TH53577B - How to cut a semiconductor substrate - Google Patents

How to cut a semiconductor substrate

Info

Publication number
TH53577B
TH53577B TH401003511A TH0401003511A TH53577B TH 53577 B TH53577 B TH 53577B TH 401003511 A TH401003511 A TH 401003511A TH 0401003511 A TH0401003511 A TH 0401003511A TH 53577 B TH53577 B TH 53577B
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
cutting
semiconductor substrate
wafer
cut
area
Prior art date
Application number
TH401003511A
Other languages
Thai (th)
Other versions
TH73543A (en
Inventor
ฟูคูมิตสึ นายเคนชิ
อัทสึมิ นายคาซูฮิโร
อูชิยามะ นายนาโอกิ
ฟูคูโย นายฟูมิสึกุ
ซูกิอูระ นายริวจิ
Original Assignee
นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์
นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์
นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์ นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์ นายบุญมา เตชะวณิช นายต่อพงศ์ โทณะวณิก
นายต่อพงศ์ โทณะวณิก
นายบุญมา เตชะวณิช
Filing date
Publication date
Application filed by นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์, นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์, นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์ นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์ นายบุญมา เตชะวณิช นายต่อพงศ์ โทณะวณิก, นายต่อพงศ์ โทณะวณิก, นายบุญมา เตชะวณิช filed Critical นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์
Publication of TH73543A publication Critical patent/TH73543A/en
Publication of TH53577B publication Critical patent/TH53577B/en

Links

Abstract

DC60 (26/11/47) วิธีการตัดซับสเทรทสารกึ่งตัวนำซึ่งสามารถตัดซับสเทรทสารกึ่งตัวนำที่ซึ่งส่วนผิวด้านหน้า ก่อขึ้นรูปพร้อมด้วยอุปกรณ์เชิงหน้าที่พร้อมด้วยชั้นเรซินยึดเกาะแบบพิมพ์อย่างมีประสิทธิภาพจะ ได้รับการจัดเตรียมขึ้น เวเฟอร์ 11 ซึ่งมีส่วนผิวด้านหน้า 3 ซึ่งก่อขึ้นรูปพร้อมด้วยอุปกรณ์เชิงหน้าที่ 15 จะได้รับการฉายด้วยแสงเลเซอร์ L ในขณะที่จะจัดตำแหน่งจุดที่แสงลู่เข้า P ให้อยู่ภายในเวเฟอร์ 11 โดยมีส่วนผิวด้านหลัง 17 ของเวเฟอร์ 11 ทำหน้าที่เป็นส่วนผิวที่แสงเลเซอร์ตกกระทบ เพื่อที่จะ ก่อกำเนิดการดูดกลืนหลายโฟตอน ด้วยเหตุนี้จะก่อเกิดบริเวณจุดเริ่มต้นสำหรับการตัด 8 อันเนื่อง มาจากบริเวณที่ผ่านการดำเนินกรรมวิธีหลอมละลาย 13 ภายในเวเฟอร์ 11 ไปตามแนวซึ่งซับสเทรท ควรได้รับการตัดตาม 5 สำหรับผลที่ตามมานั้น สามารถก่อกำเนิดรอยแตกจากบริเวณจุดเริ่มต้น สำหรับการตัด 8 โดยธรรมชาติหรือด้วยแรงขนาดค่อนข้างน้อย เพื่อที่จะไปถึงส่วนผิวด้านหน้า 3 และ ส่วนผิวด้านหลัง 17 เพราะฉะนั้น เมื่อฟิล์มชนิดขยายตัว 21 ได้รับการติดเข้าส่วนผิวด้านหลัง 17 ของ เวเฟอร์ 11 โดยอาศัยชั้นเรซินยึดเกาะแบบพิมพ์ 23 ภายหลังการก่อเกิดบริเวณจุดเริ่มต้นสำหรับการตัด 8 และจากนั้นจะได้รับการยืดขยาย เวเฟอร์ 11 และชั้นเรซินยึดเกาะแบบพิมพ์ 23 จะสามารถได้รับ การตัดไปตามแนวซึ่งซับสเทรทควรได้รับการตัดตาม 5 วิธีการตัดซับสเทรคทสารกึ่งตัวนำซึ่งสามารถตัดซับสเทรทกึ่งตัวนำที่ซึ่งส่วนผิวด้านหน้าก่อขึ้นรูปพร้อมด้วย อุปกรณ์เชิงหน้าที่พร้อมด้วยชั้นเรซินยึดเกาะแบบพิมพ์อย่าง มีประสิทธิภาพจะได้รับการจัดเตรียมขึ้น เวเฟอร์ 11 ซึ่งมี ส่วนผิวด้านหน้า 3 ซึ่งก่อขึ้นรูปพร้อมด้วยอุปกรณ์เชิงหน้า ที่ 15 จะได้รับการฉายด้วยแสงเลเซอร์ L ในขณะที่จะจัด่ ตำแหน่งจุดที่แสงลู่เข้า P ให้อยู่ภายในเวเฟอร์ 11 โดยมี ส่วนผิวด้านหลัง 17 ของเวเฟอร์ 11 ทำหน้าที่เป็นส่วนผิวที่ แสงเลเซอร์ตกกระทบ เพื่อที่จะก่อกำเนิดการดูดกลืนหลายโฟตอน ด้วยเหตุนี้จะก่อเกิดบริเวณจุดเริ่มต้นสำหรับการตัด 8 อัน เนื่องมาจากบริเวณที่ผ่านการดำเนินกรรมวิธีหลอมละลาย 13 ภายในเวเฟอร์ 11 ไปตามแนวซึ่งซับสเทรทควรได้รับการตัดตาม 5 สำหรับผลที่ตามมานั้น สามารถก่อกำเนินรอยแตกจากบริเวณจุด เริ่มต้นสำหรับการดัด 8 โดยธรรมชาติหรือด้วยแรงขนาดค่อน ข้างน้อย เพื่อที่จะไปถึงส่วนผิวด้านหน้า 3 และส่วนผิวด้าน หลัง 17 เพราะฉะนั้น เมื่อฟิล์มชนิดขยายตัว 21 ได้รับการ ติดเข้าส่วนผิวด้านหลัง 17 ของเวเฟอร์ 11 โดยอาศัยชั้นเร ซินยึดเกาะแบบพิมพ์ 23 ภายหลังการก่อเกิดบริเวณจุดเริ่มต้น สำหรับการตัด 8 และจากนั้นจะได้รับการยืดขยาย เวเฟอร์ 11 และชั้นเรซินยึดเกาะแบบพิมพ์ 23 จะสามารถได้รับการตัดไปตาม แนวซึ่งซับสเทรทควรได้รับการตัดตาม 5 DC60 (26/11/47) Semiconductor substrate cutting method which can cut the semiconductor substrate where the front surface Molded with functional equipment with molded resin bonding layer will effectively Wafer 11, which has a front surface 3 formed with a functional device 15, is projected with a laser light L while aligning the point of convergence P within the wafer 11. The dorsal surface 17 of the wafer 11 acts as the surface on which the laser beam strikes, in order to generate multiple photon absorption. As a result, the start area for cutting 8 is formed due to the melt treated region 13 within the wafer 11 along the substrate. should be cut by 5 for that consequence Cracks can be formed from the starting point for cutting 8 naturally or with relatively small forces. In order to reach the front surface 3 and back surface 17, therefore, when the expanded film 21 was attached to the rear surface 17 of the wafer 11 by means of a printed binding resin layer 23 after initiation formation. Pre-cut for 8 and then to be stretched, wafer 11 and molded bonding resin layer 23 can be obtained. Cutting along which the substrate should be cut according to 5 semiconductor substrate cutting methods which can cut the semiconductor substrate where the front surface is formed with Functional device with molded resin bonding layer A powerful wafer 11 with a front surface 3 formed with a facing device 15 will be irradiated with an L laser while it will be arranged. The point of light convergence P is within wafer 11, with the posterior surface 17 of wafer 11 acting as the surface area. incident laser light in order to generate multiple photon absorption As a result, an origin area for cutting 8 is formed due to the melt processed region 13 within the wafer 11 along which the substrate should be cut along 5. can cause cracks from the area Begin for bending 8 naturally or with a relatively small force to reach the front surface 3 and back surface 17. Therefore, when expanded film 21 is attached to the rear surface 17 of the wafer 11. By relying on the Mold adhesion syn 23 after forming at the starting point for cutting 8 and then being stretched, the wafer 11 and the mold adhesion resin layer 23 can be cut along. The line in which the substrate should be cut by 5.

Claims (8)

1. วิธีการตัดซับสเทรทสารกึ่งตัวนำสำหรับการตัดซับสเทรทสารกึ่งตัวนำซึ่งมีส่วนผิวด้านหน้าที่ก่อขึ้นรูปพร้อมด้วย อุปกรณ์เชิงหน้าที่ไปตามแนวซึ่งซับสเทรทควรได้รับการตัดตาม วิธีการนี้ประกอบรวมด้วยขั้นตอนของ การฉายซับสเทรทสารกึ่งตัวนำนี้ด้วยแสงเลเซอร์ในขณะที่จัด ตำแหน่งจุดที่แสงลู่เข้าไว้ภายในซับสเทรทสารกึ่งตัวนำโดยมี ส่วนผิวด้านด้านหลังของซับสเทรทสารกึ่งตัวนำนี้ทำหน้าที่ เป็นส่วนผิวที่แสงเลเซอร์ตกกระทบ เพื่อที่จะก่อเกิดบริเวณ ผ่านการดัดแปร และทำให้เกิดบริเวณผ่านการดัดแปรเพื่อก่อ เกิดบริเวณจุดเริ่มต้นสำหรับการดัดไปตามแนวซึ่งซับสเทรทควร ได้รับการตัดตามภายในระยะที่กำหนดล่วงหน้าจากส่วนผิวที่แสง เลเซอร์ตกกระทบ และ การติดชิ้นประกอบเพื่อการยึดจับชนิดยืดขยายได้เข้ากับส่วน ผิวด้านหลังของซับสเทรทสารกึ่งตัวนำโดยอาศัยชั้นเรซินยึด เกาะแบบพิมพ์ภายหลังการก่อเกิดบริเวณจุดเริ่มต้นสำหรับการ ตัด และ การตัดซับสเทรทสารกึ่งตัวนำและชั้นเรซินยึดเกาะแบบพิมพ์ไป ตามแนวซึ่งซับสเทรทควรได้รับการตัดตาม โดยการยืดขยายชิ้น ประกอบเพื่อการยึดจับภายหลังการติดชิ้นประกอบเพื่อการยึด จับนี้1. Method for cutting semiconductor substrates for cutting semiconductor substrates having a formed front surface with The functional device along the line in which the substrate should be cut along This method consists of steps of Projection of this semiconductor substrate with laser light while setting The point where the light converges within the semiconductor substrate with The back surface of this semiconductor substrate serves It is the part of the skin that the laser light hits. In order to form an area Through modification And cause the area to be modified to form Occurs at the starting point for bending along which substrates should Has been cut within a preset distance from the light surface. Impact laser and attachment of telescopic gripping components to the part The back surface of the semiconductor substrate based on a bonded resin layer. Mold adhesion after formation at the starting point for cutting and cutting of semiconductor substrates and mold-to-resin substrates. Along the line in which the substrate should be cut along By stretching the pieces Assembled for grip after mounting this grip assembly. 2. วิธีการตัดซับสเทรทสารกึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งประกอบรวมต่อไปด้วยขั้นตอนของการขัดส่วนผิวด้านท้ายของ ซับสเทรทสารกึ่งตัวนำในลักษณะที่ว่าซับสเทรทสารกึ่งตัวนำ นี้จะมีความหนาตามที่กำหนดล่วงหน้าก่อนการก่อเกิดบริเวณจุด เริ่มต้นสำหรับการตัด2. The method of cutting the semiconductor substrate according to claim 1, which is followed by the process of polishing the end surface of the semiconductor substrate. A semiconductor substrate in such a way that the semiconductor substrate This will have a predetermined thickness prior to the formation of the point area. Start for cutting 3. วิธีการตัดซับสเทรทสารกึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิข้อ 1 หรือ 2 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งบริเวณผ่านการดัดแปรนี้รวมถึง บริเวณที่ผ่านการดำเนินกรรมวิธีหลอมละลาย3. Method for cutting the semiconductor substrate according to one of the claims 1 or 2. Where this modified area includes Areas that have undergone the melting process 4. วิธีการตัดซับสเทรทสารกึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิข้อ 1 หรือ 2 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งบริเวณผ่านการดัดแปรนี้รวมถึง บริเวณที่ผ่านการดำเนินกรรมวิธีหลอมละลายและที่ว่างขนาด เล็กซึ่งมีตำแหน่งอยู่บนด้านตรงข้ามของบริเวณที่ผ่านการดำ เนินกรรมวิธีหลอมละลายนี้จากส่วนผิวที่แสงเลเซอร์ตกกระทบ4. Method for cutting the semiconductor substrate according to one of the claims 1 or 2. Where this modified area includes Processed area, melting process, and space size Small, which is positioned on the opposite side of the blacked area This melting process from the surface where the laser light hits. 5. วิธีการตัดซับสเทรทสารกึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิข้อ 1 หรือ 4 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่ง จะยอมให้มีรอยแตกที่จะทำให้ ไปถึงส่วนผิวด้านหน้าของซับสเทรทสารกึ่งตัวนำจากบริเวณจุด เริ่มต้นสำหรับการตัดซึ่งทำหน้าที่เป็นจุดเริ่มเมื่อก่อ เกิดบริเวณจุดเริ่มต้นสำหรับการตัด5. Method for cutting the semiconductor substrate according to any of Clause 1 or 4, which will allow cracks that will cause To the front surface of the semiconductor substrate from the point Starter for cutting, which serves as a starting point when forming. Occurs at the starting point for cutting. 6. วิธีการตัดซับสเทรทสารกึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิข้อ 1 หรือ 4 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่ง จะยอมให้มีรอยแตกที่จะทำให้ ไปถึงส่วนด้านหลังของซับสเทรทสารกึ่งตัวนำจากบริเวณจุด เริ่มต้นสำหรับการดัดซึ่งทำหน้าที่เป็นจุดเริ่มเมื่อก่อ เกิดบริเวณจุดเริ่มต้นสำหรับการตัด6. Method for cutting the semiconductor substrate according to any of Clause 1 or 4, which will allow cracks that will cause To the rear part of the semiconductor substrate from the point area Start for bending, which serves as a starting point when forming Occurs at the starting point for cutting. 7. วิธีการตัดซับสเทรทสารกึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิข้อ 1 หรือ 4 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่ง จะยอมให้มีรอยแตกที่จะทำให้ ไปถึงส่วนผิวด้านหน้าและส่วนผิวด้านหลังของซับสเทรทสารกึ่ง ตัวนำจากบริเวณจุดเริ่มต้นสำหรับการตัดซึ่งทำหน้าที่เป็น จุดเริ่มเมื่อก่อเกิดบริเวณจุดเริ่มต้นสำหรับการตัด7. The method of cutting the semiconductor substrate according to any of Clause 1 or 4, which will allow cracks that will cause To the front surface and the back surface of the semi substrate Conductors from the starting area for cutting, which serves as The starting point when formed, the starting point for cutting. 8. วิธีการตัดซับสเทรทสารกึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิข้อ 1 หรือ 7 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งประกอบรวมด้วยขั้นตอนของการ ให้ความร้อนชั้นเรซินยึดเกาะแบบพิมพ์ก่อนขั้นตอนของการตัด ซับสเทรทสารกึ่งตัวนำและชั้นเรซินยึดเกาะแบบพิมพ์ไปตามแนว ซึ่งซับสเทรทควรได้รับการตัดตามโดยการยืดขยายชิ้นประกอบ เพื่อการยึดจับนี้ (ข้อถือสิทธิ 8 ข้อ, 2 หน้า, 23 รูป)8. Method for cutting the semiconductor substrate according to any of Clause 1 or 7. Where the process of Heat the molded resin layer before the cutting process. The semiconductor substrate and the resin layer adheres to the mold along the contour. The substrates should be cut accordingly by extension of the assembly. For this seizure (8 claims, 2 pages, 23 photos)
TH401003511A 2004-09-10 How to cut a semiconductor substrate TH53577B (en)

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TH73543A TH73543A (en) 2005-12-15
TH53577B true TH53577B (en) 2017-01-27

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2004001076A5 (en)
US11574835B2 (en) Thermoplastic temporary adhesive for silicon handler with infra-red laser wafer de-bonding
US8551817B2 (en) Semiconductor substrate cutting method
KR100855136B1 (en) Cutting Method of Semiconductor Substrate
TW546721B (en) Element transfer method, element arrangement method using the same, and manufacturing method of image display device
US9099546B2 (en) Workpiece dividing method including two laser beam application steps
US10174229B2 (en) Adhesive resins for wafer bonding
JP2005086111A (en) Method for cutting semiconductor substrate
JP2008006492A (en) Processing method of sapphire substrate
US10644188B2 (en) Laser epitaxial lift-off GaAs substrate
TH53577B (en) How to cut a semiconductor substrate
TH73543A (en) How to cut a semiconductor substrate
JP2009259999A (en) Method of manufacturing semiconductor chip with thermosetting adhesive
TH65465A (en) Methods for cutting semiconductor substrates
JP2004327587A (en) Electronic component manufacturing method, electronic component assembly manufacturing method, and electronic component assembly
TH65466A (en) The method of operation with a laser machine.
JP3572777B2 (en) Manufacturing method of electronic parts
JPH0260076B2 (en)
CN115088059A (en) Method for cutting object to be processed and resin coating device
CN107030404A (en) The processing method of chip
JP2004291193A (en) Method of processing brittle material and method of manufacturing brittle material element
TH52677B (en) The method of operation with a laser machine.
Xu et al. Study of the laser lift-off technology of GaN films from sapphire substrates