TH73573A - วิธีการตัดวัตถุนำเข้ากระบวนการ - Google Patents
วิธีการตัดวัตถุนำเข้ากระบวนการInfo
- Publication number
- TH73573A TH73573A TH501001135A TH0501001135A TH73573A TH 73573 A TH73573 A TH 73573A TH 501001135 A TH501001135 A TH 501001135A TH 0501001135 A TH0501001135 A TH 0501001135A TH 73573 A TH73573 A TH 73573A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- wafer
- cutting
- area
- site
- cut
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract 11
- 230000008676 import Effects 0.000 claims abstract 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract 3
- 101100008044 Caenorhabditis elegans cut-1 gene Proteins 0.000 abstract 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 abstract 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 abstract 2
- 238000010008 shearing Methods 0.000 abstract 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract 2
Abstract
DC60 วิธีการตัดวัตถุนำเข้ากระบวนการมีเปิดเผยไว้ ซึ่งจะให้ความสะดวกในการขนส่งลำเลียง วัตถุที่ประกอบด้วยบริเวณของจุดตั้งต้นสำหรั บตัด และสามารถป้องกันไม่ให้เกิดความเสียหายต่าง ๆ เช่น การกะเ ทาะและการแตกร้าวไม่ให้เกิดขึ้นในส่วนต่าง ๆ จำนวนหนึ่งที่ได้จ ากการตัดวัตถุ แผ่นรักษารูปทรง 18 จะถูกนำมาประกบกับผิวด้านหน้า 3 ของซิลิคอน เวเฟอร์ 11 ใน ระหว่างช่วงเวลาเมื่อบริเวณของจุดตั้งต้นสำห รับตัด 8 ถูกสร้างขึ้นภายในตัวเวเฟอร์ 11 ในขณะที่มีการ ใช้ผิวด้ านหลัง 21 ของเวเฟอร์ 11 เป็นผิวรับแสงเลเซอร์ จนกระทั่งเทปยืด ได้ 19 ถูกนำมาเชื่อมยึดกับ ผิวด้านหลัง 21 ของเวเฟอร์ 11 แผ่น 18 จะให้ความสะดวกในการลำเลียงขนส่งเวเฟอร์ 11 ที่มีบริเวณ ของจุ ดตั้งต้นสำหรับตัด 8 รวมอยู่ด้วย ต่อจากนั้น แผ่น 18 จะถูกแยก ตัวออกจากผิวด้านหน้า 3 ของ เวเฟอร์ 11 และเทปยืดได้ 19 จะถูกยื ดตัวออกไปซึ่งจะทำให้ชิป 23 จำนวนหนึ่งที่เกิดจากการตัด เวเฟอร์ 1 1 จากบริเวณของจุดตั้งต้นสำหรับตัดที่เป็นจุดตั้งต้นถูกแยกออกจ ากกันและกัน วิธีการนี้ สามารถป้องกันไม่ให้ชิป 23 เกิดการกะเทา ะและเสียหายได้ วิธีการตัดวัตถุนำเข้ากระบวนการมีเปิดเผยไว้ ซึ่งจะให้ความสะดวกในการขนส่งลำเลียง วัตถุที่ประกอบด้วยบริเวณของจุดตั้งต้นสำหรั บตัด และสามารถป้องกันไม่ให้เกิดความเสียหายต่าง ๆ เช่น การกะเ ทาะและการแตกร้าวไม่ให้เกิดขึ้นในส่วนต่าง ๆ จำนวนหนึ่งที่ได้จ ากการตัดวัตถุ แผ่นรักษารูปทรง 18 จะถูกนำมาประกบกับผิวด้านหน้า 3 ของซิลิคอน เวเฟอร์ 11 ใน ระหว่างช่วงเวลาเมื่อบริเวณของจุดตั้งต้นสำห รับตัด 8 ถูกสร้างขึ้นภายในตัวเวเฟอร์ 11 ในขณะที่มีการ ใช้ผิวด ้านหลัง 21 ของเวเฟอร์ 11 เป็นผิวรับแสงเลเซอร์ จนกระทั่งเทปยืด ได้ 19 ถูกนำมาเชื่อมยึดกับ ผิวด้านหลัง 21 ของเวเฟอร์ 11 แผ่น 18 จะให้ความสะดวกในการลำเลียงขนส่งเวเฟอร์ 11 ที่มีบริเวณ ของจ ุดตั้งต้นสำหรับตัด 8 รวมอยู่ด้วย ต่อจากนั้น แผ่น 18 จะถูกแยก ตัวออกจากผิวด้านหน้า 3 ของ เวเฟอร์ 11 และเทปยืดได้ 19 จะถูกยื ดตัวออกไปซึ่งจะทำให้ชิป 23 จำนวนหนึ่งที่เกิดจากการตัด เวเฟอร์ 1 1 จากบริเวณของจุดตั้งต้นสำรหับตัดที่เป็นจุดตั้งต้นถูกแยกออกจ ากกันและกัน วิธีการนี้ สามารถป้องกันไม่ให้ชิป 23 เกิดการกะเทา ะและเสียหายได้
Claims (1)
1. วิธีการตัดวัตถุนำเข้ากระบวนการสำหรับการตัดวัตถุคล้ายกับแผ่นเวเฟอร์ตามแนวตัด ที่ซึ่ง วิธีการจะประกอบด้วยขั้นตอนของ การนำเอาวัตถุที่อยู่ในสถานะที่มีลำตัวรักษารูปทรงประกบอยู่กับ ผิวหน้าของมันไปรับ แสงเลเซอร์ ในขณะที่มีการใช้ผิวด้านหลังของต ัววัตถุนี้เป็นผิวรับแสงเลเซอร์เข้าไป และการกำหนด จุดที่แสงสอบตัว เข้าหากันภายในตัว วัตถุนั้น เพื่อที่จะสร้างเป็นบริเวณปรับแต่งขึ้น และการทำให้ บ ริเวณปรับแต่งนี้สร้างบริเวณของจุดตั้งต้นสำรหับตัดตามแนวตัดภา ยในผิวที่รับแแสงเลเซอร์เข้าไป ตามระยะแท็ก :
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH73573A true TH73573A (th) | 2005-12-15 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW200602145A (en) | Laser processing method and semiconductor chip | |
| ATE362653T1 (de) | Methode zur trennung von substraten | |
| ATE503268T1 (de) | Halbleitersubstrat-schneidverfahren | |
| TW200710980A (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
| SI1989740T2 (sl) | Postopek označevanja sončnih celic in sončna celica | |
| TW200613081A (en) | Laser processing method and semiconductor chip | |
| TW200719432A (en) | Semiconductor wafer dividing method | |
| TW201206605A (en) | Method and apparatus for improved wafer singulation | |
| EP1742252A4 (en) | LASER PROCESSING PROCESS AND OBJECT TO BE PROCESSED | |
| EP2239764A3 (en) | Method for cutting semiconductor substrate | |
| TW200732076A (en) | Laser beam machining method and semiconductor chip | |
| TW200520076A (en) | The manufacturing method of a semiconductor, semiconductor chip, semiconductor film chip, electronic tube, and photo detecting element | |
| JP2007142206A5 (th) | ||
| MY147331A (en) | A machining method using laser | |
| SG126711A1 (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
| TW200720003A (en) | Laser processing method | |
| TW200737324A (en) | Manufacturing method of a semiconductor device | |
| TWI697946B (zh) | 晶圓的加工方法 | |
| TW200715380A (en) | Process for lateral disjonting of a semiconductor wafer and opto-electronic element | |
| AU2003287857A1 (en) | Method for the introduction of an integrated predetermined rupture line in a planar expansive body | |
| CN108461396B (zh) | 光器件晶片的加工方法 | |
| TH73573A (th) | วิธีการตัดวัตถุนำเข้ากระบวนการ | |
| TW200505614A (en) | Machining method and manufacturing method of semiconductor device | |
| JP2009016778A (ja) | 発光ダイオードチップのカッティング方法 | |
| TW480742B (en) | Method for cutting III-group nitride semiconductor light-emitting element |