何種方法都必須使膜的電阻率本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐）-25 - —--------裝-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 200302445 A7 _____ B7 五、發明説明（22 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 變低，以使W膜可以用作閘極電極，w膜的電阻率最好設定在20μΩcm或以下。通過擴大w膜的晶粒可以減小電阻率。但是，當W膜中有大量諸如氧的雜質元素時，會抑制結晶，使膜變成高電阻膜。濺射中用的W靶的純度是99.9999%。此外，在形成W膜時嚴格防止雜質引入氣相中，可以形成電阻率在9至20μΩ(：ηι的W膜。注意，儘管用Ta和W分別形成第一導電膜5008和第二導電膜5009。但是，本實施例中導電膜不限於這些導電膜。第一和第二導電膜可以用選自下列材料組的材料形成，材料組包括：Ta，W，Ti，Mo，A1，和Cu及其合金或用這些兀素之一爲主要組分的化合物材料。而且，也可以使用通常用其中摻雜有例如磷的雜質元素的多晶矽膜的半導體膜。除實施例3中的以外，其他的較佳組合範例包括：氮化钽（TaN)形成的第一導電膜5 008和W形成的第二導電膜 5009 ;氮化鉅（TaN )形成的第一導電膜5008和A1形成的第二導電膜5009 ;氮化鉬（TaN)形成的第一導電膜5008和Cu 形成的第二導電膜5009。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製之後，形成由抗鈾劑構成的掩模5 0 1 0，進行第一蝕刻處理，以形成電極和佈線。在第三實施例中用ICP (感應耦合的電漿）鈾刻方法。用CF4和Cl2的混合氣體作蝕刻氣體，在1 Pa的壓力下，給線圏形電極施加500W的RF電功率（ 13.5 6MHz)以産生電漿。還給基底一邊（測試件）施加大致爲負自偏置電壓的100W的RF電功率（Π·56ΜΗζ)。混合 CF4和Cl2時同樣蝕刻W膜和Ta膜。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇Χ297公釐）-26- 200302445 A7 B7 五、發明説明（23 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 用上述的鈾刻條件用適當的抗蝕劑掩模形狀，根據施加到基底一邊上的偏置電壓的作用，使第一和第二導電膜層的邊緣部分形成錐形。錐形部分的角度爲1 5至45 *。爲了在蝕刻時不在閘極絕緣膜上留下任何殘留物，可以使鈾刻時間延長大約10至20%。相對於W膜的氮氧化矽膜的選擇性是2至4 (通常是3 )，因此，通過該過蝕刻處理，可以蝕刻掉大約20至50 nm的氮氧化矽膜的露出表面。第一形狀的導電層5〇11至5〇16 (第一導電層5〇 11a至5016 a和第二導電層 5011b和501 6b)是用第一鈾刻處理第一導電層和第二導電層而形成的。在這一點，蝕刻掉約20至5Onm的膜厚，形成不被第一形狀的導電層5011至50 16覆蓋的更薄的閘極絕緣膜區域5007 (見圖9B)。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製之後，進行第一摻雜處理，以加入形成η-型導電性的雜質元素。可以用離子摻雜法或離子注入法進行摻雜。離子摻雜法的條件是，劑量是lxl〇13至5xl014at〇mS/cm2，加速電壓是6〇至lOOkeV。形成η-型導電性的雜質元素屬於元素週期表的I5族元素，通常用磷（Ρ)或砷（As)，這裏用磷。這種情況下，導電層5011至5016變成形成η-型導電性的雜質元素的掩模。按自我對準方式形成第一雜質區5017至 502 5。第一雜質區50 17至5 025加入雜質的濃度範圍是ΐχΐ 〇2() 至1\102、1〇1118/〇1113的形成11-型導電性的雜質元素（參見圖 9Β )。如圖9C所示，不除去抗鈾劑掩模進行第二蝕刻處理。用CF4，<：12和02的混合氣體作蝕刻氣體，選擇蝕刻w膜。在本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨〇><297公釐]~:27 - 200302445 A7 B7 五、發明説明（24 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 這一點，第二形狀的導電層5026至5 03 1 (第一導電層5026a 至5 03 1 a和第二導電層5026b和503 1 b)是用第二鈾刻處理形成的。鈾刻掉約20至5 Onm的膜厚，形成不被第二形狀的導電層5026至5031覆蓋的更薄的閘極絕緣膜區域5007。由混合氣體CF4和Cl2對W膜或Ta膜的蝕刻反應可以從所産生的原子團或者離子種類以及反應産物的汽化壓力來確定。對比W和Ta的氟化物和氯化物的汽化壓力，W的氟化物 WF6的汽化壓力極高，其他的WC15，TaF5和TaCl5的汽化壓力幾乎相等。因此，在CF4和Cl2的混合氣體中，W膜和Ta膜都能蝕刻。但是，該CF4和Cl2的混合氣體中加入適量的02 時，CF4和02相互反應，形成CO和F，産生大量的F原子團或F離子。結果，有高氟化物汽化壓力的W膜的蝕刻速度增大。另一方面，關於Ta，甚至在F增大時鈾刻速度增大也較小。此外，由於與W相比Ta容易氧化，加02使Ta表面氧化。由於Ta氧化物不與F或Cl2反應，所以Ta膜的蝕刻速度進一步降低。因而，可能造成W膜與Ta膜的鈾刻速度不同，可能造成W膜的蝕刻速度高於Ta膜的蝕刻速度。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製之後，如圖10A所示，進行第二摻雜處理，這種情況下使雜質劑量小於第一摻雜處理的雜質劑量，在高加速電壓條件下進行形成型導電性的雜質元素被摻雜。例如，在 70至120kev的加速電壓和lxl〇13atoms/cm2雜質劑量的條件下進行摻雜處理，以在圖9B所示的形成爲島狀的第一雜質區中形成新的雜質區。用第二形狀的導電層5026至503 0作對於雜質元素的掩模，雜質元素還加入第一導電層5 02 6a至本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）28 - 一 200302445 A7 __B7_ 五、發明説明（25 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 5 03 0a下面的區域，進行摻雜。按此方式形成第三雜質區 5〇32至5〇36。加入第三雜質區5〇32至5〇36中的磷（P)濃度有按第一導電層5026a至5030a的錐形部分的厚度的平緩的濃度梯度。注意，被第一導電層5026a至5030a的錐形部分覆蓋的半導體層，雜質元素濃度從第一導電層5026a至 5 03 0a的錐形部分的端部朝內部稍微下降，但是，濃度幾乎保持在相同的水平。如圖10B所示，進行第三蝕刻處理。用反應離子蝕刻法 (RIE方法），用CHF6作腐蝕氣體進行該第三蝕刻處理。部分蝕刻第一導電層5026a至5 030a的錐形部分，用第三鈾刻處理減少用半導體層覆蓋的第一導電層的區域。形成第三形狀的導電層5037至5 042 (第一導電層5037a至5 042a和第二導電層503 7b和5042b)。在這一點，鈾刻掉20至50nm形成更薄的不被第三形狀的導電層503 7至5042覆蓋的閘極絕緣膜5007。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製用第三蝕刻處理，在第三雜質區5 032至503 6中形成覆蓋第一導電層5037 a至5 04 la的第三雜質區5032 a至5036a，和在第一雜質區與第三雜質區之間形成第二雜質區5 03 2b和 5036b 。之後，如圖10C所示，在用於形成P-通道TFT的島狀半導體層5004中形成其導電類型與第一導電類型相反的第四雜質區5 043至5 048。第三形狀的導電層503 8b作爲阻擋雜質元素的掩模，按自我對準方式形成雜質區。這時，用抗蝕劑掩模5200覆蓋形成n-通道TFT的島狀半導體層5 003，5005 本紙張尺度適用中.國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-29 - 200302445 A7 B7 五、發明説明（26 ) (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) ，5006和佈線部分5042的整個表面。按不同的濃度給雜質區5〇34至5048分別加入磷。用離子摻雜法用乙硼烷（B2H6 )形成雜質區，任何區域中的雜質濃度爲2X102Q至 2x 1 02 1 atoms/cm3 〇藉由到以上步驟爲止，各個島狀半導體層中已形成雜質區。被島狀半導體層覆蓋的第三形狀的導電層5 03 7至 5041係作爲閘極電極，導電層5042則作爲島狀源極信號線〇經濟部智慧財產局員工消費合作社印製除去抗蝕劑掩模5200之後，進行各個島狀半導體層中加有源極雜質元素的步驟，以控制導電類型。用加熱爐退火爐的熱退火方法進行該步驟。此外，也可以用雷射退火方法或快速熱退火方法（RTA方法）。在400-7〇0 e C，通常在500-60(TC的溫度下，在氧濃度爲lppm或以下，最好是在 0.1 ppm或以下的氮保護氣氛中進行熱退火方法。在本實施例中是在50(T C進行熱退火4小時。但是，在用作第三形狀的導電層5〇37至5 042的佈線材料不耐熱的情況下，最好在形成（以矽爲主要組分的）層間絕緣膜之後進行激化處理，以保護佈線等。在氫含量爲3-100%的氣氛中在300-450° C熱處理1-12小時，以對島狀半導體層進行加氫處理。該步驟是用熱激勵的氫終止半導體層中的懸空鍵的步驟。也可以用（電漿激勵氬的）電發加氫方法作爲另一種加氫方法。之後，如圖11Α所示，形成l〇〇-200nm厚的三氧化矽膜構成的第一層間絕緣膜5〇55。在其上形成有機絕緣材料構本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-30 - 200302445 A7 B7 五、發明説明（27) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 成的第二層間絕緣膜5 056。之後形成與第一層間絕緣膜 5055，第二層間絕緣膜5 056，和閘極絕緣膜相關的接觸孔，用構圖法形成（包括連接佈線和信號線）各個佈線5 05 7-5062和5064，之後，用構圖法形成與連接佈線5062接觸的圖素電極5063。之後，有機樹脂膜用作第二層間絕緣膜5056 °有機樹脂可以用聚醯亞胺，聚醯胺，丙烯醯基，BCB (苯並環丁烯）等。具體地說，由於第二層間絕緣膜5056有一定的平整作用，所以要求丙烯醯基有平整度。本實施例中，形成的丙烯醯基膜的厚度要足以平整TFT形成的臺階部分。厚度最好爲1-5μιη(2-4μΓη更好）。接觸孔的形成中，可以用乾式腐蝕或濕腐蝕。分別形成達到η-型雜質區5017，5018，5 02 1和5 02 3-5025或ρ-型雜質區5 043 -5048的接觸孔，達到佈線5 032的接觸孔，達到電源極線（未顯示）的接觸孔，和達到閘極電極（未顯示）的接觸孔。經濟部智慧財產局員工消費合作社印t 用濺射法順序形成l〇〇nm厚的Ti膜，300nm厚的含Ti的 A1膜和150nm厚的Ti膜構成的三層結構的疊層膜，將疊層膜構圖形成規定的形狀，製成的疊層膜用作（包括連接佈線和信號線的）各個佈線5057-5062和5064。當然，也可以用其他的導電膜。而且在本實施例中，形成llOnm厚的MgAg膜，並對它構圖形成圖素電極5063，圖素電極5 06 3設置成接觸並覆蓋連接佈線5062 ’以形成接觸。該圖素電極5063對應OLED元本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-31 - 200302445 A7 B7 五、發明説明（28 ) 件的陰極（見圖11A)。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 如圖11B所示，形成500nm厚的含矽的絕緣膜（本例中是氧化矽膜），在與圖素電極5063對應的位置形成開口部分，之後，形成觸排（bank)作用的第三層間絕緣膜5065 。開口形成中，用濕腐蝕法容易形成錐形側壁。如果開口的側壁不是很平整則會造成因臺階部分引起的OLED層的損壞之顯著問題。之後，用真空蒸發法依序形成不露出在大氣中的OLED 層5066和陽極（相對電極）5067。注意，OLED層5 066的膜厚可以設定爲80-200nm (通常爲100-120nm)，用ITO膜形成陽極5067。依序形成對應紅色、綠色和藍色的圖素的OLED層和陽極。但是，OLED層的耐溶液性差。所以，必須不用微影技術形成與各個顔色相關的OLED層和陽極。最好用金屬掩模覆蓋規定的圖素的外邊區域，只在需要的部位選擇形成 OLED層和陽極。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製換句話說，掩模首先設置成覆蓋全部圖素，只是不覆蓋對應紅色的圖素，用掩模選擇形成發紅光的OLED層。之後，掩模設置成覆蓋全部圖素，只是不覆蓋對應綠色的圖素，用掩模選擇形成發綠光的OLED層。同樣，掩模設置成覆蓋全部圖素，只是不覆蓋對應藍色的圖素，用掩模選擇形成發藍光的OLED層。注意，這裏描述的是用所有都不同的掩模，但是也可以用相同的掩模。這裏用了對應RGB三種顔色的三種OLED元件之形成方本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-32 - 200302445 A7 B7 五、發明説明（29 ) 法’但是，也可以用形成發白光的OLED元件和濾色鏡的組合方法，形成發藍色或藍-綠色光的OLED元件和螢光體（螢光顔色轉換層·· C CM )的組合方法，用透明電極作陰極 (圖素電極）和用對應RGB三種顔色中的每一種顔色的 OLED元件覆蓋它的方法，等等。現有的材料可以用作OLED層5 066。考慮到驅動電壓，最好用有機材料作現有材料，例如，可以用電洞注入層，電洞輸送層，發光層和電子注入層構成的四層結構作OLED 層。在有連接到相同閘極信號線（相同線上的圖素）的閘極電極的開關TFT的圖素上，用金屬掩模形成陽極5 067。注意，本實施例中，儘管是用ITO作陽極5067和MgAg 作陰極5063，但是，本發明不受此限制。其他已知材料也可以用於陽極5067和陰極5063。最後，形成300nm厚的氮化矽構成的鈍化膜5068。形成鈍化膜5〇68。鈍化膜5〇68的形成可以防止OLED膜5 066受潮等。而且，能進一步提高OLED元件的可靠性。製成有圖11B所示結構的顯示裝置。注意，本實施例的 OLED顯示裝置的製造過程中，考慮到電路結構和過程，用形成閘極電極的材料Ta和W形成源極信號線，用形成源極電極和汲極電極的佈線材料A1形成鬧極信號線，但是，也可以用其他材料。

用上述步驟形成的主動矩陣型OLED顯示裝置中的TFT 有頂閘極結構。但是，本實施例容易用於底閘極結構的TFT 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210 X297公釐）-33 - ----------裝-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 200302445 A7 B7 五、發明説明（30 ) 和其他結構的TFT。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 而且，本實施例中用玻璃基底，但不限於玻璃基底。除玻璃基底外，諸如塑膠基底、不銹鋼基底和單晶晶片也可以用。藉由不僅在圖素部分而且在驅動電路部分提供有最合適的結構的TFT，使本實施例中的顯示裝置有很高的可靠性，而且，操作性能得到了改善。而且，在結晶化處理中，還可以加諸如Ni的金屬晶體，從而提高結晶度。因此，使源極信號線驅動電路的驅動頻率可能設定在1 0MHz或者更高。首先，用其結構中的載體注入減少但運行速度盡最大可能不降低的TFT作爲形成驅動電路部分的CMOS電路之η-通道TFT。本實施例中，η-通道TFT的主動層包含：源極區域，汲極區域，用其間夾有閘極絕緣膜的閘極電極覆蓋的LDD ( 輕摻雜區）覆蓋區（Lov區），沒有用其間夾有閘極絕緣膜的閘極電極覆蓋的漂移LDD區（Loff區），和通道形成區。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製而且，完全不要擔心用CMOS電路的P-通道TFT的熱載體注入造成的損壞，所以，特別地可以不形成LDD區。當然，作爲防止熱載體的一種措施，也可以像η-通道TFT—樣形成LDD區。此外，當使用在其通道形成區電流以雙向流動的CMOS 電路，亦即其中的源極區域和汲極區域相互變化的CMOS電路時，最好在形成CMOS電路的η-通道TFT的通道形成區的本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-34 - 200302445 A7 _ B7 五、發明説明（31 ) 兩邊上形成LDD區，以夾住通道形成區。而且，當用其中要盡可Η纟大的抑制截止電流値的CMOS電路時，形成CMOS 電路的η-通道TFT最好有Lov區。 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 注意，實際上，最好在完成圖1 1B的狀態之後，用有好的密封性和小的出氣性的保護膜（例如，疊層膜或紫外線固化樹脂膜）或者透明密封材料進行包封（密封）。這時，在密封材料中引入惰性氣體和在密封材料中引入吸濕材料（例如，氧化鋇）以提高OLED元件的可靠性。藉由包封程序提高了産品的密封性能後，裝配一連接件（軟印刷電路板：FPC)以將在基底上形成的元件或電路引出的終端與外部信號終端連接起來。之後，製成成品。而且，根據本實施例所示的程序，可以減少製造 OPLED顯示裝置所用的光掩模數量。結果，可以縮短程序，降低生産成本，提高合格率。所述的製造步驟可以用於用有單極性的TFT製造顯示裝置的步驟中，其中如果去掉P-型TFT的製造步驟，則所述單極性的TFT有只用η-型TFT構成的結構。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製製造步驟不限於所述的步驟，構成顯示裝置的TFT的結構不限於頂閘極型TFT，例如，也可以用底閘極型TFT或雙閘極型TFT。本發明不僅可以用於用OLED元件的顯示裝置，也可以用於用其他發光元件的顯示裝置。 [實施例4] 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-35 - 200302445 A7 B7 五、發明説明（32 ) 本實施例中，將參見圖12A-12C描述本發明的OLED顯示裝置的製造範例。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖12A是OLED顯示裝置的頂視圖。圖12B是沿圖12A中的A-A'線的剖視圖。圖12C是是沿圖12A中的B-B'線的剖視設置密封構件4〇〇9，它包圍設置在基底400 1上的圖素部分40 02的密封構件4009，源極信號線驅動電路4003，第一閘極信號線驅動電路4004a和第二閘極信號線驅動電路 4004b。而且，在圖素部分4002，源極信號線驅動電路4003 ，第一閘極信號線驅動電路4004a和第二閘極信號行驅動電路4 004b上設置密封構件4008。因此，在圖素部分4002，源極信號線驅動電路4003，第一閘極信號線驅動電路4004a和第二閘極信號線驅動電路4004b被借助塡料4210利用基底 4〇〇1、密封構件4〇〇8和密封構件4009密封。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製而且，設置在基底4001上的圖素部分4002，源極信號線驅動電路4〇〇3，第一閘極信號線驅動電路4004 a和第二閘極信號線驅動電路4〇〇4b包括多個TFT。圖12B顯示在基帶薄膜40 10上形成的，源極信號線驅動電路4003中包括的典型的驅動TFT (這裏顯示出η-通道TFT和ρ·通道TFT ) 4201，和圖素部分4002中包括的圖素TFT4202 (用於向OLED元件輸入汲極電流的TFT)。本實施例中，用已知方法製造的P-通道TFT和η-通道 TFT用作驅動TFT 420 1，用已知方法製造的ρ-通道TFT用作 TFT 4202 〇本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-36 - 200302445 A7 B7 五、發明説明（33 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 層間絕緣膜（平整膜）43 0 1形成在驅動TFT 420 1和驅動TFT 4202上，圖素電極（陽極）4203電連接到其上形成的TFT 4202的汲極區域。用有高功函數的透明導電膜作閘極電極4203。氧化銦和氧化錫的化合物，或氧化銦和氧化鋅的化合物，氧化鋅，氧化錫或氧化銦可以用作透明導電膜。而且可以用摻鎵的透明導電膜。圖素電極4203上形成絕緣膜4302，圖素電極4203上的絕緣膜43 02中形成開口部分。該開口部分中，圖素電極 4203上形成OLED層42〇4。已知的有機材料或無機材料可以用作OLED層42〇4。儘管有機材料包括低分子材料（單體）和高分子材料（聚合物），但可以使用任何一個。 OLED層42〇4的形成方法，可以用已知的蒸發方法或塗覆方法。OLED層的結構可以用電洞注入層，電洞輸送層，發光層，電子輸送層，和電子注入層的任意組合的疊層結構，或單層結構。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 OLED層4204上，形成導電膜（通常含鋁，銅或銀爲主要組分的導電膜，或這些導電膜與其他導電膜的疊層膜）的陰極4205。要求最大限度的除去陰極4205與OLED層4204 之間的介面上存在的濕氣和氧。因此，必須在氮氣或稀有氣體氣氛中形成OLED層4204，在OLED層沒有露出到氧或濕氣的情況下形成陰極4205。本實施例中用有多個真空室的系統（組合工具系統）的膜形成設備，進行上述的膜形成。陰極4205施加預定電壓。如上所述形成由圖素電極（陽極）4203，OLED層4204 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-37 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 200302445 A7 _ B7_ 五、發明説明（34 ) ，和陰極構成的OLED元件4303。之後，在絕緣膜4302上形成保護膜4209，以覆蓋OLED元件43 03。保護膜4209能有效防止OLED元件43 03氧化和防止濕氣滲進OLED元件4303。參數4005a指示連接到電源極線和電連接到TFT 4201的源極區域的拉伸佈線。拉伸佈線400 5 a形成在密封構件4009 與基底4001之間，並經各向異性的導電膜43 00電連接到包括在FPC4 006中的FPC佈線4333。玻璃件，金屬件（通常是不銹鋼件），陶瓷件或塑膠件（包括塑膠膜）可以用作密封構件4008。塑膠件可以用 FRP (玻璃纖維增強型塑膠）板，pVF (聚氟乙烯）膜， Mylar (聚酯樹脂）膜，聚酯膜或丙烯酸樹脂膜。而且，也可以用在PVF (聚氟乙烯）膜或Mylar膜之間夾有鋁箔的結構的薄片。不過，當來自OLED元件的光輻射方向是指向密封構件側邊的情況下，密封構件必須是透明的。這種情況下，用透明材料，如玻璃板，塑膠板，聚酯膜或丙烯膜。塡料42 1 0，除了用諸如氮氣或氬氣的惰性氣體外，還能用紫外線固化樹脂或熱固性樹脂。還可以用PVC (聚氯乙烯），丙烯醯基，聚醯亞胺，環氧樹脂，矽樹脂，PVB (聚乙烯醇縮丁醛）或EVA (乙烯乙酸乙烯酯）。本實施例中用氮作塡料。爲了使塡料42 1 0露出到吸濕材料（最好是氧化鋇）或 β匕吸氧的材料中’在基底4 〇〇 1的側邊在密封構件4 〇〇 8的表面上設置凹槽4〇〇7，以放置吸濕材料或吸氧材料42〇7。之本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐)~:38 - ' —~ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

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後，爲了防止吸濕材料或吸氧材料42〇7分散，用槽蓋“Μ 使吸濕材料或吸氧材料保持在凹槽4〇〇7中。注意，槽蓋 4208形成細篩孔，它有允許空氣和濕氣透過但吸濕材料或吸氧材料4207不能透過的結構。設置吸濕材料或吸氧材料 4207能抑制OLED元件43〇3的損壞。經濟部智慧財產局員工消費合作社印¾ 如圖12C所示，形成圖素電極42〇3中，同時形成要與拉伸佈線4005a接觸的導電膜4203a。各向異性導電膜4300包含導電塡料43〇〇a。當熱壓基底 4300和FPC4006時，基底400 1上的導電膜4203a和FPC 4006 上的FPC佈線433 3經導電塡料4300a電連接。而且，本發明不僅用於用OLED元件的顯示裝置，也可以用於用其他發光元件的顯示裝置。 [實施例5 ] 圖13 A和圖13B顯示出本發明的OLED顯示裝置的圖素結構的剖視圖。本實施例中，只顯示一 TFT，用以使汲極電流流過OLED元件，以便作爲構成OLED顯示裝置的圖素的一個元件。圖13A中，TFT1601形成在圖素基底1 600上。TFT1601 是雙閘極TFT，它有第一閘極電極16〇3a，第二閘極電極 1603b和通道形成區1604b。通道形成區16(Hb經絕緣膜16〇2 和1605而夾在第一閘極電極1603&和第二閘極電極1603b之間。T F T 1 6 0 1有源極區域和汲極區域’其中的一個用1 6 0 4 a 指示，另一個用1 6 0 4 c指示。形成T F T 1 6 0 1後，形成層間絕本紙張又度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-39 - {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} '裝· -訂· 200302445 A7 _B7_ 五、發明説明（36 ) 緣膜1 606。 T F T 1 6 0 1的結構不限於附圖所不的結構。有任何已知結構的TFT都能用作TFT 1601。以後構成的透明導電薄膜通常是ITO薄膜，導電薄膜構圖成規定的形狀，以獲得圖素電極1 608。圖素電極1608 在這裏用作陽極。層間膜16〇6中形成達到TFT 1601的源極區域1604a和汲極區域1 604c的接觸孔。形成由Ti層，含Ti的 A1層和另一 Ti層構成的疊層膜，並構圖成規定的形狀，以獲得佈線1 60 7和16〇9。使佈線1 609連接到圖素電極1 60 8使 TFT導電。之後，用諸如丙烯酸的有機樹脂材料形成絕緣膜。在絕緣膜中在與OLED元件1614的圖素電極1 608的位置一致的 .位置形成開口部分，以獲得絕緣膜1 6 1 0。要構成的開口部分有平緩錐形的側壁，以避免由於開口的側壁高度不同而引起的OLED層損壞或不連續。之後，形成OLED層1611，之後，形成由厚度爲2nm或以下的鉋膜（Ce)，和厚度爲lOnm或以下的銀膜（Ag)順序層疊而構成的疊層膜構成的OLED元件1 6 1 4的相反電極（陰極）16 12。如果OLED元件1614的相反電極（陰極）1612 極薄，OLED層1611中産生的光透過相反電極（陰極）1612 ，並按相反的方向發射到圖素基底1 600。之後，形成保護 OLED元件1614的保護膜1613。按相反方向向圖素基底1 600發光的顯示裝置中，沒有必要使欲觀察的OLED元件16 14所發射之光，通過諸如在圖 ΐ紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐1 ~- 40-~ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 200302445 A7 B7 五、發明説明（37 ) 素基底1 600上形成的TFT 1601的元件。所以，顯示裝置可以有大的孔隙比。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖素電極1 608可以用作陰極，而相反電極16 12用作陽極，如果用TiN等形成圖素電極並且諸如ITO膜的透明導電膜用作相反電極。OLED層1611中産生的光按相反方向從陽極邊發射到圖素基底1 600。圖1 3B是顯示圖素結構的剖視圖，它具有其結構與圖 13A所示結構不同的OLED元件。在以下的說明中，圖13B中的元件若與圖13A中的元件相同者，均以相同的參數表示。根據與製造圖13A中的圖素相同的程序製造圖13B中的圖素，以形成TFT 1601和層間絕緣膜1 606。經濟部智慧財產局員工消費合作社卬製之後，在層間絕緣膜1 606中形成TFT 1601的源極區域 1 604a和汲極區域1 604c。之後，依序形成由Ti層，含Ti的A1 層和另一 Ti層構成的疊層膜，和通常是ITO膜的透明導電膜。對疊層膜和透明導電膜構圖成規定的形狀，以便獲得由佈線16〇7和1 60 8b，和圖素電極1 620組成的佈線1621和1619 。圖素電極1620用作OLED元件1624的陽極。用諸如丙烯酸樹脂材料的有機樹脂材料形成絕緣膜。在絕緣膜中在與OLED元件1 624的圖素電極1620的位置一致之位置上形成開口部分，以獲得絕緣膜1 6 1 0。要構成的開口部分有平緩錐形的側壁，以避免由於開口部分的側壁高度不同而引起的OLED層損壞或不連續。接下來，形成OLED層1611。之後，形成由厚度爲2nm 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-41 - 200302445 A7 B7 五、發明説明（38 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 或以下的鉋膜（Ce)，和厚度爲10nm或以下的銀膜（Ag) 順序層疊而構成的疊層膜構成的OLED元件1 624的相反電極 (陰極）1612。如果OLED元件1624的相反電極（陰極） 1612極薄，OLED層1611中産生的光通過相反電極（陰極） 16 12傳輸，並按相反的方向發射到圖素基底1600。之後，形成保護OLED元件1624的保護膜1613。按相反方向向圖素基底1600發光的顯示裝置中，沒有必要使欲觀察的OLED元件1624所發射之光，通過諸如在圖素基底1 600上形成的諸如TFT 1601的元件。所以，顯示裝置可以有大的孔隙比。圖素電極1 6 2 0和佈線1 6 2 1可以用作陰極，而相反電極 16 12用作陽極，如果用TiN等形成圖素電極並且諸如ITO膜 .的透明導電膜用作相反電極。之後，OLED層1611中産生的光按相反方向從陽極邊發射到圖素基底1 600。這種情況下，必須用η-型TFT結構使電流流到本發明的顯示裝置中的OLED元件內。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製相較於具有圖13 A所示結構的圖素，13B所示結構的圖素可以減少在製造程序中所需的光掩模數量，並且可以簡化程序，這是由於可以用相同的光掩模對連接到TFT的源極區域和汲極區域的佈線1619和圖素電極1 620產生構圖。本實施例不僅可以用於用OLEE元件的顯示裝置，也可以用於用其他元件顯示裝置。 [實施例6 ] 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-42 - 200302445 A7 _ B7_ 五、發明説明（39 ) 在這個實施例中，用三重激勵發磷光的有機發光材料，可以明顯提高外部光發射量的效率。結果，能減少發光元件的功耗，延長發光元件的壽命，減輕發光元件的重量〇以下報告了用三重激勵提高外部光發射量效率（參見，T，Tsutsui ，C，Adachi，S，Saito，Photochemical processes in Organized Molecular S ystem (在有機分子系統中的光化學程序），ed. K. Honda，（Elsevier Sci，Pub .，東京，1991，p.437 ) ) 〇以上文獻報導的有機發光材料（香豆素色素）的分子式如下： (化學式1 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 0

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (Μ，A，Baido D，F，O' Brien ，Y，You，A， Shoustikov， S ，Sibley 5 M.E.Thompson ? S.R.Forrest 5 Nature 3 95 ( 1 998 ) p. 1 5 1 ) 以上文獻報導的有機發光材料（Pt配合物）的分子式如下： (化學式2) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-43 - 200302445 A7 B7 五、發明説明（4〇 )

Et Et

(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

Forrest, Appl, Phys. Lett*, 75 (1999) p.4.) (T.Tsutsui, M.-J.Yang, M. Yahiro, K. Nakamura, T.Watanabe, T. Tsuji, Y. Fukuda, T. Wakimoto, S· Mayaguchi, Jpn# Appl. Phys.4 38 (12B) (1999) L1502) 以上文獻報導的有機發光材料（Ir配合物）的分子式如下： (化學式3 )

經濟部智慧財產局員工消費合作社郎製如上所述，如果來自三重激勵的磷光能實用，那麽，在原理上說，可以使外部光的發光量效率達到在使用來自單重激勵的螢光情況下的發光量效率的3至4倍。實施例7] 本紙張尺度適用中國國家榡準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-44 - 200302445 A7 B7 五、發明説明（41 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 使用能自我發光的發光元件之顯示裝置’因此，與液晶顯示裝置相比，在亮的環境中的能見度極高，而且有寬的視角。它可以用於各種電子機器的顯示部分。用本發明形成的發光元件的電子機器的實例如下：攝影機，數位相機，護明鏡型顯示裝置（頭帶顯示裝置）：導航系統；音頻再生設備（汽車音響，音頻元件等 );膝上型電腦；遊戲機；攜帶型資訊終端（移動電腦，行動電話，攜帶型遊戲機，電子筆記本等）：設置有記錄介質的圖像再生設備（具體地說，設置有顯示裝置的設備 ’它能重現諸如數位影音光碟（DVD )的記錄介質，能顯示圖像）。有發光元件的發光設備特別適合攜帶型資訊終端，因爲，它的螢光幕常常被傾斜地觀看，而且需要有大 .的視角。圖14A至圖14H顯示出電子機器的具體例。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製圖14A顯示出顯示設備，它包括：外殻300 1，底座3002 ’顯示部分3〇〇3，話筒部分3004，視頻輸入端3 005等等。本發明形成的發光元件可以用於顯示部分3003。發光元件是自發光的，不需要背光，所以，它可以做得比液晶顯示裝置薄。技術術語顯示裝置包括顯示資訊的任何顯示裝置 ’例如，用於個人電腦的顯示裝置，用於接收TV廣播的顯示裝置和用於廣告的顯示裝置。圖14B顯示出數位相機，它包括：主體3101，顯示部分 3 102，圖像接收部分3103、操作鍵3104、外部連接埠3105 '怏門3 1 06等。本發明形成的發光元件可以用於顯示部分 3 102 〇本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-45 · 200302445 A7 _B7__ 五、發明説明（42 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖14C表示膝上型電腦，它包括：主體3201、機殼3 202 、顯示部分32〇3，鍵盤32〇4、外部連接璋32〇5、滑鼠3206 等。本發明形成的發光元件可以用於顯示部分3203。圖1 4D表示移動電腦，它包括：主體3 3 0 1，顯示部分 33 02，開關3 3 03、操作鍵33〇4、紅外線璋3 3 05等。本發明形成的發光元件可以用於顯示部分3302。圖ME表示包括記錄介質的便攜圖像再生設備（具體地說是DVD播放機）。該設備包括主體3401、機殼3402、顯示部分A 3403，顯示部分B 3404、記錄介質（DVD等）讀出部分34〇5、操作鍵3406、揚聲器部分34〇7等。顯示部分a 3403主要顯示圖像資訊，而顯示部分B 3404主要顯示文本資訊。本發明形成的發光元件可以用於顯示部分A3403和 B 3 4〇4。配備有記錄介質的圖像再生裝置包括家用遊戲機。圖14F表示護目型顯示裝置（頭帶顯示裝置），該設備包括主體3 5 0 1、顯示部分3 5 02，臂部分3 5 03。本發明形成的發光元件可以用於顯示部分3 502。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製圖14G顯示出攝影機，它包括：主體360 1，顯示部分 3 602，外殻3 603，外部連接埠3 604，遙控接收部分3 605，圖像接收部分3006，電池36〇7，音頻輸入部分3608，操作鍵3 609等等。本發明形成的發光元件可以用於顯示部分 3 602 ° 圖14H顯示出行動電話，它包括：主體370 1，外殼3 702 ，顯示部分3 703，音頻輸入部分3 704，音頻輸出部分3 705 ，操作鍵3706，外部連接埠3 707，天線37〇 8等等。本發明本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-46 - 200302445 A7 B7 五、發明説明（43 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 形成的發光元件可以用於顯示部分3703。如果顯示部分 3 703在黑色背景上顯示白色字元，則可以降低行動電話的功耗。如果將來由有機發光材料發射的光的亮度增大，那麼，發光元件也可以用於正面投射型和背面投射型投影機，其中，用透鏡等放大由光承載輸出的圖像資訊，以便投射在螢幕上。上述的電子機器的顯示通常係藉由電子通信線路，例如，網際網路，CATV (有線電視）分配的顯示資訊，特別是顯示有高頻率的動畫資訊。有發光元件的發光設備適合於顯示動畫資訊，這是因爲有機材料有很快的回應速度。在發光設備中，發光部分要消耗電功率。因此，要求盡可能小的部分發光來顯示資訊。因此，如果發光設備用於主要顯示文本資訊的顯示部分，例如，攜帶型資訊終端，特別是行動電話，和音頻再生設備，則要求發光部分顯示文傳資訊，而不發光部分用作背景。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製如上所述，用本發明的發光設備有極廣的應用領域，發光設備可以用於各個領域的電子機器。本實施例中的電子機器可以用按實施例1至6製造的發光設備。而且，本實施例不僅用於用OLED元件的顯示裝置，而且也可以用於用其他發光元件的顯示裝置。如上所述，通過用內設的電源電路給顯示裝置的基底上的OLED元件供給電流或電壓，可以減少顯示裝置的元器件數量、安裝面積和電功耗。而且，本發明也可以用於用本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-47 - 200302445 A7 _B7 _ 五、發明説明（44 ) 其他發光元件的顯示裝置，以及用0LED元件的顯示裝置，並能獲得上述的效果。【圖式簡單說明】圖1是一方塊圖，顯示本發明的顯7^裝置之結構；圖2是一方塊圖，顯示習知的顯币裝置之結構；圖3是一示意圖，顯示習知的顯示裝置之電路結構；圖4是一時序圖，顯示習知的顯示裝置之圖素的驅動方法；圖5是一時序圖，顯示習知的顯示裝置之圖素的驅動方法；圖6是一示意圖，顯示在本發明的顯示裝置中內設之電源電路；圖7是一示意圖，顯示在本發明的顯示裝置中內設之電源電路；圖8是一方塊圖，顯示本發明的顯不裝置之結構；圖9A，9B和9C是示意圖，顯示本發明的顯示裝置之製造方法；圖1 0 A，1 0 B和1 0 C是示意圖，顯示本發明的顯不裝置之製造方法；圖1 1 A和1 1 B是是示意圖，顯示本發明的顯示裝置之製造方法；圖12A是一上視圖，顯不本發明的顯不裝置之外観’ 圖1 2B和1 2 C是剖面圖，顯示本發明的顯示裝置之外觀本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐）-48 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝.

、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 200302445 A7 _ _B7 五、發明説明（45 ) j 圖13 A和13B是剖面圖，顯示本發明的顯示裝置之圖素結構； (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖14A至14H是示意圖，顯示能夠使用本發明的電子設備之實例。經濟部智慧財產局員工消費合作社印f 【符號說明】 101 基底 102 源極信號線驅動電路 103 閘極信號線驅動電路 104 閘極信號線驅動電路 105 圖素部分 106 電源電路 301 開關TFT 302 OLED驅動 TFT 303 電容器 304 OLED元件 601 電源電路 602 電晶體 603 電晶體 604 電晶體 605 電晶體 60 6 電晶體 607 固定電流源本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-49 - 200302445 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（46 ) 608 609 610 61 1 612 701 702 703 706 71 1 712 713 714 715 716 717 718 1600 1601 1 603 a 1 603b 1 604b 1605 1606 固定電流輸入端電容器輸出端圖素部分電源電路電晶體電晶體源極接地P-通道電晶體輸出端電晶體電阻器電晶體電晶體電流源電流源圖素部分圖素基底 TFT 第一閘極電極第二閘極電極通道形成區絕緣膜層間膜 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-50 - 200302445 A7 B7 五、發明説明（47 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1607 佈線 1608 圖素電極 1609 佈線 1611 OLED 層 1612 相反電極 1613 保護膜 1614 OLED元件 1619 佈線 1620 圖素電極 1621 佈線 1624 OLED元件 3 00 1 外殼 3 002 底座 3 003 顯示部分 3 004 話筒部分 3 005 視頻輸入端 3 101 主體 3 102 顯示部分 3 103 圖像接收部分 3 104 操作鍵 3 105 外部連接埠 3 106 快門 320 1 主體 3202 機殼 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-51 - 200302445 A7 B7 經濟部智慧財產局.員工消費合作社印¾ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 五、發明説明（48 ) 3203 3204 3205 3206 3 3 0 1 3 3 02 3303 33 04 3 3 05 340 1 3402 3403 3404 3405 3406 3407 3 5 0 1 3 5 02 3 5 03 3 60 1 3602 3 603 3 6 04 3 605 顯示部分鍵盤外部連接埠滑鼠主體顯示部分開關操作鍵紅外線埠主體機殼顯示部分A 顯示部分B 記錄介質讀出部分操作鍵3 揚聲器部分牛體

I · BS 顯示部分臂部分主體顯示部分外殼外部連接埠遙控接收部分本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-52 - 200302445 A7 B7 經濟部智慧財產局？貝工消費合作社印製發明説明（49 ) 3 606 圖像接收部分 3 607 電池 3608 音頻輸入部分 3609 操作鍵 3 70 1 主髀 3702 外殼 3703 顯示部分 3 704 音頻輸入部分 3 705 音頻輸出部分 3706 操作鍵 3 707 外部連接埠 3 708 天線 400 1 基底 4002 圖素部分 4003 源極信號線驅動電路 4004a 第一閘極信號線驅動電路 4004b 第二閘極信號線驅動電路 4005a 拉伸佈線 4006 FPC 4008 密封構件 4009 密封構件 420 1 驅動TFT 4 2 02 圖素TFT 4203 圖素電極 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-53 - 200302445 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 五、發明説明（5〇 ) 4203 a 4204 4205 4207 4208 4209 4210 4300 4300a 430 1 4302 4303 43 3 3 500 1 5002 5002a 5002b 5003 5004 5005 5006 5007 5 00 8 5009 導電膜 OLED 層陰極吸氧材料槽蓋保護膜塡料各向異性的導電膜導電塡料層間絕緣膜絕緣膜 OLED元件 FPC佈線薄膜帶基薄膜氧氮化矽膜氫化氧氮化矽膜島狀半導體層島狀半導體層島狀半導體層島狀半導體層閘極絕緣膜第一導電膜第二導電膜本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-54 - 200302445 經濟部智慧財產 -局員工消費合社印製 A7 B7 發明説明（51 ) 5010 掩模 5011 第一形狀的導電層 5011a 第一導電層 5012 第一形狀的導電層 5012a 第一導電層 5013 第一形狀的導電層 5013a 第一導電層 5014 第一形狀的導電層 5014a 第一導電層 5015 第一形狀的導電層 5015a 第一導電層 5016 第一形狀的導電層 5016a 第二導電層 5017 第一雜質區 5018 第一雜質區 5019 第一雜質區 5020 第一雜質區 502 1 第一雜質區 5022 第一雜質區 5023 第一雜質區 5024 第一雜質區 5025 第一雜質區 5 02 6 第二形狀的導電層 5026a 第一導電層 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-55 - 200302445 A7 B7 經濟部智慧財產局資工消費合作社印t (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 五、發明説明（52 ) 5027 5027a 5028 5028a 5029 5029a 5030 5 03 0 a 503 1 5032 5032b 5033 5033b 5034 5034b 503 5 503 5b 503 6 503 6b 503 7 5037a 503 8 503 8a 503 9 第二形狀的導電層第一導電層第二形狀的導電層第一導電層第二形狀的導電層第一導電層第二形狀的導電層第一導電層第二形狀的導電層第三雜質區第二雜質區第三雜質區第二雜質區第三雜質區第二雜質區第三雜質區第二雜質區第三雜質區第二雜質區第三形狀的導電層第一導電層第三形狀的導電層第一導電層第三形狀的導電層本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-56- 200302445 A7 B7 經濟部智慧財產局.員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 五、發明説明（53 ) 503 9a 5040 5040a 504 1 504 1 a 5042 5042a 5043 5044 5045 5046 5047 5048 5056 505 7 505 8 5 05 9 5060 506 1 5062 5063 5064 5 06 5 5066 第一導電層第三形狀的導電層第一導電層第三形狀的導電層第一導電層第三形狀的導電層第一導電層第四雜質區第四雜質區第四雜質區第四雜質區第四雜質區第四雜質區第二層間絕緣膜佈線佈線佈線佈線佈線佈線圖素電極佈線第三層間絕緣膜 OLED 層本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-57 · 200302445 A7 B7 五、發明説明（54 ) 5067 陽極 5068 鈍化膜 5200 抗蝕劑掩模 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-58 -

Claims

200302445 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1 1. 一種顯示裝置，包括：多個圖素；. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 多個源極信號線和多個閘極信號線，係按矩陣形狀設置在基底上；多個發光元件，設置在該多個圖素中的每一個圖素處，每個發光元件包括至少一層含有機材料的發光層；和一電源電路，在基底上用於給發光元件供給電流和電壓中的至少一個。 2. —種顯示裝置，包括：‘ 多個圖素；多個源極信號線和多個閘極信號線，係按矩陣形狀設置在基底上；多個發光元件，設置在該多個圖素中的每一個圖素處，每個發光元件包括至少一層含有機材料的發光層，以發射從紅色、綠色和藍色光組中選擇的一種顔色的光；和在基底上的第一電源電路，用於給發紅光的發光元件供給電流和電壓中的至少一個；經濟部智慧財產局員工消費合作社印製在基底上的第二電源電路，用於給發綠光的發光元件供給電流和電壓中的至少一個；在基底上的第三電源電路，用於給發藍光的發光元件供給電流和電壓中的至少一個。 3. —種顯示裝置，包括：多個圖素； · 多個源極信號線和多個閘極信號線，係按矩陣形狀設本張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -59^ ： ' 200302445 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 2 置在基底上； (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 多個發光元件，設置在該多個圖素中的每一個圖素處，每個發光元件包括至少一層含有機材料的發光層；和設在基底上的用運算放大器的電源電路，用於給發光元件供給電流和電壓中的至少一個。 4. 一種顯示裝置，包括.：多個圖素；多個源極信號線和多個閘極信號線，係按矩陣形狀設置在基底上；多個發光元件，設置在該多個圖素中的每一個圖素處，每個發光元件包括至少一層含有機材料的發光.層，以發射從紅色、綠色和藍色光組中選擇的一種顔色的光；和在基底上的用運算放大器的第一電源電路，用於給發紅光的發光元件供給電流和電壓中的至少一個；在基底上的用運算放大器的第二電源電路，用於給發綠光的發光元件供給電流和電壓中的至少一個；經濟部智慧財產局員工消費合作社印製在基底上的用運算放大器的第三電源電路，用於給發藍光的發光元件供給電流和電壓中的至少一個。 5 .如申請專利範圍第1項的顯示裝置，其中，在發光元件中陰極設定爲公用，用源極接地的p-通道電晶體構成電源電路的輸出。 .6.如申請專利範圍第2項的顯示裝置，其中，在發光元件中陰極設定爲公用，用源極接地的P-通道電晶體構成電源電路的每個輸出。本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格（210X297公釐） -60 - : 200302445 經濟部智慧財產局.員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 3 7. 如申請專利範圍第3項的顯示裝置，其中，在發光元件中陰極設定爲公用..，用源極接地的P-通道電晶體構成電源電路的輸出。 8. 如申請專利範圍第4項的顯示裝置，其中，在發光元件中陰極設定爲公用，用源極接地的p-通道電晶體構成電源電路的每個輸出。 9·如申請專利範圍第1項的顯示裝置，其中，在發光元件中陽極設定爲公用，用源極接地的η-通道電晶體構成電源電路的輸出。 10·如申請專利範圍第2項的顯示裝置，其中，在發光元件中陽極設定爲公用，用源極接地的η-通道電晶體構成電源電路的每個輸出。 1 1 ·如申請專利範圍第3項的顯示裝置，其中，在發光元件中陽極設定爲公用，用源極接地的η-通道電晶體構成電源電路的輸出。 12.如申請專利範圍第4項的顯示裝置，其中，在發光元件中陽極設定爲公用，用源極接地的η-通道電晶體構成電源電路的每個輸出。 1 3 .如申請專利範圍第5項的顯示裝置，其中，電源電路設置成使得電源電路中的最高電位與輸出電位之間的差等於或低於該輸出的ρ-通道電晶體的臨限値電壓。 1 4 .如申請專利範圍第6項的顯示裝置，其中，電源電路設置成使得每個電源電路中的最高電位與每個輸出電位之間的每個差等於或低於該輸出的每個卜通道電晶體的臨限 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 -61 200302445 Α8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 4 値電壓。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 15. 如申請專利範圍第7項的顯示裝置，其中，電源電路設置成使得電源電路中的最高電位與輸出電位之間的差等於或低於該輸出的P-通道電晶體的臨限値電壓。 16. 如申請專利範圍第8項的顯示裝置，其中，電源電路設置成使得每個電源電路中的最高電位與每個輸出電位之間的每個差等於或低於該輸出的每個P-通道電晶體的臨限値電壓。 • 17.如申請專利範圍第9項的顯示裝置，其中，電源電路設置成使得電源電路中的最低電位與輸出電位之間的差等於或低於該輸出的η-通道電晶體的臨限値電壓。 18·如申請專利範圍第10項的顯示裝置，其中，電源電路設置成使得每個電源電路中的最低電位與每個輸出電位之間的每個差等於或低於該每個輸出的η-通道電晶體的臨限値電壓。 19.如申請專利範圍第11項的顯示裝置，其中，電源電路設置成使得電源電路中的最低電位與輸出電位之間的差等於或低於該輸出的η-通道電晶體的臨限値電壓。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20·如申請專利範圍第12項的顯示裝置，其中，電源電路設置成使得每個電源電路中的最低電位_與每個輸出電位之間的每個差等於或低於該每個輸出的η-通道電晶體的臨限値電壓。 21.—種顯示裝置，包括： . 多個圖素；本&張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） Γ62 - ： — 200302445 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 5 多個源極信號線和多個閘極信號線’係按矩陣形狀設置在基底上； (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 多個發光元件，設置在該多個圖素中的每一個圖素處，每個發光元件包括至少一層含有機材料的發光層，以發射從紅色、綠色和藍色光組中選擇的一種顔色的光；和在基底上的第一電源電路，用於給發射從紅色、綠色和藍色光組中選擇的一種顔色的光的發光元件供給電流和電壓中的至少一個；在基底上的第二電源電路，用於給發射從紅色、綠色和藍色光組中選擇的一種顔色的光的發光元件供給電流和電壓中的至少一*個；其中，第二電源電路所用於的發光元件發射的光的顔色與第一電源電路所用於的發光元件發射的光的顔色不同 0 22.—種顯示裝置，包括：多個圖素；多個源極信號線和多個閘極信號線，係按矩陣形狀設置在基底上；經濟部智慧財產局員工消費合作社印製多個發光元件，設置在該多個圖素中的每一個圖素處，每個發光元件包括至少一層含有機材料的發光層，以發射從紅色、綠色和藍色光組中選擇的一種顔色的光；在基底上的用運算放大器的第一電源電路，用於給發射從紅色、綠色和藍色光組中選擇的一種顔色的光的發光元件至少供給電流或電壓；和本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -63 - ： ~ 200302445 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 6 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在基底上的用運算放大器的第二電源電路，用於給發射從紅色、綠色和藍色光組中選擇的一種顔色的光的發光元件供給電流和電壓中的至少一個；其中，第二電源電路所用於的發光元件發射的光的顔色與第一電源電路所用於的發光元件發射的光的顔色不同〇 23. —種顯示裝置，包括：多個圖素；多個源極信號線和多個閘極信號線，係按矩陣形狀設置在基底上；多個發光元件，設置在該多個圖素中的每一個圖素處，每個發光元件包括至少一層含有機材料的發光層，以發射從紅色、綠色和藍色光組中選擇的一種顔色的光；和在基底上的電源電路，用於給發射從紅色、綠色和藍色光組中選擇的一種顔色的光的發光元件供給電流和電壓中的至少一^個。 24. —種顯示裝置，包括：多個圖素；經濟部智慧財產局員工消費合作社印製多個源極信號線和多個閘極信號線，係按矩陣形狀設置在基底上；多個發光元件，設置在該多個圖素中的每一個圖素處，每個發光元件包括至少一層含有機材料的發光層，以發射從紅色、綠色和藍色光組中選擇的一種顔色的光；和在基底上的用運算放大器的電源電路，用於給發射從 i紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格(210X297公釐) -64 - 200302445 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 7 紅色、綠色和藍色光組中選擇的一種顔色的光的發光元件供給電流和電壓中的至少一個。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 25·如申請專利範圍第21項的顯示裝置，其中，在發光元件中陰極設定爲公用，用源極接地的p_通道電晶體構成電源電路的輸出。 26. 如申請專利範圍第22項的顯示裝置，其中，在發光元件中陰極設定爲公用，用源極接地的p-通道電晶體構成電源電路的每個輸出。 27. 如申請專利範圍第23項的顯示裝置，其中，在發光元件中陰極設定爲公用，用源極接地的p-通道電晶體構成電源電路的輸出。 28·如申請專利範圍第24項的顯示裝置，其中，在發光元件中陰極設定爲公用，用源極接地的p -通道電晶體構成電源電路的輸出。 29·如申請專利範圍第21項的顯示裝置，其中，在發光元件中陽極設定爲公用，用源極接地的η-通道電晶體構成電源電路的每個輸出。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 3 0.如申請專利範圍第22項的顯示裝置，其中，在發光元件中陽極設定爲公用，用源極接地的η-通道電晶體構成電源電路的每個輸出。 3 1.如申請專利範圍第23項的顯示裝置，其中，在發光兀件中陽極.設定爲公用，用源極接地的η -通道電晶體構成電源電路的輸出。 . 3 2.如申請專利範圍第24項的顯示裝置，其中，在發光本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐) ^65 - ： - 200302445 Α8 Β8 C8 D8 々、申讀專利範圍 8 元件中陽極設定爲公用，用源極接地的心通道電晶體構成電源電路的輸出。. (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 3 3 .如申請專利範圍第2 5項的顯示裝置，其中，電源電路設置成使得每個電源電路中的最高電位與每個輸出電位之間的每個差等於或低於該輸出的每個p-通道電晶體的臨限値電壓。 3 4.如申請專利範圍第20項的顯示裝置，其中，電源電路設置成使得每個電源電路中的最高電位與每個輸出電位之間的.每個差等於或低於該輸出的每個p _通道電晶體的臨限値電壓。 3 5 ·如申請專利範圍第2 7項的顯示裝置，其中，電源電路設置成使得電源電路中的最高電位與輸出電位之間的差等於或低於該輸出的p-通道電晶體的臨限値電壓。 3 6 .如申請專利範圍第2 8項的顯示裝置，其中，電源電路設置成使得電源電路中的最高電位與輸出電位之間的差等於或低於該輸出的p-通道電晶體的臨限値電壓。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 3 7 .如申請專利範圍第2 9項的顯示裝置，其中，電源雩路設置成使得每個電源電路中的最低電位與每個輸出電位之間的每個差等於或低於該每個輸出的n-通道電晶體的臨限値電壓。 3 8 .如申請專利範圍第3 0項的顯示裝置，其中，電源電路設置成使得每個電源電路中的最低電位與每個輸出電位之間的每個差等於或低於該每個輸出的η-通道電晶體的臨限値電壓。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -66 - ： ' 200302445 A8 Βδ C8 D8 ^、申請專利範圍 9 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 3 9 .如申請專利範圍第3 1項的顯示裝置，其中，電源電路設置成使得電源電路中的最低電位與輸出電位之間的差等於或低於該輸出的η-通道電晶體的臨限値電壓。 4 〇 ·如申請專利範圍第3 2項的顯示裝置，其中，電源電路設置成使得電源電路中的最低電位與輸出電位之間的差等於或低於該輸出的η-通道·電晶體的臨限値電壓。 4 1 .如申請專利範圍第3項的顯示裝置，其中，運算放大器包括微分電路和電流鏡電路。 42·如申請專利範圍第4項的顯示裝置，其中，每個運算放大器包括微分電路和電流鏡電路。 43.如申請專利範僵第22項的顯示裝置，其中，每個運算放大器包括微分電路和電流鏡電路β 44·如申請專利範圍第24項的顯示裝置，其中，每個運算放大器包括微分電路和電流鏡電路。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 45·—種電子機器，包括如申請專利範圍第1項的顯示裝置’其中，該電子機器選自以下設備之一：顯示設備、數位相機、膝上電腦、移動電腦、攜帶型圖像再生設備、護目鏡型顯示裝置、攝影機和行動電話。 4 6.—種電子機器，包括如申請專利範圍第2項的顯示裝置’其中，該電子機器選自以下設備之一：顯示設備、數位相機、膝上電腦、移動電腦、攜帶型圖像再生設備、護目鏡型顯示裝置、攝影機和行動電話。 47· ~種電子機器，包括如申請專利範圍第3項的顯示裝置，其中，該電子機器選自以下設備之一：顯示設備、數本紙張尺度適用中國國家摞準（CNS ) Α4規格（2〗0X297公釐） -67 200302445 Α» Β8 C8 D8 t、申請專利範圍 1〇位相機、膝上電腦、移動電腦、攜帶型圖像再生設備、護目鏡型顯示裝置·、攝影機和行動電話。 48·—種電子機器，包括如申請專利範圍第4項的顯示裝置’其中’該電子機器選自以下設備之一：顯示設備、數位相機、膝上電腦、移動電腦、攜帶型圖像再生設備、護目鏡型顯示裝置、攝影機和行動電話。 49.一種電子機器，包括如申請專利範圍第21項的顯示裝置，其中’該電子機器選自以下設備之一··顯示設備、數位相機、膝上電腦、移動電腦、攜帶型圖像再生設備、護目鏡型顯示裝置、攝影機和行動電話。 50·—種電子機器.，包括如申請專利範圍第22項的顯示裝置，其中’該電子機器選自以下設備之一··顯示設備、數位相機、膝上電腦、移動電腦、攜帶型圖像再生設備、護目鏡型藏不裝置、攝影機和行動電話。經濟部智慧財產局員工消費合作社卬製 -裝-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 5 1 · —種電子機器，包括如申請專利範圍第2 3項的顯示裝置’其中，該電子機器選自以下設備之一··顯示設備、數位相機、膝上電腦 '移動電腦、攜帶型圖像再生設備、護目鏡型顯示裝置、攝影機和行動電話。 52·—種電子機器，包括如申請專利範圍第μ項的顯示裝置 ’其中’該電子機器選自以下設備之一：顯示設備位相機、膝上電腦、移動電腦、攜帶型圖像再生設備、譁目鏡型顯示裝置、攝影機和行動電話。