TH73573A - How to cut a process object - Google Patents
How to cut a process objectInfo
- Publication number
- TH73573A TH73573A TH501001135A TH0501001135A TH73573A TH 73573 A TH73573 A TH 73573A TH 501001135 A TH501001135 A TH 501001135A TH 0501001135 A TH0501001135 A TH 0501001135A TH 73573 A TH73573 A TH 73573A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- wafer
- cutting
- area
- site
- cut
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract 5
- 210000003491 Skin Anatomy 0.000 claims abstract 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract 3
- 238000005336 cracking Methods 0.000 abstract 2
- 101700071444 cut1 Proteins 0.000 abstract 2
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N precursor Substances N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 238000010008 shearing Methods 0.000 abstract 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract 2
Abstract
DC60 วิธีการตัดวัตถุนำเข้ากระบวนการมีเปิดเผยไว้ ซึ่งจะให้ความสะดวกในการขนส่งลำเลียง วัตถุที่ประกอบด้วยบริเวณของจุดตั้งต้นสำหรั บตัด และสามารถป้องกันไม่ให้เกิดความเสียหายต่าง ๆ เช่น การกะเ ทาะและการแตกร้าวไม่ให้เกิดขึ้นในส่วนต่าง ๆ จำนวนหนึ่งที่ได้จ ากการตัดวัตถุ แผ่นรักษารูปทรง 18 จะถูกนำมาประกบกับผิวด้านหน้า 3 ของซิลิคอน เวเฟอร์ 11 ใน ระหว่างช่วงเวลาเมื่อบริเวณของจุดตั้งต้นสำห รับตัด 8 ถูกสร้างขึ้นภายในตัวเวเฟอร์ 11 ในขณะที่มีการ ใช้ผิวด้ านหลัง 21 ของเวเฟอร์ 11 เป็นผิวรับแสงเลเซอร์ จนกระทั่งเทปยืด ได้ 19 ถูกนำมาเชื่อมยึดกับ ผิวด้านหลัง 21 ของเวเฟอร์ 11 แผ่น 18 จะให้ความสะดวกในการลำเลียงขนส่งเวเฟอร์ 11 ที่มีบริเวณ ของจุ ดตั้งต้นสำหรับตัด 8 รวมอยู่ด้วย ต่อจากนั้น แผ่น 18 จะถูกแยก ตัวออกจากผิวด้านหน้า 3 ของ เวเฟอร์ 11 และเทปยืดได้ 19 จะถูกยื ดตัวออกไปซึ่งจะทำให้ชิป 23 จำนวนหนึ่งที่เกิดจากการตัด เวเฟอร์ 1 1 จากบริเวณของจุดตั้งต้นสำหรับตัดที่เป็นจุดตั้งต้นถูกแยกออกจ ากกันและกัน วิธีการนี้ สามารถป้องกันไม่ให้ชิป 23 เกิดการกะเทา ะและเสียหายได้ วิธีการตัดวัตถุนำเข้ากระบวนการมีเปิดเผยไว้ ซึ่งจะให้ความสะดวกในการขนส่งลำเลียง วัตถุที่ประกอบด้วยบริเวณของจุดตั้งต้นสำหรั บตัด และสามารถป้องกันไม่ให้เกิดความเสียหายต่าง ๆ เช่น การกะเ ทาะและการแตกร้าวไม่ให้เกิดขึ้นในส่วนต่าง ๆ จำนวนหนึ่งที่ได้จ ากการตัดวัตถุ แผ่นรักษารูปทรง 18 จะถูกนำมาประกบกับผิวด้านหน้า 3 ของซิลิคอน เวเฟอร์ 11 ใน ระหว่างช่วงเวลาเมื่อบริเวณของจุดตั้งต้นสำห รับตัด 8 ถูกสร้างขึ้นภายในตัวเวเฟอร์ 11 ในขณะที่มีการ ใช้ผิวด ้านหลัง 21 ของเวเฟอร์ 11 เป็นผิวรับแสงเลเซอร์ จนกระทั่งเทปยืด ได้ 19 ถูกนำมาเชื่อมยึดกับ ผิวด้านหลัง 21 ของเวเฟอร์ 11 แผ่น 18 จะให้ความสะดวกในการลำเลียงขนส่งเวเฟอร์ 11 ที่มีบริเวณ ของจ ุดตั้งต้นสำหรับตัด 8 รวมอยู่ด้วย ต่อจากนั้น แผ่น 18 จะถูกแยก ตัวออกจากผิวด้านหน้า 3 ของ เวเฟอร์ 11 และเทปยืดได้ 19 จะถูกยื ดตัวออกไปซึ่งจะทำให้ชิป 23 จำนวนหนึ่งที่เกิดจากการตัด เวเฟอร์ 1 1 จากบริเวณของจุดตั้งต้นสำรหับตัดที่เป็นจุดตั้งต้นถูกแยกออกจ ากกันและกัน วิธีการนี้ สามารถป้องกันไม่ให้ชิป 23 เกิดการกะเทา ะและเสียหายได้ DC60 Method for cutting object import process is disclosed. Which will provide convenience in conveying transport An object that contains the site of the cutting site and can prevent damages such as shearing and cracking from occurring in a number of From cutting objects A shape treatment 18 is applied to the front surface 3 of the silicon wafer 11 during the period when an area of the cutting precursor 8 is formed inside the wafer 11 while the back surface is applied. 21 of the wafers 11 are laser exposed skin. Until the stretch tape 19 is bonded to the back surface 21 of the wafer 11, 18 provides convenience for transport of wafers 11 with a pre-cut area of 8 are included. Separated from the front surface 3 of wafer 11 and stretch tape 19 is stretched out, this will cause a number of chips 23 generated by wafer cut 1 1 from the area of the substrate cutting site at the origin to be separated. This method can prevent chip 23 from becoming scratched and damaged. The method for cutting objects in the process is disclosed. Which will provide convenience in conveying transport An object that contains the site of the cutting site and can prevent damages such as shearing and cracking from occurring in a number of From cutting objects A shape treatment plate 18 is applied to the front surface 3 of the silicon wafer 11 during the period when an area of the cutting precursor 8 is formed inside the wafer 11 while the back surface is applied. 21 of the wafers 11 are laser exposed skin. Until the stretch tape 19 is attached to the back surface 21 of the wafer 11, 18 provides ease of transport of the wafer 11 with an area of the substrate for cutting 8. Is separated from the front surface 3 of the wafer 11 and the stretch tape 19 is stretched out, thus leaving a number of chips 23 formed by wafer cut 1 1 from the site of the starting point for the point cut. The substrates are separated from each other, this method can prevent chip 23 from becoming scratched and damaged.
Claims (1)
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TH73573A true TH73573A (en) | 2005-12-15 |
Family
ID=
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW200602145A (en) | Laser processing method and semiconductor chip | |
ATE362653T1 (en) | METHOD FOR SEPARATING SUBSTRATES | |
ATE503268T1 (en) | SEMICONDUCTOR SUBSTRATE CUTTING PROCESS | |
TW200710980A (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
EP1742252A4 (en) | Laser processing method and object to be processed | |
TW200613081A (en) | Laser processing method and semiconductor chip | |
DK1989740T3 (en) | Process for solar cell labeling and solar cell | |
TW200719432A (en) | Semiconductor wafer dividing method | |
MY147833A (en) | Laser processing method | |
TW201206605A (en) | Method and apparatus for improved wafer singulation | |
EP2249380A3 (en) | Method for cutting semiconductor substrate | |
TW200732076A (en) | Laser beam machining method and semiconductor chip | |
CN102891231A (en) | Method for manufacturing light-emitting device | |
TW200520076A (en) | The manufacturing method of a semiconductor, semiconductor chip, semiconductor film chip, electronic tube, and photo detecting element | |
JP2007142206A5 (en) | ||
SG126711A1 (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
TW200710295A (en) | Nitride semiconductor substrate, and method for working nitride semiconductor substrate | |
TW200720003A (en) | Laser processing method | |
TWI267145B (en) | Manufacturing method for a semiconductor device | |
AU2003287857A1 (en) | Method for the introduction of an integrated predetermined rupture line in a planar expansive body | |
ATE543622T1 (en) | METHOD FOR SEPARATING SINGLE CRYSTALLINE LAYERS, DISCS OR WAFERS | |
CN104508799B (en) | Method for cutting processing target | |
TH73573A (en) | How to cut a process object | |
TW200505614A (en) | Machining method and manufacturing method of semiconductor device | |
TW201921453A (en) | Method of manufacturing a semiconductor device |