TR201614094A1 - Si̇li̇syum di̇li̇mleri̇n ni̇kel yardimli tek aşamali kaplanma ve aşindirilmasina i̇li̇şki̇n yöntem - Google Patents

Si̇li̇syum di̇li̇mleri̇n ni̇kel yardimli tek aşamali kaplanma ve aşindirilmasina i̇li̇şki̇n yöntem Download PDF

Info

Publication number
TR201614094A1
TR201614094A1 TR2016/14094A TR201614094A TR201614094A1 TR 201614094 A1 TR201614094 A1 TR 201614094A1 TR 2016/14094 A TR2016/14094 A TR 2016/14094A TR 201614094 A TR201614094 A TR 201614094A TR 201614094 A1 TR201614094 A1 TR 201614094A1
Authority
TR
Turkey
Prior art keywords
silicon
slices
coating
nickel
solution
Prior art date
Application number
TR2016/14094A
Other languages
English (en)
Inventor
Turan Raşi̇t
Es Firat
Vaki̇li̇poor Ashkan
Original Assignee
Ashkan Vakilipoor
Es Firat
Rasit Turan
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ashkan Vakilipoor, Es Firat, Rasit Turan filed Critical Ashkan Vakilipoor
Priority to TR2016/14094A priority Critical patent/TR201614094A1/tr
Priority to PCT/TR2017/050437 priority patent/WO2018208249A2/en
Publication of TR201614094A1 publication Critical patent/TR201614094A1/tr

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0236—Special surface textures
    • H01L31/02363—Special surface textures of the semiconductor body itself, e.g. textured active layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264—Inorganic materials
    • H01L31/028—Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30604—Chemical etching
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

Buluş, silisyum dilimlerinin nikel yardımıyla kaplama ve aşındırma işleminin aynı kimyasal solüsyon içerisinde yapıldığı tek aşamada gerçekleşen aşındırılmasıyla ilgilidir.

Description

TARIFNAME SILISYUM DILIMLERIN NIKEL YARDIMLI TEK ASAMALI KAPLANMA VE ASINDIRILMASINA ILISKIN YÖNTEM Bulusun Ilgili Oldugu Teknik Alan Bulus, silisyum dilimlerinin nikel yardIiiîla kaplama ve asilEina isleminin aynEIkimyasal solüsyon içerisinde yap [giEiiek asamada gerçeklesen asiIEllhîasüla ilgilidir.
Bulusla Ilgili Teknigin Bilinen Durumu (Önceki Teknik) Metal destekli asiiüina islemi kendi içerisinde uygulama olarak ikiye ayriüB Ilk yöntemde, silisyum asiülna islemi için kullanüâcak olan metal, silisyum üzerine çesitli yöntemler kullanüârak kaplanlEl Kaplama islemi fiziksel buhar biriktirme, kimyasal buhar biriktirme, elektro-kaplama, elektrotsuz kaplama gibi ince film kaplama islemlerinden herhangi biri kullanlElrak yapllâbilir. Kaplama sonucunda silisyum, yüzeyinde bulunan bu ince film ile birlikte hidroflorik asit içeren bir kimyasal karlSIEiia daIdIEIIÜ Yüzeyde bulunan metal, reaksiyonu hEIandlElEZgörev (katalitik) görerek, silisyumun hlîlEbiçimde asIEinasIDsaglar. Bu yöntem ile genel olarak çogu metal kullanIErak asilüna islemi gerçeklestirilebilir. (gümüs, altlEI, platin, bakIEl nikel, vs.) Ikinci yöntemde ise, silisyum aslEtllEma islemi ve kaplama islemi aynlîlkimyasal solüsyon içerisinde yapimi Bu nedenle ikinci yöntem çok daha hlîlü basit ve ucuz bir yöntemdir. Bu yöntemde silisyum dilimleri, hidroflorik asit ve metal tuzu içeren bir solüsyon içerisine daldEIJEve silisyum yüzeyinde metal kaplama ve asiülna islemleri aynünda devam eder. Örnek vermek açian bu islem için gümüs nitrat (AgNO3) tuzu ve hidroflorik asit solüsyonuna daldlîilân Silisyum pullar yüzeyinde asilElna sonucu nano-tel olusumu gözlemlenmektedir.
Yapllân patent arastünalarülda, nikel elementi için birinci yöntemin sllîça kullanllgiEiiakat ikinci yöntemin kullan ilh'iad[g]I];iörülmektedir.
Fotovoltaik silisyum günes hücrelerinde yüzey yansIiaIIar. azaltlIIhasElamacMa kullanllân birçok farkIü/öntem mevcuttur. Bu yöntemlerden birisi olan metal destekli asiLEina islemi ya gümüs nitrat gibi yüksek maliyetli gümüs tuzlarEl kullanlßrak tek asamada veya kaplama+asIElna olmak üzere iki asamalElslemlerle gerçeklesmektedir. Bulusumuz hem tek asamalEhem de ucuz bir metal olan nikel kulland[g]|:için fotovoltaik hücre üretiminde kullanllân yöntemlerde fiyat avantaj Baglama potansiyeline sahiptir.
Mevcut yöntemler; 1. Pahallîlilan metal tuzlarllullanllârak tek asamalüis'lülna yaparlar. a. Bu yöntemde asIlîilna islemi tek asamallîkimyasal bir süreç olmakla birlikte kullanElân metal tuzu Gümüs oldugu için islem pahalIlElve fotovoltaik sanayinde kullanüüiak istenmemektedir.
Asama 1: Silisyum dilim yüzeyleri temizlenir ve yüzey oksitleri HF ile alIlEl Asama 2: Dilimler HF:H202:AgNO3:H20 solüsyonuna daldlElErak asIlîrna islemi gerçeklesir.
Asama 3: Islem sonucu dilimler durulanLEl kurulan lEve ölçüme hazIEhale gelir. 2. Metal kaplama ardIdan asIdlElna islemi olmak üzere ucuz metaller kullanlEllar fakat iki asama olmaslîlla bu yöntemin dezavantajIE a. Metal yardIilüasEbllElna 1 (Bu yöntemde metal kaplama ve nanoparçacilîl olusturma islemi yüksek vakumlu metal buharlastlîilna sistemleri ve tavlama f-arüljerektirdigi için çok yavas ve seri üretime uygun degildir. Ek olarak araya giren bu islemler maliyeti artlElnaktadlB): Asama 1: Silisyum dilim yüzeyleri temizlenir ve yüzey oksitleri HF ile aIIlEI Asama 2: Silisyum dilim yüzeyleri yüksek vakum buharlastlElnalEl kaplama sistemlerinde çok ince bir metal tabakasEile kaplan lEl(5-20 nm) Asama 3: Silsiyum dilimler, düsük leaklHZl f-arIa tavlanarak yüzeylerindeki metal Filmlerin topaklanmasüle nano parçaciEJhaIine gelmesi saglanlü Asama 4: Tavlanan dilimler HF:H202:Su solüsyonuna daldlEllârak asIHna islemi gerçeklesir.
Asama 5: Islem sonucu dilimler durulanlfil kurulan lElve ölçüme hazlEIhale gelir. b. Metal yardIilEas-lüna 2 (Bu yöntemde metal kaplama islemi solüsyon bazlEl gerçeklesir ve nanoparçacilîl olusturma islemi tavlama f-arIa gerçeklesir. Yine iki asamalElbir islemdir, kaplama solüsyonunun -ia gerekliligi vardlEl Iki kimyasal islem arasi bir adet f-ama islemi olmasü prosesi yavaslatan ve maliyetini artEan bir etkendir.): Asama 1: Silisyum dilim yüzeyleri temizlenir ve yüzey oksitleri HF ile alIlE Asama 2: Silisyum dilimler Nikel tuzu, su ve PH dengeleyiciler içeren kaplama slîllârlîl içinde 50-70°C leakllthaki solüsyonlara daldlEllârak elektrotsuz kaplamaya tabi tutulur Asama 3: Silsiyum dilimler, düsük slaakltlîl f-arIa tavlanarak yüzeylerindeki metal filmlerin topaklanmasül'e nano parçacllZlhaline gelmesi saglanlEl Asama 4: Tavlanan dilimler HF:H202:Su solüsyonuna daldlEllârak asIlEina islemi gerçeklesir.
Asama 5: Islem sonucu dilimler durulanLEI kurulan lElve ölçüme hazIEIhale gelir.
Bulusun KEla AÇEEIamasüie AmaçlarEl Söz konusu bulus, nikel sülfat solüsyonu kullanarak silisyum dilimlerinin tek asamalEkaplama ve asIlElna isleminin yapilmasi Iliskin bir yöntemdir. Bulus, hem tek asamalüilmasüliem de ucuz bir metal olan nikel kullanmasEljolayElîla fotovoltaik hücre üretiminde kullanilan yöntemlerde fiyat avantaj Baglama potansiyeline sahiptir.
Ek olarak fotovoltaik dEElda silisyum dilim kullanllân herhangi bir endüstride de asIdHna islemleri için kullanlliiasünümkün bir yöntemdir.
Söz konusu bulus kullanilarak silisyum dilimlerin aslüdmasEbonucu olusan yüzey yapilârÇI yüzeyin yansIia degerlerini, standart yöntemlerle karsllâst-[giia çok daha fazla düsürmektedir. Böylece, yansla kaylplarlîlen aza indirilmis olur. Ek olarak, yöntemde nikel kullan [IBialele tek asamalEllJir proses olmasüdiger pahalülnetal kullanüân yöntemlere göre fiyat ve hlîlavantajE'lagIamaktadlE Bulusu Açtlillayan Sekillerin TanlBilarEl Sekil 1: Nikel yardIiIlZItek asamaliîlasütllîrina yönteminin isleyisi, silsiyum dilimin kesit görünümü.
Sekil 2: As iEilna sonrasE$i yüzeyinde olusan nano süngersi yapü Sekil 3: As lElna islemi öncesi ve sonrasüansan dalga boyuna bagllîllegisimi.
Bulusun AyrItElDçElillamasEl Bulus, silisyum dilimlerin yüzeylerinin tek asamada kimyasal olarak kaplama ve asiEllBiasljlçin kullanüân farkIEbir yöntemdir. Bu yöntem metal destekli otokatalitik asIlEma (Metal Assisted Electroless Etching) yönteminin farkllîlbir versiyonudur. Sekil 1 bulusta silisyum yüzeyin kimyasal olarak nasHZlasEtl-[gllügöstermektedin Ilk olarak, hidroflorik asit (HF), hidrojen peroksit (H202), nikel sülfat (NISO4) ve sudan olusan çözeltinin içerisine daldlülüilgolan silisyum (Si) dilim yüzeyinde, nikel (Ni+2) iyonlarESi ile temas eder. Bu asamada silisyumdan nikele elektron aklglîlgerçeklesir ve Ni+2 iyonu katEInikel parçacElZlar- dönüsür. Silisyum ise kaybettigi elektronlar dolayEÜIe oksitlenerek silisyum dioksit (SiOg) halini alIEI Sonraki asamada, silisyum üzerinde bulunan Ni metali silisyumdan elektron çekerek çözelti içerisinde bulunan H202 molekülünü indirger ve su açlgla çlEmasIßaglar. Böylece Ni metali alt-a kalan silisyum daha fazla oksitlenerek SiOz halini aIE Son asamada, olusan SiOz tabakaslZlHF asidi ile birlikte aslEllIEl ve yüzeyde nano boyutlu çukurlar olusmaya baslar.
Reaksiyon, dilim solüsyon içinde bulundugu süre boyunca ilerler. As lüna sonraslglrüzeyin aldl'giEI seklin elektron mikroskobu tarafüblan çekilen görüntüleri Sekil 2'de görülebilir.
Yüzeyde olusan bu nano delik yapllârüyüzeyin klEElIJKl indisini degistirerek, yansIia degerlerini azaItE YansIla degerlerinin azalmaslÇlbu silisyum dillmlerden üretilecek olan günes hücrelerinin, günesten gelen islgilîbaha verimli toplayacagllîlve böylece verimlerinln daha fazla olacagIEl gösterir. Islemin çesitli kimyasal parametrelere göre silisyum yüzey yansIiIasElne kadar düsürdügü (%10'dan düsük) Sekil 3'de görülebilir.
Söz konusu yöntem asaglki basamaklardan olusmaktadlE - Silisyum dilimler standart Si temizligi islemlerinden geçirilerek yüzeylerinde bulunan dogal oksit tabakasEH-IF solüsyonu yardilîle as @Eve yüzey hidrofobik hale getirilir, - Su (tercihen ve NiSO4 (%O.2-O,S ag lîllllîça) kimyasallarEkarlStlEllârak asIdlElna çözeltisi hazEllanlEl - Si dilim, çözelti içine daldlElllIElve bir süre kaplama ve asilElna islemi için beklenir, - Islem sonucunda dilim solüsyondan ç[IZlar[l]]:l su ile durulanlIJ kurutulur ve ölçümlere hazEl hale gelir.
Deneylerde, farklüoksitleyici, asüldlEEElve katalizör oranlarII yüzey yap_ ve yansIia degerlerine etkileri arastEllBilgtE Kullanllân arallgIEl dlSlEbla asiüna hlîlîlçok yavaslamakta ve/veya yüzeyin pirelendirilmesi degil, tam tersine parlatHEiasEgözlemlenmektedir. Zaman ise asIlElna miktarIEletkilemekte ve istenilirse çok daha uzun süre asIlîilna yapllâbilmektedir.
Deneylerde kullanllân parametreler asaglîiliaki tabloda gösterilmektedir: Tablo 1. Deneyde kullanllân parametreler.
NiSO4 (gr) 0.5-1.2 Süre (dk) 10- 50 Ni '”+ Ze q Ni(k) 2H'+ +1207 + Ze' -› ZHZO Nrî Ni(k) I 1 si'o? + GHF aHISiFê 4 2H20 SI Dilim Yansima [%] -A -30ml HF - 20ml H202 ile asindirma - O- 30ml HF - 25ml HZOZ ile asindirma -O-40ml HF - 25ml HZO2 ile asindirma Dalgaboyu [nm]

Claims (1)

  1. ISTEMLER . Silisyum dilimlerin yüzeyleri için kaplama ve aslüdüina çözeltisi olup özelligi; hidroflorik asit (HF), hidrojen peroksit (HZOZ), nikel sülfat (NISO4) ve sudan olusmasIE . Istem 1'e göre bir çözelti olup özelligi; hacimce %5-20 hidroflorik asit (HF), hacimce %3- olusmasIlEI . Silisyum dilimlerin yüzeylerinin kimyasal olarak asilEllEiasEl/e kaplanmaleEi iliskin tek asamaIlZlbir yöntem olup özelligi; silisyum dilimlerin HF (hidroflorik asit) ile yüzeyin hidrofobiklesmesini saglayan bir ön isleme tutulmasIiZItakiben hidroflorik asit (HF), hidrojen peroksit (HZOZ), nikel sülfat (NiSO4) ve su kimyasallarIEiiçeren aslEldlErina çözeltisine daldEilErak bekletilmesi islem adIiIEkermesidir. . Istem 3'e göre bir yöntem olup özelligi; bahsi geçen kaplama ve asIdlEina çözeltisinin . Istem 3'e göre yöntem ile elde edilen yüzeyinde nano boyutlu çukurlar bulunan silisyum . Istem 3'e göre silisyum dilimi olup yüzey yansIiaIIs %10'dan düsük olmasIIEi
TR2016/14094A 2016-10-07 2016-10-07 Si̇li̇syum di̇li̇mleri̇n ni̇kel yardimli tek aşamali kaplanma ve aşindirilmasina i̇li̇şki̇n yöntem TR201614094A1 (tr)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TR2016/14094A TR201614094A1 (tr) 2016-10-07 2016-10-07 Si̇li̇syum di̇li̇mleri̇n ni̇kel yardimli tek aşamali kaplanma ve aşindirilmasina i̇li̇şki̇n yöntem
PCT/TR2017/050437 WO2018208249A2 (en) 2016-10-07 2017-09-21 Method for nickel-assisted single-stage coating and etching of silicon strips

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TR2016/14094A TR201614094A1 (tr) 2016-10-07 2016-10-07 Si̇li̇syum di̇li̇mleri̇n ni̇kel yardimli tek aşamali kaplanma ve aşindirilmasina i̇li̇şki̇n yöntem

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TR201614094A1 true TR201614094A1 (tr) 2018-04-24

Family

ID=63682909

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TR2016/14094A TR201614094A1 (tr) 2016-10-07 2016-10-07 Si̇li̇syum di̇li̇mleri̇n ni̇kel yardimli tek aşamali kaplanma ve aşindirilmasina i̇li̇şki̇n yöntem

Country Status (2)

Country Link
TR (1) TR201614094A1 (tr)
WO (1) WO2018208249A2 (tr)

Also Published As

Publication number Publication date
WO2018208249A2 (en) 2018-11-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5358907A (en) Method of electrolessly depositing metals on a silicon substrate by immersing the substrate in hydrofluoric acid containing a buffered metal salt solution
CN105810761B (zh) 一种金刚线切割多晶硅片的制绒方法
JP6392866B2 (ja) 結晶シリコン太陽電池の表面テクスチャ構造及びその製造方法
US8143164B2 (en) Formation of a zinc passivation layer on titanium or titanium alloys used in semiconductor processing
CN106024988B (zh) 一步法湿法黑硅制备以及表面处理方法
CN107338480A (zh) 一种单晶硅硅片制绒方法及其制绒添加剂
TW201216347A (en) Method for forming a micro-pores structure or a trench structure on a silicon-chip substrate surface
JP2011219828A (ja) 半導体装置および半導体装置の製造方法
TW201931966A (zh) 具有粗化處理後之銅表面的物體、銅表面的粗化處理方法、物體的製造方法、積層板的製造方法及印刷佈線板之製造方法
CN105967139A (zh) 在硅基体上刻蚀孔洞的方法、含孔洞硅基体和半导体器件
JP4559818B2 (ja) シリコン基板の無電解めっき方法およびシリコン基板上の金属層形成方法
Harraz et al. Immersion plating of nickel onto a porous silicon layer from fluoride solutions
JP6115684B2 (ja) 半導体装置、半導体装置の製造方法
TR201614094A1 (tr) Si̇li̇syum di̇li̇mleri̇n ni̇kel yardimli tek aşamali kaplanma ve aşindirilmasina i̇li̇şki̇n yöntem
CN104947093B (zh) 一种化学镀镍液及一种化学镀镍的方法和一种线路板及其制造方法
JP3959044B2 (ja) アルミニウムおよびアルミニウム合金のめっき前処理方法
KR20230067550A (ko) 금속 치환 처리액, 알루미늄 또는 알루미늄 합금의 표면 처리 방법
Yae et al. Electroless Metallization of Silicon Using Metal Nanoparticles as Catalysts and Binding-Points
CN104518045B (zh) 用来调理CdTe薄层太阳能电池的CdTe层的方法
JP3975625B2 (ja) 半導体装置の製造方法
Wang et al. Sustainability analysis of silicon nanowire fabrication for high performance lithium ion battery anode
Kang et al. Fabrication characteristics of silicon nanowires via the electrochemical electroless etching method
TW202407151A (zh) 蝕刻處理液、鋁或鋁合金的表面處理方法
TW201222653A (en) Method of forming micro-pore structure or recess structure on silicon chip substrate surface
RU2750315C1 (ru) Способ глубокой очистки поверхности кремниевых пластин