TH65466A - วิธีการดำเนินการด้วยเครื่องซึ่งใช้เลเซอร์ - Google Patents
วิธีการดำเนินการด้วยเครื่องซึ่งใช้เลเซอร์Info
- Publication number
- TH65466A TH65466A TH301003387A TH0301003387A TH65466A TH 65466 A TH65466 A TH 65466A TH 301003387 A TH301003387 A TH 301003387A TH 0301003387 A TH0301003387 A TH 0301003387A TH 65466 A TH65466 A TH 65466A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- workpiece
- laser beam
- cutting
- cut
- back surface
- Prior art date
Links
Abstract
DC60 (10/03/53) การประดิษฐ์นี้จัดให้มีวิธีการดำเนินการด้วยเครื่องใช้เลเซอร์ที่มีลักษณะเฉพาะเนื่องโดยการ ประกอบรวมด้วยขั้นตอบของ การติดแถบคุ้มกัน 25 เข้ากับผิวหน้า 3 ของแผ่นเวเฟอร์ 1a; การก่อรูป บริเวณหลอมรวม 13 ที่ก่อเกิดขึ้นมาโดยการดูดกลืนพหุโฟตอน ขึ้นมาโดยการกระทำการฉายด้วย ลำแสงเลเซอร์ L ในลักษณะที่กำหนดให้จุดโฟกัส P ของลำแสงเลเซอร์ L อยู่ภายในซับสเทรท 15 โดยให้ผิวด้านหลัง 21 ของแผ่นเวเฟอร์ 1a ทำหน้าที่เป็นระนาบด้านเข้าของลำแสงเลเซอร์; การก่อรูป บริเวณจุดเริ่มต้นการตัด 8 ขึ้นมาโดยสอดคล้องกับหลอมรวม 13 นี้ ณ ระยะทางที่กำหนดไว้ล่วงหน้า หรือสั้นกว่านั้นจากระนาบด้านเข้าของลำแสงเลเซอร์ ตามแนวของแนวตัดตามแผน 5 ของแผ่นเว เฟอร์ 1a; การติดแถบการยืดออก 23 เขากับผิวด้านหลัง 21ของแผ่นเวเฟอร์ 1a; และ การแบ่งแยกเป็น ชิ้นส่วนรูปชิป 24 จำนวนหนึ่ง ซึ่งก่อเกิดขึ้นมาเนื่องจากผลของการตัดแผ่นเวเฟอร์ 1a โดยใช้ บริเวณจุดเริ่มต้นการตัด 8 เป็นจุดเริ่มต้น โดยการทำให้ฟิล์มที่ยืดได้ 23 ยืดออก การประดิษฐ์นี้จัดให้มีวิธีการดำเนินการด้วยเครื่องใช้เลเซอร์ที่มีลักษณะเฉพาะเนื่องโดยการ ประกอบรวมด้วยขั้นตอบของ : การิตดแถบคุ้มกัน 25 เข้ากับผิวหน้า 3 ของแผ่นเวเฟอร์ 1a; การ ก่อรูปบริเวณหลองรวม 13 ที่ก่อเกิดขึ้นมาโดยการดูดกลืนพหุโฟตอน ขึ้นมาโดยการกระทำการฉาย ด้วยลำแสงเลเซอร์ L ในลักษณะที่กำหนดให้จุดโฟกัส P ของลำแสงเลเซอร์ L อยู่ภายในซับสเทรท 15 โดยให้ผิวด้านหลัง 21 ของแผ่นเวเฟอร์ 1a ทำหน้าที่เป็นระนาบด้านเข้าของลำแสงเลเซอร์; การก่อรูป บริเวณจุดเริ่มต้นการตัด 8 ขึ้นมาโดยสอดคล้องกับหลอมรวม 13 นี้ ณระยะทางที่กำหนดไว้ล่วงหน้า หรือสั้นกว่านั้นจากระนาบด้านเข้าของลำแสงเลเวอร์ ตามแนวของแนวตัดตามแผน 5 ของแผ่น เวเฟอร์ 1a; การติดแถบการยืดออก 23 เขากับผิวด้านหลัง 21ของแผ่นเวเฟอร์ 1a และการแบ่งแยก เป็นชิ้นส่วนรุปชิป 24 จำนวนหนึ่ง ซึ่งก่อเกิดขึ้นมาเนื่องากจากผลของการตัดแผ่นเวเฟอร์ 1a โดยใช้ บริเวณจุดเริ่มต้นการตัด 8 เป็นจุดเริ่มต้น โดยการทำให้ฟิล์มที่ยืดได้ 23 ยืดออก:
Claims (9)
1. วิธีการดำเนินการด้วยเครื่องใช้เวเซอร์สำหรับการตัดชิ้นงานรูปแผ่นแบนที่ประกอบรวมด้วย ซับสเทรท และส่วนชั้นซ้อนที่จัดเตรียมไว้บนซับสเทรท ประกอบรวมด้วยขั้นตอนของ : การติดฟิล์มกำบังเข้ากับผิวด้านหน้าทางด้านของส่วนชั้นซ้อนของชิ้นงาน การก่อรูปบริเวณ ดัดแปลงที่ก่อเกิดขึ้นมาโดยการดูดกลืนพหุโฟตอน ขึ้นมาโดยการกระทำการฉายผิวด้านหลังของชิ้น- งานด้วยลำแสงเลเซอร์ในลักษณะที่ให้จุดลู่รวม (conversing point) ของลำแสงเลเซอร์มีตำแหน่งอยู่ ภายในชิ้นงาน โดยให้ผิวด้าหลังของชิ้นงานทำหน้าที่เป็นระนาบด้านเข้าของลำแสงเลเวอร์, การก่อ รูปบริเวณจุดเริ่มต้นการตัดซึ่งการตัดชิ้นงานเริ่มต้นจากบริเวณนี้ ขึ้นมาโดยสอดคล้องกันกับบริเวณ ดัดแปลง ณ ระยะทางที่กำหนดไว้ล่วงหน้าหรือสั้นกว่านั้นจากระนาบด้านเข้าของลำแสงเลเซอร์ ตามแนว ของแนวตัดตามแผนของชิ้นงาน ; การติดฟิล์มที่ยึดได้เข้ากับผิวด้านหลังของชิ้นงาน; และ การแบ่งแบกออกเป็นชิ้นส่วนจำนวนหนึ่ง ซึ่งก่อเกิดขึ้นมาารเนื่องมาจากผลการการตัดชิ้นงาน โดยใช้บริเวณจุดเริ่มต้นการตัดเป็นจุดเริ่มต้น โดยการทำให้ฟิล์มที่ยึดไดยึดออก
2. วิธีการดำเนินการด้วยเครื่องใช้เวเวอร์สำหรับการตัดชิ้นงานรูปแผ่นแบนที่ประกอบรวมด้วย ซับสเทรทและส่วนชั้นซ้อนที่จัดเตรียมไว้บนซับสเทรท ประกอบรวมดวยขั้นตอนของ : การติดฟิล์มคุ้มสกันเข้ากับผิวด้านหน้าทางด้านของส่วนชั้นซ้อนของชิ้นงาน ; การก่อรูปบริเวณดัดแปลงซึ่งก่อเกิดขึ้นมาโดยการดูดกลืนพหุโฟตอน ขึ้นมารโดยการกระทำ การฉายด้วยลำแสงเลเซอร์ที่ลู่รวม ณ ภายในของซับสเทรดโดยให้ผิวด้านหลังของชิ้นงานทำหน้าที่ เป็นระบาบด้านเข้าขงอลำแสงเลเซอร์ ; การก่อรูปบริเวณจุดเริ่มต้นการตัดขึ้นมาโดยสอดคล้องกันกับบริเวณดัดแปลงนี้ ณ ระยะทางที่ กำหนดไว้ล่วงหน้าหรือสั้นกว่านั้นจากระนาบด้านเข้าของลำแสงเลเซอร์ ตามแนวของแนวตัดตาม แผนของชิ้นงาน ; การติดฟิล์มที่ยึดได้เข้ากับผิวด้านหลังของชิ้นงาน ; การตัดชิ้นงานออกเป็นชิ้นส่วนจำนวนหนึ่งโดยใช้บริเวณจุดเริทต้นการตัดเป็นจุดเริ่มต้น โดย การใช้แรงภายนอกกระทำต่อชิ้นงาน; และ การแบ่งแยกออกเป็นชิ้นส่วนจำนวนหนึ่งของชิ้นงานโดยการทำให้ฟิล์มที่ยึดได้ยึดออก
3. วิธีการดำเนินการดวยเครื่องใช้เลเซอร์สำหรับการตัดชิ้นงานรูปแผ่นแบนที่ประกอบรวมด้วย ซับสเทรท และส่วนชั้นซ้อนที่จัดเตรียมไว้บนซับสเทรท ประกอบรวมด้วยขั้นตอนของ : การติดฟิล์มค้นกันเข้ากับผิวด้านหน้าทางด้านของส่วนชั้นซ้นอของชิ้นงาน ; การก่อรูปบริเวณดัดแปลงซึ่งก่อเกิดขึ้นมาโดยการดูดกลืนพหุโฟตอน ขึ้นมาโดยการกระทำ การฉายด้วยลำแสงเลเซอร์ที่ลู่รวม ณ ภายในของซับสเทรท โดยให้ผิวด้านหลังของชิ้นงานทำหน้าที่ เป็นระนาบด้านเข้าของลำแสงเลเซอร์; การก่อรูปบริเวณจุดเริ่มต้นการตัดขึ้นมาโดยสอดคล้องกันกับบริเวณดัดแปลงนี้ ณ ระยะทางที่ กำหนดไว้ล่วงหน้าหรือสั้นกว่านั้นจากระนาบด้านเข้าของลำแสงเลเวอร์ จตามแนวของแนวตัดตาม แผนของชิ้นงาน; การติดฟิล์มที่ยึดได้เข้ากับผิวด้านหลังของชิ้นงาน; และ การตัดชิ้นงานออกเป้นชิ้นส่วนจำนวนหนึ่งโดยใช้บริเวณจุดเริ่มต้นการตัดเป็นจุดเริ่มต้น โดย การทำให้ฟิล์มที่ยึดได้ยืดออก และการแบ่งแยกออกเป็นชิ้นส่วนจำนวนหนึ่งของชิ้นงาน
4. วิธีการดำเนินการด้วยเครื่องใช้เลเวอร์สำหรับการตัดชิ้นงานรูปแผ่นแบนที่ประกอบรวมด้วย ซับสเทรทสารกึ่งตัวนำและส่วนชั้นซ้อนที่จัดเตรียมไว้บนซับสเทรทสารกึ่งตัวนำประกอบรวมด้วย ขั้นตอนของ : การติดฟิล์มคุ้มกันเข้ากับผิวด้านหน้าทางด้านของ่วนชั้นซ้อนของชิ้นงาน ; การก่อรูปบริเวณหลอมรวมขึ้นมาโดยการกระทำการฉายด้วยลำแสงเลเซอร์ที่ลุ่รวม ณ ภายใน ของซับสเทรท โดยให้ผิวด้านหลังของชิ้นงานทำหน้าที่เป็นระนาบด้านเข้าของลำแสงเลเซอร์; การก่อรูปบริเวณจุดเริ่มต้นการตัดขึ้นมาโดยสอดคล้องกันกับบริเวณหลอมรวมนี้ ณ ระยะทาง ที่กำหนดไว้ล่วงหน้าหรือสั้นกว่านั้นจากระนาบด้านเข้าของลำแสงเลเซอร์ ตามแนวของแนวตัดตาม แผนของชิ้นงาน; การติดฟิล์มที่ยึดได้เข้ากับผิวด้านหลังของชิ้นงาน; และ การแบ่งแยกออกเป็นชิ้นส่วนจำนวนหนึ่งซึ่งก่อเกิดขึ้นมาเนื่องมากจากผลของการตัดชิ้นงาน โดยใช้บริเวณจุดเริ่มต้นการตัดเป็นจุดเริ่มต้น โดยการทำให้ฟิล์มท่ยึดได้ยืดออก
5. วิธีการดำเนินการด้วยเครื่องใช้เลเซอร์สำหรับการตัดชิ้นงานรูปแผ่นแบนที่ประกอบรวมด้วย ซับสเทรทสารกึ่งตัวนำและส่วนชั้นซ้อนที่จัด้เตรียมไว้บนซับสเทรทสารกึ่งตัวนำประกอบรวมด้วย ขั้นตอนของ : การติดฟิล์มค้มกันเข้ากับผิวด้าหน้าทางด้านของส่วนชั้นซ้อนของชิ้นงาน; การก่อรูปบริเวณหลอมรวมขึ้นมาโดยการกระทำการฉายด้วยลำแสงเลเวอร์ที่ลู่รวม ณ ภายใน ของซับสเทรด โดยให้ผิวด้านหลังของชิ้นงานทำหน้าที่เป็นระนาบด้านเข้าของลำแสงเลเซอร์; การก่อรูปบริเวณจุดเริ่มต้นการตัดขึ้นมาโดยสอดคล้องกันกับบริเวณหลองรวมนี้ ณ ระยะทาง ที่กำหนดไว้ล่วงหน้าหรือสั้นกว่านั้นจากระนาบด้านเข้าของลำแสงเลเวอร์ ตามแนวของแนวตัดตาม แผนของชิ้นงาน; การติดฟิล์มที่ยึดได้เข้ากับผิวด้านหลังของชิ้นงาน; การตัดชิ้นงานออกเป็นชิ้ส่วนจำนวนหนึ่ง โดยใช้บริเวณจุดเริ่มต้นการตัดเป็นจุดเริ่มต้น โดยการให้แรงภายนอกกระทำต่อชิ้นงาน; และ การแบ่งแยกออกเป็นชิ้นส่วนจำนวนหนึ่งของชิ้นงานโดยการทำให้ฟิลบ์ม่ยึดได้ยืดออก
6. วิธีการดำเนินการด้วยเครื่องใช้เลเวอร์สำหรับการตัดชิ้นงานรูปแผ่นแบนที่ประกอบรวมด้วย ซับสเทรทสารกึงตัวนำ และส่วนชั้นซ้อนที่จัดเตรียมไว้บนซับสเทรทสารกึ่งตัวนำ ประกอบรวมด้วย ขั้นตอนของ: การติดฟิล์มคุ้มกันเข้ากับผิวด้านหน้าทางด้านของส่วนชั้นซ้อนของชิ้นงาน; การก่อรูปบริเวณหลอมรวมขึ้นมาโดยการกระทำการฉายด้วยลำแสงเลเซอร์ที่ลู่รวม ณ ภายใน ของซับสเทรท โดยให้ผิวด้านหลังของชิ้นงานทำหน้าที่เป็นระนาบด้านเข้าของลำแสงเลเซอร์; การก่อรุปบริเวณจุดเริ่มต้นการตัดขึ้นมาโดยสอดคล้องกันกับบริเวณหลอสรวมนี้ ณ ระยะทาง ที่กำหนดไว้ล่วงหน้าหรือสั้นกว่านั้นจากระนาบด้านเข้าของลำแสงเลเซอร์ ตามแนวของแนวตัดตาม แผนของชิ้นงาน; การติดฟิล์มที่ยึดได้เข้ากับผิวด้านหลังของชิ้นงาน; และ การตัดชิ้นงานออกเป็นชิ้ส่วนจำนวนหนึ่ง โดยใช้บริเวณจุดเรทต้นการตัดเป็นจุดเริ่มต้น โดยการทำให้ฟิล์มที่ยึดได้ยืดออกและการแบ่งแยกออกเป็นชิ้นส่วนจำนวนหนึ่งของชิ้นงาน
7. วิธีการดำเนินการด้วยเครื่องใช้เลเซอร์ตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 6 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งผิวด้าน หลังของชิ้นงานได้รับการขัดเพื่อให้ซับสเทรทของชิ้นงานนั้นบาง ก่อนการก่อรูปบริเวณจุดเริ่มต้นการ ตัดขึ้นมาในชิ้นงาน
8. วิธีการดำเนินการด้วยเครื่องใช้เลเซอร์ตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 7 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งฟิล์มคุ้ม- กันจะได้รับการกำจัดออกไปหลังจากการติดฟิล์มที่ยึดได้เข้ากับชิ้นงาน
9. วิธีการดำเนินการด้วยเครื่องใช้เลเซอร์ตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 7 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งฟิล์มคุ้ม- กันได้รับการกำจัดออกไป หลังจากการแบ่งชิ้นงานแยกออกเป็นชิ้นส่วนจำนวนหนึ่งโดยการทำให้ ฟิล์มที่ยึดได้ยืดออก
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH65466A true TH65466A (th) | 2004-12-13 |
| TH52677B TH52677B (th) | 2016-12-02 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7550367B2 (en) | Method for separating semiconductor substrate | |
| ATE503268T1 (de) | Halbleitersubstrat-schneidverfahren | |
| JP2004001076A5 (th) | ||
| ATE534142T1 (de) | Verfahren zum auftrennen eines substrats | |
| US7888239B2 (en) | Semiconductor device manufacturing method | |
| CN103367219B (zh) | 带粘接膜的芯片的形成方法 | |
| DE602004011343T2 (de) | Chipbefestigung | |
| TW200911440A (en) | Working method for cutting | |
| EP2267763A3 (en) | Method for cutting semiconductor substrate | |
| EP1609559A4 (en) | METHOD OF MACHINING BY LASER BEAM | |
| JP7063542B2 (ja) | 加工対象物切断方法 | |
| US8445361B1 (en) | Method of dividing a semiconductor wafer having semiconductor and metal layers into separate devices | |
| TH65466A (th) | วิธีการดำเนินการด้วยเครื่องซึ่งใช้เลเซอร์ | |
| TH52677B (th) | วิธีการดำเนินการด้วยเครื่องซึ่งใช้เลเซอร์ | |
| JPH05211235A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| CN107546300B (zh) | 一种led芯片的切割及劈裂方法 | |
| TW200534979A (en) | Method for cutting wafer-grade package | |
| JPH055195B2 (th) | ||
| JPS5916343A (ja) | Sosウェハのスクライブ方法 | |
| WO2018193962A1 (ja) | 加工対象物切断方法 | |
| WO2018193966A1 (ja) | 加工対象物切断方法 | |
| JPS58162047A (ja) | 化合物半導体の切断方法 | |
| TH73573A (th) | วิธีการตัดวัตถุนำเข้ากระบวนการ | |
| TH73543A (th) | วิธีการตัดซับสเทรทสารกึ่งตัวนำ | |
| TH53577B (th) | วิธีการตัดซับสเทรทสารกึ่งตัวนำ |