TH31225A - วิธีการในการทำให้เกิดฟิล์มของพอลิคริสตอลไลน์-ซิลิคอนบนแก้วที่ได้รับการปรับปรุงให้ดีขึ้น - Google Patents

Abstract

DC60 (10/06/47) ได้อธิบายถึงวิธีการของการตกผลึกของอันยรูปซิลิคอนบนซับสเตรทที่เป็นแก้ว ซึ่งอาศัย การทำซับสเตรทที่เป็นแก้ว ให้ ร้อนขึ้นสูงกว่าจุดความเครียดของมันอย่างรอบคอบในระหว่าง การดำ เนินกรรมวิธีในการทำแก้วอุณหภูมิต่ำ เช่น แก้วโซดาไลม์ ที่ดีเสิศสำหรับการใช้นี้ เนื่องจากแก้วอ่อน นุ่มสูงกว่า อุณหภูมินี้ในขณะที่ซิลิคอนยังคงยืดหยุ่น แก้วถูกบังคับให้ เป็นไปตามรูปร่างที่กำหนดโดยซิลิ คอนเมื่อเลยอุณหภูมินี้ไป แล้ว กรรมวิธีนี้ผ่อนคลายความเค้นใด ๆ ซึ่งมิฉะนั้นแล้วอาจ เกิดขึ้นในแก้ว หรือฟิล์ม ตราบเท่าที่อุณหภูมิสูงกว่าจุดความ เครียด เมื่อลดอุณหภูมิของแก้วกลับไปที่ต่ำกว่าจุดความ เครียด แก้วจะมีความแข็งเกร็งมากขึ้นตามลำดับ และจะเริ่มเกิด ความ เค้นขึ้นในฟิล์มและแก้ว ถ้าหากทำให้เย็นลงช้า ๆ สามารถควบคุมความเค้นของฟิล์มและ แก้วได้โดยการเลือก สัมประสิทธิ์ของการขยายตัวจากความร้อน ที่เหมาะสมของมันเมื่อเทียบกับของซิลิคอน โดยเฉพาะ อย่างยิ่ง บรรดาที่มีสัมประสิทธิ์การขยายตัวเชิงเส้นในช่วง ของ 4-10 ส่วนต่อล้าน/องศาเซลเซียส. ต่ำกว่า จุดความเครียด ได้อธิบายถึงวิธีการของการตกผลึกของอันยรูปซิลิคอนบนซับสเตรทที่เป็นแก้วซึ่งอาศัยการทำซับสเตรทที่เป็นแก้วให้ ร้อนขึ้นสูงกว่าจุดความเครียดของมันอย่างรอบคอบในระหว่าง การดำเนินกรรมวิธีในการทำแก้วอุณหภูมิต่ำเช่นแก้วโซดาไลม์ ที่ดีเสิศสำหรับการใช้นี้เนื่องจากแก้วอ่อนนุ่มสูงกว่า อุณหภูมินี้ในขณะที่ซิลิคอนยังคงยืดหยุ่นแก้วถูกบังคับให้ เป็นไปตามรูปร่างที่กำหนดโดยซิลิคอนเมื่อเลยอุณหภูมินี้ไป แล้วกรรมวิธีนี้ผ่อนคลายความเค้นใดๆ ซึ่งมิฉะนั้นแล้วอาจ เกิดขึ้นในแก้วหรือฟิล์มตรบเท่าที่อุณหภูมิสูงกว่าจุดความ เครียดเมื่อลดอุณหภูมิของแก้วกลับไปที่ต่ำกว่าจุดความ เครียดแก้วจะมีความแข็งเกร็งมากขึ้นตามลำดับและจะเริ่มเกิด ความ เค้นขึ้นในฟิล์มและแก้ว ถ้าหากทำให้เย็นลงช้าๆ สามารถควบคุมความเค้นของฟิล์มและ แก้วได้โดยการเลือกสัมประสิทธิ์ของการขยายตัวจากความร้อน ที่เหมาะสมของมันเมื่อเทียบกับของซิลิคอนโดยเฉพาะอย่างยิ่ง บรรดาที่มีสัมประสิทธิ์การขยายตัวเชิงเส้นในช่วง ของ4-10ส่วนต่อล้าย/องศาเซลเซียสต่ำกว่าจุดความเครียด

Claims (90)

1.วิธีการทำให้เกิดฟิล์มบางๆของวัสดุผลึกที่รองรับอยู่บนซับสเตรท(substrate)ที่เป็นแก้วโดยการดำเนินกรรมวิธีกับ ฟิล์มอันยรูปสารกึ่งตัวนำที่รองรับโดยซับสเตรทที่เป็นแก้ว เพื่อให้ฟิล์มตกผลึกวิธีการรวมถึงขั้นตอนของ: a)ดำเนินกรรมวิธีกับวัสดุสารกึ่งตัวนำให้เป็นผลึกสารกึ่ง ตัวนำ; b)ในระหว่างหรือต่อจากขั้นตอนการดำเนินกรรมวิธีผ่อนคลาย ความเค้นในฟิล์มโดยการทำอย่างน้อยที่สุดบริเวณของซับสเตรท ที่อยู่ชิดกับผิวระหว่างหน้าระหว่างซับสเตรท์และวัสดุสาร กึ่งตัวนำให้ร้อนขึ้นถึงอุณหภูมิที่หรือสูงกว่าอุณหภูมิจุด ความเครียดของซับสเตรทซึ่งทำให้ร้อนอย่างต่อเนื่องอย่าง น้อยจนกระทั่งบริเวณของซับสเตรทที่อยู่ชิดกับผิวระหว่าง หน้าระหว่างซับสเตรทและวัสดุสารกึ่งตัวนำเริ่มอ่อนนุ่มและ c)ต่อจากขั้นตอนการทำให้ร้อนทำซับสเตรทและวัสดุสารกึ่งตัว นำให้เย็นลงถึงอุณหภูมิต่ำกว่าจุดความเครียดของซับสเตรท

2.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่งขั้นตอน การดำเนินกรรมวิธีกับฟิล์มวัสดุอันยรูปสารกึ่งตัวนำรวมถึง การทำให้ฟิล์มร้อนขึ้นถึงอุณหภูมิซึ่งจะเกิดการตกผลึกในเฟส ของแข็งในระหว่างระยะเวลาที่มันถูกทำให้ร้อนขึ้นถึง อุณหภูมินี้

3.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่งดัดแปลง ผิวรองรับสารกึ่งตัวนำโดยการเพิ่มเติมฟิล์มระหว่างกลางบน ผิวก่อนที่จะสะสมฟิล์มสารกึ่งตัวนำซึ่งฟิล์มระหว่างกลางจะ แยกฟิล์มสารกึ่งตัวนำออกจากซับสเตรทที่เป็นแก้ว

4.วิธีการของข้อถือสิทธิ 3 ที่ซึ่งฟิล์มระหว่างกลางมีความ หน้าเท่ากับ 0.0-10 ไมโครเมตร

5.วิธีการของข้อถือสิทธิ 4 ที่ซึ่งฟิล์มระหว่างกลางทำหน้า ที่เป็นตัวกั้นสารเคมี

6.วิธีการของข้อถือสิทธิ 5 ที่ซึ่งฟิล์มระหว่างกลางทำหน้า ที่เป็นขั้นตอนต่อต้านการสะท้อนแสง

7.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่งดัดแปลง ผิวของผิวรองรับซับสเตรทโดยการเติมหรือขจัดชนิดที่เลือก

8.วิธีการของข้อถือสิทธิ 6 ที่ซึ่งดัดแปลงผิวรองรับสาร กึ่งตัวนำโดยการฉายรังสีพลังงานสูง

9.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่งดัดแปลง ผิวของซับสเตรทที่รองรับฟิล์มสารกึ่งตัวนำเพื่อทำให้มัน เป็นของไหลมากขึ้นที่อุณหภูมิต่ำ

10.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่ง ซับสเตรทเป็นแก้วที่อุณหภูมิจุดความเครียดต่ำกว่าอุณหภูมิ ซึ่งการดำเนินการรวมวิธีที่เกิดขึ้นเพื่อทำให้เกิดการตก ผลึกของวัสดุสารกึ่งตัวนำ

11.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่งใน ระหว่างหรือหลังขั้นตอนการตกผลึกทำซับสเตรทให้ร้อนขึ้นถึง อุณหภูมิที่มันจะมีรูปร่างเปลี่ยนไปภายใต้แรงโน้มถ่วงโลก จากรูปร่างแบนราบภายในระยะเวลาการดำเนินกรรมวิธีที่กำหนด ไว้ล่วงหน้าเพื่อพลิกกลับการโก่งงอที่ทำให้เกิดขึ้นโดยความ แตกต่างของความต้านระหว่างซับสเตรทและฟิล์มสารกึ่งตัวนำ

12.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่งใน ระหว่างหรือหลังขั้นตอนการตกผลึกทำซับสเตรทให้ร้อนขึ้นถึง อุณหภูมิซึ่งมันจะมีรูปร่างเปลี่ยนไปภายใต้แรงโน้มถ่วงโลก จากรูปที่เป็นรูปร่างภายในระยะเวลาการดำเนินกรรมวิธีที่ กำหนดไว้ล่วงหน้าเพื่อพลิกกลับการโก่งงอที่ทำให้เกิดขึ้น โดยความแตกต่างของความเค้นระหว่างซับสเตรทและฟิล์มสารกึ่ง ตัวนำและเพื่อให้เป็นซับเสตรทที่มีรูปร่างที่กำหนดโดยการ ใช้ขั้นสุดท้ายของอุปกรณ์ที่ทำให้เกิดขึ้นจากชั้นสารกึ่ง ตัวนำ

13.วิธีการของข้อถือสิทธิ 12 ที่ซึ่งทำซับสเตรทให้ร้อน ขึ้นถึงอุณหภูมิสูงสุดระหว่างจุดความเครียดและจุดทำงานของ ซับสเตรท

14.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 12 ที่ซึ่งทำ ซับสเตรทให้ร้อนขึ้นถึงอุณหภูมิสูงสุดซึ่งอยู่ในระหว่างจุด ความเครียดและอุณหภูมิตกท้องช้าง(sagging)ของซับสเตรท

15.วิธีการของข้อถือสิทธิ 14 ที่ซึ่งยึดซับสเตรทไว้ที่มุม ของมนอย่างน้อยที่สุดในขณะที่ทำให้ร้อนขึ้นสูงกว่าจุดความ เครียดและในระหว่างขั้นตอนของการทำให้เย็นลงต่อจากนั้น

16.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 14 ที่ซึ่ง ซับสเตรทเป็นแก้วอุณหภูมิต่ำ

17.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 16 ที่ซึ่ง ซับสเตรทหนา1-10มม.

18.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 17 ที่ซึ่ง ซับสเตรทหนา1-5มม.

19.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 18 ที่ซึ่งทำ ฟิล์มที่รองรับฟิล์มสารกึ่งตัวนำไว้ให้เย็นลงจากอุณหภูมิ สูงสุดลงไปถึงต่ำกว่าจุดความเครียดที่อัตรามากกว่าอัตราสูง สุดซึ่งอาจเกิดการทำให้เย็นลงแบบไอโซเธอร์มอล

20.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 19 ที่ซึ่งอัตรา การทำให้เย็นลงจากอุณหภูมิสูงสุดลงไปถึงต่ำกว่าจุดความ เครียดอยู่ในช่วงของ0.1องศาเซลเซียส/วินาทีถึง10องศา เซลเซียส/วินาที

21.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 20 ที่ซึ่งอัตรา การทำให้เย็นลงจากอุณหภูมิสูงสุดลงไปถึงต่ำกว่าจุดความ เครียดอยู่ในช่วงของ0.5องศาเซลเซียสถึง10องศา เซลเซียส/วินาที

22.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 20 ที่ซึ่งอัตรา การทำให้เย็นลงจากอุณหภูมิสูงสุดลงไปถึงต่ำกว่าจุดความ เครียดอยู่ในช่วงของ 4 องศาเซลเซียส/วินาที

23.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่งฟิล์ม สารกึ่งตัวนำเป็นฟิล์มของวัสดุที่เลือกจากซิลิคอนหรือโลหะ ผสมของซิลิคอนที่มีการเจือปนหรือไม่มีการเจือปน(undoped)

24.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่งทำให้ เกิดฟิล์มของซิลิคอนเป็นชั้นซิลิคอนที่มีการเจือปนต่างกัน จำนวนหนึ่งเป็นหัวต่อกลับกระแส(rectifying)อันหนึ่งหรือมาก กว่าที่จัดไว้เป็นอุปกรณ์แรงดันพลังแสง(photovoltaic)หรือ เซลล์แสงอาทิตย์

25.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 24 ที่ซึ่งาขอบ เขตด้านต่ำของความหน้าของฟิล์มสารกึ่งตัวนำคือ0.1ไมโครเมตร

26.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 24 ที่ซึ่งาขอบ เขตด้านต่ำของความหน้าของฟิล์มสารกึ่งตัวนำคือ1.0ไมโครเมตร

27.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 24 ที่ซึ่งาขอบ เขตด้านต่ำของความหน้าของฟิล์มสารกึ่งตัวนำคือ 3 ไมโครเมตร

28.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 24 ที่ซึ่งาขอบ เขตด้านต่ำของความหน้าของฟิล์มสารกึ่งตัวนำคือ 100 ไมโคร เมตร

29.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 24 ที่ซึ่งาขอบ เขตด้านต่ำของความหน้าของฟิล์มสารกึ่งตัวนำคือ 15 ไมโคร เมตร

30.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 24 ที่ซึ่งจุด ความเครียดของซับสเตรทต่ำกว่าหรือไม่สูงกว่าอุณหภูมิในการ ตกผลึกของซิลิคอนฟิล์มอย่างมีนัยสำคัญ

31.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 24 ที่ซึ่ง ซับสเตรทมีจุดความเครียดที่หรือต่ำกว่า 520 องศาเซลเซียส

32.วิธีการของข้อถือสิทธิ 31 ที่ซึ่งซับสเตรทมีจุดในการ แอนนิล(annealing)เท่ากับ550องศาเซลเซียศ

33.วิธีการของข้อถือสิทธิ 31 ที่ซึ่งซับสเตรทมี สัมประสิทธิ์อุณหภูมิเท่ากับ4-10ส่วนต่อล้าน/องศาเซลเซียส

34.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 24 ที่ซึ่ง ซับสเตรทเป็นแก้วโซดาไลม์ที่มีสารผสมของSiO270-75% โดยน้ำ หนัก, Na2O10-20%และFe1O3น้อยกว่า0.2%โดยน้ำหนัก

35.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 34 ที่ซึ่งสารผสม มีFe2O3น้อยกว่า0.1%โดยน้ำหนัก

36.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่ง ซับสเตรทเป็นแก้วอุณหภูมิต่ำ

37.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 36 ที่ซึ่ง ซับสเตรทเป็นแก้วโซดาไลม์

38.วิธีการของข้อถือสิทธิ 37 ที่ซึ่งทำซับสเตรทให้ร้อน ขึ้นถึงอุณหภูมิสูงสุดเท่ากับ650องศาเซลเซียส

39.วิธีการของข้อถือสิทธิ 11 ที่ซึ่งทำซับเสตรทให้ร้อน ขึ้นถึงอุณหภูมิสูงสุดระหว่างจุดความเครียดและจุดทำงานของ ซับสเตรท

40.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 16 ที่ซึ่งทำผิว ที่รองรับฟิล์มสารกึ่งตัวนำให้เย็นลงจากอุณหภูมิสูงสุดลงไป ถึงต่ำกว่าจุดความเครียดที่อัตราสูกว่าอัตราสูงสุดซึ่งอาจ เกิดการเย็นลงแบบไอโซเธอร์มอล

41.วิธีการของข้อถือสิทธิ 16 ที่ซึ่งซับสเตรทเป็นแก้ว โซดาไลม์

42.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 41 ที่ซึ่งทำ ซับสเตรทให้ร้อนขึ้นถึงอุณหภูมิสูงสุเท่ากับ620องศา เซลเซียส

43.วิธีการของข้อถือสิทธิ 42, ที่ซึ่งซับสเตรทหนา2-4มม.

44.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่ง ซับสเตรทนั้นคือ แก้วโซดาไลม์ที่มีสารผสมของSiO270-75% โดยน้ำหนัก, Na2O10-20%โดยน้ำหนัก, CaO3-15% โดยน้ำหนักและ Fe2O3น้อยกว่า 0.1% โดยน้ำหนักและทำให้เกิดฟิล์มของชั้น ซิลิคอนหรือดลหะผสมของวิลิคอนที่มีการเจือปนต่างกันจำนว หนึ่งเป็นหัวต่อกระแสอันหนึ่งหรือมากกว่าที่จะไว้เป็น อุปกรณ์แรงดันพลังแสงหรือเซลล์แสงอาทิตย์ซึ่งซับสเตรทนั้น มีความหนาอยู่ในช่วงความหนา2-4มม. และฟิล์มนั้นมีความหนา อยู่ในช่วงความหนา 1.0-15ไมโครเมตร ขั้นตอนของการผ่อนคลายความเค้นรวมถึงการทำอย่างน้อยที่สุด บริเวณหนึ่งของซับสเตรทที่อยู่ชิดกับผิวระหว่างหน้าระหว่าง ซับสเตรทและวัสดุสารกึ่งตัวนำให้ร้อนขึ้นถึงอุณหภูมิสูงสุด ที่620องศาเซลเซียสเพื่อที่จะผ่อนคลายความเค้นในฟิล์มอย่าง มีนัยสำคัญและ ขั้นตอนการทำให้เย็นจะรวมถึงการทำซับสเตรทและวัสดุสารกึ่ง ตัวนำให้เย็นลงถึงอุณหภูมิต่ำกว่าจุดความเครียดของซับสเตรท ที่อัตราอยู่ในราว4องศาเซลเซียส/วินาที

45.วิธีการทำให้เกิดฟิล์มบางๆของวัสดุผลึกสารกึ่งตัวนำลง บนซับสเตรทที่เป็นแก้วโดยตรงหรือบนชั้นระหว่างกลางรองรับ อยู่โดยซับสเตรทที่เป็นแก้วถึงขั้นตอนของ: a)การทำซับสเตรทที่เป็นแก้วให้ร้อนขึ้นถึงอุณหภูมิซึ่อาจ เกิดการสะสมของวัสดุผลึกสารกึ่งตัวนำ b)สะสมฟิล์มของวัสดุผลึกสารกึ่งตัวนำบนซับสเตรทที่เป็น แก้ว c)ในระหว่างหรือต่อจากขั้นตอนการสะสมดังกล่าวผ่อนคลายความ เค้นในฟิล์มโดยการทำอย่างน้อยที่สุดบริเวณของซับเสตรทที่อ ยูชิดกับผิวระหว่างหน้าระหว่างซับสเตรทและวัสดุสารกึ่งตัว นำให้ร้อนขึ้นถึงอุณหภูมิที่หรือสูงกว่าอุณหภูมิจุดความ เครียดของซับสเตรทซึ่งทำให้ร้อนต่อเนื่องอย่างน้อยจน กระทั่งบริวเณของซับสเตรทที่อยู่ชิดกับผิวระหว่างหน้า ระหว่างซับสเตรทและวัสดุสารกึ่งตัวนำเริ่มอ่อนนุ่มและ d)ต่อจากขั้นตอนการทำให้ร้อนขึ้นทำซับสเตรทและวัสดุสาร กึ่งตัวนำให้เย็นลงถึงอุณหภูมิต่ำกว่าจุดความเครียดของ ซับสเตรท

46.วิธีการของข้อถือสิทธิ45 ที่ซึ่ง ซับสเตรทนั้นคือ แก้วโซดาไลม์ที่มีสารผสมของSiO270-75% โดยน้ำหนัก, Na2O10-20%โดยน้ำหนัก, CaO3-15% โดยน้ำหนักและ Fe2O3น้อยกว่า 0.1% โดยน้ำหนักและทำให้เกิดฟิล์มของชั้น ซิลิคอนหรือดลหะผสมของวิลิคอนที่มีการเจือปนต่างกันจำนว หนึ่งเป็นหัวต่อกระแสอันหนึ่งหรือมากกว่าที่จะไว้เป็น อุปกรณ์แรงดันพลังแสงหรือเซลล์แสงอาทิตย์ซึ่งซับสเตรทนั้น มีความหนาอยู่ในช่วงความหนา2-4มม. และฟิล์มนั้นมีความหนา อยู่ในช่วงความหนา 1.0-15ไมโครเมตร ขั้นตอนของการผ่อนคลายเค้นรวมถึงการทำอย่างน้อยที่สุด บริเวณหนึ่งของซับสเตรทที่อยู่ชิดกับผิวระหว่างหน้าระหว่าง ซับสเตรทและวัสดุสารกึ่งตัวนำให้ร้อนขึ้นถึงอุณหภูมิสูงสุด ที่620องศาเซลเซียสและ ขั้นตอนของการทำให้เย็นจะรวมถึงการทำซับสเตรทและวัสดุสาร กึ่งตัวนำให้เย็นลงถึงอุณหภูมิต่ำกว่าจุดความเครียดของ ซับสเตรทที่อัตราอยู่ในราว4องศาเซลเซียส/วินาที

47.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 45 ที่ซึ่งดัด แปลงผิวรองรับสารกึ่งตัวนำโดยการเพิ่มเติมฟิล์มระหว่างกลาง บนผิวของซับสเตรทก่อนที่จะสะสมฟิล์มสารกึ่งตัวนำซึ่งฟิล์ม ระหว่างกลางจะแยกฟิล์มสารกึ่งตัวนำออกจากซับสเตรทที่เป็น แก้ว

48.วิธีการของข้อถือสิทธิ 47 ที่ซึ่งฟิล์มระหว่างกลางมี ความหนาเท่ากับ0.1-10ไมโครเมตร

49.วิธีการของข้อถือสิทธิ 48 ที่ซึ่งฟิล์มระหว่างกลางทำ หน้าที่เป็นตัวกั้นสารเคมี

50.วิธีการของข้อถือสิทธิ 49 ที่ซึ่งฟิล์มระหว่างกลางทำ หน้าที่เป็นชั้นต่อต้านการสะท้อนแสง

51.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 45 ที่ซึ่งดัด แปลงผิวของผิวรองรับสารกึ่งตัวนำของซับสเตรทโดยการเติมหรือ ขจัดชนิดที่เลือก

52.วิธีการของข้อถือสิทธิ 45 ที่ซึ่งดัดแปลงผิวรองรับสาร กึ่งตัวนำโดยการฉายรังสีพลังงานสูง

53.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 45 ที่ซึ่งดัด แปลงผิวรองรับสารกึ่งตัวนำของซับสเตรทเพื่อทำให้มันเป็นของ ไหลมากขึ้นที่อุณหภูมิต่ำ

54.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 45 ที่ซึ่ง ซับสเตรทเป็นแก้วที่มีอุณหภูมิจุดความเครียดต่ำกว่าที่ อุณหภูมิซึ่งการดำเนินกรรมวิธีที่เกิดขึ้นเพื่อทำให้เกิด การตกผลึกของวัสดุสารกึ่งตัวนำ

55.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 45 ที่ซึ่ง ซับสเตรทเป็นแก้วอุณหภูมิต่ำ

56.วิธีการของข้อถือสิทธิ 55 ที่ซึ่งซับสเตรทเป็นแก้ว อุณหภูมิต่ำ

57.วิธีการของข้อถือสิทธิ 56 ที่ซึ่งทำซับสเตรทให้ร้อน ขึ้นถึงอุณหภูมิสูงสุดเท่ากับ650องศาเซลเซียส

58.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 45 ที่ซึ่งใน ระหว่างหรือหลังจากขั้นตอนการตกผลึกทำซับสเตรทให้ร้อนขึ้น ถึงอุณหภูมิซึ่งมันจะมีรูปร่างเปลี่ยนไปภายใต้แรงโน้มถ่วง โลกจากรูปร่างแบนราบภายในระยะเวลาการดำเนินกรรมวิธีที่ กำหนดไว้ล่วงหน้าเพื่อพลิกกลับการโก่งงอที่ทำให้เกิดขึ้น โดยความแตกต่างของความเค้นระหว่างซับสเตรทและฟิล์มสารกึ่ง ตัวนำ

59.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 58 ที่ซึ่งทำ ซับสเตรทให้ร้อนขึ้นถึงอุณหภูมิสูงสุดระหว่างจุดความเครียด และจุดทำงานของซับสเตรท

60.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 45 ที่ซึ่งใน ระหว่างหรือหลังจากขั้นตอนการตกผลึกทำให้ซับสเตรทให้ร้อน ขึ้นถึงอุณหภูมิซึ่งมันจะมีรูปร่างเปลี่ยนไปภายใต้แรงโน้ม ถ่วงโลกจากรูปที่เป็นรูปร่างภายในระยะเวลาการดำนินกรรมวิธี ที่กำหนดไว้ล่วงหน้าเพื่อพลิกกลับการโก่งงอที่ทำให้เกิด ขึ้นโดยความแตกต่างของความเค้นระหว่างซับสเตรทและฟิล์มสาร กึ่งตัวนำเพื่อให้เป็นซับสเตรทที่มีรูปร่างที่กำหนดไว้โดย การใช้ขั้นตอนสุดท้ายของอุปกรณ์ที่ทำให้เกิดขึ้นจากสารกึ่ง ตัวนำ

61.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 60 ที่ซึ่งทำ ซับสเตรทให้ร้อนขึ้นถึงอุณหภูมิสูงสุดระหว่างจุดความเครียด และจุดทำงานของซับสเตรท

62.วิธีการของข้อถือสิทธิ 60 ที่ซึ่งทำซับสเตรทให้ร้อน ขึ้นถึงอุณหภูมิสูงสุดซึ่งอยู่ในระหว่างจุดความเครียดและ อุณหภูมิตกท้องช้างของซับสเตรท

63.วิธีการของข้อถือสิทธิ 60 ที่ซึ่งทำซับสเตรทให้ร้อน ขึ้นถึงอุณหภูมิสูงสุดซึ่งอยู่ในระหว่างจุดความเครียดและ อุณหภูมิตกช้องช้างของซับสเตรท

64.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 62 ที่ซึ่ง ซับสเตรทเป็นแก้วอุณหภูมิต่ำ

65.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 64 ที่ซึ่งทำผิว ที่รองรับฟิล์มสารกึ่งตัวนำไว้ให้เย็นลงจากอุณหภูมิสูงสุด ลงไปถึงต่ำกว่าจุดความเครียดที่อัตรามากกาว่าอัตราสูงสุด ซึ่งอาจเกิดการทำให้เย็นลงแบบไอโซเธอร์มอล

66.วิธีการของข้อถือสิทธิ 64 ที่ซึ่งซับสเตรทมีความหนา เท่ากับ 1-10มม.

67.วิธีการของข้อถือสิทธิ 64 ที่ซึ่งซับสเตรทมีความหนา เท่ากับ 1-5มม.

68.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 67 ที่ซึ่งทำผิว ที่รองรับฟิล์มสารกึ่งตัวนำไว้ให้เย็นลงจากอุณหภูมิสูงสุด ลงไปถึงต่ำกว่าจุดความเครียดที่อัตรามากกว่าอัตราสูงสุด ซึ่งอาจเกิดการทำให้เย็นลงแบบไอโซเธอร์มอล

69.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 68 ที่ซึ่งอัตรา การทำให้เย็นลงจากอุณหภูมิสูงสุดลงไปถึงต่ำกว่าจุดความ เครียดอยู่ในช่วงของ0.1องศาเซลเซียศ/วินาทีถึง10องศา เซลเซียส/วินาที

70.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 69 ที่ซึ่งอัตรา การทำให้เย็นลงจากอุณหภูมิสูงสุดลงไปถึงต่ำกว่าจุดความ เครียดอยู่ในช่วงของ0.1องศาเซลเซียศ/วินาทีถึง10องศา เซลเซียส/วินาที

71.วิธีการของข้อถือสิทธิ 65 ที่ซึ่งซับสเตรทเป็นแก้ว โซดาไลม์

72.วิธีการของข้อถือสิทธิ 71 ที่ซึ่งทำซับสเตรทให้ร้อน ขึ้นถึงอุณหภูมิสูงสุดเท่ากับ620องศาเซลเซียส

73.วิธีการของข้อถือสิทธิ 72 ที่ซึ่งซับสเตรทมีความหนา เท่ากับ2-4มม.

74.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 73 ที่ซึ่งอัตรา การทำให้เย็นลงจากอุณหภูมิสูงสุดลงไปถึงต่ำกว่าจุดความ เครียดของซับสเตรทที่อัตราอยู่ในราว4องศาเซลเซียส/วินาที

75.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 45 ที่ซึ่งฟิล์ม สารกึ่งตัวนำเป็นฟิล์มของวัสดุที่เลือกจากซิลิคอนหรือโลหะ ผสมของซิลิคอนที่มีการเจือปนหรือไม่มีการเจือปน

76.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 45 ที่ซึ่งทำให้ เกิดฟิล์มของซิลิคอนเป็นชั้นซิลิคอนที่มีการเจือปนต่างกัน จำนวนหนึ่งเป็นหัวต่อกลับกระแสอันหนึ่งหรือมากกว่าาที่จัด ไว้เป็นอุปกรณ์แรงดันพลังแสงหรือเซลล์แสงอาทิตย์

77.วิธีการของข้อถือสิทธิ 76 ที่ซึ่งขอบเขตด้านต่ำของความ หนาของฟิล์มสารกึ่งตัวนำเท่ากับ0.1ไมโครเมตร

78.วิธีการของข้อถือสิทธิ 76 ที่ซึ่งขอบเขตด้านต่ำของความ หนาของฟิล์มสารกึ่งตัยนำเท่ากับ1.0ไมโครเมตร

79.วิธีการของข้อถือสิทธิ 76 ที่ซึ่งขอบเขตด้านต่ำของความ หนาของฟิล์มสารกึ่งตัยนำเท่ากับ3ไมโครเมตร

80.วิธีการของข้อถือสิทธิ 76 ที่ซึ่งขอบเขตด้านต่ำของความ หนาของฟิล์มสารกึ่งตัยนำเท่ากับ100ไมโครเมตร

81.วิธีการของข้อถือสิทธิ 76 ที่ซึ่งขอบเขตด้านต่ำของความ หนาของฟิล์มสารกึ่งตัยนำเท่ากับ15ไมโครเมตร

82.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 76 ที่ซึ่งจุด ความเครียดของซับสเตรทต่ำกว่าหรือไม่สูงกว่าอุณหภูมิในการ ตกผลึกของซิลิคอนฟิล์มอย่างมีนัยสำคัญ

83.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 76 ที่ซึ่ง ซับสเตรทมีจุดความเครียดที่หรือต่ำกว่า520องศาเซลเซียส

84.วิธีการของข้อถือสิทธิ 83 ที่ซับสเตรทมีจุดในการแอนนีล เท่ากับ550องศาเซลเซียส

85.วิธีการของข้อถือสิทธิ 84 ที่ซึ่งซับสเตรทมี สัมประสิทธิ์อุณหภูมิเท่ากับ4-10ส่วนต่อล้าน/องศาเซลเซียส

86.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 76 ที่ซึ่ง ซับสเตรทเป็นแก้วโซดาไลม์ที่มีสารผสมของSiO270-75% โดยน้ำ หนัก, Na2O10-20%และFe1O3น้อยกว่า0.2%โดยน้ำหนัก

87.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 84 ที่ซึ่งสารผสม มีFe2O3น้อยกว่า0.1%โดยน้ำหนัก

88.วิธีการของข้อถือสิทธิ 32 ที่ซึ่งซับสเตรทมี สัมประสิทธิ์อุณหภูมิเท่ากับ4-10ส่วนต่อล้าน/องศาเซลเซียส

89.วิธีการของข้อถือสิทธิ 3 ที่ซึ่งแยกฟิล์มสารกึ่งตัวนำ ออกจากซับสเตรทที่เป็นแก้วโดยฟิล์มที่มีอุณหภูมิจุดความ เครียดต่ำกว่า

90.วิธีการของข้อถือสิทธิ 47 ที่ซึ่งแยกฟิล์มสารกึ่งตัวนำ ออกจากซับสเตรทที่เป็นแก้วโดยฟิล์มที่มีอุณหภูมิจุดความ เครียดต่ำกว่า (ข้อถือสิทธิ 90 ข้อ, 9 หน้า, รูป)