TH52676B - วิธีการของการตัดซับสเทรทสารกึ่งตัวนำ - Google Patents

Abstract

DC60 (04/12/46) หลังจากที่ส่วนตัดตามแผน 9 ที่มีพื้นฐานบนบริเวณผ่านการดำเนินการให้หลอมเหลว 13 ได้ รับการก่อรูปขึ้นมาในภายในของแผ่นเวเฟอร์ซิลิคอน 11 โดยการทำให้การดูดกลืนพหุโฟตอนบังเกิด ขึ้นมา แผ่นสารยึดติด 20 ที่แปะติดกับแผ่นเวเฟอร์ซิลิคอน 11 จะได้รับการทำให้ยืดออก ผลก็คือ แผ่นเวเฟอร์ซิลิคอน 11 จะได้รับการตัดอย่างเที่ยงตรงเป็นชิปสารกึ่งตัวนำ 25 ตามแนวของส่วนตัด ตามแผน 9 ณ เวลานี้ พื้นผิวตัดที่หันหน้าเข้าหากัน 25a, 25a ของชิปสารกึ่งตัวนำ 25 ที่อยู่ใกล้กันจะ ได้รับการทำให้แยกออกจากสภาพที่ยืดติดกันแน่น; ดังนั้น ชั้นเรซืนเพื่อการติดกับเบ้ารับ 23 จะได้รับ การตัดด้วยเช่นกันตามแนวของส่วนตัดตามแผน 9 ดังนั้น จะสามารถตัดแผ่นเวเฟอร์ซิลิคอน 11 และ ชั้นเรซินเพื่อการติดกับเบ้ารับ 23 ได้อย่างมีประสิทธิภาพมากกว่าในกรณีที่ทำการตัดแผ่นเวเฟอร์ ซิลิคอน 11 และชั้นเรซินเพื่อการติดกับเบ้ารับ 23 โดยอาศัยใบมีดโดยไม่ตัดซับสเทรท 21 อยู่อย่างมาก หลังจากที่ส่วนตัดตามแผน 9 ที่มีพื้นฐานบนบริเวณผ่านการดำเนินการให้หลอมเหลว 13 ได้ รับการก่อรูปขึ้นมาในภายในของแผ่นเวเฟอร์ซิลิคอน 11 โดยการทำให้การดูดกลืนพหุโฟตอนบังเกิด ขึ้นมา แผ่นสารยึดติด 20 ที่แปะติดกับแผ่นเวเฟอร์ซิลิคอน 11 จะได้รับการทำให้ยืดออก ผลก็คือ แผ่นเวเฟอร์ซิลิคอน 11 จะได้รับการตัดอย่างเที่ยงตรงเป็นชิปสารกึ่งตัวนำ 25 ตามแนวของส่วนตัด ตามแผน 9 ณ เวลานี้ พื้นผิวตัดที่หันหน้าเข้าหากัน 25a, 25a ของชิปสารกึ่งตัวนำ 25 ที่อยู่ใกล้กันจะ ได้รับการทำให้แยกออกจากสภาพที่ยืดติดกันแน่น; ดังนั้น ชั้นเรซีนเพื่อการติดกับเบ้ารับ 23 จะได้รับ การตัดด้วยเช่นกันตามแนวของส่วนตัดตามแผน 9 ดังนั้น จะสามารถตัดแผ่นเวเฟอร์ซิลิคอน 11 และ ชั้นเรซินเพื่อการติดกับเบ้ารับ 23 ได้อย่างมีประสิทธิภาพมากกว่าในกรณีที่ทำการตัดแผ่นเวเฟอร์ ซิลิคอน 11 และชั้นเรซินเพื่อการติดกับเบ้ารับ 23 โดยอาศัยใบมัดโดยไม่ตัดซับสเทรท 21 อยู่อย่างมาก

Claims (8)

1. วิธีการของการตัดซับสเทรทสารกึ่งตัวนำ, วิธีการดังกล่าวประกอบรวมด้วยขั้นตอนของ; การก่อรูปส่วนตัดที่ซึ่งควรทำการตัดซับสเทรทสารกึ่งตัวนำขึ้นมาโดยการฉายแสงเลเซอร์ใน สภาพที่จุดลู่รวม (conversing point) ของแสงเลเซอร์ได้รับการกำหนดให้มีตำแหน่งอยู่ภายใน ซับสเทรทสารกึ่งตัวนำ ซึ่งได้ติดแผ่นเข้าไปโดยมีชั้นเรซินเพื่อการติดกับเบ้ารับแทรกอยู่ตรงกลาง เพื่อ การก่อรูปบริเวณดัดแปลงที่ก่อรูปขึ้นมาโดยการดูดกลืนพหุโฟตอนขึ้นมาภายในซับสเทรทสารกึ่ง- ตัวนำ และส่วนตัดได้รับการก่อรูปขึ้นมาโดยบริเวณดัดแปลง;และ การตัดซับสเทรทสารกึ่งตัวนำดังกล่าว และขั้นเรซินเพื่อการติดกับเบ้ารับดังกล่าวตามแนว ของส่วนตัดโดยการทำให้แผ่นดังกล่าวยืดออก หลังขั้นตอนการก่อรูป 2. วิธีการของการตัดซับสเทรทสารกึ่งตัวนำ, วิธีการดังกล่าวประกอบรวมด้วยขั้นตอนของ; การก่อรูปส่วนตัดที่ซึ่งควรทำการตัดซับสเทรทสารกึ่งตัวนำขึ้นมาโดยการฉายแสงเลเซอร์ใน สภาพที่จุดลู่รวมของแสงเลเซอร์ได้รับการกำหนดให้มีตำแหน่งอยู่ภายในซับสเทรทสารกึ่งตัวนำ ซึ่ง ได้ติดแผ่นเข้าไปโดยมีชั้นเรซินเพื่อการติดกับเบ้ารับแทรกอยู่ตรงกลาง เพื่อการก่อรูปบริเวณดัดแปลง ที่ประกอบด้วยบริเวณผ่านการดำเนินการให้หลอมเหลวที่ก่อรูปชึ้นมาโดยการดูดกลืนพหุโฟตอนขึ้น มาภายในซับสเทรทสารกึ่งตัวนำ ภายใต้ภาวะซึ่งทำให้มีความหนาแน่นของกำลังค่ายอด ณ จุดลู่รวม เป็น 1x108 (วัตต์/ซม.2) หรือมากกว่านั้น และความกว้างพัลส์เป็น 1 ไมโครวินาที หรือน้อยกว่านั้น และส่วนตัดได้รับการก่อรูปขึ้นมาโดยบริเวณดัดแปลงที่ประกอบด้วยบริเวณผ่านการดำเนินการให้ หลอมเหลว;และ การตัดซับสเทรทสารกึ่งตัวนำดังกล่าว และชั้นเรซินเพื่อการติดกับเบ้ารับดังกล่าวตามแนว ของส่วนตัดดังกล่าวโดยการทำให้แผ่นดังกล่าวยืดออก หลังขั้นตอนการก่อรูปดังกล่าว 3. วิธีการของการตัดซับสเทรทสารกึ่งตัวนำ, วิธีการดังกล่าวประกอบรวมด้วยขั้นตอนของ; การก่อรูปส่วนตัดที่ซึ่งควรทำการตัดซับสเทรทสารกึ่งตัวนำขี้มาโดยการฉายแสงเลเซอร์ใน สภาพที่จุดลู่รวมของแสงเลเซอร์ได้รับการกำหนดให้มีตำแหน่งอยู่ภายในซับสเทรทสารกึ่งตัวนำ ซึ่ง ได้ติดแผ่นเข้าไปโดยมีชั้นเรซินเพื่อการติดกับเบ้ารับแทรกอยู่ตรงกลาง เพื่อการก่อรูปบริเวณดัดแปลง ขึ้นมา; และ การตัดซับสเทรทสารกึ่งตัวนำดังกล่าว และชั้นเรซินเพื่อการติดกับเบ้ารับดังกล่าวตามแนว ของส่วนตัดดังกล่าวโดยการทำให้แผ่นดังกล่าวยืดออก หลังขั้นตอนการก่อรูปดังกล่าว 4. วิธีการของการตัดซับสเทรทสารกึ่งตัวนำ, วิธีการดังกล่าวประกอบรวมด้วยขั้นตอนของ; การก่อรูปส่วนตัดที่ซึ่งควรทำการตัดซับสเทรทสารกึ่งตัวนำขึ้นมาโดยการฉายแสงเลเซอร์ใน สภาพที่จุดลู่รวมของแสงเลเซอร์ได้รับการกำหนดให้มีตำแหน่งอยู่ภายในซับสเทรทสรกึ่งตัวนำ ซึ่ง ได้ติดแผ่นเข้าไป เพื่อการก่อรูปบริเวณตัดแปลงขึ้นมา;และ การตัดซับสเทรทสารกึ่งตัวนำดังกล่าวตามแนวของส่วนตัดดังกล่าวโดยการทำให้แผ่นดัง กล่าวยืดออก หลังขั้นตอนการก่อรูปดังกล่าว 5. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อ 3 หรือข้อถือสิทธิข้อ 4 ที่ซึ่ง บริเวณดัดแปลงดังกล่าวเป็นบริเวณ ผ่านการดำเนินการให้หลอมเหลว 6. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 4 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งรอยแตกได้รับการทำให้บรรลุถึงผิวด้าน หน้าของซับสเทรทสารกึ่งตัวนำดังกล่าวทางด้านที่แสงเลเซอร์ตกกระทบ โดยมีส่วนตัดดังกล่าวเป็น จุดเริ่มต้น ในขั้นตอนดังกล่าวที่ซึ่งส่วนตัดตามแผนได้รับการก่อรูปขึ้นมา 7. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 4 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งรอยแตกได้รับการทำให้บรรลุถึงผิวด้าน หลังของซับสเทรทสารกึ่งตัวนำดังกล่าวบนคนละด้านกันกับด้านที่แสงเลเซอร์ตกกระทบ โดยมีส่วน ตัดดามแผนดังกล่าวเป็นจุดเริ่มต้น ในขั้นตอนดังกล่าวที่ซึ่งส่วนตัดตามแผนได้รับการก่อรูปขั้นมา 8. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 4 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งรอยแตกได้รับการทำให้บรรลุถึงผิวด้าน หน้าของซับสเทรทสารกึ่งตัวนำดังกล่าวทางด้านที่แสงเลเซอร์ตกกระทบ และผิวด้านหลังของซับ- สเทรทสารกึ่งตัวนำดังกล่าวบนคนละด้านกันกับด้านนั้น โดยมีส่วนตัดตามแผนดังกล่าวเป็นจุดเริ่มต้น ในขั้นตอนดังกล่าวที่ซึ่งส่วนตัดตามแผนได้รับการก่อรูปขึ้นมา 9. วิธีการของการตัดซับสเทรทสารกึ่งตัวนำ, วิธีการดังกล่าวประกอบรวมด้วยขั้นตอนของ: การก่อรูปส่วนตัดที่ซึ่งควรทำการตัดซับสเทรทสารกึ่งตัวนำขึ้นมาโดยการฉายแสงเลเซอร์ใน สภาพที่จุดสู่รวมของแสงเลเซอร์ได้รับการกำหนดให้มีตำแหน่งอยู่ภายในซับสเทรทสารกึ่งตัวนำ ซึ่ง ได้ติดแผ่นเข้าไปโดยมีชั้นเรซินเพื่อการติดกับเบ้ารับแทรกอยู่ตรงกลาง เพื่อการก่อรูปบริเวณดัดแปลง ที่ก่อรูปขึ้นมาโดยบริเวณดัดแปลง; และ การตัดซับสเทรทสารกึ่งตัวนำดังกล่าวตามแนวของส่วนตัดดังกล่าวโดยการทำให้เกิดความ เค้นขึ้นมาในซับสเทรทสารกึ่งตัวนำดังกล่าวตามแนวของส่วนตัดดังกล่าว หลังการก่อรูปดังกล่าว; และ การตัดชั้นเรซินเพื่อการติดกับเบ้ารับดังกล่าวตามแนวพื้นผิวตัดของซับสเทรทสารกึ่งตัวนำดัง กล่าวโดยการทำให้แผ่นดังกล่าวยืดออก หลังขั้นตอนการตัดสารกึ่งตัวนำดังกล่าว 1 0. วิธีการของการตัดซับสเทรทสารกึ่งตัวนำ, วิธีการดังกล่าวประกอบรวมด้วยขั้นตอนของ; การก่อรูปส่วนดัดที่ซึ่งควรทำการตัดซับสเทรทสารกึ่งตัวนำขึ้นมาโดยการฉายแสงเลเซอร์ใน สภาพที่จุดลู่รวมของแสงเลเซอร์ได้รับการกำหนดให้มีตำแหน่งอยู่ภายในซับสเทรทสารกึ่งตัวนำ ซึ่ง ได้ติดแผ่นเข้าไปโดยมีชั้นเรซินเพื่อการติดกับเบ้ารับแทรกอยู่ตรงกลาง เพื่อการก่อรูปบริเวณดัดแปลง ที่ประกอบด้วยบริเวณผ่านการดำเนินการให้หลอมเหลวที่ก่อรูปขึ้นมาโดยการดูดกลืนพหุโฟตอนขึ้น มาภายในซับสเทรทสารกึ่บตัวนำ ภายใต้ภาวะซึ่งทำให้มีความหนาแน่นของกำลังค่ายอด ณ จุดลู่รวม เป็น 1 x 108 (วัตต์/ซม.2) หรือมากกว่านั้น และความกว้างพัลส์เป็น 1 ไมโครวินาที หรือน้อยกว่านั้น และส่วนตัดได้รับการก่อรูปขึ้นมาโดยบริเวณดัดแปลงที่ประกอบด้ายบริเวณผ่านการดำเนินการให้ หลอมเหลว; การตัดซับสเทรทสารกึ่งตัวนำดังกล่าวตามแนวของส่วนตัดดังกล่าวโดยการทำให้เกิดความ เค้นขึ้นมาในซับสเทรทสารกึ่งตัวนำดังกล่าวตาแนวของส่วนตัดดังกล่าว หลังขั้นตอนการก่อรูปดัง กล่าว; และ การตัดชั้นเรซินเพื่อการติดกับเบ้ารับดังกล่างตามแนวพื้นผิวตัดของซับสเทรทสารกึ่งตัวนำดัง กล่าวโดยการทำให้แผ่นดังกล่าวยืดออก หลังขั้นตอนการตัดซับสเทรทสารกึ่งตัวนำดังกล่าว 1

1. วิธีการของการตัดซับสเทรทสารกึ่งตัวนำ, วิธีการดังกล่าวประกอบรวมด้วยขั้นตอนของ; การก่อรูปส่วนตัดที่ซึ่งควรทำการตัดซับสเทรทสารกึ่งตัวนำขั้นมาโดยการฉายแสงเลเซอร์ใน สภาพที่จุดลู่รวมของแสงเลเซอร์ได้รับการกำหนดให้มีตำแหน่งอยู่ภายในซับสเทรทสารกึ่งตัวนำ ซึ่ง ได้ติดแผ่นเข้าไปโดยมีชั้นเรซินเพื่อการติดกับเบ้ารับแทรกอยู่ตรงกลาง เพื่อการก่อรูปบริเวณดัดแปลง ขึ้นมา; การตัดซับสเทรทสารกึ่งตัวนำดังกล่าวตามแนวของส่วนตัดดังกล่าวโดยการทำให้เกิดความ เค้นขึ้นมาในซับสเทรทสารกึ่งตัวนำดังกล่าวตามแนวของส่วนตัดดังกล่าว หลังขั้นตอนการก่อรูปดัง กล่าว; และ การตัดชั้นเรซินเพื่อการติดกับเบ้ารับดังกล่าวตามแนวพื้นผิวตัดของซับสเทรทสารกึ่งตัวนำดัง กล่าวโดยการทำให้แผ่นดังกล่าวยืดออก หลังขั้นตอนการตัดซับสเทรทสารกึ่งตัวนำดังกล่าว 1

2. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อ 11 ที่ซึ่ง บริเวณดัดแปลงดังกล่าวเป็นบริเวณผ่านการดำเนินการให้ หลอมเหลว 1

3. วิธีการของการตัดซับสเทรทสารกึ่งตัวนำซึ่งก่อรูปขึ้นมาให้มีชิ้นส่วนเชิงหน้าที่บนผิวด้าน หน้าของซับสเทรทสารกึ่งตัวนำ โดยได้รับการตัดตามแนวของแนวตัดตามแผน. วิธีการดังกล่าว ประกอบรวมด้วยขั้นตอนของ; การก่อรูปบริเวณดัดแปลงขึ้นมาโดยการฉายแสงเลเซอร์ ,การใช้ผิวด้านหลังของซับสเทรท สารกึ่งตัวนำดังกล่าวเป็นระนาบของการตกกระทบของแสงเลเซอร์ และการจัดตำแหน่งของจุดโฟกัส ของแสงไว้ภายในของซับสเทรทสารกึ่งตัวนำดังกล่าว และการก่อรูปบริเวณจุดเริ่มต้นการตัดขึ้นมาที่ ด้านใน ณ ระยะทางที่กำหนดจากระนาบดังกล่าวของการตกกระทบของแสงเลเซอร์ ตามแนวของ แนวตัดตามแผนดังกล่าว โดยอาศัยบริเวณดัดแปลง; การติดตั้งชิ้นประกอบยึดจับที่ยืดได้ลงบนผิวด้านหลังของซับสเทรทสารกึ่งตัวนำดังกล่าวโดย อาศัยชั้นเรซินเพื่อการติดกับเบ้ารับที่วางแทรกไว้ หลังการก่อรูปบริเวณจุดเริ่มต้นการตัดดังกล่าว;และ การตัดซับสเทรทสารกึ่งตัวนำดังกล่าวและชั้นเรซินเพื่อการติดกับเบ้ารับดังกล่าวตามแนว ของแนวตัดตามแผนดังกล่าวหลังการติดตั้งชิ้นประกอบยึดจับดังกล่าว โดยการทำให้ชิ้นประกอบยึด จับดังกล่าวยืดออก 1

4. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อ 13 ประกอบรวมต่อไปอีกด้วยขั้นตอนของ; การขัดผิวด้านหลังของ ซับสเทรทสารกึ่งตัวนำดังกล่าวในลักษณะที่ทำให้ซับสเทรทสารกึ่งตัวนำดังกล่าวมีความหนาตามที่ กำหนด ก่อนการก่อรูปบริเวณจุดเริ่มต้นการตัดดังกล่าวขึ้นมา 1

5. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อ 13 หรือข้อถือสิทธิข้อ 14 ที่ซึ่งบริเวณดัดแปลงดังกล่าวมีบริเวณผ่าน การปฏิบัติให้หลอมรวม 1

6. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อ 13 ถึง 15 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งเมื่อบริเวณจุดเริ่มต้นการตัดดังกล่าวได้ รับการก่อรูปขึ้นมา รอยแตกที่เริ่มต้นจากบริเวณจุดเริ่มต้นการตัดดังกล่าวจะได้รับการทำให้บรรลุถึง ผิวด้านหน้าของซับสเทรทสารกึ่งตัวนำดังกล่าว 1

7. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อ 13 ถึง 15 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งเมื่อบริเวณจุดเริ่มต้นการตัดดังกล่าวได้ รับการก่อรูปขึ้นมา รอยแตกที่เริ่มต้นจากบริเวณจุดเริ่มต้นการตัดดังกล่าวจะได้รับการทำให้บรรลุถึง ผิวด้านหลังของซับสเทรทสารกึ่งตัวนำดังกล่าว 1

8. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 3 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งเมื่อบริเวณจุดเริ่มต้นการตัดดังกล่าวได้รับ การก่อรูปขึ้นมา รอยแตกที่เริ่มต้นจากบริเวณจุดเริ่มต้นการตัดดังกล่าวจะได้รับการทำให้บรรลุถึงผิว ด้านหน้าและผิวด้านหลังของซับสเทรทสารกึ่งตัวนำดังกล่าว