TH38478B - กรรมวิธีและสารผสมสำหรับการกำจัดวัสดุที่มีโซเดียมออกจากซับสเตรตของวงจรขนาดเล็ก - Google Patents
กรรมวิธีและสารผสมสำหรับการกำจัดวัสดุที่มีโซเดียมออกจากซับสเตรตของวงจรขนาดเล็กInfo
- Publication number
- TH38478B TH38478B TH101001021A TH0101001021A TH38478B TH 38478 B TH38478 B TH 38478B TH 101001021 A TH101001021 A TH 101001021A TH 0101001021 A TH0101001021 A TH 0101001021A TH 38478 B TH38478 B TH 38478B
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- mixture
- nitrogen
- mixtures
- weight
- weak acid
- Prior art date
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract 25
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract 7
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract 7
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 title claims abstract 5
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 title claims abstract 5
- 239000011734 sodium Substances 0.000 title claims abstract 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title abstract 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract 18
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims abstract 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract 6
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims abstract 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims 10
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 8
- 230000000269 nucleophilic effect Effects 0.000 claims 8
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 claims 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims 2
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 claims 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 claims 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract 2
Abstract
DC60 กรรมวิธีและสารผสมสำหรับการแยกวัสดุที่มีโซเดียม เช่น วัสดุโฟโตรีซิสท์ (photoresist) ออกจากวัสดุซับสเตรตของวงจรขนาดเล็กโดยใช้กรด 1,2-ไดอะมิโนไซโคลเฮกเซนเตตระคาร์บอก ซิลิกในตัวทำละลายอินทรีย์ กรรมวิธีและสารผสมสำหรับการแยกวัสดุที่มีโซเดียม เช่น วัสดุโฟโตรีซิสท์ (photoresist) ออกจากวัสดุซับสเตรตของวงจรขนาดเล็กโดยใช้กรด 1,2-ไดอะมิโนไซโคลเฮกเซนเตตระคาร์บอก ซิลิกในตัวทำละลายอินทรีย์
Claims (4)
1. สารผสมตามข้อถือสิทธิที่ 10 ซึ่งกรดอ่อนที่ปราศจากไนโตรเจนมี pKa เท่ากับ 2.5 หรือ มากกว่า 1
2. สารผสมตามข้อถือสิทธิที่ 11 ซึ่งกรดอ่อนที่ปราศจากไนโตรเจน คือ 1,2-ไดไฮดรอกซ๊ เบนซิน 1
3. สารผสมตามข้อถือสิทธิที่ 12 ซึ่ง นิวคลีโอฟิลิกเอมีนคือ 2-อะมิโนเอธานอล 1
4. สารผสมตามข้อถือสิทธิที่ 13 ซึ่งระบบตัวทำละลายประกอบรวมด้วย N-เมธิล-2- ไพร์โรลิดิโนน และเตตระไฮโดรไธโอฟิน-1,1-ไดออกไซด์ และอาจเลือกให้มีน้ำอยู่ได้มากถึง 10%
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH53361A TH53361A (th) | 2002-10-07 |
| TH38478B true TH38478B (th) | 2013-12-13 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW200641561A (en) | Compositions and processes for photoresist stripping and residue removal in wafer level packaging | |
| EP0075329B1 (en) | Stripping compositions and method of stripping resists | |
| EP0103808B1 (en) | Stripping compositions and methods of stripping resists | |
| WO2005043250B1 (en) | Process for the use of bis-choline and tris-choline in the cleaning of quartz-coated polysilicon and other materials | |
| US4395479A (en) | Stripping compositions and methods of stripping resists | |
| EP0102629B1 (en) | Stripping compositions and methods of stripping resists | |
| TW200700938A (en) | Composition for removal of residue comprising cationic salts and methods using same | |
| US4165294A (en) | Phenol-free and chlorinated hydrocarbon-free photoresist stripper comprising surfactant and hydrotropic aromatic sulfonic acids | |
| JPS6325657A (ja) | 基板の処理方法 | |
| JP2001501649A (ja) | プラズマエッチング残留物を除去するための非腐食性洗浄組成物 | |
| ATE340243T1 (de) | Zusammensetzung zur entfernung von rückständen bei der halbleiterherstellung auf basis von ethylendiamintetraessigsäure oder ihrem ammoniumsalz sowie verfahren | |
| EP0102628A1 (en) | Stripping compositions and methods of stripping resists | |
| DK1789527T3 (da) | Rensningssammensætninger til mikroelektroniksubstrater | |
| KR101710170B1 (ko) | 포토레지스트용 스트리퍼 폐액의 재생 방법 | |
| KR101586453B1 (ko) | 포토레지스트 제거용 스트리퍼 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트의 박리방법 | |
| US10040741B2 (en) | Method for manufacturing high purity glycol based compound | |
| TH38478B (th) | กรรมวิธีและสารผสมสำหรับการกำจัดวัสดุที่มีโซเดียมออกจากซับสเตรตของวงจรขนาดเล็ก | |
| TH53361A (th) | กรรมวิธีและสารผสมสำหรับการกำจัดวัสดุที่มีโซเดียมออกจากซับสเตรตของวงจรขนาดเล็ก | |
| KR20180103518A (ko) | 포토레지스트 제거용 스트리퍼 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트의 박리방법 | |
| JP4144825B2 (ja) | 使用済レジスト用剥離液の再生方法 | |
| US4762931A (en) | Process for the work-up of the mother liquors from the preparation of benzothiazole compounds | |
| CA2306673A1 (fr) | Compositions pour le decapage de photoresist dans la fabrication de circuits integres | |
| KR100992437B1 (ko) | 레지스트 박리폐액의 정제장치 및 정제방법 | |
| KR102572755B1 (ko) | 포토레지스트 세정액 조성물 | |
| WO2016027986A1 (ko) | 포토레지스트용 스트리퍼 폐액의 재생 방법 |