TH73573A - วิธีการตัดวัตถุนำเข้ากระบวนการ - Google Patents
วิธีการตัดวัตถุนำเข้ากระบวนการInfo
- Publication number
- TH73573A TH73573A TH501001135A TH0501001135A TH73573A TH 73573 A TH73573 A TH 73573A TH 501001135 A TH501001135 A TH 501001135A TH 0501001135 A TH0501001135 A TH 0501001135A TH 73573 A TH73573 A TH 73573A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- cutting
- wafer
- front surface
- specified
- area
- Prior art date
Links
Abstract
DC60 วิธีการตัดวัตถุนำเข้ากระบวนการมีเปิดเผยไว้ ซึ่งจะให้ความสะดวกในการขนส่งลำเลียง วัตถุที่ประกอบด้วยบริเวณของจุดตั้งต้นสำหรั บตัด และสามารถป้องกันไม่ให้เกิดความเสียหายต่าง ๆ เช่น การกะเ ทาะและการแตกร้าวไม่ให้เกิดขึ้นในส่วนต่าง ๆ จำนวนหนึ่งที่ได้จ ากการตัดวัตถุ แผ่นรักษารูปทรง 18 จะถูกนำมาประกบกับผิวด้านหน้า 3 ของซิลิคอน เวเฟอร์ 11 ใน ระหว่างช่วงเวลาเมื่อบริเวณของจุดตั้งต้นสำห รับตัด 8 ถูกสร้างขึ้นภายในตัวเวเฟอร์ 11 ในขณะที่มีการ ใช้ผิวด้ านหลัง 21 ของเวเฟอร์ 11 เป็นผิวรับแสงเลเซอร์ จนกระทั่งเทปยืด ได้ 19 ถูกนำมาเชื่อมยึดกับ ผิวด้านหลัง 21 ของเวเฟอร์ 11 แผ่น 18 จะให้ความสะดวกในการลำเลียงขนส่งเวเฟอร์ 11 ที่มีบริเวณ ของจุ ดตั้งต้นสำหรับตัด 8 รวมอยู่ด้วย ต่อจากนั้น แผ่น 18 จะถูกแยก ตัวออกจากผิวด้านหน้า 3 ของ เวเฟอร์ 11 และเทปยืดได้ 19 จะถูกยื ดตัวออกไปซึ่งจะทำให้ชิป 23 จำนวนหนึ่งที่เกิดจากการตัด เวเฟอร์ 1 1 จากบริเวณของจุดตั้งต้นสำหรับตัดที่เป็นจุดตั้งต้นถูกแยกออกจ ากกันและกัน วิธีการนี้ สามารถป้องกันไม่ให้ชิป 23 เกิดการกะเทา ะและเสียหายได้ วิธีการตัดวัตถุนำเข้ากระบวนการมีเปิดเผยไว้ ซึ่งจะให้ความสะดวกในการขนส่งลำเลียง วัตถุที่ประกอบด้วยบริเวณของจุดตั้งต้นสำหรั บตัด และสามารถป้องกันไม่ให้เกิดความเสียหายต่าง ๆ เช่น การกะเ ทาะและการแตกร้าวไม่ให้เกิดขึ้นในส่วนต่าง ๆ จำนวนหนึ่งที่ได้จ ากการตัดวัตถุ แผ่นรักษารูปทรง 18 จะถูกนำมาประกบกับผิวด้านหน้า 3 ของซิลิคอน เวเฟอร์ 11 ใน ระหว่างช่วงเวลาเมื่อบริเวณของจุดตั้งต้นสำห รับตัด 8 ถูกสร้างขึ้นภายในตัวเวเฟอร์ 11 ในขณะที่มีการ ใช้ผิวด ้านหลัง 21 ของเวเฟอร์ 11 เป็นผิวรับแสงเลเซอร์ จนกระทั่งเทปยืด ได้ 19 ถูกนำมาเชื่อมยึดกับ ผิวด้านหลัง 21 ของเวเฟอร์ 11 แผ่น 18 จะให้ความสะดวกในการลำเลียงขนส่งเวเฟอร์ 11 ที่มีบริเวณ ของจ ุดตั้งต้นสำหรับตัด 8 รวมอยู่ด้วย ต่อจากนั้น แผ่น 18 จะถูกแยก ตัวออกจากผิวด้านหน้า 3 ของ เวเฟอร์ 11 และเทปยืดได้ 19 จะถูกยื ดตัวออกไปซึ่งจะทำให้ชิป 23 จำนวนหนึ่งที่เกิดจากการตัด เวเฟอร์ 1 1 จากบริเวณของจุดตั้งต้นสำรหับตัดที่เป็นจุดตั้งต้นถูกแยกออกจ ากกันและกัน วิธีการนี้ สามารถป้องกันไม่ให้ชิป 23 เกิดการกะเทา ะและเสียหายได้
Claims (8)
1. วิธีการตัดวัตถุนำเข้ากระบวนการสำหรับการตัดวัตถุคล้ายกับแผ่นเวเฟอร์ตามแนวตัด ที่ซึ่ง วิธีการจะประกอบด้วยขั้นตอนของ การนำเอาวัตถุที่อยู่ในสถานะที่มีลำตัวรักษารูปทรงประกบอยู่กับ ผิวหน้าของมันไปรับ แสงเลเซอร์ ในขณะที่มีการใช้ผิวด้านหลังของต ัววัตถุนี้เป็นผิวรับแสงเลเซอร์เข้าไป และการกำหนด จุดที่แสงสอบตัว เข้าหากันภายในตัว วัตถุนั้น เพื่อที่จะสร้างเป็นบริเวณปรับแต่งขึ้น และการทำให้ บ ริเวณปรับแต่งนี้สร้างบริเวณของจุดตั้งต้นสำรหับตัดตามแนวตัดภา ยในผิวที่รับแแสงเลเซอร์เข้าไป ตามระยะที่กำหนด, การประกอบฟิล์มยืดได้เข้ากับผิวด้านหลังของตัววัตถุที่ประกอบด้ วย บริเวณของจุดตั้งต้น สำหรับตัด, การแยกลำตัวรักษารูปทรงออกจากผิวด้านหน้าของวัตถุที่มีฟิล์มยืด ตัวได้ประกอบอยู่ด้วย, และ การยึดฟิล์มที่ยึดตัวได้เพื่อที่จะแยกส่วนต่างๆ จำนวนหนึ่งที่ เกิดขึ้นจากการตัดวัสดุจาก บริเวณของจุดตั้งต้นสำหรับตัดที่เป็น จุดตั้งต้นออกจากกันและกัน
2. วิธีการตัดวัตถุนำเข้ากระบวนการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ้งขั้นตอนของการ สร้างบริเวณของจุดตั้งต้นสำหรับตัดกระทำ ในเครื่องที่ใช้เลเซอร์ และ ที่ซึ่งขึ้นตอนของการแยกลำตัวรักษาร ูปทรงและขั้นตอนของการแยกส่วนต่าง ๆ จำนวน หนึ่งออกจากกันและกัน จะกระทำในเครื่องยึดแผ่นฟิล์ม
3. วิธีการตัดวัตถุนำเข้ากระบวนการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข ้อ 1 หรือ 2 ที่ซึ่งวัตถุจะ เป็นซับสเตรทกึ่งตัวนำที่มีผิวด้านห น้าที่มีอุปกรณ์ทำหน้าที่ต่าง ๆ ติดตั้งอยู่
4. วิธีการตัดวัตถุนำเข้ากระบวนการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข ้อ 1 ถึง 3 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งประกอบต่อไปด้วยขั้นตอนของการ กัดเจียนผิวด้านหลังของวัตถุในขณะที่มันอยู่ในสถานะที่ซึ่ง ลำตั วที่รักษารูปทรงถูกประกบเข้ากับผิวด้านหน้าของวัตถุก่อนที่จะถ ึงขั้นตอนของการสร้างบริเวณ ของจุดตั้งต้นสำหรับตัด
5. วิธีการตัดวัตถุนำเข้ากระบวนการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข ้อ 1 ถึง 4 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งประกอบด้วยไปด้วยขั้นตอนของการ กัดเจียนผิวด้านหลังของวัตถุ ในขณะที่มันอยู่ในสถานะที่ซึ่ง ลำตั วรักษารูปทรงถูกนำมาประกบเข้ากับผิวด้านหน้าของวัตถุระหว่างขั้ นตอนของการสร้างบริเวณที่ เป็นจุดตั้งต้นสำหรับตัด และขั้นตอนขอ งการประกบฟิล์มยืดได้
6. วิธีการตัดวัตถุนำเข้ากระบวนการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข ้อ 1 ถึง 5 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งลำตัวรักษารูปทรงจะทำจากแก้วหรือเรซิน และจะถูกนำมาประก บกับผิวด้านหน้า ขอวัตถุโดยใช้ชั้นกาว และ ที่ซึ่งในขั้นตอนของการแยกลำตัวรักษารูปทรงออกมานั้น แรงยึดจับ ของกาวของชั้น กาวจะถูกลดลง โดยการนำเขาชั้นกาวนี้ไปรับคลื่นแม่ เหล็กไฟฟ้าจากทางด้านลำตัวรักษารูปทรง หรือ โดยการให้ความร้อนแ ก่ชั้นกาวเพื่อที่จะแยกลำตัวรักษารูปทรงออกจากผิวด้านหน้าของวั ตถุ
7. วิธีการตัดวัตถุนำเข้ากระบวนการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข ้อ 1 ถึง 3 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งลำตัวรักษารูปทรงจะประกอบด้วยแ ผ่นฟิล์มป้องกันจำนวนหนึ่งเชื่อมยึดเข้าด้วยกัน
8. วิธีการตัดวัตถุนำเข้ากระบวนการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิ ข้อ 1 ถึง ข้อ 3 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งลำตัวรักษารูปทรงจะประกอบ ด้วยแผ่นฟิล์มป้องกันประกบอยู่กับผิวด้านหน้าของวัตถุ และแผ่น รั กษารูปทรงเชื่อมยึดอยู่กับแผ่นฟิล์มป้องกัน
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH73573A true TH73573A (th) | 2005-12-15 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI438834B (zh) | 分割結合至晶圓之黏著劑膜的方法 | |
| JP6325279B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
| TW201501222A (zh) | 半導體晶片之製造方法 | |
| JP7135016B2 (ja) | 基板を製造する方法、及び基板の製造用システム | |
| MY147341A (en) | Laser processing method and semiconductor chip | |
| US20060040472A1 (en) | Method for separating semiconductor substrate | |
| TW200602145A (en) | Laser processing method and semiconductor chip | |
| JP2004001076A5 (th) | ||
| MY140517A (en) | Semiconductor substrate cutting method | |
| TW201206605A (en) | Method and apparatus for improved wafer singulation | |
| EP2239764A3 (en) | Method for cutting semiconductor substrate | |
| US20110034007A1 (en) | Dividing method for platelike workpiece | |
| CN104733385A (zh) | 器件晶片的加工方法 | |
| TW201607663A (zh) | 固晶切割片 | |
| TW201820437A (zh) | 晶圓的加工方法 | |
| TW201528359A (zh) | 裝置晶圓之加工方法 | |
| CN110534422A (zh) | 全边切削的晶圆加工方法 | |
| JP2017207585A (ja) | 光学積層体、ならびに該光学積層体を用いた光学フィルム片の製造方法 | |
| TWI614798B (zh) | 積層晶圓之加工方法 | |
| JP7731221B2 (ja) | 基板の分離方法 | |
| JP2013243286A (ja) | 粘着テープ | |
| JP5193752B2 (ja) | レーザーダイシングシートおよび半導体チップの製造方法 | |
| JP4450850B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP6029481B2 (ja) | レーザーダイシングシートおよび半導体チップの製造方法 | |
| JP3222090U (ja) | ダイボンドダイシングシート |