TH65871A - กรรมวิธีสำหรับการทำให้เกิดรูในซับสเตรตแบบพอลิเมอร์ - Google Patents

กรรมวิธีสำหรับการทำให้เกิดรูในซับสเตรตแบบพอลิเมอร์

Info

Publication number
TH65871A
TH65871A TH301002346A TH0301002346A TH65871A TH 65871 A TH65871 A TH 65871A TH 301002346 A TH301002346 A TH 301002346A TH 0301002346 A TH0301002346 A TH 0301002346A TH 65871 A TH65871 A TH 65871A
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
film
procedure
curing
metal
polymer
Prior art date
Application number
TH301002346A
Other languages
English (en)
Other versions
TH39578B (th
Inventor
ซี. ออลสัน นายเควิน
อี. หวาง นายอลัน
Original Assignee
นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์
นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์
นายบุญมา เตชะวณิช
นายต่อพงศ์ โทณะวณิก
Filing date
Publication date
Application filed by นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์, นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์, นายบุญมา เตชะวณิช, นายต่อพงศ์ โทณะวณิก filed Critical นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์
Publication of TH65871A publication Critical patent/TH65871A/th
Publication of TH39578B publication Critical patent/TH39578B/th

Links

Abstract

DC60 (22/09/46) สิ่งที่ได้รับการจัดเตรียม คือ กรรมวิธีสำหรับการทำให้เกิดรูผ่านที่ทะลุซับสเตรต ที่รวมถึง ขั้นตอนต่างๆ ของ (a) การจัดเตรียมฟิล์มที่ปราศจากโพรงอย่างเป็นสำคัญของสารผสมที่สามารถบ่มได้ (b) การนำมาใช้ของฉนวนชุบไว้บนฟิล์มที่สามารถบ่มได้นั้น (c) การทำให้เกิดเป็นภาพของฉนวนชุบ ในตำแหน่งซึ่งได้รับการกำหนดไว้ล่วงหน้าแล้ว (d) การดีวีโลพฉนวนชุบให้เผยออกของพื้นที่ซึ่งได้ รับการกำหนดไว้ล่วงหน้าแล้วของฟิล์มที่สามารถบ่มได้นั้น (e) การขจัดพื้นที่ซึ่งได้รับการเผยออก ของฟิล์มที่สามารถบ่มได้เพื่อที่จะจัดขึ้นรูปเป็นรูที่ทะลุฟิล์มที่สามารถบ่มได้นั้น และ (f) การให้ความ ร้อนกับฟิล์มที่สามารถบ่มได้ของขั้นตอน (e) จนถึงอุณหภูมิค่าหนึ่งและเป็นเวลานานค่าหนึ่งที่เพียงพอ ที่จะบ่มสารผสมที่สามารถบ่มได้นั้น และสิ่งที่ได้รับการเปิดเผยอีก คือ กรรมวิธีของการสร้างเป็นชุด ประกอบวงจรที่รวมถึง การสร้างชั้นวงจรที่ได้รับการกำหนดแบบรูปอยู่บนซับสเตรต ที่มี รูผ่านที่ได้ รับการเตรียมไว้โดยกรรมวิธีที่ได้รับการกล่าวถึงแล้วก่อนหน้านี้ สิ่งที่ได้รับการจัดเตรียม คือ กรรมวิธีสำหรับการทำให้เกิดรูผ่านที่ทะลุซับสเตรต ที่รวมถึง ขั้นตอนต่างๆ ของ (a) การจัดเตรียมฟิล์มที่ปราศจากโพรงอย่างเป็นสำคัญของสารผสมที่สามารถบ่มได้ (b) การนำมาใช้ของฉนวนชุบไว้บนฟิล์มที่สามารถบ่มได้นั้น (c) การทำให้เกิดเป็นภาพของฉนวนชุบ ในตำแหน่งซึ่งได้รับการกำหนดไว้ล่วงหน้าแล้ว (d) การดีวีโลพฉนวนชุบให้เผยออกของพื้นที่ซึ่งได้ รับการกำหนดไว้ล่วงหน้าแล้วของฟิล์มที่สามารถบ่มได้นั้น (e) การขจัดพื้นที่ซึ่งได้รับการเผยออก ของฟิล์มที่สามารถบ่มได้เวพื่อที่จะจัดขึ้นรูปเป็นรูที่ทะลุฟิล์มที่สามารบ่มได้นั้น และ (f) การให้ความ ร้อนกับฟิล์มที่สามารถบ่มได้ของขั้นตอน (e) จนถึงอุณหภูมิค่าหนึ่งและเป็นเวลานานค่าหนึ่งที่เพียงพอ ที่จะบ่มสารผสมที่สามารถบ่มได้นั้น และสิ่งที่ได้รับการเปิดเผยอีก คือ กรรมวิธีของการสร้างเป็นชุด ประกอบวงจรที่รวมถึง การสร้างชั้นวงจรที่ได้รับการกำหนดแบบรูปอยู่บนซับสเตรต ที่มี รูผ่านที่ได้ รับการเตรียมไว้โดยกรรมวิธีที่ได้รับการกล่าวถึงแล้วก่อนหน้านี้

Claims (3)

ข้อถือสิทธฺ์ (ทั้งหมด) ซึ่งจะไม่ปรากฏบนหน้าประกาศโฆษณา : 1. กรรมวิธีสำหรับการสร้างรูผ่านทะลุซับสเตรตซึ่งประกอบรวมด้วยขั้นตอนต่อไปนี้ (a) การจัดให้มีฟิล์มที่สามารถบ่มได้ที่ปราศจากโพรงอย่างเป็นสำคัญที่ประกอบรวมด้วย สารผสมที่สามารถบ่มได้ (b) การนำมาใช้ของฉนวนชุบไว้บนฟิล์มที่สามารถบ่มได้ดังกล่าว (c) การทำให้เกิดเป็นภาพของฉนวนชุบดังกล่าวในตำเเหน่งซึ่งได้รับการไว้กำหนดล่วงหน้า (d) การดีวีโลพจฉนวนชุบดังกล่าวเพื่อเปิดเผยพื้นที่ซึ่งได้รับการกำหนดไว้ล่วงหน้าเเล้วของ ฟิล์มที่สามารถบ่มได้ (e) การขจัดพื้นที่ที่ได้รับการเผยออกของฟิล์มที่สามารถบ่มได้เพื่อก่อรูปรูผ่านฟิล์มที่สามารถ บ่มได้ดังกล่าว เเละ (f) การให้ความร้อนฟิล์มที่สามารหถบ่มได้ของขั้นตอน (e) จนถึงอุณหภูมิเเละเป็นเวลานาน พอเพียงเพื่อบ่มสารผสมที่สามารถบ่มได้ 2. กรรมวิธีของข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ซึ่งประกอบเพิ่มเติมรวมด้วยขั้นตอนต่อไปนี้ (g) การลอกฉนวนชุบที่เหลืออยู่ออก เเละ (h) อย่างเป็นทางเลือก การนำมาใช้ของชั้นของโลหะกับพื้นผิวทั้งหมด 3. กรรมวิธีของข้อถือสิทธิข้อที่ 2 โดยที่โลหะที่ได้รับการนำมาใช้ในขั้นตอน (h) ประกอบ รวมด้วยทองเเดง 4. กรรมวิธีของข้อถือสิทธิข้อที่ 2 ซึ่งประกอบเพิ่มเติมรวมด้วยขั้นตอนที่ตามมาต่อไปนี้ (i) การทำให้เกิดเป็นภาพเเละการดีวีโลพฉนวนชุบที่สองดังกล่าวเพื่อเปิดเผยเเบบรูปที่ กำหนดไว้ล่วงหน้าของโลหะที่อยู่ข้างใต้ที่ไม่ได้รับการปิดคลุม (k) การเเช่กัดส่วนที่ไม่ได้รับการปิดคลุมดังกล่าวของชั้นของโลหะที่อยู่ข้างใต้ เเละ (I) การลอกฉนวนชุดที่สองที่เหลืออยู่ออกเพื่อก่อรูปเเบบรูปวงจรไฟฟ้า 5. กรรมวิธีของข้อถือสิทธิข้อที่ 4 โดยที่ฉนวนชุบได้รับการทำให้เกิดเป็นภาพในขั้นตอน (i) บนพื้นผิวหลักทั้งสองด้านของซับสเตรตของขั้นตอน (i) 6. กรรมวิธีของข้อถือสิทธิข้อที่ 4 ซึ่งประกอบเพิ่มเติมรวมด้วยขั้นตอนที่ตามมาต่อไปนี้ (m) การนำมาใช้สารผสมไดอิเล็กตริกกับพื้นผิวทั้งหมด (n) การจัดให้มีรูในสารผสมไดอิเล็กตริกดังกล่าวในตำเเหน่งซึ่งได้รับการไว้กำหนดล่วงหน้า (o) การนำมาใช้ของชั้นที่สองของโลหะกับพื้นผิวทั้งหมด (p) การนำมาใช้ของฉนวนชุดที่สามกับพื้นผิวทั้งหมดของชั้นที่สองดังกล่าวของโลหะ (q) การทำให้เกิดเป็นภาพเเละการดีวีโลพฉนวนชุบที่สามดังกล่าวเพื่อเปิดเผยเเบบรูปที่ กำหนดไ่ว้ล่วงหน้าของชั้นที่สองของโลหะ เเละ (r) การเเช่กัดส่วนที่ได้รับการเผยออกดังกล่าวของชั้นที่สองของโลหะเพื่อก่อรูปเเบบรูปวงจร ไฟฟ้า 7. กรรมวิธีของข้อถือสิทธิข้อที่ 6 ซึ่งประกอบเพิ่มเติมรวมด้วยขั้นตอนดังต่อไปนี้ (s) การลอกฉนวนชุดที่สามที่เหลืออยู่ออก 8. กรรมวิธีของข้อถือสิทธิข้อที่ 7 โดยที่เมื่อมีการเสร็จสิ้นของขั้นตอน (s) ขั้นตอน (m) ถึง (s) จะถูกทำซ้ำหนึ่งครั้งหรือมากกว่าเพื่อให้จำนวนที่ต้องการของชั้นของเเบบรูปวงจรไฟฟ้าที่มีการชื่อม ต่อระหว่างกัน 9. กรรมวิธีของข้อถือสิทธิข้อที่ 2 โดยที่ขั้นตอน (f) จะถูกกระทำก่อนขั้นตอน (g) 1 0. กรรมวิธีของข้อถือสิทธิข้อที่ 2 โดยที่ขั้ันตอน (g) จะถูกกระทำก่อนขั้นตอน (f) 1 1. กรรมวิธีของข้อถือสิทธิข้อที่ 1 โดยที่สารผสมที่สามารถบ่มได้ดังกล่าวประกอบรวมด้วย (a) เรซินที่บรรจุด้วยเเอคทีฟไฮโดรเจนหนึ่งชนิดหรือมากกว่า เเละ (b) รีเอเจนต์การบ่มหนึ่งชนิดหรือมากกว่าที่ทำปฏิกิริยากับเเอคทีฟไฮโดรเจนของ (a) 1 2. กรรมวิธีของข้อถือสิทธิข้อที่ 11 โดยที่เรซินที่มีเเอคทีฟไฮโดรเจนดังกล่าวประกอบรวม ด้วยอย่างน้อยที่สุดพอลิเมอร์หนึ่งชนิดที่เลือกจากพอลิอีพอกไซด์พอลิเมอร์ อครีลิกพอลิเมอร์ พอลิเอสเตอร์พอลิเมอร์ ยูรีเธนพอลิเมอร์ พอลิเมอร์ที่มีพื้นฐานของซิลิคอน พอลิอีเธอร์พอลิเมอร์ พอลิยูเรียพอลิเมอร์ ไวนิลพอลิเมอร์ พอลิเอไมด์พอลิเมอร์ พอลิอิมีดพอลิเมอร์ ของผสมของสิ่งนั้น เเละโคโพลิเมอร์ของสิ่งนั้น 1 3. กรรมวิธีของข้อถือสิทธิข้อที่ 11 โดยที่ตัวกระทำการบ่มดังกล่าว (b) ถูกเลือกจาก ไอโซไซยาเนทที่ได้รับการบล็อก คาร์บอดีอิมีด อะเซอริดีน อีพอกซิ อะมิโนพลาสท์ เเอทีฟ เอสเตอร์ เเละของผสมของสิ่งนั้น 1 4. กรรมวิธีของข้อถือสิทธิข้อที่ 1 โดยที่ขั้นตอน (d) เเละ (e) จะเกิดขึ้นอย่างพร้อมเพรียงกัน 1 5. กรรมวิธีของข้อถือสิทธิข้อที่ 1 โดยที่ฉนวนชุบได้รับการดีวีโลพในขั้นตอน (d) โดยการ นำมาใช้ของสารละลายที่เป็นกรด เเละผิวเคลือบที่สามารถบ่มได้ถูกขจัดออกในขั้นตอน (e) โดยการ นำมาใช้ของสารละลายเบส 1 6. กรรมิวธีขอวข้อถือสิทธิข้อที่ 1 โดยที่ฉนวนชุบได้รับการดีวีโลพในขั้นตอน (d) โดยการ นำมาใช้ของสารละลายเบส เเละผิวเคลือบที่สามารถบ่มได้ถูกขจัดออกในขั้นตอน (e) โดยการนำมา ใช้ของสารละลายที่เป็นกรด 1 7. กรรมวิธีของข้อถือสิทธิข้อที่ 1 โดยที่สารผสมที่สามารถบ่มได้ถูกขจัดออกในขั้นตอน (e) โดยการนำตัวทำละลายเเบบอินทรีย์มาใช้ 1 8. กรรมวิธีของข้อถือสิทธิข้อที่ 1 โดยที่สารผสมที่ได้รับการบ่มหลังขั้นตอน (f) จะประกอบ รวมด้วยวัสดุไดอิเล็กตริก 1 9. กรรมวิธีสำหรับการประกอบสร้างชุดประกอบวงจรไฟฟ้าเเบบหลายชั้นซึ่งประกอบรวม ด้วยขั้นตอนต่อไปนี้ (a) การจัดให้มีฟิล์มที่สามารถบ่มได้ที่ปราศจากโพรงอย่างเป็นสำคัญของสารผสมที่สามารถ บ่มได้ (b) การนำมาใช้ของฉนวนชุบไว้บนฟิล์มที่สามารถบ่มได้ดังกล่าว (c) การทำให้เกิดเป็นภาพของฉนวนชุบดังกล่าวในตำเเหน่งซึ่งได้รับการไว้กำหนดล่วงหน้า (d) การดีวีโลพฉนวนชุบดังกล่าวเพื่อเปิดเผยพื้นที่ซึ่งได้รับการกำหนดไว้ล่วงหน้าเเล้วของ ฟิล์มที่สามารถบ่มได้ (e) การขจัดพื้นที่ที่ได้รับการเผยออกของฟิล์มที่สามารถบ่มได้เพื่อก่อรูปรูผ่านฟิล์มที่สามารถ บ่มได้ดังกล่าว (f) การให้ความร้อนฟิล์มที่สามารถบ่มได้ของขั้นตอน (e) จนถึงอุณหภูมิเเละเป็นเวลานาน พอเพียงเพื่อบ่มสารผสมที่สามารถบ่มได้ (g) การลอกฉนวนชุบที่เหลืออยู่ออก (h) การนำมาใช้ของชั้นของโลหะกับพื้นผิวทั้งหมด (i) การนำมาใช้ของฉนวนชุบที่สองเหนือพื้นผิวทั้งหมดของชั้นของโลหะที่ได้รับการนำมาใช้ ในขั้นตอน (h) (j) การทำให้เกิดเป็นภาพเเละการวีดีโลฑฉนวนชุบที่สองดังกล่าวเพื่อเปิดเผยเเบบรุปที่ กำหนดไว้ล่วงหน้าของโลหะที่อยู่ข้างใต้ที่ไม่ได้รับการปิดคลุม (k) การเเช่กัดส่วนที่ไม่ได้รับการปิดคลุมดังกล่าวของชั้นของโลหะที่อยู่ข้างใต้ (I) การลอกฉนวนชุดที่สองที่เหลืออยู่ออกเพื่อก่อรูปเเบบรูปวงจรไฟฟ้า (m) การนำสารผสมไดอิเล็กตริกมาใช้กับพื้นผิวทั้งหมด (n) การจัดให้มีฉนวนชุบในสารผสมไดอิเล็กตริกดังกล่าวในตำเเหน่งซึ่งได้รับการไว้กำหนด ล่วงหน้า (o) การนำมาใช้ของชั้นที่สองของโลหะกับพื้นผิวทั้งหมด (p) การนำมาใช้ของฉนวนชุบที่สามกับพื้นผิวทั้งหมดของชั้นที่สองดังกล่าวของโลหะ (q) การทำให้เกิดเป็นภาพเเละการดีวีโลพฉนวนชุบที่สามดังกล่าวเพื่อเปิดเผยเเบบรูปที่ กำหนดไว้ล่วงหน้าของชั้นที่สองของโลหะ (r) การเเช่กัดส่วนที่ได้รับการเผยออกดังกล่าวของชั้นที่สองของโลหะเพื่อก่อรูปเเบบรูปวงจร ไฟฟ้า (s) การลอกฉนวนชุดที่สามที่เหลืออยู่ออก เเละ (t) การทำซ้ำอย่างเป็นทางเลือกขั้นตอน (n) ถึง (t) หนึ่งครั้งหรือมากกว่า เพื่อก่อรูปชั้นหลาย ชั้นของเเบบรูปวงจรไฟฟ้าที่มีการเชื่อมต่อระหว่างกัน 2 0. กรรมวิธีของข้อถือสิทธิข้อที่ 19 โดยที่โลหะที่ได้รับการนำมาใช้ในขั้นตอน (h) ประกอบ รวมด้วยทองเเดง 2 1. กรรมวิธีของข้อถือสิทธิข้อที่ 19 โดยที่ขั้นตอน (f) ถูกกระทำก่อนขั้นตอน (g) 2 2. กรรมวิธีของข้อถือสิทธิข้อที่ 19 โดยที่ขั้นตอน (g) ถูกกระทำก่อนขั้นตอน (f) 2 3. กรรมวิธีของข้อถือสิทธิข้อที่ 19 โดยที่สารผสมที่สามารถบ่มได้ดังกล่าวประกอบ รวมด้วย (a) เรซินที่มีเเอคทีฟไฮโดรเจนหนึ่งหรือมากกว่า เเละ (b) รีเอเจนต์การบ่มหนึ่งชนิดหรือมากกว่าที่ทำปฏิกิริยากับเเอคทีฟไฮโดรเจนของ (a) 2 4. กรรมวิธีของข้อถือสิทธิข้อที่ 23 โดยที่เรซินที่มีเเอคทีฟไฮโดรเจนดังกล่าวประกอบรวม ด้วยอย่างน้อยที่สุดพอลิเมอร์หนึ่งชนิดที่เลือกจาก พอลิอีพอกไซด์พอลิเมอรื อครีลิกพอลิเมอร์ พอลิเอสเตอร์พอลิเมอร์ พอลิเมอร์ที่มีพื้นฐานของซิลิคอน ยูรีเธนพอลิเมอร์ พอลิลิกพอลิเมอร์ พอลิยูเรียพอลิเมอร์ ไวนิลพอลิเมอร์ พอลิเอไมด์พอลิเมอร์ พอลิอิมีดพอลิเมอร์ของผสมของสิ่งนั้น เเละโคโพลิเมอร์ของสิ่งนั้น 2 5. กรรมวิธีของข้อถือสิทธิข้อที่ 23 โดยที่ตัวกระทำการบ่มดังกล่าว (b) ถูกเลือกจาก ไอโซไซยาเนทที่ได้รับการบล็อก คาร์บอดีอิมีด อะเซอริดีน อีพอกซิ อะมิโนพลาสท์ เเอคทีฟ เอส เทอร์ เเละของผสมของสิ่งนั้น 2 6. กรรมวิธีของข้อถือสิทธิข้อที่ 19 โดยที่ขั้นตอน (d) เเละ (e) จะเกิดขึ้นอย่างพร้อมเพรียงกัน 2 7. กรรมวิธีของข้อถือสิทธิข้อที่ 19 โดยที่ฉนวนชุบได้รับการดีวีโลพในขั้นตอน (d) โดยการ นำมาใช้ของสารละลายที่เป็นกรด เเละผิวเคลือบที่สามารถบ่มได้ถูกขจัดออกในขั้นตอน (e) โดยการ นำมาใช้ของสารละลายเบส 2 8. กรรมวิธีวของข้อถือสิทธิข้อที่ 19 โดยที่ฉนวนชุบได้รับการดีวีโลพในขั้นตอน (d) โดยการ นำมาใช้ของสารละลายเบส เเละผิวเคลือบที่สามารถบ่มได้ถูกขจัดออกในขั้นตอน (e) โดยการนำมา ใช้ของสารละลายที่เป็นกรด 2 9. กรรมวิธีของข้อถือสิทธิข้อที่ 19 โดยที่สารผสมที่สามารถบ่มได้ถูกขจัดออกในขั้นตอน (e) โดยการนำมาใช้ตัวทำละลายเเบบอินทรีย์ 3 0. กรรมวิธีของข้อถือสิทธิข้อที่ 19 โดยที่สารผสมที่ได้รับการบ่มหลังขัันตอน (f) ประกอบ รวมด้วยวัสดุไดอิเล็กตริก 3 1. กรรมวิธีของข้อถือสิทธิข้อที่ 19 โดยที่ฉนวนชุบได้รับการทำให้เกิดเป็นภาพในขั้นตอน (j) บนพื้นผิวหลักทั้งสองด้านของซับสเตรตของขั้นตอน (i) 3 2. กรรมวิธีสำหรับการสร้างรูผ่านทะลุซับสเตรตซึ่งประกอบรวมด้วยขั้นตอนต่อไปนี้ (a) การจัดให้มีฟิล์มที่ปราศจากโพรงอย่างเป็นสำคัญ (b) การนำมาใช้ของฉนวนชุบไว้บนฟิล์มดังกล่าว (c) การทำให้เกิดเป็นภาพของฉนวนชุบดังกล่าวในตำเเหน่งซึ่งได้รับการไว้กำหนดล่วงหน้า (d) การดีวีโลพฉนวนชุบดังกล่าวเพื่อเปิดเผยพื้นที่ซึ่งได้รับการกำหนดไว้ล่วงหน้าเเล้วของ ฟิล์ม เเละ (e) การขจัดพื้นที่ที่ได้รับการเผยออกของฟิล์มเพื่อก่อรูปรูผ่านฟิล์มดังกล่าว 3 3. กรรมวิธีของข้อถือสิทธิข้อที่ 32 ซึ่งประกอบเพิ่มเติมรวมด้วยขั้นตอนต่อไปนี้ (g) การลอกฉนวนชุบที่เหลืออยู่ออก เเละ (h) อย่างเป็นทางเลือก การนำมาใช้ของชั้นของโลหะกับพื้นผิวทั้งหมด 3 4. กรรมวิธีของข้อถือสิทธิข้อที่ 33 โดยที่โลหะที่ได้รับการนำมาใช้ในขั้นตอน (h) ประกอบ รวมด้วยทองเเดง 3 5. กรรมวิธีของข้อถือสิทธิข้อที่ 32 โดยที่ฉนวนชุบได้รับการดีวีโลพในขั้นตอน (d) โดยการ นำมาใช้ของสารละลายที่เป็นกรด เเละพื้นที่ที่ได้รับการเผยออกของฟิล์มถูกขจัดออกในขั้นตอน (e) โดยการนำมาใช้ของสารละลายเบส 3 6. กรรมวิธีของข้อถือสิทธิข้อที่ 32 โดยที่ฉนวนชุบได้รับการดีวีโลพในขั้นตอน (d) โดยการ นำมาใช้ของสารละลายเบส เเละพื้นที่ที่ได้รับการเผยออกของฟิล์มจะถูกขจัดออกในขั้นตอน (e) โดยการนำมาใช้ของสารละลายที่เป็นกรด 3 7. กรรมวิธีของข้อถือสิทธิข้อที่ 32 โดยที่พื้นที่ที่ได้รับการเผยออกของฟิล์มจะถูกขจัดออก ในขั้นตอน (e) โดยการนำมาใช้ตัวทำละลายเเบบอินทรีย์ 3 8. กรรมวิธีของข้อถือสิทธิข้อที่ 32 โดยที่ฟิล์มประกอบรวมด้วยวัสดุไดอิเล็กตริก 3 9. กรรมวิธีของข้อถือสิทธิข้อที่ 33 ซึ่งประกอบเพิ่มเติมรวมด้วยขั้นตอนที่ตามมาต่อไปนี้ (i) การนำมาของฉนวนชุบที่สองเหนือพื้นผิวทั้งหมดของชั้นของโลหะที่ได้รับการนำมาใช้ ในขั้นตอน (h) (i) การทำให้เกิดเป็นภาพเเละการดีวีโลพฉนวนชุบที่สองดังกล่าวเพื่อเปิดเผยเเบบรูปที่ กำหนดไว้ล่วงหน้าของโลหะที่อยู่ข้างใต้ที่ไม่ได้รับการปิดคลุม. (k) การเเช่กัดส่วนที่ไม่ได้รับการปิดคลุมดังกล่าวของชั้นของโลหะที่อยู่ข้างใต้ เเละ (i) การลอกฉนวนชุบที่สองที่เหลืออยู่ออกเพื่อก่อรูปเเบบรูปวงจรไฟฟ้า 4 0. กรรมวิธีของข้อถือสิทธิข้อที่ 39 โดยที่ฉนวนชุบได้รับการทำให้เกิดเป็นภาพในขั้นตอน (i) บนพื้นผิวหลังกทั้งสองด้านของซับสเตรตของขั้นตอน (i) 4
1. กรรมวิธีของข้อถือสิทธิข้อที่ 39 ซึ่งประกอบเพิ่มเติมรวมด้วยขั้นตอนที่ตามมาต่อไปนี้ (m) การนำมาใช้สารผสมไดอิเล็กตริกกับพื้นผิวทั้งหมด (n) การจัดให้มีรูในสารผสมไดอิเล็กตริกดังกล่าวในตำเเหน่งซึ่งได้รับการไว้กำหนดล่วงหน้า (o) การนำมาใช้ของชั้นที่สองของโลหะกับพื้นผิวทั้งหมด (p) การนำมาใช้ของฉนวนชุบที่สามกับพื้นผิวทั้งหมดของชั้นที่สองดังกล่าวของโลหะ (q) การทำให้เกิดเป็นภาพเเละการดีวีโลพฉนวนชุบที่สามดังกล่าวเพื่อปิดเผยเเเบบรูปที่ กำหนดไว้ล่วงหน้าของชั้นที่สองของโลหะ เเละ (r) การเเช่กัดส่วนที่ได้รับการเผยออกดังกล่าวของชั้นที่สองของโลหะเพื่อก่อรูปเเบบรูปวงจร ไฟฟ้า 4
2. กรรมวิธีของข้อถือสิทธิข้อที่ 41 ซึ่งประกอบเพิ่มเติมรวมด้วยขั้นตอนดังต่อไปนี้ (s) การลอกฉนวนชุบที่สามที่เหลืออยู่ออก 4
3. กรรมวิธีของข้อถือสิทธิข้อที่ 42 โดยที่เมื่อการเสร็จสิ้นของขั้นตอน (s) ขั้นตอน (m) ถึง (s) จะถูกทำซ้ำหนึ่งครั้งหรือมากกว่าเพื่อให้จำนวนที่ต้องการของชั้นของเเบบรูปวงจรไฟฟ้าที่มี การเชื่อมต่อระหว่างกัน
TH301002346A 2003-06-25 กรรมวิธีสำหรับการทำให้เกิดรูในซับสเตรตแบบพอลิเมอร์ TH39578B (th)

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TH65871A true TH65871A (th) 2004-12-27
TH39578B TH39578B (th) 2014-04-04

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE4108986A1 (de) Zusammengeschaltete, mehrschichtige platten und verfahren zu ihrer herstellung
EP0308676A2 (de) Spannungsarme Umhüllung für elektrische und elektronische Bauelemente, insbesondere Hybridschaltungen
DE3824008A1 (de) Elektronische schaltung sowie verfahren zu deren herstellung
DE102015120745A1 (de) Chip-Schutzumhüllung und -verfahren
KR100545459B1 (ko) 가요성회로오버코팅용경화성수지조성물및이의박막상경화물
AT515447B1 (de) Verfahren zum Kontaktieren eines in eine Leiterplatte eingebetteten Bauelements sowie Leiterplatte
DE2451343A1 (de) Platine mit gedruckter schaltung
DE69605056T2 (de) Lötstopmaske zur herstellung gedruckter schaltungen
TH65871A (th) กรรมวิธีสำหรับการทำให้เกิดรูในซับสเตรตแบบพอลิเมอร์
TH39578B (th) กรรมวิธีสำหรับการทำให้เกิดรูในซับสเตรตแบบพอลิเมอร์
EP0256778A2 (en) Multi-layer printed circuit structure
TW200305621A (en) A method for coating a semiconductor substrate with a mixture containing an adhesion promoter
JP2011216756A (ja) メンブレン配線板
DE69031457T2 (de) Epoxy/Polyimid-Copolymermischung als Dielektrikum und dieses enthaltende mehrlagige Schaltung
CN109709468B (zh) 印刷线路板埋入式导体功能性测试方法
DE102004050476B3 (de) Verfahren zum Herstellen einer Umverdrahtungs-Leiterplatte
DE60317902T2 (de) Verfahren zur herstellung von löchern in polymersubstraten
JP3174474B2 (ja) プリント配線板の製造方法
TH34130B (th) กรรมวิธีสำหรับการทำให้เกิดรูผ่านสำหรับชุดประกอบวงจร
TH65804A (th) กรรมวิธีสำหรับการทำให้เกิดรูผ่านสำหรับชุดประกอบวงจร
DE2751517A1 (de) Oberflaechenpassiviertes halbleiterbauelement mit einer halbleiterscheibe und verfahren zur herstellung desselben
DE10115871A1 (de) Verfahren zur Planarisierung von Schaumstoffoberflächen, Schaumstoffträger mit planarisierter Oberfläche und dessen Verwendung für Hochfrequenzschaltungen
DE1765926A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer gedruckten Schaltung
WO2019016266A1 (de) Verfahren zur erzeugung einer haft- und barriereschicht auf einem substrat und zugehöriges substrat
WO2023079004A1 (de) Verfahren zur herstellung einer isolierten leitung sowie eine isolierte leitung