Claims (18)
1. วิธีการของการตัดซับสเทรทสารกึ่งตัวนำ, วิธีการดังกล่าวประกอบรวมด้วยขั้นตอนของ; การก่อรูปส่วนตัดที่ซึ่งควรทำการตัดซับสเทรทสารกึ่งตัวนำขึ้นมาโดยการฉายแสงเลเซอร์ใน สภาพที่จุดลู่รวม (conversing point) ของแสงเลเซอร์ได้รับการกำหนดให้มีตำแหน่งอยู่ภายใน ซับสเทรทสารกึ่งตัวนำ ซึ่งได้ติดแผ่นเข้าไปโดยมีชั้นเรซินเพื่อการติดกับเบ้ารับแทรกอยู่ตรงกลาง เพื่อ การก่อรูปบริเวณดัดแปลงที่ก่อรูปขึ้นมาโดยการดูดกลืนพหุโฟตอนขึ้นมาภายในซับสเทรทสารกึ่ง- ตัวนำ และส่วนตัดได้รับการก่อรูปขึ้นมาโดยบริเวณดัดแปลง;และ การตัดซับสเทรทสารกึ่งตัวนำดังกล่าว และขั้นเรซินเพื่อการติดกับเบ้ารับดังกล่าวตามแนว ของส่วนตัดโดยการทำให้แผ่นดังกล่าวยืดออก หลังขั้นตอนการก่อรูป1. Semiconductor Substrate Cutting Method: This method comprises the following steps: Forming the cross-section where the semiconductor substrate is to be cut by laser irradiation, where the conversing point of the laser beam is defined within the semiconductor substrate, to which a resin layer for attachment is inserted in the center; forming a modified region by multiphoton absorption within the semiconductor substrate, and shaping the cross-section by this modified region; and cutting the semiconductor substrate and the resin layer along the cross-section by stretching the sheet after the forming step.
2. วิธีการของการตัดซับสเทรทสารกึ่งตัวนำ, วิธีการดังกล่าวประกอบรวมด้วยขั้นตอนของ; การก่อรูปส่วนตัดที่ซึ่งควรทำการตัดซับสเทรทสารกึ่งตัวนำขึ้นมาโดยการฉายแสงเลเซอร์ใน สภาพที่จุดลู่รวมของแสงเลเซอร์ได้รับการกำหนดให้มีตำแหน่งอยู่ภายในซับสเทรทสารกึ่งตัวนำ ซึ่ง ได้ติดแผ่นเข้าไปโดยมีชั้นเรซินเพื่อการติดกับเบ้ารับแทรกอยู่ตรงกลาง เพื่อการก่อรูปบริเวณดัดแปลง ที่ประกอบด้วยบริเวณผ่านการดำเนินการให้หลอมเหลวที่ก่อรูปชึ้นมาโดยการดูดกลืนพหุโฟตอนขึ้น มาภายในซับสเทรทสารกึ่งตัวนำ ภายใต้ภาวะซึ่งทำให้มีความหนาแน่นของกำลังค่ายอด ณ จุดลู่รวม เป็น 1x108 (วัตต์/ซม.2) หรือมากกว่านั้น และความกว้างพัลส์เป็น 1 ไมโครวินาที หรือน้อยกว่านั้น และส่วนตัดได้รับการก่อรูปขึ้นมาโดยบริเวณดัดแปลงที่ประกอบด้วยบริเวณผ่านการดำเนินการให้ หลอมเหลว;และ การตัดซับสเทรทสารกึ่งตัวนำดังกล่าว และชั้นเรซินเพื่อการติดกับเบ้ารับดังกล่าวตามแนว ของส่วนตัดดังกล่าวโดยการทำให้แผ่นดังกล่าวยืดออก หลังขั้นตอนการก่อรูปดังกล่าว2. Semiconductor Substrate Cutting Method: This method comprises the following steps: Forming the cross-section where the semiconductor substrate is to be cut by laser irradiation. The laser focal point is defined within the semiconductor substrate, which has a resin layer attached to the socket. This forms a modified region consisting of a molten region created by multiphoton absorption within the semiconductor substrate. Under conditions where the peak power density at the focal point is 1 x 10⁸ (W/cm²) or greater and the pulse width is 1 microsecond or less, the cross-section is formed by the modified region containing the molten region. Finally, the semiconductor substrate and the resin layer are cut along the cross-section by stretching the sheet.
3. วิธีการของการตัดซับสเทรทสารกึ่งตัวนำ, วิธีการดังกล่าวประกอบรวมด้วยขั้นตอนของ; การก่อรูปส่วนตัดที่ซึ่งควรทำการตัดซับสเทรทสารกึ่งตัวนำขี้มาโดยการฉายแสงเลเซอร์ใน สภาพที่จุดลู่รวมของแสงเลเซอร์ได้รับการกำหนดให้มีตำแหน่งอยู่ภายในซับสเทรทสารกึ่งตัวนำ ซึ่ง ได้ติดแผ่นเข้าไปโดยมีชั้นเรซินเพื่อการติดกับเบ้ารับแทรกอยู่ตรงกลาง เพื่อการก่อรูปบริเวณดัดแปลง ขึ้นมา; และ การตัดซับสเทรทสารกึ่งตัวนำดังกล่าว และชั้นเรซินเพื่อการติดกับเบ้ารับดังกล่าวตามแนว ของส่วนตัดดังกล่าวโดยการทำให้แผ่นดังกล่าวยืดออก หลังขั้นตอนการก่อรูปดังกล่าว3. Method of Cutting the Semiconductor Substrate: This method comprises the following steps: Forming the cross-section where the semiconductor substrate should be cut by laser irradiation, where the laser beam focal point is defined within the semiconductor substrate, which has a resin layer attached to the substrate for mounting. The resulting modified area is then cut along the cross-section by stretching the substrate.
4. วิธีการของการตัดซับสเทรทสารกึ่งตัวนำ, วิธีการดังกล่าวประกอบรวมด้วยขั้นตอนของ; การก่อรูปส่วนตัดที่ซึ่งควรทำการตัดซับสเทรทสารกึ่งตัวนำขึ้นมาโดยการฉายแสงเลเซอร์ใน สภาพที่จุดลู่รวมของแสงเลเซอร์ได้รับการกำหนดให้มีตำแหน่งอยู่ภายในซับสเทรทสรกึ่งตัวนำ ซึ่ง ได้ติดแผ่นเข้าไป เพื่อการก่อรูปบริเวณตัดแปลงขึ้นมา;และ การตัดซับสเทรทสารกึ่งตัวนำดังกล่าวตามแนวของส่วนตัดดังกล่าวโดยการทำให้แผ่นดัง กล่าวยืดออก หลังขั้นตอนการก่อรูปดังกล่าว4. Method of cutting the semiconductor substrate: This method consists of the following steps: forming a cross-section where the semiconductor substrate should be cut by laser irradiation, where the laser beam focal point is positioned within the semiconductor substrate to which the sheet is attached; and cutting the semiconductor substrate along the cross-section by stretching the sheet after the forming step.
5. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อ 3 หรือข้อถือสิทธิข้อ 4 ที่ซึ่ง บริเวณดัดแปลงดังกล่าวเป็นบริเวณ ผ่านการดำเนินการให้หลอมเหลว5. The method under Claim 3 or Claim 4 where the modified area is a melting area.
6. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 4 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งรอยแตกได้รับการทำให้บรรลุถึงผิวด้าน หน้าของซับสเทรทสารกึ่งตัวนำดังกล่าวทางด้านที่แสงเลเซอร์ตกกระทบ โดยมีส่วนตัดดังกล่าวเป็น จุดเริ่มต้น ในขั้นตอนดังกล่าวที่ซึ่งส่วนตัดตามแผนได้รับการก่อรูปขึ้นมา6. Any of the methods under Reservations 1 through 4, where the fracture is brought to the surface of the semiconductor substrate on the incident side, with such cross-section as the starting point, in which the planned cross-section is formed.
7. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 4 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งรอยแตกได้รับการทำให้บรรลุถึงผิวด้าน หลังของซับสเทรทสารกึ่งตัวนำดังกล่าวบนคนละด้านกันกับด้านที่แสงเลเซอร์ตกกระทบ โดยมีส่วน ตัดดามแผนดังกล่าวเป็นจุดเริ่มต้น ในขั้นตอนดังกล่าวที่ซึ่งส่วนตัดตามแผนได้รับการก่อรูปขั้นมา7. Any of the methods under Reservations 1 through 4, where the fracture is achieved to the back surface of the semiconductor substrate on the opposite side to the laser incident surface, with the planned cross-section as the starting point, in which the planned cross-section is formed.
8. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 4 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งรอยแตกได้รับการทำให้บรรลุถึงผิวด้าน หน้าของซับสเทรทสารกึ่งตัวนำดังกล่าวทางด้านที่แสงเลเซอร์ตกกระทบ และผิวด้านหลังของซับ- สเทรทสารกึ่งตัวนำดังกล่าวบนคนละด้านกันกับด้านนั้น โดยมีส่วนตัดตามแผนดังกล่าวเป็นจุดเริ่มต้น ในขั้นตอนดังกล่าวที่ซึ่งส่วนตัดตามแผนได้รับการก่อรูปขึ้นมา8. Any of the methods under Reservations 1 through 4, where the fracture is achieved to the front surface of the semiconductor substrate on the incident laser side and to the back surface of the semiconductor substrate on the opposite side, with the planned cross-section as the starting point, in which the planned cross-section is formed.
9. วิธีการของการตัดซับสเทรทสารกึ่งตัวนำ, วิธีการดังกล่าวประกอบรวมด้วยขั้นตอนของ: การก่อรูปส่วนตัดที่ซึ่งควรทำการตัดซับสเทรทสารกึ่งตัวนำขึ้นมาโดยการฉายแสงเลเซอร์ใน สภาพที่จุดสู่รวมของแสงเลเซอร์ได้รับการกำหนดให้มีตำแหน่งอยู่ภายในซับสเทรทสารกึ่งตัวนำ ซึ่ง ได้ติดแผ่นเข้าไปโดยมีชั้นเรซินเพื่อการติดกับเบ้ารับแทรกอยู่ตรงกลาง เพื่อการก่อรูปบริเวณดัดแปลง ที่ก่อรูปขึ้นมาโดยบริเวณดัดแปลง; และ การตัดซับสเทรทสารกึ่งตัวนำดังกล่าวตามแนวของส่วนตัดดังกล่าวโดยการทำให้เกิดความ เค้นขึ้นมาในซับสเทรทสารกึ่งตัวนำดังกล่าวตามแนวของส่วนตัดดังกล่าว หลังการก่อรูปดังกล่าว; และ การตัดชั้นเรซินเพื่อการติดกับเบ้ารับดังกล่าวตามแนวพื้นผิวตัดของซับสเทรทสารกึ่งตัวนำดัง กล่าวโดยการทำให้แผ่นดังกล่าวยืดออก หลังขั้นตอนการตัดสารกึ่งตัวนำดังกล่าว9. Methods of cutting the semiconductor substrate: These methods consist of the following steps: forming the cross-section where the semiconductor substrate should be cut by laser irradiation, where the laser beam focal point is positioned within the semiconductor substrate, which has a resin layer attached to the socket in the center to form the modified zones; cutting the semiconductor substrate along the cross-section by stressing the substrate along the cross-section after forming; and cutting the resin layer along the cross-section surface of the semiconductor substrate by stretching the sheet after the semiconductor cutting step.
10. วิธีการของการตัดซับสเทรทสารกึ่งตัวนำ, วิธีการดังกล่าวประกอบรวมด้วยขั้นตอนของ; การก่อรูปส่วนดัดที่ซึ่งควรทำการตัดซับสเทรทสารกึ่งตัวนำขึ้นมาโดยการฉายแสงเลเซอร์ใน สภาพที่จุดลู่รวมของแสงเลเซอร์ได้รับการกำหนดให้มีตำแหน่งอยู่ภายในซับสเทรทสารกึ่งตัวนำ ซึ่ง ได้ติดแผ่นเข้าไปโดยมีชั้นเรซินเพื่อการติดกับเบ้ารับแทรกอยู่ตรงกลาง เพื่อการก่อรูปบริเวณดัดแปลง ที่ประกอบด้วยบริเวณผ่านการดำเนินการให้หลอมเหลวที่ก่อรูปขึ้นมาโดยการดูดกลืนพหุโฟตอนขึ้น มาภายในซับสเทรทสารกึ่บตัวนำ ภายใต้ภาวะซึ่งทำให้มีความหนาแน่นของกำลังค่ายอด ณ จุดลู่รวม เป็น 1 x 108 (วัตต์/ซม.2) หรือมากกว่านั้น และความกว้างพัลส์เป็น 1 ไมโครวินาที หรือน้อยกว่านั้น และส่วนตัดได้รับการก่อรูปขึ้นมาโดยบริเวณดัดแปลงที่ประกอบด้ายบริเวณผ่านการดำเนินการให้ หลอมเหลว; การตัดซับสเทรทสารกึ่งตัวนำดังกล่าวตามแนวของส่วนตัดดังกล่าวโดยการทำให้เกิดความ เค้นขึ้นมาในซับสเทรทสารกึ่งตัวนำดังกล่าวตาแนวของส่วนตัดดังกล่าว หลังขั้นตอนการก่อรูปดัง กล่าว; และ การตัดชั้นเรซินเพื่อการติดกับเบ้ารับดังกล่างตามแนวพื้นผิวตัดของซับสเทรทสารกึ่งตัวนำดัง กล่าวโดยการทำให้แผ่นดังกล่าวยืดออก หลังขั้นตอนการตัดซับสเทรทสารกึ่งตัวนำดังกล่าว10. Methods for Cutting Semiconductor Substrate: This method comprises the following steps: Forming a section where the semiconductor substrate is to be cut by laser irradiation. The laser slant point is defined within the semiconductor substrate, which is fitted with a resin layer to a central socket. This forms a modified region consisting of a molten region created by multiphoton absorption within the semiconductor substrate. Under conditions where the peak power density at the slant point is 1 x 10⁸ (W/cm²) or greater and the pulse width is 1 microsecond or less, the section is formed by the modified region composed of the molten region. Cutting the semiconductor substrate along the cross-section by stressing the substrate along the cross-section. Following this forming step, And the resin layer is cut for attachment to the socket along the cross-sectional surface of the semiconductor substrate by stretching the sheet after the cutting process of the semiconductor substrate.
11. วิธีการของการตัดซับสเทรทสารกึ่งตัวนำ, วิธีการดังกล่าวประกอบรวมด้วยขั้นตอนของ; การก่อรูปส่วนตัดที่ซึ่งควรทำการตัดซับสเทรทสารกึ่งตัวนำขั้นมาโดยการฉายแสงเลเซอร์ใน สภาพที่จุดลู่รวมของแสงเลเซอร์ได้รับการกำหนดให้มีตำแหน่งอยู่ภายในซับสเทรทสารกึ่งตัวนำ ซึ่ง ได้ติดแผ่นเข้าไปโดยมีชั้นเรซินเพื่อการติดกับเบ้ารับแทรกอยู่ตรงกลาง เพื่อการก่อรูปบริเวณดัดแปลง ขึ้นมา; การตัดซับสเทรทสารกึ่งตัวนำดังกล่าวตามแนวของส่วนตัดดังกล่าวโดยการทำให้เกิดความ เค้นขึ้นมาในซับสเทรทสารกึ่งตัวนำดังกล่าวตามแนวของส่วนตัดดังกล่าว หลังขั้นตอนการก่อรูปดัง กล่าว; และ การตัดชั้นเรซินเพื่อการติดกับเบ้ารับดังกล่าวตามแนวพื้นผิวตัดของซับสเทรทสารกึ่งตัวนำดัง กล่าวโดยการทำให้แผ่นดังกล่าวยืดออก หลังขั้นตอนการตัดซับสเทรทสารกึ่งตัวนำดังกล่าว11. Methods for cutting semiconductor substrates: These methods consist of the following steps: Forming the cross-section where the semiconductor substrate should be cut by laser irradiation, where the laser focal point is defined within the semiconductor substrate, to which a resin layer for attachment is inserted in the center; cutting the semiconductor substrate along the cross-section by stressing it after the forming step; and cutting the resin layer along the cross-sectional surface of the semiconductor substrate by stretching it after the cutting step.
12. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อ 11 ที่ซึ่ง บริเวณดัดแปลงดังกล่าวเป็นบริเวณผ่านการดำเนินการให้ หลอมเหลว12. The method under claim 11 where the modified area is a melting area.
13. วิธีการของการตัดซับสเทรทสารกึ่งตัวนำซึ่งก่อรูปขึ้นมาให้มีชิ้นส่วนเชิงหน้าที่บนผิวด้าน หน้าของซับสเทรทสารกึ่งตัวนำ โดยได้รับการตัดตามแนวของแนวตัดตามแผน. วิธีการดังกล่าว ประกอบรวมด้วยขั้นตอนของ; การก่อรูปบริเวณดัดแปลงขึ้นมาโดยการฉายแสงเลเซอร์ ,การใช้ผิวด้านหลังของซับสเทรท สารกึ่งตัวนำดังกล่าวเป็นระนาบของการตกกระทบของแสงเลเซอร์ และการจัดตำแหน่งของจุดโฟกัส ของแสงไว้ภายในของซับสเทรทสารกึ่งตัวนำดังกล่าว และการก่อรูปบริเวณจุดเริ่มต้นการตัดขึ้นมาที่ ด้านใน ณ ระยะทางที่กำหนดจากระนาบดังกล่าวของการตกกระทบของแสงเลเซอร์ ตามแนวของ แนวตัดตามแผนดังกล่าว โดยอาศัยบริเวณดัดแปลง; การติดตั้งชิ้นประกอบยึดจับที่ยืดได้ลงบนผิวด้านหลังของซับสเทรทสารกึ่งตัวนำดังกล่าวโดย อาศัยชั้นเรซินเพื่อการติดกับเบ้ารับที่วางแทรกไว้ หลังการก่อรูปบริเวณจุดเริ่มต้นการตัดดังกล่าว;และ การตัดซับสเทรทสารกึ่งตัวนำดังกล่าวและชั้นเรซินเพื่อการติดกับเบ้ารับดังกล่าวตามแนว ของแนวตัดตามแผนดังกล่าวหลังการติดตั้งชิ้นประกอบยึดจับดังกล่าว โดยการทำให้ชิ้นประกอบยึด จับดังกล่าวยืดออก13. Method for cutting a semiconductor substrate with a functional component formed on its surface along a planned cut line. This method consists of the following steps: laser irradiation to form the modified area; using the back surface of the semiconductor substrate as the laser beam plane and aligning the laser focal point within the semiconductor substrate; forming the inward cut zone at a specified distance from the laser beam plane along the planned cut line using the modified area; installing a flexible fixture onto the back surface of the semiconductor substrate using a resin layer for attachment to a socket placed after the formation of the cut zone; and cutting the semiconductor substrate and the resin layer along the planned cut line after the installation of the fixture, by stretching the fixture.
14. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อ 13 ประกอบรวมต่อไปอีกด้วยขั้นตอนของ; การขัดผิวด้านหลังของ ซับสเทรทสารกึ่งตัวนำดังกล่าวในลักษณะที่ทำให้ซับสเทรทสารกึ่งตัวนำดังกล่าวมีความหนาตามที่ กำหนด ก่อนการก่อรูปบริเวณจุดเริ่มต้นการตัดดังกล่าวขึ้นมา14. The procedure under claim 13 is further comprised of the following steps: polishing the back surface of the semiconductor substrate in a manner that results in the semiconductor substrate having the required thickness before forming the starting point of the cut.
15. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อ 13 หรือข้อถือสิทธิข้อ 14 ที่ซึ่งบริเวณดัดแปลงดังกล่าวมีบริเวณผ่าน การปฏิบัติให้หลอมรวม15. The methods under Claim 13 or Claim 14 in which the modified area has an area subject to the fusion treatment.
16. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อ 13 ถึง 15 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งเมื่อบริเวณจุดเริ่มต้นการตัดดังกล่าวได้ รับการก่อรูปขึ้นมา รอยแตกที่เริ่มต้นจากบริเวณจุดเริ่มต้นการตัดดังกล่าวจะได้รับการทำให้บรรลุถึง ผิวด้านหน้าของซับสเทรทสารกึ่งตัวนำดังกล่าว16. Any of the methods under claims 13 through 15, whereby the formation of such cutting initiation site is achieved, the cracks emanating from such cutting initiation site are brought to the surface of the semiconductor substrate.
17. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อ 13 ถึง 15 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งเมื่อบริเวณจุดเริ่มต้นการตัดดังกล่าวได้ รับการก่อรูปขึ้นมา รอยแตกที่เริ่มต้นจากบริเวณจุดเริ่มต้นการตัดดังกล่าวจะได้รับการทำให้บรรลุถึง ผิวด้านหลังของซับสเทรทสารกึ่งตัวนำดังกล่าว17. Any of the methods under claims 13 through 15, whereby the formation of such cutting initiation site is achieved, the cracks emanating from such cutting initiation site are brought to the back surface of the semiconductor substrate.
18. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 3 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งเมื่อบริเวณจุดเริ่มต้นการตัดดังกล่าวได้รับ การก่อรูปขึ้นมา รอยแตกที่เริ่มต้นจากบริเวณจุดเริ่มต้นการตัดดังกล่าวจะได้รับการทำให้บรรลุถึงผิว ด้านหน้าและผิวด้านหลังของซับสเทรทสารกึ่งตัวนำดังกล่าว18. Any of the methods under Requisitions 1 through 3 shall, once the cutting initiation site is formed, cracks emanating from such initiation site shall reach the front and back surfaces of the semiconductor substrate.