JP3975625B2

JP3975625B2 - 半導体装置の製造方法

Info

Publication number: JP3975625B2
Application number: JP29822099A
Authority: JP
Inventors: 正実柴田; 彰天野; 博明降旗; 正樹一ノ瀬; 茂幸中山
Original assignee: Fuji Electric Device Technology Co Ltd
Current assignee: Fuji Electric Co Ltd
Priority date: 1999-10-20
Filing date: 1999-10-20
Publication date: 2007-09-12
Anticipated expiration: 2019-10-20
Also published as: JP2001115268A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、シリコンウェハを用いる半導体装置の製造方法において、基板表面に無電解ニッケル（以下Ｎｉと記す）めっきを施す際の表面活性化処理法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来のこの種の表面活性化処理には、物理的手段と化学的手段とがある。物理的手段としては、フォーミング処理、すなわち、表面の細かな粗面化により、また化学的手段としては、パラジウム（以下Ｐｄと記す）塩やシリコーンカップリング剤など、表面に活性化核になり得る化学種を吸着させて表面活性化がおこなわれている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
物理的手段としてのフォーミング処理には、シリコンカーバイド、シリコンなどの微粒子を加圧圧送吹きつけをするサンドブラストや、回転刃を用いる研削機＋砥石仕上げなどによる基板表面の粗面化がおこなわれている。形成された表面凹凸によって、アンカー効果がもたらされ、析出が容易で、密着性の高い無電解Ｎｉめっきが得られている。
【０００４】
しかしこの方法では、表面層に加工歪みやマイクロクラックなどの加工損傷を生じ、均一、均質なＮｉ合金層を形成し難いという問題があった。
図８（ａ）〜（ｅ）は、サンドブラスト法による表面フォーミングをおこなった面へのＮｉめっき法の概要説明図である。
ダイオードウェハ８０３を回転テーブル８０４に真空吸着して回転軸８０５により回転させる。ノズル８０１よりサンド８０２を数kg/cm²で圧送して、ダイオードウェハ８０３表面に吹きつける〔図８（ａ）〕。この時、ノズル８０１は、直径方向に往復運動をして均一な処理がおこなえるようにする。
【０００５】
図８（ｂ）は、両面を処理したダイオードウェハ８０３の断面図である。図８（ｃ）はその拡大図である。両面共に数μm 程度の凹み８０８をもつ凹凸面８０６が得られている。図８（ｄ）は、Ｎｉめっきの初期段階の断面図である。凹み８０８に析出したＮｉクラスタ８０９が見られる。これが以後の連続したＮｉ膜形成の核になる。図８（ｅ）は両面にめっき膜８１０の形成が完了した状態の断面図である。
【０００６】
Ｎｉの酸化還元電位が、シリコン半導体のバンドギャップのほぼ中間に位置するので、ポテンシャルの高いｎ型側からは電子の放出を受け易く、一方ｐ型側のそれは（フェルミ凖位）、放出し難い。従って、両表面を化学的に処理せず、シリコン生地そのものの場合ｎ側にはめっきが厚く、ｐ側には薄く付き易い。場合によっては５０% もｎ側が厚くなり、両面への均等めっきには、工程上細かな制御と特別なめっき液が必要になる。但し、表面の物理的形状により、アンカー効果が生じ、膜の密着性は非常に高い。
【０００７】
シリコーンカップリング剤の場合は、被着される無電解ニッケル膜中に有機物（またはその構成原子である炭素、水素、酸素、以下それぞれＣ、Ｈ、Ｏと記すなど）を巻き込むという問題があった。
図９（ａ）〜（ｄ）は、シリコーンカップリング剤による化学処理をおこなった面へのＮｉめっき法の概要説明図である。
【０００８】
ダイオードウェハ９０３を回転テーブル９０４に真空吸着させ、回転軸９０５により回転させながらノズル９０１より、シリコーンカップリング剤９０２を適量滴下させる〔図９（ａ）〕。
図９（ｂ）は両面に塗布乾燥後の状態の断面図である。表面に極く薄いカップリング剤層９０６が形成されている。
【０００９】
図９（ｃ）は拡大断面図であり、ダイオードウェハ９０３表面にカップリング剤層９０６が見られる。図中Ｒは、Ｃ、Ｈよりなる例えばメチル（ＣＨ₃）基、エチル（Ｃ₂Ｈ₅）基などの有機物の感能基を表している。
この処理は、表面にＯが弱く負に帯電した活性サイト（−Ｏσ^-）を形成させるわけであるが、Ｏの他にＣ、Ｈ等の有機物構成元素も沢山共存し、特に、ＳｉとＮｉめっき膜界面には、数十nmを越すＮｉクラスタ核層が存在することになり、以後の熱処理（５５０℃、３０分間、窒素Ｎ₂／水素Ｈ₂＝５／９５vol%）による合金化時に、特にＣとＯとが影響し、均一、均質なシンター層が得られなくなる。
【００１０】
また、もう一つの化学的手段のうち、Ｐｄ塩を用いる方法は、めっき溶液の管理の難しさ、液寿命の短さ、コスト高などの問題があった。
このような状況に鑑み本発明の目的は、シリコン表面に連続的に均一、均質で良質な無電解Ｎｉめっき膜を形成することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するため本発明の方法は、ふっ化水素酸（以下ＨＦと記す）をベースとし、酸化剤を含む前処理溶液に浸して表面活性化をおこない、水洗後直ちに無電解ニッケルめっきをおこなうものとする。
酸化剤を含むＨＦ溶液中ではシリコンは、
Ｓｉ＋６ＨＦ₂ ^-→ＳｉＦ₆ ^2-＋６ＨＦ＋４ｅ^- （１）
Ｓｉ＋Ｏ_x→−Ｓｉ−ＯＨ＋ＨＦ₂ ^-→ −Ｓｉ−Ｆ＋Ｆ^-＋Ｈ₂Ｏ（２）
（１）式に示す反応で僅かではあるが、直接溶解する。
【００１２】
また（２）式に示すように酸化剤により酸化される。ここでは、水溶液中なのでＯＨ基として表した。更に、ＨＦが解離したＨＦ₂ ^-活性イオン種により、ＯをＦで置換し、実際には

なるＳｉＦ₆ ^2-として溶解すると考えられている。
そして実際には（２）式の反応が支配的である。
各原子の電気陰性度を考慮して（２）式の反応基を見直すと、−Ｓｉ−ＯＨでは、Ｓｉ：１．８、Ｏ：３．５、Ｈ：２．１であるから、

すなわち、Ｏ（酸素）が電子を引きつけて部分的に負に帯電している。
−Ｓｉ−Ｆでは、Ｆ：４．０であるから、

Ｆ（ふっ素）が電子を引きつけて、部分的により負に帯電している。
Ｎｉ²⁺の存在する溶液中では、

のＨとの置換は生じ易く、−Ｓｉ−Ｏ−Ｎｉ^*となる。
一方、

のＦ部位にも化学的吸着は生じ易く、−Ｓｉ−Ｆ…Ｎｉ^*となる。
もう少し立体的に考えると、

のような化学構造が考えられる。
【００１３】
すなわち、本発明のＨＦと酸化剤とを含む前処理溶液中では、シリコンを酸化しつつ、溶解反応も少し生じながら、ＯまたはＦ原子の電気的活性サイトを形成する。めっき浴中でその活性サイトにＮｉ²⁺が引きつけられ、先ずＮｉ原子クラスタの核を生成し、更に核生成後は、活性サイトとして無電解Ｎｉめっき膜を連続して生じさせる。
【００１４】
また、Ｎｉの析出は、（２）式の−Ｓｉ−ＯＨ形成時、その反応が支配的に進むものと考えられる。
つまり、本発明のポイントは、シリコン表面に極く薄い酸化膜（実際にはシリコンリッチのサブオキサイド）を制御形成させ、バックグラウンドとほぼ同じＯ原子をＮｉ核形成の活性サイトとして活用して、連続的に均一、均質で良質な無電解Ｎｉめっき膜を形成することである。実際にＥＳＣＡ（Electron Spectroscopy for Chemical Analysis ）では、数〜数十nmの厚さの酸化膜が確認されている。
【００１５】
酸化剤としては、例えば、過酸化水素水（以下Ｈ₂Ｏ₂と記す）、硝酸（以下ＨＮＯ₃と記す）が挙げられる。また、酸化速度と、溶解速度とのバランスをとるために、燐酸（以下Ｈ₃ＰＯ₄と記す）、水、氷酢酸（以下ＣＨ₃ＣＯＯＨと記す）等の第三の希釈剤を加えるものとする。
そして綿密な実験の結果、各種三元系溶液において、基板表面に十分量のＮｉ原子クラスタ核形成がなされ、均一、均質な無電解Ｎｉめっき膜が容易に形成される、適当な組成を決定した。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、実施例に基づいて本発明の実施の形態を述べる。なお、以下では、ＨＦ、Ｈ₂Ｏ₂、Ｈ₃ＰＯ₄、ＣＨ₃ＣＯＯＨ、ＨＮＯ₃は、それぞれ半導体プロセスで最も広く用いられているそれぞれ約５０% 、３１% 、８５% 、９９．８% 、６１% （いずれもwt% ）の溶液を使用した。それらの混合比は、体積比（vol%）で示している。
【００１７】
［実施例１］
先ず、ＨＦをベースとし、Ｈ₂Ｏ₂、Ｈ₃ＰＯ₄の三元系について説明する。ダイオードウェハは、ｎ型、比抵抗３０Ω・cmのシリコンウェハの一面に燐拡散により、表面不純物濃度２×１０¹⁹cm^-3、拡散深さ３０μm のｎ⁺層を形成し、他面にほう素拡散により、表面不純物濃度１×１０¹⁹cm^-3、拡散深さ３０μm のｐ⁺層を形成したウェハである。
【００１８】
図７（ａ）〜（ｄ）は、本発明の活性化処理をおこなった面へのニッケルめっき法の概要説明図である。
ＨＦと酸化剤とを含む所定組成の前処理溶液７０２をいれた処理槽７０１にダイオードウェハ７０３を１分間浸漬させる〔図７（ａ）〕。
すると、その表面にはシリコンリッチな極く薄い（数〜数十nm程度）のサブオキサイド７０７が生じる〔同図（ｂ）〕。
【００１９】
作用の項で述べたようにサブオキサイド７０７の−Ｓｉ−Ｏ−Ｈにおいて、電気陰性度の関係により、Ｏ原子は電子を回りに引きつけており、局部的に負に帯電した活性サイト（−Ｓｉ−Ｏ^*σ^-）となっている。
十分に水洗した後、下記のめっき浴に５分間浸漬、緩やかに揺動しながらめっきする。無電解Ｎｉめっき浴は、アルカリ性浴を用いた。めっき浴組成およびめっき条件は次の通りである。
【００２０】
硫酸ニッケル（ＮｉＳＯ₄）０．１M
燐酸二水素ナトリウム（ＮａＨ₂ＰＯ₄）０．３５M
ビロリン酸ナトリウム（Ｎａ₂Ｈ₂Ｐ₂Ｏ₇）０．２M
水酸化アンモニウム（ＮＨ₄ＯＨ）のＰＨ９．０
温度８３℃
析出物Ｎｉ／８% Ｐ
図７（ｃ）はＮｉクラスター核形成過程を示す模式図である。
【００２１】
めっき浴中では、クーロン力によりサブオキサイド７０７の活性サイトにＮｉ²⁺イオンが引きつけられて化学吸着され、Ｎｉクラスター核７０８が均一に形成される。
更にＮｉクラスター核７０８を核にして、Ｎｉの析出が進行し、ダイオードウェハのｎ、ｐ両面にほぼ均一に、均質なＮｉめっき膜７１０を被着させることができる〔図７（ｄ）〕。
【００２２】
なお、サブオキサイド７０７中のＯ原子は、後工程のシンター時に雰囲気中のＨやめっき膜中のＰと反応するので、めっき膜の特性には悪影響を与えない。
図１は、本発明第一の実施例で用いたＨＦ、Ｈ₂Ｏ₂、Ｈ₃ＰＯ₄三元前処理溶液の組成、およびそのめっき結果を示す特性図である。丸印はその組成の溶液で前処理した後、シリコンウェハに無電解Ｎｉめっきしたことを示す。単位はvol%である。
【００２３】
白丸印は、つき回り、面状態、密着性、膜厚分布（±５% ）など良好であったことを示す。
上記系では、ほぼ全ての組成点で良好な結果が得られた。ＨＦと酸化剤の共存する系では、シリコンの溶解とシリコンの酸化とが競合反応として生じ、先述の如く、シリコン酸化反応が支配的と考えている。
【００２４】
このときＨ₃ＰＯ₄は水素発生の過電圧を下げ、還元剤としても働き、われわれが望む極く薄い酸化膜形成の良い制御剤として作用する。
この方法によるＮｉメッキでは、容易に均質、均一なメッキ膜が形成できるだけでなく、従来のカップリング剤をもちいた時の不純物混入の問題も無い。
なお、実際の半導体デバイスの電極形成に適用してもなんら問題無いことも確認した。
【００２５】
［実施例２］
実施例１と同様にして、ＨＦ、Ｈ₂Ｏ₂、水の三元系溶液で処理した後、直ちに無電解ニッケルめっきをおこなった。
図２は、ＨＦ、Ｈ₂Ｏ₂、水三元溶液の組成、およびそのメッキ結果を示す特性図である。丸印は各組成点で、シリコンウェハに無電解めっきしたことを示す。
【００２６】
白丸印は、つき回り、面状態、密着性、膜厚（±５% ）など良好であったことを示す。黒丸はｐ、ｎ両面全くめっきが付かない、ｐ、ｎの片側だけついた、ぼつぼつ小さい穴があいた、剥離したなどの不良部位を示す。
ＨＦと水とを結ぶ軸に沿った領域は概ね良好であるが、Ｈ₂Ｏ₂が７０% 以上の濃い領域では、不良となつている。これは、酸化膜の溶解速度に比べて、形成速度が大きいためである。
【００２７】
［実施例３］
同様にして、ＨＦ、Ｈ₂Ｏ₂、ＣＨ₃ＣＯＯＨの三元系溶液で処理した後、直ちに無電解Ｎｉめっきをおこなった。
図３は、ＨＦ、Ｈ₂Ｏ₂、ＣＨ₃ＣＯＯＨの三元系溶液の組成、およびそのめっき結果を示す特性図である。丸印は各組成点で、シリコンウェハに無電解めっきしたことを示す。
【００２８】
ＨＦが２０% 以上と濃い領域は概ね良好であるが、ＨＦが１０% 以下と薄く、Ｈ₂Ｏ₂が４０% 以上と濃い領域では、不良となつている。これも、酸化膜の溶解速度が遅く、溶解速度と形成速度とのバランスが悪いためである。ＣＨ₃ＣＯＯＨが８０% 以上と濃い領域でも不良となつている。この領域は、酸化も溶解も十分に進まないためである。
【００２９】
［実施例４］
酸化剤としてＨＮＯ₃を用い、同様にして、ＨＦ、ＨＮＯ₃、Ｈ₃ＰＯ₄三元系溶液で処理した後、直ちに無電解ニッケルめっきをおこなった。
図４は、ＨＦ、ＨＮＯ₃、Ｈ₃ＰＯ₄の三元系溶液の組成、およびそのメッキ結果を示す特性図である。丸印は各組成点で、シリコンウェハに無電解めっきしたことを示す。
【００３０】
ＨＦが３０% 以上の濃い領域は概ね良好であるが、２０% 以下の薄い領域では、不良となつている。Ｈ₃ＰＯ₄弱い酸化剤として作用するので、酸化膜の溶解速度が遅く、溶解速度と形成速度とのバランスが悪いためである。
［実施例５］
同様に、ＨＦ、ＨＮＯ₃、水の三元系溶液で処理した後、直ちに無電解ニッケルめっきをおこなった。
【００３１】
図５は、ＨＦ、ＨＮＯ₃、水の三元溶液の組成、およびそのメッキ結果を示す特性図である。丸印は各組成点で、シリコンウェハに無電解めっきしたことを示す。
ＨＦと水とを結ぶ軸に沿った領域がやや良いだけで、ＨＮＯ₃の多い領域( ６０% 以上）、水の多い領域( ６０% 以上）では、不良となつている。これも溶解速度と形成速度とのバランスが悪いためである。
【００３２】
［実施例６］
同様に、ＨＦ、ＨＮＯ₃、ＣＨ₃ＣＯＯＨの三元系溶液で処理した後、直ちに無電解ニッケルめっきをおこなった。
図６は、ＨＦ、ＨＮＯ₃、ＣＨ₃ＣＯＯＨの三元系溶液の組成、およびそのメッキ結果を示す特性図である。丸印は各組成点で、シリコンウェハに無電解めっきしたことを示す。
【００３３】
ＨＦとＣＨ₃ＣＯＯＨとを結ぶ軸に沿った領域がやや良いだけで、ＨＮＯ₃が多く( ３０% 以上）、ＨＦの少ない領域( ５０% 以下）では、不良となつている。これも溶解速度と形成速度とのバランスが悪いためである。
以上の実施例では、仮に膜厚分布が±５% 以上のものを不良としたが、実際の半導体装置の絶対的な基準ではないので、図１〜６の良／不良境界は多少移動する場合がある。
【００３４】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、シリコンウェハをふっ化水素酸と酸化剤とを含む前処理溶液に浸して表面活性化をおこない、水洗後直ちに無電解ニッケルめっきをすることにより、容易に、不純物を含まず、均一、均質なＮｉめっき膜をもつ半導体装置を製造することができる。
【００３５】
酸化剤としては、過酸化水素水、硝酸を用い、第三の溶液として燐酸、水、あるいは酢酸を加えた三元系溶液とすることにより、シリコン表面の酸化層の生長を制御することが可能となり、プロセスの自由度が増し、確実に均一なＮｉめっき膜を形成できる。
いずれも容易に入手可能な薬品であり、工程も簡易であり、コストも高くならないので、各種半導体装置に広く適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例１のＨＦ−Ｈ₂Ｏ₂−Ｈ₃ＰＯ₄三元系溶液により前処理をおこなった時の各組成点でのめっき特性図
【図２】実施例２のＨＦ−Ｈ₂Ｏ₂−Ｈ₂Ｏ三元系溶液により前処理をおこなった時の各組成点でのめっき特性図
【図３】実施例３のＨＦ−Ｈ₂Ｏ₂−ＣＨ₃ＣＯＯＨ三元系溶液により前処理をおこなった時の各組成点でのめっき特性図
【図４】実施例４のＨＦ−ＨＮＯ₃−Ｈ₃ＰＯ₄三元系溶液により前処理をおこなった時の各組成点でのめっき特性図
【図５】実施例５のＨＦ−ＨＮＯ₃−Ｈ₂Ｏ三元系溶液により前処理をおこなった時の各組成点でのめっき特性図
【図６】実施例６のＨＦ−ＨＮＯ₃−ＣＨ₃ＣＯＯＨ三元系溶液により前処理をおこなった時の各組成点でのめっき特性図
【図７】（ａ）は本発明実施例の処理溶液浸漬状況の説明図、（ｂ）は前処理後のダイオードウェハ断面図、（ｃ）はめっき浴浸漬後の表面模式図、（ｄ）はＮｉめっき後のダイオードウェハ断面図
【図８】（ａ）は従来法サンドブラスト状況の説明図、（ｂ）はサンドブラスト後のダイオードウェハ断面図、（ｃ）は表面拡大断面図、（ｄ）はめっき浴浸漬後の表面模式図、（ｅ）はＮｉめっき後のダイオードウェハ断面図
【図９】（ａ）は従来法カップリング剤塗布状況の説明図、（ｂ）はカップリング剤塗布後のダイオードウェハ断面図、（ｃ）はめっき浴浸漬後の表面模式図、（ｄ）はＮｉめっき後のダイオードウェハ断面図
【符号の説明】
７０１処理槽
７０２処理溶液
７０３、８０３、９０３ダイオードウェハ
７０７サブオキサイド
７０９、８０９Ｎｉクラスター核
７１０、８１０、９１０Ｎｉめっき膜
８０１、９０１ノズル
８０２サンド
８０４、９０４回転テーブル
８０５、９０４回転軸
８０６凹凸面
８０８凹み
９０２カップリング剤
９０７カップリング剤層

Claims

シリコンウェハをふっ化水素酸と酸化剤とを含む前処理溶液に浸して表面活性化をおこない、水洗後直ちに無電解ニッケルめっきをおこなうことを特徴とする半導体装置の製造方法。
ふっ化水素酸、過酸化水素水、燐酸の混合液からなる前処理溶液を用いることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
濃度５０ wt% のふっ化水素酸、濃度３１ wt% の過酸化水素水、水を混合してなる前処理溶液を用い、過酸化水素水を５０vol%以下とすることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
濃度５０ wt% のふっ化水素酸、濃度３１ wt% の過酸化水素水、濃度９９．８ wt% の氷酢酸を混合してなる前処理溶液を用い、ふっ化水素酸を２０vol%より大きくすることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
濃度５０ wt% のふっ化水素酸、濃度３１ wt% の過酸化水素水、濃度９９．８ wt% の氷酢酸を混合してなる前処理溶液を用い、氷酢酸を７０vol%以下、過酸化水素水を３０vol%以下とすることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
濃度５０ wt% のふっ化水素酸、濃度６１ wt % の硝酸、濃度８５ wt% の燐酸を混合してなる前処理溶液を用い、ふっ化水素酸を４０vol%より大きくすることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
濃度５０ wt% のふっ化水素酸、濃度６１ wt% の硝酸、水を混合してなる前処理溶液を用い、ふっ化水素酸を４０vol%以上、水を２０vol%以上４０vol%以下とすることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
濃度５０ wt% のふっ化水素酸、濃度６１ wt% の硝酸、水を混合してなる前処理溶液を用い、硝酸を２０vol%以下、水を４０vol%以下とすることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
濃度５０ wt% のふっ化水素酸、濃度６１ wt% の硝酸、濃度９９．８ wt% の氷酢酸を混合してなる前処理溶液を用い、ふっ化水素酸を６０vol%以上とすることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
濃度５０ wt% のふっ化水素酸、濃度３１ wt% の過酸化水素水、濃度８５ wt% の燐酸を混合してなる前処理溶液を用いることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
ふっ化水素酸、過酸化水素水、水を混合してなる前処理溶液中のふっ化水素酸の濃度を２９．２ｍｏｌ／リットル未満、過酸化水素水の濃度を５．１ｍｏｌ／リットル以下とすることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
ふっ化水素酸、過酸化水素水、氷酢酸を混合してなる前処理溶液中のふっ化水素酸の濃度を５．８ｍｏｌ／リットルより大きくすることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
ふっ化水素酸、過酸化水素水、氷酢酸を混合してなる前処理溶液中の氷酢酸の濃度を１２．２ｍｏｌ／リットル以下、過酸化水素水の濃度を３．１ｍｏｌ／リットル以上とすることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
ふっ化水素酸、硝酸、燐酸を混合してなる前処理溶液中のふっ化水素酸の濃度を１１．７ｍｏｌ／リットルより大きく、硝酸の濃度を１３．２ｍｏｌ／リットル未満、燐酸の濃度を１４．７ｍｏｌ／リットル未満とすることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
ふっ化水素酸、硝酸、水を混合してなる前処理溶液中のふっ化水素酸の濃度を１４．６ｍｏｌ／リットル以上、水の濃度を３６．２ｍｏｌ／リットル以上とすることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
ふっ化水素酸、硝酸、水を混合してなる前処理溶液中のふっ化水素酸の濃度を１４．６ｍｏｌ／リットル以上、硝酸の濃度を２．６ｍｏｌ／リットル以下とすることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
ふっ化水素酸、硝酸、氷酢酸を混合してなる前処理溶液中のふっ化水素酸の濃度を１７．５ｍｏｌ／リットル以上とすることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
ｐＨ９．０のアルカリ性浴を用いて無電解ニッケルめっきすることを特徴とする請求項１ないし１７のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。