TH87269A - ระบบ และวิธีการการเคลือบต้านทานการสึกกร่อน และวิสเคอร์ - Google Patents
ระบบ และวิธีการการเคลือบต้านทานการสึกกร่อน และวิสเคอร์Info
- Publication number
- TH87269A TH87269A TH401004000A TH0401004000A TH87269A TH 87269 A TH87269 A TH 87269A TH 401004000 A TH401004000 A TH 401004000A TH 0401004000 A TH0401004000 A TH 0401004000A TH 87269 A TH87269 A TH 87269A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- tin
- layer
- silver
- mentioned
- conductive
- Prior art date
Links
Abstract
DC60 (07/08/57) ซับสเทรทที่นำไฟฟ้าที่เคลือบแล้ว (26) ที่ซึ่งมีหลายลีดที่เว้นระยะว่างอย่างชิดใกล้ (10) และ ดีบุกวิสเคอร์ประกอบเป็นวงจรลัดศักย์ ซับสเทรท (26) เช่นนั้น รวมถึง ลีดเฟรม, เทอร์มินัลพิน และ รอยวงจร ซับสเทรทที่นำไฟฟ้า (26) นี้มีจำนวนหนึ่งของลีด (16) ที่แยกกันโดยระหว่าง (14) ที่ สามารถที่จะเชื่อมโดยดีบุกวิสเคอร์, ชั้นเงิน หรืออัลลอยที่มีเงินเป็นพื้นฐาน (28) ซึ่งเคลือบอย่างน้อย หนึ่งผิว, และดีบุกชั้นเกรนละเอียด หรืออัลลอยที่มีดีบุกเป็นพื้นฐาน (30) ซึ่งเคลือบโดยตรง ชั้นเงินที่ กล่าวแล้วนั้น ซับสเทรดที่นำไฟฟ้าที่เคลือบแล้ว (26) ที่เป็นทางเลือกอื่นมีประโยชน์เฉพาะ เมื่อเศษจาก การสึกกร่อนอาจออกซิไดซ์ และเพิ่มสภาพต้านทานไฟฟ้า, ดังเช่น ในชุดประกอบตัวต่อเชื่อม ซับสเทรทที่นำไฟฟ้า (26) นี้ มีชั้นตัวกั้นขวาง (32) ที่เกาะจับบนซับสเทรท (26) ชั้นที่เกาะจับลำดับต่อ ไป รวมถึงชั้นที่สูญเสีย (34) ที่เกาะจับบนชั้นตัวกั้นขวาง (32) ที่มีประสิทธิภาพที่จะก่อเกิด การประกอบอินเทอร์เมทัลลิคด้วยดีบุก, ชั้นโลหะออกไซด์สภาพต้านทานต่ำ (40) และชั้นด้านนอก สุด (36) ของดีบุก หรืออัลลอยที่มีดีบุกเป็นพื้นฐาน ชั้นตัวกั้นขวาง (32) ที่ควรใช้คือ นิกเกิล หรืออัลลอยที่มีนิกเกิลเป็นพื้นฐาน และชั้นโลหะ ออกไซด์สภาพต้านทานต่ำ (40) ที่ควรใช้คือ เงิน หรืออัลลอยที่มีเงินเป็นพื้นฐาน (รูปเขียนที่ 4) ซับสเทรทที่นำไฟฟ้าที่เคลือบแล้ว (26) ที่ซึ่งมีหลายลีดที่เว้นระยะว่างอย่างชิดใกล้ (10) และ ดีบุกวิสเตอร์ประกอบเป็นวงจรลัดศักย์ ซับสเทรท (26) เช่นนั้น รวมถึง ลีดเฟรม, เทอร์มินัลพิน และ รอยวงจร ซับสเทรทที่นำไฟฟ้า (26) นี้มีจำนวนหนึ่งของลีด (16) ที่แยกกันโดยระหว่าง (14) ที่ สามารถที่จะเชื่อมโดยดีบุกวิสเคอร์, ชั้นเงิน หรืออัลลอยที่มีเงินเป็นพื้นฐาน (28) ซึ่งเคลือบอย่างน้อย หนึ่งผิว, และดีบุกชั้นเกรนละเอียด หรืออัลลอยที่มีดีบุกเป็นพื้นฐาน (30) ซึ่งเคลือบโดยตรง ชั้นเงินที่ กล่าวแล้วนั้น ซับสเทรดที่นำไฟฟ้าที่เคลือบแล้ว (26) ที่เป็นทางเลือกอื่นมีประโยชน์เฉพาะ เมื่อซากจากการ สึกเฟรททิงอาจออกซีไดซ์ และเพิ่มสภาพต้านทานไฟฟ้า, ดังเช่น ในชุดประกอบตัวต่อเชื่อม ซับสเทรทที่นำไฟฟ้า (26) นี้ มีชั้นตัวกั้นขวาง (32) ที่เกาะจับบนซับสเทรท (26) ชั้นที่เกาะจับลำดับต่อ ไป รวมถึงชั้นที่สูญเสีย (34) ที่เกาะจับบนชั้นตัวกั้นขวาง (32) ที่มีประสิทธิภาพที่จะก่อเกิดการ ประกอบอินเทอร์เมทัลลิคด้วยดีบุก, ชั้นโลหะออกไซด์สภาพต้านทานต่ำ (40) และชั้นด้านนอกสุด (36) ของดีบุก หรืออัลลอยที่มีดีบุกเป็นพื้นฐาน ชั้นตัวกั้นขวาง (32) ที่ควรใช้คือ นิกเกิล หรืออัลลอยที่มีนิกเกิลเป็นพื้นฐาน และชั้นโลหะ ออกไซด์สภาพต้านทานต่ำ (40) ที่ควรใช้คือ เงิน หรืออัลลอยที่มีเงินเป็นพื้นฐาน (รูปเขียนที่ 4)
Claims (5)
1. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 50 ซึ่งเลือกชั้นโลหะออกไซด์สภาพต้านทานต่ำที่กล่าวแล้ว นั้น ให้เป็นเงิน หรืออัลลอยที่มีเงินเป็นพื้นฐานที่เกาะจับ (74) โดยที่วิธีการที่เลือกจากหมู่ซึ่งประกอบ ด้วยการชุบด้วยไฟฟ้า และการชุบด้วยการแช่ถึงความหนาจาก 0.025 ไมครอน ถึง 3.05 ไมครอน (1 ไมโครอินช์ ถึง 120 ไมโครอินช์) 5
2. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 51 ซึ่งรวมขั้นตอน (d) (76) และ (e) (78) เข้าในขั้นตอน เดียว ดังเช่น กรรมวิธีดีบุกที่ปรับระดับด้วยอากาศร้อน (HALT) 5
3. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 52 ซึ่งชั้นด้านนอกสุดที่กล่าวแล้วนั้น เป็นดีบุก หรืออัลลอย ที่มีดีบุกเป็นพื้นฐานที่เกาะจับ (76) โดยการชุบด้วยไฟฟ้า 5
4. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 56 ซึ่งถ้าไม่ก่อนก็หลังจากขั้นตอน (e), ให้ความร้อนแก่ ซับสเทรทที่นำไฟฟ้าที่เคลือบแล้วที่กล่าวแล้วนั้น ถึงอุณหภูมิใต้อุณหภูมิหลอมเหลวของดีบุก หรือ อัลลอยที่มีดีบุกเป็นพื้นฐานที่กล่าวแล้วนั้นเพื่อลดความหนาของดีบุกอิสระ 5
5. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 52 หรือข้อถือสิทธิข้อ 56 ซึ่งรวมถึงการทำให้เกิด (80) ซับสเทรทที่นำไฟฟ้าที่เคลือบแล้วที่กล่าวแล้วนั้น ลงในทั้งองค์ประกอบเต้ารับ และองค์ประกอบ โพรบของชุดประกอบตัวต่อเชื่อม
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TH87269A true TH87269A (th) | 2007-10-31 |
TH87269B TH87269B (th) | 2007-10-31 |
TH45346B TH45346B (th) | 2015-07-28 |
Family
ID=
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN100594604C (zh) | 抗磨损和晶须的涂覆系统和方法 | |
US20210167034A1 (en) | Chip arrangements | |
JP5868968B2 (ja) | 電子デバイスを製造する方法 | |
US20150322586A1 (en) | Bonding wire and process for manufacturing a bonding wire | |
JP2002339097A (ja) | 近表面をドープしたスズまたはスズ合金で被覆された金属製品 | |
CN104051381B (zh) | 用于改善电迁移的球下金属结构及其形成方法 | |
CN101981235A (zh) | 连接零件用金属材料及其制造方法 | |
JP2014040675A5 (th) | ||
JP2001319946A5 (th) | ||
TW201347060A (zh) | 功率半導體裝置及其製造方法、以及接合線 | |
EP3564412A1 (en) | Surface treatment material and article fabricated using same | |
CN106057762B (zh) | 丝线键合系统及相关方法 | |
JPH11222659A (ja) | 金属複合帯板を製造する方法 | |
CN110301040B (zh) | 附有载体箔的超薄铜箔 | |
WO2017179447A1 (ja) | リードフレーム材およびその製造方法 | |
CN110382224A (zh) | 附有载体箔的超薄铜箔 | |
JPH04337657A (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
TH87269A (th) | ระบบ และวิธีการการเคลือบต้านทานการสึกกร่อน และวิสเคอร์ | |
TH45346B (th) | ระบบ และวิธีการการเคลือบต้านทานการสึกกร่อน และวิสเคอร์ | |
US9520347B2 (en) | Lead frame construct for lead-free solder connections | |
US20150079421A1 (en) | Electrical component and method for fabricating same | |
WO2014091632A1 (ja) | 温度ヒューズ用電極材料およびその製造方法 | |
CN101515573A (zh) | 用于一半导体集成电路的导电结构 | |
JP6186802B2 (ja) | 電子デバイス用の接合構造及び電子デバイス | |
CN110402193A (zh) | 附有载体箔的超薄铜箔 |