DC60 (24/05/59) ก้อนโลหะบัดกรีได้รับการจัดให้มีไว้โดยบรรเทาการลอกตัวส่วนต่อประสานในส่วนต่อ ประสานยึดเหนี่ยวของก้อนโลหะบัดกรี, ซึ่งบรรเทาความบกพร่องจากการหลอมรวมซึ่งเกิดขึ้น ระหว่างก้อนโลหะบัดกรีและเพสท์โลหะบัดกรี และซึ่งสามารถได้รับการนำมาใช้ทั้งกับอิเล็กโทรด ชนิด Ni ที่ได้รับการชุบด้วย Au หรือสิ่งที่คล้ายคลึงกัน และอิเล็กโทรดชนิด Cu ซึ่งมีฟลักซ์เตรียม แบบละลายน้ำได้ที่ได้รับการนำมาใช้ที่ส่วนบนของ Cu การประดิษฐ์นี้เป็นก้อนโลหะบัดกรีชนิด ไร้ตะกั่วสำหรับอิเล็กโทรดของบีจีเอ หรือซีเอสพี ซึ่งประกอบด้วย Ag 1.6-2.9 เปอร์เซ็นต์โดยมวล, Cu 0.7-0.8 เปอร์เซ็นต์โดยมวล, Ni 0.05-0.08 เปอร์เซ็นต์โดยมวล และส่วนที่เหลือเป็น Sn ก้อนโลหะ บัดกรีนี้มีความต้านทานดีเยี่ยมต่อความล้าทางความร้อน และความต้านทานดีเยี่ยมต่อการตกกระแทก โดยไม่คำนึงถึงชนิดของอิเล็กโทรดของแผงวงจรพิมพ์ซึ่งก้อนโลหะบัดกรีได้รับการยึดเหนี่ยวเข้ากัน นั้น, ซึ่งเป็นอิเล็กโทรดชนิด Cu หรืออิเล็กโทรดชนิด Ni ซึ่งมีการชุบ Au หรือการชุบ Au/Pd ในฐานะ เป็นการปฏิบัติต่อพื้นผิว ธาตุอย่างน้อยที่สุดหนึ่งธาตุซึ่งได้รับการเลือกจาก Fe, Co และ Pt ในปริมาณ ทั้งหมด 0.003-0.1 เปอร์เซ็นต์โดยมวล หรือธาตุอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิดซึ่งได้รับการเลือกจาก Bi, ln, Sb, P และ Ge ในปริมาณทั้งหมด 0.003-0.1 เปอร์เซ็นต์โดยมวล อาจจะได้รับการเติมลงใน องค์ประกอบนี้ แก้ไข 24/05/2559 ก้อนโลหะบัดกรีได้รับการจัดให้มีไว้โดยบรรเทาการลอกตัวส่วนต่อประสานในส่วนต่อ ประสานยึดเหนี่ยวของก้อนโลหะบัดกรี, ซึ่งบรรเทาความบกพร่องจากการหลอมรวมซึ่งเกิดขึ้น ระหว่างก้อนโลหะบัดกรีและเพสท์โลหะบัดกรี และซึ่งสามารถได้รับการนำมาใช้ทั้งกับอิเล็กโทรด ชนิด Ni ที่ได้รับการชุบ Au หรือสิ่งที่คล้ายคลึงกัน และอิเล็กโทรดชนิด Cu ซึ่งมีฟลักซ์เตรียม แบบละลายน้ำได้ที่ได้รับการนำมาใช้ที่ส่วนบนของ Cu การประดิษฐ์นี้เป็นก้อนโลหะบัดกรีชนิด ไร้ตะกั่วสำหรับอิเล็กโทรดของบีจีเอ หรือซีเอสพี ซึ่งประกอบด้วย Ag 1.6-2.9 เปอร์เซ็นต์โดยมวล, Cu 0.7-0.8 เปอร์เซ็นต์โดยมวล, Ni 0.05-0.08 เปอร์เซ็นต์โดยมวล และส่วนที่เหลือ Sn ก้อนโลหะ บัดกรีนี้มีความต้านทานดีเยี่ยมต่อความล้าทางความร้อน และความต้านทานดีเยี่ยมต่อการตกกระแทก โดยไม่คำนึงถึงชนิดของอิเล็กโทรดของแผงวงจรพิมพ์ซึ่งก้อนโลหะบัดกรีได้รับการยึดเหนี่ยวเข้ากัน นั้น, ซึ่งเป็นอิเล็กโทรดชนิด Cu หรืออิเล็กโทรดชนิด Ni ซึ่งมีการชุบ Au หรือการชุบ Au/Pd ในฐานะ เป็นการปฏิบัติต่อพื้นผิว ธาตุอย่างน้อยที่สุดหนึ่งธาตุซึ่งได้รับการเลือกจาก Fe, Co และ Pt ในปริมาณ ทั้งหมด 0.003-0.1 เปอร์เซ็นต์โดยมวล หรือธาตุอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิดซึ่งได้รับการเลือกจาก Bi, In, Sb, P และ Ge ในปริมาณทั้งหมด 0.003-0.1 เปอร์เซ็นต์โดยมวล อาจจะได้รับการเติมลงใน องค์ประกอบนี้ -------------------------------------------------------------------------------------- ก้อนโลหะบัดกรีได้รับTการจัดให้มีไว้โดยบรรเทาการลอกตัวส่วนต่อประสานในส่วนต่อ ประสานยึดเหนี่ยวของก้อนโลหะบัดกรึ ซึ่งบรรเทาความบกพร่องจากการหลอมรวมซึ่งเกิดขึ้น ระหว่างก้อนโลหะบัดกรีและเพสท์โลหะบัดกรี และสามารถได้รับการนำมาใช้ทั้งกับอิเล็กโทรดชนิด Ni ที่มีการเคลือบ Au หรือที่คล้ายคลึงกันและอิเล็กโทรดชนิด cu ซึ่งมีฟลักซ์เตรียมแบบละลายน้ำได้ ที่มีการนำมาใช้ส่วนบนของ cu การประดิษฐ์นี้เป็นก้อนโลหะบัดกรีชนิดไร้ตะกั่ว สำหรับอิเล็กโทรด ของบีจี้ หรือซึเอสพี ซึ่งประกอบด้วย Ag 1.6-2.9 เปอร์เซ็นต์โดยมวล cu 0.7-0.8 เปอร์เซ็นต์โดย มวล Ni 0.05-0.08 เปอร์เซ็นต์โดยมวล และส่วนที่เหลือเป็น sn ก้อนโลหะบัตกรีนี้มีความต้านทานดี เยี่ยมต่อความล้าทางความร้อน และความต้านทานตีเยึ่ยมต่อการตกกระแทกโดยไม่คำนึงถึงชนิดของ อึเล็กโทรดของแผงวงจรพิมพ์ซึ่งได้รับการยึดเหนี่ยวเข้าด้วยกัน ซึ่งเป็นอิเล็กโทรด Cu หรืออิเล็กโทรด Ni ซึ่งมีการเคลือบ Au หรีอการเคลีอบ Au/Pd ในฐานะเป็นการปฏิบัติต่อพื้นผิว ธาตุอย่างน้อยที่สุด หนึ่งธาตุซึ่งได้รับการเลือกจาก Fe' Co และ Pt ในปริมาณทั้งหมดเท่ากับ 0.003-0.1 เปอร์เซ็นต์โดย มวล หรือธาตุอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิดซึ่งได้รับการเลือกจาก Bi' ln' Sb' P และ Ge นปริมาณทั้งหมด ของ 0.003-0.1 เปอร์เซ็นต์โดยมวล อาจจะได้รับการเติมลงในสารผสมนี้