TH44851A - แผ่นเกาะติดสำหรับเวเฟอร์และกรรมวิธีสำหรับเตรีย?อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำโดยใช้สิ่งดังกล่าว - Google Patents

Abstract

ตามที่เปิดเผยไว้เป็นแผ่นเกาะติดสำหรับเวเฟอร์ที่ประกอบด้วย ฟิล์มซับสเตรทและชั้นเกาะติดที่บ่มได้ด้วยการปล่อยรังสีที่สร้างไว้บนฟิล์มดังกล่าว แผ่นเกาะติดดังกล่าวใช้ในกรรมวิธีสำหรับเตรียมอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำที่ประกอบด้วยขั้นตอนการยึดพื้นผิวด้านหลังของเวเฟอร์ซึ่งพื้นผิวด้านหน้า สร้างเป็นวงจร ลงไปบนชั้นเกาะติดที่บ่มได้ด้วยการปล่อยรังสีการตัดเวเฟอร์ออกเป็นซิป การล้าง การทำแห้ง การแผ่รังสีชั้นเกาะติดด้วยการปล่อยรังสีเพื่อบ่มชั้นเกาะติดดังกล่าว การขยายแผ่นเกาะติด ถ้าหากจำเป็น้องทำให้ซิปแยกออกจากกัน จากนั้นการเก็บซิป การติดตั้งซิปที่เก็บมาแล้วบนกรอบนำการเชื่อมประสานและแบบหล่อโครงสร้างดังกล่าวงในลักษณะที่ว่าให้พื้นผิวด้านหลังของซิปบางส่วนหรือทั้งหมดสัมผัสอยู่กับแบบหล่อเรซินที่เป็นเปลือกหุ้มที่ซึ่งชั้น เกาะติดที่บ่มได้ด้วยการปล่อยรังสีปล่อยด้วย อะไครลิคเกาะติดที่ประกอบด้วอย่างน้อยโคโพลีเมอร์ของอะไครลิค เอสเทอร์และโมโนเมอร์ที่โพลีเมอร์ไรซีได้ที่มีกลุ่ม OH 100 ส่วนโดยน้ำหนัก และสารประกอบที่โพลีเมอไรซ์ได้ด้วยการปล่อยรังสีที่มีพันธะไม่อิ่มตัวสองพันธะหรือมากกว่า 50-200 ส่วนโดยน้ำหนัก และชั้นเกาะติดที่บ่มได้ด้วยการปล่อยรังสีมีสัมประสิทธิ์ยึดหยุ่นไม่น้อยกว่า 1 x 10 ดายน์/ซม. หลังจากบ่มโดยการแผ่รังสีด้วยการปล่อยรังสี

Claims (7)

1. แผ่นเกาะติด (1) สำหรับเวเฟอร์ที่ประกอบด้วยแผ่นฟิล์มฐาน (2) และชั้นเกาะติดที่บ่มได้ด้วยการฉายแสง (3) ที่ทำไว้ด้านบนองแผ่นเกาะติด ที่ซึ่งชั้นเกาะติดที่ที่บ่มได้ด้วยการฉายแสง (3) นั้นประกอบด้วยการอะครีลิกจนำนวน 100 ส่วน โดยน้ำหนักที่ประกอบด้วยโคโพลีเมอร์ของอะครีลิกเอสเตอร์และโมโนเมอร์ที่ผ่านกระบวนการทำให้โพลีเมอร์ได้ และสารประกอบ่ที่ผ่านกระบวนการทำโพลีเมอร์ได้ฉายแสงจำนวน 50-20 ส่วน โดยน้ำหนักที่มีพันธะไม่อิ่มตัวสองพันธะหรือมากกว่านั้น โดยแผ่นเกาะติดดังกล่าวมีลักษณะพิเศษคือโมโนเมอร์ที่ผ่านกระบวนการทำโพลีเมอร์ได้นั้นเป็นโมโนเมอร์ที่ผ่านกระบวนการทำโพลีเมอร์ได้ที่มีหมู่ OH โดยที่มีหน่วยที่มาจากโมโนเมอร์ที่ผ่านการกระบวนการทำโพลีเมอร์ได้ที่มีหมู่ OH ในกาวอะครลิกนั้นมีอยู่ในปริมาณ 8 ถึง 30 % โดยโมล และแผ่นเกาะติดดังกล่าวมีลักษณะพิเศษคือชั้นเกาะจิดที่บ่มได้ด้วยการฉายแสง (3) นั้นมีโมดูลัสยืดหยุ่นไม่น้อยกว่า 1x 10 8 pa(1x10 9dyn/ซม 2) หลังจากที่บ่มได้ด้วยการฉายรังสี

2. แผ่นเกาะติด (1) สำหรับเวเฟอร์ตามข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่งสารประกอบที่ผ่านกระบวนการทำโพลีเมอร์ได้จำนวน 20 ถึง 80% โดยน้ำหนักที่มีพันธะไม่อิ่มตัวสองพันธะหรือมากกว่านั้นเป็นสารประกอบที่มีพันธะไม่อิ่มตัวสี่พันธะหรือมากกว่านั้น

3.แผ่นเกาะติด (1) สำหรับเวเฟอร์ตามข้อถือสิทธิ 1 หรือ 2 ที่ซึ่งโมโนเมอร์ที่ผ่านกระบวนการทำให้โพลีเมอร์ได้ที่มีอยู่ OH ในกาวอะคริลิกนั้นมีอยู่ในปริมาณ 20 ถึง 30 % โดยโมล

4. กระบวนการสำหรับเตรียมอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำที่ใช้แผ่นเกาะติด (1) ตามข้อถือสิทธิ 1 โดยกระบวนการดังกล่าวประกอบด้วยขั้นตอนต่าง ๆ ดังนี้ การติดพื้นที่ผิวด้านหลังของแผงเวเฟอร์ (A) ลงบนชั้นเกาะติดที่บ่มได้ด้วยแสง (3) โดยที่พื้นผิวด้านหน้าของแผงเวเฟอร์ดังกล่าวถูกสร้างเป็นแผงวงจร การตัดแผงเวเฟอร์ (A) ออกเป็นแผ่นชิป (A1,A2,A3...) การฉายแสงชั้นเกาะติดที่บ่มได้ด้วยการฉายแสงรังสี (B) เพื่อบ่มชั้นเกาะติดดังกล่าว (3) จากนั้นหยิบแผ่นชิป (A1,A2,A3...) ขึ้น ติดแผ่นชิปดังกล่าวลงบนโครงตะกั่ว ยึดและขึ้นรูปเพื่อให้ได้โครงสร้างที่พื้นผิวด้านหลังของแผ่นชิปสัมผัสกับเรซินขึ้นภาชนะบรรจุทั้งหมดหรือบางส่วน

5.กระบวนการสำหรับเตรียมอุปกรณ์สารกึ่งตัวตามข้อถือสิทธิ 4 ที่ัยังประกอบด้วยขั้นตอนการยึดแผ่นเกาะติด (1) หลังจากผ่านขั้นตอนการฉายแสงเพื่อทำให้แผ่นชิปแยกออกจากกัน

6. กระบวนการสำหรับเตรียมอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิ 4 หรือ 5 ที่ซึ่งสารประกอบที่่ผ่านกระบวนการทำโพลีเมอร์ได้จำนวน 20 ถึง 80 % โดยน้ำหนักที่มีพันธะไม่อิ่มตัวสองพันธะหรือมากกว่านั้นเป็นสารประกอบที่มีพันธะไม่อิ่มตัวสี่พันธะหรือมากกว่านั้น

7. กระบวนการสำหรับเตรียมอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิ 4 ถึง 6 ที่ซึ่งหน่วยที่มาจากในโนเมอร์ที่ผ่านกระบวนการทำให้โพลีเมอร์ได้ที่มีอยู่ OH ในกาวอะคริลิกนั้นมีอยู่ในปริมาณ 20 ถึง 30 % โดยโมล