TH65466A - วิธีการดำเนินการด้วยเครื่องซึ่งใช้เลเซอร์ - Google Patents

วิธีการดำเนินการด้วยเครื่องซึ่งใช้เลเซอร์

Info

Publication number
TH65466A
TH65466A TH301003387A TH0301003387A TH65466A TH 65466 A TH65466 A TH 65466A TH 301003387 A TH301003387 A TH 301003387A TH 0301003387 A TH0301003387 A TH 0301003387A TH 65466 A TH65466 A TH 65466A
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
workpiece
laser beam
cutting
cut
back surface
Prior art date
Application number
TH301003387A
Other languages
English (en)
Other versions
TH52677B (th
Inventor
ฟูคูมิตสึ นายเคนชิ
ฟูคูโย นายฟูมิสึกุ
อูชิยามะ นายนาโอกิ
Original Assignee
นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์
นายบุญมา เตชะวณิช
นายต่อพงศ์ โทณะวณิก
นายวิรัช ศรีเอนกราธา
Filing date
Publication date
Application filed by นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์, นายบุญมา เตชะวณิช, นายต่อพงศ์ โทณะวณิก, นายวิรัช ศรีเอนกราธา filed Critical นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์
Publication of TH65466A publication Critical patent/TH65466A/th
Publication of TH52677B publication Critical patent/TH52677B/th

Links

Abstract

DC60 (10/03/53) การประดิษฐ์นี้จัดให้มีวิธีการดำเนินการด้วยเครื่องใช้เลเซอร์ที่มีลักษณะเฉพาะเนื่องโดยการ ประกอบรวมด้วยขั้นตอบของ การติดแถบคุ้มกัน 25 เข้ากับผิวหน้า 3 ของแผ่นเวเฟอร์ 1a; การก่อรูป บริเวณหลอมรวม 13 ที่ก่อเกิดขึ้นมาโดยการดูดกลืนพหุโฟตอน ขึ้นมาโดยการกระทำการฉายด้วย ลำแสงเลเซอร์ L ในลักษณะที่กำหนดให้จุดโฟกัส P ของลำแสงเลเซอร์ L อยู่ภายในซับสเทรท 15 โดยให้ผิวด้านหลัง 21 ของแผ่นเวเฟอร์ 1a ทำหน้าที่เป็นระนาบด้านเข้าของลำแสงเลเซอร์; การก่อรูป บริเวณจุดเริ่มต้นการตัด 8 ขึ้นมาโดยสอดคล้องกับหลอมรวม 13 นี้ ณ ระยะทางที่กำหนดไว้ล่วงหน้า หรือสั้นกว่านั้นจากระนาบด้านเข้าของลำแสงเลเซอร์ ตามแนวของแนวตัดตามแผน 5 ของแผ่นเว เฟอร์ 1a; การติดแถบการยืดออก 23 เขากับผิวด้านหลัง 21ของแผ่นเวเฟอร์ 1a; และ การแบ่งแยกเป็น ชิ้นส่วนรูปชิป 24 จำนวนหนึ่ง ซึ่งก่อเกิดขึ้นมาเนื่องจากผลของการตัดแผ่นเวเฟอร์ 1a โดยใช้ บริเวณจุดเริ่มต้นการตัด 8 เป็นจุดเริ่มต้น โดยการทำให้ฟิล์มที่ยืดได้ 23 ยืดออก การประดิษฐ์นี้จัดให้มีวิธีการดำเนินการด้วยเครื่องใช้เลเซอร์ที่มีลักษณะเฉพาะเนื่องโดยการ ประกอบรวมด้วยขั้นตอบของ : การิตดแถบคุ้มกัน 25 เข้ากับผิวหน้า 3 ของแผ่นเวเฟอร์ 1a; การ ก่อรูปบริเวณหลองรวม 13 ที่ก่อเกิดขึ้นมาโดยการดูดกลืนพหุโฟตอน ขึ้นมาโดยการกระทำการฉาย ด้วยลำแสงเลเซอร์ L ในลักษณะที่กำหนดให้จุดโฟกัส P ของลำแสงเลเซอร์ L อยู่ภายในซับสเทรท 15 โดยให้ผิวด้านหลัง 21 ของแผ่นเวเฟอร์ 1a ทำหน้าที่เป็นระนาบด้านเข้าของลำแสงเลเซอร์; การก่อรูป บริเวณจุดเริ่มต้นการตัด 8 ขึ้นมาโดยสอดคล้องกับหลอมรวม 13 นี้ ณระยะทางที่กำหนดไว้ล่วงหน้า หรือสั้นกว่านั้นจากระนาบด้านเข้าของลำแสงเลเวอร์ ตามแนวของแนวตัดตามแผน 5 ของแผ่น เวเฟอร์ 1a; การติดแถบการยืดออก 23 เขากับผิวด้านหลัง 21ของแผ่นเวเฟอร์ 1a และการแบ่งแยก เป็นชิ้นส่วนรุปชิป 24 จำนวนหนึ่ง ซึ่งก่อเกิดขึ้นมาเนื่องากจากผลของการตัดแผ่นเวเฟอร์ 1a โดยใช้ บริเวณจุดเริ่มต้นการตัด 8 เป็นจุดเริ่มต้น โดยการทำให้ฟิล์มที่ยืดได้ 23 ยืดออก:

Claims (9)

1. วิธีการดำเนินการด้วยเครื่องใช้เวเซอร์สำหรับการตัดชิ้นงานรูปแผ่นแบนที่ประกอบรวมด้วย ซับสเทรท และส่วนชั้นซ้อนที่จัดเตรียมไว้บนซับสเทรท ประกอบรวมด้วยขั้นตอนของ : การติดฟิล์มกำบังเข้ากับผิวด้านหน้าทางด้านของส่วนชั้นซ้อนของชิ้นงาน การก่อรูปบริเวณ ดัดแปลงที่ก่อเกิดขึ้นมาโดยการดูดกลืนพหุโฟตอน ขึ้นมาโดยการกระทำการฉายผิวด้านหลังของชิ้น- งานด้วยลำแสงเลเซอร์ในลักษณะที่ให้จุดลู่รวม (conversing point) ของลำแสงเลเซอร์มีตำแหน่งอยู่ ภายในชิ้นงาน โดยให้ผิวด้าหลังของชิ้นงานทำหน้าที่เป็นระนาบด้านเข้าของลำแสงเลเวอร์, การก่อ รูปบริเวณจุดเริ่มต้นการตัดซึ่งการตัดชิ้นงานเริ่มต้นจากบริเวณนี้ ขึ้นมาโดยสอดคล้องกันกับบริเวณ ดัดแปลง ณ ระยะทางที่กำหนดไว้ล่วงหน้าหรือสั้นกว่านั้นจากระนาบด้านเข้าของลำแสงเลเซอร์ ตามแนว ของแนวตัดตามแผนของชิ้นงาน ; การติดฟิล์มที่ยึดได้เข้ากับผิวด้านหลังของชิ้นงาน; และ การแบ่งแบกออกเป็นชิ้นส่วนจำนวนหนึ่ง ซึ่งก่อเกิดขึ้นมาารเนื่องมาจากผลการการตัดชิ้นงาน โดยใช้บริเวณจุดเริ่มต้นการตัดเป็นจุดเริ่มต้น โดยการทำให้ฟิล์มที่ยึดไดยึดออก
2. วิธีการดำเนินการด้วยเครื่องใช้เวเวอร์สำหรับการตัดชิ้นงานรูปแผ่นแบนที่ประกอบรวมด้วย ซับสเทรทและส่วนชั้นซ้อนที่จัดเตรียมไว้บนซับสเทรท ประกอบรวมดวยขั้นตอนของ : การติดฟิล์มคุ้มสกันเข้ากับผิวด้านหน้าทางด้านของส่วนชั้นซ้อนของชิ้นงาน ; การก่อรูปบริเวณดัดแปลงซึ่งก่อเกิดขึ้นมาโดยการดูดกลืนพหุโฟตอน ขึ้นมารโดยการกระทำ การฉายด้วยลำแสงเลเซอร์ที่ลู่รวม ณ ภายในของซับสเทรดโดยให้ผิวด้านหลังของชิ้นงานทำหน้าที่ เป็นระบาบด้านเข้าขงอลำแสงเลเซอร์ ; การก่อรูปบริเวณจุดเริ่มต้นการตัดขึ้นมาโดยสอดคล้องกันกับบริเวณดัดแปลงนี้ ณ ระยะทางที่ กำหนดไว้ล่วงหน้าหรือสั้นกว่านั้นจากระนาบด้านเข้าของลำแสงเลเซอร์ ตามแนวของแนวตัดตาม แผนของชิ้นงาน ; การติดฟิล์มที่ยึดได้เข้ากับผิวด้านหลังของชิ้นงาน ; การตัดชิ้นงานออกเป็นชิ้นส่วนจำนวนหนึ่งโดยใช้บริเวณจุดเริทต้นการตัดเป็นจุดเริ่มต้น โดย การใช้แรงภายนอกกระทำต่อชิ้นงาน; และ การแบ่งแยกออกเป็นชิ้นส่วนจำนวนหนึ่งของชิ้นงานโดยการทำให้ฟิล์มที่ยึดได้ยึดออก
3. วิธีการดำเนินการดวยเครื่องใช้เลเซอร์สำหรับการตัดชิ้นงานรูปแผ่นแบนที่ประกอบรวมด้วย ซับสเทรท และส่วนชั้นซ้อนที่จัดเตรียมไว้บนซับสเทรท ประกอบรวมด้วยขั้นตอนของ : การติดฟิล์มค้นกันเข้ากับผิวด้านหน้าทางด้านของส่วนชั้นซ้นอของชิ้นงาน ; การก่อรูปบริเวณดัดแปลงซึ่งก่อเกิดขึ้นมาโดยการดูดกลืนพหุโฟตอน ขึ้นมาโดยการกระทำ การฉายด้วยลำแสงเลเซอร์ที่ลู่รวม ณ ภายในของซับสเทรท โดยให้ผิวด้านหลังของชิ้นงานทำหน้าที่ เป็นระนาบด้านเข้าของลำแสงเลเซอร์; การก่อรูปบริเวณจุดเริ่มต้นการตัดขึ้นมาโดยสอดคล้องกันกับบริเวณดัดแปลงนี้ ณ ระยะทางที่ กำหนดไว้ล่วงหน้าหรือสั้นกว่านั้นจากระนาบด้านเข้าของลำแสงเลเวอร์ จตามแนวของแนวตัดตาม แผนของชิ้นงาน; การติดฟิล์มที่ยึดได้เข้ากับผิวด้านหลังของชิ้นงาน; และ การตัดชิ้นงานออกเป้นชิ้นส่วนจำนวนหนึ่งโดยใช้บริเวณจุดเริ่มต้นการตัดเป็นจุดเริ่มต้น โดย การทำให้ฟิล์มที่ยึดได้ยืดออก และการแบ่งแยกออกเป็นชิ้นส่วนจำนวนหนึ่งของชิ้นงาน
4. วิธีการดำเนินการด้วยเครื่องใช้เลเวอร์สำหรับการตัดชิ้นงานรูปแผ่นแบนที่ประกอบรวมด้วย ซับสเทรทสารกึ่งตัวนำและส่วนชั้นซ้อนที่จัดเตรียมไว้บนซับสเทรทสารกึ่งตัวนำประกอบรวมด้วย ขั้นตอนของ : การติดฟิล์มคุ้มกันเข้ากับผิวด้านหน้าทางด้านของ่วนชั้นซ้อนของชิ้นงาน ; การก่อรูปบริเวณหลอมรวมขึ้นมาโดยการกระทำการฉายด้วยลำแสงเลเซอร์ที่ลุ่รวม ณ ภายใน ของซับสเทรท โดยให้ผิวด้านหลังของชิ้นงานทำหน้าที่เป็นระนาบด้านเข้าของลำแสงเลเซอร์; การก่อรูปบริเวณจุดเริ่มต้นการตัดขึ้นมาโดยสอดคล้องกันกับบริเวณหลอมรวมนี้ ณ ระยะทาง ที่กำหนดไว้ล่วงหน้าหรือสั้นกว่านั้นจากระนาบด้านเข้าของลำแสงเลเซอร์ ตามแนวของแนวตัดตาม แผนของชิ้นงาน; การติดฟิล์มที่ยึดได้เข้ากับผิวด้านหลังของชิ้นงาน; และ การแบ่งแยกออกเป็นชิ้นส่วนจำนวนหนึ่งซึ่งก่อเกิดขึ้นมาเนื่องมากจากผลของการตัดชิ้นงาน โดยใช้บริเวณจุดเริ่มต้นการตัดเป็นจุดเริ่มต้น โดยการทำให้ฟิล์มท่ยึดได้ยืดออก
5. วิธีการดำเนินการด้วยเครื่องใช้เลเซอร์สำหรับการตัดชิ้นงานรูปแผ่นแบนที่ประกอบรวมด้วย ซับสเทรทสารกึ่งตัวนำและส่วนชั้นซ้อนที่จัด้เตรียมไว้บนซับสเทรทสารกึ่งตัวนำประกอบรวมด้วย ขั้นตอนของ : การติดฟิล์มค้มกันเข้ากับผิวด้าหน้าทางด้านของส่วนชั้นซ้อนของชิ้นงาน; การก่อรูปบริเวณหลอมรวมขึ้นมาโดยการกระทำการฉายด้วยลำแสงเลเวอร์ที่ลู่รวม ณ ภายใน ของซับสเทรด โดยให้ผิวด้านหลังของชิ้นงานทำหน้าที่เป็นระนาบด้านเข้าของลำแสงเลเซอร์; การก่อรูปบริเวณจุดเริ่มต้นการตัดขึ้นมาโดยสอดคล้องกันกับบริเวณหลองรวมนี้ ณ ระยะทาง ที่กำหนดไว้ล่วงหน้าหรือสั้นกว่านั้นจากระนาบด้านเข้าของลำแสงเลเวอร์ ตามแนวของแนวตัดตาม แผนของชิ้นงาน; การติดฟิล์มที่ยึดได้เข้ากับผิวด้านหลังของชิ้นงาน; การตัดชิ้นงานออกเป็นชิ้ส่วนจำนวนหนึ่ง โดยใช้บริเวณจุดเริ่มต้นการตัดเป็นจุดเริ่มต้น โดยการให้แรงภายนอกกระทำต่อชิ้นงาน; และ การแบ่งแยกออกเป็นชิ้นส่วนจำนวนหนึ่งของชิ้นงานโดยการทำให้ฟิลบ์ม่ยึดได้ยืดออก
6. วิธีการดำเนินการด้วยเครื่องใช้เลเวอร์สำหรับการตัดชิ้นงานรูปแผ่นแบนที่ประกอบรวมด้วย ซับสเทรทสารกึงตัวนำ และส่วนชั้นซ้อนที่จัดเตรียมไว้บนซับสเทรทสารกึ่งตัวนำ ประกอบรวมด้วย ขั้นตอนของ: การติดฟิล์มคุ้มกันเข้ากับผิวด้านหน้าทางด้านของส่วนชั้นซ้อนของชิ้นงาน; การก่อรูปบริเวณหลอมรวมขึ้นมาโดยการกระทำการฉายด้วยลำแสงเลเซอร์ที่ลู่รวม ณ ภายใน ของซับสเทรท โดยให้ผิวด้านหลังของชิ้นงานทำหน้าที่เป็นระนาบด้านเข้าของลำแสงเลเซอร์; การก่อรุปบริเวณจุดเริ่มต้นการตัดขึ้นมาโดยสอดคล้องกันกับบริเวณหลอสรวมนี้ ณ ระยะทาง ที่กำหนดไว้ล่วงหน้าหรือสั้นกว่านั้นจากระนาบด้านเข้าของลำแสงเลเซอร์ ตามแนวของแนวตัดตาม แผนของชิ้นงาน; การติดฟิล์มที่ยึดได้เข้ากับผิวด้านหลังของชิ้นงาน; และ การตัดชิ้นงานออกเป็นชิ้ส่วนจำนวนหนึ่ง โดยใช้บริเวณจุดเรทต้นการตัดเป็นจุดเริ่มต้น โดยการทำให้ฟิล์มที่ยึดได้ยืดออกและการแบ่งแยกออกเป็นชิ้นส่วนจำนวนหนึ่งของชิ้นงาน
7. วิธีการดำเนินการด้วยเครื่องใช้เลเซอร์ตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 6 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งผิวด้าน หลังของชิ้นงานได้รับการขัดเพื่อให้ซับสเทรทของชิ้นงานนั้นบาง ก่อนการก่อรูปบริเวณจุดเริ่มต้นการ ตัดขึ้นมาในชิ้นงาน
8. วิธีการดำเนินการด้วยเครื่องใช้เลเซอร์ตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 7 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งฟิล์มคุ้ม- กันจะได้รับการกำจัดออกไปหลังจากการติดฟิล์มที่ยึดได้เข้ากับชิ้นงาน
9. วิธีการดำเนินการด้วยเครื่องใช้เลเซอร์ตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 7 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งฟิล์มคุ้ม- กันได้รับการกำจัดออกไป หลังจากการแบ่งชิ้นงานแยกออกเป็นชิ้นส่วนจำนวนหนึ่งโดยการทำให้ ฟิล์มที่ยึดได้ยืดออก
TH301003387A 2003-09-11 วิธีการดำเนินการด้วยเครื่องซึ่งใช้เลเซอร์ TH52677B (th)

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TH65466A true TH65466A (th) 2004-12-13
TH52677B TH52677B (th) 2016-12-02

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7550367B2 (en) Method for separating semiconductor substrate
ATE503268T1 (de) Halbleitersubstrat-schneidverfahren
JP2004001076A5 (th)
ATE534142T1 (de) Verfahren zum auftrennen eines substrats
US7888239B2 (en) Semiconductor device manufacturing method
CN103367219B (zh) 带粘接膜的芯片的形成方法
DE602004011343T2 (de) Chipbefestigung
TW200911440A (en) Working method for cutting
EP2267763A3 (en) Method for cutting semiconductor substrate
EP1609559A4 (en) METHOD OF MACHINING BY LASER BEAM
JP7063542B2 (ja) 加工対象物切断方法
US8445361B1 (en) Method of dividing a semiconductor wafer having semiconductor and metal layers into separate devices
TH65466A (th) วิธีการดำเนินการด้วยเครื่องซึ่งใช้เลเซอร์
TH52677B (th) วิธีการดำเนินการด้วยเครื่องซึ่งใช้เลเซอร์
JPH05211235A (ja) 半導体装置の製造方法
CN107546300B (zh) 一种led芯片的切割及劈裂方法
TW200534979A (en) Method for cutting wafer-grade package
JPH055195B2 (th)
JPS5916343A (ja) Sosウェハのスクライブ方法
WO2018193962A1 (ja) 加工対象物切断方法
WO2018193966A1 (ja) 加工対象物切断方法
JPS58162047A (ja) 化合物半導体の切断方法
TH73573A (th) วิธีการตัดวัตถุนำเข้ากระบวนการ
TH73543A (th) วิธีการตัดซับสเทรทสารกึ่งตัวนำ
TH53577B (th) วิธีการตัดซับสเทรทสารกึ่งตัวนำ