TH52677B - วิธีการดำเนินการด้วยเครื่องซึ่งใช้เลเซอร์ - Google Patents
วิธีการดำเนินการด้วยเครื่องซึ่งใช้เลเซอร์Info
- Publication number
- TH52677B TH52677B TH301003387A TH0301003387A TH52677B TH 52677 B TH52677 B TH 52677B TH 301003387 A TH301003387 A TH 301003387A TH 0301003387 A TH0301003387 A TH 0301003387A TH 52677 B TH52677 B TH 52677B
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- workpiece
- laser beam
- cutting
- formation
- attaching
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 20
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract 15
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims abstract 5
- 230000004927 fusion Effects 0.000 claims abstract 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims abstract 2
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 claims 9
- 230000004048 modification Effects 0.000 claims 6
- 238000012986 modification Methods 0.000 claims 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims 2
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 claims 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 claims 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 claims 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims 1
- 238000009966 trimming Methods 0.000 claims 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 abstract 1
Abstract
DC60 (10/03/53) การประดิษฐ์นี้จัดให้มีวิธีการดำเนินการด้วยเครื่องใช้เลเซอร์ที่มีลักษณะเฉพาะเนื่องโดยการ ประกอบรวมด้วยขั้นตอบของ การติดแถบคุ้มกัน 25 เข้ากับผิวหน้า 3 ของแผ่นเวเฟอร์ 1a; การก่อรูป บริเวณหลอมรวม 13 ที่ก่อเกิดขึ้นมาโดยการดูดกลืนพหุโฟตอน ขึ้นมาโดยการกระทำการฉายด้วย ลำแสงเลเซอร์ L ในลักษณะที่กำหนดให้จุดโฟกัส P ของลำแสงเลเซอร์ L อยู่ภายในซับสเทรท 15 โดยให้ผิวด้านหลัง 21 ของแผ่นเวเฟอร์ 1a ทำหน้าที่เป็นระนาบด้านเข้าของลำแสงเลเซอร์; การก่อรูป บริเวณจุดเริ่มต้นการตัด 8 ขึ้นมาโดยสอดคล้องกับหลอมรวม 13 นี้ ณ ระยะทางที่กำหนดไว้ล่วงหน้า หรือสั้นกว่านั้นจากระนาบด้านเข้าของลำแสงเลเซอร์ ตามแนวของแนวตัดตามแผน 5 ของแผ่นเว เฟอร์ 1a; การติดแถบการยืดออก 23 เขากับผิวด้านหลัง 21ของแผ่นเวเฟอร์ 1a; และ การแบ่งแยกเป็น ชิ้นส่วนรูปชิป 24 จำนวนหนึ่ง ซึ่งก่อเกิดขึ้นมาเนื่องจากผลของการตัดแผ่นเวเฟอร์ 1a โดยใช้ บริเวณจุดเริ่มต้นการตัด 8 เป็นจุดเริ่มต้น โดยการทำให้ฟิล์มที่ยืดได้ 23 ยืดออก การประดิษฐ์นี้จัดให้มีวิธีการดำเนินการด้วยเครื่องใช้เลเซอร์ที่มีลักษณะเฉพาะเนื่องโดยการ ประกอบรวมด้วยขั้นตอบของ : การิตดแถบคุ้มกัน 25 เข้ากับผิวหน้า 3 ของแผ่นเวเฟอร์ 1a; การ ก่อรูปบริเวณหลองรวม 13 ที่ก่อเกิดขึ้นมาโดยการดูดกลืนพหุโฟตอน ขึ้นมาโดยการกระทำการฉาย ด้วยลำแสงเลเซอร์ L ในลักษณะที่กำหนดให้จุดโฟกัส P ของลำแสงเลเซอร์ L อยู่ภายในซับสเทรท 15 โดยให้ผิวด้านหลัง 21 ของแผ่นเวเฟอร์ 1a ทำหน้าที่เป็นระนาบด้านเข้าของลำแสงเลเซอร์; การก่อรูป บริเวณจุดเริ่มต้นการตัด 8 ขึ้นมาโดยสอดคล้องกับหลอมรวม 13 นี้ ณระยะทางที่กำหนดไว้ล่วงหน้า หรือสั้นกว่านั้นจากระนาบด้านเข้าของลำแสงเลเวอร์ ตามแนวของแนวตัดตามแผน 5 ของแผ่น เวเฟอร์ 1a; การติดแถบการยืดออก 23 เขากับผิวด้านหลัง 21ของแผ่นเวเฟอร์ 1a และการแบ่งแยก เป็นชิ้นส่วนรุปชิป 24 จำนวนหนึ่ง ซึ่งก่อเกิดขึ้นมาเนื่องากจากผลของการตัดแผ่นเวเฟอร์ 1a โดยใช้ บริเวณจุดเริ่มต้นการตัด 8 เป็นจุดเริ่มต้น โดยการทำให้ฟิล์มที่ยืดได้ 23 ยืดออก:
Claims (9)
1. วิธีการดำเนินการด้วยเครื่องใช้เวเซอร์สำหรับการตัดชิ้นงานรูปแผ่นแบนที่ประกอบรวมด้วย ซับสเทรท และส่วนชั้นซ้อนที่จัดเตรียมไว้บนซับสเทรท ประกอบรวมด้วยขั้นตอนของ : การติดฟิล์มกำบังเข้ากับผิวด้านหน้าทางด้านของส่วนชั้นซ้อนของชิ้นงาน การก่อรูปบริเวณ ดัดแปลงที่ก่อเกิดขึ้นมาโดยการดูดกลืนพหุโฟตอน ขึ้นมาโดยการกระทำการฉายผิวด้านหลังของชิ้น- งานด้วยลำแสงเลเซอร์ในลักษณะที่ให้จุดลู่รวม (conversing point) ของลำแสงเลเซอร์มีตำแหน่งอยู่ ภายในชิ้นงาน โดยให้ผิวด้าหลังของชิ้นงานทำหน้าที่เป็นระนาบด้านเข้าของลำแสงเลเวอร์, การก่อ รูปบริเวณจุดเริ่มต้นการตัดซึ่งการตัดชิ้นงานเริ่มต้นจากบริเวณนี้ ขึ้นมาโดยสอดคล้องกันกับบริเวณ ดัดแปลง ณ ระยะทางที่กำหนดไว้ล่วงหน้าหรือสั้นกว่านั้นจากระนาบด้านเข้าของลำแสงเลเซอร์ ตามแนว ของแนวตัดตามแผนของชิ้นงาน ; การติดฟิล์มที่ยึดได้เข้ากับผิวด้านหลังของชิ้นงาน; และ การแบ่งแบกออกเป็นชิ้นส่วนจำนวนหนึ่ง ซึ่งก่อเกิดขึ้นมาารเนื่องมาจากผลการการตัดชิ้นงาน โดยใช้บริเวณจุดเริ่มต้นการตัดเป็นจุดเริ่มต้น โดยการทำให้ฟิล์มที่ยึดไดยึดออก
2. วิธีการดำเนินการด้วยเครื่องใช้เวเวอร์สำหรับการตัดชิ้นงานรูปแผ่นแบนที่ประกอบรวมด้วย ซับสเทรทและส่วนชั้นซ้อนที่จัดเตรียมไว้บนซับสเทรท ประกอบรวมดวยขั้นตอนของ : การติดฟิล์มคุ้มสกันเข้ากับผิวด้านหน้าทางด้านของส่วนชั้นซ้อนของชิ้นงาน ; การก่อรูปบริเวณดัดแปลงซึ่งก่อเกิดขึ้นมาโดยการดูดกลืนพหุโฟตอน ขึ้นมารโดยการกระทำ การฉายด้วยลำแสงเลเซอร์ที่ลู่รวม ณ ภายในของซับสเทรดโดยให้ผิวด้านหลังของชิ้นงานทำหน้าที่ เป็นระบาบด้านเข้าขงอลำแสงเลเซอร์ ; การก่อรูปบริเวณจุดเริ่มต้นการตัดขึ้นมาโดยสอดคล้องกันกับบริเวณดัดแปลงนี้ ณ ระยะทางที่ กำหนดไว้ล่วงหน้าหรือสั้นกว่านั้นจากระนาบด้านเข้าของลำแสงเลเซอร์ ตามแนวของแนวตัดตาม แผนของชิ้นงาน ; การติดฟิล์มที่ยึดได้เข้ากับผิวด้านหลังของชิ้นงาน ; การตัดชิ้นงานออกเป็นชิ้นส่วนจำนวนหนึ่งโดยใช้บริเวณจุดเริทต้นการตัดเป็นจุดเริ่มต้น โดย การใช้แรงภายนอกกระทำต่อชิ้นงาน; และ การแบ่งแยกออกเป็นชิ้นส่วนจำนวนหนึ่งของชิ้นงานโดยการทำให้ฟิล์มที่ยึดได้ยึดออก
3. วิธีการดำเนินการดวยเครื่องใช้เลเซอร์สำหรับการตัดชิ้นงานรูปแผ่นแบนที่ประกอบรวมด้วย ซับสเทรท และส่วนชั้นซ้อนที่จัดเตรียมไว้บนซับสเทรท ประกอบรวมด้วยขั้นตอนของ : การติดฟิล์มค้นกันเข้ากับผิวด้านหน้าทางด้านของส่วนชั้นซ้นอของชิ้นงาน ; การก่อรูปบริเวณดัดแปลงซึ่งก่อเกิดขึ้นมาโดยการดูดกลืนพหุโฟตอน ขึ้นมาโดยการกระทำ การฉายด้วยลำแสงเลเซอร์ที่ลู่รวม ณ ภายในของซับสเทรท โดยให้ผิวด้านหลังของชิ้นงานทำหน้าที่ เป็นระนาบด้านเข้าของลำแสงเลเซอร์; การก่อรูปบริเวณจุดเริ่มต้นการตัดขึ้นมาโดยสอดคล้องกันกับบริเวณดัดแปลงนี้ ณ ระยะทางที่ กำหนดไว้ล่วงหน้าหรือสั้นกว่านั้นจากระนาบด้านเข้าของลำแสงเลเวอร์ จตามแนวของแนวตัดตาม แผนของชิ้นงาน; การติดฟิล์มที่ยึดได้เข้ากับผิวด้านหลังของชิ้นงาน; และ การตัดชิ้นงานออกเป้นชิ้นส่วนจำนวนหนึ่งโดยใช้บริเวณจุดเริ่มต้นการตัดเป็นจุดเริ่มต้น โดย การทำให้ฟิล์มที่ยึดได้ยืดออก และการแบ่งแยกออกเป็นชิ้นส่วนจำนวนหนึ่งของชิ้นงาน
4. วิธีการดำเนินการด้วยเครื่องใช้เลเวอร์สำหรับการตัดชิ้นงานรูปแผ่นแบนที่ประกอบรวมด้วย ซับสเทรทสารกึ่งตัวนำและส่วนชั้นซ้อนที่จัดเตรียมไว้บนซับสเทรทสารกึ่งตัวนำประกอบรวมด้วย ขั้นตอนของ : การติดฟิล์มคุ้มกันเข้ากับผิวด้านหน้าทางด้านของ่วนชั้นซ้อนของชิ้นงาน ; การก่อรูปบริเวณหลอมรวมขึ้นมาโดยการกระทำการฉายด้วยลำแสงเลเซอร์ที่ลุ่รวม ณ ภายใน ของซับสเทรท โดยให้ผิวด้านหลังของชิ้นงานทำหน้าที่เป็นระนาบด้านเข้าของลำแสงเลเซอร์; การก่อรูปบริเวณจุดเริ่มต้นการตัดขึ้นมาโดยสอดคล้องกันกับบริเวณหลอมรวมนี้ ณ ระยะทาง ที่กำหนดไว้ล่วงหน้าหรือสั้นกว่านั้นจากระนาบด้านเข้าของลำแสงเลเซอร์ ตามแนวของแนวตัดตาม แผนของชิ้นงาน; การติดฟิล์มที่ยึดได้เข้ากับผิวด้านหลังของชิ้นงาน; และ การแบ่งแยกออกเป็นชิ้นส่วนจำนวนหนึ่งซึ่งก่อเกิดขึ้นมาเนื่องมากจากผลของการตัดชิ้นงาน โดยใช้บริเวณจุดเริ่มต้นการตัดเป็นจุดเริ่มต้น โดยการทำให้ฟิล์มท่ยึดได้ยืดออก
5. วิธีการดำเนินการด้วยเครื่องใช้เลเซอร์สำหรับการตัดชิ้นงานรูปแผ่นแบนที่ประกอบรวมด้วย ซับสเทรทสารกึ่งตัวนำและส่วนชั้นซ้อนที่จัด้เตรียมไว้บนซับสเทรทสารกึ่งตัวนำประกอบรวมด้วย ขั้นตอนของ : การติดฟิล์มค้มกันเข้ากับผิวด้าหน้าทางด้านของส่วนชั้นซ้อนของชิ้นงาน; การก่อรูปบริเวณหลอมรวมขึ้นมาโดยการกระทำการฉายด้วยลำแสงเลเวอร์ที่ลู่รวม ณ ภายใน ของซับสเทรด โดยให้ผิวด้านหลังของชิ้นงานทำหน้าที่เป็นระนาบด้านเข้าของลำแสงเลเซอร์; การก่อรูปบริเวณจุดเริ่มต้นการตัดขึ้นมาโดยสอดคล้องกันกับบริเวณหลองรวมนี้ ณ ระยะทาง ที่กำหนดไว้ล่วงหน้าหรือสั้นกว่านั้นจากระนาบด้านเข้าของลำแสงเลเวอร์ ตามแนวของแนวตัดตาม แผนของชิ้นงาน; การติดฟิล์มที่ยึดได้เข้ากับผิวด้านหลังของชิ้นงาน; การตัดชิ้นงานออกเป็นชิ้ส่วนจำนวนหนึ่ง โดยใช้บริเวณจุดเริ่มต้นการตัดเป็นจุดเริ่มต้น โดยการให้แรงภายนอกกระทำต่อชิ้นงาน; และ การแบ่งแยกออกเป็นชิ้นส่วนจำนวนหนึ่งของชิ้นงานโดยการทำให้ฟิลบ์ม่ยึดได้ยืดออก
6. วิธีการดำเนินการด้วยเครื่องใช้เลเวอร์สำหรับการตัดชิ้นงานรูปแผ่นแบนที่ประกอบรวมด้วย ซับสเทรทสารกึงตัวนำ และส่วนชั้นซ้อนที่จัดเตรียมไว้บนซับสเทรทสารกึ่งตัวนำ ประกอบรวมด้วย ขั้นตอนของ: การติดฟิล์มคุ้มกันเข้ากับผิวด้านหน้าทางด้านของส่วนชั้นซ้อนของชิ้นงาน; การก่อรูปบริเวณหลอมรวมขึ้นมาโดยการกระทำการฉายด้วยลำแสงเลเซอร์ที่ลู่รวม ณ ภายใน ของซับสเทรท โดยให้ผิวด้านหลังของชิ้นงานทำหน้าที่เป็นระนาบด้านเข้าของลำแสงเลเซอร์; การก่อรุปบริเวณจุดเริ่มต้นการตัดขึ้นมาโดยสอดคล้องกันกับบริเวณหลอสรวมนี้ ณ ระยะทาง ที่กำหนดไว้ล่วงหน้าหรือสั้นกว่านั้นจากระนาบด้านเข้าของลำแสงเลเซอร์ ตามแนวของแนวตัดตาม แผนของชิ้นงาน; การติดฟิล์มที่ยึดได้เข้ากับผิวด้านหลังของชิ้นงาน; และ การตัดชิ้นงานออกเป็นชิ้ส่วนจำนวนหนึ่ง โดยใช้บริเวณจุดเรทต้นการตัดเป็นจุดเริ่มต้น โดยการทำให้ฟิล์มที่ยึดได้ยืดออกและการแบ่งแยกออกเป็นชิ้นส่วนจำนวนหนึ่งของชิ้นงาน
7. วิธีการดำเนินการด้วยเครื่องใช้เลเซอร์ตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 6 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งผิวด้าน หลังของชิ้นงานได้รับการขัดเพื่อให้ซับสเทรทของชิ้นงานนั้นบาง ก่อนการก่อรูปบริเวณจุดเริ่มต้นการ ตัดขึ้นมาในชิ้นงาน
8. วิธีการดำเนินการด้วยเครื่องใช้เลเซอร์ตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 7 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งฟิล์มคุ้ม- กันจะได้รับการกำจัดออกไปหลังจากการติดฟิล์มที่ยึดได้เข้ากับชิ้นงาน
9. วิธีการดำเนินการด้วยเครื่องใช้เลเซอร์ตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 7 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งฟิล์มคุ้ม- กันได้รับการกำจัดออกไป หลังจากการแบ่งชิ้นงานแยกออกเป็นชิ้นส่วนจำนวนหนึ่งโดยการทำให้ ฟิล์มที่ยึดได้ยืดออก
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH65466A TH65466A (th) | 2004-12-13 |
| TH52677B true TH52677B (th) | 2016-12-02 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| MY140517A (en) | Semiconductor substrate cutting method | |
| CN105226143B (zh) | 一种GaAs基LED芯片的切割方法 | |
| JP2004001076A5 (th) | ||
| JP6004705B2 (ja) | 接着フィルム付きチップの形成方法 | |
| TWI278027B (en) | Substrate slicing method | |
| US7888239B2 (en) | Semiconductor device manufacturing method | |
| JP5601778B2 (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
| EP2216128A3 (en) | Method of cutting object to be processed | |
| MY147331A (en) | A machining method using laser | |
| JP2003334675A5 (th) | ||
| JPS6336988A (ja) | 半導体ウエハの分割方法 | |
| TH52677B (th) | วิธีการดำเนินการด้วยเครื่องซึ่งใช้เลเซอร์ | |
| US8445361B1 (en) | Method of dividing a semiconductor wafer having semiconductor and metal layers into separate devices | |
| TH65466A (th) | วิธีการดำเนินการด้วยเครื่องซึ่งใช้เลเซอร์ | |
| JPH05211235A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| CN215988667U (zh) | 一种晶圆贴膜机的贴膜台 | |
| CN116960059A (zh) | 一种切割砷化镓基led晶片的方法 | |
| JPS58138050A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04330766A (ja) | ウェーハの切断方法 | |
| US9421640B2 (en) | Dicing method | |
| JPH0346242A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| CN107546300B (zh) | 一种led芯片的切割及劈裂方法 | |
| JPS60165778A (ja) | 半導体レ−ザのチツプ製造方法 | |
| JPS5752585A (en) | Laser cutting method | |
| JPS58162047A (ja) | 化合物半導体の切断方法 |