TH38513A - วิธีการสร้างบริเวณสำหรับเติมโลหะที่มีอุณหภูมิต่ำสำหรับหน้าสัมผัสแบบโอห์ม และสำหรับช่องเปิดที่เป็นทางผ่านระหว่างชั้นโลหะที่เว้นช่วงออกจากกัน และโครงสร้างกึ่งตัวนำที่ถูกสร้างจากวิธีการนั้น - Google Patents
วิธีการสร้างบริเวณสำหรับเติมโลหะที่มีอุณหภูมิต่ำสำหรับหน้าสัมผัสแบบโอห์ม และสำหรับช่องเปิดที่เป็นทางผ่านระหว่างชั้นโลหะที่เว้นช่วงออกจากกัน และโครงสร้างกึ่งตัวนำที่ถูกสร้างจากวิธีการนั้นInfo
- Publication number
- TH38513A TH38513A TH9801004357A TH9801004357A TH38513A TH 38513 A TH38513 A TH 38513A TH 9801004357 A TH9801004357 A TH 9801004357A TH 9801004357 A TH9801004357 A TH 9801004357A TH 38513 A TH38513 A TH 38513A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- ohms
- openings
- contacts
- metal
- aluminum
- Prior art date
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract 4
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims abstract 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 6
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 abstract 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 abstract 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 238000005253 cladding Methods 0.000 abstract 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 abstract 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 abstract 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract 1
Abstract
DC60 (15/12/41) วิธีการพอกสะสมโลหะที่อุณหภูมิค่อนข้างต่ำ จะถูกเปิดเผยสำหรับการเติม โลหะลงไปในช่อง เปิด ที่มีหน้าสัมผัสแบบโอห์มและ/หรือ รูผ่านหรือ ช่องเปิดที่เป็น ทางผ่านอย่างแน่นอนและสมบูรณ์ ระหว่างชั้นสร้างสภาพโลหะที่ถูกเว้นช่วงออก จากกัน ในโครงสร้างกึ่งตัวนำ วิธีการจะรวมเอาขั้นตอนใน กระบวนการไว้หลาย ขั้นตอน โดยรวมไปถึง การ สร้างชั้นติตาเนียมหรือชั้นโลหะ ที่มีติตาเนียมเป็น ส่วน ประกอบหลักที่ช่องเปิดที่มีหน้าสัมผัสแบบโอห์ม และ/หรือรูผ่าน จากนั้นก็เป็นการ สร้างชั้นผลึกเริ่มต้น ของโลหะที่เป็นโลหะที่มีอลูมินั่มเป็นส่วนประกอบ หลัก อาทิเช่น อลูมินั่มซิลิคอนคอปเปอร์ เพื่อเติมช่อง เปิดที่มีหน้าสัมผัสแบบโอห์มเป็นบางส่วน และ/ หรือ รูผ่าน และชั้นปกคลุมโลหะที่เป็นโลหะที่มีอลูมินั่ม เป็นส่วนประกอบหลัก อาทิเช่น อลูมินั่มซิลิคอน คอปเปอร์ เพื่อเติมช่องเปิดที่มีหน้าสัมผัสแบบโอห์ม และ/หรือรูผ่าน อย่างสมบูรณ์ วิธีการพอกสะสมโลหะที่อุณหภูมิค่อนข้างต่ำ จะถูกเปิดเผยสำหรับการเติมโลหะลงไปในช่อง เปิด ที่มีหน้าสัมผัสแบบโอห์ม และ/หรือ รูผ่านหรือ ช่องเปิดที่เป็นทางผ่านอย่างแน่นอนและสมบูรณ์ ระหว่างชั้นสร้างสภาพโลหะที่ถูกเว้นช่วงออกจากกัน ในโครงสร้างกึ่งตัวนำ วิธีการจะรวมเอาขั้นตอนใน กระบวนการไว้หลายขั้นตอน โดยรวมไปถึง การ สร้างชั้นติตาเนียมหรือชั้นโลหะ ที่มีติตาเนียมเป็น ส่วนประกอบหลักที่ช่องเปิดที่มีหน้าสัมผัสแบบโอห์ม และ/หรือรูผ่าน จากนั้นก็เป็นการสร้างชั้นผลึกเริ่มต้น ของโลหะที่เป็นโลหะที่มีอลูมินั่มเป็นส่วนประกอบ หลัก อาทิเช่นอลูมินั่มซิลิคอนคอปเปอร์ เพื่อเติมช่อง เปิดที่มีหน้าสัมผัสแบบโอห์มเป็นบางส่วน และ/หรือ รูผ่าน และชั้นปกคลุมโลหะที่เป็นโลหะที่มีอลูมินั่ม เป็นส่วนประกอบหลัก อาทิเช่น อลูมินั่มซิลิคอน คอปเปอร์ เพื่อเติมช่องเปิดที่มีหน้าสัมผัสแบบโอห์ม และ/หรือรูผ่านอย่างสมบูรณ์
Claims (1)
1. วิธีการเติมโลหะลงไปในช่องเปิด ที่มีหน้าสัมผัสแบบโอห์มที่ถูกกำหนดตำแหน่ง ภายในชั้นคั่นฉนวนที่ถูกสร้างบน สับสเตรตกึ่งตัวนำ ซึ่งประกอบดวย ขั้นตอนดังต่อไปนี้ การสร้างหน้าสัมผัสแบบโอห์มที่ส่วนผิวหน้าที่โผล่ออกมา ของสับสเตรตกิ่งตัวนำดังกล่าว ภายในช่องเปิดในชั้นคั่นฉนวน ดังกล่าว การสร้างชั้นที่ประกอบด้วย โลหะที่มีติตาเนียมเป็นส่วน ประกอบหลักบนหน้าสัมผัสแบบโอห์มที่เป็นโลหะดังกล่าว บนส่วน ด้านข้างของช่องเปิดดังกล่าว และบนผิวหน้าด้านบนของชั้น คั้นฉนวนดังกล่าว การสร้างชั้นผลึกเริ่มต้นที่เป็นโลหะ ที่มีอลแท็ก :
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH38513A true TH38513A (th) | 2000-05-31 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4530152A (en) | Method for encapsulating semiconductor components using temporary substrates | |
| US3456335A (en) | Contacting arrangement for solidstate components | |
| KR940016626A (ko) | 반도체장치 및 그 제조방법 | |
| US10153228B2 (en) | Semiconductor device | |
| KR960026643A (ko) | 반도체장치의 배선 제조방법 | |
| US4023197A (en) | Integrated circuit chip carrier and method for forming the same | |
| JPH0441519B2 (th) | ||
| KR890007386A (ko) | 반도체 장치 및 그 제조방법 | |
| KR930003256A (ko) | 반도체 집적 회로에 금속화 배선층을 형성하는 방법 | |
| TH38513A (th) | วิธีการสร้างบริเวณสำหรับเติมโลหะที่มีอุณหภูมิต่ำสำหรับหน้าสัมผัสแบบโอห์ม และสำหรับช่องเปิดที่เป็นทางผ่านระหว่างชั้นโลหะที่เว้นช่วงออกจากกัน และโครงสร้างกึ่งตัวนำที่ถูกสร้างจากวิธีการนั้น | |
| US7565739B2 (en) | Method of making zinc-aluminum alloy connection | |
| US10129987B2 (en) | Circuit carrier and a method for producing a circuit carrier | |
| KR19990069376A (ko) | 반도체 소자의 배선형성방법 | |
| KR100445409B1 (ko) | 반도체소자의금속배선형성방법 | |
| KR930003841B1 (ko) | 메탈 리큐드의 홀 필링을 이용한 집적회로의 배선 형성방법 | |
| KR19980054455A (ko) | 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법 | |
| KR100457409B1 (ko) | 반도체소자의금속배선형성방법 | |
| JPH0342837A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR930024103A (ko) | 반도체 장치의 제조방법 | |
| KR100546287B1 (ko) | 구리 패드를 갖는 반도체 소자의 제조방법 | |
| KR100315025B1 (ko) | 반도체소자의금속배선형성방법 | |
| JP2007305715A (ja) | 配線基板の製造方法 | |
| KR980005478A (ko) | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 | |
| KR960039284A (ko) | 반도체 소자의 배선 형성방법 | |
| JPH0260138A (ja) | 半導体素子の実装用の基板 |