TH73573A - How to cut a process object - Google Patents

How to cut a process object

Info

Publication number
TH73573A
TH73573A TH501001135A TH0501001135A TH73573A TH 73573 A TH73573 A TH 73573A TH 501001135 A TH501001135 A TH 501001135A TH 0501001135 A TH0501001135 A TH 0501001135A TH 73573 A TH73573 A TH 73573A
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
wafer
cutting
area
site
cut
Prior art date
Application number
TH501001135A
Other languages
Thai (th)
Inventor
ฟูคูโย นายฟูมิสึกุ
อัทสึมิ นายคาซูฮิโร
อูชิยามะ นายนาโอกิ
Original Assignee
นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์
นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์
นายบุญมา เตชะวณิช
นายต่อพงศ์ โทณะวณิก
Filing date
Publication date
Application filed by นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์, นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์, นายบุญมา เตชะวณิช, นายต่อพงศ์ โทณะวณิก filed Critical นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์
Publication of TH73573A publication Critical patent/TH73573A/en

Links

Abstract

DC60 วิธีการตัดวัตถุนำเข้ากระบวนการมีเปิดเผยไว้ ซึ่งจะให้ความสะดวกในการขนส่งลำเลียง วัตถุที่ประกอบด้วยบริเวณของจุดตั้งต้นสำหรั บตัด และสามารถป้องกันไม่ให้เกิดความเสียหายต่าง ๆ เช่น การกะเ ทาะและการแตกร้าวไม่ให้เกิดขึ้นในส่วนต่าง ๆ จำนวนหนึ่งที่ได้จ ากการตัดวัตถุ แผ่นรักษารูปทรง 18 จะถูกนำมาประกบกับผิวด้านหน้า 3 ของซิลิคอน เวเฟอร์ 11 ใน ระหว่างช่วงเวลาเมื่อบริเวณของจุดตั้งต้นสำห รับตัด 8 ถูกสร้างขึ้นภายในตัวเวเฟอร์ 11 ในขณะที่มีการ ใช้ผิวด้ านหลัง 21 ของเวเฟอร์ 11 เป็นผิวรับแสงเลเซอร์ จนกระทั่งเทปยืด ได้ 19 ถูกนำมาเชื่อมยึดกับ ผิวด้านหลัง 21 ของเวเฟอร์ 11 แผ่น 18 จะให้ความสะดวกในการลำเลียงขนส่งเวเฟอร์ 11 ที่มีบริเวณ ของจุ ดตั้งต้นสำหรับตัด 8 รวมอยู่ด้วย ต่อจากนั้น แผ่น 18 จะถูกแยก ตัวออกจากผิวด้านหน้า 3 ของ เวเฟอร์ 11 และเทปยืดได้ 19 จะถูกยื ดตัวออกไปซึ่งจะทำให้ชิป 23 จำนวนหนึ่งที่เกิดจากการตัด เวเฟอร์ 1 1 จากบริเวณของจุดตั้งต้นสำหรับตัดที่เป็นจุดตั้งต้นถูกแยกออกจ ากกันและกัน วิธีการนี้ สามารถป้องกันไม่ให้ชิป 23 เกิดการกะเทา ะและเสียหายได้ วิธีการตัดวัตถุนำเข้ากระบวนการมีเปิดเผยไว้ ซึ่งจะให้ความสะดวกในการขนส่งลำเลียง วัตถุที่ประกอบด้วยบริเวณของจุดตั้งต้นสำหรั บตัด และสามารถป้องกันไม่ให้เกิดความเสียหายต่าง ๆ เช่น การกะเ ทาะและการแตกร้าวไม่ให้เกิดขึ้นในส่วนต่าง ๆ จำนวนหนึ่งที่ได้จ ากการตัดวัตถุ แผ่นรักษารูปทรง 18 จะถูกนำมาประกบกับผิวด้านหน้า 3 ของซิลิคอน เวเฟอร์ 11 ใน ระหว่างช่วงเวลาเมื่อบริเวณของจุดตั้งต้นสำห รับตัด 8 ถูกสร้างขึ้นภายในตัวเวเฟอร์ 11 ในขณะที่มีการ ใช้ผิวด ้านหลัง 21 ของเวเฟอร์ 11 เป็นผิวรับแสงเลเซอร์ จนกระทั่งเทปยืด ได้ 19 ถูกนำมาเชื่อมยึดกับ ผิวด้านหลัง 21 ของเวเฟอร์ 11 แผ่น 18 จะให้ความสะดวกในการลำเลียงขนส่งเวเฟอร์ 11 ที่มีบริเวณ ของจ ุดตั้งต้นสำหรับตัด 8 รวมอยู่ด้วย ต่อจากนั้น แผ่น 18 จะถูกแยก ตัวออกจากผิวด้านหน้า 3 ของ เวเฟอร์ 11 และเทปยืดได้ 19 จะถูกยื ดตัวออกไปซึ่งจะทำให้ชิป 23 จำนวนหนึ่งที่เกิดจากการตัด เวเฟอร์ 1 1 จากบริเวณของจุดตั้งต้นสำรหับตัดที่เป็นจุดตั้งต้นถูกแยกออกจ ากกันและกัน วิธีการนี้ สามารถป้องกันไม่ให้ชิป 23 เกิดการกะเทา ะและเสียหายได้ DC60 Method for cutting object import process is disclosed. Which will provide convenience in conveying transport An object that contains the site of the cutting site and can prevent damages such as shearing and cracking from occurring in a number of From cutting objects A shape treatment 18 is applied to the front surface 3 of the silicon wafer 11 during the period when an area of the cutting precursor 8 is formed inside the wafer 11 while the back surface is applied. 21 of the wafers 11 are laser exposed skin. Until the stretch tape 19 is bonded to the back surface 21 of the wafer 11, 18 provides convenience for transport of wafers 11 with a pre-cut area of 8 are included. Separated from the front surface 3 of wafer 11 and stretch tape 19 is stretched out, this will cause a number of chips 23 generated by wafer cut 1 1 from the area of the substrate cutting site at the origin to be separated. This method can prevent chip 23 from becoming scratched and damaged. The method for cutting objects in the process is disclosed. Which will provide convenience in conveying transport An object that contains the site of the cutting site and can prevent damages such as shearing and cracking from occurring in a number of From cutting objects A shape treatment plate 18 is applied to the front surface 3 of the silicon wafer 11 during the period when an area of the cutting precursor 8 is formed inside the wafer 11 while the back surface is applied. 21 of the wafers 11 are laser exposed skin. Until the stretch tape 19 is attached to the back surface 21 of the wafer 11, 18 provides ease of transport of the wafer 11 with an area of the substrate for cutting 8. Is separated from the front surface 3 of the wafer 11 and the stretch tape 19 is stretched out, thus leaving a number of chips 23 formed by wafer cut 1 1 from the site of the starting point for the point cut. The substrates are separated from each other, this method can prevent chip 23 from becoming scratched and damaged.

Claims (1)

1. วิธีการตัดวัตถุนำเข้ากระบวนการสำหรับการตัดวัตถุคล้ายกับแผ่นเวเฟอร์ตามแนวตัด ที่ซึ่ง วิธีการจะประกอบด้วยขั้นตอนของ การนำเอาวัตถุที่อยู่ในสถานะที่มีลำตัวรักษารูปทรงประกบอยู่กับ ผิวหน้าของมันไปรับ แสงเลเซอร์ ในขณะที่มีการใช้ผิวด้านหลังของต ัววัตถุนี้เป็นผิวรับแสงเลเซอร์เข้าไป และการกำหนด จุดที่แสงสอบตัว เข้าหากันภายในตัว วัตถุนั้น เพื่อที่จะสร้างเป็นบริเวณปรับแต่งขึ้น และการทำให้ บ ริเวณปรับแต่งนี้สร้างบริเวณของจุดตั้งต้นสำรหับตัดตามแนวตัดภา ยในผิวที่รับแแสงเลเซอร์เข้าไป ตามระยะแท็ก :1. Method of Cutting Material Import A process for cutting an object similar to a wafer along the cutting line where the method consists of a process of Bringing objects in the state of the body to maintain the shape attached to Its surface receives a laser beam, while the back of the skin is applied. The object is the surface receiving the laser beam and determining the point at which the light examines. It joins the inside of the object to create a trim area, and this adjustment area creates an area of the starting point for cutting along the contour. The laser is injected into the skin according to the tag distance:
TH501001135A 2005-03-15 How to cut a process object TH73573A (en)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TH73573A true TH73573A (en) 2005-12-15

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW200602145A (en) Laser processing method and semiconductor chip
ATE362653T1 (en) METHOD FOR SEPARATING SUBSTRATES
ATE503268T1 (en) SEMICONDUCTOR SUBSTRATE CUTTING PROCESS
TW200710980A (en) Method for manufacturing semiconductor device
EP1742252A4 (en) Laser processing method and object to be processed
TW200613081A (en) Laser processing method and semiconductor chip
DK1989740T3 (en) Process for solar cell labeling and solar cell
TW200719432A (en) Semiconductor wafer dividing method
MY147833A (en) Laser processing method
TW201206605A (en) Method and apparatus for improved wafer singulation
EP2249380A3 (en) Method for cutting semiconductor substrate
TW200732076A (en) Laser beam machining method and semiconductor chip
CN102891231A (en) Method for manufacturing light-emitting device
TW200520076A (en) The manufacturing method of a semiconductor, semiconductor chip, semiconductor film chip, electronic tube, and photo detecting element
JP2007142206A5 (en)
SG126711A1 (en) Manufacturing method of semiconductor device
TW200710295A (en) Nitride semiconductor substrate, and method for working nitride semiconductor substrate
TW200720003A (en) Laser processing method
TWI267145B (en) Manufacturing method for a semiconductor device
AU2003287857A1 (en) Method for the introduction of an integrated predetermined rupture line in a planar expansive body
ATE543622T1 (en) METHOD FOR SEPARATING SINGLE CRYSTALLINE LAYERS, DISCS OR WAFERS
CN104508799B (en) Method for cutting processing target
TH73573A (en) How to cut a process object
TW200505614A (en) Machining method and manufacturing method of semiconductor device
TW201921453A (en) Method of manufacturing a semiconductor device