TH73573A - วิธีการตัดวัตถุนำเข้ากระบวนการ - Google Patents

วิธีการตัดวัตถุนำเข้ากระบวนการ

Info

Publication number
TH73573A
TH73573A TH501001135A TH0501001135A TH73573A TH 73573 A TH73573 A TH 73573A TH 501001135 A TH501001135 A TH 501001135A TH 0501001135 A TH0501001135 A TH 0501001135A TH 73573 A TH73573 A TH 73573A
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
cutting
wafer
front surface
specified
area
Prior art date
Application number
TH501001135A
Other languages
English (en)
Inventor
อัทสึมิ นายคาซูฮิโร
อูชิยามะ นายนาโอกิ
ฟูคูโย นายฟูมิสึกุ
Original Assignee
นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์
นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์
นายต่อพงศ์ โทณะวณิก
นายบุญมา เตชะวณิช
ฮามามัตสึ โฟโตนิคส์ เคเค
Filing date
Publication date
Application filed by นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์, นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์, นายต่อพงศ์ โทณะวณิก, นายบุญมา เตชะวณิช, ฮามามัตสึ โฟโตนิคส์ เคเค filed Critical นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์
Publication of TH73573A publication Critical patent/TH73573A/th

Links

Abstract

DC60 วิธีการตัดวัตถุนำเข้ากระบวนการมีเปิดเผยไว้ ซึ่งจะให้ความสะดวกในการขนส่งลำเลียง วัตถุที่ประกอบด้วยบริเวณของจุดตั้งต้นสำหรั บตัด และสามารถป้องกันไม่ให้เกิดความเสียหายต่าง ๆ เช่น การกะเ ทาะและการแตกร้าวไม่ให้เกิดขึ้นในส่วนต่าง ๆ จำนวนหนึ่งที่ได้จ ากการตัดวัตถุ แผ่นรักษารูปทรง 18 จะถูกนำมาประกบกับผิวด้านหน้า 3 ของซิลิคอน เวเฟอร์ 11 ใน ระหว่างช่วงเวลาเมื่อบริเวณของจุดตั้งต้นสำห รับตัด 8 ถูกสร้างขึ้นภายในตัวเวเฟอร์ 11 ในขณะที่มีการ ใช้ผิวด้ านหลัง 21 ของเวเฟอร์ 11 เป็นผิวรับแสงเลเซอร์ จนกระทั่งเทปยืด ได้ 19 ถูกนำมาเชื่อมยึดกับ ผิวด้านหลัง 21 ของเวเฟอร์ 11 แผ่น 18 จะให้ความสะดวกในการลำเลียงขนส่งเวเฟอร์ 11 ที่มีบริเวณ ของจุ ดตั้งต้นสำหรับตัด 8 รวมอยู่ด้วย ต่อจากนั้น แผ่น 18 จะถูกแยก ตัวออกจากผิวด้านหน้า 3 ของ เวเฟอร์ 11 และเทปยืดได้ 19 จะถูกยื ดตัวออกไปซึ่งจะทำให้ชิป 23 จำนวนหนึ่งที่เกิดจากการตัด เวเฟอร์ 1 1 จากบริเวณของจุดตั้งต้นสำหรับตัดที่เป็นจุดตั้งต้นถูกแยกออกจ ากกันและกัน วิธีการนี้ สามารถป้องกันไม่ให้ชิป 23 เกิดการกะเทา ะและเสียหายได้ วิธีการตัดวัตถุนำเข้ากระบวนการมีเปิดเผยไว้ ซึ่งจะให้ความสะดวกในการขนส่งลำเลียง วัตถุที่ประกอบด้วยบริเวณของจุดตั้งต้นสำหรั บตัด และสามารถป้องกันไม่ให้เกิดความเสียหายต่าง ๆ เช่น การกะเ ทาะและการแตกร้าวไม่ให้เกิดขึ้นในส่วนต่าง ๆ จำนวนหนึ่งที่ได้จ ากการตัดวัตถุ แผ่นรักษารูปทรง 18 จะถูกนำมาประกบกับผิวด้านหน้า 3 ของซิลิคอน เวเฟอร์ 11 ใน ระหว่างช่วงเวลาเมื่อบริเวณของจุดตั้งต้นสำห รับตัด 8 ถูกสร้างขึ้นภายในตัวเวเฟอร์ 11 ในขณะที่มีการ ใช้ผิวด ้านหลัง 21 ของเวเฟอร์ 11 เป็นผิวรับแสงเลเซอร์ จนกระทั่งเทปยืด ได้ 19 ถูกนำมาเชื่อมยึดกับ ผิวด้านหลัง 21 ของเวเฟอร์ 11 แผ่น 18 จะให้ความสะดวกในการลำเลียงขนส่งเวเฟอร์ 11 ที่มีบริเวณ ของจ ุดตั้งต้นสำหรับตัด 8 รวมอยู่ด้วย ต่อจากนั้น แผ่น 18 จะถูกแยก ตัวออกจากผิวด้านหน้า 3 ของ เวเฟอร์ 11 และเทปยืดได้ 19 จะถูกยื ดตัวออกไปซึ่งจะทำให้ชิป 23 จำนวนหนึ่งที่เกิดจากการตัด เวเฟอร์ 1 1 จากบริเวณของจุดตั้งต้นสำรหับตัดที่เป็นจุดตั้งต้นถูกแยกออกจ ากกันและกัน วิธีการนี้ สามารถป้องกันไม่ให้ชิป 23 เกิดการกะเทา ะและเสียหายได้

Claims (8)

1. วิธีการตัดวัตถุนำเข้ากระบวนการสำหรับการตัดวัตถุคล้ายกับแผ่นเวเฟอร์ตามแนวตัด ที่ซึ่ง วิธีการจะประกอบด้วยขั้นตอนของ การนำเอาวัตถุที่อยู่ในสถานะที่มีลำตัวรักษารูปทรงประกบอยู่กับ ผิวหน้าของมันไปรับ แสงเลเซอร์ ในขณะที่มีการใช้ผิวด้านหลังของต ัววัตถุนี้เป็นผิวรับแสงเลเซอร์เข้าไป และการกำหนด จุดที่แสงสอบตัว เข้าหากันภายในตัว วัตถุนั้น เพื่อที่จะสร้างเป็นบริเวณปรับแต่งขึ้น และการทำให้ บ ริเวณปรับแต่งนี้สร้างบริเวณของจุดตั้งต้นสำรหับตัดตามแนวตัดภา ยในผิวที่รับแแสงเลเซอร์เข้าไป ตามระยะที่กำหนด, การประกอบฟิล์มยืดได้เข้ากับผิวด้านหลังของตัววัตถุที่ประกอบด้ วย บริเวณของจุดตั้งต้น สำหรับตัด, การแยกลำตัวรักษารูปทรงออกจากผิวด้านหน้าของวัตถุที่มีฟิล์มยืด ตัวได้ประกอบอยู่ด้วย, และ การยึดฟิล์มที่ยึดตัวได้เพื่อที่จะแยกส่วนต่างๆ จำนวนหนึ่งที่ เกิดขึ้นจากการตัดวัสดุจาก บริเวณของจุดตั้งต้นสำหรับตัดที่เป็น จุดตั้งต้นออกจากกันและกัน
2. วิธีการตัดวัตถุนำเข้ากระบวนการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ้งขั้นตอนของการ สร้างบริเวณของจุดตั้งต้นสำหรับตัดกระทำ ในเครื่องที่ใช้เลเซอร์ และ ที่ซึ่งขึ้นตอนของการแยกลำตัวรักษาร ูปทรงและขั้นตอนของการแยกส่วนต่าง ๆ จำนวน หนึ่งออกจากกันและกัน จะกระทำในเครื่องยึดแผ่นฟิล์ม
3. วิธีการตัดวัตถุนำเข้ากระบวนการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข ้อ 1 หรือ 2 ที่ซึ่งวัตถุจะ เป็นซับสเตรทกึ่งตัวนำที่มีผิวด้านห น้าที่มีอุปกรณ์ทำหน้าที่ต่าง ๆ ติดตั้งอยู่
4. วิธีการตัดวัตถุนำเข้ากระบวนการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข ้อ 1 ถึง 3 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งประกอบต่อไปด้วยขั้นตอนของการ กัดเจียนผิวด้านหลังของวัตถุในขณะที่มันอยู่ในสถานะที่ซึ่ง ลำตั วที่รักษารูปทรงถูกประกบเข้ากับผิวด้านหน้าของวัตถุก่อนที่จะถ ึงขั้นตอนของการสร้างบริเวณ ของจุดตั้งต้นสำหรับตัด
5. วิธีการตัดวัตถุนำเข้ากระบวนการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข ้อ 1 ถึง 4 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งประกอบด้วยไปด้วยขั้นตอนของการ กัดเจียนผิวด้านหลังของวัตถุ ในขณะที่มันอยู่ในสถานะที่ซึ่ง ลำตั วรักษารูปทรงถูกนำมาประกบเข้ากับผิวด้านหน้าของวัตถุระหว่างขั้ นตอนของการสร้างบริเวณที่ เป็นจุดตั้งต้นสำหรับตัด และขั้นตอนขอ งการประกบฟิล์มยืดได้
6. วิธีการตัดวัตถุนำเข้ากระบวนการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข ้อ 1 ถึง 5 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งลำตัวรักษารูปทรงจะทำจากแก้วหรือเรซิน และจะถูกนำมาประก บกับผิวด้านหน้า ขอวัตถุโดยใช้ชั้นกาว และ ที่ซึ่งในขั้นตอนของการแยกลำตัวรักษารูปทรงออกมานั้น แรงยึดจับ ของกาวของชั้น กาวจะถูกลดลง โดยการนำเขาชั้นกาวนี้ไปรับคลื่นแม่ เหล็กไฟฟ้าจากทางด้านลำตัวรักษารูปทรง หรือ โดยการให้ความร้อนแ ก่ชั้นกาวเพื่อที่จะแยกลำตัวรักษารูปทรงออกจากผิวด้านหน้าของวั ตถุ
7. วิธีการตัดวัตถุนำเข้ากระบวนการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข ้อ 1 ถึง 3 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งลำตัวรักษารูปทรงจะประกอบด้วยแ ผ่นฟิล์มป้องกันจำนวนหนึ่งเชื่อมยึดเข้าด้วยกัน
8. วิธีการตัดวัตถุนำเข้ากระบวนการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิ ข้อ 1 ถึง ข้อ 3 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งลำตัวรักษารูปทรงจะประกอบ ด้วยแผ่นฟิล์มป้องกันประกบอยู่กับผิวด้านหน้าของวัตถุ และแผ่น รั กษารูปทรงเชื่อมยึดอยู่กับแผ่นฟิล์มป้องกัน
TH501001135A 2005-03-15 วิธีการตัดวัตถุนำเข้ากระบวนการ TH73573A (th)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TH73573A true TH73573A (th) 2005-12-15

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI438834B (zh) 分割結合至晶圓之黏著劑膜的方法
JP6325279B2 (ja) ウエーハの加工方法
TW201501222A (zh) 半導體晶片之製造方法
JP7135016B2 (ja) 基板を製造する方法、及び基板の製造用システム
MY147341A (en) Laser processing method and semiconductor chip
US20060040472A1 (en) Method for separating semiconductor substrate
TW200602145A (en) Laser processing method and semiconductor chip
JP2004001076A5 (th)
MY140517A (en) Semiconductor substrate cutting method
TW201206605A (en) Method and apparatus for improved wafer singulation
EP2239764A3 (en) Method for cutting semiconductor substrate
US20110034007A1 (en) Dividing method for platelike workpiece
CN104733385A (zh) 器件晶片的加工方法
TW201607663A (zh) 固晶切割片
TW201820437A (zh) 晶圓的加工方法
TW201528359A (zh) 裝置晶圓之加工方法
CN110534422A (zh) 全边切削的晶圆加工方法
JP2017207585A (ja) 光学積層体、ならびに該光学積層体を用いた光学フィルム片の製造方法
TWI614798B (zh) 積層晶圓之加工方法
JP7731221B2 (ja) 基板の分離方法
JP2013243286A (ja) 粘着テープ
JP5193752B2 (ja) レーザーダイシングシートおよび半導体チップの製造方法
JP4450850B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP6029481B2 (ja) レーザーダイシングシートおよび半導体チップの製造方法
JP3222090U (ja) ダイボンドダイシングシート