Claims (19)
1. กระบวนการสำหรับบ่มวัสดุไดอีเลคตริคบนวัสดุรองรับที่ประกอบด้วย : (a) การใส่วัสดุอีเลคตริคลงบนผิวของวัสดุรองรับดังกล่าว และ (b) การเผยสัมผัสวัสดุไดอีเลคตริคดังกล่าวกับการฉายลำ อีเลคตรอนในสภาพ ที่เพียงพอในการบ่มวัสดุไดอี เลคตริคให้กลาย เป็นฟิล์ม1. The process for curing dielectric material on a substrate consists of: (a) the deposition of the dielectric material onto the surface of such substrate, and (b) the exposure of such dielectric material to electron beam irradiation in a condition sufficient to cure the dielectric material into a film.
2. กระบวนการของข้อถือสิทธิที่ 1 ซึ่งวัสดุไดอีเลคตริคดัง กล่าวประกอบด้วยซิลิเคท, ฟอสโฟซิลิเคท, ไซลอกเซน, ฟอสโฟไซ ลอกเซน หรือของผสมของสารเหล่านี้2. The process of claim 1 in which such dielectric material consists of silicates, phosphosilicates, siloxanes, phosphosiloxanes, or mixtures of these.
3. กระบวนการของข้อถือสิทธิที่ 2 ซึ่งวัสดุไดอีเลคตริคดัง กล่าวก่อนการเผยสัมผัส กับการฉายลำอีเลคตรอนดังกล่าว ประกอบ ด้วยไซลอกเซนที่มีหมู่อินทรีย์ ที่ประกอบด้วยหมู่อัลคิล ที่ มีคาร์บอน ตั้งแต่ประมาณ 1 ถึง ประมาณ 10 อะตอม ตั้งแต่ ประมาณ 2 เปอร์เซ็นต์ถึงประมาณ 90 เปอร์เซ็นต์ ของน้ำหนัก รวมของไซลอกเซนดังกล่าว , หมู่อาโรแมติคที่มีคาร์บอนตั้ง แต่ประมาณ 4 ถึงประมาณ 10 อะตอม, หมู่อาลิแฟติกที่มี คาร์บอนตั้งแต่ประมาณ 4 ถึงประมาณ 10 อะตอม หรือของผสมของ หมู่เหล่านี้3. The process of claim 2, in which the dielectric material, prior to exposure to the electron beam irradiation, consists of siloxanes containing organic groups consisting of alkyl groups with approximately 1 to approximately 10 carbon atoms, ranging from approximately 2 percent to approximately 90 percent of the total weight of the siloxanes; aromatic groups with approximately 4 to approximately 10 carbon atoms; aliphatic groups with approximately 4 to approximately 10 carbon atoms; or a mixture of these groups.
4. กระบวนการข้อถือสิทธิที่ 1 ซึ่งวัสดุไดอีเลคตริคดัง กล่าวได้รับการบ่มที่อุณหภูมิ ตั้งแต่ประมาณ 25 องศา เซลเซียสถึงประมาณ 400 องศาเซลเซียส4. Procedure 1, in which the dielectric material is cured at temperatures ranging from approximately 25°C to approximately 400°C.
5. กระบวนการของข้อถือสิทธิที่ 1 ซึ่งวัสดุไดอีเลคตริคดัง กล่าวได้รับการบ่มที่ ความดันตั้งแต่ประมาณ 10 มิลลิเทอร์ ถึงประมาณ 200 มิลลิเทอร์5. The process of claim 1, in which the dielectric material is cured at pressures ranging from approximately 10 millimeters to approximately 200 millimeters.
6. กระบวนการของข้อถือสิทธิที่ 1 ซึ่งวัสดุรองรับดังกล่าว ได้รับการเผยสัมผัสกับ การฉายลำอีเลคตรอนในขณะที่มีแก๊สที่ เลือกได้จากกลุ่มที่ประกอบด้วยออกซิเจน, อาร์กอน, ไนโตรเจน, ฮีเลียม และของผสมของแก๊สเหล่านี้6. The process of claim 1, in which the support material is exposed to electron beam irradiation in the presence of a selectable gas from the group consisting of oxygen, argon, nitrogen, helium, and a mixture of these gases.
7. วัสดุรองรับที่เคลือบด้วยฟิล์มของข้อถือสิทธิที่ 1 อย่างน้อยหนึ่งชั้น7. A supporting material coated with at least one layer of the film of claim 1.
8. อุปกรณ์อีเลคทรอนิคจุลภาคที่มีวัสดุรองรับของข้อถือ สิทธิที่ 78. Microelectronic device with supporting material for claim 7.
9. กระบวนการสำหรับการแอนนีลวัสดุรองรับที่เคลือบด้วย วัสดุที่ได้จากการสะสม ไอสารเคมี ซึ่งประกอบด้วย (a) การใส่วัสดุที่ได้จากการสะสมไอสารเคมีลงไปบนผิวของ วัสดุรองรับ และ (b) การเผยสัมผัสวัสดุที่ได้จากการสะสมไอสารเคมีกับการฉาย ลำอีเลคตรอน ในสภาพที่เพียงพอสำหรับการแอนนีลวัสดุที่ได้จาก การสะสมไอสารเคมีให้กลายเ ป็นฟิล์ม9. The process for annealing a substrate coated with a vapor deposition material consists of (a) deposition of the vapor deposition material onto the substrate surface and (b) exposure of the vapor deposition material to electron beam irradiation under conditions sufficient for the vapor deposition material to anneal into a film.
10. กระบวนการของข้อถือสิทธิข้อที่ 9 ซึ่งวัสดุที่ได้จาก การสะสมไอสารเคมีดังกล่าว ประกอบด้วย เตตราเอทธิลออร์โธซิ ลิเคท ที่ได้รับการส่งเสริมด้วยพลาสมา, ออกไซด์ที่มีไซเลน เป็นองค์ประกอบหลัก, แก้วโบรอน-ฟอสโฟซิลิ เคท, แก้วฟอสโฟซิ ลิเคท, ไนไตรด์, ฟิล์มแอนไฮ- ไดรด์, ออกซีไนไตรด์, แก้วบอ โรฟอสโฟจากเตตราเอทธิลออร์โธไซเลน หรือ ของผสมของสาร เหล่า นี้10. The process of claim 9 in which the material obtained from the chemical vapor deposition consists of plasma-promoted tetraethyl orthosilicate, silane-based oxides, boron-phosphosilicate glass, phosphosilicate glass, nitride, anhydride film, oxynitride, borophosphoglass from tetraethyl orthosilicate, or a mixture of these.
11. กระบวนการของข้อถือสิทธิข้อที่ 9 ซึ่งมีการใส่วัสดุ ที่ได้จากการสะสมไอสารเคมี ดังกล่าวลงไปยังวัสดุรองรับดัง กล่าว ในขณะที่มีแก๊สที่ประกอบด้วยของผสมของ เตตราเอทธิ ลออร์ โธซิลิเคท และออกซิเจน หรือ ออกซิเจน, ไซเลน และไดบอเ รนที่อาจเลือกใช้, ฟอสฟัน และ ไนตรัสออกไซด์11. The process of claim 9 involves depositing the aforementioned chemical vapor deposition material onto the said support material while a gas consisting of a mixture of tetraethyl orthosilicate and oxygen, or oxygen, silane and diborane, which may be selected, phosphan and nitrous oxide are present.
12. วัสดุรองรับที่เคลือบด้วยฟิล์มของข้อถือสิทธิที่ 9 อย่างน้อยหนึ่งชั้น12. A supporting material coated with at least one layer of the film of claim 9.
13. อุปกรณ์อีเลคทรอนิคจุลภาคที่ประกอบด้วยวัสดุรองรับของ ข้อถือสิทธิที่ 1213. Microelectronic device comprising the substrate material of Claim 12.
14. กระบวนการสำหรับการทำให้เกิดออกไซด์ หรือ ไนไตรด์บาง พิเศษเจริญขึ้นบนวัสดุ รองรับที่ประกอบด้วย : การเผยสัมผัสผิวของวัสดุรองรับกับการฉายลำอีเลคตรอนในขณะ ที่มีวัสดุในสภาพแก๊ส และในสภาพที่เพียงพอในการไอออนไนซ์ วัสดุนั้น และส่งเสริมปฏิกิริยาการออกซิไดซ์ หรือ การ เกิด ไนไตรด์บนผิวของวัสดุรองรับ14. The process for the formation of certain oxides or nitrides on a support material consists of: exposing the support material's surface to electron beam irradiation while the material is in a gaseous state and in a condition sufficient to ionize the material and promote the oxidation or nitriding reaction on the support surface.
15. กระบวนการของข้อถือสิทธิที่ 14 ซึ่งวัสดุรองรับดัง กล่าวประกอบด้วยแกลเลียม อาร์เซนไนด์ หรือ ซิลิคอน15. The process of claim 14, in which the supporting material consists of gallium arsenide or silicon.
16. กระบวนการของข้อถือสิทธิที่ 14 ซึ่งวัสดุดังกล่าว ประกอบด้วยออกซิเจน, แอมโมเนีย, ไนโตรเจน, ไนตรัสออกไซด์, ผลผลิตของปฏิกิริยา หรือของผสมของวัสดุเหล่านี้ใน รูปของ แก๊ส, ของแข็งที่ระเหิด หรือ ของเหลวที่กลายเป็นไอ16. The process of claim 14 in which such material consists of oxygen, ammonia, nitrogen, nitrous oxide, the products of reactions, or mixtures of these materials in the form of gases, sublimated solids, or vaporized liquids.
17. วัสดุรองรับที่เคลือบด้วยฟิล์มของข้อถือสิทธิที่ 14 อย่าง น้อยหนึ่งชั้น17. A supporting material coated with at least one layer of the film of claim 14.
18. อุปกรณ์อีเลคทรอนิคจุลภาคที่ประกอบด้วยวัสดุรองรับของ ข้อถือสิทธิที่ 1718. Microelectronic device comprising the substrate material of claim 17.
19. กระบวนการของข้อถือสิทธิที่ 1 ซึ่งวัสดุรองรับดังกล่าว คือแว่นผลึกซิลิคอน19. The process of claim 1, whereby the supporting material is a silicon crystal wafer.