Claims (90)
1.วิธีการทำให้เกิดฟิล์มบางๆของวัสดุผลึกที่รองรับอยู่บนซับสเตรท(substrate)ที่เป็นแก้วโดยการดำเนินกรรมวิธีกับ ฟิล์มอันยรูปสารกึ่งตัวนำที่รองรับโดยซับสเตรทที่เป็นแก้ว เพื่อให้ฟิล์มตกผลึกวิธีการรวมถึงขั้นตอนของ: a)ดำเนินกรรมวิธีกับวัสดุสารกึ่งตัวนำให้เป็นผลึกสารกึ่ง ตัวนำ; b)ในระหว่างหรือต่อจากขั้นตอนการดำเนินกรรมวิธีผ่อนคลาย ความเค้นในฟิล์มโดยการทำอย่างน้อยที่สุดบริเวณของซับสเตรท ที่อยู่ชิดกับผิวระหว่างหน้าระหว่างซับสเตรท์และวัสดุสาร กึ่งตัวนำให้ร้อนขึ้นถึงอุณหภูมิที่หรือสูงกว่าอุณหภูมิจุด ความเครียดของซับสเตรทซึ่งทำให้ร้อนอย่างต่อเนื่องอย่าง น้อยจนกระทั่งบริเวณของซับสเตรทที่อยู่ชิดกับผิวระหว่าง หน้าระหว่างซับสเตรทและวัสดุสารกึ่งตัวนำเริ่มอ่อนนุ่มและ c)ต่อจากขั้นตอนการทำให้ร้อนทำซับสเตรทและวัสดุสารกึ่งตัว นำให้เย็นลงถึงอุณหภูมิต่ำกว่าจุดความเครียดของซับสเตรท1. Method for forming thin films of crystalline material supported on a glass substrate by processing the semiconductor anti-amorphous film supported by the glass substrate to induce crystallization. The method includes the following steps: a) Crystallizing the semiconductor material; b) During or after the stress relief process in the film, at least the regions of the substrate adjacent to the interface between the substrate and the semiconductor are heated to a temperature at or above the substrate strain point, and this heating is continued at least until the regions of the substrate adjacent to the interface between the substrate and the semiconductor are softened; and c) Following the heating step, the substrate and the semiconductor are cooled to a temperature below the substrate strain point.
2.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่งขั้นตอน การดำเนินกรรมวิธีกับฟิล์มวัสดุอันยรูปสารกึ่งตัวนำรวมถึง การทำให้ฟิล์มร้อนขึ้นถึงอุณหภูมิซึ่งจะเกิดการตกผลึกในเฟส ของแข็งในระหว่างระยะเวลาที่มันถูกทำให้ร้อนขึ้นถึง อุณหภูมินี้2. The method claimed in claim 1, in which the processing steps on the semiconductor film include heating the film to a temperature at which solid-phase crystallization occurs during the heating period.
3.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่งดัดแปลง ผิวรองรับสารกึ่งตัวนำโดยการเพิ่มเติมฟิล์มระหว่างกลางบน ผิวก่อนที่จะสะสมฟิล์มสารกึ่งตัวนำซึ่งฟิล์มระหว่างกลางจะ แยกฟิล์มสารกึ่งตัวนำออกจากซับสเตรทที่เป็นแก้ว3. The method claimed in claim 1, which modifies the semiconductor substrate by adding an interlayer film to the substrate before semiconductor film deposition, where the interlayer film separates the semiconductor film from the glass substrate.
4.วิธีการของข้อถือสิทธิ 3 ที่ซึ่งฟิล์มระหว่างกลางมีความ หน้าเท่ากับ 0.0-10 ไมโครเมตร4. Method of claim 3 where the intermediate film has a thickness of 0.0-10 micrometers.
5.วิธีการของข้อถือสิทธิ 4 ที่ซึ่งฟิล์มระหว่างกลางทำหน้า ที่เป็นตัวกั้นสารเคมี5. Method of claim 4 where the intermediate film acts as a chemical barrier.
6.วิธีการของข้อถือสิทธิ 5 ที่ซึ่งฟิล์มระหว่างกลางทำหน้า ที่เป็นขั้นตอนต่อต้านการสะท้อนแสง6. Method of claim 5 where the intermediate film acts as an anti-reflective step.
7.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่งดัดแปลง ผิวของผิวรองรับซับสเตรทโดยการเติมหรือขจัดชนิดที่เลือก7. The method claimed in Claim 1 which modifies the surface of the substrate by adding or removing a selected type.
8.วิธีการของข้อถือสิทธิ 6 ที่ซึ่งดัดแปลงผิวรองรับสาร กึ่งตัวนำโดยการฉายรังสีพลังงานสูง8. The method of claim 6, which involves modifying the semiconductor substrate by irradiating it with high-energy radiation.
9.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่งดัดแปลง ผิวของซับสเตรทที่รองรับฟิล์มสารกึ่งตัวนำเพื่อทำให้มัน เป็นของไหลมากขึ้นที่อุณหภูมิต่ำ9. A method as claimed in claim 1 which modifies the surface of the substrate supporting the semiconductor film to make it more fluid at low temperatures.
10.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่ง ซับสเตรทเป็นแก้วที่อุณหภูมิจุดความเครียดต่ำกว่าอุณหภูมิ ซึ่งการดำเนินการรวมวิธีที่เกิดขึ้นเพื่อทำให้เกิดการตก ผลึกของวัสดุสารกึ่งตัวนำ10. The method claimed in Reputation 1, where the substrate is glass at a stress point temperature below the temperature at which the combined action occurs to induce the crystallization of the semiconductor material.
11.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่งใน ระหว่างหรือหลังขั้นตอนการตกผลึกทำซับสเตรทให้ร้อนขึ้นถึง อุณหภูมิที่มันจะมีรูปร่างเปลี่ยนไปภายใต้แรงโน้มถ่วงโลก จากรูปร่างแบนราบภายในระยะเวลาการดำเนินกรรมวิธีที่กำหนด ไว้ล่วงหน้าเพื่อพลิกกลับการโก่งงอที่ทำให้เกิดขึ้นโดยความ แตกต่างของความต้านระหว่างซับสเตรทและฟิล์มสารกึ่งตัวนำ11. The method claimed in Claim 1 in which, during or after the crystallization phase, the substrate is heated to a temperature at which it undergoes a deformation under gravity from a flat shape within a predetermined processing time, in order to reverse the warping caused by the difference in resistance between the substrate and the semiconductor film.
12.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่งใน ระหว่างหรือหลังขั้นตอนการตกผลึกทำซับสเตรทให้ร้อนขึ้นถึง อุณหภูมิซึ่งมันจะมีรูปร่างเปลี่ยนไปภายใต้แรงโน้มถ่วงโลก จากรูปที่เป็นรูปร่างภายในระยะเวลาการดำเนินกรรมวิธีที่ กำหนดไว้ล่วงหน้าเพื่อพลิกกลับการโก่งงอที่ทำให้เกิดขึ้น โดยความแตกต่างของความเค้นระหว่างซับสเตรทและฟิล์มสารกึ่ง ตัวนำและเพื่อให้เป็นซับเสตรทที่มีรูปร่างที่กำหนดโดยการ ใช้ขั้นสุดท้ายของอุปกรณ์ที่ทำให้เกิดขึ้นจากชั้นสารกึ่ง ตัวนำ12. The method claimed in Claim 1 in which, during or after the crystallization phase, the substrate is heated to a temperature at which it is reshaped under gravity from a defined shape within a predetermined processing time to reverse the warping caused by the stress difference between the substrate and the semiconductor film and to shaped the substrate by the final application of the device formed from the semiconductor layer.
13.วิธีการของข้อถือสิทธิ 12 ที่ซึ่งทำซับสเตรทให้ร้อน ขึ้นถึงอุณหภูมิสูงสุดระหว่างจุดความเครียดและจุดทำงานของ ซับสเตรท13. The method of claim 12 in which the substrate is heated to the maximum temperature between the stress point and the working point of the substrate.
14.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 12 ที่ซึ่งทำ ซับสเตรทให้ร้อนขึ้นถึงอุณหภูมิสูงสุดซึ่งอยู่ในระหว่างจุด ความเครียดและอุณหภูมิตกท้องช้าง(sagging)ของซับสเตรท14. The method claimed in Reputation 12 in which the substrate is heated to a maximum temperature between the stress point and the sagging temperature of the substrate.
15.วิธีการของข้อถือสิทธิ 14 ที่ซึ่งยึดซับสเตรทไว้ที่มุม ของมนอย่างน้อยที่สุดในขณะที่ทำให้ร้อนขึ้นสูงกว่าจุดความ เครียดและในระหว่างขั้นตอนของการทำให้เย็นลงต่อจากนั้น15. The method of claim 14, which holds the substrate at least at an angle of curvature while heating above the stress point and during the subsequent cooling phase.
16.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 14 ที่ซึ่ง ซับสเตรทเป็นแก้วอุณหภูมิต่ำ16. The method as claimed in claim 14, where the substrate is low-temperature glass.
17.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 16 ที่ซึ่ง ซับสเตรทหนา1-10มม.17. The method claimed in claim 16, where the substrate is 1-10 mm thick.
18.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 17 ที่ซึ่ง ซับสเตรทหนา1-5มม.18. Method as claimed in claim 17, where substrate thickness is 1-5 mm.
19.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 18 ที่ซึ่งทำ ฟิล์มที่รองรับฟิล์มสารกึ่งตัวนำไว้ให้เย็นลงจากอุณหภูมิ สูงสุดลงไปถึงต่ำกว่าจุดความเครียดที่อัตรามากกว่าอัตราสูง สุดซึ่งอาจเกิดการทำให้เย็นลงแบบไอโซเธอร์มอล19. A method as claimed in claim 18 in which a semiconductor film supporting film is cooled from its maximum temperature to below the strain point at a rate greater than the maximum rate, which may result in isothermal cooling.
20.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 19 ที่ซึ่งอัตรา การทำให้เย็นลงจากอุณหภูมิสูงสุดลงไปถึงต่ำกว่าจุดความ เครียดอยู่ในช่วงของ0.1องศาเซลเซียส/วินาทีถึง10องศา เซลเซียส/วินาที20. The method claimed in claim 19 where the rate of cooling from the peak temperature to below the stress point is in the range of 0.1 °C/s to 10 °C/s.
21.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 20 ที่ซึ่งอัตรา การทำให้เย็นลงจากอุณหภูมิสูงสุดลงไปถึงต่ำกว่าจุดความ เครียดอยู่ในช่วงของ0.5องศาเซลเซียสถึง10องศา เซลเซียส/วินาที21. The method claimed in claim 20, where the rate of cooling from the peak temperature to below the stress point is in the range of 0.5 °C to 10 °C/second.
22.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 20 ที่ซึ่งอัตรา การทำให้เย็นลงจากอุณหภูมิสูงสุดลงไปถึงต่ำกว่าจุดความ เครียดอยู่ในช่วงของ 4 องศาเซลเซียส/วินาที22. The method claimed in claim 20, where the rate of cooling from the peak temperature to below the stress point is in the range of 4 °C/s.
23.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่งฟิล์ม สารกึ่งตัวนำเป็นฟิล์มของวัสดุที่เลือกจากซิลิคอนหรือโลหะ ผสมของซิลิคอนที่มีการเจือปนหรือไม่มีการเจือปน(undoped)23. The method claimed in Reputation 1 whereby the semiconductor film is a film of material of choice of silicon or silicon alloy, doped or undoped.
24.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่งทำให้ เกิดฟิล์มของซิลิคอนเป็นชั้นซิลิคอนที่มีการเจือปนต่างกัน จำนวนหนึ่งเป็นหัวต่อกลับกระแส(rectifying)อันหนึ่งหรือมาก กว่าที่จัดไว้เป็นอุปกรณ์แรงดันพลังแสง(photovoltaic)หรือ เซลล์แสงอาทิตย์24. The method claimed in Claim 1 that produces a silicon film of differently doped silicon layers as one or more rectifying conductors that are classified as a photovoltaic device or solar cell.
25.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 24 ที่ซึ่งาขอบ เขตด้านต่ำของความหน้าของฟิล์มสารกึ่งตัวนำคือ0.1ไมโครเมตร25. The method claimed in claim 24, where the low boundary of the semiconductor film thickness is 0.1 micrometers.
26.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 24 ที่ซึ่งาขอบ เขตด้านต่ำของความหน้าของฟิล์มสารกึ่งตัวนำคือ1.0ไมโครเมตร26. The method claimed in claim 24, where the low boundary of the semiconductor film thickness is 1.0 micrometer.
27.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 24 ที่ซึ่งาขอบ เขตด้านต่ำของความหน้าของฟิล์มสารกึ่งตัวนำคือ 3 ไมโครเมตร27. The method claimed in claim 24, where the low boundary of the semiconductor film thickness is 3 micrometers.
28.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 24 ที่ซึ่งาขอบ เขตด้านต่ำของความหน้าของฟิล์มสารกึ่งตัวนำคือ 100 ไมโคร เมตร28. The method claimed in claim 24, where the low boundary of the semiconductor film thickness is 100 micrometers.
29.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 24 ที่ซึ่งาขอบ เขตด้านต่ำของความหน้าของฟิล์มสารกึ่งตัวนำคือ 15 ไมโคร เมตร29. The method claimed in claim 24, where the low boundary of the semiconductor film thickness is 15 micrometers.
30.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 24 ที่ซึ่งจุด ความเครียดของซับสเตรทต่ำกว่าหรือไม่สูงกว่าอุณหภูมิในการ ตกผลึกของซิลิคอนฟิล์มอย่างมีนัยสำคัญ30. The method claimed in claim 24 where the substrate strain point is significantly lower than or not higher than the crystallization temperature of the silicon film.
31.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 24 ที่ซึ่ง ซับสเตรทมีจุดความเครียดที่หรือต่ำกว่า 520 องศาเซลเซียส31. The method claimed in Reputation 24 where the substrate has a stress point at or below 520°C.
32.วิธีการของข้อถือสิทธิ 31 ที่ซึ่งซับสเตรทมีจุดในการ แอนนิล(annealing)เท่ากับ550องศาเซลเซียศ32. Method of claim 31 where the substrate has an annealing point of 550 degrees Celsius.
33.วิธีการของข้อถือสิทธิ 31 ที่ซึ่งซับสเตรทมี สัมประสิทธิ์อุณหภูมิเท่ากับ4-10ส่วนต่อล้าน/องศาเซลเซียส33. Method of claim 31 where the substrate has a temperature coefficient of 4-10 parts per million/degree Celsius.
34.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 24 ที่ซึ่ง ซับสเตรทเป็นแก้วโซดาไลม์ที่มีสารผสมของSiO270-75% โดยน้ำ หนัก, Na2O10-20%และFe1O3น้อยกว่า0.2%โดยน้ำหนัก34. The method claimed in claim 24, where the substrate is soda-lime glass containing a mixture of 70-75% by weight of SiO2, 10-20% Na2O, and less than 0.2% by weight of Fe1O3.
35.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 34 ที่ซึ่งสารผสม มีFe2O3น้อยกว่า0.1%โดยน้ำหนัก35. The method claimed in claim 34 where the mixture contains less than 0.1% Fe2O3 by weight.
36.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่ง ซับสเตรทเป็นแก้วอุณหภูมิต่ำ36. The method claimed in claim 1, where the substrate is low-temperature glass.
37.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 36 ที่ซึ่ง ซับสเตรทเป็นแก้วโซดาไลม์37. The method as claimed in claim 36, where the substrate is soda-lime glass.
38.วิธีการของข้อถือสิทธิ 37 ที่ซึ่งทำซับสเตรทให้ร้อน ขึ้นถึงอุณหภูมิสูงสุดเท่ากับ650องศาเซลเซียส38. The method of claim 37 in which the substrate is heated to a maximum temperature of 650 degrees Celsius.
39.วิธีการของข้อถือสิทธิ 11 ที่ซึ่งทำซับเสตรทให้ร้อน ขึ้นถึงอุณหภูมิสูงสุดระหว่างจุดความเครียดและจุดทำงานของ ซับสเตรท39. The method of claim 11 in which the substrate is heated to the maximum temperature between the stress point and the working point of the substrate.
40.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 16 ที่ซึ่งทำผิว ที่รองรับฟิล์มสารกึ่งตัวนำให้เย็นลงจากอุณหภูมิสูงสุดลงไป ถึงต่ำกว่าจุดความเครียดที่อัตราสูกว่าอัตราสูงสุดซึ่งอาจ เกิดการเย็นลงแบบไอโซเธอร์มอล40. A method as claimed in claim 16 in which the semiconductor film substrate is cooled from its maximum temperature to below the strain point at a rate higher than the maximum rate at which isothermal cooling may occur.
41.วิธีการของข้อถือสิทธิ 16 ที่ซึ่งซับสเตรทเป็นแก้ว โซดาไลม์41. Method of claim 16 where the substrate is glass, soda-lime.
42.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 41 ที่ซึ่งทำ ซับสเตรทให้ร้อนขึ้นถึงอุณหภูมิสูงสุเท่ากับ620องศา เซลเซียส42. The method claimed in claim 41, in which the substrate is heated to a maximum temperature of 620 degrees Celsius.
43.วิธีการของข้อถือสิทธิ 42, ที่ซึ่งซับสเตรทหนา2-4มม.43. Method of claim 42, where the substrate is 2-4 mm thick.
44.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่ง ซับสเตรทนั้นคือ แก้วโซดาไลม์ที่มีสารผสมของSiO270-75% โดยน้ำหนัก, Na2O10-20%โดยน้ำหนัก, CaO3-15% โดยน้ำหนักและ Fe2O3น้อยกว่า 0.1% โดยน้ำหนักและทำให้เกิดฟิล์มของชั้น ซิลิคอนหรือดลหะผสมของวิลิคอนที่มีการเจือปนต่างกันจำนว หนึ่งเป็นหัวต่อกระแสอันหนึ่งหรือมากกว่าที่จะไว้เป็น อุปกรณ์แรงดันพลังแสงหรือเซลล์แสงอาทิตย์ซึ่งซับสเตรทนั้น มีความหนาอยู่ในช่วงความหนา2-4มม. และฟิล์มนั้นมีความหนา อยู่ในช่วงความหนา 1.0-15ไมโครเมตร ขั้นตอนของการผ่อนคลายความเค้นรวมถึงการทำอย่างน้อยที่สุด บริเวณหนึ่งของซับสเตรทที่อยู่ชิดกับผิวระหว่างหน้าระหว่าง ซับสเตรทและวัสดุสารกึ่งตัวนำให้ร้อนขึ้นถึงอุณหภูมิสูงสุด ที่620องศาเซลเซียสเพื่อที่จะผ่อนคลายความเค้นในฟิล์มอย่าง มีนัยสำคัญและ ขั้นตอนการทำให้เย็นจะรวมถึงการทำซับสเตรทและวัสดุสารกึ่ง ตัวนำให้เย็นลงถึงอุณหภูมิต่ำกว่าจุดความเครียดของซับสเตรท ที่อัตราอยู่ในราว4องศาเซลเซียส/วินาที44. The method claimed in Reputation 1, where the substrate is soda-lime glass containing a mixture of 70-75% by weight SiO2, 10-20% by weight Na2O, 15% by weight CaO3, and less than 0.1% by weight Fe2O3, forms one or more silicon or semiconductor alloy films as current connectors for use as photovoltaic devices or solar cells. The substrate has a thickness of 2-4 mm, and the film thickness is 1.0-15 µm. Stress relief steps include heating at least one region of the substrate adjacent to the substrate-semiconductor interface to a maximum temperature of 620 °C to significantly relieve stress in the film, and cooling steps include cooling the substrate and semiconductor to temperatures below the substrate strain point. At a rate of approximately 4 degrees Celsius per second.
45.วิธีการทำให้เกิดฟิล์มบางๆของวัสดุผลึกสารกึ่งตัวนำลง บนซับสเตรทที่เป็นแก้วโดยตรงหรือบนชั้นระหว่างกลางรองรับ อยู่โดยซับสเตรทที่เป็นแก้วถึงขั้นตอนของ: a)การทำซับสเตรทที่เป็นแก้วให้ร้อนขึ้นถึงอุณหภูมิซึ่อาจ เกิดการสะสมของวัสดุผลึกสารกึ่งตัวนำ b)สะสมฟิล์มของวัสดุผลึกสารกึ่งตัวนำบนซับสเตรทที่เป็น แก้ว c)ในระหว่างหรือต่อจากขั้นตอนการสะสมดังกล่าวผ่อนคลายความ เค้นในฟิล์มโดยการทำอย่างน้อยที่สุดบริเวณของซับเสตรทที่อ ยูชิดกับผิวระหว่างหน้าระหว่างซับสเตรทและวัสดุสารกึ่งตัว นำให้ร้อนขึ้นถึงอุณหภูมิที่หรือสูงกว่าอุณหภูมิจุดความ เครียดของซับสเตรทซึ่งทำให้ร้อนต่อเนื่องอย่างน้อยจน กระทั่งบริวเณของซับสเตรทที่อยู่ชิดกับผิวระหว่างหน้า ระหว่างซับสเตรทและวัสดุสารกึ่งตัวนำเริ่มอ่อนนุ่มและ d)ต่อจากขั้นตอนการทำให้ร้อนขึ้นทำซับสเตรทและวัสดุสาร กึ่งตัวนำให้เย็นลงถึงอุณหภูมิต่ำกว่าจุดความเครียดของ ซับสเตรท45. The method for forming a thin film of semiconductor crystal material directly onto a glass substrate or onto an interlayer supported by the glass substrate involves the following steps: a) Heating the glass substrate to a temperature at which semiconductor crystal material deposition may occur; b) Depositing the semiconductor crystal material film onto the glass substrate; c) During or after this deposition step, stress relief is performed on the film by heating at least the regions of the substrate adjacent to the interlayer to a temperature at or above the substrate strain point, continuing to heat at least until the regions adjacent to the interlayer begin to soften; and d) Following the heating step, the substrate and semiconductor are cooled to a temperature below the substrate strain point.
46.วิธีการของข้อถือสิทธิ45 ที่ซึ่ง ซับสเตรทนั้นคือ แก้วโซดาไลม์ที่มีสารผสมของSiO270-75% โดยน้ำหนัก, Na2O10-20%โดยน้ำหนัก, CaO3-15% โดยน้ำหนักและ Fe2O3น้อยกว่า 0.1% โดยน้ำหนักและทำให้เกิดฟิล์มของชั้น ซิลิคอนหรือดลหะผสมของวิลิคอนที่มีการเจือปนต่างกันจำนว หนึ่งเป็นหัวต่อกระแสอันหนึ่งหรือมากกว่าที่จะไว้เป็น อุปกรณ์แรงดันพลังแสงหรือเซลล์แสงอาทิตย์ซึ่งซับสเตรทนั้น มีความหนาอยู่ในช่วงความหนา2-4มม. และฟิล์มนั้นมีความหนา อยู่ในช่วงความหนา 1.0-15ไมโครเมตร ขั้นตอนของการผ่อนคลายเค้นรวมถึงการทำอย่างน้อยที่สุด บริเวณหนึ่งของซับสเตรทที่อยู่ชิดกับผิวระหว่างหน้าระหว่าง ซับสเตรทและวัสดุสารกึ่งตัวนำให้ร้อนขึ้นถึงอุณหภูมิสูงสุด ที่620องศาเซลเซียสและ ขั้นตอนของการทำให้เย็นจะรวมถึงการทำซับสเตรทและวัสดุสาร กึ่งตัวนำให้เย็นลงถึงอุณหภูมิต่ำกว่าจุดความเครียดของ ซับสเตรทที่อัตราอยู่ในราว4องศาเซลเซียส/วินาที46. The method of claim 45, where the substrate is soda-lime glass containing a mixture of 70-75% by weight of SiO2, 10-20% by weight of Na2O, 15% by weight of CaO3, and less than 0.1% by weight of Fe2O3, forms one or more silicon or semiconductor alloy films as current connectors for use as photovoltaic devices or solar cells. The substrate has a thickness of 2-4 mm, and the film thickness ranges from 1.0-15 µm. The stress relaxation step involves heating at least one region of the substrate adjacent to the substrate-semiconductor interface to a maximum temperature of 620 °C, and the cooling step involves cooling the substrate and semiconductor to below the substrate strain point at a rate of approximately 4 °C/s.
47.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 45 ที่ซึ่งดัด แปลงผิวรองรับสารกึ่งตัวนำโดยการเพิ่มเติมฟิล์มระหว่างกลาง บนผิวของซับสเตรทก่อนที่จะสะสมฟิล์มสารกึ่งตัวนำซึ่งฟิล์ม ระหว่างกลางจะแยกฟิล์มสารกึ่งตัวนำออกจากซับสเตรทที่เป็น แก้ว47. The method claimed in claim 45, which modifies the semiconductor substrate by adding an interlayer film to the substrate surface before semiconductor film deposition, where the interlayer film separates the semiconductor film from the glass substrate.
48.วิธีการของข้อถือสิทธิ 47 ที่ซึ่งฟิล์มระหว่างกลางมี ความหนาเท่ากับ0.1-10ไมโครเมตร48. Method of claim 47 where the intermediate film has a thickness of 0.1-10 micrometers.
49.วิธีการของข้อถือสิทธิ 48 ที่ซึ่งฟิล์มระหว่างกลางทำ หน้าที่เป็นตัวกั้นสารเคมี49. Method of claim 48 in which the intermediate film acts as a chemical barrier.
50.วิธีการของข้อถือสิทธิ 49 ที่ซึ่งฟิล์มระหว่างกลางทำ หน้าที่เป็นชั้นต่อต้านการสะท้อนแสง50. Method of claim 49 where the intermediate film acts as an anti-reflective layer.
51.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 45 ที่ซึ่งดัด แปลงผิวของผิวรองรับสารกึ่งตัวนำของซับสเตรทโดยการเติมหรือ ขจัดชนิดที่เลือก51. The method claimed in claim 45 which modifies the surface of the semiconductor substrate by adding or removing a selected type.
52.วิธีการของข้อถือสิทธิ 45 ที่ซึ่งดัดแปลงผิวรองรับสาร กึ่งตัวนำโดยการฉายรังสีพลังงานสูง52. The method of claim 45 which modifies the semiconductor substrate by irradiating it with high-energy radiation.
53.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 45 ที่ซึ่งดัด แปลงผิวรองรับสารกึ่งตัวนำของซับสเตรทเพื่อทำให้มันเป็นของ ไหลมากขึ้นที่อุณหภูมิต่ำ53. A method as claimed in claim 45 which modifies the semiconductor substrate surface to make it more fluid at low temperatures.
54.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 45 ที่ซึ่ง ซับสเตรทเป็นแก้วที่มีอุณหภูมิจุดความเครียดต่ำกว่าที่ อุณหภูมิซึ่งการดำเนินกรรมวิธีที่เกิดขึ้นเพื่อทำให้เกิด การตกผลึกของวัสดุสารกึ่งตัวนำ54. The method claimed in claim 45, where the substrate is a glass with a strain point temperature lower than the temperature at which the process that causes crystallization of the semiconductor material occurs.
55.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 45 ที่ซึ่ง ซับสเตรทเป็นแก้วอุณหภูมิต่ำ55. The method claimed in claim 45, where the substrate is low-temperature glass.
56.วิธีการของข้อถือสิทธิ 55 ที่ซึ่งซับสเตรทเป็นแก้ว อุณหภูมิต่ำ56. Method of claim 55 where the substrate is glass, low temperature.
57.วิธีการของข้อถือสิทธิ 56 ที่ซึ่งทำซับสเตรทให้ร้อน ขึ้นถึงอุณหภูมิสูงสุดเท่ากับ650องศาเซลเซียส57. The method of claim 56 in which the substrate is heated to a maximum temperature of 650 degrees Celsius.
58.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 45 ที่ซึ่งใน ระหว่างหรือหลังจากขั้นตอนการตกผลึกทำซับสเตรทให้ร้อนขึ้น ถึงอุณหภูมิซึ่งมันจะมีรูปร่างเปลี่ยนไปภายใต้แรงโน้มถ่วง โลกจากรูปร่างแบนราบภายในระยะเวลาการดำเนินกรรมวิธีที่ กำหนดไว้ล่วงหน้าเพื่อพลิกกลับการโก่งงอที่ทำให้เกิดขึ้น โดยความแตกต่างของความเค้นระหว่างซับสเตรทและฟิล์มสารกึ่ง ตัวนำ58. A method as claimed in claim 45 in which, during or after the crystallization phase, the substrate is heated to a temperature at which it undergoes a deformation under gravity from a flat shape within a predetermined processing time to reverse the warping caused by the stress difference between the substrate and the semiconductor film.
59.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 58 ที่ซึ่งทำ ซับสเตรทให้ร้อนขึ้นถึงอุณหภูมิสูงสุดระหว่างจุดความเครียด และจุดทำงานของซับสเตรท59. The method claimed in claim 58 in which the substrate is heated to the maximum temperature between the stress point and the working point of the substrate.
60.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 45 ที่ซึ่งใน ระหว่างหรือหลังจากขั้นตอนการตกผลึกทำให้ซับสเตรทให้ร้อน ขึ้นถึงอุณหภูมิซึ่งมันจะมีรูปร่างเปลี่ยนไปภายใต้แรงโน้ม ถ่วงโลกจากรูปที่เป็นรูปร่างภายในระยะเวลาการดำนินกรรมวิธี ที่กำหนดไว้ล่วงหน้าเพื่อพลิกกลับการโก่งงอที่ทำให้เกิด ขึ้นโดยความแตกต่างของความเค้นระหว่างซับสเตรทและฟิล์มสาร กึ่งตัวนำเพื่อให้เป็นซับสเตรทที่มีรูปร่างที่กำหนดไว้โดย การใช้ขั้นตอนสุดท้ายของอุปกรณ์ที่ทำให้เกิดขึ้นจากสารกึ่ง ตัวนำ60. The method claimed in claim 45, in which, during or after the crystallization phase, the substrate is heated to a temperature at which it is reshaped under gravity from its predetermined form within a predetermined processing time to reverse the bending caused by the stress difference between the substrate and the semiconductor film, so that it is formed into a defined substrate by the final stage of the semiconductor device.
61.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 60 ที่ซึ่งทำ ซับสเตรทให้ร้อนขึ้นถึงอุณหภูมิสูงสุดระหว่างจุดความเครียด และจุดทำงานของซับสเตรท61. The method claimed in Reputation 60 in which the substrate is heated to the maximum temperature between the stress point and the working point of the substrate.
62.วิธีการของข้อถือสิทธิ 60 ที่ซึ่งทำซับสเตรทให้ร้อน ขึ้นถึงอุณหภูมิสูงสุดซึ่งอยู่ในระหว่างจุดความเครียดและ อุณหภูมิตกท้องช้างของซับสเตรท62. The method of claim 60 involves heating the substrate to a maximum temperature between the stress point and the substrate sacrificial temperature.
63.วิธีการของข้อถือสิทธิ 60 ที่ซึ่งทำซับสเตรทให้ร้อน ขึ้นถึงอุณหภูมิสูงสุดซึ่งอยู่ในระหว่างจุดความเครียดและ อุณหภูมิตกช้องช้างของซับสเตรท63. The method of claim 60 involves heating the substrate to a maximum temperature between the stress point and the substrate's thermoregulation point.
64.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 62 ที่ซึ่ง ซับสเตรทเป็นแก้วอุณหภูมิต่ำ64. The method as claimed in claim 62, where the substrate is low-temperature glass.
65.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 64 ที่ซึ่งทำผิว ที่รองรับฟิล์มสารกึ่งตัวนำไว้ให้เย็นลงจากอุณหภูมิสูงสุด ลงไปถึงต่ำกว่าจุดความเครียดที่อัตรามากกาว่าอัตราสูงสุด ซึ่งอาจเกิดการทำให้เย็นลงแบบไอโซเธอร์มอล65. A method as claimed in claim 64 in which the surface supporting the semiconductor film is cooled from its maximum temperature to below the strain point at a rate greater than the maximum rate, possibly by isothermal cooling.
66.วิธีการของข้อถือสิทธิ 64 ที่ซึ่งซับสเตรทมีความหนา เท่ากับ 1-10มม.66. Method of claim 64 where the substrate has a thickness of 1-10 mm.
67.วิธีการของข้อถือสิทธิ 64 ที่ซึ่งซับสเตรทมีความหนา เท่ากับ 1-5มม.67. Method of claim 64 where the substrate has a thickness of 1-5 mm.
68.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 67 ที่ซึ่งทำผิว ที่รองรับฟิล์มสารกึ่งตัวนำไว้ให้เย็นลงจากอุณหภูมิสูงสุด ลงไปถึงต่ำกว่าจุดความเครียดที่อัตรามากกว่าอัตราสูงสุด ซึ่งอาจเกิดการทำให้เย็นลงแบบไอโซเธอร์มอล68. A method as claimed in claim 67 in which the surface supporting the semiconductor film is cooled from its maximum temperature to below the strain point at a rate greater than the maximum rate, which may involve isothermal cooling.
69.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 68 ที่ซึ่งอัตรา การทำให้เย็นลงจากอุณหภูมิสูงสุดลงไปถึงต่ำกว่าจุดความ เครียดอยู่ในช่วงของ0.1องศาเซลเซียศ/วินาทีถึง10องศา เซลเซียส/วินาที69. The method claimed in claim 68 in which the rate of cooling from the peak temperature to below the stress point is in the range of 0.1 °C/s to 10 °C/s.
70.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 69 ที่ซึ่งอัตรา การทำให้เย็นลงจากอุณหภูมิสูงสุดลงไปถึงต่ำกว่าจุดความ เครียดอยู่ในช่วงของ0.1องศาเซลเซียศ/วินาทีถึง10องศา เซลเซียส/วินาที70. The method claimed in claim 69 where the rate of cooling from the peak temperature to below the stress point is in the range of 0.1 °C/s to 10 °C/s.
71.วิธีการของข้อถือสิทธิ 65 ที่ซึ่งซับสเตรทเป็นแก้ว โซดาไลม์71. Method of claim 65 where the substrate is glass, soda-lime.
72.วิธีการของข้อถือสิทธิ 71 ที่ซึ่งทำซับสเตรทให้ร้อน ขึ้นถึงอุณหภูมิสูงสุดเท่ากับ620องศาเซลเซียส72. The method of claim 71 in which the substrate is heated to a maximum temperature of 620 degrees Celsius.
73.วิธีการของข้อถือสิทธิ 72 ที่ซึ่งซับสเตรทมีความหนา เท่ากับ2-4มม.73. Method of claim 72 where the substrate has a thickness of 2-4 mm.
74.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 73 ที่ซึ่งอัตรา การทำให้เย็นลงจากอุณหภูมิสูงสุดลงไปถึงต่ำกว่าจุดความ เครียดของซับสเตรทที่อัตราอยู่ในราว4องศาเซลเซียส/วินาที74. The method claimed in claim 73, where the cooling rate from the peak temperature to below the substrate strain point is approximately 4 degrees Celsius/second.
75.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 45 ที่ซึ่งฟิล์ม สารกึ่งตัวนำเป็นฟิล์มของวัสดุที่เลือกจากซิลิคอนหรือโลหะ ผสมของซิลิคอนที่มีการเจือปนหรือไม่มีการเจือปน75. The method claimed in claim 45 whereby the semiconductor film is a film of material of choice of silicon or silicon alloy, with or without doping.
76.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 45 ที่ซึ่งทำให้ เกิดฟิล์มของซิลิคอนเป็นชั้นซิลิคอนที่มีการเจือปนต่างกัน จำนวนหนึ่งเป็นหัวต่อกลับกระแสอันหนึ่งหรือมากกว่าาที่จัด ไว้เป็นอุปกรณ์แรงดันพลังแสงหรือเซลล์แสงอาทิตย์76. The method claimed in claim 45 which results in the formation of a silicon film of differently doped silicon layers into one or more current-reversing connectors arranged as a photovoltaic device or solar cell.
77.วิธีการของข้อถือสิทธิ 76 ที่ซึ่งขอบเขตด้านต่ำของความ หนาของฟิล์มสารกึ่งตัวนำเท่ากับ0.1ไมโครเมตร77. Method of claim 76 where the low bound of the semiconductor film thickness is equal to 0.1 micrometers.
78.วิธีการของข้อถือสิทธิ 76 ที่ซึ่งขอบเขตด้านต่ำของความ หนาของฟิล์มสารกึ่งตัยนำเท่ากับ1.0ไมโครเมตร78. Method of claim 76 where the lower bound of the semiconductor film thickness is equal to 1.0 micrometer.
79.วิธีการของข้อถือสิทธิ 76 ที่ซึ่งขอบเขตด้านต่ำของความ หนาของฟิล์มสารกึ่งตัยนำเท่ากับ3ไมโครเมตร79. Method of claim 76 where the lower bound of the semiconductor film thickness is 3 micrometers.
80.วิธีการของข้อถือสิทธิ 76 ที่ซึ่งขอบเขตด้านต่ำของความ หนาของฟิล์มสารกึ่งตัยนำเท่ากับ100ไมโครเมตร80. Method of claim 76 where the lower bound of the semiconductor film thickness is 100 micrometers.
81.วิธีการของข้อถือสิทธิ 76 ที่ซึ่งขอบเขตด้านต่ำของความ หนาของฟิล์มสารกึ่งตัยนำเท่ากับ15ไมโครเมตร81. Method of claim 76 where the lower bound of the semiconductor film thickness is 15 micrometers.
82.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 76 ที่ซึ่งจุด ความเครียดของซับสเตรทต่ำกว่าหรือไม่สูงกว่าอุณหภูมิในการ ตกผลึกของซิลิคอนฟิล์มอย่างมีนัยสำคัญ82. The method claimed in claim 76 where the substrate strain point is significantly lower than or not higher than the crystallization temperature of the silicon film.
83.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 76 ที่ซึ่ง ซับสเตรทมีจุดความเครียดที่หรือต่ำกว่า520องศาเซลเซียส83. The method claimed in claim 76 where the substrate has a stress point at or below 520 degrees Celsius.
84.วิธีการของข้อถือสิทธิ 83 ที่ซับสเตรทมีจุดในการแอนนีล เท่ากับ550องศาเซลเซียส84. The method of claim 83 in which the substrate has an anneal point of 550 degrees Celsius.
85.วิธีการของข้อถือสิทธิ 84 ที่ซึ่งซับสเตรทมี สัมประสิทธิ์อุณหภูมิเท่ากับ4-10ส่วนต่อล้าน/องศาเซลเซียส85. Method of claim 84 where the substrate has a temperature coefficient of 4-10 parts per million/degree Celsius.
86.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 76 ที่ซึ่ง ซับสเตรทเป็นแก้วโซดาไลม์ที่มีสารผสมของSiO270-75% โดยน้ำ หนัก, Na2O10-20%และFe1O3น้อยกว่า0.2%โดยน้ำหนัก86. The method claimed in claim 76, where the substrate is soda-lime glass containing a mixture of 70-75% by weight of SiO2, 10-20% Na2O, and less than 0.2% by weight of Fe1O3.
87.วิธีการตามที่อ้างสิทธิในข้อถือสิทธิ 84 ที่ซึ่งสารผสม มีFe2O3น้อยกว่า0.1%โดยน้ำหนัก87. The method claimed in claim 84 where the mixture contains less than 0.1% Fe2O3 by weight.
88.วิธีการของข้อถือสิทธิ 32 ที่ซึ่งซับสเตรทมี สัมประสิทธิ์อุณหภูมิเท่ากับ4-10ส่วนต่อล้าน/องศาเซลเซียส88. Method of claim 32 where the substrate has a temperature coefficient of 4-10 parts per million/degree Celsius.
89.วิธีการของข้อถือสิทธิ 3 ที่ซึ่งแยกฟิล์มสารกึ่งตัวนำ ออกจากซับสเตรทที่เป็นแก้วโดยฟิล์มที่มีอุณหภูมิจุดความ เครียดต่ำกว่า89. The method of claim 3 in which a semiconductor film is separated from a glass substrate by a film with a lower strain point temperature.
90.วิธีการของข้อถือสิทธิ 47 ที่ซึ่งแยกฟิล์มสารกึ่งตัวนำ ออกจากซับสเตรทที่เป็นแก้วโดยฟิล์มที่มีอุณหภูมิจุดความ เครียดต่ำกว่า (ข้อถือสิทธิ 90 ข้อ, 9 หน้า, รูป)90. The method of claim 47 which separates a semiconductor film from a glass substrate by a film with a lower strain point temperature (Clause 90, page 9, Figure).