TH26309A - ฟิล์มที่ได้รับการดำเนินกระบวนการด้วยลำอีเลคตรอน?สำหรับทำโครงสร้างอีเลคทรอนิคจุลภาค - Google Patents

Abstract

วิธีการที่ได้รับการปรับปรุงให้ดีขึ้นสำหรับใช้ในการผลิตวัสดุรองรับที่เคลือบด้วยฟิล์ม ไดอีเลคตริคเพื่อใช้ในการใช้ งานด้านอีเลคทรอนิคจุลภาค ซึ่งฟิล์มได้รับการดำเนินกระบวน การ โดยการเผยสัมผัสผิวที่เคลือบแล้วของวัสดุรองรับกับฟ ลักซ์ของลำอีเลคตรอน วัสดุรองรับที่บ่มโดย อาศัยการเผย สัมผัสกับลำอีเลคตรอนมีคุณสมบัติดีขึ้นทางด้าน คุณสมบัติไดอีเลคตริค, ความหนาแน่น, ความสม่ำเสมอ, ความ เสถียรต่อความร้อน และความเสถียรต่อออกซิเจน

Claims (19)

1. กระบวนการสำหรับบ่มวัสดุไดอีเลคตริคบนวัสดุรองรับที่ประกอบด้วย : (a) การใส่วัสดุอีเลคตริคลงบนผิวของวัสดุรองรับดังกล่าว และ (b) การเผยสัมผัสวัสดุไดอีเลคตริคดังกล่าวกับการฉายลำ อีเลคตรอนในสภาพ ที่เพียงพอในการบ่มวัสดุไดอี เลคตริคให้กลาย เป็นฟิล์ม

2. กระบวนการของข้อถือสิทธิที่ 1 ซึ่งวัสดุไดอีเลคตริคดัง กล่าวประกอบด้วยซิลิเคท, ฟอสโฟซิลิเคท, ไซลอกเซน, ฟอสโฟไซ ลอกเซน หรือของผสมของสารเหล่านี้

3. กระบวนการของข้อถือสิทธิที่ 2 ซึ่งวัสดุไดอีเลคตริคดัง กล่าวก่อนการเผยสัมผัส กับการฉายลำอีเลคตรอนดังกล่าว ประกอบ ด้วยไซลอกเซนที่มีหมู่อินทรีย์ ที่ประกอบด้วยหมู่อัลคิล ที่ มีคาร์บอน ตั้งแต่ประมาณ 1 ถึง ประมาณ 10 อะตอม ตั้งแต่ ประมาณ 2 เปอร์เซ็นต์ถึงประมาณ 90 เปอร์เซ็นต์ ของน้ำหนัก รวมของไซลอกเซนดังกล่าว , หมู่อาโรแมติคที่มีคาร์บอนตั้ง แต่ประมาณ 4 ถึงประมาณ 10 อะตอม, หมู่อาลิแฟติกที่มี คาร์บอนตั้งแต่ประมาณ 4 ถึงประมาณ 10 อะตอม หรือของผสมของ หมู่เหล่านี้

4. กระบวนการข้อถือสิทธิที่ 1 ซึ่งวัสดุไดอีเลคตริคดัง กล่าวได้รับการบ่มที่อุณหภูมิ ตั้งแต่ประมาณ 25 องศา เซลเซียสถึงประมาณ 400 องศาเซลเซียส

5. กระบวนการของข้อถือสิทธิที่ 1 ซึ่งวัสดุไดอีเลคตริคดัง กล่าวได้รับการบ่มที่ ความดันตั้งแต่ประมาณ 10 มิลลิเทอร์ ถึงประมาณ 200 มิลลิเทอร์

6. กระบวนการของข้อถือสิทธิที่ 1 ซึ่งวัสดุรองรับดังกล่าว ได้รับการเผยสัมผัสกับ การฉายลำอีเลคตรอนในขณะที่มีแก๊สที่ เลือกได้จากกลุ่มที่ประกอบด้วยออกซิเจน, อาร์กอน, ไนโตรเจน, ฮีเลียม และของผสมของแก๊สเหล่านี้

7. วัสดุรองรับที่เคลือบด้วยฟิล์มของข้อถือสิทธิที่ 1 อย่างน้อยหนึ่งชั้น

8. อุปกรณ์อีเลคทรอนิคจุลภาคที่มีวัสดุรองรับของข้อถือ สิทธิที่ 7

9. กระบวนการสำหรับการแอนนีลวัสดุรองรับที่เคลือบด้วย วัสดุที่ได้จากการสะสม ไอสารเคมี ซึ่งประกอบด้วย (a) การใส่วัสดุที่ได้จากการสะสมไอสารเคมีลงไปบนผิวของ วัสดุรองรับ และ (b) การเผยสัมผัสวัสดุที่ได้จากการสะสมไอสารเคมีกับการฉาย ลำอีเลคตรอน ในสภาพที่เพียงพอสำหรับการแอนนีลวัสดุที่ได้จาก การสะสมไอสารเคมีให้กลายเ ป็นฟิล์ม

10. กระบวนการของข้อถือสิทธิข้อที่ 9 ซึ่งวัสดุที่ได้จาก การสะสมไอสารเคมีดังกล่าว ประกอบด้วย เตตราเอทธิลออร์โธซิ ลิเคท ที่ได้รับการส่งเสริมด้วยพลาสมา, ออกไซด์ที่มีไซเลน เป็นองค์ประกอบหลัก, แก้วโบรอน-ฟอสโฟซิลิ เคท, แก้วฟอสโฟซิ ลิเคท, ไนไตรด์, ฟิล์มแอนไฮ- ไดรด์, ออกซีไนไตรด์, แก้วบอ โรฟอสโฟจากเตตราเอทธิลออร์โธไซเลน หรือ ของผสมของสาร เหล่า นี้

11. กระบวนการของข้อถือสิทธิข้อที่ 9 ซึ่งมีการใส่วัสดุ ที่ได้จากการสะสมไอสารเคมี ดังกล่าวลงไปยังวัสดุรองรับดัง กล่าว ในขณะที่มีแก๊สที่ประกอบด้วยของผสมของ เตตราเอทธิ ลออร์ โธซิลิเคท และออกซิเจน หรือ ออกซิเจน, ไซเลน และไดบอเ รนที่อาจเลือกใช้, ฟอสฟัน และ ไนตรัสออกไซด์

12. วัสดุรองรับที่เคลือบด้วยฟิล์มของข้อถือสิทธิที่ 9 อย่างน้อยหนึ่งชั้น

13. อุปกรณ์อีเลคทรอนิคจุลภาคที่ประกอบด้วยวัสดุรองรับของ ข้อถือสิทธิที่ 12

14. กระบวนการสำหรับการทำให้เกิดออกไซด์ หรือ ไนไตรด์บาง พิเศษเจริญขึ้นบนวัสดุ รองรับที่ประกอบด้วย : การเผยสัมผัสผิวของวัสดุรองรับกับการฉายลำอีเลคตรอนในขณะ ที่มีวัสดุในสภาพแก๊ส และในสภาพที่เพียงพอในการไอออนไนซ์ วัสดุนั้น และส่งเสริมปฏิกิริยาการออกซิไดซ์ หรือ การ เกิด ไนไตรด์บนผิวของวัสดุรองรับ

15. กระบวนการของข้อถือสิทธิที่ 14 ซึ่งวัสดุรองรับดัง กล่าวประกอบด้วยแกลเลียม อาร์เซนไนด์ หรือ ซิลิคอน

16. กระบวนการของข้อถือสิทธิที่ 14 ซึ่งวัสดุดังกล่าว ประกอบด้วยออกซิเจน, แอมโมเนีย, ไนโตรเจน, ไนตรัสออกไซด์, ผลผลิตของปฏิกิริยา หรือของผสมของวัสดุเหล่านี้ใน รูปของ แก๊ส, ของแข็งที่ระเหิด หรือ ของเหลวที่กลายเป็นไอ

17. วัสดุรองรับที่เคลือบด้วยฟิล์มของข้อถือสิทธิที่ 14 อย่าง น้อยหนึ่งชั้น

18. อุปกรณ์อีเลคทรอนิคจุลภาคที่ประกอบด้วยวัสดุรองรับของ ข้อถือสิทธิที่ 17

19. กระบวนการของข้อถือสิทธิที่ 1 ซึ่งวัสดุรองรับดังกล่าว คือแว่นผลึกซิลิคอน