TH38513A

TH38513A - How to create a low temperature metal filling area for ohms contacts. And for openings that are passages between the spaced metal layers And the semiconductor structure that is built from that method

Info

Publication number: TH38513A
Application number: TH9801004357A
Authority: TH
Inventors: อี. ลันดี้ นายวอลเตอร์; ซี. อิชแมน นายอิริค
Original assignee: นายโรจน์วิทย์ เปเรร่า; นายธเนศ เปเรร่า
Filing date: 1998-11-10
Publication date: 2000-05-31

Abstract

DC60 (15/12/41) วิธีการพอกสะสมโลหะที่อุณหภูมิค่อนข้างต่ำ จะถูกเปิดเผยสำหรับการเติม โลหะลงไปในช่อง เปิด ที่มีหน้าสัมผัสแบบโอห์มและ/หรือ รูผ่านหรือ ช่องเปิดที่เป็น ทางผ่านอย่างแน่นอนและสมบูรณ์ ระหว่างชั้นสร้างสภาพโลหะที่ถูกเว้นช่วงออก จากกัน ในโครงสร้างกึ่งตัวนำ วิธีการจะรวมเอาขั้นตอนใน กระบวนการไว้หลาย ขั้นตอน โดยรวมไปถึง การ สร้างชั้นติตาเนียมหรือชั้นโลหะ ที่มีติตาเนียมเป็น ส่วน ประกอบหลักที่ช่องเปิดที่มีหน้าสัมผัสแบบโอห์ม และ/หรือรูผ่าน จากนั้นก็เป็นการ สร้างชั้นผลึกเริ่มต้น ของโลหะที่เป็นโลหะที่มีอลูมินั่มเป็นส่วนประกอบ หลัก อาทิเช่น อลูมินั่มซิลิคอนคอปเปอร์ เพื่อเติมช่อง เปิดที่มีหน้าสัมผัสแบบโอห์มเป็นบางส่วน และ/ หรือ รูผ่าน และชั้นปกคลุมโลหะที่เป็นโลหะที่มีอลูมินั่ม เป็นส่วนประกอบหลัก อาทิเช่น อลูมินั่มซิลิคอน คอปเปอร์ เพื่อเติมช่องเปิดที่มีหน้าสัมผัสแบบโอห์ม และ/หรือรูผ่าน อย่างสมบูรณ์ วิธีการพอกสะสมโลหะที่อุณหภูมิค่อนข้างต่ำ จะถูกเปิดเผยสำหรับการเติมโลหะลงไปในช่อง เปิด ที่มีหน้าสัมผัสแบบโอห์ม และ/หรือ รูผ่านหรือ ช่องเปิดที่เป็นทางผ่านอย่างแน่นอนและสมบูรณ์ ระหว่างชั้นสร้างสภาพโลหะที่ถูกเว้นช่วงออกจากกัน ในโครงสร้างกึ่งตัวนำ วิธีการจะรวมเอาขั้นตอนใน กระบวนการไว้หลายขั้นตอน โดยรวมไปถึง การ สร้างชั้นติตาเนียมหรือชั้นโลหะ ที่มีติตาเนียมเป็น ส่วนประกอบหลักที่ช่องเปิดที่มีหน้าสัมผัสแบบโอห์ม และ/หรือรูผ่าน จากนั้นก็เป็นการสร้างชั้นผลึกเริ่มต้น ของโลหะที่เป็นโลหะที่มีอลูมินั่มเป็นส่วนประกอบ หลัก อาทิเช่นอลูมินั่มซิลิคอนคอปเปอร์ เพื่อเติมช่อง เปิดที่มีหน้าสัมผัสแบบโอห์มเป็นบางส่วน และ/หรือ รูผ่าน และชั้นปกคลุมโลหะที่เป็นโลหะที่มีอลูมินั่ม เป็นส่วนประกอบหลัก อาทิเช่น อลูมินั่มซิลิคอน คอปเปอร์ เพื่อเติมช่องเปิดที่มีหน้าสัมผัสแบบโอห์ม และ/หรือรูผ่านอย่างสมบูรณ์ DC60 (15/12/41) Deposition method at relatively low temperature. Will be revealed for the filling. Metal into openings with ohms and / or through holes or openings that are The way through is absolutely and completely Between the layers, the metallurgical conditions are spaced apart in the semiconductor structure. The method will include steps in The process is in many steps, including the creation of the titanium or metal layer. With titanium as the main component at openings with ohms contacts And / or through hole Then it is Create the initial crystal layer Of metals that are metals containing aluminum as the main component, such as aluminum, silicon, copper To fill in the channel Opens with partial ohms and / or through-holes and alumina-based metal cladding layers. It is the main component, for example, aluminum, silicon, copper, to fill openings with ohms contacts. And / or completely through holes. Method for deposition of metals at relatively low temperatures. It is revealed for the addition of metal into openings with ohms and / or through holes or pass-through openings absolutely and completely. Between the layers forming a metal that is spaced apart. In semiconductor structures The method will include steps in A multi-step process, including the creation of the titanium or metal layer. With titanium Main components at openings with ohms contacts And / or through hole Then it was the initial crystallization. Of metals that are metals containing aluminum as the main component, such as aluminum, silicon, copper To fill in the channel Opens with partial ohms and / or through-holes and alumina-based metal cladding layers. It is the main component, for example, aluminum, silicon, copper, to fill openings with ohms contacts. And / or through hole completely

Claims

1. How to add metal to the opening? With positional ohms contacts Inside the insulation separator layer that is built on Substrate semi-conductor Which consist of The steps are as follows. Generation of ohms contacts on exposed surface Of such conductors Inside the opening in the insulating separator layer, creating a layer consisting of Metal with titanium Main assembly on the aforementioned metal ohms contacts on the side part of the opening. And on the top surface of the layer Squeeze such insulation. Creating an initial crystalline layer of a metal with a gold tag: