TH51366B - ลูกบอลบัดกรีที่ปราศจากตะกั่ว - Google Patents

Abstract

DC60(27/09/56) ลูกบอลบัดกรีจะได้รับการจัดเตรียมที่ซึ่งจะยับยั้งการลอกออกของผิวหน้าร่วมในผิวหน้าร่วม ของการเชื่อมประสานของลูกบอลบัดกรี,ที่ซึ่งจะยับยั้งความบกพร่องขณะหลอมที่ซึ่งจะเกิดขึ้น ระหว่างลูกบอลบัดกรีและเพลสบัดกรีที่ซึ่งมีการเกิดความวิบัติต่ำที่เวลาของการตกหล่นของชิ้นส่วน อิเล็กทรอนิกส์และที่ซึ่งจะสามารถถูกใช้กับNiอิเล็กโทรดเช่นอิเล็กโทรดที่ชุบด้วยAuและCu อิเล็กโทรดที่ถูกเคลือบด้วยพรีฟลักซ์ที่ละลายน้ำได้การประดิษฐ์นี้เป็นลูกบอลบัดกรีที่ปราศจาก ตะกั่วสำหรับอิเล็กโทรดของBGAหรือCSPที่ประกอบรวมด้วยAg0.5ถึง1.1%โดยมวล,Cu0.7 ถึง0.8โดยมวลNi0.05ถึง0.08%โดยมวลและส่วนที่เหลือที่เป็นSnแม้เมื่อแผงวงจรพิมพ์ที่ซึ่งลูก บอลบัดกรีจะได้รับการเชื่อมประสานจะมีCuอิเล็กโทรดหรือNiอิเล็กโทรดที่ถูกชุบด้วยAuหรือNi อิเล็กโทรดที่ถูกชุบด้วยAu/Pd,ลูกบอลบัดกรีจะมีความต้านทานที่ดีต่อแรงกระแทกขณะตกหล่น สารผสมจะมีต่อไปด้วยอย่างน้อยที่สุดหนึ่งธาตุที่ถูกเลือกจากFe,CoและPtในปริมาณทั้งหมดเป็น 0.003ถึง0.1%โดยมวลหรืออย่างน้อยที่สุดหนึ่งธาตุที่เลือกจากBi.In.Sb,PและGeในปริมาณ ทั้งหมดเป็น0.003ถึง0.1%โดยมวล ลูกบอลบัดกรีจะได้รับการจัดเตรียมที่ซึ่งจะยับยั้งการลอกออกของผิวหน้าร่วมในผิวหน้าร่วม ของการเชื่อมประสานของลูกบอลบัดกรี,ที่ซึ่งจะยับยั้งความบกพร่องขณะหลอมที่ซึ่งจะเกิดขึ้น ระหว่างลูกบอลบัดกรีและเพลสลัดกรีที่ซึ่งมีการเกิดความวิบัติต่ำที่เวลาการตกหล่นของชิ้นส่วน อิเล็กทรอนิกส์และที่ซึ่งจะสามารถถูกใช้กับ Ni อิเล็กโทรด เช่น อิเล็กโทรดที่ชุบด้วย Au และ Cu อิเล็กโทรดที่ถูกเคลือบด้วยพรีฟลักซ์ที่ละลายน้ำได้ การประดิษฐ์นี้เป็นลูกบอลบัดกรีที่ปราศจาก ตะกั่วสำหรับอิเล็กโทรดของ BGA หรือ CSP ที่ประกอบรวมด้วย Ag 0.5 ถึง 1.1% โดยมวล,Cu 0.7 ถึง 0.8 โดยมวล Ni 0.05 ถึง 0.08% โดยมวลและส่วนที่เหลือที่เป็น Sn แม้เมื่อแผงวงจรพิมพ์ที่ซึ่งลูก บอลบัดกรีจะได้รับการเชื่อมประสานจะมี Cu อิเล็กโทรดหรือ Ni อิเล็กโทรดที่ถูกชุบด้วย Au หรือ Ni อิเล็กโทรดที่ถูกชุบด้วย Au/Pd, ลูกบอลบัดกรีจะมีความต้านทานที่ดีต่อแรงกระแทกขณะตกหล่น สารผสมจะมีต่อไปด้วยอย่างน้อยที่สุดหนึ่งธาตุที่ถูกเลือกจาก Fe,Co และ Pt ในปริมาณทั้งหมดเป็น 0.003 ถึง 0.1% โดยมวลหรืออย่างน้อยที่สุดหนึ่งธาตุที่เลือกจาก Bi.In.Sb,P และ Ge ในปริมาณ ทั้งหมดเป็น 0.003 ถึง 0.1% โดยมวล

Claims (7)

ข้อถือสิทธฺ์ (ทั้งหมด) ซึ่งจะไม่ปรากฏบนหน้าประกาศโฆษณา :แก้ไข 13/1/2558

1. ลูกบอลบัดกรีที่ปราศจากตะกั่วที่ซึ่งจะถูกนำมาใช้สำหรับอิเล็กโทรดโดยการติดตั้งบนโมดูล ซับสเทรทสำหรับ BGA หรือ CSP และที่ซึ่งมีสารผสมของโลหะบัดกรีที่ประกอบรวมด้วย Ag 0.5 ถึง 1.1% โดยมวล, Cu 0.7 ถึง 0.8% โดยมวล, Ni 0.05 ถึง 0.08% โดยมวลและส่วนที่ เหลือที่เป็น Sn

2. ลูกบอลบัดกรีที่ปราศจากตะกั่วดังเช่นที่กำหนดในข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่งสารผสมของโลหะ บัดกรีประกอบรวมด้วย Ag 0.9 ถึง 1.1% โดยมวล, Cu 0.7 ถึง 0.8% โดยมวล, Ni 0.05 ถึง 0.08% โดยมวลและส่วนที่เหลือที่เป็น Sn

3. ลูกบอลบัดกรีที่ปราศจากตะกั่วดังเช่นที่กำหนดในข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่งสารผสมของโลหะ บัดกรีประกอบรวมด้วย Ag 1.0% โดยมวล, Cu 0.75% โดยมวล, Ni 0.07% โดยมวลและ ส่วนที่เหลือที่เป็น Sn

4. ลูกบอลบัดกรีที่ปราศจากตะกั่วดังเช่นที่กำหนดในข้อถือสิทธิข้อใดข้อหนึ่งของข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 3 ที่ซึ่งลูกบอลบัดกรีจะมีเส้นผ่าศูนย์กลางอย่างน้อยที่สุด 0.1 มิลลิเมตร

5. ลูกบอลบัดกรีที่ปราศจากตะกั่วดังเช่นที่กำหนดในข้อถือสิทธิข้อใดข้อหนึ่งของข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 3 ที่ซึ่งลูกบอลบัดกรีจะมีเส้นผ่าศูนย์กลางอย่างน้อยที่สุด 0.3 มิลลิเมตร

6. ลูกบอลบัดกรีที่ปราศจากตะกั่วดังเช่นที่กำหนดในข้อถือสิทธิข้อใดข้อหนึ่งของข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 3 ที่ซึ่งลูกบอลบัดกรีจะมีเส้นผ่าศูนย์กลางอย่างน้อยที่สุด 0.5 มิลลิเมตร

7. วิธีการสำหรับการเกิดบัมพ์ของโลหะบัดกรีบนโมดูลซับสเทรทที่มีอิเล็กโทรดที่ถูกเลือกจาก Ni/Au อิเล็กโทรดที่ถูกชุบด้วยไฟฟ้า, Ni/Pd/Au อิเล็กโทรดที่ถูกชุบแบบไม่ใช้ไฟฟ้าและ อิเล็กโทรด Cu-OSP ที่ใช้ลูกบอลบัดกรีดังเช่นที่ได้กำหนดในข้อถือสิทธิข้อใดข้อหนึ่งของข้อ ถือสิทธิข้อ 1 ถึงข้อ 6 ---------------------------------------------------------------------------------------------- 1.ลูกบอลบัดกรีที่ปราศจากตะกั่วที่ซึ่งจะถูกนำมาใช้สำหรับอิเล็กโทรดโดยการติดตั้งบนโมดูล ซับสเทรทสำหรับ BGA หรือ CSP และที่ซึ่งมีสารผสมของโลหะบัดกรีที่ประกอบรวมด้วย Ag 0.5 ถึง 1.1% โดยมวล,Cu 0.7 ถึง 0.8% โดยมวล, Ni 0.05 ถึง 0.08% โดยมวลและส่วนที่ เหลือที่เป็น Sn