TH87269A - ระบบ และวิธีการการเคลือบต้านทานการสึกกร่อน และวิสเคอร์ - Google Patents

ระบบ และวิธีการการเคลือบต้านทานการสึกกร่อน และวิสเคอร์

Info

Publication number
TH87269A
TH87269A TH401004000A TH0401004000A TH87269A TH 87269 A TH87269 A TH 87269A TH 401004000 A TH401004000 A TH 401004000A TH 0401004000 A TH0401004000 A TH 0401004000A TH 87269 A TH87269 A TH 87269A
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
tin
layer
silver
mentioned
conductive
Prior art date
Application number
TH401004000A
Other languages
English (en)
Other versions
TH45346B (th
TH87269B (th
Inventor
เอฟ. เช็น นายซูเชน
เอ. ลาเซียค นายนิโคล
อี. เกอร์เฟน นายจอห์น
ดับบลิว. โรบินสัน นายปีเตอร์
เอ. คาห์น นายอาบิด
Original Assignee
นายดำเนิน การเด่น
นายต่อพงศ์ โทณะวณิก
นายวิรัช ศรีเอนกราธา
นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์
นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์
Filing date
Publication date
Application filed by นายดำเนิน การเด่น, นายต่อพงศ์ โทณะวณิก, นายวิรัช ศรีเอนกราธา, นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์, นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์ filed Critical นายดำเนิน การเด่น
Publication of TH87269A publication Critical patent/TH87269A/th
Publication of TH87269B publication Critical patent/TH87269B/th
Publication of TH45346B publication Critical patent/TH45346B/th

Links

Abstract

DC60 (07/08/57) ซับสเทรทที่นำไฟฟ้าที่เคลือบแล้ว (26) ที่ซึ่งมีหลายลีดที่เว้นระยะว่างอย่างชิดใกล้ (10) และ ดีบุกวิสเคอร์ประกอบเป็นวงจรลัดศักย์ ซับสเทรท (26) เช่นนั้น รวมถึง ลีดเฟรม, เทอร์มินัลพิน และ รอยวงจร ซับสเทรทที่นำไฟฟ้า (26) นี้มีจำนวนหนึ่งของลีด (16) ที่แยกกันโดยระหว่าง (14) ที่ สามารถที่จะเชื่อมโดยดีบุกวิสเคอร์, ชั้นเงิน หรืออัลลอยที่มีเงินเป็นพื้นฐาน (28) ซึ่งเคลือบอย่างน้อย หนึ่งผิว, และดีบุกชั้นเกรนละเอียด หรืออัลลอยที่มีดีบุกเป็นพื้นฐาน (30) ซึ่งเคลือบโดยตรง ชั้นเงินที่ กล่าวแล้วนั้น ซับสเทรดที่นำไฟฟ้าที่เคลือบแล้ว (26) ที่เป็นทางเลือกอื่นมีประโยชน์เฉพาะ เมื่อเศษจาก การสึกกร่อนอาจออกซิไดซ์ และเพิ่มสภาพต้านทานไฟฟ้า, ดังเช่น ในชุดประกอบตัวต่อเชื่อม ซับสเทรทที่นำไฟฟ้า (26) นี้ มีชั้นตัวกั้นขวาง (32) ที่เกาะจับบนซับสเทรท (26) ชั้นที่เกาะจับลำดับต่อ ไป รวมถึงชั้นที่สูญเสีย (34) ที่เกาะจับบนชั้นตัวกั้นขวาง (32) ที่มีประสิทธิภาพที่จะก่อเกิด การประกอบอินเทอร์เมทัลลิคด้วยดีบุก, ชั้นโลหะออกไซด์สภาพต้านทานต่ำ (40) และชั้นด้านนอก สุด (36) ของดีบุก หรืออัลลอยที่มีดีบุกเป็นพื้นฐาน ชั้นตัวกั้นขวาง (32) ที่ควรใช้คือ นิกเกิล หรืออัลลอยที่มีนิกเกิลเป็นพื้นฐาน และชั้นโลหะ ออกไซด์สภาพต้านทานต่ำ (40) ที่ควรใช้คือ เงิน หรืออัลลอยที่มีเงินเป็นพื้นฐาน (รูปเขียนที่ 4) ซับสเทรทที่นำไฟฟ้าที่เคลือบแล้ว (26) ที่ซึ่งมีหลายลีดที่เว้นระยะว่างอย่างชิดใกล้ (10) และ ดีบุกวิสเตอร์ประกอบเป็นวงจรลัดศักย์ ซับสเทรท (26) เช่นนั้น รวมถึง ลีดเฟรม, เทอร์มินัลพิน และ รอยวงจร ซับสเทรทที่นำไฟฟ้า (26) นี้มีจำนวนหนึ่งของลีด (16) ที่แยกกันโดยระหว่าง (14) ที่ สามารถที่จะเชื่อมโดยดีบุกวิสเคอร์, ชั้นเงิน หรืออัลลอยที่มีเงินเป็นพื้นฐาน (28) ซึ่งเคลือบอย่างน้อย หนึ่งผิว, และดีบุกชั้นเกรนละเอียด หรืออัลลอยที่มีดีบุกเป็นพื้นฐาน (30) ซึ่งเคลือบโดยตรง ชั้นเงินที่ กล่าวแล้วนั้น ซับสเทรดที่นำไฟฟ้าที่เคลือบแล้ว (26) ที่เป็นทางเลือกอื่นมีประโยชน์เฉพาะ เมื่อซากจากการ สึกเฟรททิงอาจออกซีไดซ์ และเพิ่มสภาพต้านทานไฟฟ้า, ดังเช่น ในชุดประกอบตัวต่อเชื่อม ซับสเทรทที่นำไฟฟ้า (26) นี้ มีชั้นตัวกั้นขวาง (32) ที่เกาะจับบนซับสเทรท (26) ชั้นที่เกาะจับลำดับต่อ ไป รวมถึงชั้นที่สูญเสีย (34) ที่เกาะจับบนชั้นตัวกั้นขวาง (32) ที่มีประสิทธิภาพที่จะก่อเกิดการ ประกอบอินเทอร์เมทัลลิคด้วยดีบุก, ชั้นโลหะออกไซด์สภาพต้านทานต่ำ (40) และชั้นด้านนอกสุด (36) ของดีบุก หรืออัลลอยที่มีดีบุกเป็นพื้นฐาน ชั้นตัวกั้นขวาง (32) ที่ควรใช้คือ นิกเกิล หรืออัลลอยที่มีนิกเกิลเป็นพื้นฐาน และชั้นโลหะ ออกไซด์สภาพต้านทานต่ำ (40) ที่ควรใช้คือ เงิน หรืออัลลอยที่มีเงินเป็นพื้นฐาน (รูปเขียนที่ 4)

Claims (5)

1. องค์ประกอบนำไฟฟ้า, ซึ่งประกอบรวมด้วย: จำนวนหนึ่งของส่วนสำคัญ (10) ที่แยกกันโดยระยะห่าง (24) ที่สามารถที่จะเชื่อมกันโดย ดีบุกวิสเคอร์; การเคลือบชั้นเงินหรืออัลลอยที่มีเงินเป็นพื้นฐาน (28) อย่างน้อยหนึ่งผิวของอย่างน้อยหนึ่ง ของหลายส่วนของส่วนสำคัญ (10) ที่กล่าวแล้วนั้น; การเคลือบชั้นดีบุกเกรนละเอียด หรืออัลลอยที่มีดีบุกเป็นพื้นฐาน (30) โดยตรงชั้นเงิน (28) ที่ กล่าวแล้วนั้น 2. องค์ประกอบนำไฟฟ้าของข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งระยะห่าง (24) ที่กล่าวแล้วนั้น เป็น 1 มิลลิเมตร หรือน้อยกว่า 3. องค์ประกอบนำไฟฟ้าของข้อถือสิทธิข้อ 2 ซึ่งจัดวางชั้นของทองแดงระหว่างอย่าง น้อยหนึ่งผิวที่กล่าวแล้วนั้น และการเคลือบเงิน หรืออัลลอยที่มีเงินเป็นพื้นฐาน (28) ที่กล่าวแล้วนั้น 4. องค์ประกอบนำไฟฟ้าของข้อถือสิทธิข้อ 2 ซึ่งหลายส่วนที่กล่าวแล้วนั้นของส่วน สำคั (10) ประกอบเป็นจำนวนหนึ่งของลีดและเคลือบเพียงส่วนหนึ่ง (23) ของแต่ละอันของหลาย อันของลีดด้วยชั้นเงิน หรืออัลลอยที่มีเงินเป็นพื้นฐาน (28) ที่กล่าวแล้วนั้น และด้วยชั้นดีบุกเกรน ละเอียด หรืออัลลอยที่มีดีบุกเป็นพื้นฐาน (30) ที่กล่าวแล้วนั้น 5. องค์ประกอบนำไฟฟ้าของข้อถือสิทธิข้อ 4 ซึ่งชั้นเงินหรืออัลลอยที่มีเงินเป็นพื้นฐาน (28) ที่กล่าวแล้วนั้น มีความหนาจาก 0.051 ไมครอน ถึง 1.02 ไมครอน (2 ไมโครอินช์ถึง 40 ไมโคร อินช์) 6. องค์ประกอบนำไฟฟ้าของข้อถือสิทธิข้อ 5 ซึ่งชั้นดีบุก หรืออัลลอยที่มีดีบุกเป็น พื้นฐาน (30) ที่กล่าวแล้วนั้น มีความหนาจาก 0.51 ไมครอน ถึง 3.8 ไมครอน (20 ไมโครอินช์ ถึง 150 ไมโครอินช์) 7. องค์ประกอบนำไฟฟ้าของข้อถือสิทธิข้อ 6 ซึ่งอัลลอยที่มีดีบุกเป็นพื้นฐาน (30) ที่ กล่าวแล้วนั้น ปราศจากตะกั่ว 8. องค์ประกอบนำไฟฟ้าของข้อถือสิทธืข้อ 6 ซึ่งดีบุก หรืออัลลอยที่มีดีบุกเป็นพื้นฐาน (30) มีขนาดเกรนเฉลี่ยจาก 0.1 ไมครอน ถึง 100 ไมครอน 9. แพคเกจซึ่งห่อหุ้มอุปกรณ์วงจรรวม หนึ่งอุปกรณ์หรือมากกว่า (16), ซึ่งประกอบรวม ด้วย: ลีดเฟรมนำไฟฟ้า (10) ที่มีดายแพดเคิลที่จัดวางที่ย่านกลาง (14) และจำนวนหนึ่งของลีดที่ ขยายออกด้านนอกจากที่ตั้งที่ชิดกับดายแพดเคิล (14) ที่กล่าวแล้วนั้น, ซึ่งแต่ละอันของหลายอันของ ลีดที่กล่าวแล้วนั้น มีส่วนภายใน (12), ส่วนกลาง (21) และส่วนด้านนอก (23); อุปกรณ์วงจรรวม (16) ที่ยึดติดกับดายแพดเคิล (14) ที่กล่าวแล้วนั้น และที่เชื่อมต่อระหว่าง กันเชิงไฟฟ้ากับส่วนภายใน (12) ที่กล่าวแล้วนั้น; และ เรซินการอัดแบบ (22) ที่ห่อหุ้มดายแพดเคิล (14) ที่กล่าวแล้วนั้น, อุปกรณ์วงจรรวม (16), ส่วนภายใน (12) และส่วนกลาง (21) ของลีดที่กล่าวแล้วนั้น, ด้วยส่วนด้านนอก (23) ที่กล่าวแล้วนั้น ซึ่งขยายออกด้านนอกจากพอลิเมอร์ (22) ที่กล่าวแล้วนั้น; ซึ่งส่วนด้านนอก (23) ที่กล่าวแล้วนั้น เว้นระยะว่างห่างจากส่วนด้านนอกที่ชิดกันโดยระยะ ห่าง (24) ที่สามารถที่จะเชื่อมโดยดีบุกวิสเคอร์ และเคลือบด้วยชั้นของเงิน หรืออัลลอยที่มีเงินเป็น พื้นฐาน (28), แล้วจึงเคลือบโดยตรงด้วยชั้นของดีบุก หรืออัลลอยที่มีดีบุกเป็นพื้นฐาน (30) 1 0. องค์ประกอบนำไฟฟ้าของข้อถือสิทธิข้อ 9 ซึ่งระยะห่าง (24) ที่กล่าวแล้วนั้นเป็น 1 มิลลิเมตร หรือน้อยกว่า 1 1. องค์ประกอบนำไฟฟ้าของข้อถือสิทธิข้อ 10 ซึ่งจัดวางชั้นของทองแดงระหว่างผิว ของส่วนด้านนอกที่กล่าวแล้วนั้นและการเคลือบเงิน หรืออัลลอยที่มีเงินเป็นพื้นฐาน (28) ที่กล่าวแล้ว นั้น 1 2. องค์ประกอบนำไฟฟ้าของข้อถือสิทธิข้อ 11 ซึ่งชั้นเงิน หรืออัลลอยที่มีเงินเป็น พื้นาน (28) ที่กล่าวมาแล้วนั้น มีความหนาจาก 0.051 ไมครอน ถึง 0.51 ไมครอน (2 ไมโครอินช์ถึง 20 ไมโครอินช์) 1 3. องค์ประกอบนำไฟฟ้าของข้อถือสิทธิข้อ 12 ซึ่งชั้นดีบุก หรืออัลลอยที่มีดีบุกเป็น พื้นฐาน (30) ที่กล่าวมาแล้วนั้นมีความหนาจาก 0.51 ไมครอน ถึง 3.8 ไมครอน (20 ไมโครอินช์ ถึง 150 ไมโครอินช์) 1 4. องค์ประกอบนำไฟฟ้าของข้อถือสิทธิข้อ 13 ซึ่งอัลลอยที่มีดีบุกเป็นพื้นฐาน (30) ที่ กล่าวแล้วนั้น ปราศจากตะกั่ว 1 5. องค์ประกอบนำไฟฟ้าของข้อถือสิทธิข้อ 13 ซึ่งชั้นดีบุก หรืออัลลอยที่มีดีบุกเป็น พื้นฐาน (30) ที่กล่าวมาแล้วนั้นมีขนาดเกรนเฉลี่ยจาก 0.1 ไมครอน ถึง 100 ไมครอน 1 6. วัสดุนำไฟฟ้าที่เคลือบด้วยจำนวนหนึ่งของชั้น (32, 34, 40, 36), ซึ่งประกอบรวม ด้วย: ซับสเทรทที่นำไฟฟ้า (26); ชั้นตัวกั้นขวาง (32) ที่เกาะจับบนซับสเทรท (26) ที่กล่าวแล้วนั้น ที่มีประสิทธิภาพที่จะยับยั้ง การแพร่ของส่วนประกอบซับสเทรท (26) ที่กล่าวแล้วนั้น ไปยังหลายชั้นของชั้น (32, 34, 40, 36) ที่ กล่าวแล้วนั้น; ชั้นที่สูญเสีย (34) ที่เกาะจับบนชั้นตัวกั้นขวาง (32) ที่กล่าวแล้วนั้น ที่มีประสิทธิภาพที่จะก่อ เกิดสารประกอบอินเทอร์เมทัลลิดกับดีบุก; ชั้นโลหะออกไซด์สภาพต้านทานต่ำ (40) ที่เกาะจับบนชั้นที่สูญเสีย (34) ที่กล่าวแล้วนั้น; และ ชั้นด้านนอกสุดของดีบุก หรืออัลลอยที่มีดีบุกเป็นพื้นฐาน (36) ที่เกาะจับโดยตรงบนชั้น โลหะออกไซด์สภาพต้านทานต่ำ (40) ที่กล่าวแล้วนั้น 1 7. วัสดุนำไฟฟ้าของข้อถือสิทธิข้อ 16 ซึ่งจัดวางชั้นของทองแดงระหว่างอย่างน้อยหนึ่ง ผิวที่กล่าวแล้วนั้น และชั้นโลหะออกไซด์สภาพต้านทานต่ำ (40) ที่กล่าวแล้วนั้น 1 8. วัสดุนำไฟฟ้าของข้อถือสิทธิข้อ 16 ซึ่งเลือกชั้นตัวกั้นขวาง (32) ที่กล่าวแล้วนั้น จาก หมู่ซึ่งประกอบด้วยนิกเกิล, โคบอลด์, เหล็ก, แมงกานีส, โครเมียม, โมลิบดินัม และอัลลอยขอโลหะ เหล่านั้น 1 9. วัสดุนำไฟฟ้าของข้อถือสิทธิข้อ 18 ซึ่งชั้นตัวกั้นขวาง (32) ที่กล่าวแล้วนั้น เป็น นิกเกิล หรืออัลลอยที่มีนิกเกิลเป็นพื้นฐาน 2 0. วัสดุนำไฟฟ้าของข้อถือสิทธิข้อ 19 ซึ่งชั้นตัวกั้นขวางนิกเกิล หรืออัลลอยที่มีนิกเกิล เป็นพื้นฐาน (32) ที่กล่าวแล้วนั้น มีความหนาจาก 0.102 ไมครอน ถึง 0.51 ไมครอน (4 ไมโครอินช์ ถึง 20 ไมโครอินช์) 2 1. วัสดุนำไฟฟ้าของข้อถือสิทธิข้อ 19 ซึ่งชั้นที่สูญเสีย (34) ที่กล่าวแล้วนั้น เป็นทองแดง หรืออัลลอยที่มีทองแดงเป็นพื้นฐาน 2 2. วัสดุนำไฟฟ้าของข้อถือสิทธิข้อ 21 ซึ่งชั้นที่สูญเสียทองแดง หรืออัลลอยที่มีทองแดง เป็นพื้นฐาน (34) ที่กล่าวแล้วนั้น มีความหนาจาก 0.051 ไมครอน ถึง 1.52 ไมครอน (2 ไมโครอินช์ ถึง 60 ไมโครอินช์) 2 3. วัสดุนำไฟฟ้าของข้อถือสิทธิข้อ 22 ซึ่งเลือกโลหะออกไซด์สภาพต้านทานต่ำ (40) ที่ กล่าวแล้วนั้น จากหมู่เงิน, อินเดียม, เหล็ก, สังกะสี, ไนโอเบียม, รีเนียม, รูทีเนียม, วาเนเดียม, ทอง, แพลทินัม, แพลเลเดียม และอัลลอยของโลหะเหล่านั้น 2 4. วัสดุนำไฟฟ้าของข้อถือสิทธิข้อ 23 ซึ่งชั้นโลหะออกไซด์สภาพต้านทานต่ำ (40) ที่ กล่าวแล้วนั้น มีความหนาจาก0.13 ไมครอน ถึง 1.02 ไมครอน (5 ไมโครอินช์ ถึง 40 ไมโครอินช์) 2 5. วัสดุนำไฟฟ้าของข้อถือสิทธิข้อ 24 ซึ่งชั้นโลหะออกไซด์สภาพต้านทานต่ำ (40) ที่ กล่าวแล้วนั้น เป็นเงิน หรืออัลลอยที่มีเงินเป็นพื้นฐาน 2 6. วัสดุนำไฟฟ้าของข้อถือสิทธิข้อ 25 ซึ่งชั้นเงิน หรืออัลลอยที่มีเงินเป็นพื้นฐาน (40) ที่ กล่าวแล้วนั้น มีความหนาจาก 0.13 ไมครอน ถึง 1.02 ไมครอน (5 ไมโครอินช์ ถึง 20 ไมโครอินช์) 2 7. วัสดุนำไฟฟ้าของข้อถือสิทธิข้อ 25 ซึ่งชั้นด้านนอกสุดของดีบุก หรืออัลลอยที่มีดีบุก เป็นพื้นฐาน (36) ที่กล่าวแล้วนั้น มีขนาดเกรนเฉลี่ยเกิน 0.5 มิลลิเมตร 2 8. ชุดประกอบตัวต่อเชื่อมทางไฟฟ้า ซึ่งรวมถึงเต้ารับ (42) และโพรบ (44), ด้วยอย่าง น้อยหนึ่งของเต้ารับ (42) หรือโพรบ (44) ที่กล่าวแล้วนั้น ซึ่งประกอบรวมด้วย: ซับสเทรทที่นำไฟฟ้า (26); ชั้นตัวกั้นขวาง (32) ที่เกาะจับบนซับสเทรท (26) ที่กล่าวแล้วนั้น ที่มีประสิทธิภาพที่จะยับยั้ง การแพร่ของส่วนประกอบซับสเทรท (26) ที่กล่าวแล้วนั้น กับหลายชั้นของชั้น (32, 34, 40, 36); ชั้นที่สูญเสีย (34) ที่เกาะจับบนชั้นตัวกั้นขวาง (32) ที่กล่าวแล้วนั้น ที่มีประสิทธิภาพที่จะก่อ เกิดสารประกอบอินเทอร์เมทัลลิดกับดีบุก; ชั้นโลหะออกไซด์สภาพต้านทานต่ำ (40) ที่เกาะจับบนชั้นที่สูญเสีย (34) ที่กล่าวแล้วนั้น; และ ชั้นด้านนอกสุดของดีบุก หรืออัลลอยที่มีดีบุกเป็นพื้นฐาน (36) ที่เกาะจับโดยตรงบนชั้น โลหะออกไซด์สภาพต้านทานต่ำ (40) ที่กล่าวแล้วนั้น 2 9. วัสดุนำไฟฟ้าของข้อถือสิทธิข้อ 28 ซึ่งจัดวางชั้นของทองแดงระหว่างอย่างน้อยหนึ่ง ผิวที่กล่าวแล้วนั้น และชั้นโลหะออกไซด์สภาพต้านทานต่ำ (40) ที่กล่าวแล้วนั้น 3 0. วัสดุนำไฟฟ้าของข้อถือสิทธิข้อ 28 ซึ่งเลือกชั้นตัวกั้นขวาง (32) ที่กล่าวแล้วนั้น จาก หมู่ซึ่งประกอบด้วยนิกเกิล, โคบอลต์, เหล็ก, แมงกานีส, โครเมียม, โมลิบดินัม และอัลลอยของโลหะ เหล่านั้น 3 1. วัสดุนำไฟฟฟ้าของข้อถือสิทธิข้อ 30 ซึ่งชั้นตัวกั้นขวาง (32) ที่กล่าวแล้วนั้น มีความ หนาจาก 0.1 ไมครอน ถึง 1.02 ไมครอน (4 ไมโครอินช์ ถึง 40 ไมโครอินช์) 3 2. วัสดุนำไฟฟ้าของข้อถือสิทธิข้อ 31 ซึ่งชั้นตัวกั้นขวาง (32) ที่กล่าวแล้วนั้น เป็น นิกเกิล หรืออัลลอยที่มีนิกเกิลเป็นพื้นฐาน 3 3. วัสดุนำไฟฟ้าของข้อถือสิทธิข้อ 32 ซึ่งชั้นที่สูญเสีย (34) ที่กล่าวแล้วนั้น เป็นทองแดง หรืออัลลอยที่มีทองแดงเป็นพื้นฐาน 3 4. วัสดุนำไฟฟ้าของข้อถือสิทธิข้อ 33 ซึ่งเลือกชั้นโลหะออกไซด์สภาพต้านทานต่ำ (40) ที่กล่าวแล้วนั้นจากหมู่เงิน, อินเดียม, เหล็ก, สังกะสี, ไนโอเบียม, รีเนียม, รูทีเนียม, วาเนเดียม, ทอง, แพลทินัม, แพลเลเดียม และอัลลอยของโลหะเหล่าตนั้น 3 5. วัสดุนำไฟฟ้าของข้อถือสิทธิข้อ 34 ซึ่งชั้นโลหะออกไซด์สภาพต้านทานต่ำ (40) ที่ กล่าวแล้วนั้น เป็นเงินหรืออัลลอยที่มีเงินเป็นพื้นฐาน 3 6. วัสดุนำไฟฟ้าของข้อถือสิทธิข้อ 35 ซึ่งชั้นด้านนอกสุดของดีบุก หรืออัลลอยที่มีดีบุก เป็นพื้นฐาน (36) ที่กล่าวแล้วนั้น มีขนาดเกรนเฉลี่ยเกิน 0.5 มิลลิเมตร 3 7. โครงสร้างเชิงประกอบซึ่งประกอบรวมด้วย; ซับสเทรท ทองแดง หรืออัลลอยที่มีทองแดงเป็นพื้นฐาน (26); ชั้นแทรกที่ก่อเกิดจากของผสม หรือโลหะ ซึ่งรวมถึงทองแดง และดีบุก (88, 98, 100); และ ชั้นด้านนอกสุด ซึ่งเป็นวัฏภาคที่มีของผสมของทองแดง-ดีบุกอินเทอร์เมทัลลิค (90, 94, 102) และวัฏภาคที่มีเงินมาก (92) 3 8. โครงสร้างเชิงประกอบของข้อถือสิทธิข้อ 37 ซึ่งวัฏภาคที่มีทองแดง-ดีบุก อินเทอร์เมทัลลิค (90, 94, 102) ที่กล่าวแล้วนั้น มีนอกจากนั้นด้วยเงิน 3 9. โครงสร้างเชิงประกอบของข้อถือสิทธิข้อ 38 ซึ่งวัฏภาคที่มีเงินมาก (92) ที่กล่าวแล้ว นั้น มีนอกจากนั้นด้วยทองแดง และดีบุก 4 0. โครงสร้างเชิงประกอบของข้อถือสิทธิข้อ 39 ซึ่งชั้นบางของดีบุกอิสระ หรืออัลลอย ที่มีดีบุกอิสระเป็นพื้นฐานซ้อนบนชั้นด้านนอกสุดที่กล่าวแล้วนั้น 4 1. วิธีการสำหรับการผลิตของการเคลือบต้านทานดีบุกวิสเคอร์, ซึ่งประกอบรวมด้วย ขั้นตอนของ (a) การให้ซับสเทรที่มีจำนวนหนึ่งของส่วนสำคัญที่นำไฟฟ้าที่เว้นระยะว่างที่แยกกัน โดยระยะห่าง ที่สามารถที่จะเชื่อมโดยดีบุกวิสเคอร์; (b) การเคลือบ (62) อย่างน้อยส่วนหนึ่งของส่วนสำคัญที่กล่าวแล้วนั้น ด้วยชั้นของเงิน หรืออัลลอยที่มีเงินเป็นพื้นฐาน; (c) การเคลือบโดยตรง (64) ชั้นของเงิน หรืออัลลอยที่มีเงินเป็นพื้นฐานที่กล่าวแล้วนั้น ด้วยขั้นของดีบุกเกรนละเอียด หรืออัลลอยที่มีดีบุกเป็นพื้นฐาน 4 2. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 41 ซึ่งส่วนสำคัญที่นำไฟฟ้าที่กล่าวมาแล้วนั้น ประกอบเป็น ลีดที่แต่ละอันมีส่วนภายใน, ส่วนกลาง และส่วนด้านนอก และเคลือบอย่างน้อยส่วนด้านนอก (62) ด้วยจาก 0.025 ไมครอน ถึง 3.05 ไมครอน (1 ไมโครอินช์ ถึง 120 ไมโครอินช์) ของเงิน หรืออัลลอยที่ มีเงินเป็นพื้นฐาน โดยกรรมวิธีที่เลือกจากหมู่ซึ่งประกอบด้วยการชุบด้วยไฟฟ้า และการชุบด้วยการแช่ 4 3. วิธีกการของข้อถือสิทธิข้อ 42 ซึ่งทำให้เกิดซับสเทรทที่กล่าวแล้วนั้น ลงในลีดเฟรมที่ มีดายแพดเคิลที่จัดวางที่ย่านกลางจากส่วนภายในที่กล่าวแล้วนั้นของลีดที่กล่าวแล้วนั้น และเคลือบ ดายแพดเคิลที่กล่าวแล้วนั้น และส่วนภายในที่กล่าวแล้วนั้น (56) ด้วยเงิน หรืออัลลอยที่มีเงินเป็น พื้นฐานก่อนขั้นตอน (b) 4 4. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 43 ซึ่งห่อหุ้มดายแพดเคิลที่กล่าวแล้วนั้น และส่วนลีดภาย ในที่กล่าวแล้วนั้น (58) ในพอลิเมอร์เรซิน ก่อนขั้นตอน (b) 4 5. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 44 ซึ่งส่วนกลางที่กล่าวแล้วนั้น ของลีดที่กล่าวแล้วนั้น ถือ ได้ว่าปราศจากการเคลือบเงิน หรืออัลลอยที่มีเงินเป็นพื้นฐาน เมื่อห่อหุ้ม (58) ในพอลิเมอร์เรซินที่ กล่าวแล้วนั้น 4 6. วิธีการสำหรับการผลิตขององค์ประกอบที่ต้านทานต่อซากการสึกเฟรททิงที่เหนี่ยว นำการเพิ่มในสภาพต้านทาน, ซึ่งประกอบรวมด้วยขั้นตอนของ: (a) การเคลือบ (70) ซับสเทรทที่นำไฟฟ้าด้วยชั้นตัวกั้นขวางที่มีประสิทธิภาพที่จะป้อง กันการแพร่ของส่วนประกอบของซับสเทรทที่นำไฟฟ้าที่กล่าวแล้วนั้น ผ่านที่อุณหภูมิบริการที่คาดไว้ ล่วงหน้าขององค์ประกอบที่กล่าวแล้วนั้น; (b) การเคลือบ (72) ชั้นตัวกั้นขวางที่กล่าวแล้วนั้น ด้วยชั้นที่สูญเสียที่มีประสิทธิภาพเพื่อ ทำให้เกิดอินเทอร์เมทัลลิคด้วยชั้นการเคลือบด้านนอกสุดขององค์ประกอบที่กล่าวแล้วนั้น; (c) การเคลือบ (74) ชั้นที่สูญเสียที่กล่าวแล้วนั้น ด้วยชั้นโลหะออกไซด์ หรือโลหะ อัลลอยสภาพต้านทานต่ำ; (d) การเคลือบ (76) โดยตรง ชั้นโลหะออกไซด์ หรือโลหะอัลลอยสภาพต้านทานต่ำ ด้วยชั้นด้านนอกสุดที่มีอุณหภูมิหลอมเหลวน้อยกว่าอุณหภูมิหลอมเหลวของซับสเทรทใดซับสเทรท หนึ่งของซับสเทรทที่นำไฟฟ้าที่กล่าวแล้วนั้น, ชั้นตัวกั้นขวางที่กล่าวแล้วนั้น, ชั้นที่สูญเสียที่กล่าวแล้ว นั้น, และชั้นโลหะออกไซด์ หรือโลหะอัลลอยสภาพต้านทานต่ำที่กล่าวแล้วนั้น; และ (e) การให้ความร้อน (78) ซับสเทรทที่นำไฟฟ้าที่เคลือบแล้วที่กล่าวแล้วนั้น ถึงอุณหภูมิ ที่มีประสิทธิภาพที่จะหลอมเหลว และไหลซ้ำชั้นด้านนอกสุดที่กล่าวแล้วนั้น 4 7. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 46 ซึ่งก่อนขั้นตอน (a) เคลือบซับสเทรทที่นำไฟฟ้าด้วยชั้น ของทองแดง 4 8. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 47 ซึ่งเลือกชั้นตัวกั้นขวางที่กล่าวแล้วนั้น จากหมู่ซึ่ง ประกอบด้วยนิกเกิล, โคบอลต์, เหล็ก, แมงกานีส, โครเมียม, โมลิบดินัม และอัลลอย และของผสม ของโลหะเหล่านั้น 4 9. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 48 ซึ่งเลือกชั้นที่สูญเสียที่กล่าวแล้วนั้น ให้เป็นทองแดง หรืออัลลอยที่มีทองแดงเป็นพื้นฐาน 5 0. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 49 ซึ่งเลือกชั้นโลหะออกไซด์สภาพต้านทานต่ำที่กล่าวแล้ว นั้น จากหมู่ซึ่งประกอบด้วยเงิน, อินเดียม, เหล็ก, ไนโอเบียม, รีเนียม, รูทีเนียม, วาเนเดียม, ทอง, แพลทินัม, แพลเลเดียม และสังกะสี 5
1. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 50 ซึ่งเลือกชั้นโลหะออกไซด์สภาพต้านทานต่ำที่กล่าวแล้ว นั้น ให้เป็นเงิน หรืออัลลอยที่มีเงินเป็นพื้นฐานที่เกาะจับ (74) โดยที่วิธีการที่เลือกจากหมู่ซึ่งประกอบ ด้วยการชุบด้วยไฟฟ้า และการชุบด้วยการแช่ถึงความหนาจาก 0.025 ไมครอน ถึง 3.05 ไมครอน (1 ไมโครอินช์ ถึง 120 ไมโครอินช์) 5
2. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 51 ซึ่งรวมขั้นตอน (d) (76) และ (e) (78) เข้าในขั้นตอน เดียว ดังเช่น กรรมวิธีดีบุกที่ปรับระดับด้วยอากาศร้อน (HALT) 5
3. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 52 ซึ่งชั้นด้านนอกสุดที่กล่าวแล้วนั้น เป็นดีบุก หรืออัลลอย ที่มีดีบุกเป็นพื้นฐานที่เกาะจับ (76) โดยการชุบด้วยไฟฟ้า 5
4. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 56 ซึ่งถ้าไม่ก่อนก็หลังจากขั้นตอน (e), ให้ความร้อนแก่ ซับสเทรทที่นำไฟฟ้าที่เคลือบแล้วที่กล่าวแล้วนั้น ถึงอุณหภูมิใต้อุณหภูมิหลอมเหลวของดีบุก หรือ อัลลอยที่มีดีบุกเป็นพื้นฐานที่กล่าวแล้วนั้นเพื่อลดความหนาของดีบุกอิสระ 5
5. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 52 หรือข้อถือสิทธิข้อ 56 ซึ่งรวมถึงการทำให้เกิด (80) ซับสเทรทที่นำไฟฟ้าที่เคลือบแล้วที่กล่าวแล้วนั้น ลงในทั้งองค์ประกอบเต้ารับ และองค์ประกอบ โพรบของชุดประกอบตัวต่อเชื่อม
TH401004000A 2004-10-14 ระบบ และวิธีการการเคลือบต้านทานการสึกกร่อน และวิสเคอร์ TH45346B (th)

Publications (3)

Publication Number Publication Date
TH87269A true TH87269A (th) 2007-10-31
TH87269B TH87269B (th) 2007-10-31
TH45346B TH45346B (th) 2015-07-28

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100594604C (zh) 抗磨损和晶须的涂覆系统和方法
US20210167034A1 (en) Chip arrangements
JP5868968B2 (ja) 電子デバイスを製造する方法
US20150322586A1 (en) Bonding wire and process for manufacturing a bonding wire
JP2002339097A (ja) 近表面をドープしたスズまたはスズ合金で被覆された金属製品
CN104051381B (zh) 用于改善电迁移的球下金属结构及其形成方法
CN101981235A (zh) 连接零件用金属材料及其制造方法
JP2014040675A5 (th)
JP2001319946A5 (th)
TW201347060A (zh) 功率半導體裝置及其製造方法、以及接合線
EP3564412A1 (en) Surface treatment material and article fabricated using same
CN106057762B (zh) 丝线键合系统及相关方法
JPH11222659A (ja) 金属複合帯板を製造する方法
CN110301040B (zh) 附有载体箔的超薄铜箔
WO2017179447A1 (ja) リードフレーム材およびその製造方法
CN110382224A (zh) 附有载体箔的超薄铜箔
JPH04337657A (ja) 半導体装置用リードフレーム
TH87269A (th) ระบบ และวิธีการการเคลือบต้านทานการสึกกร่อน และวิสเคอร์
TH45346B (th) ระบบ และวิธีการการเคลือบต้านทานการสึกกร่อน และวิสเคอร์
US9520347B2 (en) Lead frame construct for lead-free solder connections
US20150079421A1 (en) Electrical component and method for fabricating same
WO2014091632A1 (ja) 温度ヒューズ用電極材料およびその製造方法
CN101515573A (zh) 用于一半导体集成电路的导电结构
JP6186802B2 (ja) 電子デバイス用の接合構造及び電子デバイス
CN110402193A (zh) 附有载体箔的超薄铜箔