TH53577B

TH53577B - วิธีการตัดซับสเทรทสารกึ่งตัวนำ

Info

Publication number: TH53577B
Application number: TH401003511A
Authority: TH
Inventors: ฟูคูมิตสึ นายเคนชิ; อัทสึมิ นายคาซูฮิโร; อูชิยามะ นายนาโอกิ; ฟูคูโย นายฟูมิสึกุ; ซูกิอูระ นายริวจิ
Original assignee: นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์; นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์; นายต่อพงศ์ โทณะวณิก; นายบุญมา เตชะวณิช
Filing date: 2004-09-10
Publication date: 2017-01-27

Abstract

DC60 (26/11/47) วิธีการตัดซับสเทรทสารกึ่งตัวนำซึ่งสามารถตัดซับสเทรทสารกึ่งตัวนำที่ซึ่งส่วนผิวด้านหน้า ก่อขึ้นรูปพร้อมด้วยอุปกรณ์เชิงหน้าที่พร้อมด้วยชั้นเรซินยึดเกาะแบบพิมพ์อย่างมีประสิทธิภาพจะ ได้รับการจัดเตรียมขึ้น เวเฟอร์ 11 ซึ่งมีส่วนผิวด้านหน้า 3 ซึ่งก่อขึ้นรูปพร้อมด้วยอุปกรณ์เชิงหน้าที่ 15 จะได้รับการฉายด้วยแสงเลเซอร์ L ในขณะที่จะจัดตำแหน่งจุดที่แสงลู่เข้า P ให้อยู่ภายในเวเฟอร์ 11 โดยมีส่วนผิวด้านหลัง 17 ของเวเฟอร์ 11 ทำหน้าที่เป็นส่วนผิวที่แสงเลเซอร์ตกกระทบ เพื่อที่จะ ก่อกำเนิดการดูดกลืนหลายโฟตอน ด้วยเหตุนี้จะก่อเกิดบริเวณจุดเริ่มต้นสำหรับการตัด 8 อันเนื่อง มาจากบริเวณที่ผ่านการดำเนินกรรมวิธีหลอมละลาย 13 ภายในเวเฟอร์ 11 ไปตามแนวซึ่งซับสเทรท ควรได้รับการตัดตาม 5 สำหรับผลที่ตามมานั้น สามารถก่อกำเนิดรอยแตกจากบริเวณจุดเริ่มต้น สำหรับการตัด 8 โดยธรรมชาติหรือด้วยแรงขนาดค่อนข้างน้อย เพื่อที่จะไปถึงส่วนผิวด้านหน้า 3 และ ส่วนผิวด้านหลัง 17 เพราะฉะนั้น เมื่อฟิล์มชนิดขยายตัว 21 ได้รับการติดเข้าส่วนผิวด้านหลัง 17 ของ เวเฟอร์ 11 โดยอาศัยชั้นเรซินยึดเกาะแบบพิมพ์ 23 ภายหลังการก่อเกิดบริเวณจุดเริ่มต้นสำหรับการตัด 8 และจากนั้นจะได้รับการยืดขยาย เวเฟอร์ 11 และชั้นเรซินยึดเกาะแบบพิมพ์ 23 จะสามารถได้รับ การตัดไปตามแนวซึ่งซับสเทรทควรได้รับการตัดตาม 5 วิธีการตัดซับสเทรคทสารกึ่งตัวนำซึ่งสามารถตัดซับสเทรทกึ่งตัวนำที่ซึ่งส่วนผิวด้านหน้าก่อขึ้นรูปพร้อมด้วย อุปกรณ์เชิงหน้าที่พร้อมด้วยชั้นเรซินยึดเกาะแบบพิมพ์อย่าง มีประสิทธิภาพจะได้รับการจัดเตรียมขึ้น เวเฟอร์ 11 ซึ่งมี ส่วนผิวด้านหน้า 3 ซึ่งก่อขึ้นรูปพร้อมด้วยอุปกรณ์เชิงหน้า ที่ 15 จะได้รับการฉายด้วยแสงเลเซอร์ L ในขณะที่จะจัด่ ตำแหน่งจุดที่แสงลู่เข้า P ให้อยู่ภายในเวเฟอร์ 11 โดยมี ส่วนผิวด้านหลัง 17 ของเวเฟอร์ 11 ทำหน้าที่เป็นส่วนผิวที่ แสงเลเซอร์ตกกระทบ เพื่อที่จะก่อกำเนิดการดูดกลืนหลายโฟตอน ด้วยเหตุนี้จะก่อเกิดบริเวณจุดเริ่มต้นสำหรับการตัด 8 อัน เนื่องมาจากบริเวณที่ผ่านการดำเนินกรรมวิธีหลอมละลาย 13 ภายในเวเฟอร์ 11 ไปตามแนวซึ่งซับสเทรทควรได้รับการตัดตาม 5 สำหรับผลที่ตามมานั้น สามารถก่อกำเนินรอยแตกจากบริเวณจุด เริ่มต้นสำหรับการดัด 8 โดยธรรมชาติหรือด้วยแรงขนาดค่อน ข้างน้อย เพื่อที่จะไปถึงส่วนผิวด้านหน้า 3 และส่วนผิวด้าน หลัง 17 เพราะฉะนั้น เมื่อฟิล์มชนิดขยายตัว 21 ได้รับการ ติดเข้าส่วนผิวด้านหลัง 17 ของเวเฟอร์ 11 โดยอาศัยชั้นเร ซินยึดเกาะแบบพิมพ์ 23 ภายหลังการก่อเกิดบริเวณจุดเริ่มต้น สำหรับการตัด 8 และจากนั้นจะได้รับการยืดขยาย เวเฟอร์ 11 และชั้นเรซินยึดเกาะแบบพิมพ์ 23 จะสามารถได้รับการตัดไปตาม แนวซึ่งซับสเทรทควรได้รับการตัดตาม 5

Claims

1. วิธีการตัดซับสเทรทสารกึ่งตัวนำสำหรับการตัดซับสเทรทสารกึ่งตัวนำซึ่งมีส่วนผิวด้านหน้าที่ก่อขึ้นรูปพร้อมด้วย อุปกรณ์เชิงหน้าที่ไปตามแนวซึ่งซับสเทรทควรได้รับการตัดตาม วิธีการนี้ประกอบรวมด้วยขั้นตอนของ การฉายซับสเทรทสารกึ่งตัวนำนี้ด้วยแสงเลเซอร์ในขณะที่จัด ตำแหน่งจุดที่แสงลู่เข้าไว้ภายในซับสเทรทสารกึ่งตัวนำโดยมี ส่วนผิวด้านด้านหลังของซับสเทรทสารกึ่งตัวนำนี้ทำหน้าที่ เป็นส่วนผิวที่แสงเลเซอร์ตกกระทบ เพื่อที่จะก่อเกิดบริเวณ ผ่านการดัดแปร และทำให้เกิดบริเวณผ่านการดัดแปรเพื่อก่อ เกิดบริเวณจุดเริ่มต้นสำหรับการดัดไปตามแนวซึ่งซับสเทรทควร ได้รับการตัดตามภายในระยะที่กำหนดล่วงหน้าจากส่วนผิวที่แสง เลเซอร์ตกกระทบ และ การติดชิ้นประกอบเพื่อการยึดจับชนิดยืดขยายได้เข้ากับส่วน ผิวด้านหลังของซับสเทรทสารกึ่งตัวนำโดยอาศัยชั้นเรซินยึด เกาะแบบพิมพ์ภายหลังการก่อเกิดบริเวณจุดเริ่มต้นสำหรับการ ตัด และ การตัดซับสเทรทสารกึ่งตัวนำและชั้นเรซินยึดเกาะแบบพิมพ์ไป ตามแนวซึ่งซับสเทรทควรได้รับการตัดตาม โดยการยืดขยายชิ้น ประกอบเพื่อการยึดจับภายหลังการติดชิ้นประกอบเพื่อการยึด จับนี้

2. วิธีการตัดซับสเทรทสารกึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งประกอบรวมต่อไปด้วยขั้นตอนของการขัดส่วนผิวด้านท้ายของ ซับสเทรทสารกึ่งตัวนำในลักษณะที่ว่าซับสเทรทสารกึ่งตัวนำ นี้จะมีความหนาตามที่กำหนดล่วงหน้าก่อนการก่อเกิดบริเวณจุด เริ่มต้นสำหรับการตัด

3. วิธีการตัดซับสเทรทสารกึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิข้อ 1 หรือ 2 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งบริเวณผ่านการดัดแปรนี้รวมถึง บริเวณที่ผ่านการดำเนินกรรมวิธีหลอมละลาย

4. วิธีการตัดซับสเทรทสารกึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิข้อ 1 หรือ 2 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งบริเวณผ่านการดัดแปรนี้รวมถึง บริเวณที่ผ่านการดำเนินกรรมวิธีหลอมละลายและที่ว่างขนาด เล็กซึ่งมีตำแหน่งอยู่บนด้านตรงข้ามของบริเวณที่ผ่านการดำ เนินกรรมวิธีหลอมละลายนี้จากส่วนผิวที่แสงเลเซอร์ตกกระทบ

5. วิธีการตัดซับสเทรทสารกึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิข้อ 1 หรือ 4 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่ง จะยอมให้มีรอยแตกที่จะทำให้ ไปถึงส่วนผิวด้านหน้าของซับสเทรทสารกึ่งตัวนำจากบริเวณจุด เริ่มต้นสำหรับการตัดซึ่งทำหน้าที่เป็นจุดเริ่มเมื่อก่อ เกิดบริเวณจุดเริ่มต้นสำหรับการตัด

6. วิธีการตัดซับสเทรทสารกึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิข้อ 1 หรือ 4 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่ง จะยอมให้มีรอยแตกที่จะทำให้ ไปถึงส่วนด้านหลังของซับสเทรทสารกึ่งตัวนำจากบริเวณจุด เริ่มต้นสำหรับการดัดซึ่งทำหน้าที่เป็นจุดเริ่มเมื่อก่อ เกิดบริเวณจุดเริ่มต้นสำหรับการตัด

7. วิธีการตัดซับสเทรทสารกึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิข้อ 1 หรือ 4 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่ง จะยอมให้มีรอยแตกที่จะทำให้ ไปถึงส่วนผิวด้านหน้าและส่วนผิวด้านหลังของซับสเทรทสารกึ่ง ตัวนำจากบริเวณจุดเริ่มต้นสำหรับการตัดซึ่งทำหน้าที่เป็น จุดเริ่มเมื่อก่อเกิดบริเวณจุดเริ่มต้นสำหรับการตัด

8. วิธีการตัดซับสเทรทสารกึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิข้อ 1 หรือ 7 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งประกอบรวมด้วยขั้นตอนของการ ให้ความร้อนชั้นเรซินยึดเกาะแบบพิมพ์ก่อนขั้นตอนของการตัด ซับสเทรทสารกึ่งตัวนำและชั้นเรซินยึดเกาะแบบพิมพ์ไปตามแนว ซึ่งซับสเทรทควรได้รับการตัดตามโดยการยืดขยายชิ้นประกอบ เพื่อการยึดจับนี้ (ข้อถือสิทธิ 8 ข้อ, 2 หน้า, 23 รูป)