TH99448A - วิธีการผลิตขั้วไฟฟ้าด้านหน้าที่มี tco เป็นส่วนประกอบหลักสำหรับใช้งานในอุปกรณ์ไฟฟ้าพลังแสงหรือสิ่งที่คล้ายคลึงกัน - Google Patents
วิธีการผลิตขั้วไฟฟ้าด้านหน้าที่มี tco เป็นส่วนประกอบหลักสำหรับใช้งานในอุปกรณ์ไฟฟ้าพลังแสงหรือสิ่งที่คล้ายคลึงกันInfo
- Publication number
- TH99448A TH99448A TH801000229A TH0801000229A TH99448A TH 99448 A TH99448 A TH 99448A TH 801000229 A TH801000229 A TH 801000229A TH 0801000229 A TH0801000229 A TH 0801000229A TH 99448 A TH99448 A TH 99448A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- electrodes
- specified
- glass substrate
- atmosphere
- oxygen
- Prior art date
Links
Abstract
DC60 (02/04/51) รูปลักษณะที่เป็นตัวอย่างบางรูปลักษณะของการประดิษฐ์นี้จะเกี่ยวกับขั้วไฟฟ้า (เช่น ขั้วไฟฟ้า ด้านหน้า) สำหรับใช้งานในอุปกรณ์ไฟฟ้าพลังแสง หรือสิ่งที่คล้ายคลึงกัน ในรูปลักษณะที่เป็นตัวอย่าง บางรูปลักษณะ ขั้วไฟฟ้าด้านหน้าที่มีออกไซด์ที่มีสภาพนำแบบโปร่งใส (TCO) เป็นส่วนประกอบหลัก สำหรับใช้งานในอุปกรณ์ไฟฟ้าพลังแสง อาจจะถูกผลิตขึ้นโดยการพ่นฉาบเป้าหมายที่เป็นเซรามิกใน บรรยากาศที่เป็นก๊าซที่ปรับเป็นพิเศษเพื่อให้ได้คุณสมบัติทางไฟฟ้าและแสงของเคลือบ TCO ที่ได้ที่ เหมาะสมที่สุด ตัวอย่างเช่น การใช้ประเภทเฉพาะของบรรยากาศในกระบวนการพ่นฉาบสามารถทำให้ เคลือบ TCO ที่ได้ (เช่น ที่ทำจากหรือมีส่วนที่เป็นออกไซด์ของสังกะสี, ออกไซด์ของสังกะสีผสม อลูมิเนียม และ/หรือ ITO) พร้อมที่จะทนต่ออุณหภูมิที่สูงที่ตามมาได้มากกว่า ซึ่งอาจจะถูกใช้ในระหว่าง การผลิตอุปกรณ์ผลิตไฟฟ้าพลังแสง นอกเหนือไปจากนี้ พลังงานในการแปรรูปที่เกิดจากอุณหภูมิที่สูง อาจจะยังถูกเลือกใช้เพื่อปรับปรุงลักษณะเฉพาะของสภาพผลึกของ TCO ได้ รูปลักษณะที่เป็นตัวอย่างบางรูปลักษณะของการประดิษฐ์นี้จะเกี่ยวกับขั้วไฟฟ้า (เช่น ขั้วไฟฟ้า ด้านหน้า) สำหรับใช้งานในอุปกรณ์ไฟฟ้าพลังแสง หรือสิ่งที่คล้ายคลึงกัน ในรูปลักษณะที่เป็นตัวอย่าง บางรูปลักษณะ ขั้วไฟฟ้าด้านหน้าที่มีออกไซด์ที่มีสภาพนำแบบโร่งใส (TCO) เป็นส่วนประกอบหลัก สำหรับใช้งานในอุปกรณ์ไฟฟ้าพลังแสง อาจจะถูกผลิตขึ้นโดยการพ่นฉาบเป้าหมายที่เป็นเซรามิกใน บรรยากาศที่เป็นก๊าซที่ปรับเป็นพิเศษเพื่อให้ได้คุณสมบัติทางไฟฟ้าและแสงของเคลือบ TCO ที่ได้ที่ เหมาะสมที่สุด ตัวอย่างเช่น การใช้ประเภทเฉพาะของบรรยากาศในกระบวนการพ่นฉาบสามารถทำให้ เคลือบ TCO ที่ได้ (เช่น ที่ทำจากหรือมีส่วนที่เป็นออกไซด์ของสังกะสี, ออกไซด์ของสังกะสีผสม อลูมิเนียม และ/หรือ ITO) พร้อมที่จะทนต่ออุณหภูมิที่สูงที่ตามมาได้มากกว่า ซึ่งอาจจะถูกใช่ในระหว่าง การผลิตอุปกรณ์ผลิตไฟฟ้าพลังแสง นอกเหนือไปจากนี้ พลังงานในการแปรรูปที่เกิดจากอุณหภูมิที่สูง อาจจะยังถูกเลือกใช้เพื่อปรับปรุงลักษณะเฉพาะของสภาพผลึกของ TCO ได้
Claims (30)
1. วิธีการผลิตอุปกรณ์ผลิตไฟฟ้าพลังแสง ซึ่งวิธีการดังกล่าวประกอบด้วยขั้นตอนดังต่อไปนี้ การจัดให้มีสับสเตรตที่เป็นแก้ว การพอกฉาบเป้าหมายที่เป็นเซรามิกอย่างน้อยหนึ่งอันในบรรยากาศ เพื่อที่จะพอกฉาบขั้วไฟฟ้าที่ มีสภาพนำโปรงใสมากพอ ซึ่งประกอบด้วยออกไซด์สังกะสีบนสับสเตรตที่เป็นแก้ว โดยที่เป้าหมายที่เป็นซารามิกจะประกอบด้วยออกไซด์ของสังกะสี โดยที่บรรยากาศที่ทำการพ่นฉาบเป้าหมายจะมีทั้งก๊าซอาร์กอนและก๊าซออกซิเจน และมีอัตรา ส่วนของก๊าซออกซิเจนต่อก๊าซทั้งหมดตั้งแต่ 0.00001 ถึง 0.0025 และ การใช้สับสเตรตที่เป็นแก้วโดยมีขั้วไฟฟ้าอยู่ด้านบนเป็นอย่างน้อย ในการผลิตอุปกรณ์ไฟฟ้าพลัง แสงซึ่งรวมถึงส่วนที่เป็นแผ่นฟิล์มกึ่งตัวนำอย่างน้อยหนึ่งอัน
2. วิธีการดังระบุในข้อถือสิทธิ 1 โดยที่การใช้สับสเตรตที่เป็นแก้วดังกล่าวโดยมีขั้วไฟฟ้าอยู่บน นั้นเป็นอย่างน้อยในการผลิตอุปกรณ์ผลิตไฟฟ้าพลังแสงจะประกอบด้วยการต่อประกบสับสเตรตที่เป็น แก้วนั้นกับสับสเตรตที่เป็นแก้วอีกอันหนึ่ง โดยมีขั้วไฟฟ้าและแผ่นฟิล์มกึ่งตัวนำอยู่ระหว่างนั้นเป็น อย่างน้อย
3. วิธีการดังระบุในข้อถือสิทธิ 1 โดยที่แผ่นฟิล์มกึ่งตัวนำจะประกอบด้วยซิลิดอนอสัณฐานหรือ CdTe
4. วิธีการดังระบุในข้อถือสิทธิ 1 โดยที่อุปกรณ์ผลิตไฟฟ้าพลังแสงยังประกอบด้วยขั้วไฟฟ้าและ/ หรือตัวสะท้อนด้านหลังที่ถูกกำหนดตำแหน่งอยู่ระหว่างสับสเตรตที่เป็นแก้วอีกอันหนึ่งกับแผ่นฟิล์มกึ่ง ตัวนำเป็นอย่างน้อย
5. วิธีการดังระบุในข้อถือสิทธิ 1 โดยที่ขั้วไฟฟ้ายังประกอบด้วยอลูมิเนียม และโดยที่ขั้วไฟฟ้าจะ มีสังกะสีมากกว่าอลูมิเนียมและมีความต้านทานของแผ่นชีต (R5) ที่น้อยกว่าประมาณ 50 โอห์ม/ช่อง
6. วิธีการดังระบุในข้อถือสิทธิ 1 โดยที่ขั้วไฟฟ้ามีความต้านทานของแผ่นซีต (Rs) ที่ไม่มากกว่า ประมาณ 15 โอห์ม/ช่อง
7. วิธีการดังระบุในข้อถือสิทธิ 1 โดยที่ขั้วไฟฟ้ายังประกอบด้วยอลูมิเนียม และปริมาณอลูลิเนียม ของขั้วไฟฟ้าและ/หรือเป้าหมายจะเท่ากับตั้งแต่ประมาณ 1-5%
8. วิธีการดังระบุในข้อถือสิทธิ 1 โดยที่ขั้วไฟฟ้าจะสัมผัสโดยตรงกับสับสเตรตที่เป็นแก้ว
9. วิธีการดังระบุในข้อถือสิทธิ 1 ซึ่งยังประกอบด้วยการสร้างชั้นเคลือบกันสะท้อนบนสับสเตรต ที่เป็นแก้วเพื่อให้ชั้นเคลือบกันสะท้อนถูกกำหนดตำแหน่งอยู่ระหว่างสับสเตรตที่เป็นแก้วกับขั้วไฟฟ้า
10. วิธีการดังระบุในข้อถือสิทธิ 1 โดยที่บรรยากาศที่ทำการพ่นฉาบเป้าหมายจะมีอัตราส่วนของ ก๊าซออกซิเจนต่อก๊าซทั้งหมดตั้งแต่ 0.0001 ถึง 0.002
11. วิธีการดังระบุในข้อถือสิทธิ 1 โดยที่บรรยากาศที่ทำการพ่นฉาบเป้าหมายจะมีอัตราส่วนของ ก๊าซออกซิเจนต่อก๊าซทั้งหมดตั้งแต่ 0.0001 ถึง 0.0015
12. วิธีการผลิตขั้วไฟฟ้าสำหรับใช้งานในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ ซึ่งวิธีการดดังกล่าวจะประกอบ ด้วยขั้นตอนดังต่อไปนี้ การจัดให้มีสับสเตรตที่เป็นแก้ว การพ่นฉาบเป้าหมายที่เป็นเซรามิกอย่างน้อยหนึ่งอันในบรรยากาศ เพื่อที่จะพอกฉาบขั้วไฟฟ้าที่มี สภาพนำโปรงใสมากพอ ซึ่งประกอบด้วยออกไซด์สังกะสีบนสับสเตรตที่เป็นแก้ว โดยที่เป้าหมายที่เป็นซารามิกจะประกอบด้วยออกไซด์ของสังกะสี และ โดยที่บรรยากาศที่ทำการพ่นฉาบเป้าหมายจะมีทั้งก๊าซอาร์กอนและก๊าซออกซิเจน และมีอัตรา ส่วนของก๊าซออกซิเจนต่อก๊าซทั้งหมดตั้งแต่ 0.00001 ถึง 0.0025
13. วิธีการดังระบุในข้อถือสิทธิ 12 ซึ่งยังประกอบด้วยการจัดให้มีแผ่นฟิล์มกึ่งตัวนำซึ่งประกอบ ด้วยซิลิคอนสัณฐานหรือ CdTe ที่อยู่ติดกับขั้วไฟฟ้า
14. วิธีการดังระบุในข้อถือสิทธิ 12 โดยที่ขั้วไฟฟ้ายังประกอบด้วยอลูมิเนียม และโดยที่ขั้วไฟฟ้า จะมีสังกะสีมากกว่าอลูมิเนียม และมีความต้านทานของแผ่นซีต (Rs) ที่น้อยกว่าประมาณ 50 โอห์ม/ช่อง
15. วิธีการดังระบุในข้อถือสิทธิ 12 โดยที่ขั้วไฟฟ้ายังประกอบด้วยอลูมิเนียม และปริมาณ อลูมิเนียมของขั้วไฟฟ้าและ/หรือเป้าหมายจะเท่ากับตั้งแต่ประมาณ 1-5%
16. วิธีการดังระบุในข้อถือสิทธิ 12 โดยที่บรรยากาศที่ทำการพ่นฉาบเป้าหมายจะมีอัตราส่วนของ ก๊าซออกซิเจนต่อก๊าซทั้งหมดตั้งแต่ 0.0001 ถึง 0.002
17. วิธีการดังระบุในข้อถือสิทธิ 12 โดยที่บรรยากาศที่ทำการพ่นฉาบเป้าหมายจะมีอัตราส่วนของ ก๊าซออกซิเจนต่อก๊าซทั้งหมดตั้งแต่ 0.0001 ถึง 0.002
18. วิธีการผลิตอุปกรณ์ผลิตไฟฟ้าพลังแสง ซึ่งวิธีการดังกล่าวจะประกอบด้วยขั้นตอนดังต่อไปนี้ การจัดให้มีสับสเตรตที่เป็นแก้ว การพอกฉาบเป้าหมายที่เป็นเซรามิกอย่างน้อยหนึ่งอันในบรรยากาศ เพื่อที่จะพอกฉาบ ขั้วไฟฟ้าที่ มีสภาพนำที่โปรงใสมากพอ ซึ่งประกอบด้วยออกไซด์ของดีบุกผสมอินเดียมบนสับสเตรตที่เป็นแก้ว โดยที่เป้าหมายที่เป็นเซรามิกจะประกอบด้วยออกไซด์ของดีบุกผสมอินเดียม โดยที่บรรยากาศที่ทำการพ่นฉาบเป้าหมายจะมีทั้งก๊าซอาร์กอนและก๊าซออกซิเจน และมีอัตรา ส่วนของก๊าซออกซิเจนต่อก๊าซทั้งหมดตั้งแต่ 0.003 ถึง 0.017 และ การใช้สับสเตรตที่เป็นแก้วโดยมีขั้วไฟฟ้าอยู่บนนั้นเป็นอย่างน้อย ในการผลิตอุปกรณ์ไฟฟ้าพลัง แสงซึ่งรวมถึงส่วนที่เป็นแผ่นฟิล์มกึ่งตัวนำอย่างน้อยหนึ่งอัน
19. วิธีการดังระบุในข้อถือสิทธิ 18 โดยที่การใช้สับสเตรตที่เป็นแก้วดังกล่าวโดยมีขั้วไฟฟ้าอยู่ บนนั้นเป็นอย่างน้อย ในการผลิตอุปกรณ์ผลิตไฟฟ้าพลังแสงจะประกอบด้วยการต่อประกบสับสเตรตที่ เป็นแก้วนั้นกับสับสเตรตที่เป็นแก้วอีกอันหนึ่งโดยมีขั้วไฟฟ้าและแผ่นฟิล์มกึ่งตัวนำอยู่ระหว่างนั้นเป็น อย่างน้อย
20. วิธีการดังระบุในข้อถือสิทธิ 18 โดยที่แผ่นฟิล์มกึ่งตัวนำจะประกอบด้วยซิลิคอน อสัณฐานหรือ CdTe
21. วิธีการดังระบุในข้อถือสิทธิ 18 โดยที่ขั้วไฟฟ้าจะมีความต้านทานของแผ่นซีต (Rs) ที่น้อยกว่า ประมาณ 50 โอห์ม/ช่อง
22. วิธีการดังระบุในข้อถือสิทธิ 18 โดยที่ขั้วไฟฟ้าจะสัมผัสโดยตรงกับสับสเตรตที่เป็นแก้ว
23. วิธีการดังระบุในข้อถือสิทธิ 18 ซึ่งยังประกอบด้วยการสร้างชั้นเคลือบกันสะท้อนบน สับสเตรตที่เป็นแก้วเพื่อให้ชั้นเคลือบกันสะท้อนถูกกำหนดตำแหน่งอยู่ระหว่างสับสเตรตที่เป็นแก้วกับขั้ว ไฟฟ้า
24. วิธีการดังระบุในข้อถือสิทธิ 18 โดยที่บรรยากาศที่ทำการพ่นฉาบเป้าหมายจะมีอัตราส่วนของ ก๊าซออกซิเจนต่อก๊าซทั้งหมดตั้งแต่ 0.004 ถึง 0.016
25. วิธีการดังระบุในข้อถือสิทธิ 18 โดยที่บรรยากาศที่ทำการพ่นฉาบเป้าหมายจะมีอัตราส่วนของ ก๊าซออกซิเจนต่อก๊าซทั้งหมดตั้งแต่ 0.005 ถึง 0.015
26. วิธีการผลิตขั้วไฟฟ้าสำหรับใช้งานในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกศ์ ซึ่งวิธีการดังกล่าวจะประกอบ ด้วยขั้นตอนดังต่อไปนี้ การจัดให้มีสับสเตรตที่เป็นแก้ว การพ่นฉาบเป้าหมายที่เป็นเซรามิกอย่างน้อยหนึ่งอันในบรรยากาศ เพื่อที่จะพอกฉาบ ขั้วไฟฟ้าที่ มีสภาพนำที่โปรงใสมากพอ ซึ่งประกอบด้วยออกไซด์ของดีบุกผสมอินเดียมบนสับสเตรตที่เป็นแก้ว โดยที่เป้าหมายที่เป็นเซรามิกจะประกอบด้วยออกไซด์ของดีบุกผสมอินเดียม และ โดยที่บรรยากาศที่ทำการพ่นฉาบเป้าหมายจะมีทั้งก๊าซอาร์กอนและก๊าซออกซิเจน และมีอัตรา ส่วนของก๊าซออกซิเจนต่อก๊าซทั้งหมดตั้งแต่ 0.003 ถึง 0.017
27. วิธีการดังระบุในข้อถือสิทธิ 26 ซึ่งยังประกอบด้วยการจัดให้มีแผ่นฟิล์มกึ่งตัวนำซึ่งประกอบ ด้วยซิลิคอนหรือ CdTe ที่อยู่ติดกับขั้วไฟฟ้า
28. วิธีการดังระบุในข้อถือสิทธิ 26 โดยที่บรรยากาศที่ทำการพ่นฉาบเป้าหมายจะมีอัตราส่วนของ ก๊าซออกซิเจนต่อก๊าซทั้งหมดตั้งแต่ 0.004 ถึง 0.016
29. วิธีการดังระบุในข้อถือสิทธิ 26 โดยที่บรรยากาศที่ทำการพ่นฉาบเป้าหมายจะมีอัตราส่วนของ ก๊าซออกซิเจนต่อก๊าซทั้งหมดตั้งแต่ 0.008 ถึง 0.014
30. วิธีการดังระบุในข้อถือสิทธิ 26 โดยที่เป้าหมายจะประกอบด้วยอินเดียมมากกชกว่าดีบุก
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH99448A true TH99448A (th) | 2009-12-23 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2009131070A (ru) | Способ изготовления переднего ппо электрода для применения в фотоэлектрическом приборе или тому подобном | |
| RU2008135965A (ru) | Способ изготовления термообработанного покрытого изделия с прозрачным покрытием из проводящего оксида (ппо) для использования в полупроводниковом устройстве | |
| JP6466922B2 (ja) | 電子素子のための界面層 | |
| RU2009137906A (ru) | Буферный слой для структуры переднего электрода в фотоэлектрическом приборе или ему подобном | |
| US20080163929A1 (en) | Zinc oxide based front electrode doped with yttrium for use in photovoltaic device or the like | |
| US20110171365A1 (en) | Method for modifying a transparent electrode film | |
| EP2341555A3 (en) | Front electrode including pyrolytic transparent conductive coating on textured glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same | |
| EP3110770B1 (en) | Coated glazing | |
| EP2290705A3 (en) | Solar cell and fabricating method thereof | |
| TWI494452B (zh) | 透明導電層及包含彼之透明電極 | |
| JP6548896B2 (ja) | 太陽電池モジュールおよびその製造方法 | |
| JPWO2016043231A1 (ja) | 発光素子、表示装置および照明装置 | |
| CN102741189A (zh) | 生产结构化的tco保护层的方法 | |
| US20100288348A1 (en) | Solar cell device and method for fabricating the same | |
| Ryu et al. | Optimal indium tin oxide layer as anti reflection coating for crystalline silicon solar cell with shallow emitter | |
| CN101497992A (zh) | 用等离子体轰击制备绒面氧化锌透明导电镀膜玻璃的方法 | |
| US10395845B2 (en) | Flexible Ti—In—Zn—O transparent electrode for dye-sensitized solar cell, and metal-inserted three-layer transparent electrode with high conductivity using same and manufacturing method therefor | |
| CN103258865A (zh) | 氧化物薄膜基板、它的制造方法及包括它的光伏电池和有机发光器件 | |
| US10822269B2 (en) | Method of manufacture of a coated glazing | |
| WO2012105229A1 (ja) | 耐湿熱膜とその製造方法、デバイス、及び太陽電池 | |
| US20090308445A1 (en) | Photovoltaic cell and photovoltaic cell substrate | |
| JP2016146443A (ja) | 太陽電池用透明導電性基板 | |
| KR20190084454A (ko) | 플렉시블 박막태양전지용 스테인레스 박판의 절연막 형성방법 및 그에 따라 제조된 태양전지 | |
| Hong et al. | Effect of Inductively Coupled Plasma on the Structural and Electrical Properties of Ti-Doped ITO Films Formed by IPVD | |
| TWI490353B (zh) | 鍍膜件及其製備方法 |