TH94477A - ขั้วไฟฟ้าด้านหน้าพร้อมชั้นฟิล์มโลหะบางและชั้นบัฟเฟอร์ฟังก์ชันงานสูงสำหรับใช้ในอุปกรณ์โฟโตวอลเทอิกและวิธีการผลิตสิ่งเดียวกัน - Google Patents

ขั้วไฟฟ้าด้านหน้าพร้อมชั้นฟิล์มโลหะบางและชั้นบัฟเฟอร์ฟังก์ชันงานสูงสำหรับใช้ในอุปกรณ์โฟโตวอลเทอิกและวิธีการผลิตสิ่งเดียวกัน

Info

Publication number
TH94477A
TH94477A TH701005547A TH0701005547A TH94477A TH 94477 A TH94477 A TH 94477A TH 701005547 A TH701005547 A TH 701005547A TH 0701005547 A TH0701005547 A TH 0701005547A TH 94477 A TH94477 A TH 94477A
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
metal film
photovoltaic devices
buffer layer
layer
front electrode
Prior art date
Application number
TH701005547A
Other languages
English (en)
Other versions
TH160165A (th
TH94477B (th
Inventor
แครสนอฟ นายอเล็กซีย์
Original Assignee
นางดารานีย์ วัจนะวุฒิวงศ์
นางสาวสนธยา สังขพงศ์
นายณัฐพล อร่ามเมือง
Filing date
Publication date
Publication of TH94477A publication Critical patent/TH94477A/th
Application filed by นางดารานีย์ วัจนะวุฒิวงศ์, นางสาวสนธยา สังขพงศ์, นายณัฐพล อร่ามเมือง filed Critical นางดารานีย์ วัจนะวุฒิวงศ์
Publication of TH160165A publication Critical patent/TH160165A/th
Publication of TH94477B publication Critical patent/TH94477B/th

Links

Abstract

DC60 การประดิษฐ์นี้เกี่ยวข้องกับขั้วไฟฟ้าด้านหน้าหรือหน้าสัมผัสสำหรับใช้ในอุปกรณ์ อิเล็กทรอนิกส์เช่นอุปกรณ์โฟโตวอลเทอิก ในรูปลักษณะตัวอย่างบางอย่าง ขั้วไฟฟ้าด้านหน้าของ อุปกรณ์โฟโตวอลเทอิกประกอบรวมด้วยฟิล์มโลหะนำไฟฟ้าสูงและชั้นบัฟเฟอร์ฟังก์ชันงานสูงที่ บาง ชั้นบัฟเฟอร์ฟังก์ชันงานสูงอยู่ระหว่างฟิล์มโลหะและชั้นสารกึ่งตัวนำด้านบนสุดเพื่อจัดเตรียม การจับคู่ฟังก์ชันงานอย่างเป็นสำคัญระหว่างฟิล์มโลหะและชั้นสารกึ่งตัวนำด้านบนสุดฟังก์ชันงาน สูงเพื่อลดศักย์ขวางกั้นสำหรับรูที่แยกจากอุปกรณ์โดยขั้วไฟฟ้า/หน้าสัมผัสด้านหน้า ในแบบที่เป็น ทางเลือก ชั้นหนึ่งเช่นออกไซด์นำไฟฟ้าโปร่งใส (TCO) หรือไดอิเล็กตริกสามารถได้รับการจัด เตรียมได้ระหว่างซับสเตรตแก้วด้านหน้าและฟิล์มโลหะ การประดิษฐ์นี้เกี่ยวข้องกับขั้วไฟฟ้าด้านหน้าหรือหน้าสัมผัสสำหรับใช้ในอุปกรณ์ อิเล็กทรอนิกส์เช่นอุปกรณ์โฟโตวิลเทอิก ในรูปลักษณะตัวอย่างบางอย่าง ขั้วไฟฟ้าด้านหน้าของ อุปกรณ์โฟโตวอลเทอิกประกอบรวมด้วยฟิล์มโลหะนำไฟฟ้าสูงและชั้นบัฟเฟอร์ฟังก์ชันงานสูงที่ บาง ชั้นบัฟเฟอร์ฟังก์ชันงานสูงอยู่ระหว่างฟิล์มโลหะและชั้นสารกึ่งตัวนำด้านบนสุดเพื่อเตรียม การจับคู่ฟังก์ชันงานอย่างเป็นสำคัญระหว่างฟิล์มโลหะและชั้นสารกึ่งตัวนำด้านบนสุดฟังก์ชันงาน สูงเพื่อลดศักย์ขวางกั้นสำหรับรูที่แยกจากอุปกรณ์โดยขั้วไฟฟ้า/หน้าสัมผัสด้านหน้า ในแบบที่เป็น ทางเลือก ชั้นหนึ่งเช่นออกไซด์นำไฟฟ้าโปร่งใส (TCO) หรือไดอิเล็กตริกสามารถได้รับการจัด เตรียมได้ระหว่างซับสเตรทแก้วด้านหน้าและฟิล์มโลหะ

Claims (1)

1. อุปกรณ์โฟโตวอลเทอิกที่ประกอบด้วย ซับสเตรทแก้วด้านหน้า ฟิล์มสารกึ่งตัวนำแอกทีฟ โครงสร้างขั้วไฟฟ้าด้านหน้าที่นำไฟฟ้าและโปร่งใสอย่างเป็นสำคัญที่อยู่ระหว่างซับสเตรต แก้วด้านหน้าและฟิล์มสารกึ่งตัวนำเป็นอย่างน้อยที่สุด ซึ่งโครงสร้างขั้วไฟฟ้าด้านหน้าประกอบด้วยฟิล์มโลหะโปร่งใสอย่างเป็นสำคัญ และฟิล์ม บัฟเฟอร์ฟังก์ชันงานสูง และ ซึ่งฟิล์มบัฟเฟอร์ฟังก์ชันงานสูงมีฟังก์ชันงานที่สูงกว่าฟังก์ชันงานของฟิล์มโลหะ และฟิล์ม บัฟเฟอร์แท็ก :
TH701005547A 2014-02-27 แผ่นเหล็กกล้าไร้สนิมออสเทนนิติกและกระบวนการสำหรับการผลิตวัสดุเหล็กกล้า ชนิดไม่เป็นแม่เหล็กที่มีขีดจำกัดความยืดหยุ่นสูงจากวัสดุดังกล่าว TH94477B (th)

Publications (3)

Publication Number Publication Date
TH94477A true TH94477A (th) 2009-03-13
TH160165A TH160165A (th) 2017-02-23
TH94477B TH94477B (th) 2023-06-20

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SG137767A1 (en) Thin film transistor substrate and display device
WO2010039341A3 (en) Front electrode having etched surface for use in photovoltaic device and method of making same
TW201130139A (en) Thin film transistor
FR2932009B1 (fr) Cellule photovoltaique et substrat de cellule photovoltaique
EA201390096A1 (ru) Стекло с электрическим присоединительным элементом
EP2378572A3 (en) Electrode configuration for a light emitting device
WO2008029060A3 (fr) Substrat pour dispositif electroluminescent organique, utilisation et procede de fabrication de ce substrat, ainsi que dispositif electroluminescent organique.
WO2008112056A3 (en) Buffer layer for front electrode structure in photovoltaic device or the like
RU2012142175A (ru) Электронные устройства, содержащие прозрачные проводящие покрытия, содержащие углеродные нанотрубки и композиты из нанопроводов, и способы их изготовления
JP4970621B2 (ja) 配線層、半導体装置、液晶表示装置
TW200705674A (en) Thin film transistor and manufacturing method thereof
EP2317561A3 (en) Solar cell device and manufacturing method therefor
JP2011100995A5 (ja) 半導体装置
EP2290705A3 (en) Solar cell and fabricating method thereof
MY167301A (en) Semiconductor device and method for producing same
FR2982422B1 (fr) Substrat conducteur pour cellule photovoltaique
CN104867985A (zh) 一种薄膜晶体管、其制备方法、阵列基板及显示装置
JPWO2011024770A1 (ja) 半導体装置、半導体装置を有する液晶表示装置、半導体装置の製造方法
TW200707750A (en) Flat panel display and manufacturing method of flat panel display
EP2362438A3 (en) Light emitting device and method of manufacturing the same
JP2020194945A (ja) ディスプレイ用酸化物半導体薄膜、ディスプレイ用薄膜トランジスタ及びスパッタリングターゲット
WO2010141089A3 (en) Higher selectivity, method for passivating short circuit current paths in semiconductor devices
TW200636980A (en) Pixel structure, active matrix substrate, method of manufacturing active matrix substrate, electro-optical device, and electronic apparatus
FR2976729B1 (fr) Substrat a electrode pour dispositif oled et un tel dispositif oled
WO2007073601A8 (en) Pixel structure for a solid state light emitting device