TH29389B - แผ่นเกาะติดสำหรับเวเฟอร์และกรรมวิธีสำหรับเตรียอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำโดยใช้สิ่งดังกล่าว - Google Patents

แผ่นเกาะติดสำหรับเวเฟอร์และกรรมวิธีสำหรับเตรียอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำโดยใช้สิ่งดังกล่าว

Info

Publication number
TH29389B
TH29389B TH9401000760A TH9401000760A TH29389B TH 29389 B TH29389 B TH 29389B TH 9401000760 A TH9401000760 A TH 9401000760A TH 9401000760 A TH9401000760 A TH 9401000760A TH 29389 B TH29389 B TH 29389B
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
cured
adhesion
bonding
weight
polymerized
Prior art date
Application number
TH9401000760A
Other languages
English (en)
Other versions
TH44851A (th
Inventor
อิเบ คาชูโยชิ
อะมากาอิ มาซาซูมิ
เซโน่ ฮิเดโอะ
Original Assignee
นายเดชอุดม ไกรฤทธิ์
Filing date
Publication date
Application filed by นายเดชอุดม ไกรฤทธิ์ filed Critical นายเดชอุดม ไกรฤทธิ์
Publication of TH44851A publication Critical patent/TH44851A/th
Publication of TH29389B publication Critical patent/TH29389B/th

Links

Abstract

ตามที่เปิดเผยไว้เป็นแผ่นเกาะติดสำหรับเวเฟอร์ที่ประกอบด้วย ฟิล์มซับสเตรทและชั้นเกาะติดที่บ่มได้ด้วยการปล่อยรังสีที่สร้างไว้บนฟิล์มดังกล่าว แผ่นเกาะติดดังกล่าวใช้ในกรรมวิธีสำหรับเตรียมอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำที่ประกอบด้วยขั้นตอนการยึดพื้นผิวด้านหลังของเวเฟอร์ซึ่งพื้นผิวด้านหน้า สร้างเป็นวงจร ลงไปบนชั้นเกาะติดที่บ่มได้ด้วยการปล่อยรังสีการตัดเวเฟอร์ออกเป็นซิป การล้าง การทำแห้ง การแผ่รังสีชั้นเกาะติดด้วยการปล่อยรังสีเพื่อบ่มชั้นเกาะติดดังกล่าว การขยายแผ่นเกาะติด ถ้าหากจำเป็น้องทำให้ซิปแยกออกจากกัน จากนั้นการเก็บซิป การติดตั้งซิปที่เก็บมาแล้วบนกรอบนำการเชื่อมประสานและแบบหล่อโครงสร้างดังกล่าวงในลักษณะที่ว่าให้พื้นผิวด้านหลังของซิปบางส่วนหรือทั้งหมดสัมผัสอยู่กับแบบหล่อเรซินที่เป็นเปลือกหุ้มที่ซึ่งชั้น เกาะติดที่บ่มได้ด้วยการปล่อยรังสีปล่อยด้วย อะไครลิคเกาะติดที่ประกอบด้วอย่างน้อยโคโพลีเมอร์ของอะไครลิค เอสเทอร์และโมโนเมอร์ที่โพลีเมอร์ไรซีได้ที่มีกลุ่ม OH 100 ส่วนโดยน้ำหนัก และสารประกอบที่โพลีเมอไรซ์ได้ด้วยการปล่อยรังสีที่มีพันธะไม่อิ่มตัวสองพันธะหรือมากกว่า 50-200 ส่วนโดยน้ำหนัก และชั้นเกาะติดที่บ่มได้ด้วยการปล่อยรังสีมีสัมประสิทธิ์ยึดหยุ่นไม่น้อยกว่า 1 x 10 ดายน์/ซม. หลังจากบ่มโดยการแผ่รังสีด้วยการปล่อยรังสี

Claims (7)

1. แผ่นเกาะติด (1) สำหรับเวเฟอร์ที่ประกอบด้วยแผ่นฟิล์มฐาน (2) และชั้นเกาะติดที่บ่มได้ด้วยการฉายแสง (3) ที่ทำไว้ด้านบนองแผ่นเกาะติด ที่ซึ่งชั้นเกาะติดที่ที่บ่มได้ด้วยการฉายแสง (3) นั้นประกอบด้วยการอะครีลิกจนำนวน 100 ส่วน โดยน้ำหนักที่ประกอบด้วยโคโพลีเมอร์ของอะครีลิกเอสเตอร์และโมโนเมอร์ที่ผ่านกระบวนการทำให้โพลีเมอร์ได้ และสารประกอบ่ที่ผ่านกระบวนการทำโพลีเมอร์ได้ฉายแสงจำนวน 50-20 ส่วน โดยน้ำหนักที่มีพันธะไม่อิ่มตัวสองพันธะหรือมากกว่านั้น โดยแผ่นเกาะติดดังกล่าวมีลักษณะพิเศษคือโมโนเมอร์ที่ผ่านกระบวนการทำโพลีเมอร์ได้นั้นเป็นโมโนเมอร์ที่ผ่านกระบวนการทำโพลีเมอร์ได้ที่มีหมู่ OH โดยที่มีหน่วยที่มาจากโมโนเมอร์ที่ผ่านการกระบวนการทำโพลีเมอร์ได้ที่มีหมู่ OH ในกาวอะครลิกนั้นมีอยู่ในปริมาณ 8 ถึง 30 % โดยโมล และแผ่นเกาะติดดังกล่าวมีลักษณะพิเศษคือชั้นเกาะจิดที่บ่มได้ด้วยการฉายแสง (3) นั้นมีโมดูลัสยืดหยุ่นไม่น้อยกว่า 1x 10 8 pa(1x10 9dyn/ซม 2) หลังจากที่บ่มได้ด้วยการฉายรังสี
2. แผ่นเกาะติด (1) สำหรับเวเฟอร์ตามข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่งสารประกอบที่ผ่านกระบวนการทำโพลีเมอร์ได้จำนวน 20 ถึง 80% โดยน้ำหนักที่มีพันธะไม่อิ่มตัวสองพันธะหรือมากกว่านั้นเป็นสารประกอบที่มีพันธะไม่อิ่มตัวสี่พันธะหรือมากกว่านั้น
3.แผ่นเกาะติด (1) สำหรับเวเฟอร์ตามข้อถือสิทธิ 1 หรือ 2 ที่ซึ่งโมโนเมอร์ที่ผ่านกระบวนการทำให้โพลีเมอร์ได้ที่มีอยู่ OH ในกาวอะคริลิกนั้นมีอยู่ในปริมาณ 20 ถึง 30 % โดยโมล
4. กระบวนการสำหรับเตรียมอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำที่ใช้แผ่นเกาะติด (1) ตามข้อถือสิทธิ 1 โดยกระบวนการดังกล่าวประกอบด้วยขั้นตอนต่าง ๆ ดังนี้ การติดพื้นที่ผิวด้านหลังของแผงเวเฟอร์ (A) ลงบนชั้นเกาะติดที่บ่มได้ด้วยแสง (3) โดยที่พื้นผิวด้านหน้าของแผงเวเฟอร์ดังกล่าวถูกสร้างเป็นแผงวงจร การตัดแผงเวเฟอร์ (A) ออกเป็นแผ่นชิป (A1,A2,A3...) การฉายแสงชั้นเกาะติดที่บ่มได้ด้วยการฉายแสงรังสี (B) เพื่อบ่มชั้นเกาะติดดังกล่าว (3) จากนั้นหยิบแผ่นชิป (A1,A2,A3...) ขึ้น ติดแผ่นชิปดังกล่าวลงบนโครงตะกั่ว ยึดและขึ้นรูปเพื่อให้ได้โครงสร้างที่พื้นผิวด้านหลังของแผ่นชิปสัมผัสกับเรซินขึ้นภาชนะบรรจุทั้งหมดหรือบางส่วน
5.กระบวนการสำหรับเตรียมอุปกรณ์สารกึ่งตัวตามข้อถือสิทธิ 4 ที่ัยังประกอบด้วยขั้นตอนการยึดแผ่นเกาะติด (1) หลังจากผ่านขั้นตอนการฉายแสงเพื่อทำให้แผ่นชิปแยกออกจากกัน
6. กระบวนการสำหรับเตรียมอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิ 4 หรือ 5 ที่ซึ่งสารประกอบที่่ผ่านกระบวนการทำโพลีเมอร์ได้จำนวน 20 ถึง 80 % โดยน้ำหนักที่มีพันธะไม่อิ่มตัวสองพันธะหรือมากกว่านั้นเป็นสารประกอบที่มีพันธะไม่อิ่มตัวสี่พันธะหรือมากกว่านั้น
7. กระบวนการสำหรับเตรียมอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิ 4 ถึง 6 ที่ซึ่งหน่วยที่มาจากในโนเมอร์ที่ผ่านกระบวนการทำให้โพลีเมอร์ได้ที่มีอยู่ OH ในกาวอะคริลิกนั้นมีอยู่ในปริมาณ 20 ถึง 30 % โดยโมล
TH9401000760A 1994-04-21 แผ่นเกาะติดสำหรับเวเฟอร์และกรรมวิธีสำหรับเตรียอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำโดยใช้สิ่งดังกล่าว TH29389B (th)

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TH44851A TH44851A (th) 2001-04-27
TH29389B true TH29389B (th) 2010-12-29

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CA2122278A1 (en) Adhesive sheet for wafer and process for preparing semiconductor apparatus using the same
US5476565A (en) Dicing-die bonding film
TWI517978B (zh) 層合體、及分離方法
JPH0715087B2 (ja) 粘接着テープおよびその使用方法
JPS60223139A (ja) 半導体ウエハ固定用接着薄板
JP2012244115A (ja) バックグラインド−アンダーフィル一体型テープ、及び、半導体チップの実装方法
JP5109239B2 (ja) 粘接着シート、粘接着シートの製造方法及び半導体装置の製造方法
JP4645004B2 (ja) 接着シートならびに半導体装置およびその製造方法
TH29389B (th) แผ่นเกาะติดสำหรับเวเฟอร์และกรรมวิธีสำหรับเตรียอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำโดยใช้สิ่งดังกล่าว
TH44851A (th) แผ่นเกาะติดสำหรับเวเฟอร์และกรรมวิธีสำหรับเตรียอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำโดยใช้สิ่งดังกล่าว
JP2011017006A (ja) 接着シートの製造方法
KR20120080385A (ko) 패턴 형성용 접착 필름 조성물, 이를 포함하는 접착 필름 및 이를 이용한 반도체 패키징 방법
JP2011198914A (ja) 半導体用接着剤組成物、半導体用接着シートおよび半導体装置の製造方法
CN1260551A (zh) 非接触性数据载体的制造方法
JP2662033B2 (ja) 放射線硬化性粘着テープ
KR101884058B1 (ko) 감광성 접착필름 및 그 제조 방법
JP6021982B2 (ja) バックグラインド−アンダーフィル一体型テープ、及び、半導体チップの実装方法
JPH04233249A (ja) ウェハ貼着用粘着シート
JP4119430B2 (ja) 紫外線照射架橋による弾性接着剤の流動性制御方法
KR20020078975A (ko) 자외선 조사가교에 의한 탄성접착제의 유동성 제어 방법
JP4578600B2 (ja) 光感応性粘着テープ及びその製造方法
JPH02296350A (ja) 半導体ウェハ加工用シート
TWI834204B (zh) 加工方法
JPH0934130A (ja) レジストの除去方法とこれに用いる接着シ―ト類
TWI817585B (zh) 光固化保護膠帶及加工方法