TH94477A - ขั้วไฟฟ้าด้านหน้าพร้อมชั้นฟิล์มโลหะบางและชั้นบัฟเฟอร์ฟังก์ชันงานสูงสำหรับใช้ในอุปกรณ์โฟโตวอลเทอิกและวิธีการผลิตสิ่งเดียวกัน - Google Patents
ขั้วไฟฟ้าด้านหน้าพร้อมชั้นฟิล์มโลหะบางและชั้นบัฟเฟอร์ฟังก์ชันงานสูงสำหรับใช้ในอุปกรณ์โฟโตวอลเทอิกและวิธีการผลิตสิ่งเดียวกันInfo
- Publication number
- TH94477A TH94477A TH701005547A TH0701005547A TH94477A TH 94477 A TH94477 A TH 94477A TH 701005547 A TH701005547 A TH 701005547A TH 0701005547 A TH0701005547 A TH 0701005547A TH 94477 A TH94477 A TH 94477A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- film
- function
- photovoltaic device
- approximately
- metal film
- Prior art date
Links
Abstract
DC60 การประดิษฐ์นี้เกี่ยวข้องกับขั้วไฟฟ้าด้านหน้าหรือหน้าสัมผัสสำหรับใช้ในอุปกรณ์ อิเล็กทรอนิกส์เช่นอุปกรณ์โฟโตวอลเทอิก ในรูปลักษณะตัวอย่างบางอย่าง ขั้วไฟฟ้าด้านหน้าของ อุปกรณ์โฟโตวอลเทอิกประกอบรวมด้วยฟิล์มโลหะนำไฟฟ้าสูงและชั้นบัฟเฟอร์ฟังก์ชันงานสูงที่ บาง ชั้นบัฟเฟอร์ฟังก์ชันงานสูงอยู่ระหว่างฟิล์มโลหะและชั้นสารกึ่งตัวนำด้านบนสุดเพื่อจัดเตรียม การจับคู่ฟังก์ชันงานอย่างเป็นสำคัญระหว่างฟิล์มโลหะและชั้นสารกึ่งตัวนำด้านบนสุดฟังก์ชันงาน สูงเพื่อลดศักย์ขวางกั้นสำหรับรูที่แยกจากอุปกรณ์โดยขั้วไฟฟ้า/หน้าสัมผัสด้านหน้า ในแบบที่เป็น ทางเลือก ชั้นหนึ่งเช่นออกไซด์นำไฟฟ้าโปร่งใส (TCO) หรือไดอิเล็กตริกสามารถได้รับการจัด เตรียมได้ระหว่างซับสเตรตแก้วด้านหน้าและฟิล์มโลหะ การประดิษฐ์นี้เกี่ยวข้องกับขั้วไฟฟ้าด้านหน้าหรือหน้าสัมผัสสำหรับใช้ในอุปกรณ์ อิเล็กทรอนิกส์เช่นอุปกรณ์โฟโตวิลเทอิก ในรูปลักษณะตัวอย่างบางอย่าง ขั้วไฟฟ้าด้านหน้าของ อุปกรณ์โฟโตวอลเทอิกประกอบรวมด้วยฟิล์มโลหะนำไฟฟ้าสูงและชั้นบัฟเฟอร์ฟังก์ชันงานสูงที่ บาง ชั้นบัฟเฟอร์ฟังก์ชันงานสูงอยู่ระหว่างฟิล์มโลหะและชั้นสารกึ่งตัวนำด้านบนสุดเพื่อเตรียม การจับคู่ฟังก์ชันงานอย่างเป็นสำคัญระหว่างฟิล์มโลหะและชั้นสารกึ่งตัวนำด้านบนสุดฟังก์ชันงาน สูงเพื่อลดศักย์ขวางกั้นสำหรับรูที่แยกจากอุปกรณ์โดยขั้วไฟฟ้า/หน้าสัมผัสด้านหน้า ในแบบที่เป็น ทางเลือก ชั้นหนึ่งเช่นออกไซด์นำไฟฟ้าโปร่งใส (TCO) หรือไดอิเล็กตริกสามารถได้รับการจัด เตรียมได้ระหว่างซับสเตรทแก้วด้านหน้าและฟิล์มโลหะ
Claims (30)
1. อุปกรณ์โฟโตวอลเทอิกที่ประกอบด้วย ซับสเตรทแก้วด้านหน้า ฟิล์มสารกึ่งตัวนำแอกทีฟ โครงสร้างขั้วไฟฟ้าด้านหน้าที่นำไฟฟ้าและโปร่งใสอย่างเป็นสำคัญที่อยู่ระหว่างซับสเตรต แก้วด้านหน้าและฟิล์มสารกึ่งตัวนำเป็นอย่างน้อยที่สุด ซึ่งโครงสร้างขั้วไฟฟ้าด้านหน้าประกอบด้วยฟิล์มโลหะโปร่งใสอย่างเป็นสำคัญ และฟิล์ม บัฟเฟอร์ฟังก์ชันงานสูง และ ซึ่งฟิล์มบัฟเฟอร์ฟังก์ชันงานสูงมีฟังก์ชันงานที่สูงกว่าฟังก์ชันงานของฟิล์มโลหะ และฟิล์ม บัฟเฟอร์ฟังก์ชันงานสูงอยู่ระหว่างฟิล์มโลหะและส่วนด้านบนสุดของฟิล์มสารกึ่งตัวนำ
2. อุปกรณ์โฟโตวอลเทอิกของข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งฟิล์มบัฟเฟอร์ฟังก์ชันงานสูง ประกอบด้วยฟิล์ม TCO
3. อุปกรณ์โฟโตวอลเทอิกของข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งฟิล์มบัฟเฟอร์ฟังก์ชันงานสูง ประกอบด้วยอินเดียมทินออกไซด์
4. อุปกรณ์โฟโตวอลเทอิกของข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งฟิล์มบัฟเฟอร์ฟังก์ชันงานสูง ประกอบด้วยอินเดียมทินออกไซด์ (ITO) ที่มีออกซิเจนเข้มข้น
5. อุปกรณ์โฟโตวอลเทอิกของข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งฟิล์มโลหะประกอบด้วยชั้นโลหะที่ หนึ่งและที่สองอย่างเป็นสำคัญที่ทำมาจากโลหะแตกต่างกัน
6. อุปกรณ์โฟโตวอลเทอิกของข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งฟิล์มบัฟเฟอร์ฟังก์ชันงานสูงสัมผัส โดยตรงกับแต่ละฟิล์มโลหะและฟิล์มสารกึ่งนำ
7. อุปกรณ์โฟโตวอลเทอิกของข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งฟิล์มโลหะมีฟังก์ชันงานไม่มาก กว่าประมาณ 4.2 eV และฟิล์มบัฟเฟอร์ฟังก์ชันงานสูงมีฟังก์ชันงานอย่างน้อยที่สุด 4.3 eV
8. อุปกรณ์โฟโตวอลเทอิกของข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งฟิล์มบัฟเฟอร์ฟังก์ชันงานสูงมี ฟังก์ชันงานอย่างน้อยที่สุดสูงกว่าฟังก์ชันงานของฟิล์มโลหะประมาณ 4% อย่างที่ควรเลือกใช้มาก ยิ่งขึ้นอย่างน้อยที่สุดสูงกว่า 6% และอย่างที่ควรเลือกใช้มากที่สุดสูงกว่าประมาณ 10% เป็นอย่าง น้อยที่สุด
9. อุปกรณ์โฟโตวอลเทอิกของข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งฟิล์มบัฟเฟอร์ฟังก์ชันงานสูงมี ฟังก์ชันงานจากประมาณ 4.0 ถึง 5.7 eV
10. อุปกรณ์โฟโตวอลเทอิกของข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งฟิล์มบัฟเฟอร์ฟังก์ชันงานสูงมี ฟังก์ชันงานจากประมาณ 4.3 ถึง 5.2 eV
11. อุปกรณ์โฟโตวอลเทอิกของข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งฟิล์มบัฟเฟอร์ฟังก์ชันงานสูงมี ฟังก์ชันงานจากประมาณ 4.8 ถึง 5.0 eV
12. อุปกรณ์โฟโตวอลเทอิกของข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งฟิล์มโลหะประกอบด้วย Cu, Ag, Au, AI, Ni และ/หรือ Pd หนึ่งหรือหลายอย่าง
13. อุปกรณ์โฟโตวอลเทอิกของข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งฟิล์มโลหะประกอบด้วยชั้นที่หนึ่ง ที่ประกอบด้วยโลหะที่หนึ่งเป็นมูลฐานและชั้นที่สองที่ประกอบด้วยโลหะที่สองที่แกต่างกันเป็นมูล ฐาน
14. อุปกรณ์โฟโตวอลเทอิกของข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งฟิล์มโลหะหนาจากประมาณ 20- 600 อังสตรอม และฟิล์มบัฟเฟอร์ฟังก์ชันงานสูงหนาจากประมาณ 10 ถึง 1,000 อังสตรอม
15. อุปกรณ์โฟโตวอลเทอิกของข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งฟิล์มโลหะหนาจากประมาณ 40- 200 อังสตรอม และฟิล์มบัฟเฟอร์ฟังก์ชันงานสูงหนาจากประมาณ 10 ถึง 100 อังสตรอม
16. อุปกรณ์โฟโตวอลเทอิกของข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งยังประกอบด้วยฟิล์มใจกลางที่อยู่ ระหว่างซับสเตรตแก้วด้านหน้าและฟิล์มโลหะ
17. อุปกรณ์โฟโตวอลเทอิกของข้อถือสิทธิข้อ 16 ซึ่งฟิล์มใจกลางประกอบด้วย ออกไซด์นำไฟฟ้าโปร่งใส
18. อุปกรณ์โฟโตวอลเทอิกของข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งฟิล์มบัฟเฟอร์ฟังก์ชันงานสูงเป็น ฟิล์มไดอิเล็กตริก
19. อุปกรณ์โฟโตวอลเทอิกของข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งฟิล์มบัฟเฟอร์ฟังก์ชันงานสูงเป็น ไดอิเล็กตริกและมีความหนาจากประมาณ 5-30 อังสตรอม
20. อุปกรณ์โฟโตวอลเทอิกของข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งฟิล์มสารกึ่งตัวนำประกอบด้วย ซิลิคอนอสัณฐานไฮโดรจิเนเต็ท
21. อุปกรณ์โฟโตวอลเทอิกของข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งยังประกอบด้วยขั้วไฟฟ้าด้านหลัง ซึ่งฟิล์มสารกึ่งตัวนำแอกทีฟได้รับการจัดเตรียมไว้ระหว่างขั้วไฟฟ้าด้านหน้าและขั้วไฟฟ้าด้านหลัง เป็นอย่างน้อยที่สุด
22. อุปกรณ์โฟโตวอลเทอิกของข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งฟิล์มบัฟเฟอร์ฟังก์ชันงานสูงแบ่ง ประเภทตามออกซิเดชั่น ต่อเนื่องหรือไม่ต่อเนื่อง เพื่อให้มีปริมาณส่วนผสมของออกซิเจนที่ติดกับ ฟิล์มสารกึ่งตัวนำสูงกว่าฟิล์มโลหะที่อยู่ติดกัน
23. โครงสร้างขั้วไฟฟ้าที่ได้รับกาปรับให้เหมาะสมสำหรับใช้ในอุปกรณ์โฟโตวอลเทอิก โครงสร้างข้วไฟฟ้าประกอบด้วย ซับเสรตแก้ว ฟิล์มโลหะโปร่งใสอย่างเป็นสำคัญี่ได้รับการรองรับไว้โดยซับสเตรทแก้ว ฟิล์มบัฟเฟอร์ฟังก์ชันงานสูงที่ได้รับการรองรับไว้โดยซับสเตรทแก้ว ซึ่งฟิล์มบัฟเฟอร์ ฟังก์ชันงานสูงมีฟังก์ชันงานที่สูงกว่าฟังก์ชันงานของฟิล์มโลหะ และฟิล์มโลหะอยู่ระหว่างฟิล์มบัฟ เฟอร์ฟังก์ชันงานสูงและซับสเตรทแก้วเป็นอย่างน้อยที่สุด
24. โครงสร้างขั้วไฟฟ้าของข้อถือสิทธิข้อ 23 ซึ่งฟิล์มบัฟเฟอร์ฟังก์ชันงานสูงประกอบ ด้วยฟิล์ม TCO
25. โครงสร้างขั้วไฟฟ้าของข้อถือสิทธิข้อ 23 ซึ่งฟิล์มโลหะประกอบด้วยชั้นโลหะอย่าง เป็นสำคัญที่แตกต่างกันที่หนึ่งและที่สอง
26. โครงสร้างขั้วไฟฟ้าของข้อถือสิทธิข้อ 23 ซึ่งฟิล์มบัฟเฟอร์ฟังก์ชันงานสูงสัมผัส ฟิล์มโลหะโดยตรงและได้รับการปรับให้เหมาะเพื่อสัมผัสกับฟิล์มสารกึ่งตัวนำของอุปกรณ์ไฟ โตวอลเทอิกโดยตรง
27. โครงสร้างขั้วไฟฟ้าของข้อถือสิทธิข้อ 23 ซึ่งฟิล์มโลหะมีฟังก์ชันงานไม่มากกว่า ประมาณ 4.2 eV และฟิล์มบัฟเฟอร์ฟังก์ชันงานสูงมีฟังก์ชันงานอย่างน้อยที่สุด 4.3 eV และซึ่ง ฟิล์มบัฟเฟอร์ฟังก์ชันงานสูงมีฟังก์ชันงานอย่างน้อยที่สุดสูงกว่าฟังก์ชันงานของฟิล์มโลหะ ประมาณ 4%
28. โครงสร้างขั้วไฟฟ้าของข้อถือสิทธิข้อ 23 ซึ่งฟิล์มโลหะหนาจากประมาณ 40-200 อังสตรอมและฟิล์มบัฟเฟอร์ฟังก์ชันงานสูงหนาจากประมาณ 10 ถึง 100 อังตรอม
29. โครงสร้างขั้วไฟฟ้าของข้อถือสิทธิข้อ 23 ซึ่งยังประกอบด้วยฟิล์มใจกลางที่อยู่ ระหว่างซับสเตรทแก้วและฟิล์มโลหะ ซึ่งฟิล์มใจกลางประกอบด้วยออกไซด์โลหะ
30. โครงสร้างขั้วไฟฟ้าของข้อถือสิทธิข้อ 23 ซึ่งฟิล์มบัฟเฟอร์ฟังก์ชันงานสูงเป็นฟิล์ม ไดอิเล็กตริกและมีความหนาจากประมาณ 5-30 อังสตรอม
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH94477A true TH94477A (th) | 2009-03-13 |
| TH160165A TH160165A (th) | 2017-02-23 |
| TH94477B TH94477B (th) | 2023-06-20 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2435251C2 (ru) | Передний электрод со слоем тонкой металлической пленки и буферным слоем с высокой работой выхода для применения в фотоэлектрическом приборе и способ получения таковых | |
| KR101320229B1 (ko) | 배선 구조 및 배선 구조를 구비한 표시 장치 | |
| JP2024518760A5 (th) | ||
| EP1383179A2 (en) | Organic semiconductor device | |
| US20120060912A1 (en) | Method of forming conductive electrode structure and method of manufacturing solar cell with the same, and solar cell manufactured by the method of manufacturing solar cell | |
| RU2009137906A (ru) | Буферный слой для структуры переднего электрода в фотоэлектрическом приборе или ему подобном | |
| US20150084034A1 (en) | Thin film transistor substrate and display | |
| SG137767A1 (en) | Thin film transistor substrate and display device | |
| US20210408178A1 (en) | Display panel and manufacturing method thereof | |
| CN104766803B (zh) | Tft的制作方法及tft、阵列基板、显示装置 | |
| KR20160073923A (ko) | 박막트랜지스터 어레이 기판 | |
| CN105070766B (zh) | 一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置 | |
| KR100720087B1 (ko) | 표시 소자용 배선 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 기판및 그 제조 방법 | |
| CN111613634A (zh) | 显示面板 | |
| JP6068425B2 (ja) | 電極構造 | |
| TWI258048B (en) | Structure of TFT electrode for preventing metal layer diffusion and manufacturing method thereof | |
| CN103069578B (zh) | 光伏器件及其制造方法 | |
| CN109148477B (zh) | Tft阵列基板及显示面板 | |
| JP2019165192A (ja) | アクティブマトリクス基板 | |
| CN104115282A (zh) | 太阳能电池装置及其制造方法 | |
| JPWO2017043522A1 (ja) | 太陽電池および太陽電池の製造方法 | |
| KR101288189B1 (ko) | 이종접합 태양전지의 전극 형성 방법 | |
| KR102617444B1 (ko) | 박막 트랜지스터 기판 | |
| KR20180000181A (ko) | 다층 투명전극 및 그 제조방법 | |
| CN110872687B (zh) | 层叠体及靶材 |