TH2201007630A

TH2201007630A - เทคนิคการหุ้มปิด

Info

Publication number: TH2201007630A
Application number: TH2201007630A
Authority: TH
Inventors: ชาปิร์
Original assignee: เอลตา ซิสเท็มส์ แอลทีดี
Filing date: 2021-05-11
Publication date: 2025-07-07

Abstract

DEPCT66 ชุดประกอบวงจรรวม (IC) และวิธีการหุ้มปิดของ IC ถูกนำเสนอ ชุดประกอบ IC ประกอบ รวมด้วยซับสเตรตของ IC ที่มีอุปกรณ์ไมโครหนึ่งตัวหรือมากกว่า, ชิ้นส่วนเมทริกซ์ชนิด ไดอิเล็กทริคอย่างน้อยหนึ่งตัวที่ถูกวางไว้บนซับสเตรต IC ดังกล่าวเหนืออย่างน้อยหนึ่งตัวของ อุปกรณ์ไมโครหนึ่งตัวหรือมากกว่าของมัน; และชิ้นส่วนการหุ้มปิดที่ถูกใช้เหนือซับสเตรต IC ดังกล่าว และชิ้นส่วนเมทริกซ์ชนิดไดอิเล็กทริคอย่างน้อยหนึ่งตัวที่ถูกวางไว้บนที่นั่นเพื่อห่อหุ้ม และ ปิดผนึกซับสเตรต IC ดังกล่าว -----------------------------------------------------------

Claims

DEPCT66

1. ชุดประกอบวงจรรวม (IC) ที่ประกอบรวมด้วย: ซับสเตรตของ IC ที่มีอุปกรณ์ไมโครหนึ่งตัวหรือมากกว่า; ชิ้นส่วนเมทริกซ์ชนิดไดอิเล็กทริคอย่างน้อยหนึ่งตัวที่ถูกวางไว้บนซับสเตรต IC ดังกล่าว เหนืออย่างน้อยหนึ่งตัวของอุปกรณ์ไมโครหนึ่งตัวหรือมากกว่าของมัน; และ ชิ้นส่วนการหุ้มปิดที่ถูกใช้เหนือซับสเตรต IC ดังกล่าว และชิ้นส่วนเมทริกซ์ชนิดได อิเล็กทริคอย่างน้อยหนึ่งตัวดังกล่าวที่ถูกวางไว้บนที่นั่นเพื่อห่อหุ้ม และปิดผนึกซับสเตรต IC ดังกล่าว

2. ชุดประกอบตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ที่ประกอบรวมด้วยชิ้นงานสเปเซอร์อย่างน้อยหนึ่งตัวที่ถูก วางไว้บนชิ้นส่วนเมทริกซ์ชนิดไดอิเล็กทริคอย่างน้อยหนึ่งตัวสำหรับการกั้นระหว่างชิ้นส่วนเมทริกซ์ ชนิดไดอิเล็กทริคอย่างน้อยหนึ่งตัวดังกล่าว และชิ้นส่วนการหุ้มปิด

3. ชุดประกอบตามข้อถือสิทธิข้อที่ 2 ที่ซึ่งชิ้นงานสเปเซอร์อย่างน้อยหนึ่งตัวเป็นชิ้นส่วนที่ถอด ออกได้จากชิ้นส่วนในการจัดวางแนวที่ถูกจัดโครงแบบเพื่อวางชิ้นส่วนเมทริกซ์ชนิดไดอิเล็กทริค อย่างน้อยหนึ่งตัวลงบนซับสเตรตของ IC อย่างแม่นยำ

4. ชุดประกอบตามข้อถือสิทธิข้อที่ 2 และ 3 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งชิ้นงานสเปเซอร์อย่างน้อยหนึ่ง ตัวเป็นแผ่นของวัสดุที่เป็นฉนวนไฟฟ้าที่มีความหนาอยู่ในช่วง 0.1 ถึง 0.3 มม.

5. ชุดประกอบตามข้อถือสิทธิที่ได้กล่าวไว้ก่อนหน้านี้ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งชิ้นส่วนเมทริกซ์ชนิด ไดอิเล็กทริคอย่างน้อยหนึ่งตัวถูกทำขึ้นจากฟิล์มบาง หรือฟอยล์

6. ชุดประกอบตามข้อถือสิทธิที่ได้กล่าวไว้ก่อนหน้านี้ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งชิ้นส่วนเมทริกซ์ชนิด ไดอิเล็กทริคอย่างน้อยหนึ่งตัวถูกทำขึ้นจากวัสดุที่ระบายอากาศได้

7. ชุดประกอบตามข้อถือสิทธิที่ได้กล่าวไว้ก่อนหน้านี้ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งชิ้นส่วนเมทริกซ์ชนิด ไดอิเล็กทริคอย่างน้อยหนึ่งตัวถูกทำขึ้นจากวัสดุที่ซึมผ่านได้

8. ชุดประกอบตามข้อถือสิทธิที่ได้กล่าวไว้ก่อนหน้านี้ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งชิ้นส่วนเมทริกซ์ชนิด ไดอิเล็กทริคอย่างน้อยหนึ่งตัวถูกทำขึ้นจากวัสดุเซลลูล่าร์

9. ชุดประกอบตามข้อถือสิทธิที่ได้กล่าวไว้ก่อนหน้านี้ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งชิ้นส่วนเมทริกซ์ชนิด ไดอิเล็กทริคอย่างน้อยหนึ่งตัวถูกทำขึ้นจากวัสดุที่เป็นเส้นใย

10. ชุดประกอบตามข้อถือสิทธิที่ได้กล่าวไว้ก่อนหน้านี้ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งชิ้นส่วนเมทริกซ์ชนิด ไดอิเล็กทริคอย่างน้อยหนึ่งตัวประกอบรวมด้วยชิ้นส่วนที่เป็นห่วง, ตะขอ, และ/หรือขนแข็งจำนวน หนึ่ง

11. ชุดประกอบตามข้อถือสิทธิที่ได้กล่าวไว้ก่อนหน้านี้ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งชิ้นส่วนการหุ้มปิด ประกอบรวมด้วยแม่พิมพ์พลาสติก หรือดายเรซิน

12. ชุดประกอบตามข้อถือสิทธิที่ได้กล่าวไว้ก่อนหน้านี้ข้อใดข้อหนึ่งที่ประกอบรวมด้วย แผงวงจรที่ถูกเชื่อมต่อด้วยไฟฟ้ากับซับสเตรตของ IC และอุปกรณ์ไมโครหนึ่งตัวหรือมากกว่า

13. ชุดประกอบตามข้อถือสิทธิข้อที่ 12 ที่ประกอบรวมด้วยตัวนำไฟฟ้าหนึ่งตัวหรือมากกว่าที่ถูก เชื่อมต่อด้วยไฟฟ้ากับแผงวงจร และขยายออกผ่านชิ้นส่วนการหุ้มปิดเพื่อจัดให้มีภาวะเชื่อมต่อทาง ไฟฟ้ากับแผงวงจรดังกล่าว

14. โครงสร้างวงจรที่มีหลายชั้นที่ประกอบรวมด้วยชุดประกอบ IC ตามข้อถือสิทธิข้อที่ 12 อย่าง น้อยหนึ่งชุด และแผงวงจรเพิ่มเติมอย่างน้อยหนึ่งอันที่มีอุปกรณ์หนึ่งตัวหรือมากกว่า และ/หรือ IC ที่ ถูกยึดติดกับสิ่งนั้น, แผงวงจรเพิ่มเติมดังกล่าวอย่างน้อยหนึ่งอันถูกยึดติด และถูกถูกเชื่อมต่อด้วยไฟฟ้า กับชุดประกอบ IC ดังกล่าวอย่างน้อยหนึ่งชุดเพื่อสร้างโครงสร้างที่เป็นชั้นๆ

15. โครงสร้างวงจรที่มีหลายชั้นตามข้อถือสิทธิข้อที่ 14 ที่ประกอบรวมด้วยตัวนำไฟฟ้าหนึ่งตัว หรือมากกว่าที่ขยายออกผ่านชิ้นส่วนการหุ้มปิดเพื่อจัดให้มีภาวะเชื่อมต่อทางไฟฟ้าระหว่างชุด ประกอบ IC อย่างน้อยหนึ่งชุด และแผงวงจรเพิ่มเติมอย่างน้อยหนึ่งอัน

16. โครงสร้างวงจรที่มีหลายชั้นตามข้อถือสิทธิข้อที่ 15 ที่ประกอบรวมด้วยทางผ่านอย่างน้อย หนึ่งเส้นทางที่ถูกสร้างขึ้นในแผงวงจรเพิ่มเติมอย่างน้อยหนึ่งอันสำหรับการสร้างภาวะเชื่อมต่อทาง ไฟฟ้าที่มีอย่างน้อยหนึ่งตัวของตัวนำไฟฟ้าหนึ่งตัวหรือมากกว่า

17. วิธีการหุ้มปิดวงจรรวมที่ประกอบรวมด้วยอุปกรณ์ไมโครหนึ่งตัวหรือมากกว่า, วิธีการ ประกอบรวมด้วยการวางชิ้นส่วนเมทริกซ์ชนิดไดอิเล็กทริคอย่างน้อยหนึ่งตัวบนซับสเตรต IC ดังกล่าวเหนืออย่างน้อยหนึ่งตัวของอุปกรณ์ไมโครหนึ่งตัวหรือมากกว่าของมัน และใช้แม่พิมพ์ของ การหุ้มปิดเหนือซับสเตรต IC ดังกล่าว และชิ้นส่วนเมทริกซ์ชนิดไดอิเล็กทริคอย่างน้อยหนึ่งตัวที่ถูก วางไว้บนที่นั่นเพื่อห่อหุ้ม และปิดผนึกซับสเตรต IC ดังกล่าว

18. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อที่ 17 ที่ประกอบรวมด้วยการวางชิ้นส่วนเมทริกซ์ชนิดไดอิเล็กทริค อย่างน้อยหนึ่งตัวที่มีชิ้นงานสเปเซอร์บนที่นั่น

19. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อที่ 17 และ 18 ข้อใดข้อหนึ่งที่ประกอบรวมด้วยการยึดชิ้นส่วน เมทริกซ์ชนิดไดอิเล็กทริคอย่างน้อยหนึ่งตัวเข้ากับซับสเตรตของ IC

20. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อที่ 17 ที่ซึ่งการวางชิ้นส่วนเมทริกซ์ชนิดไดอิเล็กทริคอย่างน้อยหนึ่ง ตัวประกอบรวมด้วยการยึดติดชิ้นส่วนเมทริกซ์ชนิดไดอิเล็กทริคอย่างน้อยหนึ่งตัวเข้ากับชิ้นส่วนตัว พาที่ถูกจัดโครงแบบเพื่ออำนวยความสะดวกในการจัดวางตำแหน่งที่แม่นยำของชิ้นส่วนเมทริกซ์ชนิด ไดอิเล็กทริคอย่างน้อยหนึ่งตัวบนซับสเตรตของ IC

21. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อที่ 20 ที่ประกอบรวมด้วยการถอดชิ้นส่วนตัวพาก่อนการใช้สาร เคลือบในการหุ้มปิด

22. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อที่ 21 ที่ซึ่งการถอดชิ้นส่วนตัวพาประกอบรวมด้วยการถอดอย่างน้อย หนึ่งส่วนของชิ้นส่วนตัวพาที่ถูกตั้งอยู่ชิ้นส่วนเมทริกซ์ชนิดไดอิเล็กทริคอย่างน้อยหนึ่งตัวดังกล่าว

23. วิธีการสร้างโครงสร้างวงจรที่มีหลายชั้นที่ประกอบรวมด้วยแผงวงจรอย่างน้อยหนึ่งอัน ด้านบนของ IC ที่ถูกหุ้มปิดที่ใช้วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อที่ 17 ถึง 22 ข้อใดข้อหนึ่ง, และการเชื่อมต่อ แผงวงจรอย่างน้อยหนึ่งอัน และ IC ที่ถูกหุ้มปิดอย่างน้อยหนึ่งอันด้วยไฟฟ้าดังกล่าว

24. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อที่ 23 ที่ซึ่งการเชื่อมต่อด้วยไฟฟ้าประกอบรวมด้วยการสร้างทางผ่าน หนึ่งเส้นทางหรือมากกว่าในแผงวงจรอย่างน้อยหนึ่งอันดังกล่าว

25. ชิ้นส่วนเมทริกซ์ชนิดไดอิเล็กทริคที่ถูกจัดโครงแบบเพื่อรองรับก๊าซไดอิเล็กทริก หรือของ ไหลระหว่างซับสเตรตของวงจรรวม (IC) และชิ้นส่วนการหุ้มปิดของซับสเตรตของ IC ดังกล่าว, ดังนั้นจึงจัดให้มีสภาวะคล้ายช่องว่างอากาศกับอุปกรณ์ไมโครอย่างน้อยหนึ่งตัวที่ถูกสร้างขึ้นใน หรือ บนซับสเตรตของ IC ดังกล่าว

26. ชิ้นส่วนเมทริกซ์ชนิดไดอิเล็กทริคตามข้อถือสิทธิข้อที่ 25 ที่ประกอบรวมด้วยวัสดุที่ระบาย อากาศได้ หรือวัสดุที่ซึมผ่านได้

27. ชิ้นส่วนเมทริกซ์ชนิดไดอิเล็กทริคตามข้อถือสิทธิข้อที่ 26 ที่ประกอบรวมด้วยวัสดุที่เป็นเส้น ใย, ตาข่าย, และ/หรือถูกเจาะรู

28. ชิ้นส่วนเมทริกซ์ชนิดไดอิเล็กทริคตามข้อถือสิทธิข้อที่ 25 ถึง 27 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ประกอบ รวมด้วยอย่างน้อยหนึ่งอันของชิ้นส่วนที่เป็นห่วง, ชิ้นส่วนที่เป็นตะขอ, ชิ้นส่วนที่เป็นขนแข็ง, เซลล์ หรือโพรงที่ถูกเปิดหรือปิด, หรือการรวมกันใดๆ ของสิ่งดังกล่าว -----------------------------------------------------------