TH38478B - กรรมวิธีและสารผสมสำหรับการกำจัดวัสดุที่มีโซเดียมออกจากซับสเตรตของวงจรขนาดเล็ก - Google Patents

กรรมวิธีและสารผสมสำหรับการกำจัดวัสดุที่มีโซเดียมออกจากซับสเตรตของวงจรขนาดเล็ก

Info

Publication number
TH38478B
TH38478B TH101001021A TH0101001021A TH38478B TH 38478 B TH38478 B TH 38478B TH 101001021 A TH101001021 A TH 101001021A TH 0101001021 A TH0101001021 A TH 0101001021A TH 38478 B TH38478 B TH 38478B
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
mixture
nitrogen
mixtures
weight
weak acid
Prior art date
Application number
TH101001021A
Other languages
English (en)
Other versions
TH53361A (th
Inventor
ชวาร์ทซ์คอพฟ์ นายจอร์จ
Original Assignee
นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์
นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์
นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์ นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์ นายรุทร นพคุณ
นายรุทร นพคุณ
Filing date
Publication date
Application filed by นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์, นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์, นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์ นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์ นายรุทร นพคุณ, นายรุทร นพคุณ filed Critical นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์
Publication of TH53361A publication Critical patent/TH53361A/th
Publication of TH38478B publication Critical patent/TH38478B/th

Links

Abstract

DC60 กรรมวิธีและสารผสมสำหรับการแยกวัสดุที่มีโซเดียม เช่น วัสดุโฟโตรีซิสท์ (photoresist) ออกจากวัสดุซับสเตรตของวงจรขนาดเล็กโดยใช้กรด 1,2-ไดอะมิโนไซโคลเฮกเซนเตตระคาร์บอก ซิลิกในตัวทำละลายอินทรีย์ กรรมวิธีและสารผสมสำหรับการแยกวัสดุที่มีโซเดียม เช่น วัสดุโฟโตรีซิสท์ (photoresist) ออกจากวัสดุซับสเตรตของวงจรขนาดเล็กโดยใช้กรด 1,2-ไดอะมิโนไซโคลเฮกเซนเตตระคาร์บอก ซิลิกในตัวทำละลายอินทรีย์

Claims (4)

ข้อถือสิทธฺ์ (ทั้งหมด) ซึ่งจะไม่ปรากฏบนหน้าประกาศโฆษณา : 1. กรรมวิธียับยั้งการดูดซับของโซเดียมกับพื้นผิววงจรรวมในระหว่างการกำจัดวัสดุ โฟโตรีซิสท์หรือการทำความสะอาดโลหะภายหลังการกัดด้วยสารผสมที่มีตัวทำละลายอินทรีย์ ซึ่งประกอบรวมด้วยการสัมผัสพื้นผิวนั้นกับสารผสมที่มีตัวทำละลายอินทรีย์ ซึ่งประกอบรวมด้วย: (a) กรด 1,2-ไดอะมิโนไซโคลเฮกเซนเตตระคาร์บอกซิลิก (CYDTA) (b) นิวคลีโอฟิลิกเอมีนมีอยู่ในปริมาณจาก 1 ถึงน้อยกว่า 50% โดยน้ำหนักของสารผสม (c) กรดอ่อนที่ปราศจากไนโตรเจนในปริมาณที่เพียงพอที่จะทำนิวคลีโอฟิลิกเอมีนให้ เป็นกลางบางส่วนที่ทำให้สารผสมนั้นมีค่าแอคเควียสพีเอชค่าหนึ่ง, เมื่อนำมาเจือจางด้วยน้ำ 10 ส่วน จาก 9.6 ถึง 10.9 กรดอ่อนดังกล่าวมีค่า pKa ในสารละลายแอคเควียสเท่ากับ 2.0 หรือมากกว่า และ มีน้ำหนักสมดุลน้อยกว่า 140, และตัวทำละลายนั้นเป็นระบบของตัวทำละลายสำหรับแยกที่มีค่า ตัวแปรการละลายจาก 8 ถึง 15 และมีอยู่ในปริมาณจากประมาณ 50% ถึง 85% โดยน้ำหนักของสารผสม 2. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิที่ 1 ซึ่งประกอบรวมด้วย, บนพื้นฐานของน้ำหนัก, จาก 50% ถึง 85% ของ N-เมธิล-2-ไพร์โรลิดิโนน เป็นตัวทำละลาย, จาก 1 ถึง 20% ของเตตระไฮโดรไธโอฟิน- 1,1-ไดออกไซด์ เป็นตัวทำละลาย, จาก 1 ถึง 20% ของน้ำ, จาก 1 ถึง 50% ของ 2-อะมิโนเอธานอล เป็นนิวคลีโอฟิลิกเอมีน, จาก 0.05% ถึง 25% ของ 1,2-ไดไฮดรอกซิเบนซีนเป็นกรดอ่อนที่ปราศจาก ไนโตรเจน และ 0.01% ถึง 5% ของกรด 1,2-ไดอะมิโนไซโคลเฮกเซนเตตระคาร์บอกซิลิก 3. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิที่ 1 ซึ่งกรดอ่อนที่ปราศจากไนโตรเจนนี้มีอยู่ในสารผสม ในปริมาณจาก 0.05% ถึง 25% โดยน้ำหนักของสารผสมสำหรับแยกดังกล่าว 4. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิที่ 3 ซึ่งกรดอ่อนที่ปราศจากไนโตรเจนนี้มี pKa เท่ากับ 2.5 หรือ สูงกว่านี้ 5. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิที่ 4 ซึ่งกรดอ่อนที่ปราศจากไนโตรเจน คือ 1,2-ไดไฮดรอกซิ เบนซิน 6. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิที่ 5 ซึ่งนิวคลีโอฟิลิกเอมีน คือ 2-อะมิโนเอธานอล 7. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิที่ 6 ซึ่งระบบตัวทำละลายประกอบรวมด้วย N-เมธิล-2- ไพร์โรลิดิโนน และเตตระไฮโดรไธโอฟิน-1,1-ไดออกไซด์ และอาจเลือกให้มีน้ำอยู่ได้มากถึง 10% 8. สารผสมสำหรับการยับยั้งการดูดซับของโซเดียมกับพื้นผิววงจรรวมในระหว่างการกำจัด วัสดุโฟโตรีซิสท์ หรือการทำความสะอาดโลหะภายหลังการกัดด้วยสารผสมที่มีตัวทำละลายอินทรีย์ ซึ่งสารผสมที่มีตัวทำละลายอินทรีย์ดังกล่าวประกอบรวมด้วย: a) กรด 1,2-ไดอะมิโนไซโคลเฮกเซนเตตระคาร์บอกซิลิก (CYDTA) b) นิวคลีโอฟิลิกเอมีนมีอยู่ในปริมาณจาก 1 ถึงน้อยกว่า 50% โดยน้ำหนักของสารผสม (c) กรดอ่อนที่ปราศจากไนโตรเจนในปริมาณที่เพียงพอที่ทำนิวคลีโอฟิลิกเอมีนให้ เป็นกลางบางส่วนที่ทำให้สารผสมมีค่าแอคเควียสพีเอชค่าหนึ่ง, เมื่อนำมาเจือจางด้วยน้ำ 10 ส่วน, จาก 9.6 ถึง 10.9, กรดอ่อนดังกล่าวจะมีค่า pKa ในสารละลายแอคเควียสเท่ากับ 2.0 หรือมากกว่าและ มีน้ำหนักสมดุลน้อยกว่า 140, และตัวทำละลายนั้นเป็นระบบของตัวทำละลายสำหรับแยกที่มีค่า ตัวแปรละลายจาก 8 ถึง 15 และมีอยู่ในปริมาณจาก 50% ถึง 85% โดยน้ำหนักของสารผสม 9. สารผสมตามข้อถือสิทธิที่ 8 ซึ่งประกอบรวมด้วย, บนพื้นฐานของน้ำหนัก, จาก 50% ถึง 85% ของ N-เมธิล-2-ไพร์โรลิดิโนน เป็นตัวทำละลาย, จาก 1 ถึง 20% ของเตตระไฮโดรไธโอฟิน- 1,1-ไดออกไซด์ เป็นตัวทำละลาย, จาก 1 ถึง 20% ของน้ำ, จาก 1 ถึง 50% ของ 2-อะมิโนเอธานอลเป็น นิวคลีโอฟิลิกเอมีน, จาก 0.05% ถึง 25% ของ 1,2-ไดไฮดรอกซิเบนซินเป็นกรดอ่อนที่ปราศจาก ไนโตรเจนและ 0.01% ถึง 5% ของกรด 1,2-ไดอะมิโนไซโคลเฮกเซนเตตระคาร์บอกซิลิก 1 0. สารผสมตามข้อถือสิทธิที่ 8 ซึ่งกรดอ่อนที่ปราศจากไนโตรเจนนี้มีอยู่ในสารผสม ในปริมาณจาก 0.05% ถึง 25% โดยน้ำหนักของสารผสมสำหรับแยกดังกล่าว 1
1. สารผสมตามข้อถือสิทธิที่ 10 ซึ่งกรดอ่อนที่ปราศจากไนโตรเจนมี pKa เท่ากับ 2.5 หรือ มากกว่า 1
2. สารผสมตามข้อถือสิทธิที่ 11 ซึ่งกรดอ่อนที่ปราศจากไนโตรเจน คือ 1,2-ไดไฮดรอกซ๊ เบนซิน 1
3. สารผสมตามข้อถือสิทธิที่ 12 ซึ่ง นิวคลีโอฟิลิกเอมีนคือ 2-อะมิโนเอธานอล 1
4. สารผสมตามข้อถือสิทธิที่ 13 ซึ่งระบบตัวทำละลายประกอบรวมด้วย N-เมธิล-2- ไพร์โรลิดิโนน และเตตระไฮโดรไธโอฟิน-1,1-ไดออกไซด์ และอาจเลือกให้มีน้ำอยู่ได้มากถึง 10%
TH101001021A 2001-03-16 กรรมวิธีและสารผสมสำหรับการกำจัดวัสดุที่มีโซเดียมออกจากซับสเตรตของวงจรขนาดเล็ก TH38478B (th)

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TH53361A TH53361A (th) 2002-10-07
TH38478B true TH38478B (th) 2013-12-13

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW200641561A (en) Compositions and processes for photoresist stripping and residue removal in wafer level packaging
EP0075329B1 (en) Stripping compositions and method of stripping resists
EP0103808B1 (en) Stripping compositions and methods of stripping resists
WO2005043250B1 (en) Process for the use of bis-choline and tris-choline in the cleaning of quartz-coated polysilicon and other materials
US4395479A (en) Stripping compositions and methods of stripping resists
EP0102629B1 (en) Stripping compositions and methods of stripping resists
TW200700938A (en) Composition for removal of residue comprising cationic salts and methods using same
US4165294A (en) Phenol-free and chlorinated hydrocarbon-free photoresist stripper comprising surfactant and hydrotropic aromatic sulfonic acids
JPS6325657A (ja) 基板の処理方法
JP2001501649A (ja) プラズマエッチング残留物を除去するための非腐食性洗浄組成物
ATE340243T1 (de) Zusammensetzung zur entfernung von rückständen bei der halbleiterherstellung auf basis von ethylendiamintetraessigsäure oder ihrem ammoniumsalz sowie verfahren
EP0102628A1 (en) Stripping compositions and methods of stripping resists
DK1789527T3 (da) Rensningssammensætninger til mikroelektroniksubstrater
KR101710170B1 (ko) 포토레지스트용 스트리퍼 폐액의 재생 방법
KR101586453B1 (ko) 포토레지스트 제거용 스트리퍼 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트의 박리방법
US10040741B2 (en) Method for manufacturing high purity glycol based compound
TH38478B (th) กรรมวิธีและสารผสมสำหรับการกำจัดวัสดุที่มีโซเดียมออกจากซับสเตรตของวงจรขนาดเล็ก
TH53361A (th) กรรมวิธีและสารผสมสำหรับการกำจัดวัสดุที่มีโซเดียมออกจากซับสเตรตของวงจรขนาดเล็ก
KR20180103518A (ko) 포토레지스트 제거용 스트리퍼 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트의 박리방법
JP4144825B2 (ja) 使用済レジスト用剥離液の再生方法
US4762931A (en) Process for the work-up of the mother liquors from the preparation of benzothiazole compounds
CA2306673A1 (fr) Compositions pour le decapage de photoresist dans la fabrication de circuits integres
KR100992437B1 (ko) 레지스트 박리폐액의 정제장치 및 정제방법
KR102572755B1 (ko) 포토레지스트 세정액 조성물
WO2016027986A1 (ko) 포토레지스트용 스트리퍼 폐액의 재생 방법