TH52306A - วิธีการสำหรับการจัดเตรียมฐานรองซึ่งสามารถนำไฟฟ้าได้สำหรับการเชื่อมต่อทางไฟฟ้าและฐานรองซึ่งสามารถนำไฟฟ้าได้ที่ถูกสร้างขึ้น - Google Patents

วิธีการสำหรับการจัดเตรียมฐานรองซึ่งสามารถนำไฟฟ้าได้สำหรับการเชื่อมต่อทางไฟฟ้าและฐานรองซึ่งสามารถนำไฟฟ้าได้ที่ถูกสร้างขึ้น

Info

Publication number
TH52306A
TH52306A TH101000132A TH0101000132A TH52306A TH 52306 A TH52306 A TH 52306A TH 101000132 A TH101000132 A TH 101000132A TH 0101000132 A TH0101000132 A TH 0101000132A TH 52306 A TH52306 A TH 52306A
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
layer
electrical connections
angstroms
accordance
approximately
Prior art date
Application number
TH101000132A
Other languages
English (en)
Inventor
เอ็ม รูบิโน นางสาวจูดิธ
เจ ซัมบูเซ็ตติ นายคาร์ลอส
วอคเกอร์ นายจอร์จ
จี กูเดียลโล นายจอห์น
ซี อิเดลสเทน นายดาเนียล
Original Assignee
นายธเนศ เปเรร่า
นายโรจน์วิทย์ เปเรร่า
อินเตอร์เนชั่นแนล บิชสิเนส์ส แมชชีนส์ คอร์ปอเรชั่น
Filing date
Publication date
Application filed by นายธเนศ เปเรร่า, นายโรจน์วิทย์ เปเรร่า, อินเตอร์เนชั่นแนล บิชสิเนส์ส แมชชีนส์ คอร์ปอเรชั่น filed Critical นายธเนศ เปเรร่า
Publication of TH52306A publication Critical patent/TH52306A/th

Links

Abstract

DC60 (05/04/44) วิธีการสำหรับการจัดเตรียมผิวฐานรองคอปเปอร์สำหรับการเชื่อมต่อทางไฟฟ้าซึ่งมีตัวขวาง กั้นการแพร่ กระจายดีเลิศ และคุณสมบัติการยึดติดถูกจัดเตรียม ในวิธี การ ผิวฐานรองคอปเปอร์ถูก จัดเตรียมอันดับหนึ่งซึ่งถูก ทำความสะอาดโดยสารละลายกรด ชั้นการป้องกัน ฟอสฟอรัสหรือ โบรอน ที่บรรจุโลหะเจือถูกชุบบนผิว ฐานรองคอปเปอร์ ครั้นแล้วชั้นการยึดติดของโลหะใหม่ ถูก ชุบบนด้านบนของชั้นการป้องกัน ชั้นการป้องกันอาจ จะเป็นชั้นเดียวหรือสองชั้นหรือมากกว่าถูกติด เข้าด้วย กันอย่างใกล้ชิด ถูกทำจาก ฟอสฟอรัสหรือโบรอน ที่ บรรจุโลหะเจือ เช่น Ni-P , Co-P, Co-W-P , Co-Sn-P , Ni-W- P , Co-B , Ni-B , Co-Sn-B , Co-W-B และ Ni-W-B ความหนา ที่ เหมาะสมสำหรับชั้นการป้องกันอยู่ระหว่างประมาณ 1,000 อังสตรอม และประมาณ 10,000 อังสตรอม และที่พึง ประสงค์ระหว่างประมาณ 3,000 อังสตรอม และประมาณ 7,000 อังสตรอม ชั้นการยึดติดสามารถถูกทำจากโลหะ ใหม่เช่น Au,Pt,Pd และ Ag ความหนาระหว่างประมาณ 500 อังสตรอม และประมาณ 4,000 อังสตรอม และที่พึง ประสงค์ระหว่างประมาณ 1,000 อังสตรอม และ ประมาณ 2,000 อังสตรอม อีกทางหนึ่ง ชั้นตรงกลาง ของPdอาจจะ ถูกชุบระหว่างผิวฐานรอง คอปเปอร์ซึ่งสามารถนำไฟฟ้า ได้กับชั้นการป้องกันก่อนการชุบไร้กระแส ของชั้นการ ป้องกัน อีกทางหนึ่ง ชั้นโลหะใหม่ที่เพิ่มเข้าไปอาจจะถูก ชุบบนด้านบนของชั้นยึดติดโดยกระบวนการการ ชุบ Au ไร้กระแส เพื่อเพิ่มความหนาของชั้นโลหะใหม่สุดท้าย ประมาณ 2,000 อังสตรอม -12,000 อังสตรอม และที่พึง ประสงค์ระหว่างประมาณ 4,000 อังสตรอม และประมาณ 6,000 อังสตรอม การประดิษฐ์นี้เปิดเผยต่อไปอีกฐานรอง ที่สามารถนำไฟฟ้าได้สำหรับการทำการเชื่อมต่อทางไฟ ฟ้า บนนั้น ซึ่งรวมไปถึงผิวฐานรองคอปเปอร์ ชั้นการป้อง กันฟอสฟอรัสหรือโบรอน ที่บรรจุโลหะเจือ และชั้นการ ยึดติดของโลหะใหม่ ถูกชุบบนด้านบนของชั้นการป้อง กัน การประดิษฐ์นี้ถูกมุ่งตรงไป ต่อไปอีกไปยังโครง สร้างทางไฟฟ้าซึ่งรวมไปถึงฐานรองที่สามารถนำไฟฟ้า ได้กับการเชื่อมต่อทาง ไฟฟ้า ถูกทำอย่างสมบูรณ์และบน ด้านบนของชั้นการยึดติด นั่นคือทั้งการเชื่อมติดเส้นลวด หรือการ สัมผัสโลหะบัดกรี วิธีการสำหรับการจัดเตรียมผิวฐานรองคอปเปอร์สำหรับการเชื่อมต่อทางไฟฟ้าซึ่งมีตัวขวาง กั้นการแพร่ กระจายดีเลิศ และคุณสมบัติการยึดติดถูกจัดเตรียม ในวิธี การ ผิวฐานรองคอปเปอร์ถูก จัดเตรียมอันดับหนึ่งซึ่งถูก ทำความสะอาดโดยสารละลายกรด ชั้นการป้องกัน ฟอสฟอรัสหรือ โบรอน ที่บรรจุโลหะเจือถูกชุบบนผิว ฐานรองคอปเปอร์ ครั้นแล้วชั้นการยึดติดของโลหะใหม่ ถูก ชุบบนด้านบนของชั้นการป้องกัน ชั้นการป้องกันอาจ จะเป็นชั้นเดียวหรือสองชั้นหรือมากกว่าถูกติด เข้าด้วย กันอย่างใกล้ชิด ถูกทำจาก ฟอสฟอรัสหรือโบรอน ที่ บรรจุโลหะเจือ เช่น Ni-P,Co-P, Co-W-P,Co-Sn-P,Ni-W- P,Co-B,Ni-B,Co-Sn-B,Co-W-B และ Ni-W-B ความหนา ที่ เหมาะสมสำหรับชั้นการป้องกันอยู่ระหว่างประมาณ 1,000 อังสตรอม และประมาณ 10,000 อังสตรอม และที่พึง ประสงค์ระหว่างประมาณ 3,000 อังสตรอม และประมาณ 7,000 อังสตรอม ชั้นการยึดติดสามารถถูกทำจากโลหะ ใหม่เช่น Au,Pt,Pd และ Ag ความหนาระหว่างประมาณ 500 อังสตรอม และประมาณ 4,000 อังสตรอม และที่พึง ประสงค์ระหว่างประมาณ 1,000 อังสตรอม และ ประมาณ 2,000 อังสตรอม อีกทางหนึ่ง ชั้นตรงกลาง ของPdอาจจะ ถูกชุบระหว่างผิวฐานรอง คอปเปอร์ซึ่งสามารถนำไฟฟ้า ได้กับชั้นการป้องกันก่อนการชุบไร้กระแส ของชั้นการ ป้องกัน อีกทางหนึ่ง ชั้นโลหะใหม่ที่เพิ่มเข้าไปอาจจะถูก ชุบบนด้านบนของชั้นยึดติดโดยกระบวนการการ ชุบ Au ไร้กระแส เพื่อเพิ่มความหนาของชั้นโลหะใหม่สุดท้าย ประมาณ 2,000 อังสตรอม -12,000 อังสตรอม และที่พึง ประสงค์ระหว่างประมาณ 4,000 อังสตรอม และประมาณ 6,000 อังสตรอม การประดิษฐ์นี้เปิดเผยต่อไปอีกฐานรอง ที่สามารถนำไฟฟ้าได้สำหรับการทำการเชื่อมต่อทางไฟ ฟ้า บนนั้น ซึ่งรวมไปถึงผิวฐานรองคอปเปอร์ ชั้นการป้อง กันฟอสฟอรัสหรือโบรอน ที่บรรจุโลหะเจือ และชั้นการ ยึดติดของโลหะใหม่ ถูกชุบบนด้านบนของชั้นการป้อง กัน การประดิษฐ์นี้ถูกมุ่งตรงไป ต่อไปอีกไปยังโครง สร้างทางไฟฟ้าซึ่งรวมไปถึงฐานรองที่สามารถนำไฟฟ้า ได้กับการเชื่อมต่อทาง ไฟฟ้า ถูกทำอย่างสมบูรณ์และบน ด้านบนของชั้นการยึดติด นั่นคือทั้งการเชื่อมติดเส้นลวด หรือการ สัมผัสโลหะบัดกรี

Claims (45)

1. วิธีการสำหรับการจัดเตรียมผิวฐานรองคอปเปอร์สำหรับการเชื่อมต่อทางไฟฟ้าประกอบ ด้วยวิธีการของ การจัดเตรียมผิวฐานรองคอปเปอร์ การชุบที่เลือก ชั้นการป้องกันของฟอสฟอรัสหรือ โบรอน ที่บรรจุโลหะเจือบนผิวฐานรอง คอปเปอร์ และ การชุบที่เลือก ชั้นการยึดติดของโลหะเจือใหม่บนด้าน บนของชั้นการป้องกันดังกล่าว
2. วิธีการสำหรับการจัดเตรียมผิวฐานรองคอปเปร์สำหรับการ เชื่อมต่อทางไฟฟ้า ที่สอด คล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ประกอบ ด้วยต่อไปอีกขั้นของการชุบที่เลือก ชั้นตรงกลางของโลหะใหม่ บน ผิวฐานรองคอปเปอร์ ก่อนการชุบ ของชั้นการป้องกัน
3. วิธีการสำหรับการจัดเตรียมผิวฐานรองคอปเปอร์สำหรับการ เชื่อมต่อทางไฟฟ้าประกอบ ด้วยต่อไปอีก ขั้นของ: การทำความสะอาดผิวฐานรองคอปเปอร์ในสารละลายกรด และ การชุบที่เลือก ชั้นตรงกลาง ของโลหะใหม่บนผิวฐานรองคอปเปอร์
4. วีธีการสำรหับการจัดเตรียมผิวฐานรองคอปเปอร์สำหรับการ เชื่อมต่อทางไฟฟ้า ที่สอด คล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 2 ในที่ซึ่ง ชั้นตรงกลางดังกล่าวถูกชุบด้วยแพลเลเดียม
5. วิธีการสำหรับการจัดเตรียมผิวฐานรองคอปเปอร์สำหรับการ เชื่อมต่อทางไฟฟ้า ที่สอด คล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 3 ที่ประกอบ ด้วยต่อไปอีกขั้นของการล้าง ผิวฐานรองคอปเปอร์ด้วยน้ำหลัง จาก ชั้นตรงกลางดังกล่าวที่ถูกชุบ
6. วิธีการสำหรับการจัดเตรียมชั้นฐานรองคอปเปอร์สำหรับการ เชื่อมต่อทางไฟฟ้า ที่สอด คล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ประกอบ ด้วยต่อไปอีกขั้นของ การชุบ ชั้นการป้องกันดังกล่าวโดยวิธีการ ชุบไร้กระแส
7. วิธีการสำหรับการจัดเตรียมผิวฐานรองคอปเปอร์สำหรับการ เชื่อมต่อทางไฟฟ้า ที่สอด คล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่ง ขั้นดังกล่าวของการชุบ ชั้นป้องกันประกอบด้วยต่อไปอีกขั้นของ: การเชื่อมต่อผิวฐานรองคอปเปอร์ดังกล่าวด้วยสารละลายถูกทำให้ เป็นบัฟเฟอร์ ถูกทำให้ ร้อนในอ่างไร้กระแส ซึ่งมี ไอออนโค บอลท์ กรดบอริก ไอออนซิเตรท คอปเปอร์แอซีเทต และ ไฮโปฟอส ไฟต์ และ การเชื่อมต่อผิวฐานรองคอปเปอร์ดังกล่าวด้วยสารละลายไร้ กระแส ถูกทำให้ร้อน ซึ่งมี ไอออนนิกเกิล ไอออนซิเตรท กรดบอ ริก โซเดียมไฮโปฟอสไฟต์ หรือ ไดเมทิอะมิโนโบเรน
8. วิธีการสำหรับการจัดเตรียมผิวฐานรองคอปเปอร์สำหรับการ เชื่อมต่อทางไฟฟ้า ที่สอด คล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่ง ชั้นการยึดติดดังกล่าวถูกทำขึ้นจากโลหะที่ถูกเลือกจากหมู่ที่ ประกอบด้วย Au, Pt, Pd และ Ag
9. วิธีการสำหรับการจัดเตรียมผิวฐานรองคอปเปอร์สำหรับการ เชื่อมต่อทางไฟฟ้า ที่สอด คล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่ง ชั้นการยึดติดดังกล่าวถูกทำขึ้นโดยการจุ่ม เวเฟอร์ในสารละ ลาย Au ชนิดจุ่มลงไป
10. วิธีการสำหรับการจัดเตรียมผิวฐานรองคอปเปอร์สำหรับการ เชื่อมต่อทางไฟฟ้า ที่สอด คล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่ง ชั้นการยึดติดดังกล่าวถูกทำขึ้นจากโลหะใหม่ให้มีความหนา ระหว่างประมาณ 500 อังสตรอม และประมาณ 4,000 อังสตรอม
11. วิธีการสำหรับการจัดเตรียมผิวฐานรองคอปเปอร์สำหรับการ เชื่อมต่อทางไฟฟ้า ที่สอด คล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่ง ฟอสฟอรัส หรือ โบรอน ที่บรรจุดลหะเจือที่ถูกเลือกจากหมู่ที่ ประกอบ ด้วย Ni-P, Co-P Co-W-P, CO-Sn-P, Ni-W-P,Co-B,C-Sn-B, Co-W-B และ Ni-W-B
12. วิธีการสำหรับการจัดเตรียมผิวฐานรองคอปเปอร์สำหรับการ เชื่อมต่อทางไฟฟ้า ที่สอด คล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่ง ชั้นการป้งอกันดังกล่าวถูกทำขึ้นจากฟอสฟอรัส หรือ โบรอน ที่ บรรจุโลหะเจือ ให้มีความหนาระหว่างประมาณ 1,00 0อังสตรอม และ ประมาณ 10,000 อังสตรอม
13. วิธีการสำหรับการจัดเตรียมผิวฐานรองคอปเปอร์สำหรับการ เชื่อมต่อทางไฟฟ้า ที่สอด คล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 1 ประกอบด้วย ต่อไปอีกขั้นของการชุบ ชั้นโลหะใหม่โดยวิธีการการชุบไร้ กระแส บนด้านบนของชั้นการยึดติดดังกล่าวจนกระทั่งความหนาทั้ง หมดของชั้นโลหะใหม่ อยู่ระหว่างประมาณ 2,000 อังสตรอมและ ประมาณ 12,000 อังสตรอม
14. วิธีการสำหรับการจัดเตรียมผิวฐานรองคอปเปอร์สำหรับการ เชื่อมต่อทางไฟฟ้า ที่สอด คล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่ง ชั้นการป้องกันดังกล่าวประกอบด้วยสองชั้นแยกกันแต่ละชั้นเป็น ฟอสฟอรัส หรือ โบรอน ที่บรรจุโลหะเจือ
15. วิธีการสำหรับการจัดเตรียมผิวฐานรองคอปเปอร์สำหรับการ เชื่อมต่อทางไฟฟ้า ที่สอด คล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่ง ชั้นการป้องกันดังกล่าวเป็นชั้นผสมของ Co-W-P และ Ni-P ชั้น การยึดติดดังกล่าวเป็น Au
16. วิธีการสำหรับการจัดเตรียมผิวฐานรองคอปเปอร์สำหรับการ เชื่อมต่อทางไฟฟ้า ที่สอด คล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่ง ชั้นการป้องกันดังกล่าว เป็น Ni-P หรือ Co-W-P และชั้นการยึด ติดดังกล่าวเป็น Au
17. วิธีการสำหรับการจัดเตรียมผิวฐานรองคอปเปอร์สำหรับการ เชื่อมต่อทางไฟฟ้า ที่สอด คล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่ง ชั้นการป้องกันดังกล่าว เป็น Ni-P และ ชั้นการยึดติดดังกล่าว เป็น Au ชนิดจุ่มลงไป และ Pd ไร้กระแส
18. วิธีการสำหรับการจัดเตรียมผิวฐานรองคอปเปอร์สำหรับการ เชื่อมต่อทางไฟฟ้า ที่สอด คล้องกับข้อถือสิทธิ ข้อ 2 ประกอบด้วยต่อไปอีกวิธีการของ การชุบความมากมายหลากหลาย ของ อนุภาคนาโน Pd สำหรับชั้นตรงกลาง
19. วิธีการสำหรับการจัดเตรียมผิวฐานรองคอปเปอร์สำหรับการ เชื่อมต่อทางไฟฟ้า ที่สอด คล้องกับข้อถือสิทธิ ข้อ 1 ในที่ซึ่งผิวฐานรองคอปเปอร์ดังกล่าวถูกจัดเตรียมบน ซับสเตรท ที่ถูกเลือก จากหมู่ที่ประกอบด้วย เวเฟอร์ซิลิ กอน, เวเฟอร์ซิลิกอน-เจอร์มาเนียม และเวเฟอร์ซิลิกอนบนฉนวน
20. วิธีการสำหรับการจัดเตรียมผิวฐานรองคอปเปอร์สำหรับการ เชื่อมต่อทางไฟฟ้า ที่สอด คล้องกับข้อถือสิทธิ ข้อ 1 ประกอบด้วยต่อไปอีกขั้นของ: การตัดออกเป็นลูกบาศก์เล็ก ๆ เวเฟอร์ บนผิวฐานรองคอปเปอร์ ที่ตั้งอยู่ในชิบ IC แต่ละตัว และ การทำการเชื่อมติดเส้นลวดบนผิวฐานรองคอปเปอร์
21. วิธีการสำหรับการจัดเตรียมผิวฐานรองคอปเปอร์สำหรับการ เชื่อมต่อทางไฟฟ้า ที่สอด คล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 1 ประกอบด้วย ต่อไปอีก การตัดออกไปเป็นลูกบาศก์เล็ก ๆ เวเฟอร์ บนผิวฐานรองคอป เปอร์ ที่ตั้งอยู่ในชิบ IC และ การทำการสัมผัสโลหะบัดกรีบนผิวฐานรองคอปเปอร์ดังกล่าวสำหรับ การทำการเชื่อมต่อ ทางไฟฟ้า
22. วิธีการสำหรับการจัดเตรียมผิวฐานรองคอปเปอร์สำหรับการเชื่ อมต่อทางไฟฟ้า ที่สอด คล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 21 ในที่ซึ่งการ สัมผัสโลหะบัดกรีดังกล่าวที่ถูกทำเป็นก้อนลูกบอลโลหะ บัดกรี Pb/Sn โดยการพิมพ์สกรีนหรือวิธีการขึ้นรูปแบบการฉีด
23. ฐานรองซึ่งสามารถนำไฟฟ้าได้สำหรับการทำการเชื่อมต่อทาง ไฟฟ้าบนนั้น ประกอบ ด้วย: ผิวฐานรองคอปเปอร์ ชั้นการป้องกันของฟอสฟอรัสหรือโบรอน ที่บรรจุโลหะเจือบนผิว ฐานรองคอปเปอร์ และ ชั้นการยึดติดของโลหะใหม่บนด้านบนของชั้นป้องกัน ชั้นการยึด ติดดังกล่าวจัดหาการ เชื่อมต่อทางไฟฟ้าด้วยการเชื่อมติดเส้นลวด หรือการสัมผัสโลหะบัดกรี
24. ฐานรองซึ่งสามารถนำไฟฟ้าได้สำหรับการทำกากรเชื่อมต่อทาง ไฟฟ้าบนนั้น ที่สอด คล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 23 ประกอบด้วยต่อไป อีกชั้นตรงกลาง ของโลหะใหม่ ใน-ระหว่างผิวฐาน รองคอปเปอร์ดัง กล่าวกับชั้นการป้องกันดังกล่าว
25. ฐานรองซึ่งสามารถนำไฟฟ้าได้สำหรับการทำการเชื่อมต่อทาง ไฟฟ้าบนนั้น ที่สอด คล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 23 ประกอบด้วยต่อไป อีกชั้นตรงกลาง ของอนุภาคนาโน แพลเลเดียม ใน ระหว่างผิวฐานรอง คอปเปอร์และชั้นการป้องกันดังกล่าว
26. ฐานรองซึ่งสามารถนำไฟฟ้าได้สำหรับการทำการเชื่อมต่อทาง ไฟฟ้าบนนั้น ที่สอด คล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 23 ในที่ซึ่ง ชั้นการป้ งอกันถูกทำขึ้นจากวัสดุที่ถูกเลือกจากหมู่ที่ประกอบ ด้วย Ni,P, Co-P, Co-W-P,Co-Sn-P, Ni-W-P, Co-B, Ni-B, Co-Sn-B, Co-W-B และ Ni- W-B
27. ฐานรองซึ่งสามารถนำไฟฟ้าได้สำหรับการทำการเชื่อมต่อทาง ไฟฟ้าบนนั้น ที่สอด คล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 23 ในที่ซึ่งชั้น การป้องกันดังกล่าวของ ฟอสฟอรัส หรือ โบรอน ที่บรรจุ โลหะเจือ มีความหนาระหว่างประมาณ 1,000 อังสตรอม และ ประมาณ 10,000 อังสตรอม
28. ฐานรองซึ่งสามารถนำไฟฟ้าได้สำหรับการทำการเชื่อมต่อทาง ไฟฟ้าบนนั้น ที่สอด คล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 23 ประกอบด้วยต่อไป อีกชั้นโลหะใหม่บนด้านบนของชั้นการยึดติด ดังกล่าว ที่ทำความ หนาที่ถูกเชื่อมต่อของชั้น โลหะไม่ระหว่าง ประมาณ 2,000 อังสตรอมและ ประมาณ 12,000 อังสตรอม
29. ฐานรองซึ่งสามารถนำไฟฟ้าได้สำหรับการทำการเชื่อมต่อทาง ไฟฟ้าบนนั้น ที่สอด คล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 23 ในที่ซึ่งชั้น การป้องกันดังกล่าวประกอบด้วยต่อไปอีกสองชั้นแยกกัน แต่ละชั้น เป็น ฟอสฟอรัส หรือ โบรอน ที่บรรจุโลหะเจือถูกติดเข้าด้วยกัน อย่างใกล้ชิด
30. ฐานรองซึ่งสามารถนำไฟฟ้าได้สำหรับการทำการเชื่อมต่อทาง ไฟฟ้าบนนั้น ที่สอด คล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 29 ในที่ซึ่งสอง ชั้นที่แยกกันดังกล่าวเป็น Co-W-P และ Ni-P
31. ฐานรองซึ่งสามารถนำไฟฟ้าได้สำหรับการทำการเชื่อมต่อทาง ไฟฟ้าบนนั้น ที่สอด คล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 23 ในที่ชั้นการยึด ติดดังกล่าวเป็นชั้นที่ถูกเลือกจากหมู่ที่ประกอบ ด้วย Au, Pt, Pd, และ Ag
32. ฐานรองซึ่งสามารถนำไฟฟ้าได้สำหรับการทำการเชื่อมต่อทาง ไฟฟ้าบนนั้น ที่สอด คล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 23 ในที่ซึ่งชั้น การยึดติดดังกล่าวมีความหนาระหว่างประมาณ 500 อังสตรอม และ ประมาณ 4,000 อังสตรอม
33. ฐานรองซึ่งสามารถนำไฟฟ้าได้สำหรับการทำการเชื่อมต่อทาง ไฟฟ้าบนนั้น ที่สอด คล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 23 ในที่ซึ่งชั้น การป้องกันดังกล่าวเป็น Ni-P หรือ Co-W-P และชั้นการยึด ติดดัง กล่าวเป็น Au
34. ฐานรองซึ่งสามารถนำไฟฟ้าได้สำหรับการทำการเชื่อมต่อทาง ไฟฟ้าบนนั้น ที่สอด คล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 23 ในที่ซึ่งชั้น การป้องกันดังกล่าวเป็น Ni-P และ ชั้นการยึดติดดังกล่าว เป็น Au ชนิดจุ่มลงไป และ Pd ไร้กระแส
35. ฐานรองซึ่งสามารถนำไฟฟ้าได้สำหรับการทำการเชื่อมต่อทาง ไฟฟ้าบนนั้น ที่สอด คล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 23 ในที่ซึ่งฐานรอง ซึ่งสามารถนำไฟฟ้าได้ดังกล่าวถูกทำบนซับเตรทของเว เฟอร์วิลิ กอน เวเฟอร์ซิลิกอน-เจอร์มาเนียม หรือ เวเฟอร์ ซิลิกอนบนฉนวน
36. ฐานรองซึ่งสามารถนำไฟฟ้าได้สำหรับการทำการเชื่อมต่อทาง ไฟฟ้าบนนั้น ที่สอด คล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 23 ในที่ซึ่งการ เชื่อมต่อทางไฟฟ้าดังกล่าวถูกทำโดยการเชื่อมติดเส้นลวด
37. ฐานรองซึ่งสามารถนำไฟฟ้าได้สำหรับการทำการเชื่อมต่อทาง ไฟฟ้าบนนั้น ที่สอด คล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 23 ในที่ซึ่งการ เชื่อมต่อทางไฟฟ้าดังกล่าวถูกทำโดยการสัมผัสโลหะบัดกรี
38. โครงสร้างทางไฟฟ้าสำหรับการจัดเตรียมการเชื่อมต่อทาง ไฟฟ้า ประกอบด้วย: ผิวฐานรองคอปเปอร์ ชั้นการป้องกัน ฟอสฟอรัสหรือโบรอน ที่บรรจุด้วยโลหะเจือบนผิว ฐานรองคอปเปอร์ ชั้นการยึดติดของโลหะใหม่บนด้านบนของชั้นการป้องกันดัง กล่าว และ การเชื่อมต่อทางไฟฟ้าทั้งหมดกับชั้นการยึดติดดังกล่าว
39. โครงสร้างทางไฟฟ้าสำหรับการจัดเตรียมการเชื่อมต่อทาง ไฟฟ้า ที่สอดคล้องกับข้อถือ สิทธิข้อ 38. ในที่ซึ่งการเชื่อม ต่อทางไฟฟ้าดังกล่าวเป็นการเชื่อมติดเส้นลวดหรือการสัมผัสโลหะ บัดกรี
40. โครงสร้างทางไฟฟ้าสำหรับการจัดเตรียมการเชื่อมต่อทาง ไฟฟ้า ที่สอดคล้องกับข้อถือ สิทธิข้อ 38. ประกอบด้วยต่อไป อีก ชั้นตรงกลางของชั้นโลหะใหม่ ใน-ระหว่างผิวฐานรอง คอปเปอร์ กับชั้นการป้องกัน
41. โครงสร้างทางไฟฟ้าสำหรับการจัดเตรียมการเชื่อมต่อทาง ไฟฟ้า ที่สอดคล้องกับข้อถือ สิทธิข้อ 40. ในที่ซึ่งชั้นตรง กลาง ดังกล่าวเป็นอนุภาคนาโน แพลเลเดียม
42. โครงสร้างทางไฟฟ้าสำหรับการจัดเตรียมการ เชื่อมต่อทางไฟฟ้า ที่สอดคล้องกับข้อถือ สิทธิข้อ 38 ในที่ซึ่ง การยึดติดดังกล่าวถูกทำจากโลหะที่ถูกเลือกจากหมู่ที่ประกอบ ด้วย Au, Pt, Pd และ Ag
43. โครงสร้างทางไฟฟ้าสำหรับการจัดเตรียมการเชื่อมต่อทาง ไฟฟ้า ที่สอดคล้องกับข้อถือ สิทธิข้อ 38 ในที่ซึ่งชั้นการป้อง กันดังกล่าวถูกทำจากโลหะเจือถูกเลือกจากหมู่ที่ประกอบ ด้วย Ni-P, Co-P,Co-W-P,Co-Sn-P,Ni-W-P,Co-B,Ni-B,Co-Sn-B,Co-W-B และ Ni-W -B
44. โครงสร้างทางไฟฟ้าสำหรับการจัดเตรียมการเชื่อมต่อทาง ไฟฟ้า ที่สอดคล้องกับข้อถือ สิทธิข้อ 38. ประกอบด้วยต่อไปอีก ชั้นโลหะใหม่ถูกชุบบนด้านบนของชั้นการยึดติดดังกล่าวจน กระทั่ง ความหนาทั้งหมดของโลหะใหม่อยู่ระหว่างประมาณ 2,000 อังสตรอม และ ประมาณ 12,000 อังสตรอม
45. โครงสร้างทางไฟฟ้าสำหรับการจัดเตรียมการเชื่อมต่อทาง ไฟฟ้า ที่สอดคล้องกับข้อถือ สิทธิข้อ 38 ประกอบต่อไปอีก ซับสเตรตของเวเฟอร์ซิลิกอน เวเฟอร์ซิลิกอน-เจอร์มา เนียม หรือ เวเฟอร์ซิลิกอนบนฉนวนบนฐานรองคอปเปอร์ถูกตั้งอยู่
TH101000132A 2001-01-12 วิธีการสำหรับการจัดเตรียมฐานรองซึ่งสามารถนำไฟฟ้าได้สำหรับการเชื่อมต่อทางไฟฟ้าและฐานรองซึ่งสามารถนำไฟฟ้าได้ที่ถูกสร้างขึ้น TH52306A (th)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TH52306A true TH52306A (th) 2002-07-31

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5360991A (en) Integrated circuit devices with solderable lead frame
US6164523A (en) Electronic component and method of manufacture
KR100375460B1 (ko) 전기 접속용 도전 패드를 형성하기 위한 방법 및 형성된 도전 패드
JP6667765B2 (ja) 電極接続方法及び電極接続構造
JP6078585B2 (ja) 小型電子機器、その形成方法、およびシステム
US5675177A (en) Ultra-thin noble metal coatings for electronic packaging
US20020192492A1 (en) Metal article coated with near-surface doped tin or tin alloy
JP3760075B2 (ja) 半導体パッケージ用リードフレーム
KR101802851B1 (ko) 리드 프레임, 이를 포함하는 반도체 패키지, 및 리드 프레임의 제조 방법
CA2118758C (en) Lead frame for integrated circuits
US6452258B1 (en) Ultra-thin composite surface finish for electronic packaging
CN101540303A (zh) 抗磨损和晶须的涂覆系统和方法
JPH10511226A (ja) フリップチップ実装用はんだバンプおよびその製造方法
US7880285B2 (en) Semiconductor device comprising a semiconductor chip stack and method for producing the same
US6519845B1 (en) Wire bonding to dual metal covered pad surfaces
US6376901B1 (en) Palladium-spot leadframes for solder plated semiconductor devices and method of fabrication
US20020047186A1 (en) Semiconductor leadframes comprising silver plating
KR101120288B1 (ko) 성장 형성물 감소 방법 및 장치와 집적 회로
JP2533227B2 (ja) 熱圧着ボンデイング部材及びその製造方法
JP2005051084A (ja) 半導体チップおよびこれを用いた半導体装置
JP4498652B2 (ja) 無電解メッキ方法
JP2011193007A (ja) 半導体チップおよびこれを用いた半導体装置
TW200529400A (en) Lead frame and method for manufacturing semiconductor package with the same
US8816213B2 (en) Terminal structure, printed wiring board, module substrate, and electronic device
JP3757539B2 (ja) 半導体装置用ステム